CN111863907A - 一种具有指纹识别功能的显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种具有指纹识别功能的显示面板，包括基板、指纹识别组件、薄膜晶体管和透明电容，所述薄膜晶体管、透明电容置于基板的一面，所述指纹识别组件置于基板的另一面；所述透明电容置于薄膜晶体管的一侧，并与所述薄膜晶体管的源极金属或者漏极金属连接，所述透明电容在垂直于基板方向上置于指纹识别组件的区域处。上述技术方案通过在指纹识别组件区域处设置透明电容，透明电容的存在可以让手指反射光穿透至下方的指纹识别组件，这样就无需特地设置无器件存在的避让区，以实现高分辨率AMOED与指纹识别功能的集成。让显示面板的稳定性与良率也得到控制，同时还可以为其它的驱动元器件及电路腾出更多的制作空间。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种具有指纹识别功能的显示面板。
背景技术
AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode，中译：有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)因色彩更加逼真，且可自发光，在显示功耗上要优于传统的LCD液晶显示。近些年显示屏外观设计的需求为屏幕具有可绕性，AMOLED因其可弯折特性而逐渐占据中高阶市场。同时，屏占比的提升趋势明显，例如正面Home键的消失、上下边框的缩减、使得柔性AMOLED技术优势再次凸显。Home键的消失，及手机背部外观的设计优化，产生了屏下指纹识别的技术方案，因现在LCD的显示技术，实现屏下指纹识别难度较大，还处在研发阶段。
AMOLED由于自发光的特性，可以设计避让区，使手指反射光穿透屏幕达到指纹识别组件中(包括CMOS组件)实现指纹信号收集及读取，以实现指纹识别功能。往往，为了让手指反射光更好地穿透屏幕达到指纹识别组件上，避让区处是不设置电容或者薄膜晶体管等元器件，结构如图1所示。同时，还可以参考申请号为201710418673.2的专利。但避让区的设置会减小驱动元器件及电路的布置区域(如使驱动元器件的尺寸减小、线宽线距缩小等)，在高分辨率AMOLED显示中会影响良率及稳定性。
发明内容
为此，需要提供一种具有指纹识别功能的显示面板，解决显示面板中因为设置避让区，使驱动元器件的布置区域较小的问题。
为实现上述目的，本实施例提供了一种具有指纹识别功能的显示面板，包括基板、指纹识别组件、薄膜晶体管和透明电容，所述薄膜晶体管、透明电容置于基板的一面，所述指纹识别组件置于基板的另一面；
所述透明电容置于薄膜晶体管的一侧，并与所述薄膜晶体管的源极金属或者漏极金属连接，所述透明电容在垂直于基板方向上置于指纹识别组件的区域内。
进一步地，所述薄膜晶体管包括栅极金属、栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层、源极金属和漏极金属，栅极金属设置在基板上，栅极金属上设置有栅极绝缘层，栅极金属的栅极绝缘层上设置有半导体层，半导体层上设置有蚀刻阻挡层，源极金属和漏极金属分别通过蚀刻阻挡层上的孔连接半导体层；
透明电容包括极板一和极板二，所述极板一设置在栅极绝缘层的上表面并位于半导体层的一侧，并与源极金属或者漏极金属连接，所述极板二在垂直于基板方向上与极板一具有重叠面积且具有间隔。
进一步地，还包括钝化层，所述钝化层设置在所述薄膜晶体管与极板一上，所述极板二设置在钝化层的上表面，并位于极板一的正上方。
进一步地，所述蚀刻阻挡层覆盖极板一，所述极板二设置在蚀刻阻挡层上表面，并位于极板一的正上方。
进一步地，所述极板二与栅极金属设置在基板的上表面，极板二位于栅极金属的一侧，栅极绝缘层覆盖极板二，极板二位于极板一的正下方。
进一步地，还包括缓冲层，所述极板二和所述缓冲层均设置在基板的表面，所述缓冲层覆盖极板二，所述栅极金属与栅极绝缘层置于缓冲层的上表面，极板二位于极板一的正下方。
进一步地，所述极板一或者极板二为透明氧化物。
