CN107315296A - Ltps阵列基板及内嵌式触摸屏 - Google Patents

Ltps阵列基板及内嵌式触摸屏 Download PDF

Info

Publication number
CN107315296A
CN107315296A CN201710607834.2A CN201710607834A CN107315296A CN 107315296 A CN107315296 A CN 107315296A CN 201710607834 A CN201710607834 A CN 201710607834A CN 107315296 A CN107315296 A CN 107315296A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
prepared
metal
array base
source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710607834.2A
Other languages
English (en)
Inventor
吕绍卿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201710607834.2A priority Critical patent/CN107315296A/zh
Publication of CN107315296A publication Critical patent/CN107315296A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本发明提供一种LTPS阵列基板，包括玻璃基板、制备于玻璃基板表面的缓冲层、制备于缓冲层表面的栅绝缘层、制备于栅绝缘层表面的间绝缘层，间绝缘层表面形成有源极金属、漏极金属与连接源极金属的数据线，还包括位于间绝缘层之上的平坦化层；以及保护层，制备于间绝缘层表面，且覆盖源极金属、漏极金属、数据线以及触控信号连接线，平坦化层制备于保护层表面；有益效果为：本发明提供的LTPS阵列基板，通过制备保护层将薄膜晶体管的源/漏极金属与平坦化层隔绝，进而保护源/漏极金属免受水汽腐蚀。

