CN112420618B - 显示面板及显示面板的制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 168
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 330
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1324—Sensors therefor by using geometrical optics, e.g. using prisms
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/495—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a simple metal, e.g. W, Mo
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本揭示实施例提供了一种显示面板及显示面板的制备方法，显示面板包括衬底基板、驱动电路层、第一薄膜晶体管、平坦化层、像素定义层以及第一电极层和发光层，其中第一薄膜晶体管的栅极包括可透光的膜层材料，发光层发射的光线被外界反射，透过所述栅极并被所述有源层接收，本揭示实施例提供的显示面板能获取并接收更多外界光线，从而有效地提高了显示面板的指纹识别的准确度以及识别效率。
Description
技术领域
本揭示涉及显示面板制造技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示面板的制备方法。
背景技术
近年来，随着显示技术的不断发展，显示面板的功能也得到迅速发展，显示面板现已不再只具备显示功能，还具备其他多种功能。
其中，屏下指纹识别技术现已被广泛应用于各种显示面板上。现有的屏下指纹识别技术中，光学指纹识别技术为目前的主流识别技术之一，光学指纹识别技术通过光电传感器来获取指纹特征，然后再对显示设备进行控制。但是，在搭载有光学屏下指纹识别技术的显示面板中，接收信号的光电传感器模块通常被置于面板下方的特定区域内，接收透过面板内各子像素间的缝隙的光以实现指纹信息的获取。而现有的显示面板内像素电路中的薄膜晶体管等器件多采用金属材料制作，金属材料会对指纹识别光源产生遮挡，光线不能完全达到传感器上，从而降低了指纹识别的效率以及识别准确性。并且，由于只将光电传感器模块设置在特定区域内，因此，只能在“定点”的小区域范围内有效地进行识别，识别通用性不强，降低了产品的用户使用体验，不利于显示面板综合性能的进一步提高。
综上所述，现有的指纹识别技术中，到达显示面板内的光电传感器上的光线量较少，光线不能被完全接收，进而造成显示面板的指纹识别效率较低、指纹的识别准确性差，以及显示面板的指纹识别通用性较低、用户体验较差等问题。
发明内容
本揭示实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法，以解决现有的显示面板的指纹识别技术中，指纹识别效率不高、指纹识别的准确性较低并改善用户的产品体验。
本揭示实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法，以提高显示面板的指纹识别性能。
为解决上述技术问题，本揭示实施例提供的技术方案如下：
本揭示实施例的第一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：
衬底基板；
驱动电路层；所述驱动电路层设置在所述衬底基板上；
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述驱动电路层上；
平坦化层，所述平坦化层设置在所述第一薄膜晶体管上且覆盖所述第一薄膜晶体管；
第一过孔，所述第一过孔设置在所述平坦化层上，且所述第一薄膜晶体管的源极通过所述第一过孔与所述驱动电路层电连接；
第二过孔，所述第二过孔设置在所述平坦化层的一侧；
第三过孔，所述第三过孔设置在与所述第一薄膜晶体管的栅极对应的所述平坦化层上；
第四过孔，所述第四过孔设置在与所述第一薄膜晶体管的有源层对应的膜层上，
像素定义层，所述像素定义层设置在所述平坦化层上，所述像素定义层的一侧设置有开口；
第一电极层，所述第一电极层设置在所述开口内；以及
发光层，所述发光层设置在所述像素定义层的所述开口内，所述发光层设置在所述第一电极层上且所述第一电极层通过所述第二过孔与所述驱动电路层电连接；
其中，所述第一薄膜晶体管的漏极通过所述第三过孔和所述第四过孔分别与所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第一薄膜晶体管的有源层电连接，形成连接桥结构，且所述第一薄膜晶体管的栅极包括可透光的膜层材料，所述发光层发射的光线被外界反射，透过所述栅极并被所述有源层接收。