进一步地，所述极板一为IGZO，且极板一为导体化结构；或者：所述极板二为ITO、SnO2或者ZnO。
进一步地，所述极板一为所述半导体层导体化。
进一步地，还包括钝化层、平坦层、阳极、画素定义层、有机发光层、阴极；
在薄膜晶体管上设置有钝化层；
在钝化层上设置有平坦层；
在平坦层上设置有连通源极金属或者漏极金属的孔，该孔贯穿钝化层和平坦层；
在平坦层上设置有阳极，阳极通过平坦层上的孔与源极金属或者漏极金属连接；
在阳极和钝化层上设置有画素定义层，在画素定义层上设置有连通阳极的孔；
在画素定义层上连通阳极的孔处设置有有机发光层；
在有机发光层和画素定义层上设置有阴极。
区别于现有技术，上述技术方案通过在指纹识别组件区域处设置透明电容，透明电容的存在可以让手指反射光穿透至下方的指纹识别组件，这样就无需特地设置无器件存在的避让区，以实现高分辨率AMOED与指纹识别功能的集成。让显示面板的稳定性与良率也得到控制，同时还可以为其它的驱动元器件及电路腾出更多的制作空间。
附图说明
图1为背景技术所述显示面板的剖面结构示意图；
图2为实施例一所述具有透明电容的显示面板的剖面结构示意图；
图3为实施例二所述具有透明电容的显示面板的剖面结构示意图；
图4为实施例三所述具有透明电容的显示面板的剖面结构示意图；
图5为实施例四所述具有透明电容的显示面板的剖面结构示意图。
附图标记说明：
1、基板；
2、薄膜晶体管；
21、栅极金属；
22、栅极绝缘层；
23、半导体层；
24、蚀刻阻挡层；
25、源极金属；
26、漏极金属；
3、透明电容；
31、极板一；
32、极板二；
4、缓冲层；
5、钝化层；
6、平坦层；
7、阳极；
8、画素定义层；
9、有机发光层；
10、阴极；
11、指纹识别组件。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
请参阅图1至图5，本实施例(实施例一至实施例四)提供一种具有指纹识别功能的显示面板，包括基板1、指纹识别组件11、薄膜晶体管2和透明电容3。所述基板1如玻璃基板、塑料基板或者金属箔等。所述薄膜晶体管2和透明电容3置于基板1的一面，所述指纹识别组件11置于基板1的另一面。所述透明电容3置于薄膜晶体管2的一侧，并与所述薄膜晶体管2的源极金属或者漏极金属连接。所述透明电容3在垂直于基板方向上置于指纹识别组件11的区域内。要说明的是，指纹识别组件包括CMOS组件等，用于实现指纹识别功能。
在现有技术中，显示面板具备自发光的特性，可以设计避让区，并在避让区处设置有指纹识别组件，结构如图1所示。当手指反射光穿透屏幕的避让区，再达到指纹识别组件的CMOS组件中实现指纹信号收集及读取。避让区一般为无器件设置(即透光，无薄膜晶体管或金属等膜层)，让指纹识别组件能够准确地接收到手指反射光。但避让区的设置会减小驱动元器件及电路的布置区域，这大大不利于显示面板的集成化与稳定性。在本申请中，上述技术方案通过设置透明电容，透明电容的存在可以让手指反射光穿透至下方的指纹识别组件，这样就无需特地设置无器件存在的避让区，以实现高分辨率AMOED与指纹识别功能的集成，结构如图2至图5所示。让显示面板的稳定性与良率也得到控制，同时还可以为其它的驱动元器件及电路腾出更多的制作空间。
在本实施例中，显示面板可以是以底栅结构的薄膜晶体管2为基础。请参阅图2至图5，具体的，所述薄膜晶体管2包括栅极金属21、栅极绝缘层22、半导体层23、蚀刻阻挡层24、源极金属25和漏极金属26。栅极金属21设置在基板1上，栅极金属21上设置有栅极绝缘层22；栅极金属21区域的栅极绝缘层22上设置有半导体层23；半导体层23上设置有蚀刻阻挡层24；源极金属25和漏极金属26分别通过蚀刻阻挡层24上的孔连接半导体层23。透明电容3设置在薄膜晶体管2的一侧，薄膜晶体管2中的部分绝缘层(如栅极绝缘层或者蚀刻阻挡层)等会作为透明电容3的介电层。透明电容3包括极板一31和极板二32，所述极板一31设置在栅极绝缘层22的上表面并位于半导体层23的一侧，并与源极金属25或者漏极金属26连接。优选的，由于电容的容值是与二者之间的重叠面积有关，所以极板一与极板二是相互平行的，使得有重叠面积最大化。
本申请的第一个发明点在于，极板一与半导体层的材料(一般为透明氧化物)相同并位于同一制程，即在制作半导体层时一并制作极板一。在极板一成型后，对极板一进行导体化，导体化的方式如掺杂(Dopping)或者等离子处理(Plasma Treatment)等，使极板一成为导体化结构。即所述极板一为所述半导体层导体化。导体化结构的极板一具有良好的导电特性，并作为透明电容的一个极板。本申请的另一个发明点在于，透明电容的第二个极板(极板二)在垂直于基板方向上与极板一具有重叠面积且具有间隔，该重叠面积的具体意思为极板二可以位于极板一的上方膜层处或者下方膜层处，该间隔的意思是二者之间具有膜层，膜层作为透明电容的介电层。对此，本申请对于极板二的位置不同，设计四个主要的实施例。本申请的第三个发明点在于，透明电容的极板一与极板二为透明材质，形成透光区域，且设置在指纹识别组件上方。极板一与极板二二者间的间距不同，导致透明电容的容值也不同。透明电容的不同容值可以根据该补偿电路所需的实际容值而定，只要将极板二置于不同的膜层上即可。
请参阅图2，在实施例一中，在薄膜晶体管上设置有钝化层5，钝化层5是为了避免薄膜晶体管2与显示面板上方的膜层(如阳极、阴极等)进行接触，达到避免显示面板的性能得到影响的目的。所述钝化层5设置在所述薄膜晶体管上，一般的，所述钝化层5覆盖住源极金属25、漏极金属26和蚀刻阻挡层24。在此结构中，极板二的材料为透明氧化物并且具有导电特性，所述极板二32设置在钝化层5的上表面，并位于极板一21的正上方。极板一21与极板二22的间距为二者之间的钝化层的厚度加上蚀刻阻挡层的厚度，且透明电容3的介电层也为极板一与极板二两者之间的钝化层与蚀刻阻挡层。要说明的是，因为极板二是置于钝化层上，且钝化层与蚀刻阻挡层一般都为绝缘的材料，如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅、二氧化硅)或者其他绝缘的材料，这样就使得蚀刻阻挡层可以是覆盖极板一，也可以是不覆盖极板一(即不位于极板一与极板二之间)。钝化层与蚀刻阻挡层可以通过化学气相沉积法或者物理气相沉积法制作。
在实施例一的进一步实施例中，在钝化层上设置有平坦层，用于铺平基板因多个制程造成的高低处。一般的，平坦层也为绝缘的材料，平坦层此时也覆盖住极板二，可以对极板二进行保护，避免其它的金属与极板二形成连接。
请参阅图3，在实施例二中，所述蚀刻阻挡层24覆盖极板一31，并充当透明电容3的介电层的作用。在此结构中，所述极板二32设置在蚀刻阻挡层24上表面，并位于极板一31的正上方。极板二的材料为透明氧化物并且具有导电特性。蚀刻阻挡层一般为绝缘的材料，如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅、二氧化硅)或者其他绝缘的材料，可以通过化学气相沉积法或者物理气相沉积法制作。
在此简要说明实施例二的制作工艺：制作半导体层，制作蚀刻阻挡层，同时制作源极金属和漏极金属，制作极板二，其中源极金属和漏极金属通过分别通过蚀刻阻挡层上的孔连接半导体层，而极板二位于蚀刻阻挡层上，并位于极板一的区域上方，且源极金属与极板二的制作工艺可进行更换。
请参阅图4，在实施例三中，所述极板二32与栅极金属21设置在基板1的上表面，极板二32位于栅极金属21的一侧，栅极绝缘层22覆盖极板二32，极板二32位于极板一31的正下方。其中，透明电容的介电层为极板一与极板二之间的栅极绝缘层22，栅极绝缘层同上的材料与制作工艺同上述的绝缘层。极板二的材料为透明氧化物并且具有导电特性。
在此简要说明实施例三的制作工艺：在基板的一面制作栅极金属；制作极板二；极板二位于栅极金属的一侧；而后在栅极金属与极板二上制作栅极绝缘层即可。其中，栅极金属与极板二的制作顺序可进行调整。极板二的材料为透明氧化物并且具有导电特性。栅极绝缘层覆盖栅极与极板二，栅极绝缘层覆盖栅极可以避免栅极与半导体层之间的接触，而覆盖极板二的栅极绝缘层作为透明电容的介电层。
请参阅图5，在实施例四中，极板二32和缓冲层4均设置在基板1的表面，缓冲层4还覆盖极板二32。缓冲层上设置有栅极金属等薄膜晶体管的部分，缓冲层4可以增加栅极金属与基板之间的黏附性，并且可以为显示面板缓冲所受到的外力。缓冲层4一般为绝缘的材料，如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅、二氧化硅)或者其他绝缘的材料，可以通过化学气相沉积法或者物理气相沉积法制作。所述栅极金属21与栅极绝缘层22(依然覆盖栅极)置于缓冲层的上表面，极板二位于极板一的正下方。透明电容的介电层为极板一与极板二之间的缓冲层与栅极绝缘层。
在本实施例中，所述极板一或者极板二为透明氧化物，如铟镓锌氧化物(indiumgallium zinc oxide,IGZO)、铟锌锡氧化物(indium zinc tin oxide,IZTO)、氧化铟锡(Indium tin oxide,缩写ITO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或者其它具有相似特性的材料。优选的，所述极板一为IGZO，且所述极板一为导体化结构；所述极板二为ITO、SnO2或者ZnO等。或者在某些实施例中，极板二为IGZO，且所述极板二也可以为导体化结构。或者在某些实施例中，极板一为ITO、SnO2或者ZnO等，且不为导体化结构。
在本实施例中，包括AM-OLED实现扫描显示所需的最小补偿电路(2T1C)，2T1C为两个薄膜晶体管通过源极金属或者漏极金属相连接，同时再连接一个电容。或者补偿电路还包括5T2C、6T2C等，显示面板中设置有多个这样的补偿电路，每个补偿电路中均设置有透明电容3。即所述透明电容3为多个，多个的所述透明电容3在垂直于基板方向上均置于指纹识别组件的区域处。
要说明的是，所述极板一与所述源极金属或者漏极金属连接，所述极板二通过打孔/走线方式与特定节点电性连接(依补偿电路不同而异)，即电容的极板需要通过过孔或者走线赋给电位，剖面画图不好展现所有节点搭接状况，因此没有展现。
在本实施例中，显示面板还包括设置在薄膜晶体管上的膜层，如钝化层5、平坦层6、阳极7、画素定义层8、有机发光层9、阴极10等。在薄膜晶体管上设置有钝化层5；在钝化层上设置有平坦层6；在平坦层6上设置有连通源极金属25或者漏极金属26的孔，该孔贯穿钝化层和平坦层；在平坦层上设置有阳极7，阳极7通过平坦层上的孔与源极金属或者漏极金属连接，从而起到连接TFT的作用；在阳极7和钝化层上设置有画素定义层8，在画素定义层上8设置有连通阳极7的孔；在画素定义层8上连通阳极7的孔处设置有有机发光层9；在有机发光层9和画素定义层8上设置有阴极10。当然，最后可以在阴极上盖设有玻璃盖板，并且对显示面板进行封装等后续的工艺。
在某些实施例中，显示面板还可以是以顶栅结构的薄膜晶体管为基础。具体的，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅极保护层、栅极金属、栅极绝缘层、源极金属和漏极金属。这时，是半导体层设置在基板上；半导体层上设置有栅极保护层，栅极保护层用于对栅极金属与半导体层之间形成隔离；在半导体层区域的栅极保护层上设置有栅极金属；在栅极金属上设置有栅极绝缘层，栅极绝缘层用于让栅极金属与源极金属/漏极金属之间形成隔离；在栅极绝缘层上设置有连通半导体层的孔，该孔位于栅极金属的外侧，源极金属和漏极金属分别通过栅极绝缘层上的孔连接半导体层。相同的，透明电容的极板一设置在基板上并位于半导体层的一侧，极板一与半导体层的材料相同并位于同一制程；极板二可以设置在栅极保护层上，或者极板二设置在栅极绝缘层上，或者极板二设置在覆盖薄膜晶体管的钝化层上，或者极板二设置在薄膜晶体管下方的缓冲层上。
在本领域中，掺杂(Dopping)：采用离子注入方式，将Al、In、Ga等离子注入氧化物半导体中。由于金属离子的注入，可以增加透明氧化物薄膜内部多数载流子数量，提升多数载流子迁移率，从而降低电阻率实现导体化(或者称作导电化)，增强导电特性。多数氧化物半导体的多数载流子作为电子，且电子的传输能力要强于空穴。等离子体处理(plasmatreatment)：作为一种处理方式，一般采用等离子体做表面处理，例如NO2、O2和H2等，增加氧化物半导体可移动电子，使膜层电阻率下降，增强导电特性。
本实施例提供一种具有指纹识别功能的显示面板制作方法，包括如下步骤：在基板上的一面制作薄膜晶体管2和透明电容3，所述基板1如玻璃基板、塑料基板或者金属箔等。所述透明电容3置于薄膜晶体管2的一侧，并与所述薄膜晶体管2的源极金属或者漏极金属连接。在制作好薄膜晶体管2和透明电容3后，在基板的另一面方向处设置上指纹识别组件11，所述透明电容3在垂直于基板方向上置于指纹识别组件11的区域内。要说明的是，指纹识别组件包括CMOS组件等，用于实现指纹识别功能。
在本实施例(实施例一至实施例四)中，显示面板可以是以底栅结构的薄膜晶体管2为基础。请参阅图2至图5，具体的，所述薄膜晶体管2包括栅极金属21、栅极绝缘层22、半导体层23、蚀刻阻挡层24、源极金属25和漏极金属26。由如下步骤制得：在基板上制作栅极金属21；在基板上涂布光阻，而后图形化光阻，即对光阻进行曝光和显影，使得待制作栅极金属21的部位开口。而后镀上栅极金属材料，如铝、钼、钛、镍、铜、银、铬等导电性优良金属一种或多种，以及合金，在基板上形成栅极金属，栅极金属制作完毕后清除光阻。在栅极金属21上制作栅极绝缘层22；通过化学气相沉积法或者物理气相沉积法的方式镀上绝缘层材料，如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅、二氧化硅)或者其他绝缘的材料，在栅极金属21上形成栅极绝缘层22，实现对栅极金属21的保护。
请参阅图5，在实施例四中，便是先在栅极金属21制作前，在基板上制作透明电容3的极板二32，极板二如透明氧化物(ITO、SnO2或者ZnO等)。而后通过化学气相沉积法或者物理气相沉积法的方式镀上绝缘层材料，如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅、二氧化硅)或者其他绝缘的材料，在极板二32与基板上形成缓冲层4，缓冲层4还覆盖极板二32。缓冲层4可以增加栅极金属与基板之间的黏附性，并且可以为显示面板缓冲所受到的外力。而后在缓冲层上制作薄膜晶体管即可。
请参阅图4，在实施例三中，在制作栅极金属后，制作栅极绝缘层前，需要进行极板二32的制作，即极板二与栅极金属位于基板上。而后让栅极绝缘层22覆盖极板二32，极板二32位于极板一31的正下方即可。其中，透明电容的介电层为极板一与极板二之间的栅极绝缘层22，极板二的材料为透明氧化物并且具有导电特性。当然，栅极金属和极板二的制作顺序可以进行更换。
在栅极绝缘层22上同时制作半导体层23和透明电容3的极板一31；一般地，半导体层的材料为透明氧化物，如铟镓锌氧化物(indiumgallium zinc oxide,IGZO)、铟锌锡氧化物(indium zinc tin oxide,IZTO)、氧化铟锡(Indium tin oxide,缩写ITO)等或者其他具有相似特性的材料。极板一与半导体层的材料(一般为透明氧化物)相同并位于同一制程。在极板一成型后，对极板一进行导体化，导体化的方式如掺杂(Dopping)或者等离子处理(Plasma Treatment)等，使极板一成为导体化结构。导体化结构的极板一具有良好的导电特性，并作为透明电容的一个极板。
在本领域中，掺杂(Dopping)：采用离子注入方式，将Al、In、Ga等离子注入氧化物半导体中。由于金属离子的注入，可以增加透明氧化物薄膜内部多数载流子数量，提升多数载流子迁移率，从而降低电阻率实现导体化(或者称作导电化)，增强导电特性。多数氧化物半导体的多数载流子作为电子，且电子的传输能力要强于空穴。等离子体处理(plasmatreatment)：作为一种处理方式，一般采用等离子体做表面处理，例如NO2、O2和H2等，增加氧化物半导体可移动电子，使膜层电阻率下降，增强导电特性。
而后在半导体层23上制作蚀刻阻挡层24，蚀刻阻挡层可以保护半导体层23的导电沟道部分不被后续的制程破坏；同样的，通过化学气相沉积法或者物理气相沉积法的方式镀上绝缘层材料，如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅、二氧化硅)或者其他绝缘的材料，在半导体层23上形成蚀刻阻挡层24，实现对半导体层23的保护。如果蚀刻阻挡层24要作为透明电容3的介电层，那么让蚀刻阻挡层也覆盖极板一即可，如果蚀刻阻挡层24不作为透明电容3的介电层，那么便不覆盖即可。在制作蚀刻阻挡层24后，蚀刻蚀刻阻挡层24形成连通半导体层的孔，作为源极金属25、漏极金属26与半导体层的连接点。
在半导体层上制作源极金属25和漏极金属26，源极金属25和漏极金属26分别通过蚀刻阻挡层24上的孔连接半导体层23。
请参阅图3，在实施例二中，在源极金属25和漏极金属26制作完毕后，需要进行极板二32的制作，即极板二与源极金属25、漏极金属26位于蚀刻阻挡层上。当然，蚀刻阻挡层24要先覆盖极板一31，作为透明电容3的介电层。极板二32位于极板一31的正上方即可，极板二的材料为透明氧化物并且具有导电特性。当然，源极金属25、漏极金属26和极板二的制作顺序可以进行更换。
请参阅图2，在实施例一中，一般在薄膜晶体管制作完毕后，制作一钝化层为其保护；同样的，通过化学气相沉积法或者物理气相沉积法的方式镀上绝缘层材料，如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅、二氧化硅)或者其他绝缘的材料，在源极金属25、漏极金属26和蚀刻阻挡层24上形成钝化层5，实现对薄膜晶体管2的保护。在钝化层制作完毕后，在极板一区域的钝化层上制作极板二，极板二同样如透明氧化物并且具有导电特性，透明电容的介电层为极板一与极板二之间的钝化层与蚀刻阻挡层(蚀刻阻挡层是否作为介电层取决于是否位于两个极板之间)。
在本实施例中，所述极板一或者极板二为透明氧化物，如铟镓锌氧化物(indiumgallium zinc oxide,IGZO)、铟锌锡氧化物(indium zinc tin oxide,IZTO)、氧化铟锡(Indium tin oxide,缩写ITO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或者其它具有相似特性的材料。优选的，所述极板一为IGZO，且所述极板一为导体化结构；所述极板二为ITO、SnO2或者ZnO等。或者在某些实施例中，极板二为IGZO，且所述极板二也可以为导体化结构。或者在某些实施例中，极板一为ITO、SnO2或者ZnO等，且不为导体化结构。
在本实施例中，包括AM-OLED实现扫描显示所需的最小补偿电路(2T1C)，2T1C为两个薄膜晶体管通过源极金属或者漏极金属相连接，同时再连接一个电容。或者补偿电路还包括5T2C、6T2C等，显示面板中设置有多个这样的补偿电路，每个补偿电路中均设置有透明电容3。即所述透明电容3为多个，多个的所述透明电容3在垂直于基板方向上均置于指纹识别组件的区域处。
要说明的是，所述极板一与所述源极金属或者漏极金属连接，所述极板二通过打孔/走线方式与特定节点电性连接(依补偿电路不同而异)，即电容的极板需要通过过孔或者走线赋给电位，剖面画图不好展现所有节点搭接状况，因此没有展现。
在本实施例中，显示面板还包括在薄膜晶体管上制作其他膜层，如钝化层5、平坦层6、阳极7、画素定义层8、有机发光层9、阴极10等。在薄膜晶体管上制作钝化层5；在钝化层上制作有平坦层6，有机平坦层覆盖钝化层，用于铺平基板因多个制程造成的高低处；在平坦层6上制作连通源极金属25或者漏极金属26的孔，该孔贯穿钝化层和平坦层；在平坦层上制作阳极7，阳极7通过平坦层上的孔与源极金属或者漏极金属连接，从而起到连接TFT的作用；在阳极7和钝化层上制作画素定义层8，在画素定义层上8制作连通阳极7的孔；在画素定义层8上连通阳极7的孔处制作有机发光层9；在有机发光层9和画素定义层8上制作阴极10。当然，最后可以在阴极上盖设有玻璃盖板，并且对显示面板进行封装等后续的工艺。
在某些实施例中，显示面板还可以是以顶栅结构的薄膜晶体管为基础。具体的，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅极保护层、栅极金属、栅极绝缘层、源极金属和漏极金属。这时，是半导体层设置在基板上；半导体层上设置有栅极保护层，栅极保护层用于对栅极金属与半导体层之间形成隔离；在半导体层区域的栅极保护层上设置有栅极金属；在栅极金属上设置有栅极绝缘层，栅极绝缘层用于让栅极金属与源极金属/漏极金属之间形成隔离；在栅极绝缘层上设置有连通半导体层的孔，该孔位于栅极金属的外侧，源极金属和漏极金属分别通过栅极绝缘层上的孔连接半导体层。相同的，透明电容的极板一设置在基板上并位于半导体层的一侧，极板一与半导体层的材料相同并位于同一制程；极板二可以设置在栅极保护层上，或者极板二设置在栅极绝缘层上，或者极板二设置在覆盖薄膜晶体管的钝化层上，或者极板二设置在薄膜晶体管下方的缓冲层上。
需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此，基于本发明的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明的专利保护范围之内。
Claims (10)
1.一种具有指纹识别功能的显示面板，其特征在于，包括基板、指纹识别组件、薄膜晶体管和透明电容，所述薄膜晶体管、透明电容置于基板的一面，所述指纹识别组件置于基板的另一面；
所述透明电容置于薄膜晶体管的一侧，并与所述薄膜晶体管的源极金属或者漏极金属连接，所述透明电容在垂直于基板方向上置于指纹识别组件的区域内。
2.根据权利要求1所述的一种具有指纹识别功能的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅极金属、栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层、源极金属和漏极金属，栅极金属设置在基板上，栅极金属上设置有栅极绝缘层，栅极金属的栅极绝缘层上设置有半导体层，半导体层上设置有蚀刻阻挡层，源极金属和漏极金属分别通过蚀刻阻挡层上的孔连接半导体层；
透明电容包括极板一和极板二，所述极板一设置在栅极绝缘层的上表面并位于半导体层的一侧，并与源极金属或者漏极金属连接，所述极板二在垂直于基板方向上与极板一具有重叠面积且具有间隔。
3.根据权利要求2所述的一种具有指纹识别功能的显示面板，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层设置在所述薄膜晶体管与极板一上，所述极板二设置在钝化层的上表面，并位于极板一的正上方。
4.根据权利要求2所述的一种具有指纹识别功能的显示面板，其特征在于，所述蚀刻阻挡层覆盖极板一，所述极板二设置在蚀刻阻挡层上表面，并位于极板一的正上方。
5.根据权利要求2所述的一种具有指纹识别功能的显示面板，其特征在于，所述极板二与栅极金属设置在基板的上表面，极板二位于栅极金属的一侧，栅极绝缘层覆盖极板二，极板二位于极板一的正下方。
6.根据权利要求2所述的一种具有指纹识别功能的显示面板，其特征在于，还包括缓冲层，所述极板二和所述缓冲层均设置在基板的表面，所述缓冲层覆盖极板二，所述栅极金属与栅极绝缘层置于缓冲层的上表面，极板二位于极板一的正下方。
7.根据权利要求1所述的一种具有指纹识别功能的显示面板，其特征在于，所述极板一或者极板二为透明氧化物。
8.根据权利要求7所述的一种具有指纹识别功能的显示面板，其特征在于，所述极板一为IGZO，且极板一为导体化结构；或者：所述极板二为ITO、SnO2或者ZnO。
9.根据权利要求2所述的一种具有指纹识别功能的显示面板，其特征在于，所述极板一为所述半导体层导体化。
10.根据权利要求2所述的一种具有指纹识别功能的显示面板，其特征在于，还包括钝化层、平坦层、阳极、画素定义层、有机发光层、阴极；
在薄膜晶体管上设置有钝化层；
在钝化层上设置有平坦层；
在平坦层上设置有连通源极金属或者漏极金属的孔，该孔贯穿钝化层和平坦层；
在平坦层上设置有阳极，阳极通过平坦层上的孔与源极金属或者漏极金属连接；
在阳极和钝化层上设置有画素定义层，在画素定义层上设置有连通阳极的孔；
在画素定义层上连通阳极的孔处设置有有机发光层；
在有机发光层和画素定义层上设置有阴极。
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