Description

LTPS阵列基板及内嵌式触摸屏
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种LTPS阵列基板及具有所述LTPS阵列基板的内嵌式触摸屏。
背景技术
低温多晶硅(low temperature poly-silicon，简称为LTPS)薄膜晶体管液晶显示器有别于传统的非晶硅薄膜晶体管液晶显示器，其电子迁移率可以达到200cm2/V-sec以上，可有效减小薄膜晶体管器件的面积，从而达到提高开口率，并且在增进显示器亮度的同时还可以降低整体的功耗。另外，较高的电子迁移率可以将部分驱动电路集成在玻璃基板上，减少了驱动IC(integrated circuit，集成电路)，还可以大幅提升液晶显示面板的可靠度，从而使得面板的制造成本大幅降低；因此，LTPS薄膜晶体管液晶显示器逐步成为研究的热点。
正常架构的LTPS阵列基板，在制备完薄膜晶体管的源极金属与漏极金属之后，在其上沉积平坦化层，然而平坦化层为有机高分子材料，在高温、高湿的制备环境中易吸收空气中的水汽，与平坦化层接触的源极金属与漏极金属受水汽腐蚀而导致线路短路，进而影响液晶显示面板的显示效果。
发明内容
本发明提供一种LTPS阵列基板，能够将薄膜晶体管的源/漏极金属与平坦化层隔绝，保护源/漏极金属免受水汽腐蚀，以解决现有的LTPS阵列基板，薄膜晶体管的源/漏极金属与易吸收水汽的平坦化层直接接触，导致源/漏极金属受水汽腐蚀而导致线路短路，进而影响液晶显示面板的显示效果的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种LTPS阵列基板，包括：设置于阵列基板中间的显示区域，以及设置于所述阵列基板边缘的非显示区域；所述显示区域内阵列分布有薄膜晶体管；
所述阵列基板包括：
玻璃基板；
LTPS器件，制备于所述玻璃基板表面；所述LTPS器件包括有源层，所述有源层包括沟道区、位于所述沟道区一侧的源极掺杂区、以及位于所述沟道区相对另一侧的漏极掺杂区；
栅绝缘层，制备于所述缓冲层表面；
栅极金属、栅线，所述栅极金属和所述栅线均形成于所述栅绝缘层表面，所述栅极金属与所述栅线连接；
间绝缘层，制备于所述栅绝缘层表面；
源极金属、漏极金属、数据线，形成于所述间绝缘层表面，所述源极金属、所述漏极金属和所述数据线均位于所述显示区，所述源极金属通过源极通孔连接于所述源极掺杂区，所述漏极金属通过漏极通孔连接于所述漏极掺杂区；
保护层，制备于所述间绝缘层表面，且覆盖所述源极金属、所述漏极金属与所述数据线；
平坦化层，制备于所述保护层表面；
其中，所述保护层用于防止穿透所述平坦化层的水汽与所述源极金属、所述漏极金属、所述数据线中的至少一者接触。
根据本发明一优选实施例，所述保护层为氮化硅薄膜。
根据本发明一优选实施例，所述保护层的膜厚为90nm～110nm。
根据本发明一优选实施例，所述阵列基板还包括：
第一介质层，制备于所述平坦化层表面；所述第一介质层表面形成有感应电极线；
第二介质层，制备于所述第一介质层表面；
公共电极层，制备于所述第二介质层表面；所述公共电极层经图形化处理形成相互绝缘的公共电极板；每一所述公共电极板，通过感应电极通孔连接相对应的所述感应电极线，每一所述感应电极线通过过孔结构连接相对应的触控信号连接线的一端，所述触控信号连接线的另一端连接至触控芯片；
钝化层，制备于所述第二介质层表面；
像素电极，形成于所述钝化层表面，每一所述像素电极通过一像素电极通孔连接至相对应的所述漏极金属。
根据本发明一优选实施例，所述保护层采用等离子体增强化学气相沉积工艺制备于所述间绝缘层表面。
依据本发明的上述目的，提出一种内嵌式触摸屏，包括：
彩膜基板；
阵列基板，与所述彩膜基板相对设置；包括设置于所述阵列基板中间的显示区域，以及设置于所述阵列基板边缘的非显示区域；所述显示区域内阵列分布有薄膜晶体管；
液晶层，设置于所述彩膜基板与所述阵列基板之间；
所述阵列基板包括：
玻璃基板；
LTPS器件，制备于所述玻璃基板表面；所述LTPS器件包括有源层，所述有源层包括沟道区、位于所述沟道区一侧的源极掺杂区、以及位于所述沟道区相对另一侧的漏极掺杂区；
栅绝缘层，制备于所述缓冲层表面；
栅极金属、栅线，所述栅极金属和所述栅线均形成于所述栅绝缘层表面，所述栅极金属与所述栅线连接；
间绝缘层，制备于所述栅绝缘层表面；
源极金属、漏极金属、数据线，形成于所述间绝缘层表面，所述源极金属、所述漏极金属和所述数据线均位于所述显示区，所述源极金属通过源极通孔连接于所述源极掺杂区，所述漏极金属通过漏极通孔连接于所述漏极掺杂区；
保护层，制备于所述间绝缘层表面，且覆盖所述源极金属、所述漏极金属与所述数据线；
平坦化层，制备于所述保护层表面；
其中，所述保护层用于防止穿透所述平坦化层的水汽与所述源极金属、所述漏极金属、所述数据线中的至少一者接触。
根据本发明一优选实施例，所述保护层为氮化硅薄膜。
根据本发明一优选实施例，所述保护层的膜厚为90nm～110nm。
根据本发明一优选实施例，所述阵列基板还包括：
第一介质层，制备于所述平坦化层表面；所述第一介质层表面形成有感应电极线；
第二介质层，制备于所述第一介质层表面；
公共电极层，制备于所述第二介质层表面；所述公共电极层经图形化处理形成相互绝缘的公共电极板；每一所述公共电极板，通过感应电极通孔连接相对应的所述感应电极线，每一所述感应电极线通过过孔结构连接相对应的触控信号连接线的一端，所述触控信号连接线的另一端连接至触控芯片；
钝化层，制备于所述第二介质层表面；
像素电极，形成于所述钝化层表面，每一所述像素电极通过一像素电极通孔连接至相对应的所述漏极金属。
根据本发明一优选实施例，所述保护层采用等离子体增强化学气相沉积工艺制备于所述间绝缘层表面。
本发明的有益效果为：相较于现有的LTPS阵列基板，本发明提供的LTPS阵列基板，通过制备保护层将薄膜晶体管的源/漏极金属与平坦化层隔绝，进而保护源/漏极金属免受水汽腐蚀，以解决现有的LTPS阵列基板，薄膜晶体管的源/漏极金属与易吸收水汽的平坦化层直接接触，导致源/漏极金属受水汽腐蚀而导致线路短路，进而影响液晶显示面板的显示效果的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明LTPS阵列基板膜层结构示意图；
图2为本发明内嵌式触摸屏结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的LTPS阵列基板，薄膜晶体管的源/漏极金属与易吸收水汽的平坦化层直接接触，导致源/漏极金属受水汽腐蚀而导致线路短路，进而影响液晶显示面板的显示效果的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
如图1所示，本发明所提供的LTPS阵列基板，包括位于所述阵列基板中间的显示区域，以及位于所述阵列基板边缘的非显示区域。
所述显示区域内包括：阵列分布的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为LTPS薄膜晶体管，薄膜晶体管包括LTPS器件(半导体器件)、栅极金属1032、源极金属1033和漏极金属1034；所述显示区域内还包括横向设置的扫描线、以及纵向设置的数据线，所述扫描线与所述数据线垂直相交形成若干显示像素，所述显示像素内对应设置一像素电极1031以及一所述薄膜晶体管；每一所述薄膜晶体管的栅极金属1032连接相对应的所述扫描线，每一所述薄膜晶体管的源极金属1033连接相对应的所述数据线，每一所述薄膜晶体管的漏极金属1034连接相对应的所述像素电极1031。所述扫描线为相连接的所述薄膜晶体管提供开关控制信号，所述数据线为相连接的所述薄膜晶体管提供数据信号，当所述薄膜晶体管为开启状态，所述数据线上的数据信号经过所述薄膜晶体管的源极至所述薄膜晶体管的漏极后，传输至相对应的所述像素电极1031，进而调节所述像素电极1031与公共电极之间的电压差。
所述非显示区域内设置有IC绑定区以及若干金属走线，所述金属走线用以实现所述显示区域内的线路与所述IC绑定区的连接端之间的导通。
具体的，所述LTPS阵列基板包括：玻璃基板104；所述玻璃基板104表面形成有金属遮光层1035；缓冲层105，制备于所述玻璃基板104表面；所述缓冲层105表面形成有有源层，所述有源层包括沟道区1037、位于所述沟道区1037一侧的源极掺杂区1038、以及位于所述沟道区1037相对另一侧的漏极掺杂区1039；栅绝缘层106，制备于所述缓冲层105表面；所述栅绝缘层106表面形成有栅极金属1032，以及连接所述栅极金属1032的栅线；间绝缘层107，制备于所述栅绝缘层106表面。
所述间绝缘层107表面形成有第一金属层，所述第一金属层经图形化处理，形成位于所述显示区域的源极金属1033、漏极金属1034与连接所述源极金属1033的数据线，以及位于所述非显示区域的若干触控信号连接线108，所述源极金属1033通过源极通孔109连接于所述源极掺杂区1038，所述漏极金属1034通过漏极通孔110连接于所述漏极掺杂区1039。
所述间绝缘层107表面还设置一保护层117，所述保护层117覆盖所述源极金属1033、所述漏极金属1034、所述数据线以及所述触控信号连接线108，所述保护层用于防止穿透所述平坦化层的水汽与所述源极金属、所述漏极金属、所述数据线、所述触控信号连接线108中的至少一者接触。
平坦化层111，制备于所述保护层117表面。
所述平坦化层111表面制备有第一介质层112；所述第一介质层112表面形成有若干感应电极线113；所述第一介质层112表面制备有第二介质层114。
所述第二介质层114表面制备有公共电极层；所述公共电极层经图形化处理形成相互绝缘的公共电极板115；每一所述公共电极板115，通过感应电极通孔116连接相对应的所述感应电极线113，每一所述感应电极线113通过过孔结构118连接相对应的所述触控信号连接线108的一端，所述触控信号连接线108的另一端连接至触控芯片。
所述第二介质层114表面还制备有钝化层119，所述钝化层119表面制备有第二金属层，所述第二金属层经图形化处理形成若干像素电极1031，每一所述像素电极1031通过一像素电极通孔连接至相对应的所述薄膜晶体管的漏极金属1034。
所述公共电极板115具有固定电压值，所述公共电极板115与所述像素电极1031之间形成电压差以驱动所述液晶层的液晶分子按照预倾角度偏转，从而控制光透过量，进而实现画面显示；所述公共电极板115还用作内嵌式触摸屏的触控电极，与所述感应电极线113相配合以将触控信号传输至所述触控芯片，进而实现显示屏的触控操作。
所述保护层117采用氮化硅薄膜，氮化硅薄膜具有较好的化学特性，能够与所述源极金属1033、所述漏极金属1034、所述数据线以及所述触控信号连接线108较好的接触，不仅能够防止水汽浸入，还能够在后续制备工序中保护金属线免受物理撞击而受损，进一步减少金属走线短路的风险。
将所述氮化硅薄膜的膜厚设置为90nm(纳米)～110nm，在能够实现对金属线进行保护的情况下，尽可能地控制所述阵列基板的厚度，这是因为，所述阵列基板的不同膜层的金属之间通过通孔连接，所述通孔内填充有透明金属，透明金属的阻抗大，导电性较差，所述保护层117的厚度较厚会增加不同膜层的金属之间的距离，从而延长了所述通孔深度，不同膜层的金属之间的导通能力减弱，进而影响显示效果。
所述保护层117采用等离子体增强化学气相沉积工艺制备于所述间绝缘层107表面。
制备所述保护层117时，先在所述间绝缘层107表面沉积较薄的一层第一氮化硅薄膜层，利用等离子体对所述第一氮化硅薄膜层进行处理，然后再在所述第一氮化硅薄膜层表面沉积较薄的一层第二氮化硅薄膜层，再利用等离子体对所述第二氮化硅薄膜层进行处理，每次沉积的氮化硅薄膜层厚度约为30A～60A，直至层叠的氮化硅薄膜层厚度达到所述保护层117的指定厚度后，对氮化硅薄膜层进行紫外光照射；从而增加所述保护层117的拉应力，提高所述阵列基板的稳定性，进一步提升显示面板的显示性能。
在所述平坦化层111上表面与下表面均设置所述保护层117，且所述保护层117的长宽比大于所述平坦化层的长宽比，从而使所述保护层117完全包裹所述平坦化层111，以避免所述平坦化层111吸收环境中的水汽。
贯穿于所述保护层117的通孔制作，可与后续膜层共用光罩，从而，所述保护层117的增设不增加整个LTPS阵列基板制程的光罩数量。
如图2所示，依据本发明的上述目的，提出一种内嵌式触摸屏，包括：彩膜基板，包括第一玻璃基板201，以及制备于所述第一玻璃基板201表面的色阻层202及黑色矩阵203；阵列基板，与所述彩膜基板相对设置；包括设置于所述阵列基板中间的显示区域，以及设置于所述阵列基板边缘的非显示区域；所述显示区域内阵列分布有薄膜晶体管；液晶层204，设置于所述彩膜基板与所述阵列基板之间；所述阵列基板包括：第二玻璃基板205；所述第二玻璃基板205表面形成有金属遮光层206；缓冲层207，制备于所述第二玻璃基板205表面；所述缓冲层207表面形成有源层，所述有源层包括沟道区2081、位于所述沟道区2081一侧的源极掺杂区2082、以及位于所述沟道区2081相对另一侧的漏极掺杂区2083；栅绝缘层209，制备于所述缓冲层207表面；所述栅绝缘层209表面形成有栅极金属210，以及连接所述栅极金属210的栅线；间绝缘层212，制备于所述栅绝缘层209表面；所述间绝缘层212表面形成有第一金属层，所述第一金属层经图形化处理，形成位于所述显示区域的源极金属213、漏极金属214与连接所述源极金属213的数据线，以及位于所述非显示区域的若干触控信号连接线216，所述源极金属213通过源极通孔217连接于所述源极掺杂区2082，所述漏极金属214通过漏极通孔218连接于所述漏极掺杂区2083；以及保护层219，制备于所述间绝缘层212表面，且覆盖所述源极金属213、所述漏极金属214、数据线以及所述触控信号连接线216；平坦化层220，制备于所述保护层219表面。
所述平坦化层220表面制备有第一介质层221；所述第一介质层221表面形成有感应电极线222；所述第一介质层221表面制备有第二介质层223。
所述第二介质层223表面制备有公共电极层；所述公共电极层经图形化处理形成相互绝缘的公共电极板224；每一所述公共电极板224，通过感应电极通孔225连接相对应的所述感应电极线222，每一所述感应电极线222通过过孔结构226连接相对应的所述触控信号连接线216的一端，所述触控信号连接线216的另一端连接至触控芯片。
所述第二介质层223表面还制备有钝化层227，所述钝化层227表面制备有第二金属层，所述第二金属层经图形化处理形成若干像素电极228，每一所述像素电极228通过一像素电极通孔229连接至相对应的所述漏极金属214。
本优选实施例的内嵌式触摸屏的工作原理跟上述优选实施例的LTPS阵列基板的工作原理一致，具体可参考上述优选实施例的LTPS阵列基板的工作原理，此处不再做赘述。
本发明的有益效果为：相较于现有的LTPS阵列基板，本发明提供的LTPS阵列基板，通过制备保护层将薄膜晶体管的源/漏极金属与平坦化层隔绝，进而保护源/漏极金属免受水汽腐蚀，以解决现有的LTPS阵列基板，薄膜晶体管的源/漏极金属与易吸收水汽的平坦化层直接接触，导致源/漏极金属受水汽腐蚀而导致线路短路，进而影响液晶显示面板的显示效果的技术问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种LTPS阵列基板，其特征在于，包括设置于阵列基板中间的显示区域，以及设置于所述阵列基板边缘的非显示区域；所述显示区域内阵列分布有薄膜晶体管；
所述阵列基板包括：
玻璃基板；
LTPS器件，制备于所述玻璃基板表面；所述LTPS器件包括有源层，所述有源层包括沟道区、位于所述沟道区一侧的源极掺杂区、以及位于所述沟道区相对另一侧的漏极掺杂区；
栅绝缘层，制备于所述LTPS器件表面；
栅极金属、栅线，所述栅极金属和所述栅线均设置于所述栅绝缘层表面，所述栅极金属与所述栅线连接；
间绝缘层，制备于所述栅绝缘层表面；
源极金属、漏极金属、数据线，形成于所述间绝缘层表面，所述源极金属、所述漏极金属和所述数据线位于所述显示区，所述源极金属通过源极通孔连接于所述源极掺杂区，所述漏极金属通过漏极通孔连接于所述漏极掺杂区；
保护层，制备于所述间绝缘层表面，且覆盖所述源极金属、所述漏极金属和所述数据线；
平坦化层，制备于所述保护层表面；
其中，所述保护层用于防止穿透所述平坦化层的水汽与所述源极金属、所述漏极金属、所述数据线中的至少一者接触。
2.根据权利要求1所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述保护层为氮化硅薄膜。
3.根据权利要求1或2所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述保护层的膜厚为90nm～110nm。
4.根据权利要求1或2所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
第一介质层，制备于所述平坦化层表面；所述第一介质层表面形成有感应电极线；
第二介质层，制备于所述第一介质层表面；
公共电极层，制备于所述第二介质层表面；所述公共电极层经图形化处理形成相互绝缘的公共电极板；每一所述公共电极板，通过感应电极通孔连接相对应的所述感应电极线，每一所述感应电极线通过过孔结构连接相对应的触控信号连接线的一端，所述触控信号连接线的另一端连接至触控芯片；
钝化层，制备于所述第二介质层表面；
像素电极，形成于所述钝化层表面，每一所述像素电极通过一像素电极通孔连接至相对应的所述漏极金属。
5.根据权利要求1或2所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述保护层采用等离子体增强化学气相沉积工艺制备于所述间绝缘层表面。
6.一种内嵌式触摸屏，其特征在于，包括：
彩膜基板；
阵列基板，与所述彩膜基板相对设置；包括设置于所述阵列基板中间的显示区域，以及设置于所述阵列基板边缘的非显示区域；所述显示区域内阵列分布有薄膜晶体管；
液晶层，设置于所述彩膜基板与所述阵列基板之间；
所述阵列基板包括：
玻璃基板；
LTPS器件，制备于所述玻璃基板表面；所述LTPS器件包括有源层，所述有源层包括沟道区、位于所述沟道区一侧的源极掺杂区、以及位于所述沟道区相对另一侧的漏极掺杂区；
栅绝缘层，制备于所述LTPS器件表面；
栅极金属、栅线，所述栅极金属和所述栅线均设置于所述栅绝缘层表面，所述栅极金属与所述栅线连接；
间绝缘层，制备于所述栅绝缘层表面；
源极金属、漏极金属、数据线，形成于所述间绝缘层表面，所述源极金属、所述漏极金属和所述数据线位于所述显示区，所述源极金属通过源极通孔连接于所述源极掺杂区，所述漏极金属通过漏极通孔连接于所述漏极掺杂区；
保护层，制备于所述间绝缘层表面，且覆盖所述源极金属、所述漏极金属和所述数据线；
平坦化层，制备于所述保护层表面；
其中，所述保护层用于防止穿透所述平坦化层的水汽与所述源极金属、所述漏极金属、所述数据线中的至少一者接触。
7.根据权利要求6所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述保护层为氮化硅薄膜。
8.根据权利要求6或7所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述保护层的膜厚为90nm～110nm。
9.根据权利要求6或7所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述阵列基板还包括：
第一介质层，制备于所述平坦化层表面；所述第一介质层表面形成有感应电极线；
第二介质层，制备于所述第一介质层表面；
公共电极层，制备于所述第二介质层表面；所述公共电极层经图形化处理形成相互绝缘的公共电极板；每一所述公共电极板，通过感应电极通孔连接相对应的所述感应电极线，每一所述感应电极线通过过孔结构连接相对应的触控信号连接线的一端，所述触控信号连接线的另一端连接至触控芯片；
钝化层，制备于所述第二介质层表面；
像素电极，形成于所述钝化层表面，每一所述像素电极通过一像素电极通孔连接至相对应的所述漏极金属。
10.根据权利要求6或7所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述保护层采用等离子体增强化学气相沉积工艺制备于所述间绝缘层表面。
CN201710607834.2A 2017-07-24 2017-07-24 Ltps阵列基板及内嵌式触摸屏 Pending CN107315296A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710607834.2A CN107315296A (zh) 2017-07-24 2017-07-24 Ltps阵列基板及内嵌式触摸屏

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710607834.2A CN107315296A (zh) 2017-07-24 2017-07-24 Ltps阵列基板及内嵌式触摸屏

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107315296A true CN107315296A (zh) 2017-11-03

Family

ID=60178716

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710607834.2A Pending CN107315296A (zh) 2017-07-24 2017-07-24 Ltps阵列基板及内嵌式触摸屏

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107315296A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108428705A (zh) * 2018-04-09 2018-08-21 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN108646451A (zh) * 2018-04-28 2018-10-12 上海中航光电子有限公司 显示面板和显示装置
CN110620118A (zh) * 2019-08-20 2019-12-27 武汉华星光电技术有限公司 触控阵列基板及其制备方法
CN110690229A (zh) * 2019-09-12 2020-01-14 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示面板的制作方法
CN110764326A (zh) * 2019-10-14 2020-02-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶显示面板及其制备方法
CN112181196A (zh) * 2020-09-17 2021-01-05 武汉华星光电技术有限公司 内嵌式触控阵列基板及其制造方法
CN115268147A (zh) * 2022-08-09 2022-11-01 惠科股份有限公司 显示面板及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101419371A (zh) * 2007-10-22 2009-04-29 株式会社日立显示器 液晶显示装置
CN103728757A (zh) * 2012-10-12 2014-04-16 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置、触摸屏
CN105589272A (zh) * 2016-03-01 2016-05-18 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板的制作方法及制得的阵列基板
CN105717690A (zh) * 2016-04-27 2016-06-29 武汉华星光电技术有限公司 内嵌触摸屏及其制备方法、液晶显示器
CN106200064A (zh) * 2015-05-29 2016-12-07 乐金显示有限公司 In-cell触摸液晶显示装置及其制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101419371A (zh) * 2007-10-22 2009-04-29 株式会社日立显示器 液晶显示装置
CN103728757A (zh) * 2012-10-12 2014-04-16 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置、触摸屏
CN106200064A (zh) * 2015-05-29 2016-12-07 乐金显示有限公司 In-cell触摸液晶显示装置及其制造方法
CN105589272A (zh) * 2016-03-01 2016-05-18 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板的制作方法及制得的阵列基板
CN105717690A (zh) * 2016-04-27 2016-06-29 武汉华星光电技术有限公司 内嵌触摸屏及其制备方法、液晶显示器

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108428705A (zh) * 2018-04-09 2018-08-21 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
US11362115B2 (en) 2018-04-09 2022-06-14 Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. Array substrate and preparation method therefor, and display panel and display device
CN108646451A (zh) * 2018-04-28 2018-10-12 上海中航光电子有限公司 显示面板和显示装置
CN108646451B (zh) * 2018-04-28 2021-07-30 上海中航光电子有限公司 显示面板和显示装置
WO2021031532A1 (zh) * 2019-08-20 2021-02-25 武汉华星光电技术有限公司 触控阵列基板及其制备方法
CN110620118B (zh) * 2019-08-20 2021-03-16 武汉华星光电技术有限公司 触控阵列基板及其制备方法
CN110620118A (zh) * 2019-08-20 2019-12-27 武汉华星光电技术有限公司 触控阵列基板及其制备方法
WO2021047007A1 (zh) * 2019-09-12 2021-03-18 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示面板的制作方法
CN110690229A (zh) * 2019-09-12 2020-01-14 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示面板的制作方法
US11320711B1 (en) 2019-09-12 2022-05-03 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof
CN110764326A (zh) * 2019-10-14 2020-02-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶显示面板及其制备方法
CN112181196A (zh) * 2020-09-17 2021-01-05 武汉华星光电技术有限公司 内嵌式触控阵列基板及其制造方法
CN112181196B (zh) * 2020-09-17 2023-06-02 武汉华星光电技术有限公司 内嵌式触控阵列基板及其制造方法
CN115268147A (zh) * 2022-08-09 2022-11-01 惠科股份有限公司 显示面板及显示装置
CN115268147B (zh) * 2022-08-09 2024-05-03 惠科股份有限公司 显示面板及显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107315296A (zh) Ltps阵列基板及内嵌式触摸屏
US10013124B2 (en) Array substrate, touch screen, touch display device, and fabrication method thereof
CN102403320B (zh) 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板
CN104731412B (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
CN108732837A (zh) Tft阵列基板及液晶显示面板
CN103676386B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN106784375A (zh) Oled显示单元及其制作方法
CN109725764A (zh) 具有触摸传感器的显示装置
CN102315165B (zh) 边缘电场型液晶显示器阵列基板及其制造方法
CN104007574B (zh) 一种阵列基板、显示装置及其制造方法
CN104049430B (zh) 一种阵列基板、显示装置及其制造方法
CN101794819A (zh) 薄膜晶体管、其制备方法和包括它的平板显示装置
CN104813386B (zh) Tft基板
US10177177B2 (en) Display panel and display device
CN207265054U (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
WO2015096371A1 (zh) 一种电极引出结构、阵列基板以及显示装置
TW201639172A (zh) 畫素結構及顯示面板
JP2019129281A (ja) 表示装置及びその製造方法
CN206193735U (zh) 一种触控基板及显示装置
CN106908978A (zh) 触控显示面板和触控显示装置
US10061419B2 (en) Display device
CN106886107A (zh) 显示面板
CN103018990A (zh) 一种阵列基板和其制备方法、及液晶显示装置
KR101799048B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN108628041A (zh) 显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171103

RJ01 Rejection of invention patent application after publication