JP6806812B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6806812B2 JP6806812B2 JP2019001591A JP2019001591A JP6806812B2 JP 6806812 B2 JP6806812 B2 JP 6806812B2 JP 2019001591 A JP2019001591 A JP 2019001591A JP 2019001591 A JP2019001591 A JP 2019001591A JP 6806812 B2 JP6806812 B2 JP 6806812B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- region
- oxygen
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 418
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 62
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 61
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 59
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 59
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 775
- 239000010408 film Substances 0.000 description 466
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 332
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 264
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 264
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 212
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 151
- 238000000034 method Methods 0.000 description 81
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 79
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 62
- -1 oxygen radical Chemical class 0.000 description 61
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 57
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 51
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 49
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 49
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 45
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 34
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 32
- 229910052782 aluminium Chemical group 0.000 description 32
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 230000006870 function Effects 0.000 description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000010936 titanium Chemical group 0.000 description 29
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 22
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 20
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 19
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 17
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 16
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 15
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 15
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 14
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 13
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 13
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 11
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Chemical group 0.000 description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical group [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 6
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 5
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical group [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 4
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 2
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 206010052128 Glare Diseases 0.000 description 1
- 229910017947 MgOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 230000005274 electronic transitions Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 150000002831 nitrogen free-radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000033764 rhythmic process Effects 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
- H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
- H01L27/1285—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using control of the annealing or irradiation parameters, e.g. using different scanning direction or intensity for different transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/26—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22, H01L29/24, e.g. alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41775—Source or drain electrodes for field effect devices characterised by the proximity or the relative position of the source or drain electrode and the gate electrode, e.g. the source or drain electrode separated from the gate electrode by side-walls or spreading around or above the gate electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78636—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with supplementary region or layer for improving the flatness of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
- H01L29/78693—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate the semiconducting oxide being amorphous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
- G09G2300/0857—Static memory circuit, e.g. flip-flop
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/08—Details of timing specific for flat panels, other than clock recovery
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Shift Register Type Memory (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
いう)で構成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶
表示パネルに代表される電気光学装置や有機発光素子を有する発光表示装置を部品として
搭載した電子機器に関する。
全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
アクティブマトリクス型の表示装置(液晶表示装置や発光表示装置や電気泳動式表示装置
)が盛んに開発されている。アクティブマトリクス型の表示装置は、画素(又は1ドット
)毎にスイッチング素子が設けられており、単純マトリクス方式に比べて画素密度が増え
た場合に低電圧駆動できるので有利である。
製し、電子デバイスや光デバイスに応用する技術が注目されている。例えば、酸化物半導
体膜として酸化亜鉛(ZnO)を用いるTFTや、InGaO3(ZnO)mを用いるT
FTが挙げられる。これらの酸化物半導体膜を用いたTFTを、透光性を有する基板上に
形成し、画像表示装置のスイッチング素子などに用いる技術が特許文献1及び特許文献2
で開示されている。
造工程が比較的簡単であり、十分な信頼性が求められている。
料を用いる。特に、大面積の表示を行う表示装置を製造する際、配線の抵抗による信号の
遅延問題が顕著になってくる。従って、配線や電極の材料としては、電気抵抗値の低い金
属材料を用いることが望ましい。電気抵抗値の低い金属材料からなるソース電極及びドレ
イン電極と、酸化物半導体膜とが直接接する薄膜トランジスタ構造とすると、コンタクト
抵抗が高くなる恐れがある。コンタクト抵抗が高くなる原因は、ソース電極及びドレイン
電極と、酸化物半導体膜との接触面でショットキー接合が形成されることが要因の一つで
ある。
形成され、周波数特性(f特性と呼ばれる)が低くなり、薄膜トランジスタの高速動作を
妨げる恐れがある。
を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極またはドレイン電極のコンタクト抵抗を
低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。
や信頼性を向上させることも課題の一つとする。
のバラツキを低減することも課題の一つとする。特に、液晶表示装置においては、個々の
素子間でのバラツキが大きい場合、そのTFT特性のバラツキに起因する表示むらが発生
する恐れがある。
されたTFT(駆動回路または画素に配置される発光素子に電流を供給するTFT)のオ
ン電流(Ion)のバラツキが大きい場合、表示画面において輝度のバラツキが生じる恐
れがある。
て積極的に設ける薄膜トランジスタを提供することを要旨とする。半導体層として酸素過
剰酸化物半導体層を用い、ソース領域及びドレイン領域として酸素欠乏酸化物半導体層を
用いる。このソース領域及びドレイン領域の酸素欠乏酸化物半導体層は直径1nm〜10
nm、代表的には2nm〜4nm程度の結晶粒が存在している。
膜を用いることができる。また、In、Ga、及びZnのいずれか一をタングステン、モ
リブデン、チタン、ニッケル、又はアルミニウムと置換してもよい。
体層を「IGZO半導体層」とも記す。
らに、そのコンタクト抵抗は極力低減することが望まれる。同様に、ドレイン電極層とI
GZO半導体層とはオーミック性のコンタクトが必要であり、さらに、そのコンタクト抵
抗は極力低減することが望まれる。
層よりもキャリア濃度の高いソース領域及びドレイン領域を意図的に設けることによって
オーミック性のコンタクトを形成する。
上にゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層上に半導体層と、該半導体層上にソース領域及びド
レイン領域と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域上に金属層とを有し、半導体層は、
インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、ソース領域及びドレイン
領域は、半導体層の酸素濃度よりも酸素濃度が低く、且つサイズが1nm以上10nm以
下の結晶粒を含み、金属層は、ソース電極層及びドレイン電極層であることを特徴とする
半導体装置である。
鉛を含む酸化物層であり、半導体層の成膜条件とは異なる成膜条件で形成される。ソース
領域及び前記ドレイン領域の成膜条件は、成膜直後においてサイズが1nm以上10nm
以下の結晶粒を含む条件である。
設けることにより、金属層であるソース電極層またはドレイン電極層と、IGZO膜との
間を良好な接合としてショットキー接合に比べて熱的にも安定動作を有せしめる。また、
チャネルのキャリアを供給する(ソース側)、またはチャネルのキャリアを安定して吸収
する(ドレイン側)、または抵抗成分をソース電極層(またはドレイン電極層)との界面
に作らないためにも積極的に結晶粒を有するソース領域またはドレイン領域を設けること
は重要である。高いドレイン電圧でも良好な移動度を保持するためにも低抵抗化は重要で
ある。
解析)測定を行った。成膜条件は、圧力を0.4Paとし、電力を500Wとし、成膜温
度を室温とし、アルゴンガス流量を10sccmとし、酸素流量を5sccmとし、ター
ゲットは、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1としたターゲットを用いた。な
お、アモルファス状のIGZO膜を得るために、この比率のターゲットを意図的に用いて
いる。
poと示したものに相当する。また、図38には、成膜後に窒素雰囲気350℃、1時間
の熱処理後のチャートと、成膜後に窒素雰囲気500℃、1時間の熱処理後のチャートと
、成膜後に窒素雰囲気600℃、1時間の熱処理後のチャートと、成膜後に窒素雰囲気7
00℃、1時間の熱処理後のチャートとを見比べるために、便宜上、並べて図示している
。
〜60°の範囲とで観察される。また、400nmのIGZO膜を成膜し、窒素雰囲気7
00℃、1時間の熱処理後の試料をFIB(Focused Ion beam)により
端面を切り出し、高分解能透過電子顕微鏡(日立製作所製「H9000−NAR」:TE
M)で加速電圧を300kVとし、断面観察を行った。50万倍で観察した結果が図49
であり、結晶粒が確認できる。また走査透過型電子顕微鏡(日立製作所製「HD−270
0」:STEM)で加速電圧を200kVとし、断面観察を行い、600万倍で観察した
写真図が図50である。図50では明瞭な格子像が確認でき、XRD測定で結晶を示すピ
ークが見られたことと対応している。
上にDCスパッタ法により50nmのIGZO膜を成膜し、FIBにより端面を切り出し
、高分解能透過電子顕微鏡(日立製作所製「H9000−NAR」:TEM)で加速電圧
を300kVとし、断面観察を行った。
力を0.4Paとし、電力を500Wとし、成膜温度を室温とし、アルゴンガス流量5s
ccm、酸素流量45sccmとして酸素過多条件としてスパッタ成膜を行った試料1と
、酸素ガスを導入せずにアルゴンガス流量40sccmのみとし、他の条件を同じとした
酸素欠乏条件でスパッタ成膜を行った試料2とを用意してそれぞれ断面観察を行った。な
お、ここでは酸素欠乏条件として酸素を導入しない条件としたが、特に限定されず、例え
ば、酸素の流量比とアルゴンの流量比が1:2であっても酸素欠乏条件と呼ぶ。
40である。試料1においては、IGZO膜中に結晶粒は確認できないが、試料2におい
てIGZO膜中に直径1nm〜10nm、代表的には2nm〜4nm程度の結晶粒が散在
していることが確認できる。試料2の結晶粒は、700℃の熱処理を行った試料の断面観
察写真である図49よりも小さな結晶粒のサイズとなっている。この結果は、アモルファ
ス状のIGZO膜を得るために、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1としたタ
ーゲットを意図的に用いているにも関わらず、成膜直後で結晶粒を含むIGZO膜が得ら
れているといえる。
3と、試料2の成膜条件の後、さらに窒素雰囲気350℃、1時間の熱処理を行った試料
4とを用意してそれぞれ断面観察を行った。
42である。また、試料3においては、IGZO膜中に結晶粒は確認できないが、試料4
においてIGZO膜中に直径1nm〜10nm程度、代表的には2nm〜4nm程度の結
晶粒が散在していることが確認できる。
と示したものと、窒素雰囲気350℃、1時間の熱処理を行った試料と、それぞれ同様に
明確に結晶を示すピークが確認できない結果が得られた。
認されず、酸素欠乏条件とした試料2ではTEM写真で結晶粒が確認された原因を以下に
示す。
る化学量論比の粒にArイオンのプラズマエネルギーが与えられ、飛翔中(ターゲットか
ら基板まで)に結晶化、または粒子成長が行われる。よって、成膜途中の膜中の結晶粒は
角部も観察される。また、350℃で熱処理すると、結晶粒の周辺のアモルファス成分の
酸素と反応して、図42に示すように図40に比べて結晶粒の粒界はぼける、即ち不明瞭
になる傾向が観察されている。アモルファス成分内での結晶の秩序性が結晶粒より周辺に
発展成長していっている。
濃度キャリア領域をもって構成される。
、電力(250W〜3000W:8インチφ)、温度(室温〜100℃)、反応性スパッ
タの成膜条件などを適宜調節することで結晶粒の密度や、直径サイズは、1nm〜10n
mの範囲で調節されうると言える。
ネルギーで結晶成長を生じたくても同時に酸素が過剰にあるため、各元素は酸素と反応が
強く、IGZOの結晶成長メカニズムをともなうことができず、ガラス状(アモルファス
状)で基板上に全ての成分が成膜される。
度でプロセスが調節される。
、成膜されたIGZO膜中には強い歪エネルギーが内在する。この歪エネルギーを解放す
るため200℃〜600℃、代表的には300℃〜500℃の熱処理を行う。この熱処理
により原子レベルの再配列が行われる。この熱処理によりキャリアの移動を阻害する歪エ
ネルギーが解放されるため、成膜と熱処理(光アニールも含む)は重要である。なお、2
00℃〜600℃の熱処理は、700℃を超えた熱処理のように、原子の大きな移動によ
る単結晶成長までには至っていない。
結晶ピークが観察される。一方、酸素欠乏条件と酸素過多条件の両方とも、図38に示す
ように、XRD測定では結晶成分またはその結晶の程度が少ないためか、結晶粒の大きさ
が小さいためか、その他の要因のためかは不明であるが、観測されない。
。図43が酸素欠乏条件とした試料2の断面TEM写真(800万倍)である。図44が
酸素欠乏条件とし、さらに熱処理を行った試料4の断面TEM写真(800万倍)である
。図43及び図44には、どちらも結晶粒に明瞭な格子像が確認され、3層構造の単結晶
が明確に観察されている。
ある。図45が酸素過多条件とした試料1の断面TEM写真(200万倍)であり、80
0万倍の写真が図47である。図46が酸素過多条件とし、さらに熱処理を行った試料3
の断面TEM写真(200万倍)であり、800万倍の写真が図48である。図45、図
46、図47、及び図48には、どれも結晶粒が確認できない。
粒を有する酸化物半導体層を用い、第2の層としてTi、W、Mo、Niを含む酸化物半
導体層を用いてソース電極層及びドレイン電極層とオーミック性のコンタクトを形成する
。
絶縁層と、該ゲート絶縁層上に半導体層と、該半導体層上に第1のソース領域及び第1の
ドレイン領域と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域上に第2のソース領域及び第
2のドレイン領域と、第2のソース領域及び第2のドレイン領域上に金属層とを有し、半
導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、第1のソース
領域及び第1のドレイン領域は、半導体層の酸素濃度よりも酸素濃度が低く、且つサイズ
が1nm以上10nm以下の結晶粒を含み、第2のソース領域及び第2のドレイン領域は
、W、Mo、Ti、NiまたはAlを含み、且つ半導体層の酸素濃度よりも酸素濃度が低
く、金属層は、ソース電極層及びドレイン電極層であることを特徴とする半導体装置であ
る。
リウム、及び亜鉛を含む酸化物層である。また、第2のソース領域及び第2のドレイン領
域は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物層である。
ジスタに用いることができる。本明細書で開示する他の構成は、絶縁表面上に、金属層と
、該金属層上にソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域上
に半導体層と、該半導体層上にゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層上にゲート電極とを有し
、半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、ソース領
域及びドレイン領域は、半導体層の酸素濃度よりも酸素濃度の低い酸化物半導体層であり
、且つサイズが1nm以上10nm以下の結晶粒を含み、金属層は、ソース電極層及びド
レイン電極層であることを特徴とする半導体装置である。
薄膜トランジスタには、信頼性上の課題が多い。しかしながらこれまでIGZOを用いる
薄膜トランジスタにおいて界面特性は全く論じられていない。また、信頼性上の不安定が
みられる原因が不明であった。そこで、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、及び亜
鉛(Zn)を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、水分などの不純物
を混入させずに良好な界面特性を提供する。また、酸化物半導体膜と接するゲート絶縁層
に水素が含まれている場合、ゲート絶縁層中の水素が拡散し、酸化物半導体膜中の酸素と
反応してH2O成分となる恐れがある。また、ゲート絶縁層の酸素濃度が低い場合、酸化
物半導体膜中の酸素濃度が低減する恐れがある。従って、インジウム(In)、ガリウム
(Ga)、及び亜鉛(Zn)を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、
チャネル形成領域に酸素を多く含ませる構造を提供することも課題の一つとする。
ース領域またはドレイン領域、ソース電極層またはドレイン電極層は大気に曝さずに連続
成膜することができる。なお、作製方法に関する構成は、絶縁表面上にゲート電極を形成
し、ゲート電極上にゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層上に半導体層とをスパッタ法により
大気に触れることなく積層し、半導体層上にソース領域及びドレイン領域を形成し、ソー
ス領域及びドレイン領域上に金属層を形成し、半導体層は、インジウム、ガリウム、及び
亜鉛を含む酸化物半導体層であり、ソース領域及びドレイン領域は、半導体層の酸素濃度
よりも酸素濃度が低く、且つサイズが1nm以上10nm以下の結晶粒を含み、金属層は
、ソース電極層及びドレイン電極層であることを特徴とする半導体装置の作製方法である
。
が界面に混入することによる不良を軽減することができる。また、ゲート絶縁層と半導体
層とを連続して成膜することは、水分などの不純物を混入させずに良好な界面特性を提供
することができる。
層はスパッタ法(スパッタリング法)で形成すればよい。
及び亜鉛を含む酸化物層であり、スパッタ法により大気に触れることなく半導体層と積層
することができる。
安定する。また、ゲート絶縁層と半導体層を酸素雰囲気下で成膜し、酸素を多く含ませる
ようにすると、劣化による信頼性の低下や、薄膜トランジスタ特性のノーマリーオン側へ
のシフトなどを軽減することができる。
い。よってゲート絶縁層と半導体層との界面に酸素濃度のピークを有し、かつゲート絶縁
層の酸素濃度は濃度勾配を有し、その酸素濃度はゲート絶縁層と半導体層との界面に近づ
くにつれて増加する。
込んで酸素過剰酸化物半導体層との界面近傍のゲート絶縁層に対してバルクGIよりも過
剰な酸素を含有させる。
質し、酸素過剰領域を有するゲート絶縁層とすることができる。
特性を得ることができる。
には、連続成膜とすることが好ましい。
又はオゾン発生装置により供給されてもよい。供給された酸素ラジカル又は酸素を薄膜に
照射することによって膜表面を改質することができる。
アルゴンと酸素のラジカル処理とは、アルゴンガスと酸素ガスを導入してプラズマを発生
させて薄膜表面の改質を行うことである。
ズマ中の電子(e)により励起又は電離され、アルゴンラジカル(Ar*)やアルゴンイ
オン(Ar+)や電子(e)となる。アルゴンラジカル(Ar*)はエネルギーの高い準
安定状態にあり、周辺にある同種又は異種の原子と反応し、それらの原子を励起又は電離
させて安定状態に戻ろうとして雪崩れ現象的に反応が発生する。その時に周辺に酸素があ
ると、酸素原子(O)が励起又は電離され、酸素ラジカル(O*)や酸素イオン(O+)
や酸素(O)となる。その酸素ラジカル(O*)が被処理物である薄膜表面の材料と反応
し、表面改質が行われ、表面にある有機物と反応して有機物を除去するプラズマ処理が行
われる。なお、不活性ガスのラジカルは、反応性ガスのラジカルと比較して準安定状態が
長く維持されるという特徴があり、そのためプラズマを発生させるのに不活性ガスを用い
るのが一般的である。
スパッタ法で形成し、酸素を多く含む絶縁層とすることが最も好ましい。一方、TEOS
ガスなどを用いるプラズマCVD(PCVD)法でゲート絶縁層を形成する場合、ゲート
絶縁層に含まれる水素が酸化物半導体層の酸素と反応するとH2OやOHを作りやすく、
キャリアキラーとしての阻害要因となり、信頼性の劣化を招く恐れがある。即ち、PCV
D法で水素を含む絶縁膜をゲート絶縁層として用いる場合、ゲート絶縁層の水素が、酸素
過剰酸化物半導体層の酸素と反応してしまう恐れがあるため、好ましくない。従って、ゲ
ート絶縁層の水素濃度は、SIMS(二次イオン質量分析計)を用いた分析により得られ
る濃度ピークが2×1019cm−3以下とすることが好ましい。また、図3に酸素濃度
の低いゲート絶縁層に酸素ラジカル処理を行う比較例を示すが、この場合においては、酸
素過剰酸化物半導体層の酸素を吸収してしまう恐れがあるため、好ましくない。
ル処理をして酸素をドープし、その後、IGZO膜を形成した後、熱処理(200℃〜6
00℃)を行う。図1(A)は熱処理前のゲート絶縁層と半導体層との界面近傍の酸素濃
度の模式図である。また、図1(B)は熱処理後のゲート絶縁層と半導体層との界面近傍
の酸素濃度の模式図である。
絶縁層中の過剰な酸素をIGZO膜側にドリフトさせ、またIGZO膜の酸素をGI側に
ドリフトさせることを防ぐ効果を有する。ゲート絶縁層表面の酸素ラジカルにより界面の
安定化が図れる。信頼性上の不安定な原因の一つがゲート絶縁層とIGZO膜の界面にあ
ることを明らかにし、IGZO膜でなくゲート絶縁層を改質すること、及びその後の熱処
理で信頼性を安定化させている。