根据本揭示一实施例，所述可透光的膜层材料包括氧化铟锡材料。
根据本揭示一实施例，所述驱动电路层包括至少两个第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述相邻的两个第二薄膜晶体管之间对应的位置处。
根据本揭示一实施例，所述驱动电路层包括：
所述第二薄膜晶体管的有源层，所述第二薄膜晶体管的所述有源层设置在所述衬底基板上；
第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设置在所述有源层上，并覆盖所述有源层；
所述第二薄膜晶体管的第一栅极层，所述第一栅极层设置在所述第一栅极绝缘层上；
第二栅极绝缘层，所述第栅极二绝缘层设置在所述第一栅极层上并覆盖所述第一栅极层；
所述第二薄膜晶体管的第二栅极层，所述第二栅极层设置在所述第二栅极绝缘层上；
无机绝缘层，所述无机绝缘层设置在所述第二栅极层上，并覆盖所述第二栅极层；以及
第二薄膜晶体管的源极和漏极，所述源极和所述漏极设置所述无机绝缘层上；
其中，所述第一栅极层、所述第二栅极绝缘层和所述第二栅极层形成存储电容结构。
根据本揭示一实施例，所述第一薄膜晶体管的所述有源层与所述第二薄膜晶体管的源极和漏极同层设置。
根据本揭示一实施例，至少一个所述第二薄膜晶体管的所述第二栅极层设置在所述第一栅极层的一侧。
根据本揭示一实施例，所述第一薄膜晶体管的源极通过所述第一过孔与所述第二薄膜晶体管的漏极电连接。
根据本揭示一实施例，所述平坦化层包括第一平坦化层和设置在所述第一平坦化层上的第二平坦化层，所述第一薄膜晶体管的源极和漏极设置在所述第一平坦化层上，所述第二平坦化层覆盖所述第一薄膜晶体管的源极和漏极。
根据本揭示实施例的第二方面，还提供了一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：
S10：在衬底基板上制备驱动电路层，所述驱动电路层包括至少两个阵列设置的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括有源层、栅极以及绝缘层，在所述第二薄膜晶体管对应的膜层上开设过孔结构；
S11：制备形成所述第二薄膜晶体管的源极和漏极，同时，制备第一薄膜晶体管的有源层，并在所述第一薄膜晶体管的有源层上制备栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积并蚀刻形成图案化的所述第一薄膜晶体管的栅极层，其中，所述第一薄膜晶体管的栅极层的材料包括可透光的金属膜层材料；
S12：在所述第一薄膜晶体管的栅极层上制备第一平坦化层，并在所述平坦化层上蚀刻形成过孔，沉积并蚀刻形成图案化的所述第一薄膜晶体管的源极和漏极，其中，所述第一薄膜晶体管的漏极通过所述过孔与所述第一薄膜晶体管的有源层和栅极电连接，所述第一薄膜晶体管的源极通过所述过孔与所述第二薄膜晶体管的漏极电连接；
S13：在所述第一平坦化层上制备第二平坦化层，在所述第二平坦化层上制备像素定义层，并在所述像素定义层的一侧开设一开口，在所述开口对应区域内设置第一电极层，且在所述开口对应的膜层上开设第二过孔结构；其中，所述第一电极层通过所述第一过孔与对应的所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的有源层电连接；
S14：在所述开口对应的区域内设置发光层，并在所述发光层上设置封装层以及保护层，完成所述显示面板的制备。
根据本揭示一实施例，所述步骤S12中，所述过孔结构包括第三过孔和第四过孔，所述第一薄膜晶体管的漏极通过所述第三过孔和所述第四过孔分别与所述第一薄膜晶体管的栅极和有源层电连接，形成一桥接电极结构。
综上所述，本揭示实施例的有意效果为：
本揭示实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法，通过设置驱动电路层和第一薄膜晶体管器件层，第一薄膜晶体管器件层设置在驱动电路层上，其中，在设置第一薄膜晶体管时，将第一薄膜晶体管的栅极配制成可透光的金属膜层材料，当显示面板内的发光层发射的光线被外界反射后，如手指反射，该反射的光线会透过所述栅极并被有源层接收，在有源层内产生光生电子-空穴对。电子-空穴进而被存储于存储电容中，再被外围的电路和芯片转换为特定的电信号，并最终实现将反馈指纹讯息的光讯号转为电讯号。本揭示实施例中的显示面板能最大程度的将反射回来的光线被薄膜晶体管的有源层所接收，有效地提高的显示面板的指纹识别精度和识别性能，同时，本揭示实施例中的显示面板的制备工艺简单，生产成本低。
附图说明
下面结合附图，通过对本揭示的具体实施方式详细描述，将使本揭示的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本揭示实施例提供的显示面板的膜层结构示意图；
图2为本揭示实施例提供的又一显示面板结构示意图；
图3为本揭示实施例提供的制备工艺流程示意图；
图4-图7为本揭示实施例提供的显示面板生产工艺流程对应的面板结构示意图；
图8为本揭示实施例提供的显示面板的两种不同的像素排布方式示意图。
具体实施方式
下面将结合本揭示实施例中的附图，对本揭示实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本揭示一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本揭示中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本揭示保护的范围。
在本揭示的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本揭示和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本揭示的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本揭示的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本揭示实施例提供的显示面板为屏下指纹识别面板，该指纹识别面板能有效地对指纹等触摸信息进行识别，且识别精度高，识别的区域大，识别性能好。
具体的，如图1所示，图1为本揭示实施例提供的显示面板的膜层结构示意图。显示面板包括衬底基板10以及驱动电路层1。其中，驱动电路层1设置在衬底基板10上，衬底基板10可包括多层膜层，优选的，衬底基板10可包含有柔性衬底聚酰亚胺膜层和缓冲层，缓冲层可设置在柔性衬底聚酰亚胺膜层上。
优选的，本揭示实施例中，为了实现显示面板的电路驱动功能，所述驱动电路层1内包括有至少两个第二薄膜晶体管2，第二薄膜晶体管2可阵列间隔设置，具体的，在本揭示实施例中，设置在显示面板两侧的第二薄膜晶体管25、26。
具体的，驱动电路层还包括基板11、第二薄膜晶体管2的有源层20、第一栅极绝缘层12、第一栅极层21、第二栅极绝缘层13、第二栅极层22、无机绝缘层14以及源极23和漏极24。
进一步的，在设置各膜层时，有源层20设置在基板11上，第一栅极绝缘层12设置在基板11上并覆盖所述有源层20，第一栅极层21设置在第一栅极绝缘层12上，第二栅极绝缘层13设置在第一栅极层21上，第二栅极层22设置在第二栅极绝缘层13上，无机绝缘层14设置在第二栅极层22上，且在无机绝缘层14上设置第二薄膜晶体管2的源极23和漏极24。
本揭示实施例中，在设置第二薄膜晶体管2的栅极层时，同时设置第一栅极层21和第二栅极层22，第一栅极21和第二栅极22之间可形成一存储电容C结构，以对电荷进行存储。
进一步的，在设置两栅极层时，至少一个第二薄膜晶体管2的第一栅极层21设置在第二栅极层22的一侧，即在第二薄膜晶体管25中，第二栅极层22设置在第一栅极层21的左侧区域内，而不设置在第一栅极层21的正上方，以有效地减少器件内部的电容值，提高面板的性能。
同时，第二薄膜晶体管2内还设置有多个过孔结构，源极23和漏极24分别通过各自对应区域内的过孔与第二薄膜晶体管2的有源层20电连接。
本揭示实施例中，显示面板还包括第一薄膜晶体管3。具体的，显示面板包括第一薄膜晶体管3的有源层30、钝化层15、第一薄膜晶体管3的栅极层31、第一平坦化层50、第一薄膜晶体管3的源极32和漏极33，以及第二平坦化层51。
具体的，第一薄膜晶体管3的有源层30设置在无机绝缘层14上，钝化层15设置在有源层30上，且完全覆盖有源层30，栅极层31设置在钝化层15上，第一平坦化层50设置在钝化层15上，且覆盖栅极层31，第一薄膜晶体管3的源极32和漏极33设置在第一平坦化层50上，第二平坦化层51设置在第一平坦化层50上，并覆盖所述源极32和漏极33。
其中，第一薄膜晶体管3还包括多个过孔结构，优选的包括第一过孔41、第二过孔42、第三过孔43、第四过孔44以及第五过孔45。第一薄膜晶体管3的源极通过第五过孔45与有源层30电连接，漏极33通过所述第三过孔43和所述第四过孔44分别与所述第一薄膜晶体管3的栅极31和有源层30电连接。
第一薄膜晶体管3的源极还通过第一过孔41与第二薄膜晶体管2的漏极24电连接，从而实现连通和驱动的功能，这样，第一薄膜晶体管3的源极32和漏极33分别形成一桥接的电极结构，从而节省了电路的空间布局。
进一步的，如图1中所示，在显示面板的一侧还设置有第二过孔42，第一薄膜晶体管3的电极还通过第二过孔42与第二薄膜晶体管2的漏极24电连接。
优选的，本揭示实施例中，第一薄膜晶体管3的有源层30主要用以接收外界反射回来的光线，光线经过外界物体的阻挡，如手指的阻挡，光线被再次反射回显示面板内，在反射过程中，光线会依次透过不同的膜层，现有技术中，光线在各个膜层中的损耗较大，进而造成达到信号传感器上的光线过少，从而降低了面板的指纹识别效果。
而本揭示实施例中，在设置第一薄膜晶体管3有源层30和栅极层31时，栅极层31设置为可透光的膜层材料，由于栅极层31可透光，因此，光线在穿透栅极层31时，不会被阻挡，进而使得更多的光线到达有源层30上。保证了指纹识别的精确性，同时，在设置时，将第一薄膜晶体管3设置在相邻的两个第二薄膜晶体管2之间对应的膜层位置上，以优化设计布局空间。
优选的，栅极层31可为透明的氧化铟锡膜层，氧化铟锡膜层的厚度可根据实际产品的需求进行设置。同时，在设置时，栅极层31可相对有源层30的一侧进行设置，从而能够使得外界光线尽可能的的到达有源层30上。
当外界反射回的光线到达显示面板内，会被有源层30所吸收，然后形成光生载流子，进而再被分离形成光生电子-空穴对，由于显示面板内形成有电容结构，被分离的光生电子-空穴对就会进一步的被存储在存储电容C内，继而当驱动电路打开时，存储电容C内的存储电荷会被输送至外围电路和芯片内，而转化成特定的电信号，最终实现识别或解锁等多种功能。
在设置第一薄膜晶体管3和第二薄膜晶体管2时，可将第一薄膜晶体管3的有源层30与第二薄膜晶体管2的源极23和漏极24可同层设置，均设置在无机绝缘层14上。
进一步的，如图2所示，图2为本揭示实施例提供的又一显示面板结构示意图。显示面板还包括像素定义层200、像素定义层层200设置在第二平坦化层51上。
优选的，显示面板还包括一开口206，开口206设置在像素定义层200的一侧，在开口206内对应的设置有第一电极层201和发光层202，发光层202设置在第一电极层201上，同时，第一电极层201通过第二过孔结构与对应的第一薄膜晶体管的漏极电连接，并且，该漏极进一步的通过第二过孔与第二薄膜晶体管的漏极电连接，从而实现对发光层的驱动及控制。
同时，显示面板还包括设置在像素定义层200上的封装层203、设置在封装层203上的保护层204。
在本揭示实施例中，还可将第一薄膜晶体管3设置在驱动电路层1内，即与设置在两相邻的第二薄膜晶体管2之间，其余结构与本揭示实施例图1中的结构相同，此时，使第一薄膜晶体管3的栅极层31与第二薄膜晶体管2的第二栅极层22的材料相同，优选为透明的金属膜层材料，具体可选用透明的氧化铟锡膜层材料，具体结构这里不在详细描述。
当发光层202发射的光线经过外界物体205遮挡后，别再次反射回面板内时，由于本揭示实施例中提供的第一薄膜晶体管的栅极为透明的氧化铟锡膜层，因此，光线可直接透过该膜层而不被遮挡，从而有效地提高了到达第一薄膜晶体管有源层上的光线量，进而提高了识别精度及效果，并且本揭示实施例提供的显示面板的识别区域范围更广，识别效果更好。
进一步的，本揭示实施例还提供一种显示面板的制备方法，如图3所示，图3为本揭示实施例提供的制备工艺流程示意图。以及图4-图7所示，图4-图7为本揭示实施例提供的显示面板生产工艺流程对应的面板结构示意图。
制备工艺流程包括：
S10：在衬底基板上制备驱动电路层，所述驱动电路层包括至少两个阵列设置的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括有源层、栅极以及绝缘层，在所述第二薄膜晶体管对应的膜层上开设过孔结构。
如图4所示，首先在玻璃基底上通过化学气相沉积或离子喷涂等方法逐步沉积柔性衬底10和缓冲层11，同时，利用低温多晶硅技术和蚀刻工艺形成图案化的第二薄膜晶体管的有源层20以及其沟道区域，并采用化学气相工艺沉积第一栅极绝缘层12、继而在第一栅极绝缘层12上沉积并蚀刻形成图案化的第一栅极层21，继续利用化学气相沉积工艺沉积第二栅极绝缘层13，并形成图案化的第二栅极层22，同时，在第二栅极层22上沉积无机绝缘层14，并蚀刻形成第二薄膜晶体管的源极和漏极的过孔结构。
从而使得第一栅极层21、第二栅极绝缘层13和第二栅极层22之间形成存储电容C1结构。
S11：制备形成所述第二薄膜晶体管的源极和漏极，同时，制备第一薄膜晶体管的有源层，并在所述第一薄膜晶体管的有源层上制备栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积并蚀刻形成图案化的所述第一薄膜晶体管的栅极层，其中，所述第一薄膜晶体管的栅极层的材料包括可透光的金属膜层材料。
如图5所示，在步骤S10基础上继续制备形成第二薄膜晶体管的源极23和漏极24，此时，第二栅极层22、无机绝缘层14以及第二薄膜晶体管的源极23或漏极24之间形成第二电容C2结构。并依次沉积并蚀刻形成第一薄膜晶体管的有源层30、栅极层31以及其他膜层结构。其中，所述第一薄膜晶体管的栅极层的材料为可透光的金属膜层材料。
S12：在所述第一薄膜晶体管的栅极层上制备第一平坦化层，并在所述平坦化层上蚀刻形成过孔，沉积并蚀刻形成图案化的所述第一薄膜晶体管的源极和漏极，其中，所述第一薄膜晶体管的漏极通过所述过孔与所述第一薄膜晶体管的有源层和栅极电连接，所述第一薄膜晶体管的源极通过所述过孔与所述第二薄膜晶体管的漏极电连接。
如图6所示，继续制备并形成第一平坦化层50，并蚀刻形成多个过孔结构，具体的，同时制备第一薄膜晶体管的源极32、漏极33，且源极32通过第一过孔41和第五过孔45分别与第二薄膜晶体管的漏极和第一薄膜晶体管的有源层30电连接，形成一桥接结构；漏极33通过第三过孔43和第四过孔44分别与栅极层31和有源层30电连接，并形成一桥接结构，同时，在显示面板的一侧蚀刻形成第二过孔42结构。
S13：在所述第一平坦化层上制备第二平坦化层，在所述第二平坦化层上制备像素定义层，并在所述像素定义层的一侧开设一开口，在所述开口对应区域内设置第一电极层，且在所述开口对应的膜层上开设第二过孔结构；其中，所述第一电极层通过所述第一过孔与对应的所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的有源层电连接。
如图7所示，沉积第二平坦化层51，并蚀刻形成一开口206，同时，在开口206对应的区域内依次制备第一电极层201、发光层202并形成封装层203以及封装层203上的保护层204结构。进而完成整个显示面板的制备。
本揭示实施例提供的显示面板的工艺流程简单，通过12道光罩制程便实现整个显示面板的制备，生产成本低。
进一步的，如图8所示，图8为本揭示实施例提供的显示面板的两种不同的像素排布方式示意图。每个像素单元80内包括有红色子像素82、蓝色子像素83和绿色子像素84，以及指纹识别单元81，在布局空间足够的情况下，指纹识别单元81可与绿色子像素84共用同一发光器件。对于图8中的a图和b图，b图内的指纹识别单元81比a图内的指纹识别单元的像素密度更小，以此能够尽可能的降低指纹识别单元81对整个设计空间的占比，从而本揭示实施例中的显示面板可有效的提高显示的分辨率。以此类推，本揭示实施例中的指纹识别单元81在能够满足指纹识别的精度需求的前提下不限于上述两种排布密度和排布的方式。
以上对本揭示实施例所提供的一种显示面板及显示面板的制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本揭示的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本揭示的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭示各实施例的技术方案的范围。
Claims (8)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板；
驱动电路层；
所述驱动电路层设置在所述衬底基板上；
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述驱动电路层上；
平坦化层，所述平坦化层设置在所述第一薄膜晶体管上且覆盖所述第一薄膜晶体管；
第一过孔，所述第一过孔设置在所述平坦化层上，且所述第一薄膜晶体管的源极通过所述第一过孔与所述驱动电路层电连接；
第二过孔，所述第二过孔设置在所述平坦化层的一侧；
第三过孔，所述第三过孔设置在与所述第一薄膜晶体管的栅极对应的所述平坦化层上；
第四过孔，所述第四过孔设置在与所述第一薄膜晶体管的有源层对应的膜层上，
像素定义层，所述像素定义层设置在所述平坦化层上，所述像素定义层的一侧设置有开口；
第一电极层，所述第一电极层设置在所述开口内；以及
发光层，所述发光层设置在所述像素定义层的所述开口内，所述发光层设置在所述第一电极层上且所述第一电极层通过所述第二过孔与所述驱动电路层电连接；
其中，所述第一薄膜晶体管的栅极位于所述第一薄膜晶体管的有源层远离所述衬底基板的一侧，所述第一薄膜晶体管的漏极通过所述第三过孔和所述第四过孔分别与所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第一薄膜晶体管的有源层电连接，形成连接桥结构，且所述第一薄膜晶体管的栅极包括可透光的膜层材料，所述可透光的膜层材料包括氧化铟锡材料，所述发光层发射的光线被外界反射，透过所述栅极并被所述有源层接收；所述驱动电路层包括至少两个第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在相邻的两个第二薄膜晶体管之间，所述第一电极连接于一所述第二薄膜晶体管的漏极，所述第一薄膜晶体管的源极连接于另一所述第二薄膜晶体管的漏极。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层包括：
所述第二薄膜晶体管的有源层，所述第二薄膜晶体管的所述有源层设置在所述衬底基板上；
第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设置在所述有源层上，并覆盖所述有源层；
所述第二薄膜晶体管的第一栅极层，所述第一栅极层设置在所述第一栅极绝缘层上；
第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层设置在所述第一栅极层上并覆盖所述第一栅极层；
所述第二薄膜晶体管的第二栅极层，所述第二栅极层设置在所述第二栅极绝缘层上；
无机绝缘层，所述无机绝缘层设置在所述第二栅极层上，并覆盖所述第二栅极层；以及
第二薄膜晶体管的源极和漏极，所述源极和所述漏极设置所述无机绝缘层上；
其中，所述第一栅极层、所述第二栅极绝缘层和所述第二栅极层形成存储电容结构。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的所述有源层与所述第二薄膜晶体管的源极和漏极同层设置。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，至少一个所述第二薄膜晶体管的所述第二栅极层设置在所述第一栅极层的一侧。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的源极通过所述第一过孔与所述第二薄膜晶体管的漏极电连接。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述平坦化层包括第一平坦化层和设置在所述第一平坦化层上的第二平坦化层，所述第一薄膜晶体管的源极和漏极设置在所述第一平坦化层上，所述第二平坦化层覆盖所述第一薄膜晶体管的源极和漏极。
7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S10：在衬底基板上制备驱动电路层，所述驱动电路层包括至少两个阵列设置的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括有源层、栅极以及绝缘层，在所述第二薄膜晶体管对应的膜层上开设过孔结构；
S11：制备形成所述第二薄膜晶体管的源极和漏极，同时，制备第一薄膜晶体管的有源层，并在所述第一薄膜晶体管的有源层上制备栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积并蚀刻形成图案化的所述第一薄膜晶体管的栅极层，其中，所述第一薄膜晶体管的栅极层的材料包括可透光的金属膜层材料，所述可透光的膜层材料包括氧化铟锡材料；
S12：在所述第一薄膜晶体管的栅极层上制备第一平坦化层，并在所述平坦化层上蚀刻形成过孔，沉积并蚀刻形成图案化的所述第一薄膜晶体管的源极和漏极，其中，所述第一薄膜晶体管的栅极位于所述第一薄膜晶体管的有源层远离所述衬底基板的一侧，所述第一薄膜晶体管的漏极通过所述过孔与所述第一薄膜晶体管的有源层和栅极电连接，所述第一薄膜晶体管的源极通过所述过孔与所述第二薄膜晶体管的漏极电连接；
S13：在所述第一平坦化层上制备第二平坦化层，在所述第二平坦化层上制备像素定义层，并在所述像素定义层的一侧开设一开口，在所述开口对应区域内设置第一电极层，且在所述开口对应的膜层上开设第二过孔结构；其中，所述第一电极层通过第一过孔与对应的所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的有源层电连接；对于两个所述第二薄膜晶体管，所述第一电极层连接于一所述第二薄膜晶体管的漏极，所述第一薄膜晶体管的源极连接于另一所述第二薄膜晶体管的漏极；
S14：在所述开口对应的区域内设置发光层，并在所述发光层上设置封装层以及保护层，完成所述显示面板的制备。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S12中，所述过孔结构包括第三过孔和第四过孔，所述第一薄膜晶体管的漏极通过所述第三过孔和所述第四过孔分别与所述第一薄膜晶体管的栅极和有源层电连接，形成一桥接电极结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011287035.XA CN112420618B (zh) | 2020-11-17 | 2020-11-17 | 显示面板及显示面板的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011287035.XA CN112420618B (zh) | 2020-11-17 | 2020-11-17 | 显示面板及显示面板的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112420618A CN112420618A (zh) | 2021-02-26 |
| CN112420618B true CN112420618B (zh) | 2024-02-02 |
Family
ID=74832402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011287035.XA Active CN112420618B (zh) | 2020-11-17 | 2020-11-17 | 显示面板及显示面板的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112420618B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12113279B2 (en) | 2020-09-22 | 2024-10-08 | Oti Lumionics Inc. | Device incorporating an IR signal transmissive region |
| WO2022123431A1 (en) | 2020-12-07 | 2022-06-16 | Oti Lumionics Inc. | Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating |
| CN118363193A (zh) * | 2023-01-18 | 2024-07-19 | 北京京东方显示技术有限公司 | 显示基板和制作方法、显示面板、显示装置和检测方法 |
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| CN105304673A (zh) * | 2014-06-11 | 2016-02-03 | 三星显示有限公司 | 包括传感器的有机发光二极管显示器 |
| CN110008936A (zh) * | 2019-04-19 | 2019-07-12 | 广州新视界光电科技有限公司 | 一种指纹识别模组和指纹识别设备 |
| CN110854077A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-02-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| CN111129091A (zh) * | 2019-12-18 | 2020-05-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、oled触控显示装置 |
| CN111128874A (zh) * | 2019-12-18 | 2020-05-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Tft阵列基板及其制备方法、oled触控显示装置 |
| CN111244196A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-06-05 | 云谷（固安）科技有限公司 | 光感薄膜晶体管、显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018225690A1 (ja) * | 2017-06-08 | 2018-12-13 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板および表示装置 |
-
2020
- 2020-11-17 CN CN202011287035.XA patent/CN112420618B/zh active Active
Patent Citations (6)
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| CN105304673A (zh) * | 2014-06-11 | 2016-02-03 | 三星显示有限公司 | 包括传感器的有机发光二极管显示器 |
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| CN110854077A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-02-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| CN111129091A (zh) * | 2019-12-18 | 2020-05-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、oled触控显示装置 |
| CN111128874A (zh) * | 2019-12-18 | 2020-05-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Tft阵列基板及其制备方法、oled触控显示装置 |
| CN111244196A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-06-05 | 云谷（固安）科技有限公司 | 光感薄膜晶体管、显示面板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112420618A (zh) | 2021-02-26 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |