TWI681233B - 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法 - Google Patents

液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI681233B
TWI681233B TW102135513A TW102135513A TWI681233B TW I681233 B TWI681233 B TW I681233B TW 102135513 A TW102135513 A TW 102135513A TW 102135513 A TW102135513 A TW 102135513A TW I681233 B TWI681233 B TW I681233B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
liquid crystal
substrate
display device
electrode
Prior art date
Application number
TW102135513A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201428389A (zh
Inventor
山崎舜平
平形吉晴
久保田大介
山下晃央
Original Assignee
日商半導體能源研究所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商半導體能源研究所股份有限公司 filed Critical 日商半導體能源研究所股份有限公司
Publication of TW201428389A publication Critical patent/TW201428389A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI681233B publication Critical patent/TWI681233B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1341—Filling or closing of cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0445—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1341—Filling or closing of cells
    • G02F1/13415—Drop filling process
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
    • H01L29/045—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes by their particular orientation of crystalline planes

Abstract

本發明的一實施例提供一種使用具有可撓性的基板且底板由結晶性氧化物半導體膜製造的高可靠性的液晶顯示裝置。該裝置包括具有可撓性的第一基板、與第一基板對置的具有可撓性的第二基板以及被密封構件密封在基板之間的液晶層。在第一基板上設置有層，該層包括電晶體；電晶體上的有機樹脂膜；有機樹脂膜上的像素電極及共用電極，其中像素電極與共用電極夾著絕緣膜彼此部分地重疊；以及像素電極及共用電極上的配向膜。電晶體包括結晶氧化物半導體膜作為形成有通道的半導體層。在將液晶層密封在基板之間之前對所述層進行乾燥處理，並且從乾燥處理至密封液晶層的步驟以不暴露於大氣的方式進行。

Description

液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法
本發明係關於一種具有包含氧化物半導體膜的電晶體的液晶顯示裝置及包含上述液晶顯示裝置的觸控面板。
用於液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置的電晶體的大部分利用非晶矽或多晶矽等矽半導體膜製造。
將氧化物半導體膜用於電晶體代替上述矽半導體膜的技術引人注目。
例如，公開了將使用作為氧化物半導體膜的In-Ga-Zn氧化物膜製造的電晶體用於像素的切換元件等的技術(參照專利文獻1、2)。
此外，本發明人研究開發出在玻璃基板上製造具有卓越的的結晶結構的氧化物半導體膜的技術(參照非專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2006-165528號公報
[專利文獻2]日本專利申請公開第2007-096055號公報
[非專利文獻1] Yamazaki等，“Research, Development, and Application of Crystalline Oxide Semiconductor”，SID 2012 DIGEST，p.183-186
氧化物半導體是帶隙比矽寬，且可以使本質載子密度比矽低的半導體材料。由此，包含氧化物半導體膜的電晶體(以下稱為氧化物半導體電晶體)與包含非晶矽膜及多晶矽膜的電晶體相比可以顯著降低關態電流(off-state current)。因此，藉由使用氧化物半導體電晶體製造液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置的底板(電路基板)，可以實現顯示裝置的低耗電量化。
並且，藉由包含結晶性的氧化物半導體膜的電晶體可以提高像素的密度，由此可以實現顯示裝置的高畫質(參照上述非專利文獻1)。
因化石燃料的枯竭、環境問題等而需要降低所有電子裝置的耗電量，液晶顯示裝置也不例外。已知液晶顯示裝置的耗電量根據對液晶層施加電場的方法(顯示模式)不同。與TN(Twisted Nematic：扭曲向列)模式或VA(Vertical Alignment：垂直定向)模式等垂直電場模式相比，水平電場模式的改變液晶材料的配向(重寫像素)時所需的耗電量更低。
此外，水平電場模式的液晶顯示裝置由於與垂直電場方式相比可以獲得廣視角，所以近年來作為電視機、可攜式設備等顯示裝置採用於各種螢幕尺寸的液晶顯示裝置。
水平電場模式的液晶顯示裝置在夾著液晶層配置的一對基板中的形成有電晶體的基板一側設置有像素電極及共用電極，實質上水平方向的電場施加到液晶分子。作為水平電場模式，以IPS(In-Plane-Switching：平面內轉換)模式、FFS(Fringe Field Switching：邊緣電場轉換)模式為代表。
因此，藉由採用水平電場模式的顯示模式與由結晶氧化物半導體膜形成的電晶體的組合，可以實現液晶顯示裝置的高畫質、低耗電量化，並可以實現高性能的觸控面板。
另一方面，大量生產包含氧化物半導體電晶體的液晶面板用於底板時，提高可靠性是重大議題。
此外，具有可撓性的基板有如下優點：與玻璃基板相比抗振動、衝擊的機械強度優良，可以容易抑制厚度，並且形狀的自由度高。由此，預期使用該具有可撓性的基板的半導體裝置具有各種用途。
由上所述，本發明的一實施例的課題之一是提供使用具有可撓性的基板，且使用結晶氧化物半導體膜製造底板的可靠性高的液晶顯示裝置。
從本發明人的研究可知氧化物半導體電晶體 的電子特性變動的重要原因之一是水侵入氧化物半導體膜。因水侵入氧化物半導體膜而使載子密度增加，由此使電晶體的電子特性變動。
由此，藉由儘可能使用不包含水的材料以及儘可能不使水侵入的結構及製造方法製造液晶顯示裝置可以解決可靠性降低的問題。
但是，材料的限制產生如下新的問題：降低液晶顯示裝置的顯示品質；不能使用液晶顯示裝置的製造工廠的習知的設備，這阻礙包含氧化物半導體的液晶顯示裝置的早日實際應用。
例如，為了抑制液晶分子的配向不良，較佳的是，作為像素電極的基底膜較佳為形成平坦化膜。平坦化膜由於需要形成得厚以消除電晶體的凹凸，所以作為平坦化膜一般使用有機樹脂膜。但是，有機樹脂膜由於與無機絕緣膜相比吸濕性高，所以其與氧化物半導體電晶體的組合有問題。
於是，在本發明的一實施例的液晶顯示裝置中，在具有耐熱性的基板上形成元件層，元件層包括氧化物半導體電晶體；氧化物半導體電晶體上的有機樹脂膜；有機樹脂膜上的像素電極及共用電極以及像素電極及共用電極上的配向膜，然後將上述元件層轉置到具有可撓性的第一基板上，在將液晶層封入在上述第一基板與具有可撓性的第二基板之間之前進行乾燥處理，從乾燥處理至封入液晶層的製程以不暴露於大氣的方式進行。
此外，本發明的其它實施例是在顯示部中具備根據上述實施例的液晶顯示裝置的觸控面板。
藉由本說明書所公開的技術可以提供使用具有可撓性的基板且包含氧化物半導體電晶體的底板的具有實用水準程度的高可靠性的液晶顯示裝置。
10‧‧‧液晶面板
30‧‧‧顯示部
31‧‧‧像素
35‧‧‧電晶體
36‧‧‧液晶元件
41‧‧‧掃描線驅動電路
42‧‧‧掃描線驅動電路
43‧‧‧資料線驅動電路
45‧‧‧電晶體
60‧‧‧端子部
61‧‧‧FPC
100‧‧‧基板
110‧‧‧掃描線
111‧‧‧資料線
112‧‧‧電極
115‧‧‧共用電極
116‧‧‧像素電極
117‧‧‧導線
120‧‧‧半導體層
131‧‧‧絕緣膜
132‧‧‧絕緣膜
133‧‧‧絕緣膜
134‧‧‧絕緣膜
135‧‧‧有機樹脂膜
136‧‧‧絕緣膜
137‧‧‧配向膜
140‧‧‧液晶層
141‧‧‧間隔物
161‧‧‧導線
162‧‧‧電極
170‧‧‧元件層
171‧‧‧電極
172‧‧‧電極
173‧‧‧電極
174‧‧‧分離層
175‧‧‧絕緣膜
180‧‧‧基板
181‧‧‧支撐基板
183‧‧‧黏合劑
185‧‧‧黏合劑
200‧‧‧基板
210‧‧‧黑矩陣
211‧‧‧彩色濾光片
211‧‧‧保護層
213‧‧‧配向膜
215‧‧‧密封構件
301‧‧‧導電膜
302‧‧‧導電膜
311‧‧‧氧化物半導體膜
312‧‧‧氧化物半導體膜
313‧‧‧氧化物半導體膜
400‧‧‧觸控面板
411‧‧‧偏光板
412‧‧‧偏光板
421‧‧‧共用電極
422‧‧‧電極
431‧‧‧導線
432‧‧‧導線
450‧‧‧觸控感測器
451‧‧‧電極
451a‧‧‧導電膜
451b‧‧‧導電膜
451c‧‧‧導電膜
451d‧‧‧導電膜
452‧‧‧電極
453‧‧‧絕緣膜
454‧‧‧電容元件
461‧‧‧FPC
462‧‧‧FPC
500‧‧‧液晶顯示裝置
501‧‧‧液晶面板
510‧‧‧控制電路
511‧‧‧偵測部
530‧‧‧顯示部
531‧‧‧像素
540‧‧‧掃描線驅動電路
541‧‧‧掃描線
550‧‧‧資料線驅動電路
551‧‧‧資料線
552‧‧‧D-A轉換電路
5001‧‧‧外殼
5002‧‧‧外殼
5003‧‧‧顯示部
5004‧‧‧顯示部
5005‧‧‧麥克風
5006‧‧‧喇叭
5007‧‧‧操作鍵
5008‧‧‧觸控筆
5201‧‧‧外殼
5202‧‧‧顯示部
5203‧‧‧支架
5401‧‧‧外殼
5402‧‧‧顯示部
5403‧‧‧鍵盤
5404‧‧‧指向裝置
5601‧‧‧外殼
5602‧‧‧外殼
5603‧‧‧顯示部
5604‧‧‧顯示部
5605‧‧‧連接部
5606‧‧‧操作鍵
5801‧‧‧外殼
5802‧‧‧外殼
5803‧‧‧顯示部
5804‧‧‧操作鍵
5805‧‧‧透鏡
5806‧‧‧連接部
6001‧‧‧外殼
6002‧‧‧顯示部
6003‧‧‧攝影機
6004‧‧‧喇叭
6005‧‧‧按鈕
6006‧‧‧外部連接部
6007‧‧‧麥克風
6501‧‧‧外殼
6502‧‧‧顯示部
6503‧‧‧麥克風
6504‧‧‧外部連接部
6505a‧‧‧按鈕
6505b‧‧‧按鈕
6506‧‧‧喇叭
6507‧‧‧攝影機
在圖式中：圖1是顯示液晶面板的結構例子的平面圖；圖2是顯示液晶面板的結構例子的剖面圖，是沿著圖1的B1-B2線的剖面圖；圖3是顯示像素的結構例子的平面圖；圖4是沿著圖3的線A1-A2的像素的剖面圖；圖5是沿著圖3的線A3-A4的像素的剖面圖；圖6是顯示共用電極與端子部的連接結構的一個例子的剖面圖；圖7是顯示液晶面板的導線(電極)的連接結構的一個例子的剖面圖；圖8A至圖8D是顯示電晶體的製造方法的一個例子的剖面圖；圖9A至圖9C是顯示圖8D之後的步驟的一個例子的剖面圖；圖10是顯示圖1中的包含液晶面板的觸控面板的結構例子的剖面圖； 圖11是顯示圖10的觸控面板的觸控感測器的結構例子的平面圖；圖12A是沿著圖11的線C1-C2的觸控面板的剖面圖，圖12B是圖11的區域240的平面圖；圖13是顯示圖1中的包含液晶面板的液晶顯示裝置的結構例子的塊狀圖；圖14是顯示像素的結構例子的電路圖；圖15是說明圖13的液晶顯示裝置的驅動方法的一個例子的時序圖；圖16A至圖16E各顯示電子裝置；圖17是顯示藉由TDS從液晶面板的電路基板(各包括有機樹脂膜)分離的具有荷質比(m/z)為18的氣體分子的強度的圖表；圖18是顯示藉由TDS從液晶面板的電路基板(不包括有機樹脂膜)釋放的具有荷質比(m/z)18的氣體分子的強度的圖表；圖19是顯示掃描線驅動電路(進行加熱處理)的相對於工作時間的工作裕寬的變化的圖表；圖20是顯示掃描線驅動電路(不進行加熱處理)的相對於工作時間的工作裕寬的變化的圖表；圖21A至圖21C是顯示液晶顯示裝置的製程的剖面圖；圖22是顯示液晶顯示裝置的製程的剖面圖；圖23是顯示包含液晶面板的液晶顯示裝置的結構例 子的塊狀圖；圖24是觸控感測器的透視圖；圖25是觸控感測器的平面圖；圖26是觸控感測器的剖面圖；圖27是觸控感測器的電路圖；圖28是觸控感測器的遮罩圖案；圖29是顯示液晶面板的規格的一個例子的圖；圖30顯示電子裝置；圖31顯示電子裝置。
[實施例]
以下參照圖式對本發明的實施例進行詳細說明。請注意，本發明不侷限於以下說明，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實，就是本發明在不脫離其精神及其範圍的條件下，其實施例及詳細內容可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定於以下所示的實施例的記載內容中。
請注意，在用來說明發明的實施例的圖式中，使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，有時省略其重複說明。
請注意，在本說明書中液晶顯示裝置的範疇內包括：在各像素中形成有液晶元件的液晶面板；以及在該液晶面板上安裝有包括驅動電路或控制器的IC等、背 光或前燈等光源的模組。
實施例1 <液晶面板的結構>
參照圖23、圖14、圖1至圖5說明本實施例的液晶面板。圖1是顯示液晶面板10的結構的一個例子的平面圖。圖2是顯示液晶面板10的結構例子的剖面圖，並對應於沿著圖1的B1-B2線的剖面圖。
圖23是顯示液晶面板10的結構的一個例子的塊狀圖。液晶面板10包括顯示部30、掃描線驅動電路41、掃描線驅動電路42及資料線驅動電路43。顯示部30包括連接於掃描線110及資料線111的多個像素31。圖14是顯示像素31的結構例子的電路圖。
像素31包括電晶體35、液晶元件36。電晶體35是控制液晶元件36與資料線111電連接的切換元件。根據藉由掃描線110輸入到電晶體35的閘極的掃描信號使電晶體35的導通或關閉。
圖3是顯示像素31的結構例子的平面圖。圖4是顯示像素31的結構的一個例子的剖面圖，是沿著圖3的線A1-A2的剖面圖。圖5是顯示像素31的結構的一個例子的剖面圖，是沿著圖3的線A3-A4的剖面圖。這裡，對液晶面板10應用FFS模式的像素31，但也可以應用IPS模式的像素31。
在顯示部30、掃描線驅動電路41、掃描線驅 動電路42、資料線驅動電路43中各包含包括氧化物半導體的電晶體。圖2顯示資料線驅動電路43的電晶體45，圖4顯示像素31的電晶體35。在顯示部30、掃描線驅動電路41、掃描線驅動電路42、資料線驅動電路43中，形成具有相同結構的電晶體。這裡，利用作為顯示部30、掃描線驅動電路41、掃描線驅動電路42、資料線驅動電路43的電晶體，包括半導體層由氧化物半導體膜的底閘極電晶體。
在掃描線驅動電路41和掃描線驅動電路42中的一方連接於奇數行的掃描線110，另一方連接於偶數行的掃描線110。資料線驅動電路43連接於資料線111。像素31的電晶體35連接於掃描線110及資料線111。
在液晶面板10中，在基板100與基板200之間設置由密封構件215密封的液晶層140。液晶面板10的單元間隙由形成在基板200上的間隔物141維持(參照圖5)。如圖3及圖5中所示，間隔物141形成在掃描線110與資料線111重疊的區域。這樣的區域是液晶材料的配向無序的區域而無助於顯示。藉由在該區域形成間隔物141，可以提高像素31的開口率，且可以將該開口率設定為50%以上。
在基板100中在密封構件215的外側形成有連接於FPC61的端子部60。在端子部60的上層形成有使用與共用電極115相同的透明導電膜形成的電極162，藉由各向異性導電膜電連接FPC61與電極162。電極162與 顯示部30、掃描線驅動電路41、掃描線驅動電路42、資料線驅動電路43電連接，由形成資料線111的導電膜形成。此外，連接電極162與顯示部30、掃描線驅動電路41、掃描線驅動電路42、資料線驅動電路43的導線161可以使用與掃描線110相同的導電膜形成。
基板100及基板200具有可撓性，可以使用如塑膠等的樹脂的基板。作為塑膠基板的一例，可以包含聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)為代表的聚酯、聚醚碸(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚醯胺類合成纖維、聚醚醚酮(PEEK)、聚碸(PSF)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚芳酯(PAR)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚醯亞胺、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂、聚氯乙烯、聚丙烯、聚醋酸乙烯、丙烯酸樹脂等。
此外，在基板100或基板200中，一對平面的一者或兩者具有絕緣性，且也可以由對可見光具有透光性的陶瓷層覆蓋。使用樹脂而形成的基板與玻璃基板等相比有對產生損傷的物理衝擊的耐性低的傾向，但是由具有上述特性的陶瓷層覆蓋的基板100或基板200不但保持對可見光具有透光性而且表面不容易被損傷。陶瓷層較佳為使用如下材料：金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬砷化物、金屬硫化物、矽氧化物或矽碳化物，對可見光具有透光性，並具有絕緣性。特別是，陶瓷層可以使用氧化鈦、氧化鋁、氧化鉻、氧化鎂、氧化鎳、氧化鋯、氮 化矽、氮化鋁、氧氮化鈦、碳化矽、氧氮化矽等。
陶瓷層可以藉由使用溶膠-凝膠法、蒸鍍法、CVD法、濺鍍法等形成。此外，也可以在耐熱性高的基板上使用上述中的任一個方法形成陶瓷層之後，從耐熱性高的基板剝離陶瓷層，將其轉置到基板100或基板200，而在基板上形成陶瓷層。或者，也可以藉由將陶瓷的粒子與氣體一起高速地噴出到基板，而在基板上形成陶瓷層。
<像素>
在像素31中，在有機樹脂膜135上共用電極115與像素電極116相互面對且夾著絕緣膜136。共用電極115形成為在顯示部30中的一個電極，在各像素31中，在像素電極116與電晶體35的連接部形成有開口。像素電極116分別形成在每個像素31中，各像素31中包含的像素電極116具有條紋狀的區域。圖3顯示在像素電極116中設置有狹縫狀的開口部的情況。像素31中的液晶元件36(參照圖14)包含共用電極115、像素電極116及液晶層140。因共用電極115與像素電極116之間產生的電場的作用而改變液晶層140的液晶材料的配向。
請注意，在共用電極115中，也可以在與像素電極116重疊的部分形成狹縫狀的開口。
此外，像素電極116與共用電極115隔著絕緣膜136重疊的區域形成電容器C1(參照圖14)。由此，不需要由在像素31中另行形成被稱為輔助電容線的 導線來形成的電容器C2。換言之，作為液晶元件36的儲存電容器，其中設置包含像素電極116、共用電極115及絕緣膜136的電容器C1(>0fF)，不設置以輔助電容線為電極的電容器C2。換言之，電容器C1的電容值超過0[fF]，可以將電容值設定為幾百[fF]左右。另一方面，電容器C2的電容值為0[fF]。
因此，由於不在像素31中形成降低開口率的輔助電容線，以與液晶元件36並聯的方式附加電容器C1，所以可以提高開口率。因此，可以實現50%以上的開口率，甚至可以實現60%以上的開口率。
在基板200上形成有黑矩陣210、彩色濾光片211、保護層212、配向膜213。彩色濾光片211形成在重疊於像素電極116的區域，黑矩陣210以覆蓋形成有掃描線110及資料線111等的無助於顯示的區域。
如圖6中所示，共用電極115電連接於絕緣膜131上的導線117。導線117形成在顯示部30的外側，導線117與圖2的導線161同樣地電連接於端子部60的電極162。藉由採用這種結構，可以對共用電極115從液晶面板10的外部施加電位。
FFS模式的液晶面板與IPS模式的液晶面板相比可以獲得廣視角、高對比，此外，與IPS模式相比可以實現低電壓驅動，由此對攜帶式電子裝置的高畫質顯示裝置來說，應用包含氧化物半導體的電晶體是極合適的。此外，FFS模式的液晶面板由於藉由使像素電極與共用電極 重疊，可以在像素中附加儲存電容器而無需設置儲存電容導線，所以可以提高開口率。
<電晶體的製造方法>
以下揭示圖1中所示的液晶面板10的電路基板的製造方法。
首先，參照圖8A至圖8D及圖9A至圖9C說明顯示部30、掃描線驅動電路41、掃描線驅動電路42、資料線驅動電路43的電晶體的製造方法。圖8A至圖9C是顯示顯示部30的電晶體35的製造方法的一個例子的剖面圖，掃描線驅動電路41、掃描線驅動電路42、資料線驅動電路43的電晶體都具有相同的結構並同時形成在基板180上。
如圖8A中所示，在基板180上形成分離層174、分離層174上的絕緣膜175、絕緣膜175上的形成第一層的導線及電極的導電膜301。
作為基板180，較佳為使用具有能夠耐受後面的製程的高耐熱性的基板，例如，使用玻璃基板、陶瓷基板、石英基板、藍寶石基板等。
分離層174可以使用金屬膜、金屬氧化膜或層疊金屬膜和金屬氧化膜而形成的膜。金屬膜和金屬氧化膜既可以是單層，又可以是多個層的疊層結構。此外，除了金屬膜或金屬氧化膜以外，還可以使用金屬氮化物或金屬氧氮化物。分離層174可以藉由濺鍍法或電漿CVD法 等各種CVD法等來形成。
作為用於分離層174的金屬包含鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)等。作為分離層174，除了由上述金屬形成的膜以外，還可以使用含有以上述金屬為主要成分的合金形成的膜、或使用含有上述金屬的化合物來形成的膜。
具有金屬膜和金屬氧化膜的層疊的分離層174可以藉由在形成基體金屬膜之後使該金屬膜的表面氧化或氮化來形成。特別是，在氧氛圍中或N2O氛圍中對基體金屬膜進行電漿處理或者在氧氛圍中或N2O氛圍中對基體金屬膜進行加熱處理即可。另外，也可以藉由在基體金屬膜上接觸形成氧化矽膜或氧氮化矽膜來進行金屬膜的氧化。另外，可以藉由在基體金屬膜上接觸形成氮氧化矽膜或氮化矽膜來進行氮化。
作為進行金屬膜的氧化或氮化的電漿處理，也可以進行如下高密度電漿處理，即電漿密度為1×1011cm-3以上，較佳為1×1011cm-3至9×1015cm-3，並且使用微波(例如，頻率為2.45GHz)等的高頻。
另外，可以藉由使基體金屬膜的表面氧化來形成層疊有金屬膜和金屬氧化膜的分離層174，但是也可以在形成金屬膜之後另行形成金屬氧化膜。例如，在作為金屬使用鎢的情況下，在藉由濺鍍法或CVD法等形成鎢 膜作為基體金屬膜之後，對該鎢膜進行電漿處理。藉由該製程，可以形成相當於金屬膜的鎢膜、以及與該金屬膜接觸且由鎢的氧化物形成的金屬氧化膜。
絕緣膜175藉由CVD法或濺鍍法等使用氧化矽、氮化矽、氧氮化矽或氮氧化矽等絕緣材料形成。
設置絕緣膜175是為了防止含有在基板180中的Na等鹼金屬或鹼土金屬擴散到之後形成的半導體層120中而對電晶體等半導體元件的特性造成不良影響。另外，絕緣膜175還具有以下作用：防止包含在分離層174中的雜質元素擴散到半導體層120中，並且在之後的剝離元件層170的製程中保護元件層170。再者，藉由設置絕緣膜175，容易進行分離層174的剝離，或者可以在之後的剝離製程中防止半導體元件或導線破裂或損壞。
絕緣膜175既可以是單個絕緣膜，或是多個絕緣膜的疊層。在本實施例中，按順序層疊100nm厚的氧氮化矽膜、50nm厚的氮氧化矽膜、100nm厚的氧氮化矽膜來形成絕緣膜175，但是各膜的材質、膜厚度及疊層個數不侷限於此。
此外，在本實施例中顯示在基板180上直接形成分離層174的例子，但是為了提高基板180與分離層174之間的密接性，也可以在基板180與分離層174之間形成包含氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽等的絕緣膜。
較佳的是，導電膜301包含鋁、鈦、鉻、 鈷、鎳、銅、釔、鋯、鉬、釕、銀、鉭以及鎢中的一種以上的導電材料的膜以單層或兩層以上形成。例如，作為導電膜301可以使用在氮化鎢膜上層疊銅膜的膜或鎢單層膜。
接著，藉由光微影製程及蝕刻製程形成也作為電晶體的閘極電極的掃描線110。藉由使用第一光遮罩在導電膜301上形成由光阻形成的遮罩(以下稱為光阻遮罩)。對導電膜301進行蝕刻形成掃描線110。然後，去除光阻遮罩(圖8B)。
此外，如圖7中所示，電極171也與掃描線110同時形成。圖7是顯示形成在顯示部30的外部的導線(電極)的連接結構的一個例子的剖面圖，第一層的電極171與第二層的電極172藉由電極173連接。這種連接結構適用於掃描線驅動電路41、掃描線驅動電路42、資料線驅動電路43、引線等。
形成絕緣膜131覆蓋掃描線110(第一層中的導線、電極)，在絕緣膜131上形成三層結構的氧化物半導體膜311至313(圖8C)。
絕緣膜131作為形成電晶體35的閘極絕緣膜。絕緣膜131可使用含有氧化鋁、氧化鎂、氧化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氮化矽、氧化鎵、氧化鍺、氧化釔、氧化鋯、氧化鑭、氧化釹、氧化鉿及氧化鉭中的一種以上的絕緣膜以單層或疊層形成。
例如，當採用兩層結構的絕緣膜131時，可 使用包含第一層為氮化矽膜，第二層為氧化矽膜的多層膜。第二層的氧化矽膜可以是氧氮化矽膜。此外，第一層的氮化矽膜也可以由氮氧化矽膜替代。
氧化矽膜較佳為使用缺陷密度小的氧化矽膜。特別是，使用如下氧化矽膜：利用電子自旋共振法(ESR：Electron Spin Resonance)測量的信號中來源於g值為2.001的信號的自旋的自旋密度為3×1017spins/cm3以下，較佳為5×1016spins/cm3以下。氧化矽膜較佳為使用具有過剩氧的氧化矽膜。氮化矽膜使用氫及氨的釋放量少的氮化矽膜。氫及氨的釋放可藉由TDS(Thermal Desorption Spectroscopy：熱脫附譜分析法)分析進行測量。
請注意，氮氧化矽是指氮含量比氧多的絕緣材料，而氧氮化矽是指氧含量比氮多的絕緣材料。
三層結構的氧化物半導體膜311至313形成電晶體中的半導體層120。雖然，此處形成三層結構的氧化物半導體膜(311至313)(圖8C)，但是可以採用單層結構或其它層疊結構。
接著，藉由光微影製程及蝕刻製程形成電晶體的半導體層120。使用第二光遮罩將光阻遮罩形成在氧化物半導體膜311上，對氧化物半導體膜311至313進行蝕刻，來形成半導體層120。然後，去除光阻遮罩(圖8D)。
作為用於電晶體的半導體層120的氧化物半 導體，例如有氧化銦、氧化錫、氧化鋅、In-Zn類氧化物、Sn-Zn類氧化物、Al-Zn類氧化物、Zn-Mg類氧化物、Sn-Mg類氧化物、In-Mg類氧化物、In-Ga類氧化物、In-Ga-Zn類氧化物(也稱為IGZO)、In-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Zn類氧化物、Sn-Ga-Zn類氧化物、Al-Ga-Zn類氧化物、Sn-Al-Zn類氧化物、In-Hf-Zn類氧化物、In-Zr-Zn類氧化物、In-Ti-Zn類氧化物、In-Sc-Zn類氧化物、In-Y-Zn類氧化物、In-La-Zn類氧化物、In-Ce-Zn類氧化物、In-Pr-Zn類氧化物、In-Nd-Zn類氧化物、In-Sm-Zn類氧化物、In-Eu-Zn類氧化物、In-Gd-Zn類氧化物、In-Tb-Zn類氧化物、In-Dy-Zn類氧化物、In-Ho-Zn類氧化物、In-Er-Zn類氧化物、In-Tm-Zn類氧化物、In-Yb-Zn類氧化物、In-Lu-Zn類氧化物、In-Sn-Ga-Zn類氧化物、In-Hf-Ga-Zn類氧化物、In-Al-Ga-Zn類氧化物、In-Sn-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Hf-Zn類氧化物、In-Hf-Al-Zn類氧化物等。
例如，可以使用其原子數比為In：Ga：Zn=1：1：1、In：Ga：Zn=3：1：2或In：Ga：Zn=2：1：3的In-Ga-Zn類氧化物或其組成與前述組成接近的氧化物。
當形成半導體層120的氧化物半導體膜包含多量的氫時，由於氫與氧化物半導體接合而氫的一部分成為施體，並產生作為載子的電子。由此，電晶體的臨界電壓向負方向漂移。因此，較佳的是，在形成氧化物半導體膜之後進行脫水處理(脫氫處理)，從氧化物半導體膜去 除氫或水分來使氧化物半導體膜中儘量不含有雜質。
請注意，有時因對氧化物半導體膜進行脫水處理(脫氫處理)而使氧化物半導體膜的氧減少。因此，較佳的是，為了填補因對氧化物半導體膜進行脫水處理(脫氫處理)而增加的氧缺陷，進行對氧化物半導體膜添加氧的處理。在本說明書等中，有時將對氧化物半導體膜供應氧的處理稱為加氧處理，或者，有時將使氧化物半導體膜所包含的氧多於化學計量組成的處理稱為過氧化處理。
像這樣，藉由進行脫水處理(脫氫處理)以從氧化物半導體膜去除氫或水分，並進行加氧處理以填補氧化物半導體膜的氧缺陷，可以得到i型(本質)的氧化物半導體膜或無限趨近於i型的實質上呈i型(本質)的氧化物半導體膜。此外，實質上呈本質是指氧化物半導體膜中的來源於施體的載子極少(近於零)，載子密度為1×1017/cm3以下、1×1016/cm3以下、1×1015/cm3以下、1×1014/cm3以下或1×1013/cm3以下。
此外，如此，包含i型或實質上呈i型的氧化物半導體膜的電晶體可以具有極為優良的關態電流特性。例如，可以使包含氧化物半導體膜的電晶體的處於關閉狀態時的汲極電流在室溫(25℃左右)下為1×10-18A以下，較佳為1×10-21A以下，更佳為1×10-24A以下，或者，在85℃下為1×10-15A以下，較佳為1×10-18A以下，更佳為1×10-21A以下。請注意，“電晶體處於關閉狀態”是指： 在採用n通道型電晶體的情況下，閘極電壓充分低於臨界電壓的狀態。特別是，在閘極電壓比臨界電壓低1V以上、2V以上或3V以上時，電晶體成為關閉狀態。
此外，在FFS模式的液晶顯示裝置的情況下，圖14中所示的電容器C1形成在像素電極116與共同電極115隔著絕緣膜136重疊的區域。由此，當絕緣膜136的厚度及相對介電常數不變時，在電容器C1中，上述區域的面積越大其電容值越大，而上述區域的面積越小其電容值越小。而且，在本發明的一實施例的液晶顯示裝置中，由於可以使電晶體35的關態電流顯著小，所以與將使用矽的電晶體應用於像素的切換元件的液晶顯示裝置相比，可以抑制從電容器C1洩露的電荷量。由此，在本發明的一實施例的液晶顯示裝置中，與將使用矽的電晶體應用於像素的切換元件的液晶顯示裝置的情況相比，可以抑制電容器C1的電容值，也可以抑制像素電極116與共用電極115隔著絕緣膜136重疊的區域的面積。因此，在本發明的一實施例的液晶顯示裝置中，可以提高像素31的穿透率，抑制液晶面板內部的光損失，從而可以減少液晶顯示裝置的耗電量。
這裡，以使電晶體的通道主要形成在半導體層120中的氧化物半導體膜312中的方式設置有氧化物半導體膜311至313。後面說明氧化物半導體膜311至313的詳細的製造方法。
如圖9A中所示，在基板180整體形成形成第 二層的導線及電極的導電膜302。導電膜302可以與導電膜301以相同方式形成。這裡，導電膜302為三層結構。第一層、第三層使用鈦膜形成，第二層使用鋁膜形成。鈦膜、鋁膜利用濺鍍法形成。
接著，使用第三光遮罩將光阻遮罩形成於導電膜302及絕緣膜131上。使用該光阻遮罩，對導電膜302進行蝕刻，形成連接於半導體層120的資料線111及電極112(圖9B)。資料線111、電極112作為電晶體的源極電極及汲極電極。
此外，使用導電膜302形成第二層中的如圖2中所示的導線161、如圖6中所示的導線117及如圖7中所示的電極172等。圖6的導線117是用來使共用電極115連接於端子部60的引線。
接著，覆蓋基板180整體地形成無機絕緣膜。這裡，形成由的無機材料形成的絕緣膜132至134層疊(圖9C)。尤其較佳的是絕緣膜132及133是氧化物膜，絕緣膜134是氮化物絕緣膜。藉由使用氮化物絕緣膜作為絕緣膜134，可以抑制來自外部的氫及水等雜質進入到電晶體的半導體層。請注意，設置絕緣膜132不是必須的。
此外，當絕緣膜132和絕緣膜133中的一者或兩者是氧化物膜時，較佳為含有比化學計量組成多的氧。由此，在防止從氧化物半導體膜311至313釋放氧的同時使包含在氧過剩區域中的該氧移動到氧化物半導體 膜，從而可以填補氧缺陷。
例如，藉由使用利用熱脫附譜分析法(以下稱為TDS(Thermal Desorption Spectroscopy)分析)測量的氧分子的釋放量為1.0×1018分子/cm3以上的氧化絕緣膜，可以減少該氧化物半導體膜所包含的氧缺陷。此外，在絕緣膜132及絕緣膜133中的一者或兩者中，也可以部分地存在有含有超過化學計量組成的氧的區域(氧過剩區域)，藉由至少使與包含氧化物半導體膜311至313的半導體層120重疊的區域存在有氧過剩區域，在防止從氧化物半導體膜311至313釋放氧的同時，將包含在氧過剩區域的氧移動到氧化物半導體膜311至313，從而可以填補氧缺陷。
當絕緣膜133是包含比化學計量組成多的氧的氧化物膜時，絕緣膜132較佳的是使氧透過的氧化物膜。從外部進入到絕緣膜132的氧的一部分殘留在絕緣膜132中。另外，有時原先包含在絕緣膜132中的氧從絕緣膜132釋放到外部。由此，絕緣膜132較佳的是具有較大氧擴散係數的氧化絕緣膜。
可以將絕緣膜132的厚度設定為5nm以上且150nm以下，較佳為5nm以上且50nm以下，更佳為10nm以上且30nm以下。可以將絕緣膜131的厚度設定為30nm以上且500nm以下，較佳為150nm以上且400nm以下。
當絕緣膜134為氮化物絕緣膜時，絕緣膜132 和絕緣膜133中的一者或兩者較佳為對氮具有阻擋性的絕緣膜。例如，藉由形成為緻密的氧化物絕緣膜可以使其對氮具有阻擋性，明確地說，在以25℃使用0.5wt%的氫氟酸時的蝕刻速度較佳為10nm/分以下。
另外，當絕緣膜132及絕緣膜133中的一者或兩者是氧氮化矽或氮氧化矽等含有氮的氧化絕緣膜時，藉由SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry：二次離子質譜分析法)測量出的氮濃度為SIMS偵測下限以上且小於3×1020atoms/cm3，較佳為1×1018atoms/cm3以上且1×1020atoms/cm3以下。由此，可以減少向電晶體35中包括的由氧化物半導體形成的半導體層120的氮的移動量。另外，這樣可以減少含有氮的氧化絕緣膜本身的缺陷量。
絕緣膜132可以以如下條件下形成：將安置在PE-CVD設備的進行了真空排氣的處理室內的基板的溫度保持為180℃以上且400℃以下，較佳為200℃以上且370℃以下，將原料氣體的含有矽的沉積氣體及氧化氣體導入處理室並將處理室內的壓力設定為20Pa以上且250Pa以下，較佳為設定為40Pa以上且200Pa以下，並對設置在處理室內的電極供應高頻功率。
作為包含矽的沉積氣體的典型例子，包含矽烷、乙矽烷、丙矽烷及氟化矽烷等。作為氧化氣體，可以包含氧、臭氧、一氧化二氮及二氧化氮等。
作為絕緣膜134，可以設置氫含量少的氮化物絕緣膜。該氮化物絕緣膜例如是利用TDS分析測量出的 氫分子的釋放量小於5.0×1021molecules/cm3，較佳為小於3.0×1021molecules/cm3，更佳為小於1.0×1021molecules/cm3的氮化物絕緣膜。
絕緣膜134的厚度為具有抑制來自外部的氫及水等雜質侵入到電晶體的功能的厚度。例如，將絕緣膜134的厚度設定為50nm以上且200nm以下即可。此外，該厚度較佳為50nm以上且150nm以下，更佳為50nm以上且100nm以下。
絕緣膜132至134可以利用PE-CVD法或濺鍍法等各種成膜方法形成。此外，絕緣膜132至134較佳的是在真空中連續地形成。由此，可以抑制雜質混入到絕緣膜132、絕緣膜133及絕緣膜134的每一個的介面。當用於絕緣膜132及絕緣膜133的材料具有同種組成時，有時絕緣膜132與絕緣膜133的介面不明確。
例如，當作為絕緣膜132利用PE-CVD法形成氧化矽膜或氧氮化矽膜時，可以以下述成膜條件形成：將基板的溫度保持為180℃以上且400℃以下，較佳為200℃以上且370℃以下，將原料氣體的含有矽的沉積氣體及氧化氣體導入處理室並將處理室內的壓力設定為20Pa以上且250Pa以下，較佳為設定為40Pa以上且200Pa以下，並對設置在處理室內的電極供應高頻功率。
作為包含矽的沉積氣體的例子，可包括矽烷、乙矽烷、丙矽烷、氟化矽烷等。作為氧化氣體的例子，可以包括氧、臭氧、一氧化二氮、二氧化氮等。
另外，藉由將氧化氣體量設定為含有矽的沉積氣體的100倍以上，可以減少包含在絕緣膜132中的氫含量，並可以減少包含在絕緣膜132中的懸空鍵。由於有時從絕緣膜133移動出來的氧被絕緣膜132中的懸空鍵俘獲，當絕緣膜132中的懸空鍵減少時，可以使包含於絕緣膜133中的氧效率好地移動至半導體層120中，從而可以填補半導體層120中的氧缺陷。其結果是，可以減少混入半導體層120的氫量，並可以減少包含在氧化物半導體膜中的氧缺陷。
當作為絕緣膜133利用PE-CVD設備形成氧化矽膜或氧氮化矽膜時，藉由採用如下條件，可以提高絕緣膜133的氧濃度。絕緣膜133及絕緣膜131的原料氣體與絕緣膜132相似。
將基板的溫度保持為180℃以上且260℃以下，較佳為180℃以上且230℃以下，將原料氣體導入處理室並將處理室內的壓力設定為100Pa以上且250Pa以下，較佳為100Pa以上且200Pa以下，並對設置在處理室內的電極供應0.17W/cm2以上且0.5W/cm2以下，較佳為0.25W/cm2以上且0.35W/cm2以下的高頻功率。
由於當形成絕緣膜133時，供應具有上述功率密度的高頻功率，因此電漿中的原料氣體的分解效率提高，氧自由基增加，且原料氣體的氧化進展，所以絕緣膜133中的氧含量多於化學計量組成。然而，在基板溫度是上述溫度的情況下，由於矽與氧的接合力低，因此因加熱 而氧的一部分釋放。其結果是，可以形成包含比滿足化學計量組成的氧多的氧且藉由加熱氧的一部分釋放的氧化絕緣膜。此外，在半導體層120上設置有絕緣膜132。由此，在形成絕緣膜133的製程中，絕緣膜132作為半導體層120的保護膜。其結果是，即使使用具有高功率密度的高頻功率形成絕緣膜133，對半導體層120的損傷不顯著。
絕緣膜133的厚度增加，加熱釋放大量的氧的量，所以絕緣膜133的厚度較佳的是比絕緣膜132的厚度厚。藉由設置絕緣膜132，即使使絕緣膜133的厚度厚也可以獲得良好的覆蓋性。
例如，絕緣膜134利用PE-CVD設備形成含氫量少的氮化矽膜時的情況，可以採用如下條件形成絕緣膜134：將基板的溫度保持為80℃以上且400℃以下，較佳為200℃以上且370℃以下，將原料氣體導入處理室並將處理室內的壓力設定為100Pa以上且250Pa以下，較佳為設定為100Pa以上且200Pa以下，並對設置在處理室內的電極供應高頻功率。
作為絕緣膜134的原料氣體，較佳為使用含有矽的沉積氣體、氮及氨。作為包含矽的沉積氣體的典型例子，可以包括矽烷、乙矽烷、丙矽烷、氟化矽烷等。此外，氮的流量為氨的流量的5倍以上且50倍以下，較佳為10倍以上且50倍以下。此外，藉由作為原料氣體使用氨，可以促進含有矽的沉積氣體及氮的分解。這是因為如 下緣故：氨因電漿能或熱能而離解，離解時產生的能量有助於含有矽的沉積氣體分子的接合及氮分子的接合的分解。由此，可以形成含氫量少且能夠抑制來自外部的氫或水等雜質的侵入的氮化矽膜。
較佳的是至少在形成絕緣膜133之後進行加熱處理，將包含在絕緣膜132或絕緣膜133中的過剩氧移動到半導體層120，以填補半導體層120的氧缺陷。加熱處理兼用作半導體層120的脫水化或脫氫化的加熱處理。
藉由上述製程，可以製造液晶面板的像素31及掃描線驅動電路41、掃描線驅動電路42、資料線驅動電路43的電晶體。
<像素電極及共用電極的製造>
接著，參照圖3、圖4、圖5及圖6的元件層170說明在像素31中製造像素電極116及共用電極115的步驟。
形成有機樹脂膜135以覆蓋電晶體。有機樹脂膜135是共用電極115及像素電極116的基底膜，形成為用來減少因電晶體、導線等而產生的凹凸的平坦化膜。有機樹脂膜135可以使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂等。
使用第四光遮罩在有機樹脂膜135上形成光阻遮罩。藉由使用該光阻遮罩的蝕刻製程，形成穿過由無機材料形成的絕緣膜131至134及有機樹脂膜135的接觸孔。這裡所形成的接觸孔用來連接絕緣膜131上的第二層 的導線或電極與形成在有機樹脂膜135上的電極。例如，也形成用來連接共用電極115與絕緣膜131上的導線117的接觸孔等(參照圖6)。
此外，雖然需要增加一個光遮罩，但也可以分別準備用以在有機樹脂膜135中形成接觸孔的光遮罩及用以在絕緣膜131至134中形成接觸孔的光遮罩。
接著，在有機樹脂膜135上形成透明導電膜。使用第五光遮罩在該透明導電膜上形成光阻遮罩。使用該光阻遮罩對透明導電膜進行蝕刻，以形成共用電極115。再者，使用透明導電膜形成圖2中所示的端子部60中的電極162、圖7中的電極173等。
如圖7中所示，藉由第三層的電極173，第一層的電極171與第二層的電極172相互連接。
藉由如圖7中所示電極171與電極172由第三層的電極173相互連接的情況，與使電極171與電極172直接相互連接的連接部的情況相比，可以減少一個光遮罩。這是因為為了形成使電極171與電極172直接相互連接的連接部，在形成導電膜302之前，於在絕緣膜131中形成接觸孔而需使用的光遮罩。另一方面，在圖7中的連接部的製造中，不需要該光遮罩。
形成絕緣膜136覆蓋基板180的整體區域以覆蓋共用電極115。該絕緣膜136作為防止來自外部的水等雜質的侵入的鈍化膜形成。此外，絕緣膜136形成形成在共用電極115與像素電極116重疊的區域中的電容器的 電介質。絕緣膜136與絕緣膜134同樣地較佳為氮化物或氮氧化物絕緣膜，例如，可形成氮化矽膜、氮氧化矽膜。
使用第六光遮罩在絕緣膜136上形成光阻遮罩。藉由使用該光阻遮罩的蝕刻，對絕緣膜136進行蝕刻，至少形成到達電極112的接觸孔。
在絕緣膜136上形成透明導電膜。使用第七光遮罩在透明導電膜上形成光阻遮罩。使用該光阻遮罩對透明導電膜進行蝕刻，來形成像素電極116。像素電極116連接於電極112。
作為形成共用電極115及像素電極116的透明導電膜，可以使用包括如下氧化物的膜：含有氧化鎢的銦氧化物、含有氧化鎢的銦鋅氧化物、含有氧化鈦的銦氧化物、含有氧化鈦的銦錫氧化物、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加有氧化矽的銦錫氧化物等。
<彩色濾光片、黑矩陣的製造>
這裡，黑矩陣210、彩色濾光片211、保護層212、間隔物141形成於基板200上。黑矩陣210、彩色濾光片211可形成在基板180上。例如，在保護層212上塗敷感光硬化性樹脂劑，經過第八光遮罩曝光樹脂劑，進行顯影處理可形成間隔物141。請注意，間隔物141也可以設置在基板180一側。
<單元製程>
以下說明單元製程。將形成有顯示部30、掃描線驅動電路41、掃描線驅動電路42、資料線驅動電路43及端子部60的元件層170轉置到基板100(以下稱為電路基板100)，在封入液晶材料的狀態下將電路基板100與形成有彩色濾光片211等的基板200(以下稱為彩色濾光片基板200)貼合，來製造液晶面板10。
因水的侵入而使包含氧化物半導體的電晶體的例如臨界電壓變動等的可靠性降低。於是，如上所述，在電路基板100的製程中，較佳為進行連續成膜並移除氧化物半導體的雜質(高度純化處理)，例如由熱處理脫氫。由此，在單元製程中，較佳的是不使雜質尤其是水分進入液晶面板內部。液晶面板由於液晶材料的存在，要如有機EL面板那樣將乾燥劑等配置在其內部是很困難的，由此較佳的是在單元製程中不使水分進入液晶面板內部。此外，有機樹脂膜由於與無機絕緣膜相比吸濕性更高，所以在有機樹脂膜135的形成至單元製程之間，水的濃度容易上升。若在電路基板100或彩色濾光片基板200含有很多水分的狀態下進行單元製程，則導致液晶面板的可靠性降低。
如上所述，在單元製程中，進行從形成有元件層170的基板180或彩色濾光片基板200去除水分的乾燥處理，以在水分不再附著的環境下製造液晶面板。例如，單元製程在氣密性高的處理室中進行。此外，進行從電路基板100及彩色濾光片基板200去除水分的100℃以 上的加熱處理。以下說明單元製程的詳細內容。
<配向膜的形成>
在基板180及彩色濾光片基板200上分別製造配向膜137及配向膜213。在對基板180進行洗滌之後，藉由印刷法等將用於形成配向膜137的聚醯亞胺樹脂塗敷在基板180表面上，並進行焙燒來形成配向膜137。藉由摩擦或光照射對配向膜137進行配向處理。在彩色濾光片基板200上也同樣地形成配向膜213。上述製程可以在大氣氛圍下進行，但是此後的製程在氣密性高的處理室內不暴露於大氣地進行。將各處理室的露點溫度設定為-60℃以下，較佳為-75℃以下。例如，露點設定為-60℃至-80℃左右。
就是說，在基板180及基板200的內側形成所有構件之後，直到單元製程結束，基板180及彩色濾光片基板200始終置於露點溫度為-60℃的水分極少的氛圍下。此外，當基板的傳送時等不使處理室內處於減壓狀態時，使氛圍為氮或氬等惰性氛圍。
<乾燥處理>
對基板180及彩色濾光片基板200進行乾燥處理。作為乾燥處理在減壓下進行熱處理。將加熱溫度設定為100℃以上，較佳為150℃以上。此外，減壓狀態較佳為1Pa以下，更佳為10-4Pa以下。例如，將處理室的壓力設定為 1×10-5pa。
請注意，在上述乾燥處理的加熱處理中，實施者可以考慮用於基板180的材料的耐熱性及減壓狀壓下的氣壓適當地決定加熱溫度的上限。例如，基板180使用丙烯酸類有機樹脂時，較佳的是將加熱溫度的上限設定為180℃至250℃左右。此外，例如，基板180使用聚醯亞胺類有機樹脂時，較佳的是將加熱溫度的上限設定為250℃至300℃左右。
<元件層的轉置>
接著，參照圖21A至圖21C及圖22說明將形成在基板180上的元件層170轉置到具有可撓性的基板100上的步驟。在本實施例中說明作為元件層170的轉置採用如下方法：在具有耐熱性的基板180與元件層170之間設置包括金屬氧化膜的分離層174，由結晶使該金屬氧化膜晶化脆弱化，從而剝離元件層170。請注意，除了上述方法以外，作為元件層170的轉置也可以採用各種方法，例如：在基板180與元件層170之間設置含有氫的非晶矽膜，藉由雷射的照射或蝕刻去除該非晶矽膜來剝離元件層170的方法；或是藉由機械性地去除基板180，從基板180分開元件層170的方法。
首先，如圖21A中所示，在元件層170的與基板180相反一側使用黏合劑185黏合支撐基板181。作為支撐基板181可以使用玻璃基板、石英基板、藍寶石基 板、陶瓷基板、金屬基板等。此外，作為黏合劑185使用在後面的製程中能夠從元件層170剝離的材料。例如，作為黏合劑185可使用藉由紫外線等的照射能夠剝離的黏合劑。
接著，如圖21B中所示，將元件層170及支撐基板181從基板180剝離。在本實施例中，使用物理力量從基板180剝離元件層170及支撐基板181。可使部分的剝離層174殘留在元件層170上而不完全移除。作為上述剝離處理，例如可以採用使用人的手或鉗子來剝離的處理或使滾子轉動來進行分離的處理。
接著，如圖21C中所示，在元件層170的因上述剝離而露出的表面使用黏合劑183黏合基板100。
基板100如上所述具有可撓性，可以使用例如塑膠等樹脂的基板。
作為黏合劑183使用能夠貼合基板100與元件層170的材料。作為黏合劑183，例如可以使用反應性固化黏合劑、熱固性黏合劑、紫外線硬化型黏合劑等光固化黏合劑以及厭氧黏合劑等各種固化黏合劑。
接著，去除支撐基板181及黏合劑185(圖22)。
<密封材料塗敷、液晶滴落>
接著，對用來密封液晶材料的彩色濾光片基板200塗敷密封材料。這裡，塗敷用於液晶滴落法(ODF)的紫外 線硬化型密封材料。接著，在由彩色濾光片基板200的密封材料圍繞的區域滴落液晶材料。上述步驟在氮氛圍下進行。
<貼合製程>
接著，在用於貼合的處理室中傳送電路基板100及彩色濾光片基板200。處理室內的氛圍為0.1Pa以上且20kPa以下，較佳為1Pa以上且100Pa以下的減壓狀態，將電路基板100與彩色濾光片基板200貼合。然後，將彼此貼合的電路基板100與彩色濾光片基板200移動到其它處理室，在此照射紫外線使密封材料固化，以完成密封構件215。上述步驟在氮氛圍下進行。
藉由上述單元製程，可以製造在電路基板100與彩色濾光片基板200之間密封有液晶層140的液晶面板。藉由進行電路基板100及彩色濾光片基板200的乾燥處理(加熱處理)以及用來維持這些基板的乾燥狀態的氛圍控制，可以抑制因水分發生的液晶面板的劣化。在例子1中說明該部分。
因此，根據本實施例，可以降低對底板(電路基板100)包含氧化物半導體的液晶顯示裝置的因水分發生的劣化。由此，可以提供高可靠性的包含氧化物半導體的液晶顯示裝置。
此外，藉由組合FFS模式的像素結構與包含結晶氧化物半導體膜的電晶體，可以提供高可靠性、高畫 質、低耗電量的液晶顯示裝置。
因此，可以提供像素的開口率為50%以上(較佳為60%以上)、解析度為300dpi以上的FFS模式的液晶顯示裝置。例如，圖29顯示使用氧化物半導體電晶體製造的液晶面板的規格的一個例子。
本實施例可以與其它實施例適當地組合而實施。
實施例2
接著，詳細說明形成半導體層120的氧化物半導體膜。
形成半導體層120的氧化物半導體膜大致分為單晶氧化物半導體膜和非單晶氧化物半導體膜。非單晶氧化物半導體膜包括非晶氧化物半導體膜、微晶氧化物半導體膜、多晶氧化物半導體膜及CAAC-OS(C-Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor：c軸配向結晶氧化物半導體)膜等。
非晶氧化物半導體膜具有無序的原子排列並不具有結晶成分。其典型例子是在微小區域中也不具有結晶部而膜整體具有完全的非晶結構的氧化物半導體膜。
微晶氧化物半導體膜例如包括1nm以上且小於10nm的尺寸的微晶(也稱為奈米晶體)。因此，微晶氧化物半導體膜的原子排列的有序度比非晶氧化物半導體膜高。因此，微晶氧化物半導體膜的缺陷態密度低於非晶 氧化物半導體膜。
CAAC-OS膜是包含多個結晶部的氧化物半導體膜之一，大部分的結晶部的尺寸為能夠容納在一邊短於100nm的立方體內的尺寸。因此，有時包括在CAAC-OS膜中的結晶部的尺寸為能夠容納在一邊短於10nm、短於5nm或短於3nm的立方體內的尺寸。CAAC-OS膜的缺陷態密度低於微晶氧化物半導體膜。下面對CAAC-OS膜進行詳細的說明。
在CAAC-OS膜的穿透式電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)影像中，觀察不到結晶部與結晶部之間的明確的邊界，即晶界(grain boundary)。因此，在CAAC-OS膜中，不容易發生起因於晶界的電子遷移率的降低。
根據從實質上平行於樣本面的方向觀察的CAAC-OS膜的TEM影像(剖面TEM影像)可知在結晶部中金屬原子排列為層狀。各金屬原子層具有反應形成CAAC-OS膜的面(此後，形成CAAC-OS膜的面稱為形成面)或CAAC-OS膜的頂面的凸凹的形狀並以平行於CAAC-OS膜的形成面或頂面的方式排列。
在本說明書中，“平行”是指兩條直線形成的角度為-10°以上且10°以下，因此也包括角度為-5°以上且5°以下的情況。另外，“垂直”是指兩條直線形成的角度為80°以上且100°以下，因此也包括角度為85°以上且95°以下的情況。
另一方面，根據從實質上垂直於樣本面的方向觀察的CAAC-OS膜的TEM影像(平面TEM影像)可知在結晶部中金屬原子排列為三角形狀或六角形狀。但是，在不同的結晶部之間金屬原子的排列沒有規律性。
由剖面TEM影像及平面TEM影像可知，CAAC-OS膜的結晶部具有配向性。
使用X射線繞射(XRD：X-Ray Diffraction)裝置對CAAC-OS膜進行結構分析。例如，當利用out-of-plane法分析包括InGaZnO4的結晶的CAAC-OS膜時，在繞射角(2θ)為31°附近時常出現峰值。由於該峰值來源於InGaZnO4結晶的(009)面，由此可知CAAC-OS膜中的結晶具有c軸配向性，並且c軸朝向實質上垂直於CAAC-OS膜的形成面或頂面的方向。
另一方面，當利用從實質上垂直於c軸的方向使X線入射到樣本的in-plane法分析CAAC-OS膜時，在2θ為56°附近時常出現峰值。該峰值來源於InGaZnO4結晶的(110)面。在此，將2θ固定為56°附近並在以樣本面的法線向量為軸(Φ軸)旋轉樣本的條件下進行分析(Φ掃描)。當該樣本是InGaZnO4的單晶氧化物半導體膜時，出現六個峰值。該六個峰值來源於相等於(110)面的結晶面。另一方面，當該樣本是CAAC-OS膜時，即使在將2θ固定為56°附近的狀態下進行Φ掃描也不能觀察到明確的峰值。
由上述結果可知，在具有c軸配向的CAAC- OS膜中，雖然a軸及b軸的方向在結晶部之間不同，但是c軸都朝向平行於形成面或頂面的法線向量的方向。因此，在上述剖面TEM影像中觀察到的排列為層狀的各金屬原子層相應於與結晶的a-b面平行的面。
請注意，結晶部在形成CAAC-OS膜或進行加熱處理等晶化處理時形成。如上所述，結晶的c軸朝向平行於CAAC-OS膜的形成面或頂面的法線向量的方向。由此，例如，當CAAC-OS膜的形狀因蝕刻等而發生改變時，結晶的c軸不一定平行於CAAC-OS膜的形成面或頂面的法線向量。
此外，CAAC-OS膜中的晶化度不一定均勻。例如，當CAAC-OS膜的結晶部是由CAAC-OS膜的頂面附近的結晶成長而形成時，有時頂面附近的晶化度高於形成面附近的晶化度。另外，當對CAAC-OS膜添加雜質時，被添加了雜質的區域的晶化度改變，所以有時CAAC-OS膜中的晶化度依區域而不同。
請注意，在藉由out-of-plane法分析包括InGaZnO4結晶的CAAC-OS膜的情況下，除了2θ為31°附近的峰值之外，有時還在2θ為36°附近觀察到峰值。2θ為36°附近的峰值意味著不具有c軸配向的結晶包含在CAAC-OS膜的一部分中。較佳的是，在CAAC-OS膜中，在2θ為31°附近出現峰值並在2θ為36°附近不出現峰值。
在使用CAAC-OS膜的電晶體中，起因於可見光或紫外光的照射的電子特性的變動小。因此，該電晶體 具有高可靠性。
請注意，氧化物半導體膜例如可以是包括非晶氧化物半導體膜、微晶氧化物半導體膜和CAAC-OS膜中的兩種以上的疊層膜。
另外，為了形成CAAC-OS膜，較佳為採用如下條件。
藉由增高沉積時的基板溫度，當發生到達基板的平板狀的濺鍍粒子的遷移時，使濺鍍粒子的平坦的面附著到基板。此時，藉由使濺鍍粒子帶正電，使濺鍍粒子互相排斥地附著到基板，由此可以形成厚度均勻的CAAC-OS膜，而不使濺鍍粒子不均勻地重疊。特別是，較佳的是在將基板溫度設定為100℃以上且740℃以下，較佳為200℃以上且500℃以下的狀態下進行成膜。
此外，藉由減少成膜時的雜質的混入，可以抑制雜質所導致的結晶態的損壞。例如，降低存在於成膜室內的雜質(氫、水、二氧化碳及氮等)的濃度即可。另外，可以降低成膜氣體中的雜質濃度。特別是，使用露點為-80℃以下，較佳為-100℃以下的成膜氣體。
另外，較佳的是，藉由增高成膜氣體中的氧比例並對輸入功率進行最優化，以減輕成膜時的電漿損傷。將成膜氣體中的氧比例設定為30vol.%以上，較佳為100vol.%。
也可以在形成CAAC-OS膜之後進行加熱處理。將加熱處理的溫度設定為100℃以上且740℃以下， 較佳為200℃以上且500℃以下。另外，將加熱處理的時間設定為1分鐘以上且24小時以下，較佳為6分鐘以上且4小時以下。加熱處理可以在惰性氛圍或氧化性氛圍中進行。較佳的是，先在惰性氛圍中進行加熱處理，然後在氧化性氛圍中進行加熱處理。藉由在惰性氛圍中進行加熱處理，可以在短時間內降低CAAC-OS膜的雜質濃度。另一方面，由於在惰性氛圍中進行加熱處理，有可能導致在CAAC-OS膜中形成氧缺陷。在此情況下，藉由在氧化性氛圍中進行加熱處理，可以減少該氧缺陷。另外，藉由進行加熱處理，可以進一步提高CAAC-OS膜的結晶性。另外，也可以在1000Pa以下、100Pa以下、10Pa以下或1Pa以下的減壓下進行加熱處理。藉由在減壓下進行加熱處理，可以在更短時間內降低CAAC-OS膜的雜質濃度。
此外，氧化物半導體膜311含有氧化物半導體膜312含有的元素中的一種以上，並是傳導帶下端的能量為比氧化物半導體膜312近於真空能階0.05eV以上、0.07eV以上、0.1eV以上或0.15eV以上且2eV以下、1eV以下、0.5eV以下或0.4eV以下的氧化物膜。此外，當氧化物半導體膜312至少包含銦時載子遷移率變高，所以是較佳的。此時，當對電晶體的閘極電極(掃描線110)施加電場時，在半導體層120中的傳導帶下端的能量小的氧化物半導體膜312中形成通道。即，藉由在氧化物半導體膜312與閘極絕緣膜(絕緣膜131)之間具有氧化物半導體膜311，可以將電晶體的通道形成在不接觸於絕緣膜 131的氧化物半導體膜312。此外，由於含有氧化物半導體膜312含有的的元素中的一種以上的氧化物半導體膜311，在氧化物半導體膜312與氧化物半導體膜311之間的介面不容易發生介面散射。因此，由於在該介面不阻礙載子的移動，所以電晶體的場效移動率提高。
氧化物半導體膜311例如可使用含有鋁、矽、鈦、鎵、鍺、釔、鋯、錫、鑭、鈰或鉿高於氧化物半導體膜312的原子數比的氧化物膜。特別是，作為氧化物半導體膜311，使用含有1.5倍以上，較佳為2倍以上，更佳為3倍以上的高於氧化物半導體膜312的上述元素的氧化物膜。由於上述元素與氧強固地接合，所以具有抑制氧缺陷產生在氧化物膜中的功能。即，氧化物半導體膜311是與氧化物半導體膜312相比不容易產生氧缺陷的氧化物膜。
或者，當每個氧化物半導體膜312及氧化物半導體膜311是In-M-Zn氧化物時，氧化物半導體膜311含有的In、M及Zn的原子數比為In：M：Zn=x1：y1：z1，氧化物半導體膜312含有的In、M及Zn的原子數比為In：M：Zn=x2：y2：z2，y1/x1必須比y2/x2大。此外，元素M是與In相比與氧的接合力強的金屬元素，例如可以提供Al、Ti、Ga、Y、Zr、Sn、La、Ce、Nd或Hf等。較佳為選擇y1/x1比y2/x2大1.5倍以上的氧化物半導體膜311及氧化物半導體膜312。更佳地選擇y1/x1比y2/x2大2倍以上的氧化物半導體膜311及氧化物半導體膜312。 進一步較佳為選擇y1/x1比y2/x2大3倍以上的氧化物半導體膜311及氧化物半導體膜312。
將氧化物半導體膜311的厚度設定為3nm以上且100nm以下，較佳為3nm以上且50nm以下。將氧化物半導體膜312的厚度設定為3nm以上且200nm以下，較佳為3nm以上且100nm以下，更佳為3nm以上且50nm以下。
此外，氧化物半導體膜313是含有氧化物半導體膜312含有的元素中的一種以上的氧化物膜。氧化物半導體膜313的傳導帶下端的能量為比氧化物半導體膜312近於真空能階0.05eV以上、0.07eV以上、0.1eV以上或0.15eV以上且2eV以下、1eV以下、0.5eV以下或0.4eV以下。由於氧化物半導體膜313含有氧化物半導體膜312含有的元素中的一種以上，所以不容易在氧化物半導體膜312與氧化物半導體膜313之間的介面形成介面能階。當該介面具有介面能階時，有時形成以該介面為通道的臨界電壓不同的第二電晶體，電晶體的表現的臨界電壓變動。因此，藉由設置氧化物半導體膜313，可以降低電晶體的臨界電壓等電子特性的不均勻。
氧化物半導體膜313例如可使用含有鋁、矽、鈦、鎵、鍺、釔、鋯、錫、鑭、鈰或鉿的高於氧化物半導體膜312的原子數比的氧化物膜。特別是，作為氧化物半導體膜313，使用使用含有1.5倍以上，較佳為2倍以上，更佳為3倍以上的高於氧化物半導體膜312的上述 元素的氧化物膜。由於上述元素與氧強固地接合，所以具有抑制氧缺陷產生在氧化物膜中的功能。即，氧化物半導體膜313是與氧化物半導體膜312相比不容易產生氧缺陷的氧化物膜。
或者，當每個氧化物半導體膜312及氧化物半導體膜313是In-M-Zn氧化物時，氧化物半導體膜312含有的In、M及Zn的原子數比為In：M：Zn=x2：y2：z2，氧化物半導體膜313含有的In、M及Zn的原子數比為In：M：Zn=x3：y3：z3，y3/x3必須比y2/x2大。此外，元素M是與In相比與氧的接合力強的金屬元素，例如，可以提供Al、Ti、Ga、Y、Zr、Sn、La、Ce、Nd或Hf等。較佳為選擇y3/x3比y2/x2大1.5倍以上的氧化物半導體膜312及氧化物半導體膜313。更佳地選擇y3/x3比y2/x2大2倍以上的氧化物半導體膜312及氧化物半導體膜313。進一步較佳為選擇y3/x3比y2/x2大3倍以上的氧化物半導體膜312及氧化物半導體膜313。此外，在氧化物半導體膜312中，當y2為x2以上時可以對電晶體賦予穩定的電子特性，所以是較佳的。請注意，當y2為x2的3倍以上時，電晶體的場效移動率下降，所以較佳的是y2為x2以上且小於x2的3倍。
將氧化物半導體膜313的厚度設定為3nm以上且100nm以下，較佳為3nm以上且50nm以下。
在三層結構的半導體層120中，氧化物半導體膜311、氧化物半導體膜312及氧化物半導體膜313為 利用TEM確認不到明確的結晶部的結構或晶體。較佳的是，氧化物半導體膜311為利用TEM確認不到明確的結晶部的結構，氧化物半導體膜312為晶體，氧化物半導體膜313為利用TEM確認不到明確的結晶部的結構或晶體。由於形成通道的氧化物半導體膜312為晶體，所以可以對電晶體賦予穩定的電子特性。
此外，通道形成區域是指在電晶體的半導體層中與閘極電極重疊且夾在源極電極與汲極電極之間的區域。此外，通道是指在通道形成區域中電流主要流過的區域。
這裡，作為氧化物半導體膜311至313藉由濺鍍法形成In-Ga-Zn氧化物膜。
在氧化物半導體膜311及氧化物半導體膜313的成膜中可以使用In-Ga-Zn氧化物(In：Ga：Zn=1：3：2[原子數比])的濺鍍用靶材。成膜條件例如採用如下條件即可：作為成膜氣體使用30sccm的氬氣、15sccm的氧氣；壓力為0.4Pa；基板溫度為200℃；且DC功率為0.5kW。
此外，作為氧化物半導體膜312使用CAAC-OS膜。由此，在成膜中，較佳為使用In-Ga-Zn氧化物(In：Ga：Zn=1：1：1[原子數比])，包含多晶In-Ga-Zn氧化物的濺鍍用靶材。成膜條件例如可以採用如下條件：作為成膜氣體使用30sccm的氬氣、15sccm的氧氣；壓力為0.4Pa；基板溫度為300℃；DC功率為0.5kW。
本實施例可以與其它實施例適當地組合而實施。
實施例3
藉由在圖1的液晶面板10中設置觸控感測器(接觸偵測裝置)，可以將該面板用作觸控面板。
在本實施例中參照圖10至圖12B說明觸控面板。
圖10是顯示使用液晶面板10的觸控面板400的結構例子的剖面圖。觸控面板400作為觸控感測器包含電容式感測器。在基板100的外側設置有偏光板411，在基板200的內側設置有偏光板412。請注意，偏光板412也可以設置在基板200的外側。
基板100的共用電極421形成像素的共用電極及觸控感測器的電容元件的電極。電極422設置在基板200的外側。當偏光板412設置在基板200的外側時，在基板200與偏光板412之間可設置電極422。電極422形成觸控感測器的電容元件的電極。此外，液晶面板10為FFS模式的像素結構，所以不在基板200一側形成導電膜，由此電極422用作基板200的防靜電導體。
參照圖11及圖12A和圖12B說明觸控面板400的觸控感測器。圖11是顯示觸控面板400的共用電極421及電極422的結構例子的平面圖，圖12A是沿著圖11的線C1-C2的剖面圖，圖12B是沿著圖11的區域240 的平面圖。
共用電極421及電極422具有條紋狀的形狀，在平面上共用電極421與電極422正交地配置。而且，在共用電極421與電極422交叉的區域240設置有多個像素31。像素電極116設置在共用電極421與電極422之間，但也可以在像素電極116與電極422之間設置有共用電極421。各共用電極421藉由引線431連接於FPC461，各電極422藉由引線432連接於安裝在基板200上的FPC462。
在共用電極421與電極422交叉的區域形成觸控感測器的電容。在包含共用電極421及電極422為一對電極的電容元件中，共用電極421是用來對該電容元件供應電位的電極。另一方面，電極422是用來取出在電容元件中流過的電流的電極。
觸控面板400的工作大致分為對像素31輸入影像信號的顯示工作以及偵測觸控動作的偵測工作。在顯示工作中，共用電極421的電位固定為低位準。在偵測期間，脈衝信號依次供應到各共用電極421，該電位為高位準。此時，如果用指頭觸碰觸控面板400，由指頭引起的電容施加到觸控感測器的電容元件，由此在電容元件中流過的電流發生變化而改變電極422的電位。藉由依次掃描電極422並偵測偵測電極422的電位變化，能夠偵測偵測指頭的觸碰位置。
如上所述，藉由使用液晶面板10形成觸控面 板，作為形成觸控面板400的電容的電極中的一個可以使用本來設置在FFS模式的液晶面板10中的像素的共用電極，因此可以提供輕量、薄型且高顯示品質的觸控面板。
雖然，在圖10、圖11、圖12A及圖12B中顯示液晶面板10的共用電極421作為觸控感測器的電極的的所謂In-Cell觸控面板400的一個例子，將共用電極421與觸控感測器的電極分別設置的On-Cell觸控面板也包括在本發明的一實施例的範疇內。
圖24及圖25顯示包括在On-Cell觸控面板中的觸控感測器的結構的例子。圖24相應於多個電極451及多個電極452的透視圖，圖25相應於多個電極451及多個電極452的平面圖。圖24及圖25中所示的觸控感測器包括配置在X軸方向上的多個電極451、配置在與X軸方向交叉的Y軸方向上的多個電極452。
多個電極451及多個電極452具有連接有多個矩形狀的導電膜的形狀。而且，在觸控感測器450中，多個電極451及多個電極452以導電膜的具有矩形狀的部分的位置彼此不一致的方式配置。在電極451與電極452交叉的部分在電極451與電極452之間設置有絕緣膜以不使電極451與電極452相互接觸。
圖26顯示電極451與電極452交叉的部分的觸控感測器450的剖面圖的一個例子。在圖26中，電極451包括導電膜451a至導電膜451d。此外，導電膜451a、導電膜451c、導電膜451d及電極452形成在同一 絕緣表面上，在導電膜451a、導電膜451c、導電膜451d及電極452上設置有絕緣膜453。導電膜451b以跨越電極452的方式設置在絕緣膜453上，並且，導電膜451b在設置在絕緣膜453中的開口部連接於導電膜451a及導電膜451c。藉由上述結構，可以以不接觸於電極452的方式使包括導電膜451a至導電膜451d的電極451與電極452交叉。
電極451及電極452可以使用對可見光具有透光性的導電材料，例如，包含氧化矽的氧化銦錫(ITSO)、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅或添加有鎵的氧化鋅(GZO)等形成。請注意，當導電膜451d是用來引線時，導電膜451d並不需要使用對可見光具有透光性的導電材料形成。
圖27顯示電極451與電極452交叉的部分的電路圖。如圖27中所示，在電極451與電極452交叉的部分形成有電容元件454。
圖28顯示實際設計的觸控感測器的遮罩圖。
藉由將具有如上所述的結構的觸控感測器450附加在液晶面板中，可以形成觸控面板。
實施例4
在本實施例中，對降低液晶顯示裝置的耗電量的驅動方法進行說明。藉由採用本實施例的驅動方法，可以進一步降低在像素中包含氧化物半導體電晶體的液晶顯示裝置 的耗電量。下面，參照圖13至圖15對液晶顯示裝置的低耗電量化進行說明。
圖13是顯示本實施例的液晶顯示裝置的結構例子的塊狀圖。如圖13中所示，液晶顯示裝置500包括液晶面板501及控制電路510。液晶面板501對應於圖1的液晶面板10。
液晶顯示裝置500被輸入作為數位資料的影像信號(Video)及用來控制液晶面板501的螢幕的改寫的同步信號(SYNC)。同步信號例如包括水平同步信號(Hsync)、垂直同步訊號(Vsync)及參考時脈信號(CLK)等。
液晶面板501包括顯示部530、掃描線驅動電路540及資料線驅動電路550。顯示部530包括多個像素531。相同行中的像素531都藉由共同的掃描線541連接到掃描線驅動電路540，相同列中的像素531都藉由共同的資料線551連接到資料線驅動電路550。
供應公共電壓(Vcom)與作為電源電壓的高電源電壓(VDD)及低電源電壓(VSS)至液晶面板501。供應公共電壓(以下稱為Vcom)至顯示部530中的每個像素531。
資料線驅動電路550對被輸入的影像信號進行處理，生成資料信號，並對資料線551輸出資料信號。掃描線驅動電路540對掃描線541輸出掃描信號，該掃描信號選擇被寫入資料信號的像素521。
像素531包括切換元件，該切換元件與資料線551之間的電連接由掃描信號控制。當切換元件處於導通狀態時，資料信號從資料線551寫入到像素531。
控制電路510為控制液晶顯示裝置500整體的電路，並產生包含於液晶顯示裝置500中的電路的控制信號的電路。
控制電路510包括控制信號產生電路，該控制信號生成電路由同步信號(SYNC)生成掃描線驅動電路540及資料線驅動電路550的控制信號。掃描線驅動電路540的控制信號包括起始脈衝信號(GSP)、時脈信號(GCLK)等，資料線驅動電路550的控制信號包括起始脈衝信號(SSP)、時脈信號(SCLK)等。例如，控制電路510生成週期相同但相位偏移的多個時脈信號作為時脈信號(GCLK、SCLK)。
另外，控制電路510控制對資料線驅動電路550輸出從液晶顯示裝置500的外部輸入的影像信號(Video)。
資料線驅動電路550包括數位-類比轉換電路552(以下稱為D-A轉換電路552)。D-A轉換電路552將影像信號轉換為類比信號而生成資料信號。
另外，在輸入到液晶顯示裝置500的影像信號為類比信號的情況下，在控制電路510中將影像信號轉換為數位信號而輸出到液晶面板501。
影像信號由每個圖框的影像資料形成。控制 電路510具有如下功能：對影像信號進行影像處理，並根據藉由該處理得到的資料來控制對資料線驅動電路550輸出影像信號的功能。因此，控制電路510包括運動偵測部511，該運動偵測部511藉由對影像信號進行影像處理，來偵測出每個圖框的影像資料的運動。在運動偵測部511中，在偵測不到運動的情況下，控制電路510停止對資料線驅動電路550輸出影像信號，而在偵測出運動的情況下，再次開始輸出影像信號。
對由運動偵測部511進行的用來偵測運動的影像處理沒有特別的限制。偵測運動的方法例如有得到連續的兩個圖框的影像資料之間的差分資料的方法。根據所得到的差分資料可以判斷運動的有無。另外，例如偵測運動向量的方法等。
另外，液晶顯示裝置500可以設置有校正輸入的影像信號的影像信號校正電路。例如，藉由校正影像信號來將比對應於影像信號的灰階的電壓高的電壓施加到像素531。藉由此校正，可以縮短液晶元件536的反應時間。這種藉由對影像信號進行校正處理來驅動控制電路510的方法被稱為過驅動。另外，在進行以影像信號的圖框頻率的整數倍驅動液晶顯示裝置500的倍速驅動的情況下，由控制電路510可產生補償兩個圖框之間的影像資料，或者產生用以在兩個圖框之間進行黑色顯示的影像資料。
以下，參照圖15中所示的時序圖說明，顯示 運動的影像例如動態影像，及沒有運動的影像例如靜態影像的液晶顯示裝置500的運作。圖15顯示垂直同步訊號(Vsync)及從資料線驅動電路550輸出到資料線551的資料信號(Vdata)的信號波形。
圖15為3m圖框期間的液晶顯示裝置500的時序圖。在此，最初的k圖框期間及最後的j圖框期間的影像資料有運動，而其它的圖框期間的影像資料沒有運動。請注意，k和j都是1以上且m-2以下的整數。
在最初的k圖框期間中，運動偵測部511偵測出各圖框的影像資料的運動。控制電路510根據運動偵測部511的偵測結果而將資料信號(Vdata)輸出到資料線551。
另外，在運動偵測部511中，進行用來偵測運動的影像處理，在偵測偵測到第k+1圖框的影像資料沒有運動的情況下，在控制電路510中，根據運動偵測部511的偵測結果而在第k+1圖框期間中停止對資料線驅動電路550輸出影像信號(Video)。因此，從資料線驅動電路550向資料線551的資料信號(Vdata)的輸出停止。另外，為了停止顯示部530的改寫，停止對掃描線驅動電路540及資料線驅動電路550輸出控制信號(例如，起始脈衝信號、時脈信號等)。控制電路510直到由運動偵測部511決定偵測影像資料有運動為止，停止對資料線驅動電路550輸出影像信號，並停止對掃描線驅動電路540及資料線驅動電路550輸出控制信號，來停止顯示部 530的改寫。
請注意，在本說明書中，“停止信號的輸出”是指對供應該信號的導線施加與用來驅動電路的指定的電壓不同的電壓，或者使該導線在電性上處於電浮置狀態。
當停止對顯示部530進行改寫時，相同方向的電場持續施加到液晶元件536，因此有可能導致液晶元件536的液晶的劣化。為了避免上述問題，較佳的是，無論運動偵測部511的偵測結果如何，在預定的時機從控制電路510對掃描線驅動電路540及資料線驅動電路550供應信號來對資料線551寫入使極性反轉的資料信號，由此使施加到液晶元件536的電場的方向反轉。
另外，輸入到資料線551的資料信號的極性以Vcom為標準而決定。在資料信號的電壓高於Vcom的情況下，資料信號的極性為正極性，在資料信號的電壓低於Vcom的情況下，資料信號的極性為負極性。
特別是，如圖15中所示，在第m+1圖框期間，控制電路510對掃描線驅動電路540及資料線驅動電路550輸出控制信號，對資料線驅動電路550輸出影像信號(Video)。資料線驅動電路550對資料線551輸出極性與在第k圖框期間輸出到資料線551的資料信號(Vdata)反轉的資料信號(Vdata)。因此，在偵測不到影像資料的運動的期間的第m+1圖框期間及第2m+1圖框期間，寫入極性反轉的資料信號(Vdata)到資料線551。 在影像資料沒有變化的期間，顯示部530的改寫間歇地進行，因此可以在降低改寫所需的耗電量的同時，可以防止液晶元件536的劣化。
另外，在運動偵測部511中，當偵測出第2m+1圖框以後的影像資料的運動時，控制電路510控制掃描線驅動電路540及資料線驅動電路550來進行顯示部530的改寫。
如上所述，當採用圖15中所示的驅動方法時，不管影像資料(Video)有沒有運動，資料信號(Vdata)的極性在每個m圖框期間反轉。另一方面，在顯示動態影像的期間，在每個圖框進行顯示部530的改寫，在顯示靜態影像的期間，在每m圖框進行顯示部530的改寫。因此，可以降低顯示部530的改寫所需的耗電量，從而，可以抑制由驅動頻率及像素數目的增加引起的耗電量的增加。
如上所述，在液晶顯示裝置500中，根據顯示動態影像還是靜態影像而切換液晶顯示裝置的驅動方法，由此能夠提供在抑制液晶劣化且維持顯示品質的同時，耗電量低的液晶顯示裝置。
請注意，為了防止液晶劣化，資料信號的極性反轉的間隔(在此，m圖框期間)為2秒以下，較佳為1秒以下。
雖然，影像資料的運動的偵測由控制電路510的運動偵測部511進行，但是運動的偵測不需僅執行於運 動偵測部511中。也可以從液晶顯示裝置500的外部對控制電路510輸入有無運動的資料。
影像資料沒有運動的判斷不侷限於連續的兩個圖框的影像資料，而也可以根據液晶顯示裝置500的使用方式適當地決定該判斷時所需要的圖框的個數。例如，當偵測到連續的m圖框影像資料沒有運動時，可以停止顯示部530的改寫。
當多次重寫同一影像來進行靜態影像的顯示時，當影像的轉換能夠被觀察得到時，人的眼睛有可能感到疲勞。由於本實施例的液晶顯示裝置降低了影像資料的重寫頻率，所以具有減少眼睛疲勞的效果。
實施例5
本發明的一實施例的液晶顯示裝置可以抑制耗電量。因此，在難以不斷地被供應電力的攜帶可攜式設備諸如可攜式資訊終端或可攜式遊戲機中，較佳的是使用本發明的一實施例的液晶顯示裝置，因為可以使連續使用時間變長。
本發明的一實施例的液晶顯示裝置可以用於顯示裝置、個人電腦、具備儲存介質的影像再現裝置(典型地是，能夠再現儲存介質的內容，例如DVD(Digital versatile Disc：數位通用磁片)等並具有能夠顯示再現的影像的顯示器的裝置)。除此之外，作為包含本發明的一實施例的包含液晶顯示裝置的電子裝置，可以提供行動電 話、遊戲機(包括可攜式的遊戲機)、可攜式資訊終端、電子書閱讀器、數位相機及數位攝影機等影像拍攝裝置、眼鏡型顯示器(頭戴顯示裝置)、導航系統、音頻再生裝置(車載音響、數位聲訊播放機等)、影印機、傳真機、印表機、複合式印表機、自動存取款機(ATM)、自動售貨機等。圖16A至圖16E顯示這些電子裝置的具體例子。
圖16A顯示可攜式遊戲機，其包括外殼5001、外殼5002、顯示部5003、顯示部5004、麥克風5005、喇叭5006、操作鍵5007、觸控筆5008等。本發明的一實施例的液晶顯示裝置可以用於顯示部5003或顯示部5004。另外，圖16A中所示的可攜式遊戲機具有顯示部5003及顯示部5004兩個顯示部，但是可攜式遊戲機中包含的顯示部的數目不侷限於此。
圖16B顯示顯示裝置，其包括外殼5201、顯示部5202、支架5203等。本發明的一實施例的液晶顯示裝置可以用於顯示部5202。請注意，顯示裝置意指例如用於個人電腦、TV播放接收、廣告顯示等的所有資訊顯示用的顯示裝置。
圖16C是筆記型電腦，其包括外殼5401、顯示部5402、鍵盤5403及指向裝置5404等。本發明的一實施例的液晶顯示裝置可以用於顯示部5402。
圖16D是可攜式資訊終端，其包括第一外殼5601、第二外殼5602、第一顯示部5603、第二顯示部 5604、連接部5605以及操作鍵5606等。第一顯示部5603設置在第一外殼5601中，第二顯示部5604設置在第二外殼5602中。而且，第一外殼5601與第二外殼5602由連接部5605連接，由連接部5605可以改變第一外殼5601和第二外殼5602之間的角度。第一顯示部5603中的影像也可以根據連接部5605所形成的第一外殼5601與第二外殼5602之間的角度進行切換。另外，也可以對第一顯示部5603和第二顯示部5604中的至少一個使用附加有位置輸入裝置的功能的液晶顯示裝置。請注意，可以藉由在液晶顯示裝置中設置觸控面板來附加位置輸入裝置的功能。或者，還可以藉由將被稱為光感測器的光電轉換元件設置在液晶顯示裝置的像素部中附加作為位置輸入裝置的功能。本發明的一實施例的液晶顯示裝置可以用於第一顯示部5603或第二顯示部5604。
圖16E是攝影機，其包括第一外殼5801、第二外殼5802、顯示部5803、操作鍵5804、透鏡5805、連接部5806等。操作鍵5804及透鏡5805設置在第一外殼5801中，顯示部5803設置在第二外殼5802中。並且，第一外殼5801與第二外殼5802由連接部5806連接，由連接部5806可以改變第一外殼5801與第二外殼5802之間的角度。顯示部5803中的影像也可以根據連接部5806所形成的第一外殼5801與第二外殼5802之間的角度進行切換。本發明的一實施例的液晶顯示裝置可以用於顯示部5803。
圖30是行動電話，在外殼6501中設置有顯示部6502、麥克風6503、喇叭6506、攝影機6507、外部連接部6504、操作用按鈕6505a及按鈕6505b。本發明的一實施例的液晶顯示裝置或觸控面板可以用於顯示部6502。本發明的一實施例的液晶顯示裝置或觸控面板由於設置在具有可撓性的基板上，所以也可以應用於如圖30中所示的具有曲面的顯示部6502。
圖31是行動電話，在外殼6001中設置有顯示部6002、麥克風6007、喇叭6004、攝影機6003、外部連接部6006、操作用按鈕6005。本發明的一實施例的液晶顯示裝置或觸控面板可以用於顯示部6002。本發明的一實施例的液晶顯示裝置或觸控面板由於設置在具有可撓性的基板上，所以也可以應用於如圖31中所示的具有曲面的顯示部6002。
本實施例可以與其它實施例適當地組合而實施。
例子1
以下說明如實施例1所述那樣的單元製程中的乾燥處理及控制氛圍的效果。為了確認效果，利用熱脫附譜分析法(TDS：Thermal Desorption Spectroscopy)測量用於液晶面板的電路基板的水分的釋放量，以下說明其結果。
首先，說明用於TDS的七個電路基板A至 G。
電路基板A至D是直到包含形成配向膜全都以相同製程製造的電路基板。而且，在電路基板A至D中在電晶體與像素電極之間形成有包含丙烯酸樹脂的厚度為3μm的有機樹脂膜。並且，對電路基板A在形成配向膜之後不進行加熱處理。對電路基板B在形成配向膜之後，在大約10-4Pa的真空氛圍下以160℃進行1小時的加熱處理。對電路基板C在形成配向膜之後在大氣氛圍下以150℃進行6小時的加熱處理。對電路基板D在形成配向膜之後在大約10-4Pa的真空氛圍下以160℃進行1小時的加熱處理，接著將其暴露於大氣氛圍下10分鐘。
電路基板E至G是直到包含形成配向膜全都以相同製程製造的電路基板。而且，在電路基板E至G中在電晶體與像素電極之間不設置包括丙烯酸樹脂的有機樹脂膜，在覆蓋電晶體的無機絕緣膜上設置有像素電極。並且，對電路基板E在形成配向膜之後不進行加熱處理。對電路基板F在形成配向膜之後在大約10-4Pa的真空氛圍下以160℃進行1小時的加熱處理。對電路基板G在形成配向膜之後在大氣氛圍下以150℃進行6小時的加熱處理。
在TDS中，從60℃上升至230℃，以每分鐘20℃的速率使基板溫度上升，對荷質比(m/z)為18的氣體分子的釋放量進行測量。此外，可估計荷質比(m/z)為18的氣體分子的大部分包含水。另外，在安裝有電路 基板的測量室中測量開始時的氣壓為1.2×10-7Pa。
圖17顯示藉由TDS獲得的從電路基板A至D分離的荷質比(m/z)為18的氣體分子的強度。
在不進行加熱處理的電路基板A中觀察到在基板溫度為90℃附近顯示水的釋放具有較大的峰值。另一方面，在真空氛圍下進行加熱處理的電路基板B與電路基板A不同，在基板溫度為90℃附近不具有顯示水的釋放的峰值。
將在真空氛圍下進行加熱處理的電路基板B與在大氣氛圍下進行加熱處理的電路基板C進行比較，在基板溫度為160℃以下的範圍內，電路基板B的顯示水的釋放的強度比電路基板C高。因此，可推測在真空氛圍下進行加熱處理的電路基板B與在大氣氛圍下進行加熱處理的電路基板C相比電路基板所包含的各膜所包含的水量更少。
此外，在真空氛圍下進行加熱處理之後暴露於大氣氛圍下的電路基板D中觀察到在基板溫度為80℃附近顯示水的釋放的峰值。因此，當將在真空氛圍下進行加熱處理的電路基板B與在真空氛圍下進行加熱處理之後暴露於大氣氛圍下的電路基板D進行比較時，可推測電路基板D的電路基板所包含的各膜所包含的水量比電路基板B多。
此外，圖18顯示藉由TDS獲得的從電路基板E至G釋放的具有荷質比(m/z)為18的氣體分子的強 度。
當將圖17中所示的包含有機樹脂膜的電路基板A的強度與圖18中所示的未包含有機樹脂膜的電路基板E的強度進行比較時，可知在所有溫度範圍內電路基板A的強度比電路基板E高。因此，可認為在形成配向膜之後在不進行加熱處理的電路基板A及電路基板E中，包含有機樹脂膜的電路基板A的水釋放量比電路基板E多，該水釋放量的差異是有機樹脂膜所包含的水所引起的。
此外，當將圖17中所示的包含有機樹脂膜的電路基板C的強度與圖18中所示的未包含有機樹脂膜的電路基板G的強度進行比較時，可知在所有溫度範圍內電路基板C的強度比電路基板G高。因此，可認為在形成配向膜之後在大氣氛圍下進行加熱處理的電路基板C及電路基板G中，包含有機樹脂膜的電路基板C的水釋放量比電路基板G多，該水釋放量的差異是有機樹脂膜所包含的水所引起的。
此外，當將圖17中所示的包含有機樹脂膜的電路基板B的強度與圖18中所示的未包含機樹脂膜的電路基板F的強度進行比較時，可知在100℃以下的溫度範圍內強度沒有顯著差異，當超過100℃時電路基板B的強度變高。因此，可認為在形成配向膜之後，在真空氛圍下進行加熱處理的電路基板B及電路基板F中，包含有機樹脂膜的電路基板B的水釋放量比電路基板F多，該水釋放 量的差異是有機樹脂膜所包含的水所引起的。請注意，在真空氛圍下進行加熱處理的電路基板B及電路基板F中，其水釋放量的差異與電路基板A及電路基板E的情況以及電路基板C及電路基板G的情況相比較小。因此，可認為有機樹脂膜所包含的水與不進行加熱處理的情況以及在大氣氛圍下進行加熱處理的情況相比，藉由進行真空氛圍下的加熱處理，可以效率更好地進行釋放。
從上述TDS結果可知，本發明的一實施例的液晶面板中的有機樹脂膜所含有的水量較少，該液晶面板是在真空氛圍下以160℃進行加熱處理之後，以不暴露於大氣(例如，氛圍為氮氛圍)的方式將液晶層密封在基板間而得到的。
接著，說明液晶面板所包含的掃描線驅動電路的工作裕寬的時間變化。測量工作裕寬的時間變化的液晶面板H及I與藉由TDS測量的電路基板A至D同樣，都是直到包含形成配向膜以相同製程步驟的液晶面板。而且，在液晶面板H及I中，將掃描線驅動電路與像素形成於同一基板上，在掃描線驅動電路所包含的電晶體上形成有包含丙烯酸樹脂的厚度為3μm的有機樹脂膜。
對液晶面板H在形成配向膜之後，在大約10-4Pa的真空氛圍下以160℃進行1小時的加熱處理。然後，在氮氛圍下將密封材料置於基板上，將液晶材料滴落在由密封材料圍繞的區域，接著，在真空氛圍下使基板彼此貼合，以製造液晶層密封在基板間的液晶面板H。
此外，對液晶面板I在形成配向膜之後，在大氣氛圍下以150℃進行6小時的加熱處理。然後，在大氣氛圍下將密封材料描畫於基板上，將液晶材料滴落在由密封材料圍繞的區域，接著在真空氛圍下使基板彼此貼合，來製造液晶層密封在基板間的液晶面板I。
上述液晶面板H及I各包含的掃描線驅動電路的工作裕寬(V)的測量藉由用示波器觀察如下信號波形來進行，也就是對掃描線驅動電路的移位暫存器所包含的959級的順序電路輸入起始脈衝信號及時脈信號，由此從最後級的順序電路輸出的信號波形。
作為起始脈衝信號使用以60Hz的頻率連續出現68.3μsec寬度的脈衝的信號。此外，時脈信號及起始脈衝信號的低電壓GVSS為-14V。而且，將最高電壓GVDD的+14V與發生工作故障的電壓(工作故障電壓)之間的差定義為工作裕寬，工作故障電壓是當時脈信號及起始脈衝信號的高電壓GVDD從+14V漸漸降低時，從最後級的順序電路輸出的信號的波形發生畸變的高電壓GVDD值。
圖19顯示液晶面板H所包含的掃描線驅動電路的相對於工作時間(hour)的工作裕寬(V)的變化。此外，圖20顯示液晶面板I所包含的掃描線驅動電路的相對於工作時間(hour)的工作裕寬(V)的變化。
從圖19及圖20可知工作開始時液晶面板H及I的工作裕寬都大約為22V，但是220時間後液晶面板H的工作裕大約為17V，液晶面板I的工作裕寬大約為 7V。因此，液晶面板I的工作裕寬與液晶面板H相比在短時間內變小，由此，可推測液晶面板H的掃描線驅動電路包含的電晶體的臨界電壓的漂移量比液晶面板I小。
35‧‧‧電晶體
100‧‧‧基板
110‧‧‧掃描線
111‧‧‧資料線
112‧‧‧電極
115‧‧‧共用電極
116‧‧‧像素電極
120‧‧‧半導體層
131‧‧‧絕緣膜
132‧‧‧絕緣膜
133‧‧‧絕緣膜
134‧‧‧絕緣膜
135‧‧‧有機樹脂膜
136‧‧‧絕緣膜
137‧‧‧配向膜
140‧‧‧液晶層
170‧‧‧元件層
200‧‧‧基板
210‧‧‧黑矩陣
211‧‧‧彩色濾光片
212‧‧‧保護層
213‧‧‧配向膜

Claims (17)

  1. 一種液晶顯示裝置，包括：具有可撓性的第一基板，該第一基板上的層，該層包括：包括源極電極及汲極電極的電晶體；該電晶體上的第一絕緣膜；該第一絕緣膜上的有機樹脂膜；該有機樹脂膜上的共用電極，且該共用電極與該有機樹脂膜接觸；該共用電極上的第二絕緣膜；該第二絕緣膜上的像素電極，且該像素電極經由該第一絕緣膜與該有機樹脂膜中的開口電連接至該源極電極及該汲極電極的一者；以及該像素電極及該共用電極上的配向膜；該層上的具有可撓性的第二基板；以及被密封構件密封在該第一基板與該第二基板之間的液晶層，其中，該電晶體的通道包括，包含結晶部的氧化物半導體膜，並且其中，在該開口中該第二絕緣膜與該有機樹脂膜的一部分及該源極電極及該汲極電極的一者的上表面的一部分接觸。
  2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該氧化物半導體膜包含In、Ga及Zn。
  3. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，還包括該第一基板與該層之間的黏合劑。
  4. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該層還包括第三絕緣膜，其中該電晶體設置在該第三絕緣膜上。
  5. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，更包含電連接至該電晶體的掃描線及資料線。
  6. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中，該第一絕緣膜包含第一層、該第一層上的第二層、及該第二層上的第三層。
  7. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中，該第三層包含氮及矽。
  8. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該共用電極包含透明導電膜。
  9. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該像素電極包含透明導電膜。
  10. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，更包含該液晶層及該第二基板之間的彩色濾光片，其中該彩色濾光片與該像素電極重疊。
  11. 一種觸控面板，包括：如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置；以及該第二基板上的具有條紋狀的多個電極，其中，該共用電極包括具有條紋狀的區域並與該多個電極交叉地配置，且在該多個電極與該共用電極之間形成 有電容，並且其中，基於該多個電極的電位的變化可以偵測接觸。
  12. 一種液晶顯示裝置的製造方法，包括：形成包括源極電極及汲極電極的電晶體在第一基板上；形成包括第一開口的第一絕緣膜在該電晶體上；形成包括第二開口的有機樹脂膜在該第一絕緣膜上；形成共用電極在該有機樹脂膜上，且該共用電極與該有機樹脂膜接觸；形成第二絕緣膜在該共用電極上，且該第二絕緣膜在該第二開口中與該有機樹脂膜接觸和在該第一開口中與該源極電極及該汲極電極的一者的上表面接觸；形成像素電極在該第二絕緣膜上，且該像素電極電連接至該源極電極及該汲極電極的一者；在形成該像素電極之後加熱該第一基板及第二基板而進行乾燥處理；在加熱該第二基板之後滴落液晶材料在該第二基板上；以及以位於該第一基板及該第二基板之間的該液晶材料將該第一基板及該第二基板相互接合，其中，該電晶體的通道包括氧化物半導體膜，並且其中，加熱該第一基板及該第二基板及滴落該液晶材料的該步驟以不暴露於大氣的方式接續進行。
  13. 如申請專利範圍第12項的液晶顯示裝置的製造 方法，其中，接合的該步驟在露點溫度為-60℃或低於-60℃的氛圍中進行。
  14. 如申請專利範圍第12項之液晶顯示裝置的製造方法，其中該第一基板及該第二基板的其中之一由陶瓷層覆蓋。
  15. 如申請專利範圍第12項之液晶顯示裝置的製造方法，其中該氧化物半導體膜包含In、Ga及Zn。
  16. 如申請專利範圍第12項之液晶顯示裝置的製造方法，其中該共用電極包含透明導電膜。
  17. 如申請專利範圍第12項之液晶顯示裝置的製造方法，其中該像素電極包含透明導電膜。
TW102135513A 2012-10-12 2013-10-01 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法 TWI681233B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-227335 2012-10-12
JP2012227335 2012-10-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201428389A TW201428389A (zh) 2014-07-16
TWI681233B true TWI681233B (zh) 2020-01-01

Family

ID=50452902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102135513A TWI681233B (zh) 2012-10-12 2013-10-01 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (3) US20140104508A1 (zh)
JP (3) JP6317905B2 (zh)
KR (1) KR102156943B1 (zh)
CN (1) CN103728757A (zh)
TW (1) TWI681233B (zh)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10416504B2 (en) 2013-05-21 2019-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
TWI636309B (zh) 2013-07-25 2018-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及電子裝置
KR102239367B1 (ko) 2013-11-27 2021-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
JP2016013958A (ja) 2013-12-02 2016-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 素子、膜の作製方法
US9229481B2 (en) 2013-12-20 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10073571B2 (en) 2014-05-02 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor and touch panel including capacitor
US10656799B2 (en) 2014-05-02 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and operation method thereof
CN106463080B (zh) * 2014-06-13 2019-08-20 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP6698321B2 (ja) * 2014-12-02 2020-05-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN104571701B (zh) * 2014-12-29 2017-12-15 深圳市华星光电技术有限公司 图像均匀性显示的方法、装置及系统
KR102320514B1 (ko) * 2014-12-30 2021-11-02 엘지디스플레이 주식회사 터치 방식 액정표시장치
US10139663B2 (en) * 2015-05-29 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and electronic device
JP2016222526A (ja) 2015-05-29 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 膜の作製方法および素子
CN104951132B (zh) * 2015-06-02 2018-08-28 业成光电（深圳）有限公司 触控显示面板结构
US10720701B2 (en) * 2015-10-09 2020-07-21 Sharp Kabushiki Kaisha Scanning antenna and method for driving same
JP6139044B1 (ja) * 2015-10-15 2017-05-31 シャープ株式会社 走査アンテナおよびその製造方法
CN108352138B (zh) * 2015-11-06 2020-09-29 夏普株式会社 显示基板以及显示装置
US10558265B2 (en) 2015-12-11 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input device and system of input device
JP6557601B2 (ja) * 2015-12-29 2019-08-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、表示装置の製造方法
KR102370488B1 (ko) 2016-03-15 2022-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 모듈, 및 전자 기기
CN108780757B (zh) 2016-03-22 2022-08-23 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
KR102340066B1 (ko) * 2016-04-07 2021-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법 및 플렉시블 디바이스의 제작 방법
TWI614556B (zh) * 2016-04-28 2018-02-11 群創光電股份有限公司 電晶體基板及使用此電晶體基板所製得之顯示裝置
KR102570314B1 (ko) * 2016-06-08 2023-08-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN106249959B (zh) * 2016-08-15 2018-12-28 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸屏及显示装置
KR20180047606A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108346622B (zh) 2017-01-25 2021-02-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
CN107315296A (zh) * 2017-07-24 2017-11-03 武汉华星光电技术有限公司 Ltps阵列基板及内嵌式触摸屏
CN111771283A (zh) * 2018-01-11 2020-10-13 应用材料公司 具有金属氧化物开关的小型存储电容器的薄膜晶体管
CN113671759A (zh) * 2021-08-17 2021-11-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200841100A (en) * 2007-04-02 2008-10-16 Innolux Display Corp Liquid crystal panel
JP2009103797A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
US20100073615A1 (en) * 2008-09-22 2010-03-25 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device and fabrication method thereof
CN101750821A (zh) * 2008-12-03 2010-06-23 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器
TW201143051A (en) * 2009-12-04 2011-12-01 Carestream Health Inc Coplanar high fill factor pixel architecture
US20110300770A1 (en) * 2005-02-17 2011-12-08 Konica Minolta Holdings, Inc. Gas barrier film, gas barrier film manufacturing method, resin substrate for organic electroluminescent device using the aforesaid gas barrier film, and organic electroluminescent device using the aforementioned gas barrier film
TW201234244A (en) * 2010-09-28 2012-08-16 Sony Corp Display device with touch detection function and electronic unit

Family Cites Families (180)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
JPH11505377A (ja) 1995-08-03 1999-05-18 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体装置
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
KR100269518B1 (ko) 1997-12-29 2000-10-16 구본준 박막트랜지스터 제조방법
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP2001125108A (ja) * 1999-10-29 2001-05-11 Seiko Epson Corp 配向膜の製造方法及び液晶装置の製造方法
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
WO2003040441A1 (en) 2001-11-05 2003-05-15 Japan Science And Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
TW580592B (en) * 2001-11-28 2004-03-21 Sharp Kk Image shifting device, image display, liquid crystal display, and projection image display
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
US7049190B2 (en) 2002-03-15 2006-05-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4373136B2 (ja) * 2002-10-15 2009-11-25 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の組立て方法及び基板の組立て装置
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
JP2005164854A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
JP4217170B2 (ja) * 2004-01-28 2009-01-28 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置およびその駆動方法
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
KR20070116889A (ko) 2004-03-12 2007-12-11 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 아몰퍼스 산화물 박막의 기상성막방법
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
KR101132266B1 (ko) * 2004-03-26 2012-04-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
WO2005115060A1 (en) 2004-05-21 2005-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
CN101057333B (zh) 2004-11-10 2011-11-16 佳能株式会社 发光器件
BRPI0517568B8 (pt) 2004-11-10 2022-03-03 Canon Kk Transistor de efeito de campo
JP5126729B2 (ja) 2004-11-10 2013-01-23 キヤノン株式会社 画像表示装置
KR100889796B1 (ko) 2004-11-10 2009-03-20 캐논 가부시끼가이샤 비정질 산화물을 사용한 전계 효과 트랜지스터
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI562380B (en) 2005-01-28 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
TWI569441B (zh) 2005-01-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7544967B2 (en) 2005-03-28 2009-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5078246B2 (ja) 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
EP3614442A3 (en) 2005-09-29 2020-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101397571B1 (ko) 2005-11-15 2014-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그의 제조방법
US7998372B2 (en) 2005-11-18 2011-08-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Semiconductor thin film, method for manufacturing the same, thin film transistor, and active-matrix-driven display panel
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
US8106865B2 (en) 2006-06-02 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP5170985B2 (ja) * 2006-06-09 2013-03-27 株式会社ジャパンディスプレイイースト 液晶表示装置
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
WO2007148601A1 (ja) 2006-06-19 2007-12-27 Panasonic Corporation 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびにそれを用いた電子機器
JP5328083B2 (ja) 2006-08-01 2013-10-30 キヤノン株式会社 酸化物のエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4923847B2 (ja) * 2006-08-21 2012-04-25 ソニー株式会社 液晶表示パネル
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR101312259B1 (ko) 2007-02-09 2013-09-25 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
JP4727684B2 (ja) 2007-03-27 2011-07-20 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP2008276211A (ja) 2007-04-05 2008-11-13 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置およびパターニング方法
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
WO2008133345A1 (en) 2007-04-25 2008-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Oxynitride semiconductor
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US7935964B2 (en) 2007-06-19 2011-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same
KR20090002841A (ko) 2007-07-04 2009-01-09 삼성전자주식회사 산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5380723B2 (ja) * 2007-08-07 2014-01-08 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 面表示装置及び電子機器
JP5215158B2 (ja) 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
US20100295042A1 (en) 2008-01-23 2010-11-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Field-effect transistor, method for manufacturing field-effect transistor, display device using field-effect transistor, and semiconductor device
KR20090100056A (ko) * 2008-03-19 2009-09-23 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4555358B2 (ja) 2008-03-24 2010-09-29 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
JP4816668B2 (ja) 2008-03-28 2011-11-16 ソニー株式会社 タッチセンサ付き表示装置
KR100941850B1 (ko) 2008-04-03 2010-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
KR101461127B1 (ko) 2008-05-13 2014-11-14 삼성디스플레이 주식회사 반도체 장치 및 이의 제조 방법
KR100963027B1 (ko) 2008-06-30 2010-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
KR100963026B1 (ko) 2008-06-30 2010-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
JP5345456B2 (ja) 2008-08-14 2013-11-20 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタ
US9082857B2 (en) 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
JP2010066396A (ja) * 2008-09-09 2010-03-25 Toshiba Mobile Display Co Ltd 液晶表示装置
CN102150191B (zh) 2008-09-12 2013-07-24 株式会社半导体能源研究所 显示装置
WO2010029865A1 (en) 2008-09-12 2010-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
KR102413263B1 (ko) 2008-09-19 2022-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
KR102246123B1 (ko) 2008-09-19 2021-04-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20160113329A (ko) 2008-10-03 2016-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
EP2172977A1 (en) 2008-10-03 2010-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
JP5361651B2 (ja) 2008-10-22 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2180518B1 (en) 2008-10-24 2018-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8741702B2 (en) 2008-10-24 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5616012B2 (ja) 2008-10-24 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2010047288A1 (en) 2008-10-24 2010-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductordevice
KR101667909B1 (ko) 2008-10-24 2016-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
CN103730509B (zh) 2008-11-07 2018-03-30 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
TWI502739B (zh) 2008-11-13 2015-10-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TWI508304B (zh) 2008-11-28 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
KR101343570B1 (ko) 2008-12-18 2013-12-20 한국전자통신연구원 보론이 도핑된 산화물 반도체 박막을 적용한 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
US8704216B2 (en) 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5178631B2 (ja) * 2009-05-26 2013-04-10 株式会社ジャパンディスプレイウェスト タッチセンサ、表示装置および電子機器
JP5564331B2 (ja) 2009-05-29 2014-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8289489B2 (en) 2009-08-17 2012-10-16 Hydis Technologies Co., Ltd. Fringe-field-switching-mode liquid crystal display and method of manufacturing the same
JP2011054812A (ja) 2009-09-03 2011-03-17 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
EP3217435A1 (en) 2009-09-16 2017-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
KR101730347B1 (ko) 2009-09-16 2017-04-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101250319B1 (ko) * 2009-10-06 2013-04-03 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
KR102399469B1 (ko) 2009-10-08 2022-05-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101801959B1 (ko) 2009-10-21 2017-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치를 구비하는 전자기기
JP2011095455A (ja) * 2009-10-29 2011-05-12 Hitachi Displays Ltd 表示装置
KR101499494B1 (ko) 2009-10-30 2015-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리 회로 및 반도체 장치
WO2011055474A1 (ja) * 2009-11-09 2011-05-12 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及びそれを備えた液晶表示パネル、並びにアクティブマトリクス基板の製造方法
KR101501420B1 (ko) 2009-12-04 2015-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101701208B1 (ko) * 2010-01-15 2017-02-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판
JP2011186453A (ja) * 2010-02-12 2011-09-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
KR20130009978A (ko) * 2010-02-26 2013-01-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자의 제조 방법 및 성막 장치
KR101706081B1 (ko) * 2010-04-06 2017-02-15 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR101827340B1 (ko) * 2010-07-14 2018-02-09 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP5653686B2 (ja) * 2010-08-24 2015-01-14 株式会社ジャパンディスプレイ タッチ検出機能付き表示装置
EP2428994A1 (en) 2010-09-10 2012-03-14 Applied Materials, Inc. Method and system for depositing a thin-film transistor
US8558960B2 (en) 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP5615647B2 (ja) 2010-09-24 2014-10-29 株式会社ジャパンディスプレイ タッチ検出機能付き表示装置および電子機器
JP5457321B2 (ja) * 2010-09-28 2014-04-02 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
WO2012050060A1 (ja) * 2010-10-14 2012-04-19 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
TWI525818B (zh) 2010-11-30 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之製造方法
CN103270601B (zh) * 2010-12-20 2016-02-24 夏普株式会社 半导体装置和显示装置
KR101514594B1 (ko) * 2011-03-25 2015-04-22 샤프 가부시키가이샤 표시 장치
KR101799529B1 (ko) * 2011-04-21 2017-12-20 엘지디스플레이 주식회사 터치센서 인셀 타입 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법
JP6351947B2 (ja) 2012-10-12 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
KR101507220B1 (ko) * 2013-03-28 2015-03-30 엘지디스플레이 주식회사 전도성 코팅 조성물 및 이를 포함하는 표시장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110300770A1 (en) * 2005-02-17 2011-12-08 Konica Minolta Holdings, Inc. Gas barrier film, gas barrier film manufacturing method, resin substrate for organic electroluminescent device using the aforesaid gas barrier film, and organic electroluminescent device using the aforementioned gas barrier film
TW200841100A (en) * 2007-04-02 2008-10-16 Innolux Display Corp Liquid crystal panel
JP2009103797A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
US20100073615A1 (en) * 2008-09-22 2010-03-25 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device and fabrication method thereof
CN101750821A (zh) * 2008-12-03 2010-06-23 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器
TW201143051A (en) * 2009-12-04 2011-12-01 Carestream Health Inc Coplanar high fill factor pixel architecture
TW201234244A (en) * 2010-09-28 2012-08-16 Sony Corp Display device with touch detection function and electronic unit

Also Published As

Publication number Publication date
US10007133B2 (en) 2018-06-26
JP2021103313A (ja) 2021-07-15
CN103728757A (zh) 2014-04-16
KR102156943B1 (ko) 2020-09-16
TW201428389A (zh) 2014-07-16
US20140104508A1 (en) 2014-04-17
US10401662B2 (en) 2019-09-03
JP6317905B2 (ja) 2018-04-25
US20180284499A1 (en) 2018-10-04
US20170160573A1 (en) 2017-06-08
JP2014095895A (ja) 2014-05-22
JP2018132770A (ja) 2018-08-23
KR20140047536A (ko) 2014-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI681233B (zh) 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法
JP6832414B2 (ja) トランジスタ
JP7400038B2 (ja) 表示装置
JP6351947B2 (ja) 液晶表示装置の作製方法
JP7377912B2 (ja) 表示装置
JP6503157B2 (ja) 液晶表示装置
JP7350913B2 (ja) 電子機器
JP6949171B2 (ja) 表示装置
JP2022008355A (ja) 半導体装置の作製方法
JP6300489B2 (ja) 半導体装置の作製方法
KR20170135844A (ko) 산화물 반도체막, 상기 산화물 반도체막을 포함하는 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP6010291B2 (ja) 表示装置の駆動方法