を行って、ゲート絶縁層中の水素がIGZO膜に拡散することを低減してもよい。表面を
SiN化するプラズマ処理としては、プラズマの励起をマイクロ波により行うことで、窒
素ラジカル(NHラジカルを含む場合もある)によって、ゲート絶縁層表面を窒化する方
法や、窒素雰囲気で逆スパッタを行う方法などを用いてもよい。また、図2は、表面をS
iN化させた後、酸素ラジカル処理を行ったゲート絶縁層と半導体層との界面近傍の酸素
濃度の模式図である。
り、特に限定されないことは言うまでもない。
絶縁層と、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にサイズが1nm以上
10nm以下の結晶粒を含むソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領
域上にソース電極層及びドレイン電極層とを含む薄膜トランジスタを有し、ゲート絶縁層
と酸化物半導体層との界面に酸素濃度のピークを有し、かつゲート絶縁層の酸素濃度は濃
度勾配を有し、その酸素濃度はゲート絶縁層と酸化物半導体層との界面に近づくにつれて
増加する。
ゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にサイズが1n
m以上10nm以下の結晶粒を含むソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレ
イン領域上にソース電極層及びドレイン電極層とを含む薄膜トランジスタを有し、ゲート
絶縁層と酸化物半導体層との界面に酸素濃度のピークを有し、かつゲート絶縁層及び酸化
物半導体層の酸素濃度は濃度勾配を有し、その酸素濃度はゲート絶縁層と酸化物半導体層
との界面に近づくにつれて増加する。
ソース領域及びドレイン領域の酸素濃度より高い。酸化物半導体層を酸素過剰酸化物半導
体層、サイズが1nm以上10nm以下の結晶粒を含むソース領域及びドレイン領域を酸
素欠乏酸化物半導体層とすると、ソース領域及びドレイン領域のキャリア濃度を酸化物半
導体層より高くすることができる。
タン膜、アルミニウム膜、チタン膜の積層を用いると低抵抗であり、かつアルミニウム膜
にヒロックが発生しにくい。
ランジスタを得ることができ、良好な動特性を有する薄膜トランジスタを作製できる。よ
って、電気特性が高く信頼性のよい薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供すること
ができる。
に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々
に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施
の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構
成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通
して用い、その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、薄膜トランジスタ及びその作製工程について、図5乃至図8を用いて
説明する。
5及び図6に示す。図5(A1)は平面図であり、図5(A2)は図5(A1)における
線A1−A2の断面図である。図5(B1)は平面図であり、図5(B2)は図5(B1
)における線B1−B2の断面図である。図6(A1)は平面図であり、図6(A2)は
図6(A1)における線C1−C2の断面図である。
03、ソース領域又はドレイン領域104a、104b、ソース電極層又はドレイン電極
層105a、105bを有する薄膜トランジスタ170aが設けられている。
層103との界面に酸素濃度のピークを有し、かつゲート絶縁層102の酸素濃度は濃度
勾配を有し、その酸素濃度はゲート絶縁層102と半導体層103との界面に近づくにつ
れて増加する。
、ソース電極層又はドレイン電極層105a、105bとIGZO半導体層である半導体
層103との間に、酸素欠乏酸化物半導体層からなるソース領域又はドレイン領域104
a、104bを意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。また
、半導体層103、ソース領域又はドレイン領域104a、104bとして、In、Ga
、及びZnのいずれか一をタングステン、モリブデン、チタン、ニッケル、アルミニウム
と置換してもよい。
、且つ、結晶粒を有する酸素欠乏酸化物半導体膜を用いる。
リア濃度範囲とする。よってこのキャリア濃度範囲のIGZO膜を半導体層のチャネルと
して用いることで信頼性の高い薄膜トランジスタとすることができる。
を積層する場合は、ソース電極層及びドレイン電極層側に向かってキャリア濃度が高くな
るような濃度範囲にすればよい。ソース領域及びドレイン領域に不純物元素を含ませてキ
ャリア濃度の高いソース領域及びドレイン領域を形成することができる。
4a、104bとソース電極層又はドレイン電極層105a、105bとを別のマスクを
用いてエッチング加工した例であり、ソース領域又はドレイン領域104a、104bと
ソース電極層又はドレイン電極層105a、105bとは形状が異なる。
4a、104bとソース電極層又はドレイン電極層105a、105bとを同じマスクを
用いてエッチング加工した例であり、ソース領域又はドレイン領域104a、104bと
ソース電極層又はドレイン電極層105a、105bとは同様な形状を反映している。
、半導体層103上において、ソース電極層又はドレイン電極層105a、105bの端
部とソース領域又はドレイン領域104a、104bの端部が一致せず、ソース領域又は
ドレイン領域104a、104bが一部露出している例である。
域又はドレイン領域104a、104bとを同じマスクを用いてエッチング加工する例で
あり半導体層103とソース領域又はドレイン領域104a、104bの端部は一致して
いる。なお、図6(A1)(A2)の薄膜トランジスタ170cは、半導体層103上に
おいて、ソース電極層又はドレイン電極層105a、105bの端部とソース領域又はド
レイン領域104a、104bの端部も一致する例である。
図15に示す。薄膜トランジスタ171dはソース電極層又はドレイン電極層105a1
、105a2、105a3の積層、ソース電極層又はドレイン電極層105b1、105
b2、105b3の積層を有している。例えば、ソース電極層又はドレイン電極層105
a1、105b1としてチタン膜、105a2、105b2としてアルミニウム膜、10
5a3、105b3としてチタン膜を用いることができる。
1をエッチングストッパーとして用いて、ソース電極層又はドレイン電極層105a2、
105a3、105b2、105b3をウエットエッチングによってエッチングして形成
する。上記ウエットエッチングと同じマスクを用いて、ソース電極層又はドレイン電極層
105a1、105b1、ソース領域又はドレイン領域104a、104b、半導体層1
03をドライエッチングによってエッチングして形成する。
4aの端部と、ソース電極層又はドレイン電極層105b1はソース領域又はドレイン領
域104bの端部とそれぞれ一致しており、ソース電極層又はドレイン電極層105a2
、105a3、ソース電極層又はドレイン電極層105b2、105b3は、ソース電極
層又はドレイン電極層105a1、105b1より端部が後退している。
ン領域及び半導体層とがエッチング工程において選択比が低い場合は、エッチングストッ
パーとして機能する導電膜を積層して別のエッチング条件で複数回エッチング工程を行え
ばよい。
104b、ソース電極層又はドレイン電極層105a、105bより大きく、ゲート電極
層101上に半導体層103、ソース領域又はドレイン領域104a、104b、ソース
電極層又はドレイン電極層105a、105bが形成されている薄膜トランジスタ170
dの例を示す。また、薄膜トランジスタ170dには保護膜として絶縁膜107a、10
7bが形成されている。
用いて説明する。
図7(A)参照。)。基板100は、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガ
ラス、若しくはアルミノシリケートガラスなど、フュージョン法やフロート法で作製され
る無アルカリガラス基板、セラミック基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる耐熱性
を有するプラスチック基板等を用いることができる。また、ステンレス合金などの金属基
板の表面に絶縁膜を設けた基板を適用しても良い。基板100の大きさは、320mm×
400mm、370mm×470mm、550mm×650mm、600mm×720m
m、680mm×880mm、730mm×920mm、1000mm×1200mm、
1100mm×1250mm、1150mm×1300mm、1500mm×1800m
m、1900mm×2200mm、2160mm×2460mm、2400mm×280
0mm、又は2850mm×3050mm等を用いることができる。
等を用いて、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜の単層、
又は積層で形成すればよい。
ニウムなどの金属材料またはその合金材料を用いて形成する。ゲート電極層101は、ス
パッタ法や真空蒸着法で基板100上に導電膜を形成し、当該導電膜上にフォトリソグラ
フィ技術またはインクジェット法によりマスクを形成し、当該マスクを用いて導電膜をエ
ッチングすることで、形成することができる。また、銀、金、銅などの導電性ナノペース
トを用いてインクジェット法により吐出し焼成して、ゲート電極層101を形成すること
ができる。なお、ゲート電極層101の密着性向上と基板や下地膜への拡散を防ぐバリア
メタルとして、上記金属材料の窒化物膜を、基板100及びゲート電極層101の間に設
けてもよい。また、ゲート電極層101は単層構造としても積層構造としてもよく、例え
ば基板100側からモリブデン膜とアルミニウム膜との積層、モリブデン膜とアルミニウ
ムとネオジムとの合金膜との積層、チタン膜とアルミニウム膜との積層、チタン膜、アル
ミニウム膜及びチタン膜との積層などを用いることができる。
がテーパー状になるように加工することが望ましい。
る。連続して成膜すると、大気成分や大気中に浮遊する汚染不純物元素に汚染されること
なく各積層界面を形成することができる。
特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。特に、薄膜トランジスタ
の電気特性のうち、しきい値電圧(Vth)が重要である。電界効果移動度が高くともし
きい値電圧値が高い、或いはしきい値電圧値がマイナスであると、回路として制御するこ
とが困難である。しきい値電圧値が高く、しきい値電圧の絶対値が大きい薄膜トランジス
タの場合には、駆動電圧が低い状態では薄膜トランジスタとしてのスイッチング機能を果
たすことができず、負荷となる恐れがある。また、しきい値電圧値がマイナスであると、
ゲート電圧が0Vでもソース電極とドレイン電極の間に電流が流れる、所謂ノーマリーオ
ンとなりやすい。
ネルが形成されて、ドレイン電流が流れ出すトランジスタが望ましい。駆動電圧を高くし
ないとチャネルが形成されないトランジスタや、負の電圧状態でもチャネルが形成されて
ドレイン電流が流れるトランジスタは、回路に用いる薄膜トランジスタとしては不向きで
ある。
電圧が0Vにできるだけ近い正のしきい値電圧でチャネルが形成されることが望ましい。
ート絶縁層の界面に大きく影響する。
性を向上させるとともに、製造工程の複雑化を防ぐことができ、量産性と高性能の両方を
備えた薄膜トランジスタを実現する。
スタの電気的特性の劣化、しきい値電圧のばらつき、ノーマリーオンになりやすいといっ
た問題を招く。酸化物半導体層とゲート絶縁層とを連続成膜することで、このような水素
化合物を排除することができる。
素過剰領域に改質する。
行えばよい。逆スパッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、酸素、又は酸素及びア
ルゴン雰囲気下で基板側に電圧を印加してプラズマを形成して基板表面を改質するプラズ
マ処理方法である。また、ゲート絶縁層に窒化処理を行ってもよく、窒素雰囲気下で逆ス
パッタなどのプラズマ処理を行えばよい。
ト絶縁層102と、半導体膜111をスパッタ法により、減圧下で連続成膜することで良
好な界面を有し、リーク電流が低く、且つ、電流駆動能力の高い薄膜トランジスタを実現
することができる。
膜111は酸素雰囲気下(又は酸素90%以上、希ガス(アルゴン、又はヘリウムなど)
10%以下)で成膜することが好ましい。
安定する。また、ゲート絶縁層と半導体層を酸素雰囲気下で成膜し、酸素を多く含ませる
ようにすると、劣化による信頼性の低下や、薄膜トランジスタがノーマリーオンとなるこ
とを軽減することができる。
、または窒化酸化珪素膜で形成することができる。図6(A1)(A2)に示す薄膜トラ
ンジスタ170cはゲート絶縁層102を積層する例である。
窒化珪素膜との順に積層して形成することができる。なお、ゲート絶縁層を2層とせず、
基板側から窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜と、酸化珪素膜または酸化窒化珪素膜と、窒
化珪素膜または窒化酸化珪素膜との順に3層積層して形成することができる。また、ゲー
ト絶縁層を、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜の単層で
形成することができる。
を形成し、窒化珪素膜上にスパッタ法により酸化珪素膜を積層してもよい。
あるものをいう。また、窒化酸化珪素膜とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量
が多いものであるものをいう。
物、窒化物、酸化窒化物、又は窒化酸化物の一種又はそれらの化合物を少なくとも2種以
上含む化合物を用いることもできる。
ト絶縁層102中のハロゲン元素の濃度は、濃度ピークにおいて1×1015atoms
/cm3以上1×1020atoms/cm3以下とすればよい。
02をSi単結晶のターゲットを用いてアルゴンガスと酸素ガスを用い、スパッタ成膜す
る。このゲート絶縁層102中の水素が拡散し、半導体膜111中の過剰な酸素と反応し
てH2O成分になることを防ぐことが極めて重要である。連続成膜をして、ゲート絶縁層
102と半導体膜111の界面に水分を付着させないことも重要である。従って、チャン
バー内をクライオポンプなどで真空排気し、到達最低圧力を1×10−7〜1×10−1
0Torr(約1×10−5Pa以上1×10−8Pa)の超高真空領域、所謂、UHV
領域中でスパッタを行うことが好ましい。また、ゲート絶縁層102と半導体膜111の
界面を大気に触れさせないように連続的に積層する際、ゲート絶縁層102の表面に酸素
ラジカル処理を行い、表面を酸素過剰領域とすることは、その後の工程での信頼性向上の
ための熱処理において、酸素の半導体膜111界面の改質のための供給源を作る上で有効
である。
て、ゲート絶縁層102の内部の酸素濃度と比較して半導体膜111の表面の酸素濃度が
高濃度となる。また、酸素ラジカル処理を行わない場合と比べて、酸素ラジカル処理を行
った場合は、ゲート絶縁層102と半導体膜111の界面における酸素濃度が高くなる。
ば、半導体膜111のゲート絶縁層102側の酸素濃度も高濃度となる。
ば、半導体膜111として、スパッタ法を用いて、In、Ga、及びZnを含む酸化物半
導体膜を膜厚50nmで形成すればよい。具体的な条件例としては、直径8インチのIn
、Ga、及びZnを含む酸化物半導体ターゲットを用いて、基板とターゲットの間との距
離を170mm、圧力0.4Pa、直流(DC)電源0.5kW、アルゴン又は酸素雰囲
気下で成膜することができる。また、パルス直流(DC)電源を用いると、ごみが軽減で
き、膜厚分布も均一となるために好ましい。
酸素雰囲気下で成膜することができる。ここでは酸素を限りなく多くIGZO膜中に含ま
せるために、ターゲットとしてIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体を用い、酸素の
みの雰囲気下、または酸素が90%以上、且つ、Arが10%以下の雰囲気下でパルスD
Cスパッタ法のスパッタリングを行い、酸素過剰のIGZO膜を形成する。
膜111とを連続成膜することにより、酸素過剰の膜同士のため界面状態を安定させ、T
FTの信頼性を向上させることができる。IGZO膜の成膜前に基板が大気に触れた場合
、水分などが付着し、界面状態に悪影響を与え、しきい値のバラツキや、電気特性の劣化
、ノーマリーオンのTFTになってしまう症状などを引き起こす恐れがある。水分は水素
化合物であり、大気に触れることなく、連続成膜することによって、水素化合物が界面に
存在することを排除することができる。従って、連続成膜することにより、しきい値のバ
ラツキの低減や、電気特性の劣化の防止や、TFTがノーマリーオン側にシフトすること
を低減、望ましくはシフトをなくすことができる。
形成する(図7(B)参照。)。半導体層112は、フォトリソグラフィ技術または液滴
吐出法によりマスク113を形成し、当該マスク113を用いて半導体膜111をエッチ
ングすることで、形成することができる。
配線の段切れを防ぐことができる。
化物半導体膜である半導体膜114を形成する(図7(C)参照。)。半導体膜114上
にマスク116を形成する。マスク116は、フォトリソグラフィ技術またはインクジェ
ット法により形成する。半導体膜114をマスク116を用いてエッチングにより加工し
、半導体膜115を形成する(図7(D)参照。)。半導体膜115は膜厚2〜100n
m(好ましくは20〜50nm)とすればよい。半導体膜114は希ガス(好ましくはア
ルゴン)雰囲気下で成膜する。
ン酸やシュウ酸などの有機酸をエッチャントに用いることができる。例えば、50nmの
半導体膜111はITO07N(関東化学社製)を使い150秒でエッチング加工できる
。
ム、モリブデンなどの耐熱性向上元素若しくはヒロック防止元素が添加されたアルミニウ
ム合金の単層または積層で形成することが好ましい。また、n型の導電型を有する半導体
膜と接する側の膜を、チタン、タンタル、モリブデン、タングステン、またはこれらの元
素の窒化物で形成し、その上にアルミニウムまたはアルミニウム合金を形成した積層構造
としても良い。更には、アルミニウムまたはアルミニウム合金の上面及び下面を、チタン
、タンタル、モリブデン、タングステン、またはこれらの元素の窒化物で挟んだ積層構造
としてもよい。ここでは、導電膜117として、チタン膜、アルミニウム膜、及びチタン
膜の積層導電膜を用いる。
膜にヒロックが発生しにくい。
銅などの導電性ナノペーストを用いてスクリーン印刷法、インクジェット法等を用いて吐
出し焼成して形成しても良い。
エッチングし分離して、ソース電極層又はドレイン電極層105a、105bを形成する
(図7(F)参照。)。本実施の形態の図7のように導電膜117をウエットエッチング
すると、導電膜117は等方的にエッチングされるため、マスク118の端部と、ソース
電極層又はドレイン電極層105a、105bの端部はより一致せずより後退している。
次に、マスク118を用いてn型の導電型を有する半導体膜115をエッチングして、ソ
ース領域又はドレイン領域104a、104bを形成する(図7(G)参照。)。なお、
エッチング条件にもよるが半導体膜115のエッチング工程において、半導体層112の
露出領域も一部エッチングされ、半導体層103となる。よってソース領域又はドレイン
領域104a、104bの間の半導体層103のチャネル領域は図7(G)に示すように
膜厚の薄い領域となる。IGZO半導体層である半導体層103において、薄い膜厚の領
域が、2nm以上200nm以下、好ましくは20nm以上150nm以下とする。
領域104a、104bの端部は一致せずずれており、ソース電極層又はドレイン電極層
105a、105bの端部の外側に、ソース領域又はドレイン領域104a、104bの
端部が形成される。
することができる。
12上に半導体膜114と導電膜121とを順に積層する(図8(B)参照。)。この場
合半導体膜114と導電膜121とを大気に曝さないでスパッタ法で連続的に成膜するこ
とができる。
121をウエットエッチング加工してソース電極層又はドレイン電極層105a、105
bを形成する(図8(C)参照。)。
、104bを形成する(図8(D)参照。)。同工程で半導体層112の一部もエッチン
グされ、半導体層103となる。図8のように、ソース領域又はドレイン領域104a、
104bとソース電極層又はドレイン電極層105a、105bとを形成するエッチング
に同じマスクを用いると、マスク数を減らすことができるため、工程簡略化、低コスト化
が計れる。
様に保護膜として絶縁膜を形成してもよい。保護膜としてはゲート絶縁層と同様に形成す
ることができる。なお、保護膜は、大気中に浮遊する有機物や金属物、水蒸気などの汚染
不純物の侵入を防ぐためのものであり、緻密な膜が好ましい。例えば、薄膜トランジスタ
170a、170b、170c、170d上に保護膜として酸化膜(酸化珪素膜、酸化窒
化珪素膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜)と窒化膜(窒化珪素膜、窒化
酸化珪素膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜)との積層を形成すればよい
。酸化珪素膜はシリコンターゲットを用いて窒素及びアルゴン雰囲気下でDCスパッタ法
によって形成すればよく、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜は窒化アルミニ
ウムのターゲットを用いてRFスパッタ法によって形成すればよく、酸化アルミニウム膜
は酸化アルミニウムのターゲットを用いてRFスパッタ法によって形成すればよい。また
、保護膜を形成する前に真空ベークを行ってもよい。
物半導体膜は成膜後に加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理は成膜後であればどの工
程で行ってもよいが、成膜直後、導電膜117の形成後、保護膜の形成後などで行うこと
ができる。また、他の加熱処理と兼ねて行ってもよい。また加熱温度は200℃以上60
0℃以下、好ましくは300℃以上500℃以下とすればよい。図6のように半導体層1
03及びソース領域又はドレイン領域104a、104bを連続成膜する場合、積層した
後に加熱処理を行ってもよい。加熱処理は半導体層103とソース領域又はドレイン領域
104a、104bと別工程で複数回行ってもよい。
領域104a、104bの端部は一致せずずれた形状となることで、ソース電極層又はド
レイン電極層105a、105bの端部の距離が離れるため、ソース電極層又はドレイン
電極層105a、105b間のリーク電流やショートを防止することができる。このため
、信頼性が高く、且つ耐圧の高い薄膜トランジスタを作製することができる。
ン領域104a、104bの端部とソース電極及びドレイン電極の端部を一致する形状と
してもよい。ソース電極層又はドレイン電極層105a、105bを形成するためのエッ
チング及びソース領域又はドレイン領域104a、104bを形成するためのエッチング
をドライエッチングで行うと図6(A1)(A2)の薄膜トランジスタ170cのような
形状にすることができる。また、n型の導電型を有する半導体膜115をソース電極及び
ドレイン電極をマスクとしてエッチングし、ソース領域又はドレイン領域104a、10
4bを形成しても図6(A1)(A2)の薄膜トランジスタ170cのような形状にする
ことができる。
む酸素過剰酸化物半導体層)、ソース領域又はドレイン領域(In、Ga、及びZnを含
む酸素欠乏酸化物半導体層)、ソース電極層及びドレイン電極層という積層構造を有する
薄膜トランジスタとし、ゲート絶縁層表面を酸素ラジカル処理で改質することによって、
半導体層の膜厚を薄膜にしたままで、かつ寄生容量を抑制できる。なお、薄膜であっても
、ゲート絶縁層に対する割合が十分であるため寄生容量は十分に抑制される。
ンジスタを得ることができ、良好な動特性を有する薄膜トランジスタを作製できる。よっ
て、電気特性が高く信頼性のよい薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供することが
できる。
本実施の形態は、マルチゲート構造の薄膜トランジスタの例である。従って、他は実施の
形態1と同様に行うことができ、実施の形態1と同一部分又は同様な機能を有する部分、
及び工程の繰り返しの説明は省略する。
)乃至図11(A)(B)を用いて説明する。
)における線E1−E2の薄膜トランジスタ171aを示す断面図に相当する。
ート絶縁層152、半導体層153a、153b、ソース領域又はドレイン領域154a
、154b、154c、ソース電極層又はドレイン電極層155a、155bを含むマル
チゲート構造の薄膜トランジスタ171aが設けられている。
あり、ソース領域又はドレイン領域154a、154b、154cはIn、Ga、及びZ
nを含む酸素欠乏酸化物半導体層である。ソース領域又はドレイン領域154a、154
b、154cは、半導体層153a、153bよりキャリア濃度が高い。
3a、153bは相性がよく、良好な界面特性を得ることができる。
剰領域とする。また、ゲート絶縁層152、及び半導体層153a、153bは連続成膜
する。
、1nm以上10nm以下のサイズの結晶粒を有し、半導体層153a、153bよりキ
ャリア濃度が高い。
を介して電気的に接続しており、他方でそれぞれ半導体層153aはソース領域又はドレ
イン領域154aを介してソース電極層又はドレイン電極層155aと、半導体層153
bはソース領域又はドレイン領域154bを介してソース電極層又はドレイン電極層15
5bと電気的に接続している。
は、薄膜トランジスタ171bを示す平面図であり、図10(B)は、図10(A)にお
ける線F1−F2の薄膜トランジスタ171bを示す断面図に相当する。図10の薄膜ト
ランジスタ171bにおいてはソース領域又はドレイン領域154c上にソース電極層又
はドレイン電極層155a、155bと同工程で形成される配線層156が設けられ、半
導体層153aと半導体層153bとはソース領域又はドレイン領域154cと配線層1
56によって電気的に接続されている。
は、薄膜トランジスタ171cを示す平面図であり、図11(B)は、図11(A)にお
ける線G1−G2の薄膜トランジスタ171cを示す断面図に相当する。図11の薄膜ト
ランジスタ171cにおいては、半導体層153aと半導体層153bとが連続した一層
の半導体層153として形成されている例である。半導体層153はゲート絶縁層152
を介して、ゲート電極層151a、151bを跨るように設けられる。
される半導体層は連続して設けられてもよいし、ソース領域又はドレイン領域及び配線層
などを介して複数の半導体層が電気的に接続して設けられてもよい。
タを含む半導体装置は高い電気特性及び高信頼性を付与することができる。
を示すが、より多くのゲート電極層を有するトリプルゲート構造などにも適用することが
できる。
、ソース領域及びドレイン領域(酸素欠乏酸化物半導体層)、ソース電極層及びドレイン
電極層という積層構造を有する薄膜トランジスタとし、酸素欠乏酸化物半導体層に結晶粒
を有するキャリア濃度が高いソース領域及びドレイン領域を用いることによって、半導体
層の膜厚を薄膜にしたままで、かつ寄生容量を抑制できる。なお、薄膜であっても、ゲー
ト絶縁層に対する割合が十分であるため寄生容量は十分に抑制される。
ンジスタを得ることができ、良好な動特性を有する薄膜トランジスタを作製できる。よっ
て、電気特性が高く信頼性のよい薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供することが
できる。
本実施の形態は、薄膜トランジスタにおいてソース領域及びドレイン領域を多層とする例
である。従って、他は実施の形態1又は実施の形態2と同様に行うことができ、実施の形
態1又は実施の形態2と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程の繰り返しの説
明は省略する。
用いて説明する。
ース領域又はドレイン領域であるソース領域又はドレイン領域106a、106b、第1
のソース領域又はドレイン領域であるソース領域又はドレイン領域104a、104b、
ソース電極層又はドレイン電極層105a、105bを含む薄膜トランジスタ173が設
けられている。
4bとソース電極層又はドレイン電極層105a、105bとの間にそれぞれ第2のソー
ス領域又はドレイン領域としてソース領域又はドレイン領域106a、106bが設けら
れている。
領域又はドレイン領域104a、104b、106a、106bはIn、Ga、及びZn
を含む酸素欠乏酸化物半導体層である。
5a、105bとの間に設けられるソース領域又はドレイン領域106a、106bは、
不純物元素を含む。
インジウム、ガリウム、亜鉛、マグネシウム、アルミニウム、チタン、鉄、錫、カルシウ
ム、スカンジウム、イットリウム、ジルコニウム、ハフニウム、ホウ素、タリウム、ゲル
マニウム、鉛などを用いることができる。これらの不純物元素(例えば、マグネシウム、
アルミニウム、チタンなど)をソース領域又はドレイン領域に含ませると、酸素のブロッ
キング効果などがあり、成膜後の加熱処理などによって半導体層の酸素濃度を最適な範囲
内に保持できる。本実施の形態では、ソース領域又はドレイン領域106a、106bに
チタンを含むIn、Ga、及びZnを含む酸素欠乏酸化物半導体層を用いる。
体層を設けると、ソース電極層及びドレイン電極層としてソース領域又はドレイン領域1
06a、106b上に直接アルミニウム膜を形成し、アルミニウム膜上にチタン膜を形成
することができる。
あり、そのような薄膜トランジスタを含む半導体装置は高い電気特性及び高信頼性を付与
することができる。
本実施の形態は、実施の形態1において、薄膜トランジスタの形状及び作製方法が一部異
なる例である。従って、他は実施の形態1と同様に行うことができ、実施の形態1と同一
部分又は同様な機能を有する部分、及び工程の繰り返しの説明は省略する。
いて、図13及び図14を用いて説明する。図13(A1)は薄膜トランジスタ174の
平面図、図13(A2)及び図14は図13(A1)における線D1−D2の薄膜トラン
ジスタ及びその作製工程を示す断面図に相当する。
3、ソース領域又はドレイン領域104a、104b、ソース電極層又はドレイン電極層
105a、105bを含む薄膜トランジスタ174が設けられている。
領域又はドレイン領域104a、104bはIn、Ga、及びZnを含む酸素欠乏酸化物
半導体層である。ソース領域又はドレイン領域104a、104bは、半導体層103よ
りキャリア濃度が高い。
剰領域とする。また、ゲート絶縁層102、及び半導体層103は連続成膜する。
3は相性がよく、良好な界面特性を得ることができる。
上10nm以下のサイズの結晶粒を有し、半導体層103よりキャリア濃度が高い。
ン電極層105aと、ソース領域又はドレイン領域104bを介してソース電極層又はド
レイン電極層105bと電気的に接続している。
極層101を形成する。次に、ゲート電極層101上に、ゲート絶縁層102を形成し、
酸素ラジカル処理をゲート絶縁層102表面に行った後、In、Ga、及びZnを含む酸
素過剰酸化物半導体膜である半導体膜131、In、Ga、及びZnを含む酸素欠乏酸化
物半導体膜である半導体膜132、導電膜133を順に形成する(図14(A)参照。)
。
膜である半導体膜131、In、Ga、及びZnを含む酸素欠乏酸化物半導体膜である半
導体膜132、導電膜133を大気に触れさせることなく連続的に形成することができる
。大気に触れさせることなく連続成膜することで、大気成分や大気中に浮遊する汚染不純
物元素に汚染されることなく各積層界面を形成することができるので、薄膜トランジスタ
特性のばらつきを低減することができる。
示す。マスク135を形成するためレジストを形成する。レジストは、ポジ型レジストま
たはネガ型レジストを用いることができる。ここでは、ポジ型レジストを用いて示す。
露光する。
ことが可能なマスクであり、一度の露光及び現像工程により、複数(代表的には二種類)
の厚さの領域を有するレジストマスクを形成することが可能である。このため、多階調マ
スクを用いることで、フォトマスクの枚数を削減することが可能である。
子で構成される。遮光部においては、光の透過率が0%である。一方、回折格子はスリッ
ト、ドット、メッシュ等の光透過部の間隔を、露光に用いる光の解像度限界以下の間隔と
することにより、光の透過率を制御することができる。なお、回折格子は、周期的なスリ
ット、ドット、メッシュ、または非周期的なスリット、ドット、メッシュどちらも用いる
ことができる。
回折格子は、クロムや酸化クロム等の光を吸収する遮光材料を用いて形成することができ
る。
り、遮光部及び回折格子が設けられていない領域では光の透過率は100%である。また
、回折格子においては、10〜70%の範囲で調整可能である。回折格子における光の透
過率の調整は、回折格子のスリット、ドット、またはメッシュの間隔及びピッチの調整に
より可能である。
部で構成される。半透過部は、MoSiN、MoSi、MoSiO、MoSiON、Cr
Siなどを用いることができる。遮光部は、クロムや酸化クロム等の光を吸収する遮光材
料を用いて形成することができる。
り、遮光部及び半透過部が設けられていない領域では光の透過率は100%である。また
、半透過部においては、10〜70%の範囲で調整可能である。半透過部に於ける光の透
過率の調整は、半透過部の材料により調整により可能である。
異なる領域を有するマスク135を形成することができる。
電膜133をエッチングし分離する。この結果、半導体膜136、n型の導電型を有する
半導体膜137、及び導電膜138を形成することができる(図14(B)参照。)。
る。このとき、膜厚の薄い領域のマスクのレジスト(ゲート電極層101の一部と重畳す
る領域)は除去され、分離されたマスク139を形成することができる(図14(C)参
照。)。
05a、105bを形成する。本実施の形態のように導電膜138をウエットエッチング
すると、導電膜138は等方的にエッチングされるため、マスク139の端部と、ソース
電極層又はドレイン電極層105a、105bの端部は一致せずより後退し、ソース電極
層又はドレイン電極層105a、105bの外側にn型の導電型を有する半導体膜137
及び半導体膜136が突出した形状となる。次に、マスク139を用いてn型の導電型を
有する半導体膜137及び半導体膜136をエッチングして、ソース領域又はドレイン領
域104a、104b、半導体層103を形成する(図14(D)参照。)。なお、半導
体層103は一部のみがエッチングされ、溝部を有する半導体層となる。
を同一工程で形成することができ、同様に、半導体層103の端部が、一部エッチングさ
れ露出した形状となる。この後、マスク139を除去する。
る。
領域を有するレジストマスクを用いると、レジストマスクの数を減らすことができるため
、工程簡略化、低コスト化が計れる。
本実施の形態では、半導体装置の一例である表示装置において、同一基板上に少なくとも
駆動回路の一部と、画素部に配置する薄膜トランジスタを作製する例について以下に説明
する。
って形成する。また、実施の形態1乃至実施の形態4のいずれか一に示す薄膜トランジス
タはnチャネル型TFTであるため、駆動回路のうち、nチャネル型TFTで構成するこ
とができる駆動回路の一部を画素部の薄膜トランジスタと同一基板上に形成する。
6(A)に示す。図16(A)に示す表示装置は、基板5300上に表示素子を備えた画
素を複数有する画素部5301と、各画素を選択する走査線駆動回路5302と、選択さ
れた画素へのビデオ信号の入力を制御する信号線駆動回路5303とを有する。
線S1〜Sm(図示せず。)により信号線駆動回路5303と接続され、走査線駆動回路
5302から行方向に伸張して配置された複数の走査線G1〜Gn(図示せず。)により
走査線駆動回路5302と接続され、信号線S1〜Sm並びに走査線G1〜Gnに対応し
てマトリクス状に配置された複数の画素(図示せず。)を有する。そして、各画素は、信
号線Sj(信号線S1〜Smのうちいずれか一)、走査線Gi(走査線G1〜Gnのうち
いずれか一)と接続される。
ル型TFTであり、nチャネル型TFTで構成する信号線駆動回路について図17を用い
て説明する。
02_M、第1の配線5611、第2の配線5612、第3の配線5613及び配線56
21_1〜5621_Mを有する。スイッチ群5602_1〜5602_Mそれぞれは、
第1の薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3の薄膜
トランジスタ5603cを有する。
及び配線5621_1〜5621_Mに接続される。そして、スイッチ群5602_1〜
5602_Mそれぞれは、第1の配線5611、第2の配線5612、第3の配線561
3及びスイッチ群5602_1〜5602_Mそれぞれに対応した配線5621_1〜5
621_Mに接続される。そして、配線5621_1〜5621_Mそれぞれは、第1の
薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3の薄膜トラン
ジスタ5603cを介して、3つの信号線に接続される。例えば、J列目の配線5621
_J(配線5621_1〜配線5621_Mのうちいずれか一)は、スイッチ群5602
_Jが有する第1の薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜トランジスタ5603b及
び第3の薄膜トランジスタ5603cを介して、信号線Sj−1、信号線Sj、信号線S
j+1に接続される。
号が入力される。
、スイッチ群5602_1〜5602_Mは、画素部と同一基板上に形成されていること
が望ましい。したがって、ドライバIC5601とスイッチ群5602_1〜5602_
MとはFPCなどを介して接続するとよい。
照して説明する。なお、図18のタイミングチャートは、i行目の走査線Giが選択され
ている場合のタイミングチャートを示している。さらに、i行目の走査線Giの選択期間
は、第1のサブ選択期間T1、第2のサブ選択期間T2及び第3のサブ選択期間T3に分
割されている。さらに、図17の信号線駆動回路は、他の行の走査線が選択されている場
合でも図18と同様の動作をする。
スタ5603a、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3の薄膜トランジスタ560
3cを介して、信号線Sj−1、信号線Sj、信号線Sj+1に接続される場合について
示している。
1の薄膜トランジスタ5603aのオン・オフのタイミング5703a、第2の薄膜トラ
ンジスタ5603bのオン・オフのタイミング5703b、第3の薄膜トランジスタ56
03cのオン・オフのタイミング5703c及びJ列目の配線5621_Jに入力される
信号5721_Jを示している。
択期間T2及び第3のサブ選択期間T3において、それぞれ別のビデオ信号が入力される
。例えば、第1のサブ選択期間T1において配線5621_Jに入力されるビデオ信号は
信号線Sj−1に入力され、第2のサブ選択期間T2において配線5621_Jに入力さ
れるビデオ信号は信号線Sjに入力され、第3のサブ選択期間T3において配線5621
_Jに入力されるビデオ信号は信号線Sj+1に入力される。さらに、第1のサブ選択期
間T1、第2のサブ選択期間T2及び第3のサブ選択期間T3において、配線5621_
Jに入力されるビデオ信号をそれぞれData_j−1、Data_j、Data_j+
1とする。
aがオンし、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3の薄膜トランジスタ5603c
がオフする。このとき、配線5621_Jに入力されるData_j−1が、第1の薄膜
トランジスタ5603aを介して信号線Sj−1に入力される。第2のサブ選択期間T2
では、第2の薄膜トランジスタ5603bがオンし、第1の薄膜トランジスタ5603a
及び第3の薄膜トランジスタ5603cがオフする。このとき、配線5621_Jに入力
されるData_jが、第2の薄膜トランジスタ5603bを介して信号線Sjに入力さ
れる。第3のサブ選択期間T3では、第3の薄膜トランジスタ5603cがオンし、第1
の薄膜トランジスタ5603a及び第2の薄膜トランジスタ5603bがオフする。この
とき、配線5621_Jに入力されるData_j+1が、第3の薄膜トランジスタ56
03cを介して信号線Sj+1に入力される。
、1ゲート選択期間中に1つの配線5621から3つの信号線にビデオ信号を入力するこ
とができる。したがって、図17の信号線駆動回路は、ドライバIC5601が形成され
る基板と、画素部が形成されている基板との接続数を信号線の数に比べて約1/3にする
ことができる。接続数が約1/3になることによって、図17の信号線駆動回路は、信頼
性、歩留まりなどを向上できる。
択期間それぞれにおいて、ある1つの配線から複数の信号線それぞれにビデオ信号を入力
することができれば、薄膜トランジスタの配置や数、駆動方法などは限定されない。
ぞれにビデオ信号を入力する場合は、薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタを制御する
ための配線を追加すればよい。ただし、1ゲート選択期間を4つ以上のサブ選択期間に分
割すると、1つのサブ選択期間が短くなる。したがって、1ゲート選択期間は、2つ又は
3つのサブ選択期間に分割されることが望ましい。
ジ期間Tp、第1のサブ選択期間T1、第2のサブ選択期間T2、第3の選択期間T3に
分割してもよい。さらに、図19のタイミングチャートは、i行目の走査線Giが選択さ
れるタイミング、第1の薄膜トランジスタ5603aのオン・オフのタイミング5803
a、第2の薄膜トランジスタ5603bのオン・オフのタイミング5803b、第3の薄
膜トランジスタ5603cのオン・オフのタイミング5803c及びJ列目の配線562
1_Jに入力される信号5821_Jを示している。図19に示すように、プリチャージ
期間Tpにおいて第1の薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜トランジスタ5603
b及び第3の薄膜トランジスタ5603cがオンする。このとき、配線5621_Jに入
力されるプリチャージ電圧Vpが第1の薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜トラン
ジスタ5603b及び第3の薄膜トランジスタ5603cを介してそれぞれ信号線Sj−
1、信号線Sj、信号線Sj+1に入力される。第1のサブ選択期間T1において第1の
薄膜トランジスタ5603aがオンし、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3の薄
膜トランジスタ5603cがオフする。このとき、配線5621_Jに入力されるDat
a_j−1が、第1の薄膜トランジスタ5603aを介して信号線Sj−1に入力される
。第2のサブ選択期間T2では、第2の薄膜トランジスタ5603bがオンし、第1の薄
膜トランジスタ5603a及び第3の薄膜トランジスタ5603cがオフする。このとき
、配線5621_Jに入力されるData_jが、第2の薄膜トランジスタ5603bを
介して信号線Sjに入力される。第3のサブ選択期間T3では、第3の薄膜トランジスタ
5603cがオンし、第1の薄膜トランジスタ5603a及び第2の薄膜トランジスタ5
603bがオフする。このとき、配線5621_Jに入力されるData_j+1が、第
3の薄膜トランジスタ5603cを介して信号線Sj+1に入力される。
ブ選択期間の前にプリチャージ選択期間を設けることによって、信号線をプリチャージで
きるため、画素へのビデオ信号の書き込みを高速に行うことができる。なお、図19にお
いて、図18と同様なものに関しては共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な機能
を有する部分の詳細な説明は省略する。
ッファを有している。また場合によってはレベルシフタを有していても良い。走査線駆動
回路において、シフトレジスタにクロック信号(CLK)及びスタートパルス信号(SP
)が入力されることによって、選択信号が生成される。生成された選択信号はバッファに
おいて緩衝増幅され、対応する走査線に供給される。走査線には、1ライン分の画素のト
ランジスタのゲート電極が接続されている。そして、1ライン分の画素のトランジスタを
一斉にONにしなくてはならないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なものが
用いられる。
て説明する。
ップフロップ(フリップフロップ5701_1〜5701_n)で構成される。また、第
1のクロック信号、第2のクロック信号、スタートパルス信号、リセット信号が入力され
て動作する。
目のフリップフロップ5701_i(フリップフロップ5701_1〜5701_nのう
ちいずれか一)は、図21に示した第1の配線5501が第7の配線5717_i−1に
接続され、図21に示した第2の配線5502が第7の配線5717_i+1に接続され
、図21に示した第3の配線5503が第7の配線5717_iに接続され、図21に示
した第6の配線5506が第5の配線5715に接続される。
5712に接続され、偶数段目のフリップフロップでは第3の配線5713に接続され、
図21に示した第5の配線5505が第4の配線5714に接続される。
1の配線5711に接続され、n段目のフリップフロップ5701_nの図21に示す第
2の配線5502は第6の配線5716に接続される。
16を、それぞれ第1の信号線、第2の信号線、第3の信号線、第4の信号線と呼んでも
よい。さらに、第4の配線5714、第5の配線5715を、それぞれ第1の電源線、第
2の電源線と呼んでもよい。
ップフロップは、第1の薄膜トランジスタ5571、第2の薄膜トランジスタ5572、
第3の薄膜トランジスタ5573、第4の薄膜トランジスタ5574、第5の薄膜トラン
ジスタ5575、第6の薄膜トランジスタ5576、第7の薄膜トランジスタ5577及
び第8の薄膜トランジスタ5578を有する。なお、第1の薄膜トランジスタ5571、
第2の薄膜トランジスタ5572、第3の薄膜トランジスタ5573、第4の薄膜トラン
ジスタ5574、第5の薄膜トランジスタ5575、第6の薄膜トランジスタ5576、
第7の薄膜トランジスタ5577及び第8の薄膜トランジスタ5578は、nチャネル型
トランジスタであり、ゲート・ソース間電圧(Vgs)がしきい値電圧(Vth)を上回
ったとき導通状態になるものとする。
が第4の配線5504に接続され、第1の薄膜トランジスタ5571の第2の電極(ソー
ス電極またはドレイン電極の他方)が第3の配線5503に接続される。
薄膜トランジスタ5572第2の電極が第3の配線5503に接続される。
薄膜トランジスタ5573の第2の電極が第2の薄膜トランジスタ5572のゲート電極
に接続され、第3の薄膜トランジスタ5573のゲート電極が第5の配線5505に接続
される。
薄膜トランジスタ5574の第2の電極が第2の薄膜トランジスタ5572のゲート電極
に接続され、第4の薄膜トランジスタ5574のゲート電極が第1の薄膜トランジスタ5
571のゲート電極に接続される。
薄膜トランジスタ5575の第2の電極が第1の薄膜トランジスタ5571のゲート電極
に接続され、第5の薄膜トランジスタ5575のゲート電極が第1の配線5501に接続
される。
薄膜トランジスタ5576の第2の電極が第1の薄膜トランジスタ5571のゲート電極
に接続され、第6の薄膜トランジスタ5576のゲート電極が第2の薄膜トランジスタ5
572のゲート電極に接続される。
薄膜トランジスタ5577の第2の電極が第1の薄膜トランジスタ5571のゲート電極
に接続され、第7の薄膜トランジスタ5577のゲート電極が第2の配線5502に接続
される。第8の薄膜トランジスタ5578の第1の電極が第6の配線5506に接続され
、第8の薄膜トランジスタ5578の第2の電極が第2の薄膜トランジスタ5572のゲ
ート電極に接続され、第8の薄膜トランジスタ5578のゲート電極が第1の配線550
1に接続される。
のゲート電極、第5の薄膜トランジスタ5575の第2の電極、第6の薄膜トランジスタ
5576の第2の電極及び第7の薄膜トランジスタ5577の第2の電極の接続箇所をノ
ード5543とする。さらに、第2の薄膜トランジスタ5572のゲート電極、第3の薄
膜トランジスタ5573の第2の電極、第4の薄膜トランジスタ5574の第2の電極、
第6の薄膜トランジスタ5576のゲート電極及び第8の薄膜トランジスタ5578の第
2の電極の接続箇所をノード5544とする。
504を、それぞれ第1の信号線、第2の信号線、第3の信号線、第4の信号線と呼んで
もよい。さらに、第5の配線5505を第1の電源線、第6の配線5506を第2の電源
線と呼んでもよい。
に示すnチャネル型TFTのみで作製することも可能である。実施の形態1乃至実施の形
態4のいずれか一に示すnチャネル型TFTはトランジスタの移動度が大きいため、駆動
回路の駆動周波数を高くすることが可能となる。また、実施の形態1乃至実施の形態4の
いずれか一に示すnチャネル型TFTはインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸素欠乏
酸化物半導体層であるソース領域又はドレイン領域により寄生容量が低減されるため、周
波数特性(f特性と呼ばれる)が高い。例えば、実施の形態1乃至実施の形態4のいずれ
か一に示すnチャネル型TFTを用いた走査線駆動回路は、高速に動作させることが出来
るため、フレーム周波数を高くすること、または、黒画面挿入を実現することなども実現
することが出来る。
駆動回路を配置することなどによって、さらに高いフレーム周波数を実現することが出来
る。複数の走査線駆動回路を配置する場合は、偶数行の走査線を駆動する為の走査線駆動
回路を片側に配置し、奇数行の走査線を駆動するための走査線駆動回路をその反対側に配
置することにより、フレーム周波数を高くすることを実現することが出来る。
なくとも一つの画素に複数の薄膜トランジスタを配置するため、走査線駆動回路を複数配
置することが好ましい。アクティブマトリクス型発光表示装置のブロック図の一例を図1
6(B)に示す。
る画素部5401と、各画素を選択する第1の走査線駆動回路5402及び第2の走査線
駆動回路5404と、選択された画素へのビデオ信号の入力を制御する信号線駆動回路5
403とを有する。
合、画素はトランジスタのオンとオフの切り替えによって、発光もしくは非発光の状態と
なる。よって、面積階調法または時間階調法を用いて階調の表示を行うことができる。面
積階調法は、1画素を複数の副画素に分割し、各副画素を独立にビデオ信号に基づいて駆
動させることによって、階調表示を行う駆動法である。また時間階調法は、画素が発光す
る期間を制御することによって、階調表示を行う駆動法である。
している。具体的に時間階調法で表示を行なう場合、1フレーム期間を複数のサブフレー
ム期間に分割する。そしてビデオ信号に従い、各サブフレーム期間において画素の発光素
子を発光または非発光の状態にする。複数のサブフレーム期間に分割することによって、
1フレーム期間中に画素が実際に発光する期間のトータルの長さを、ビデオ信号により制
御することができ、階調を表示することができる。
流制御用TFTとの2つを配置する場合、スイッチング用TFTのゲート配線である第1
の走査線に入力される信号を第1走査線駆動回路5402で生成し、電流制御用TFTの
ゲート配線である第2の走査線に入力される信号を第2の走査線駆動回路5404で生成
している例を示しているが、第1の走査線に入力される信号と、第2の走査線に入力され
る信号とを、共に1つの走査線駆動回路で生成するようにしても良い。また、例えば、ス
イッチング素子が有する各トランジスタの数によって、スイッチング素子の動作を制御す
るのに用いられる第1の走査線が、各画素に複数設けられることもあり得る。この場合、
複数の第1の走査線に入力される信号を、全て1つの走査線駆動回路で生成しても良いし
、複数の各走査線駆動回路で生成しても良い。
できる駆動回路の一部を画素部の薄膜トランジスタと同一基板上に形成することができる
。また、信号線駆動回路及び走査線駆動回路を実施の形態1乃至実施の形態4のいずれか
一に示すnチャネル型TFTのみで作製することも可能である。
電気的に接続する素子を利用して電子インクを駆動させる電子ペーパーに用いてもよい。
電子ペーパーは、電気泳動表示装置(電気泳動ディスプレイ)も呼ばれており、紙と同じ
読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利
点を有している。
子と、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に
複数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロ
カプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示す
るものである。なお、第1の粒子または第2の粒子は染料を含み、電界がない場合におい
て移動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの(無色を
含む)とする。
いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。電気泳動ディスプレイは、液晶
表示装置には必要な偏光板、対向基板も電気泳動表示装置には必要なく、厚さや重さが半
減する。
の電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また
、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
ロカプセルを複数配置すればアクティブマトリクス型の表示装置が完成し、マイクロカプ
セルに電界を印加すれば表示を行うことができる。例えば、実施の形態1乃至実施の形態
4のいずれか一の薄膜トランジスタによって得られるアクティブマトリクス基板を用いる
ことができる。
半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレク
トロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を
用いればよい。
である。
ここでは、少なくともゲート絶縁層と酸素過剰酸化物半導体層の積層を大気に触れること
なく、連続成膜を行う逆スタガ型の薄膜トランジスタの作製例を以下に示す。ここでは、
連続成膜を行う工程までの工程を示し、その後の工程は、実施の形態1乃至実施の形態4
のいずれか一に従って薄膜トランジスタを作製すればよい。
の成膜工程までの一連のプロセス中、被処理基板の置かれている雰囲気が大気等の汚染雰
囲気に触れることなく、常に真空中または不活性ガス雰囲気(窒素雰囲気または希ガス雰
囲気)で制御されていることを言う。連続成膜を行うことにより、清浄化された被処理基
板の水分等の再付着を回避して成膜を行うことができる。
は本明細書における連続成膜の範囲にあるとする。
う場合、第1の成膜工程を終えた後、大気にふれることなくチャンバー間を基板搬送して
第2の成膜を施すことも本明細書における連続成膜の範囲にあるとする。
工程、または第2の工程に必要な温度とするため基板を加熱または冷却する工程等を有し
ても、本明細書における連続成膜の範囲にあるとする。
の成膜工程と第2の成膜工程の間にある場合、本明細書でいう連続成膜の範囲には当ては
まらないとする。
造装置を用いることが好ましい。
た搬送室80が設けられ、搬送室80には、搬送室内へ搬入および搬出する基板を複数枚
収納するカセットケースをセットするカセット室82がゲートバルブ83を介して連結さ
れている。
。ここでは、上面形状が六角形の搬送室80に5つの処理室を連結する例を示す。なお、
搬送室の上面形状を変更することで、連結できる処理室の数を変えることができ、例えば
、四角形とすれば3つの処理室が連結でき、八角形とすれば7つの処理室が連結できる。
ーとする。スパッタチャンバーは、少なくともチャンバー内部に、スパッタターゲット、
ターゲットをスパッタするための電力印加機構やガス導入手段、所定位置に基板を保持す
る基板ホルダー等が設けられている。また、スパッタチャンバー内を減圧状態とするため
、チャンバー内の圧力を制御する圧力制御手段がスパッタチャンバーに設けられている。
があり、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスDCスパッタ法もある。RFスパッタ
法は主に絶縁膜を成膜する場合に用いられ、DCスパッタ法は主に金属膜を成膜する場合
に用いられる。
装置は、同一チャンバーで異なる材料膜を積層成膜することも、同一チャンバーで複数種
類の材料を同時に放電させて成膜することもできる。
や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるECRスパッタ
法を用いるスパッタ装置がある。
それらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタ法や、成膜中に基板にも電圧をかけ
るバイアススパッタ法もある。
どを行う加熱チャンバー、スパッタリング後に基板を冷却する冷却チャンバー、或いはプ
ラズマ処理を行うチャンバーとする。
、カセット室82に設けられた真空排気手段によりカセット室を減圧状態とする。なお、
予め、各処理室および搬送室80内部をそれぞれに設けられた真空排気手段により減圧し
ておく。こうしておくことで、各処理室間を基板が搬送されている間、大気に触れること
なく清浄な状態を維持することができる。
。ゲート電極と基板との間に下地絶縁膜を設けてもよい。例えば、下地絶縁膜として、特
に限定されないが、スパッタ法で得られる窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などを用
いればよい。基板94としてアルカリ金属を含むガラス基板を用いる場合、下地絶縁膜は
、基板からナトリウム等の可動イオンがその上の半導体領域中に侵入して、TFTの電気
特性が変化することを抑制する作用を有する。
ト絶縁層を形成した基板を用いる。プラズマCVD法で成膜された窒化シリコン膜は緻密
であり、1層目のゲート絶縁層とすることでピンホールなどの発生を抑えることができる
。なお、ここではゲート絶縁層を積層とする例を示すが特に限定されず、単層または3層
以上の積層を用いてもよい。
から抜き取り、ゲートバルブ84を開いて第1の処理室89内に搬送し、ゲートバルブ8
4を閉める。第1の処理室89では、加熱ヒータやランプ加熱で基板を加熱して基板94
に付着している水分などを除去する。特に、ゲート絶縁層に水分が含まれるとTFTの電
気特性が変化する恐れがあるため、スパッタ成膜前の加熱は有効である。なお、カセット
室82に基板をセットした段階で十分に水分が除去されている場合には、この加熱処理は
不要である。
ズマ処理を行ってもよい。また、カセット室82に加熱手段を設けてカセット室82で水
分を除去する加熱を行ってもよい。
ゲートバルブ85を開いて第2の処理室90内に搬送し、ゲートバルブ85を閉める。
ーとする。
膜を行う。
1により基板を搬送室80に搬送し、ゲートバルブ86を開いて第3の処理室91内に搬
送し、ゲートバルブ86を閉める。
ーとする。
膜を行う。ゲート絶縁層として、酸化シリコン膜の他に、酸化アルミニウム膜(Al2O
3膜)、酸化マグネシウム膜(MgOx膜)、窒化アルミニウム膜(AlNx膜)、酸化
イットリウム膜(YOx膜)などを用いることができる。
用いてアルゴンガスと酸素ガスを用い、スパッタ成膜する。このゲート絶縁層中の水素が
拡散し、IGZO膜中の過剰な酸素と反応してH2O成分になることを防ぐことは極めて
重要である。連続成膜をして、ゲート絶縁層とIGZO膜の界面に水分を付着させないこ
とも重要である。従って、チャンバー内をクライオポンプなどで真空排気し、到達最低圧
力を1×10−7〜1×10−10Torr(約1×10−5Pa以上1×10−8Pa
)の超高真空領域、所謂、UHV領域中でスパッタを行うことが好ましい。また、ゲート
絶縁層とIGZO膜の界面を大気に触れさせないように連続的に積層する際、ゲート絶縁
層の表面に酸素ラジカル処理を行い、表面を酸素過剰領域とすることは、その後の工程で
の信頼性向上のための熱処理において、酸素のIGZO膜界面の改質のための供給源を作
る上で有効である。
ート絶縁層の内部の酸素濃度と比較してIGZO側の表面の酸素濃度が高濃度となる。ま
た、酸素ラジカル処理を行わない場合と比べて、酸素ラジカル処理を行った場合は、ゲー
ト絶縁層とIGZO膜の界面における酸素濃度が高くなる。
O膜のゲート絶縁層側の酸素濃度も高濃度となる。
リウム等の可動イオンの固定化をさせてもよい。その方法としては、チャンバー内にハロ
ゲン元素を含むガスを導入してスパッタリングを行う。ただし、ハロゲン元素を含むガス
を導入する場合にはチャンバーの排気手段に除害設備を設ける必要がある。ゲート絶縁層
に含ませるハロゲン元素の濃度は、SIMS(二次イオン質量分析法)を用いた分析によ
り得られる濃度ピークが1×1015cm−3以上1×1020cm−3以下の範囲内と
することが好ましい。
1により基板を搬送室80に搬送し、ゲートバルブ87を開いて第4の処理室92内に搬
送し、ゲートバルブ87を閉める。
ーとする。第4の処理室92では、ゲート絶縁層表面への酸素ラジカル処理と、半導体層
として酸素過剰酸化半導体層(IGZO膜の成膜)、並びにソース領域及びドレイン領域
として酸素欠乏酸化物半導体層の成膜を行う。
よい。逆スパッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、酸素、又は酸素及びアルゴン
雰囲気下で基板側に電圧を印加してプラズマを形成して基板表面を改質する方法である。
また、ゲート絶縁層に窒化処理を行ってもよく、窒素雰囲気下で逆スパッタなどのプラズ
マ処理を行えばよい。
酸素雰囲気下で成膜することができる。ここでは酸素を限りなく多くIGZO膜中に含ま
せるために、ターゲットとしてIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体を用い、酸素の
みの雰囲気下、または酸素が90%以上、且つ、Arが10%以下の雰囲気下でパルスD
Cスパッタ法のスパッタリングを行い、酸素過剰のIGZO膜を形成する。
連続成膜することにより、酸素過剰の膜同士のため界面状態を安定させ、TFTの信頼性
を向上させることができる。IGZO膜の成膜前に基板が大気に触れた場合、水分などが
付着し、界面状態に悪影響を与え、しきい値電圧のバラツキや、電気特性の劣化、ノーマ
リーオンのTFTになってしまう症状などを引き起こす恐れがある。水分は水素化合物で
あり、大気に触れることなく、連続成膜することによって、水素化合物が界面に存在する
ことを排除することができる。従って、連続成膜することにより、しきい値電圧のバラツ
キの低減や、電気特性の劣化の防止や、TFTがノーマリーオン側にシフトすることを低
減、望ましくはシフトをなくすことができる。
及びZnを含む酸化物半導体ターゲットとの両方を設置し、シャッターを用いて順次積層
して連続成膜することによって同一チャンバー内で積層を行うこともできる。シャッター
は、ターゲットと基板の間に設け、成膜を行うターゲットはシャッターを開け、成膜を行
わないターゲットはシャッターにより閉じる。同一チャンバー内で積層する利点としては
、使用するチャンバーの数を減らせる点と、異なるチャンバー間を基板搬送する間にパー
ティクル等が基板に付着することを防止できる点である。
て基板を搬出し、フォトリソグラフィ技術を用いて酸素過剰のIGZO膜のエッチング加
工を行うが、グレートーンマスクを用いる工程であれば引き続き、以下に示す連続成膜を
行う。
ッタリングを行い、酸素過剰のIGZO膜上に接して酸素欠乏のIGZO膜を形成する。
この酸素欠乏のIGZO膜は酸素過剰のIGZO膜よりも膜中の酸素濃度が低い。この酸
素欠乏のIGZO膜はソース領域またはドレイン領域として機能する。
を搬送室80に搬送し、ゲートバルブ88を開いて第5の処理室93内に搬送し、ゲート
バルブ88を閉める。
ーとする。第5の処理室93では、ソース電極層またはドレイン電極層となる金属多層膜
(導電膜)の成膜を行う。第5の処理室93のスパッタチャンバーにチタンのターゲット
と、アルミニウムのターゲットとの両方を設置し、シャッターを用いて順次積層して連続
成膜することによって同一チャンバー内で積層を行う。ここでは、チタン膜上にアルミニ
ウム膜を積層し、さらにアルミニウム膜上にチタン膜を積層する。
Ox膜と酸素過剰のIGZO膜と酸素欠乏のIGZO膜と金属多層膜とを連続成膜するこ
とができる。特に、酸素過剰のIGZO膜の界面状態がより安定し、TFTの信頼性を向
上させることができる。IGZO膜の成膜前後に基板が大気に触れた場合、水分などが付
着し、界面状態に悪影響を与え、しきい値のバラツキや、電気特性の劣化、ノーマリーオ
ンのTFTになってしまう症状などを引き起こす恐れがある。水分は水素化合物であり、
大気に触れることなく、連続成膜することによって、水素化合物がIGZO膜の界面に存
在することを排除することができる。従って、4層を連続成膜することにより、しきい値
のバラツキの低減や、電気特性の劣化の防止や、TFTがノーマリーオン側にシフトする
ことを低減、望ましくはシフトをなくすことができる。
となる金属多層膜の成膜とを連続成膜することにより、酸素欠乏のIGZO膜と金属多層
膜との間で良好な界面状態を実現でき、接触抵抗を低減できる。
及びZnを含む酸化物半導体ターゲットとの両方を設置し、シャッターを用いて順次導入
するガスを切り替えて3層を連続成膜することによって同一チャンバー内で積層を行うこ
ともできる。同一チャンバー内で積層する利点としては、使用するチャンバーの数を減ら
せる点と、異なるチャンバー間を基板搬送する間にパーティクル等が基板に付着すること
を防止できる点である。
終えた後、カセット室の真空を大気に開放して、基板およびカセットを取り出す。
加熱処理、具体的には200℃〜600℃の加熱処理、好ましくは300℃〜500℃の
加熱処理を行うことができる。この加熱処理を行うことにより逆スタガ型の薄膜トランジ
スタの電気特性を向上させることができる。この加熱処理は、酸素過剰のIGZO膜及び
酸素欠乏のIGZO膜の成膜後であれば特に限定されず、例えば、酸素過剰のIGZO膜
及び酸素欠乏のIGZO膜の成膜直後や、金属多層膜成膜直後に行うことができる。
やウェットエッチングを用いて形成してもよいし、複数回のエッチングに分けてそれぞれ
選択的にエッチングしてもよい。
工により形成した後、保護膜を形成する前に真空ベークを行ってもよい。
型の薄膜トランジスタが作製できる。
直列に連結するインライン方式の製造装置を用いて大気に触れることなく連続成膜を行っ
てもよい。
式の処理室としたが、基板を垂直に立て、縦置き方式の処理室としてもよい。縦置き方式
の処理室は、フェイスダウン方式の処理室よりもフットプリントが小さいメリットがあり
、さらに基板の自重により撓む恐れのある大面積の基板を用いる場合に有効である。
薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを画素部、さらには駆動回路に用いて表
示機能を有する半導体装置(表示装置ともいう)を作製することができる。また、薄膜ト
ランジスタを駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システム
オンパネルを形成することができる。
素子(発光表示素子ともいう)を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によ
って輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機EL(Electr
o Luminescence)、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど、電気
的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
を含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに、該表示装置を作製する
過程における、表示素子が完成する前の一形態に相当する素子基板に関し、該素子基板は
、電流を表示素子に供給するための手段を複数の各画素に備える。素子基板は、具体的に
は、表示素子の画素電極のみが形成された状態であっても良いし、画素電極となる導電膜
を成膜した後であって、エッチングして画素電極を形成する前の状態であっても良いし、
あらゆる形態があてはまる。
源(照明装置含む)を指す。また、コネクター、例えばFPC(Flexible pr
inted circuit)もしくはTAB(Tape Automated Bon
ding)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)が取り
付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュ
ール、または表示素子にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回
路)が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
液晶表示装置の平面図であり、図23(B)は図23(A)における線V−Xの断面図で
ある。半導体装置に用いられる薄膜トランジスタ201としては、実施の形態2で示す薄
膜トランジスタと同様に作製でき、酸素ラジカル処理をされたゲート絶縁層上に酸素過剰
酸化物半導体層及び酸素欠乏酸化物半導体層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである
。また、実施の形態1、実施の形態3、又は実施の形態4で示す薄膜トランジスタも本実
施の薄膜トランジスタ201として適用することもできる。
の逆スタガ型の薄膜トランジスタ201、ゲート配線層203、容量配線層204を含む
。
トランジスタ201、絶縁層211、絶縁層212、絶縁層213、及び表示素子に用い
る電極層255、配向膜として機能する絶縁層261、偏光板268が設けられた基板2
00と、配向膜として機能する絶縁層263、表示素子に用いる電極層265、カラーフ
ィルタとして機能する着色層264、偏光板267が設けられた基板266とが液晶層2
62を挟持して対向しており、液晶表示素子260を有している。
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するために5重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層262に用
いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が10μs〜1
00μsと短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい
。
示装置でも適用できる。
内側に着色層264、表示素子に用いる電極層265という順に設ける例を示すが、偏光
板267は基板266の内側に設けてもよい。また、偏光板と着色層の積層構造も図23
に限定されず、偏光板及び着色層の材料や作製工程条件によって適宜設定すればよい。ま
た、ブラックマトリクスとして機能する遮光膜を設けてもよい。
ジスタの信頼性を向上させるため、実施の形態1で得られた薄膜トランジスタを保護膜や
平坦化絶縁膜として機能する絶縁層(絶縁層211、絶縁層212、絶縁層213)で覆
う構成となっている。なお、保護膜は、大気中に浮遊する有機物や金属物、水蒸気などの
汚染不純物の侵入を防ぐためのものであり、緻密な膜が好ましい。保護膜は、スパッタ法
を用いて、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウ
ム膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜の単
層、又は積層で形成すればよい。本実施の形態では保護膜をスパッタ法で形成する例を示
すが、特に限定されず種々の方法で形成すればよい。
ック防止に効果がある。ここでは、絶縁層211として、スパッタ法を用いて酸化珪素膜
を形成する。
スパッタ法を用いて窒化珪素膜を形成する。保護膜の一層として窒化珪素膜を用いると、
ナトリウム等の可動イオンが半導体領域中に侵入して、TFTの電気特性を変化させるこ
とを抑制することができる。
ってもよい。
、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料
を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)、シ
ロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等を用いること
ができる。シロキサン系樹脂は、置換基に水素の他、フッ素、アルキル基、またはアリー
ル基のうち少なくとも1種を有していてもよい。なお、これらの材料で形成される絶縁膜
を複数積層させることで、絶縁層213を形成してもよい。
i結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は、置換基に水素の他、フッ素、アルキ
ル基、または芳香族炭化水素のうち、少なくとも1種を有していてもよい。
スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スクリーン印
刷、オフセット印刷等)、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフ
コーター等を用いることができる。絶縁層213を材料液を用いて形成する場合、ベーク
する工程で同時に、IGZO半導体層のアニール(300℃〜400℃)を行ってもよい
。絶縁層213の焼成工程とIGZO半導体層のアニールを兼ねることで効率よく半導体
装置を作製することが可能となる。
酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸
化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す
。)、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を
有する導電性材料を用いることができる。
電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形成した画素電極は、
シート抵抗が10000Ω/□以下、波長550nmにおける透光率が70%以上である
ことが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が0.1Ω・cm
以下であることが好ましい。
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、若しくはこれらの2種以上の共重合体などがあげられる。
。
である。
装置に用いられる薄膜トランジスタ581としては、実施の形態2で示す薄膜トランジス
タと同様に作製でき、酸素ラジカル処理をされたゲート絶縁層上に酸素過剰酸化物半導体
層、並びにソース領域及びドレイン領域として酸素欠乏酸化物半導体層を含む信頼性の高
い薄膜トランジスタである。また、実施の形態1、実施の形態3、又は実施の形態4で示
す薄膜トランジスタも本実施の薄膜トランジスタ581として適用することもできる。
トボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層であ
る第1の電極層及び第2の電極層の間に配置し、第1の電極層及び第2の電極層に電位差
を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。
の逆スタガ型の薄膜トランジスタであり、ソース電極層又はドレイン電極層によって第1
の電極層587と、絶縁層583、584、585に形成する開口で接しており電気的に
接続している。第1の電極層587と第2の電極層588との間には黒色領域590a及
び白色領域590bを有し、周りに液体で満たされているキャビティ594を含む球形粒
子589が設けられており、球形粒子589の周囲は樹脂等の充填材595で充填されて
いる(図30参照。)。
と、正に帯電した白い微粒子と負に帯電した黒い微粒子とを封入した直径10μm〜20
0μm程度のマイクロカプセルを用いる。第1の電極層と第2の電極層との間に設けられ
るマイクロカプセルは、第1の電極層と第2の電極層によって、電場が与えられると、白
い微粒子と、黒い微粒子が逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる。この
原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子であり、一般的に電子ペーパーとよばれてい
る。電気泳動表示素子は、液晶表示素子に比べて反射率が高いため、補助ライトは不要で
あり、また消費電力が小さく、薄暗い場所でも表示部を認識することが可能である。また
、表示部に電源が供給されない場合であっても、一度表示した像を保持することが可能で
あるため、電波発信源から表示機能付き半導体装置(単に表示装置、又は表示装置を具備
する半導体装置ともいう)を遠ざけた場合であっても、表示された像を保存しておくこと
が可能となる。
。
である。
本実施の形態では、半導体装置として発光表示装置の例を示す。表示装置の有する表示素
子としては、ここではエレクトロルミネッセンスを利用する発光素子を用いて示す。エレ
クトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合
物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者は無機EL素子と呼
ばれている。
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明す
る。
示す。図26(A)は発光表示装置の平面図であり、図26(B)は図26(A)におけ
る線Y−Zの断面図である。なお、図27に、図26に示す発光表示装置の等価回路を示
す。
施の形態2で示す薄膜トランジスタと同様に作製でき、酸素ラジカル処理をされたゲート
絶縁層上に酸素過剰酸化物半導体層、並びにソース領域及びドレイン領域として酸素欠乏
酸化物半導体層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。また、実施の形態3、又は
実施の形態4で示す薄膜トランジスタも本実施の薄膜トランジスタ301、302として
適用することもできる。
トランジスタ301、薄膜トランジスタ302、発光素子303、容量素子304、ソー
ス配線層305、ゲート配線層306、電源線307を含む。薄膜トランジスタ301、
302はnチャネル型薄膜トランジスタである。
、絶縁層311、絶縁層312、絶縁層313、隔壁321、及び発光素子303に用い
る第1の電極層320、電界発光層322、第2の電極層323を有している。
を用いて形成することが好ましい。
1の電極層320として、陰極を用いるのが望ましい。具体的には、陰極としては、仕事
関数が小さい材料、例えば、Ca、Al、CaF、MgAg、AlLi等を用いることが
できる。
に感光性の材料を用い、第1の電極層320上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連
続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
れていてもどちらでも良い。
極層323は、実施の形態7に画素電極層として列挙した透光性を有する導電性材料を用
いた透光性導電膜で形成することができる。上記透光性導電膜の他に、窒化チタン膜また
はチタン膜を用いても良い。第1の電極層320と電界発光層322と第2の電極層32
3とが重なり合うことで、発光素子303が形成されている。この後、発光素子303に
酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第2の電極層323及び隔壁32
1上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、DLC
膜等を形成することができる。
が高く、脱ガスの少ない保護フィルム(貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等
)やカバー材でパッケージング(封入)することが好ましい。
型の場合を例に挙げて、画素の断面構造について説明する。図28(A)(B)(C)の
半導体装置に用いられる駆動用TFTであるTFT7001、7011、7021は、実
施の形態1で示す薄膜トランジスタと同様に作製でき、酸素ラジカル処理をされたゲート
絶縁層上に酸素過剰酸化物半導体層、並びにソース領域及びドレイン領域として酸素欠乏
酸化物半導体層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。また、実施の形態2、実施
の形態3、又は実施の形態4で示す薄膜トランジスタをTFT7001、7011、70
21として適用することもできる。
して、基板上に薄膜トランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取
り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対
側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、画素構成はどの射出構造の発
光素子にも適用することができる。
せられる光が陽極7005側に抜ける場合の、画素の断面図を示す。図28(A)では、
発光素子7002の陰極7003と駆動用TFTであるTFT7001が電気的に接続さ
れており、陰極7003上に発光層7004、陽極7005が順に積層されている。陰極
7003は仕事関数が小さく、なおかつ光を反射する導電膜であれば様々の材料を用いる
ことができる。例えば、Ca、Al、CaF、MgAg、AlLi等が望ましい。そして
発光層7004は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成され
ていてもどちらでも良い。複数の層で構成されている場合、陰極7003上に電子注入層
、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層の順に積層する。なおこれらの層を
全て設ける必要はない。陽極7005は光を透過する透光性を有する導電性材料を用いて
形成し、例えば酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むイン
ジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫
酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケ
イ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電膜を用いても良い。
相当する。図28(A)に示した画素の場合、発光素子7002から発せられる光は、矢
印で示すように陽極7005側に射出する。
011がn型で、発光素子7012から発せられる光が陰極7013側に射出する場合の
、画素の断面図を示す。図28(B)では、駆動用TFT7011と電気的に接続された
透光性を有する導電膜7017上に、発光素子7012の陰極7013が成膜されており
、陰極7013上に発光層7014、陽極7015が順に積層されている。なお、陽極7
015が透光性を有する場合、陽極上を覆うように、光を反射または遮蔽するための遮蔽
膜7016が成膜されていてもよい。陰極7013は、図28(A)の場合と同様に、仕
事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしその膜厚は
、光を透過する程度(好ましくは、5nm〜30nm程度)とする。例えば20nmの膜
厚を有するアルミニウム膜を、陰極7013として用いることができる。そして発光層7
014は、図28(A)と同様に、単数の層で構成されていても、複数の層が積層される
ように構成されていてもどちらでも良い。陽極7015は光を透過する必要はないが、図
28(A)と同様に、透光性を有する導電性材料を用いて形成することができる。そして
遮蔽膜7016は、例えば光を反射する金属等を用いることができるが、金属膜に限定さ
れない。例えば黒の顔料を添加した樹脂等を用いることもできる。
に相当する。図28(B)に示した画素の場合、発光素子7012から発せられる光は、
矢印で示すように陰極7013側に射出する。
では、駆動用TFT7021と電気的に接続された透光性を有する導電膜7027上に、
発光素子7022の陰極7023が成膜されており、陰極7023上に発光層7024、
陽極7025が順に積層されている。陰極7023は、図28(A)の場合と同様に、仕
事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしその膜厚は
、光を透過する程度とする。例えば20nmの膜厚を有するAlを、陰極7023として
用いることができる。そして発光層7024は、図28(A)と同様に、単数の層で構成
されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。陽極70
25は、図28(A)と同様に、光を透過する透光性を有する導電性材料を用いて形成す
ることができる。
22に相当する。図28(C)に示した画素の場合、発光素子7022から発せられる光
は、矢印で示すように陽極7025側と陰極7023側の両方に射出する。
L素子を設けることも可能である。
発光素子が電気的に接続されている例を示したが、駆動用TFTと発光素子との間に電流
制御用TFTが接続されている構成であってもよい。
本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
。
である。
次に、半導体装置の一形態である表示パネルの構成について、以下に示す。本実施の形態
では、表示素子として液晶素子を有する液晶表示装置の一形態である液晶表示パネル(液
晶パネルともいう)、表示素子として発光素子を有する半導体装置の一形態である発光表
示パネル(発光パネルともいう)について説明する。
用いて説明する。図29(A)は、第1の基板上に形成された酸素ラジカル処理をされた
ゲート絶縁層上に酸素過剰酸化物半導体層、並びにソース領域及びドレイン領域として酸
素欠乏酸化物半導体層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタ及び発光素子を、第2の基板
との間にシール材によって封止した、パネルの上面図であり、図29(B)は、図29(
A)のH−Iにおける断面図に相当する。
3b、及び走査線駆動回路4504a、4504bを囲むようにして、シール材4505
が設けられている。また画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503b、及び
走査線駆動回路4504a、4504bの上に第2の基板4506が設けられている。よ
って画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503b、及び走査線駆動回路45
04a、4504bは、第1の基板4501とシール材4505と第2の基板4506と
によって、充填材4507と共に密封されている。
503b、及び走査線駆動回路4504a、4504bは、薄膜トランジスタを複数有し
ており、図29(B)では、画素部4502に含まれる薄膜トランジスタ4510と、信
号線駆動回路4503aに含まれる薄膜トランジスタ4509とを例示している。
素過剰酸化物半導体層、並びにソース領域及びドレイン領域として酸素欠乏酸化物半導体
層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタに相当し、実施の形態1、実施の形態2、実施の
形態3、又は実施の形態4に示す薄膜トランジスタを適用することができる。本実施の形
態において、薄膜トランジスタ4509、4510はnチャネル型薄膜トランジスタであ
る。
層4517は、薄膜トランジスタ4510のソース電極層またはドレイン電極層と電気的
に接続されている。なお発光素子4511の構成は、本実施の形態に示した構成に限定さ
れない。発光素子4511から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子4511の構
成は適宜変えることができる。
、または画素部4502に与えられる各種信号及び電位は、FPC4518a、4518
bから供給されている。
れ、配線4516は、発光素子4511が有する第1の電極層4517と同じ導電膜から
形成されている。
電気的に接続されている。
ればならない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたは
アクリルフィルムのような透光性を有する材料を用いる。
脂または熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、
ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEV
A(エチレンビニルアセテート)を用いることができる。本実施の形態は充填材4507
として窒素を用いた。
位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜によって形成された駆動回
路で実装されていてもよい。また、信号線駆動回路のみ、或いは一部、又は走査線駆動回
路のみ、或いは一部のみを別途形成して実装しても良く、本実施の形態は図29の構成に
限定されない。
て説明する。図24(A1)(A2)は、第1の基板4001上に形成された酸素ラジカ
ル処理をされたゲート絶縁層上に酸素過剰酸化物半導体層、並びにソース領域及びドレイ
ン領域として酸素欠乏酸化物半導体層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタ4010、4
011、及び液晶素子4013を、第2の基板4006との間にシール材4005によっ
て封止した、パネルの上面図であり、図24(B)は、図24(A1)(A2)のM−N
における断面図に相当する。
ようにして、シール材4005が設けられている。また画素部4002と、走査線駆動回
路4004の上に第2の基板4006が設けられている。よって画素部4002と、走査
線駆動回路4004とは、第1の基板4001とシール材4005と第2の基板4006
とによって、液晶層4008と共に封止されている。また第1の基板4001上のシール
材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶
半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。
ワイヤボンディング方法、或いはTAB方法などを用いることができる。図24(A1)
は、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図24(A2)は、
TAB方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。
薄膜トランジスタを複数有しており、図24(B)では、画素部4002に含まれる薄膜
トランジスタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれる薄膜トランジスタ4011
とを例示している。
素過剰酸化物半導体層、並びにソース領域及びドレイン領域として酸素欠乏酸化物半導体
層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタに相当し、実施の形態1、実施の形態2、実施の
形態3、又は実施の形態4に示す薄膜トランジスタを適用することができる。本実施の形
態において、薄膜トランジスタ4010、4011はnチャネル型薄膜トランジスタであ
る。
気的に接続されている。そして液晶素子4013の対向電極層4031は第2の基板40
06上に形成されている。画素電極層4030と対向電極層4031と液晶層4008と
が重なっている部分が、液晶素子4013に相当する。なお、画素電極層4030、対向
電極層4031はそれぞれ配向膜として機能する絶縁層4032、4033が設けられ、
絶縁層4032、4033を介して液晶層4008を挟持している。
テンレス)、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックとしては
、FRP(Fiberglass−Reinforced Plastics)板、PV
F(ポリビニルフルオライド)フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィ
ルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやポリエステル
フィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
画素電極層4030と対向電極層4031との間の距離(セルギャップ)を制御するため
に設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。
002に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018から供給されている。
と同じ導電膜から形成され、配線4016は、薄膜トランジスタ4010、4011のゲ
ート電極層と同じ導電膜で形成されている。
気的に接続されている。
装している例を示しているが、本実施の形態はこの構成に限定されない。走査線駆動回路
を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部の
みを別途形成して実装しても良い。
として液晶表示モジュールを構成する一例を示している。
ール材2602により固着され、その間にTFT等を含む画素部2603、液晶層を含む
表示素子2604、着色層2605が設けられ表示領域を形成している。着色層2605
はカラー表示を行う場合に必要であり、RGB方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応し
た着色層が各画素に対応して設けられている。TFT基板2600と対向基板2601の
外側には偏光板2606、偏光板2607、拡散板2613が配設されている。光源は冷
陰極管2610と反射板2611により構成され、回路基板2612は、フレキシブル配
線基板2609によりTFT基板2600の配線回路部2608と接続され、コントロー
ル回路や電源回路などの外部回路が組みこまれている。また偏光板と、液晶層との間に位
相差板を有した状態で積層してもよい。
n−Plane−Switching)モード、FFS(Fringe Field S
witching)モード、MVA(Multi−domain Vertical A
lignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alig
nment)、ASM(Axially Symmetric aligned Mic
ro−cell)モード、OCB(Optical Compensated Bire
fringence)モード、FLC(Ferroelectric Liquid C
rystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liquid
Crystal)などを用いることができる。
である。
本発明の一形態の半導体装置は、電子ペーパーとして適用することができる。電子ペーパ
ーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。
例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍(電子ブック)、ポスター、電車などの乗り物
の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる。
電子機器の一例を図31、図32に示す。
の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、本発明の一形態を適用
した電子ペーパーを用いれば短時間で広告の表示を変えることができる。また、表示も崩
れることなく安定した画像が得られる。なお、ポスターは無線で情報を送受信できる構成
としてもよい。
紙の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、本発明の一形態を適
用した電子ペーパーを用いれば人手を多くかけることなく短時間で広告の表示を変えるこ
とができる。また表示も崩れることなく安定した画像が得られる。なお、車内広告は無線
で情報を送受信できる構成としてもよい。
筐体2701および筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701および筐
体2703は、軸部2711により一体とされており、該軸部2711を軸として開閉動
作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能
となる。
込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成として
もよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とするこ
とで、例えば右側の表示部(図32では表示部2705)に文章を表示し、左側の表示部
(図32では表示部2707)に画像を表示することができる。
701において、電源2721、操作キー2723、スピーカ2725などを備えている
。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキー
ボードやポインティングディバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や
側面に、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUSB
ケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える構成
としてもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持たせた構成とし
てもよい。
電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすること
も可能である。
本発明の一形態に係る半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用するこ
とができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョ
ン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカ
メラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯
型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げら
れる。
00は、筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映
像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601
を支持した構成を示している。
コン操作機9610により行うことができる。リモコン操作機9610が備える操作キー
9609により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9603に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機9610に、当該リモコン操作機
9610から出力する情報を表示する表示部9607を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向
(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
ルフォトフレーム9700は、筐体9701に表示部9703が組み込まれている。表示
部9703は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影
した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。
Bケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える構
成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に
備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒
体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像デー
タを取り込み、取り込んだ画像データを表示部9703に表示させることができる。
。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。
れており、連結部9893により、開閉可能に連結されている。筐体9881には表示部
9882が組み込まれ、筐体9891には表示部9883が組み込まれている。また、図
34(A)に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部9884、記録媒体挿入部988
6、LEDランプ9890、入力手段(操作キー9885、接続端子9887、センサ9
888(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、
化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振
動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン9889)等を備え
ている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも本発明の
一形態に係る半導体装置を備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構
成とすることができる。図34(A)に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されている
プログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通
信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図34(A)に示す携帯型遊技機が有す
る機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
マシン9900は、筐体9901に表示部9903が組み込まれている。また、スロット
マシン9900は、その他、スタートレバーやストップスイッチなどの操作手段、コイン
投入口、スピーカなどを備えている。もちろん、スロットマシン9900の構成は上述の
ものに限定されず、少なくとも本発明の一形態に係る半導体装置を備えた構成であればよ
く、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。
1に組み込まれた表示部1002の他、操作ボタン1003、外部接続ポート1004、
スピーカ1005、マイク1006などを備えている。
力ことができる。また、電話を掛ける、或いはメールを打つなどの操作は、表示部100
2を指などで触れることにより行うことができる。
示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示
モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部1002の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好
ましい。
有する検出装置を設けることで、携帯電話機1000の向き(縦か横か)を判断して、表
示部1002の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
ボタン1003の操作により行われる。また、表示部1002に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
部1002のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
02に掌や指を触れることで、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことがで
きる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシ
ング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
本実施の形態は、薄膜トランジスタにおいてチャネル保護型の薄膜トランジスタの例であ
る。従って、他は実施の形態1又は実施の形態2と同様に行うことができ、実施の形態1
又は実施の形態2と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程の繰り返しの説明は
省略する。
用いて説明する。
体層103、チャネル保護層108、ソース領域又はドレイン領域104a、104b、
ソース電極層又はドレイン電極層105a、105bを含む薄膜トランジスタ175が設
けられている。
ネル保護層108が設けられている。半導体層103はチャネル保護層108がチャネル
ストッパーとして機能するためエッチングされない。チャネル保護層108もゲート絶縁
層102、半導体層103と大気に触れさせずに連続成膜することによって形成してもよ
い。積層する薄膜を大気に曝さずに連続的に成膜すると生産性が向上する。
化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミ
ニウムなど)を用いることができる。作製法としては、スパッタ法を用いることができる
。
領域又はドレイン領域104a、104bはIn、Ga、及びZnを含む酸素欠乏酸化物
半導体層である。
、本実施の形態では、酸素ラジカル処理を行わない例を示す。なお。酸素ラジカル処理を
行う場合は、ゲート絶縁層102の形成後、ゲート絶縁層表面に酸素ラジカル処理を行い
酸素過剰領域とする。また、ゲート絶縁層102、及び半導体層103は連続成膜する。
上10nm以下のサイズの結晶粒を有し、半導体層103よりキャリア濃度が高い。
、ソース領域及びドレイン領域(酸素欠乏酸化物半導体層)、ソース電極層及びドレイン
電極層という積層構造を有する薄膜トランジスタとし、酸素欠乏酸化物半導体層に結晶粒
を有するキャリア濃度が高いソース領域及びドレイン領域を用いることによって、半導体
層の膜厚を薄膜にしたままで、かつ寄生容量を抑制できる。なお、薄膜であっても、ゲー
ト絶縁層に対する割合が十分であるため寄生容量は十分に抑制される。
ンジスタを得ることができ、良好な動特性を有する薄膜トランジスタを作製できる。よっ
て、電気特性が高く信頼性のよい薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供することが
できる。
本実施の形態は、本発明の一形態である薄膜トランジスタにおいてトップゲート型の薄膜
トランジスタの例である。従って、他は実施の形態1又は実施の形態2と同様に行うこと
ができ、実施の形態1又は実施の形態2と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工
程の繰り返しの説明は省略する。
用いて説明する。
5b、ソース領域又はドレイン領域104a、104b、半導体層103、ゲート絶縁層
102、ゲート電極層101を含む薄膜トランジスタ176が設けられている。
領域又はドレイン領域104a、104bはIn、Ga、及びZnを含む酸素欠乏酸化物
半導体層である。
することが好ましい。また、半導体層103、及びゲート絶縁層102は連続成膜するこ
とが好ましい。
珪素膜、プラズマCVD法による窒化珪素膜を積層する。
特性を得ることができる。
上10nm以下のサイズの結晶粒を有し、半導体層103よりキャリア濃度が高い。
、ソース領域及びドレイン領域(酸素欠乏酸化物半導体層)、ソース電極層及びドレイン
電極層という積層構造を有する薄膜トランジスタとし、酸素欠乏酸化物半導体層に結晶粒
を有するキャリア濃度が高いソース領域及びドレイン領域を用いることによって、半導体
層の膜厚を薄膜にしたままで、かつ寄生容量を抑制できる。なお、薄膜であっても、ゲー
ト絶縁層に対する割合が十分であるため寄生容量は十分に抑制される。
ンジスタを得ることができ、良好な動特性を有する薄膜トランジスタを作製できる。よっ
て、電気特性が高く信頼性のよい薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供することが
できる。
81 搬送ロボット
82 カセット室
83 ゲートバルブ
84 ゲートバルブ
85 ゲートバルブ
86 ゲートバルブ
87 ゲートバルブ
88 ゲートバルブ
89 処理室
90 処理室
91 処理室
92 処理室
93 処理室
94 基板
100 基板
101 ゲート電極層
102 ゲート絶縁層
103 半導体層
104a ソース領域又はドレイン領域
104b ソース領域又はドレイン領域
105a ソース電極層又はドレイン電極層
105b ソース電極層又はドレイン電極層
105a1 ソース電極層又はドレイン電極層
105a2 ソース電極層又はドレイン電極層
105b1 ソース電極層又はドレイン電極層
105b2 ソース電極層又はドレイン電極層
106a ソース領域又はドレイン領域
106b ソース領域又はドレイン領域
108 チャネル保護層
109a 絶縁膜
109b 絶縁膜
111 半導体膜
112 半導体層
113 マスク
114 半導体膜
115 半導体膜
116 マスク
117 導電膜
118 マスク
121 導電膜
122 マスク
131 半導体膜
132 半導体膜
133 導電膜
135 マスク
136 半導体膜
137 半導体膜
138 導電膜
139 マスク
150 基板
151a ゲート電極層
151b ゲート電極層
152 ゲート絶縁層
153 半導体層
153a 半導体層
153b 半導体層
154a ソース領域又はドレイン領域
154b ソース領域又はドレイン領域
154c ソース領域又はドレイン領域
155a ソース電極層又はドレイン電極層
155b ソース電極層又はドレイン電極層
156 配線層
170a 薄膜トランジスタ
170b 薄膜トランジスタ
170c 薄膜トランジスタ
170d 薄膜トランジスタ
171a 薄膜トランジスタ
171b 薄膜トランジスタ
171c 薄膜トランジスタ
173 薄膜トランジスタ
174 薄膜トランジスタ
175 薄膜トランジスタ
200 基板
201 薄膜トランジスタ
202 ソース配線層
203 ゲート配線層
204 容量配線層
211 絶縁層
212 絶縁層
213 絶縁層
255 電極層
260 液晶表示素子
261 絶縁層
262 液晶層
263 絶縁層
264 着色層
265 電極層
266 基板
267 偏光板
268 偏光板
301 薄膜トランジスタ
302 薄膜トランジスタ
303 発光素子
304 容量素子
305 ソース配線層
306 ゲート配線層
307 電源線
311 絶縁層
312 絶縁層
313 絶縁層
320 電極層
321 隔壁
322 電界発光層
323 電極層
581 薄膜トランジスタ
585 絶縁層
587 電極層
588 電極層
589 球形粒子
590a 黒色領域
590b 白色領域
594 キャビティ
595 充填材
1000 携帯電話機
1001 筐体
1002 表示部
1003 操作ボタン
1004 外部接続ポート
1005 スピーカ
1006 マイク
2600 TFT基板
2601 対向基板
2602 シール材
2603 画素部
2604 表示素子
2605 着色層
2606 偏光板
2607 偏光板
2608 配線回路部
2609 フレキシブル配線基板
2610 冷陰極管
2611 反射板
2612 回路基板
2613 拡散板
2631 ポスター
2632 車内広告
2700 電子書籍
2701 筐体
2703 筐体
2705 表示部
2707 表示部
2711 軸部
2721 電源
2723 操作キー
2725 スピーカ
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 薄膜トランジスタ
4011 薄膜トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子
4016 配線
4018 FPC
4019 異方性導電膜
4030 画素電極層
4031 対向電極層
4032 絶縁層
4501 基板
4502 画素部
4503a 信号線駆動回路
4503b 信号線駆動回路
4504a 走査線駆動回路
4504b 走査線駆動回路
4505 シール材
4506 基板
4507 充填材
4509 薄膜トランジスタ
4510 薄膜トランジスタ
4511 発光素子
4512 電極層
4515 接続端子
4516 配線
4517 電極層
4518a FPC
4518b FPC
4519 異方性導電膜
5300 基板
5301 画素部
5302 走査線駆動回路
5303 信号線駆動回路
5400 基板
5401 画素部
5402 走査線駆動回路
5403 信号線駆動回路
5404 走査線駆動回路
5501 配線
5502 配線
5503 配線
5504 配線
5505 配線
5506 配線
5543 ノード
5544 ノード
5571 薄膜トランジスタ
5572 薄膜トランジスタ
5573 薄膜トランジスタ
5574 薄膜トランジスタ
5575 薄膜トランジスタ
5576 薄膜トランジスタ
5577 薄膜トランジスタ
5578 薄膜トランジスタ
5601 ドライバIC
5602 スイッチ群
5603a 薄膜トランジスタ
5603b 薄膜トランジスタ
5603c 薄膜トランジスタ
5703a タイミング
5703b タイミング
5703c タイミング
5803a タイミング
5803b タイミング
5611 配線
5612 配線
5613 配線
5621 配線
5711 配線
5712 配線
5713 配線
5714 配線
5715 配線
5716 配線
5717 配線
5721 信号
5821 信号
7001 TFT
7002 発光素子
7003 陰極
7004 発光層
7005 陽極
7011 駆動用TFT
7012 発光素子
7013 陰極
7014 発光層
7015 陽極
7016 遮蔽膜
7017 導電膜
7021 駆動用TFT
7022 発光素子
7023 陰極
7024 発光層
7025 陽極
7027 導電膜
9600 テレビジョン装置
9601 筐体
9603 表示部
9605 スタンド
9607 表示部
9609 操作キー
9610 リモコン操作機
9700 デジタルフォトフレーム
9701 筐体
9703 表示部
9881 筐体
9882 表示部
9883 表示部
9884 スピーカ部
9885 入力手段(操作キー)
9886 記録媒体挿入部
9887 接続端子
9888 センサ
9889 マイクロフォン
9890 LEDランプ
9891 筐体
9893 連結部
9900 スロットマシン
9901 筐体
9903 表示部
Claims (4)
- ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、InとGaとZnとを有する第1の酸化物層と、
前記第1の酸化物層上の、InとGaとZnとを有する第2の酸化物層と、
前記第1の酸化物層上の、InとGaとZnとを有する第3の酸化物層と、
前記第2の酸化物層上の、第1の導電層と、
前記第3の酸化物層上の、第2の導電層と、を有し、
前記第1の酸化物層は、第1の領域乃至第5の領域を有し、
前記第1の領域は、前記第2の酸化物層と重なる領域であり、
前記第2の領域は、前記第2の酸化物層の端部より突出した領域であり、
前記第3の領域は、前記第3の酸化物層と重なる領域であり、
前記第4の領域は、前記第3の酸化物層の端部より突出した領域であり、
前記第5の領域は、チャネル形成領域であり、
前記第2の領域の膜厚は、前記第1の領域の膜厚より小さく、
前記第4の領域の膜厚は、前記第3の領域の膜厚より小さい、半導体装置。 - ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、InとGaとZnとを有する第1の酸化物層と、
前記第1の酸化物層上の、InとGaとZnとを有する第2の酸化物層と、
前記第1の酸化物層上の、InとGaとZnとを有する第3の酸化物層と、
前記第2の酸化物層上の、ソース電極と、
前記第3の酸化物層上の、ドレイン電極と、を有し、
前記第1の酸化物層は、第1の領域乃至第5の領域を有し、
前記第1の領域は、前記第2の酸化物層と重なる領域であり、
前記第2の領域は、前記第2の酸化物層の端部より突出した領域であり、
前記第3の領域は、前記第3の酸化物層と重なる領域であり、
前記第4の領域は、前記第3の酸化物層の端部より突出した領域であり、
前記第5の領域は、チャネル形成領域であり、
前記第2の領域の膜厚は、前記第1の領域の膜厚より小さく、
前記第4の領域の膜厚は、前記第3の領域の膜厚より小さい、半導体装置。 - ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、InとGaとZnとを有する第1の酸化物層と、
前記第1の酸化物層上の、InとGaとZnとを有する第2の酸化物層と、
前記第1の酸化物層上の、InとGaとZnとを有する第3の酸化物層と、
前記第2の酸化物層上の、第1の導電層と、
前記第3の酸化物層上の、第2の導電層と、を有し、
前記第1の酸化物層は、第1の領域乃至第5の領域を有し、
前記第1の領域は、前記第2の酸化物層と重なる領域であり、
前記第2の領域は、前記第2の酸化物層の端部より突出した領域であり、
前記第3の領域は、前記第3の酸化物層と重なる領域であり、
前記第4の領域は、前記第3の酸化物層の端部より突出した領域であり、
前記第5の領域は、チャネル形成領域であり、
前記第2の領域の膜厚は、前記第1の領域の膜厚より小さく、
前記第4の領域の膜厚は、前記第3の領域の膜厚より小さく、
前記第5の領域の膜厚は、前記第1の領域の膜厚及び前記第3の領域の膜厚より小さい、半導体装置。 - ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、InとGaとZnとを有する第1の酸化物層と、
前記第1の酸化物層上の、InとGaとZnとを有する第2の酸化物層と、
前記第1の酸化物層上の、InとGaとZnとを有する第3の酸化物層と、
前記第2の酸化物層上の、ソース電極と、
前記第3の酸化物層上の、ドレイン電極と、を有し、
前記第1の酸化物層は、第1の領域乃至第5の領域を有し、
前記第1の領域は、前記第2の酸化物層と重なる領域であり、
前記第2の領域は、前記第2の酸化物層の端部より突出した領域であり、
前記第3の領域は、前記第3の酸化物層と重なる領域であり、
前記第4の領域は、前記第3の酸化物層の端部より突出した領域であり、
前記第5の領域は、チャネル形成領域であり、
前記第2の領域の膜厚は、前記第1の領域の膜厚より小さく、
前記第4の領域の膜厚は、前記第3の領域の膜厚より小さく、
前記第5の領域の膜厚は、前記第1の領域の膜厚及び前記第3の領域の膜厚より小さい、半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008224024 | 2008-09-01 | ||
JP2008224024 | 2008-09-01 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017200179A Division JP6466542B2 (ja) | 2008-09-01 | 2017-10-16 | 半導体装置の作製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020153018A Division JP2020205447A (ja) | 2008-09-01 | 2020-09-11 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019071461A JP2019071461A (ja) | 2019-05-09 |
JP6806812B2 true JP6806812B2 (ja) | 2021-01-06 |
Family
ID=41396440
Family Applications (10)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009197350A Active JP5520547B2 (ja) | 2008-09-01 | 2009-08-27 | 半導体装置の作製方法 |
JP2012160249A Active JP5629732B2 (ja) | 2008-09-01 | 2012-07-19 | 表示装置 |
JP2014038443A Withdrawn JP2014170937A (ja) | 2008-09-01 | 2014-02-28 | 酸化物半導体膜 |
JP2014077484A Withdrawn JP2014143438A (ja) | 2008-09-01 | 2014-04-04 | 半導体装置の作製方法 |
JP2015054520A Active JP6033907B2 (ja) | 2008-09-01 | 2015-03-18 | 酸化物半導体膜及び半導体装置 |
JP2016209337A Active JP6229036B2 (ja) | 2008-09-01 | 2016-10-26 | 半導体装置の作製方法、及び半導体装置 |
JP2017200179A Active JP6466542B2 (ja) | 2008-09-01 | 2017-10-16 | 半導体装置の作製方法 |
JP2019001591A Active JP6806812B2 (ja) | 2008-09-01 | 2019-01-09 | 半導体装置 |
JP2020153018A Withdrawn JP2020205447A (ja) | 2008-09-01 | 2020-09-11 | 半導体装置 |
JP2021155775A Withdrawn JP2022003691A (ja) | 2008-09-01 | 2021-09-24 | 半導体装置 |
Family Applications Before (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009197350A Active JP5520547B2 (ja) | 2008-09-01 | 2009-08-27 | 半導体装置の作製方法 |
JP2012160249A Active JP5629732B2 (ja) | 2008-09-01 | 2012-07-19 | 表示装置 |
JP2014038443A Withdrawn JP2014170937A (ja) | 2008-09-01 | 2014-02-28 | 酸化物半導体膜 |
JP2014077484A Withdrawn JP2014143438A (ja) | 2008-09-01 | 2014-04-04 | 半導体装置の作製方法 |
JP2015054520A Active JP6033907B2 (ja) | 2008-09-01 | 2015-03-18 | 酸化物半導体膜及び半導体装置 |
JP2016209337A Active JP6229036B2 (ja) | 2008-09-01 | 2016-10-26 | 半導体装置の作製方法、及び半導体装置 |
JP2017200179A Active JP6466542B2 (ja) | 2008-09-01 | 2017-10-16 | 半導体装置の作製方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020153018A Withdrawn JP2020205447A (ja) | 2008-09-01 | 2020-09-11 | 半導体装置 |
JP2021155775A Withdrawn JP2022003691A (ja) | 2008-09-01 | 2021-09-24 | 半導体装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9082857B2 (ja) |
EP (1) | EP2159845B1 (ja) |
JP (10) | JP5520547B2 (ja) |
KR (5) | KR20100027067A (ja) |
CN (2) | CN104465394B (ja) |
TW (3) | TWI606594B (ja) |
Families Citing this family (227)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8129718B2 (en) * | 2008-08-28 | 2012-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide semiconductor and thin film transistor using the same |
JP5627071B2 (ja) | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9082857B2 (en) * | 2008-09-01 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer |
KR20160063402A (ko) | 2008-09-12 | 2016-06-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 디스플레이 장치 |
CN102160103B (zh) | 2008-09-19 | 2013-09-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
CN101719493B (zh) | 2008-10-08 | 2014-05-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
JP5361651B2 (ja) * | 2008-10-22 | 2013-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8741702B2 (en) * | 2008-10-24 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101667909B1 (ko) | 2008-10-24 | 2016-10-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
JP5616012B2 (ja) * | 2008-10-24 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
EP2180518B1 (en) | 2008-10-24 | 2018-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
EP2184783B1 (en) | 2008-11-07 | 2012-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI487104B (zh) * | 2008-11-07 | 2015-06-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
TWI616707B (zh) | 2008-11-28 | 2018-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
KR101719350B1 (ko) * | 2008-12-25 | 2017-03-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
US8247276B2 (en) | 2009-02-20 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device |
KR102195170B1 (ko) | 2009-03-12 | 2020-12-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
EP2256814B1 (en) | 2009-05-29 | 2019-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN102460713B (zh) | 2009-06-30 | 2016-12-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 用于制造半导体器件的方法 |
KR101457837B1 (ko) | 2009-06-30 | 2014-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제작 방법 |
CN104576748B (zh) | 2009-06-30 | 2019-03-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
KR101291395B1 (ko) | 2009-06-30 | 2013-07-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
JP5663214B2 (ja) * | 2009-07-03 | 2015-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101422362B1 (ko) | 2009-07-10 | 2014-07-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 표시 패널 및 전자 기기 |
WO2011004723A1 (en) | 2009-07-10 | 2011-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method the same |
CN104835850B (zh) * | 2009-07-10 | 2018-10-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
KR101782176B1 (ko) | 2009-07-18 | 2017-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
WO2011013523A1 (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2011013502A1 (en) | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101291434B1 (ko) | 2009-07-31 | 2013-08-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 디바이스 및 그 형성 방법 |
KR101981441B1 (ko) | 2009-07-31 | 2019-05-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
WO2011013596A1 (en) | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8772627B2 (en) * | 2009-08-07 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
EP2284891B1 (en) | 2009-08-07 | 2019-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR20230165355A (ko) * | 2009-09-16 | 2023-12-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
CN105448937A (zh) * | 2009-09-16 | 2016-03-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 晶体管及显示设备 |
WO2011036999A1 (en) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
KR101342179B1 (ko) | 2009-09-24 | 2013-12-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
WO2011037008A1 (en) * | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
KR20120084751A (ko) | 2009-10-05 | 2012-07-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR102246127B1 (ko) | 2009-10-08 | 2021-04-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101623619B1 (ko) | 2009-10-08 | 2016-05-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체층 및 반도체 장치 |
CN102576737B (zh) | 2009-10-09 | 2015-10-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
WO2011043206A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
IN2012DN01823A (ja) * | 2009-10-16 | 2015-06-05 | Semiconductor Energy Lab | |
KR101582636B1 (ko) | 2009-10-21 | 2016-01-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 표시 장치를 갖는 전자 기기 |
WO2011052382A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN102668096B (zh) * | 2009-10-30 | 2015-04-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
KR101770981B1 (ko) | 2009-10-30 | 2017-08-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 논리 회로 및 반도체 장치 |
CN104465318B (zh) * | 2009-11-06 | 2018-04-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 制造半导体器件的方法 |
KR102128972B1 (ko) | 2009-11-06 | 2020-07-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101763126B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2017-07-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR102690171B1 (ko) | 2009-11-13 | 2024-08-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR20120106766A (ko) | 2009-11-20 | 2012-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
JP5679143B2 (ja) * | 2009-12-01 | 2015-03-04 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタならびに表示装置および電子機器 |
KR101396102B1 (ko) | 2009-12-04 | 2014-05-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
CN105609509A (zh) | 2009-12-04 | 2016-05-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
WO2011068028A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
CN105023942B (zh) | 2009-12-28 | 2018-11-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 制造半导体装置的方法 |
KR101623956B1 (ko) * | 2010-01-15 | 2016-05-24 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
KR102628681B1 (ko) | 2010-02-05 | 2024-01-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR102420689B1 (ko) | 2010-02-26 | 2022-07-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011105198A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011105183A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor element and deposition apparatus |
KR101921047B1 (ko) | 2010-03-26 | 2018-11-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치를 제작하는 방법 |
JP5708910B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2015-04-30 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 |
KR101351219B1 (ko) * | 2010-04-06 | 2014-01-13 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR101877377B1 (ko) * | 2010-04-23 | 2018-07-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
KR102434906B1 (ko) | 2010-04-23 | 2022-08-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101636008B1 (ko) | 2010-04-23 | 2016-07-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101974927B1 (ko) * | 2010-04-23 | 2019-05-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
WO2011135987A1 (en) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101806271B1 (ko) * | 2010-05-14 | 2017-12-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
US9490368B2 (en) * | 2010-05-20 | 2016-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
WO2011145633A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011145632A1 (en) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
KR101808198B1 (ko) | 2010-05-21 | 2017-12-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
WO2011145634A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5852793B2 (ja) * | 2010-05-21 | 2016-02-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
CN102939659B (zh) * | 2010-06-11 | 2016-08-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及半导体器件的制造方法 |
KR101862808B1 (ko) * | 2010-06-18 | 2018-05-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8552425B2 (en) | 2010-06-18 | 2013-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011158704A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9437454B2 (en) | 2010-06-29 | 2016-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof |
CN102959713B (zh) * | 2010-07-02 | 2017-05-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
KR20230003647A (ko) * | 2010-07-02 | 2023-01-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
US8785241B2 (en) | 2010-07-16 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101885691B1 (ko) * | 2010-07-27 | 2018-08-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP5585339B2 (ja) | 2010-07-30 | 2014-09-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法並びに電子機器 |
TWI621184B (zh) * | 2010-08-16 | 2018-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置之製造方法 |
US8450123B2 (en) * | 2010-08-27 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxygen diffusion evaluation method of oxide film stacked body |
KR20130099074A (ko) * | 2010-09-03 | 2013-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 스퍼터링 타겟 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US8728860B2 (en) * | 2010-09-03 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101932576B1 (ko) | 2010-09-13 | 2018-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
US8664097B2 (en) * | 2010-09-13 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US8835917B2 (en) | 2010-09-13 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, power diode, and rectifier |
US8871565B2 (en) | 2010-09-13 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2012035984A1 (en) * | 2010-09-15 | 2012-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
US8338240B2 (en) * | 2010-10-01 | 2012-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing transistor |
TWI565079B (zh) * | 2010-10-20 | 2017-01-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
JP5647860B2 (ja) * | 2010-10-28 | 2015-01-07 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
TWI555205B (zh) * | 2010-11-05 | 2016-10-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
US8569754B2 (en) | 2010-11-05 | 2013-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8816425B2 (en) * | 2010-11-30 | 2014-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR102110496B1 (ko) | 2010-12-03 | 2020-05-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
JP5241967B2 (ja) * | 2010-12-08 | 2013-07-17 | シャープ株式会社 | 半導体装置および表示装置 |
US8894825B2 (en) * | 2010-12-17 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering target, method for manufacturing the same, manufacturing semiconductor device |
US9443984B2 (en) * | 2010-12-28 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8829512B2 (en) | 2010-12-28 | 2014-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI401797B (zh) | 2010-12-28 | 2013-07-11 | Ind Tech Res Inst | 主動元件陣列以及有機發光二極體畫素陣列的製作方法 |
WO2012090974A1 (en) | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI416737B (zh) | 2010-12-30 | 2013-11-21 | Au Optronics Corp | 薄膜電晶體及其製造方法 |
US8536571B2 (en) | 2011-01-12 | 2013-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US8921948B2 (en) | 2011-01-12 | 2014-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI535032B (zh) | 2011-01-12 | 2016-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
TWI570809B (zh) | 2011-01-12 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI539597B (zh) * | 2011-01-26 | 2016-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI570920B (zh) * | 2011-01-26 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US8669552B2 (en) * | 2011-03-02 | 2014-03-11 | Applied Materials, Inc. | Offset electrode TFT structure |
US9646829B2 (en) | 2011-03-04 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
JP5429718B2 (ja) | 2011-03-08 | 2014-02-26 | 合同会社先端配線材料研究所 | 酸化物半導体用電極、その形成方法 |
TWI658516B (zh) | 2011-03-11 | 2019-05-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
US8541266B2 (en) * | 2011-04-01 | 2013-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9960278B2 (en) * | 2011-04-06 | 2018-05-01 | Yuhei Sato | Manufacturing method of semiconductor device |
US9012905B2 (en) | 2011-04-08 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor comprising oxide semiconductor and method for manufacturing the same |
US8809854B2 (en) * | 2011-04-22 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9331206B2 (en) * | 2011-04-22 | 2016-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide material and semiconductor device |
CN102760697B (zh) * | 2011-04-27 | 2016-08-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
US8709922B2 (en) * | 2011-05-06 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6006975B2 (ja) * | 2011-05-19 | 2016-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR20140007495A (ko) * | 2011-06-08 | 2014-01-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 스퍼터링 타겟, 스퍼터링 타겟의 제조 방법 및 박막의 형성 방법 |
US9112036B2 (en) * | 2011-06-10 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US9318506B2 (en) | 2011-07-08 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP5052693B1 (ja) * | 2011-08-12 | 2012-10-17 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置、イメージセンサー、x線センサー並びにx線デジタル撮影装置 |
KR20140051753A (ko) * | 2011-08-26 | 2014-05-02 | 파나소닉 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이의 제조 방법, 박막 트랜지스터 어레이 및 표시 장치 |
WO2013039126A1 (en) * | 2011-09-16 | 2013-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9177872B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-11-03 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, semiconductor devices, systems including such cells, and methods of fabrication |
KR102304125B1 (ko) | 2011-09-29 | 2021-09-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20130040706A (ko) | 2011-10-14 | 2013-04-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
SG11201504615UA (en) | 2011-10-14 | 2015-07-30 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device |
WO2013054823A1 (en) * | 2011-10-14 | 2013-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP6226518B2 (ja) * | 2011-10-24 | 2017-11-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2013061895A1 (en) | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP6122275B2 (ja) | 2011-11-11 | 2017-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP6076038B2 (ja) | 2011-11-11 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US9076871B2 (en) * | 2011-11-30 | 2015-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR102084274B1 (ko) | 2011-12-15 | 2020-03-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
TWI605597B (zh) * | 2012-01-26 | 2017-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
US9419146B2 (en) | 2012-01-26 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI604609B (zh) | 2012-02-02 | 2017-11-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9553200B2 (en) | 2012-02-29 | 2017-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR20150005949A (ko) | 2012-04-13 | 2015-01-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8860022B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
KR101987985B1 (ko) * | 2012-05-21 | 2019-10-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
US9059219B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
KR102644240B1 (ko) | 2012-07-20 | 2024-03-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
TW201405828A (zh) * | 2012-07-31 | 2014-02-01 | E Ink Holdings Inc | 顯示面板、薄膜電晶體及其製造方法 |
US9018624B2 (en) | 2012-09-13 | 2015-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic appliance |
WO2014050457A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | ソニー株式会社 | 電子デバイス、画像表示装置及びセンサー、並びに、電子デバイスの製造方法 |
TWI681233B (zh) | 2012-10-12 | 2020-01-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法 |
JP6351947B2 (ja) | 2012-10-12 | 2018-07-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
CN105870196B (zh) * | 2012-11-08 | 2018-05-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 |
KR20230023050A (ko) * | 2012-12-28 | 2023-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9812081B2 (en) * | 2012-12-28 | 2017-11-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid-crystal display device and method for driving same |
KR20140087693A (ko) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
CN103094353B (zh) * | 2013-01-23 | 2016-06-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管结构、液晶显示装置及一种制造方法 |
US9153650B2 (en) | 2013-03-19 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor |
JP6376788B2 (ja) | 2013-03-26 | 2018-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
TWI631711B (zh) | 2013-05-01 | 2018-08-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9356156B2 (en) * | 2013-05-24 | 2016-05-31 | Cbrite Inc. | Stable high mobility MOTFT and fabrication at low temperature |
JPWO2014196107A1 (ja) * | 2013-06-04 | 2017-02-23 | 株式会社Joled | 薄膜トランジスタ素子とその製造方法及び表示装置 |
TWI652822B (zh) | 2013-06-19 | 2019-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 氧化物半導體膜及其形成方法 |
JP6217196B2 (ja) * | 2013-07-11 | 2017-10-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体材料、薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタの製造方法 |
KR20150010065A (ko) * | 2013-07-18 | 2015-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 반도체 소자의 제조 방법 및 산화물 반도체 소자를 포함하는 표시 장치의 제조 방법 |
TWI608523B (zh) | 2013-07-19 | 2017-12-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device |
WO2015132697A1 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2015140656A1 (en) * | 2014-03-18 | 2015-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR102239840B1 (ko) | 2014-04-28 | 2021-04-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
US10043913B2 (en) | 2014-04-30 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor film, semiconductor device, display device, module, and electronic device |
WO2015181679A1 (en) * | 2014-05-27 | 2015-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP6705663B2 (ja) * | 2015-03-06 | 2020-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
CN104701383B (zh) * | 2015-03-24 | 2018-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管和阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN104752343B (zh) * | 2015-04-14 | 2017-07-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 双栅极氧化物半导体tft基板的制作方法及其结构 |
JP2016225615A (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、該半導体装置の作製方法、または該半導体装置を有する表示装置 |
JP2016225505A (ja) * | 2015-06-01 | 2016-12-28 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびにスパッタリングターゲット |
CN105161494A (zh) * | 2015-06-19 | 2015-12-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及其制成方法、显示面板 |
CN105140271B (zh) * | 2015-07-16 | 2019-03-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及显示装置 |
JP6430349B2 (ja) * | 2015-09-04 | 2018-11-28 | 株式会社東芝 | 位置補正用試料、質量分析装置、および質量分析方法 |
WO2017043243A1 (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、照明装置および表示装置 |
WO2017043242A1 (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、照明装置および表示装置 |
JP6851166B2 (ja) | 2015-10-12 | 2021-03-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017143135A (ja) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 薄膜トランジスタ |
JP6128247B2 (ja) | 2016-03-10 | 2017-05-17 | 信越化学工業株式会社 | 有機ケイ素化合物、並びにそれを用いたゴム用配合剤およびゴム組成物 |
US9634036B1 (en) * | 2016-03-11 | 2017-04-25 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Metal oxide thin-film transistor, method of fabricating the same, and array substrate |
CN105589276A (zh) * | 2016-03-14 | 2016-05-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置 |
TWI754542B (zh) | 2016-07-11 | 2022-02-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 濺射靶材及金屬氧化物 |
US10205008B2 (en) | 2016-08-03 | 2019-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
WO2018053707A1 (en) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin film transistor, display substrate and display panel having the same, and fabricating method thereof |
KR102605247B1 (ko) | 2016-11-03 | 2023-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP7126823B2 (ja) | 2016-12-23 | 2022-08-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2018168984A1 (ja) * | 2017-03-17 | 2018-09-20 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板および表示装置 |
WO2018181296A1 (ja) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | シャープ株式会社 | チャネルエッチ型薄膜トランジスタの製造方法 |
US10347662B2 (en) * | 2017-05-19 | 2019-07-09 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel |
KR102343573B1 (ko) * | 2017-05-26 | 2021-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
JP7080968B2 (ja) | 2017-08-31 | 2022-06-06 | マイクロン テクノロジー,インク. | 半導体デバイス、ハイブリッド・トランジスタおよび関連方法 |
KR102402945B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-30 | 마이크론 테크놀로지, 인크 | 금속 산화물 반도체 디바이스의 접촉을 위한 반도체 디바이스, 트랜지스터, 및 관련된 방법 |
US11152513B2 (en) | 2017-09-05 | 2021-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
KR102485169B1 (ko) * | 2017-09-08 | 2023-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치, 이의 제조 방법, 및 전극 형성 방법 |
US11049887B2 (en) | 2017-11-10 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Layer stack for display applications |
CN107978560B (zh) * | 2017-11-21 | 2019-12-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 背沟道蚀刻型tft基板及其制作方法 |
US11257959B2 (en) | 2017-12-06 | 2022-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
KR102583621B1 (ko) * | 2017-12-08 | 2023-09-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
US20220178692A1 (en) * | 2017-12-21 | 2022-06-09 | Mindmaze Holding Sa | System, method and apparatus of a motion sensing stack with a camera system |
US10319749B1 (en) * | 2017-12-28 | 2019-06-11 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Array substrate, fabricating method for the same and display device |
JP7194122B2 (ja) | 2018-01-05 | 2022-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP7229995B2 (ja) * | 2018-03-02 | 2023-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR102550633B1 (ko) * | 2018-05-04 | 2023-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 |
US10515905B1 (en) * | 2018-06-18 | 2019-12-24 | Raytheon Company | Semiconductor device with anti-deflection layers |
CN109494257B (zh) * | 2018-10-26 | 2021-01-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置 |
JP7162509B2 (ja) | 2018-11-30 | 2022-10-28 | 大和ハウス工業株式会社 | 壁構造 |
CN109786322B (zh) * | 2018-12-29 | 2021-09-14 | 惠科股份有限公司 | 显示面板的制造方法及其光罩 |
TWI694521B (zh) * | 2019-03-22 | 2020-05-21 | 友達光電股份有限公司 | 半導體結構及其製作方法 |
KR20210009000A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
CN110808289A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-02-18 | 北京大学深圳研究生院 | 一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管及制备方法 |
WO2021260869A1 (ja) | 2020-06-25 | 2021-12-30 | 株式会社日立ハイテク | 真空処理方法 |
CN114268753B (zh) * | 2021-12-22 | 2024-07-16 | 上海韦尔半导体股份有限公司 | 一种高转换增益的图像传感器像素结构 |
JP2023140644A (ja) * | 2022-03-23 | 2023-10-05 | キオクシア株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (176)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
DE69107101T2 (de) * | 1990-02-06 | 1995-05-24 | Semiconductor Energy Lab | Verfahren zum Herstellen eines Oxydfilms. |
JP2585118B2 (ja) | 1990-02-06 | 1997-02-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
JP2652267B2 (ja) | 1990-10-29 | 1997-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 絶縁ゲイト型半導体装置 |
EP0459763B1 (en) | 1990-05-29 | 1997-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin-film transistors |
JP3071851B2 (ja) | 1991-03-25 | 2000-07-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置 |
JP3483581B2 (ja) | 1991-08-26 | 2004-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP3187086B2 (ja) | 1991-08-26 | 2001-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
US6849872B1 (en) | 1991-08-26 | 2005-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH06224219A (ja) | 1993-01-25 | 1994-08-12 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
WO1997006554A2 (en) * | 1995-08-03 | 1997-02-20 | Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
US5847410A (en) | 1995-11-24 | 1998-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co. | Semiconductor electro-optical device |
JP3625598B2 (ja) * | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4566294B2 (ja) * | 1997-06-06 | 2010-10-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 連続粒界結晶シリコン膜、半導体装置 |
US6307214B1 (en) | 1997-06-06 | 2001-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor thin film and semiconductor device |
KR100301803B1 (ko) | 1998-06-05 | 2001-09-22 | 김영환 | 박막트랜지스터 및 그의 제조방법 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) * | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP2000232170A (ja) | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Toshiba Microelectronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP2001217428A (ja) | 2000-01-25 | 2001-08-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 低温多結晶シリコン形薄膜トランジスタ−及びその製造方法 |
JP2001324725A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP4630420B2 (ja) | 2000-05-23 | 2011-02-09 | ティーピーオー ホンコン ホールディング リミテッド | パターン形成方法 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
EP1394817A1 (en) * | 2000-11-21 | 2004-03-03 | Nissan Chemical Industries Ltd. | Electro-conductive oxide particle and process for its production |
JP3366626B2 (ja) | 2001-02-09 | 2003-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタ及びアクティブマトリクス型表示装置の作製方法 |
JP3997731B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2003043462A (ja) | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US6882398B2 (en) * | 2001-04-17 | 2005-04-19 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid-crystal display device and method of fabricating same |
JP2003037268A (ja) | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Minolta Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP2003091268A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶駆動電源発生回路 |
JP4162447B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2008-10-08 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子及び光起電力装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US7061014B2 (en) * | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP3939140B2 (ja) | 2001-12-03 | 2007-07-04 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
KR100444603B1 (ko) | 2001-12-22 | 2004-08-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 탄탈륨 펜타 옥사이드-알루미늄 옥사이드 유전체막 제조방법 및 이를 적용한 반도체 소자 |
JP4083486B2 (ja) * | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) * | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) * | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP3940385B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2007-07-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイスおよびその製法 |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP2004356114A (ja) | 2003-05-26 | 2004-12-16 | Tadahiro Omi | Pチャネルパワーmis電界効果トランジスタおよびスイッチング回路 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
EP2246894B2 (en) | 2004-03-12 | 2018-10-10 | Japan Science and Technology Agency | Method for fabricating a thin film transistor having an amorphous oxide as a channel layer |
US7145174B2 (en) * | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
US7378286B2 (en) * | 2004-08-20 | 2008-05-27 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Semiconductive metal oxide thin film ferroelectric memory transistor |
JP2006100760A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) * | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) * | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
JP5138163B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2013-02-06 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
RU2369940C2 (ru) | 2004-11-10 | 2009-10-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием |
JP5126730B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
US7453065B2 (en) * | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7868326B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor |
JP5118810B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US7863611B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7829444B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
WO2006051994A2 (en) * | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7791072B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US8003449B2 (en) * | 2004-11-26 | 2011-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device having a reverse staggered thin film transistor |
JP5036173B2 (ja) | 2004-11-26 | 2012-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7579224B2 (en) * | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI412138B (zh) * | 2005-01-28 | 2013-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI481024B (zh) * | 2005-01-28 | 2015-04-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) * | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) * | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) * | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
US7566971B2 (en) * | 2005-05-27 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP4842017B2 (ja) | 2005-05-30 | 2011-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101219069B1 (ko) | 2005-05-30 | 2013-01-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그것의 구동 방법 |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) * | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP5024582B2 (ja) * | 2005-08-09 | 2012-09-12 | 島根県 | 酸化物半導体電極、その作製方法およびこれを備えた色素増感太陽電池 |
JP2007059128A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
KR101298940B1 (ko) * | 2005-08-23 | 2013-08-22 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터기판의 제조방법 |
JP4280736B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP2007073705A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5116225B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP5006598B2 (ja) | 2005-09-16 | 2012-08-22 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
EP1995787A3 (en) * | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP5037808B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
JP4560505B2 (ja) | 2005-11-08 | 2010-10-13 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
CN101577231B (zh) * | 2005-11-15 | 2013-01-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
US7998372B2 (en) * | 2005-11-18 | 2011-08-16 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Semiconductor thin film, method for manufacturing the same, thin film transistor, and active-matrix-driven display panel |
JP5376750B2 (ja) | 2005-11-18 | 2013-12-25 | 出光興産株式会社 | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル |
US20070115219A1 (en) | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for driving plasma display panel and plasma display |
US20090237000A1 (en) | 2005-11-22 | 2009-09-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pdp driving apparatus and plasma display |
JP5250929B2 (ja) | 2005-11-30 | 2013-07-31 | 凸版印刷株式会社 | トランジスタおよびその製造方法 |
TWI292281B (en) * | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) * | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) * | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) * | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
JP2007212699A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 反射型tft基板及び反射型tft基板の製造方法 |
US7977169B2 (en) * | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
JP5110803B2 (ja) | 2006-03-17 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP2007250982A (ja) | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Canon Inc | 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ及び表示装置 |
JP2007273709A (ja) | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nec Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
KR100785038B1 (ko) * | 2006-04-17 | 2007-12-12 | 삼성전자주식회사 | 비정질 ZnO계 TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5235333B2 (ja) | 2006-05-26 | 2013-07-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
CN102332471B (zh) | 2006-05-26 | 2015-10-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
US8013331B2 (en) | 2006-06-19 | 2011-09-06 | Panasonic Corporation | Thin film transistor, method of manufacturing the same, and electronic device using the same |
JP5328083B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2013-10-30 | キヤノン株式会社 | 酸化物のエッチング方法 |
JP4404881B2 (ja) | 2006-08-09 | 2010-01-27 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP5128792B2 (ja) | 2006-08-31 | 2013-01-23 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタの製法 |
JP4332545B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) * | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
JP5099739B2 (ja) | 2006-10-12 | 2012-12-19 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタ及びその製法 |
US7772021B2 (en) * | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
US8143115B2 (en) | 2006-12-05 | 2012-03-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus |
WO2008069255A1 (en) | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus |
JP5105842B2 (ja) | 2006-12-05 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法 |
JP5305630B2 (ja) | 2006-12-05 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法 |
US8784700B2 (en) | 2006-12-13 | 2014-07-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target and oxide semiconductor film |
JP5237557B2 (ja) * | 2007-01-05 | 2013-07-17 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) * | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) * | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR101410926B1 (ko) | 2007-02-16 | 2014-06-24 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR100858088B1 (ko) * | 2007-02-28 | 2008-09-10 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
US8274078B2 (en) * | 2007-04-25 | 2012-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal oxynitride semiconductor containing zinc |
KR101334182B1 (ko) * | 2007-05-28 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법 |
KR101345376B1 (ko) * | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US7935964B2 (en) * | 2007-06-19 | 2011-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same |
KR20090002841A (ko) * | 2007-07-04 | 2009-01-09 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
WO2009034953A1 (ja) | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 薄膜トランジスタ |
JP5215158B2 (ja) * | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
KR101461127B1 (ko) * | 2008-05-13 | 2014-11-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반도체 장치 및 이의 제조 방법 |
TWI570937B (zh) * | 2008-07-31 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US7955992B2 (en) * | 2008-08-08 | 2011-06-07 | Redlen Technologies, Inc. | Method of passivating and encapsulating CdTe and CZT segmented detectors |
US9082857B2 (en) * | 2008-09-01 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer |
JP4623179B2 (ja) * | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
-
2009
- 2009-08-20 US US12/544,453 patent/US9082857B2/en active Active
- 2009-08-24 TW TW105143624A patent/TWI606594B/zh active
- 2009-08-24 TW TW104115015A patent/TWI575757B/zh active
- 2009-08-24 TW TW098128391A patent/TWI495109B/zh active
- 2009-08-25 EP EP09168533.9A patent/EP2159845B1/en active Active
- 2009-08-27 JP JP2009197350A patent/JP5520547B2/ja active Active
- 2009-08-31 CN CN201410553428.9A patent/CN104465394B/zh active Active
- 2009-08-31 KR KR1020090081008A patent/KR20100027067A/ko active Application Filing
- 2009-08-31 CN CN200910168689.8A patent/CN101882630B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-07-19 JP JP2012160249A patent/JP5629732B2/ja active Active
-
2014
- 2014-02-28 JP JP2014038443A patent/JP2014170937A/ja not_active Withdrawn
- 2014-04-04 JP JP2014077484A patent/JP2014143438A/ja not_active Withdrawn
- 2014-09-01 KR KR1020140115641A patent/KR20140125325A/ko active Search and Examination
-
2015
- 2015-03-18 JP JP2015054520A patent/JP6033907B2/ja active Active
- 2015-07-02 US US14/790,609 patent/US9397194B2/en active Active
-
2016
- 2016-05-19 US US15/159,015 patent/US10128381B2/en active Active
- 2016-06-22 KR KR1020160077897A patent/KR20160077026A/ko active Search and Examination
- 2016-10-26 JP JP2016209337A patent/JP6229036B2/ja active Active
-
2017
- 2017-01-26 KR KR1020170012937A patent/KR20170016409A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-10-16 JP JP2017200179A patent/JP6466542B2/ja active Active
- 2017-11-24 KR KR1020170158242A patent/KR101898439B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-01-09 JP JP2019001591A patent/JP6806812B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-11 JP JP2020153018A patent/JP2020205447A/ja not_active Withdrawn
-
2021
- 2021-09-24 JP JP2021155775A patent/JP2022003691A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6806812B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7066783B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6882405B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6659900B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2022000896A (ja) | 半導体装置 | |
JP2022082578A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191129 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200911 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201201 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201204 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6806812 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |