CN101794819A - 薄膜晶体管、其制备方法和包括它的平板显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种具有含氧的化合物半导体作为活化层的薄膜晶体管，制备所述薄膜晶体管的方法和具有所述薄膜晶体管的平板显示装置，其中所述薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅极；活化层，所述活化层形成在所述栅极上，通过栅绝缘膜与所述栅极绝缘，并由含氧的化合物半导体形成；形成在所述活化层上的钝化层；和形成为与所述活化层接触的源极和漏极，形成所述源极和所述漏极以，其中所述钝化层包括钛的氧化物(TiOx)或钛的氮氧化物(TiOxNy)。

Description

薄膜晶体管、其制备方法和包括它的平板显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2009年1月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2009-0002240号的优先权，其内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管及其制备方法和具有所述薄膜晶体管的平板显示装置。
背景技术
薄膜晶体管通常包括具有沟道区、源区和漏区的活化层和栅极，所述栅极在沟道区的上部或下部形成，且通过栅绝缘膜与活化层电绝缘。
上述形成的薄膜晶体管的活化层通常由诸如非晶硅或多晶硅(即多晶硅)等半导体材料形成。然而，如果活化层由非晶硅形成，其中的低电子/空穴迁移率导致很难实现高速驱动电路；如果活化层由多晶硅形成，尽管电子/空穴迁移率高，但是阈值电压不一致导致需加入单独的补偿电路。
此外，用低温多晶硅(LTPS)制备薄膜晶体管的常规方法包括如激光退火等昂贵的工艺，且难以控制所得晶体管的性质。
为了解决此类问题，最近已有提议将化合物半导体作为活化层。日本待审专利公开第2004-273614号公开了具有主要由氧化锌(ZnO)形成的活化层的薄膜晶体管，或具有含氧化锌(ZnO)的化合物半导体的薄膜晶体管。
含氧化锌(ZnO)作为主要成分的化合物半导体被认为是非晶的稳定材料。如果将此类化合物半导体用作活化层，化合物半导体具有多种优点，如薄膜晶体管可以使用现有加工设备在低于350℃的低温下制造，且离子注入工艺可以省略。
然而，如果使用化合物半导体，当在活化层的上部形成薄膜或蚀刻所形成的薄膜时，会产生因等离子体所引起的损坏，使得在电学性质上产生变化。电学性质的不良变化包括因轰击效应和辐射效应等导致的载流子增加等。因为化合物半导体的电学性质受损，所以薄膜晶体管阈值电压中的变化等和基板内电学性质的分散度降低。
在具有由多晶硅形成的活化层的薄膜晶体管中，钝化层通常由氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNX)或氧化铝(Al2O3)形成。然而，在具有由含氧的化合物半导体形成的活化层的薄膜晶体管中，如果钝化层由氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)或氧化铝(Al2O3)形成，这会引起电学性质的降低。电学性质的降低被认为是在沉积过程中等离子体导致活化层损坏的结果。如果产生因等离子体所引起的损坏，活化层的载流子浓度会因缺乏氧而增加，关断电流会因这些过多的载流子而增加，且S因子性质会降低。
发明内容
本发明的多个方面提供了可以防止因活化层损坏造成电学性质和其分散度降低的薄膜晶体管、制备所述薄膜晶体管的方法和具有所述薄膜晶体管的平板显示装置。本发明的多个方面提供了可以用于大基板以制备大显示装置的薄膜晶体管、制备所述薄膜晶体管的方法和具有所述薄膜晶体管的平板显示装置。
根据本发明的多个方面，提供了薄膜晶体管，包括：形成在基板上的栅极；活化层，所述活化层形成在所述栅极上，通过栅绝缘膜与所述栅极绝缘，并由含氧的化合物半导体形成；形成在所述活化层上的钝化层；和源极和漏极，形成所述源极和所述漏极以接触所述活化层，其中所述钝化层包括钛的氧化物(TiOx)。
根据本发明的另一个方面，提供了制备薄膜晶体管的方法，包括：在基板上形成栅极；形成栅绝缘膜以覆盖所述栅极；在所述栅绝缘膜上形成由含氧的化合物半导体所形成的活化层；在所述活化层上形成包括钛的氧化物的钝化层；和形成源极和漏极以接触所述活化层。
根据本发明的另一个方面，提供了平板显示装置，包括：多个像素，每个像素具有第一电极，所述像素由形成在第一基板上的多条第一导线和第二导线所限定；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在所述第一基板上，分别与所述像素的所述第一电极连接，以控制由所述第一导线和所述第二导线提供给每个像素的信号；第二基板，第二电极形成在所述第二基板上，所述第二基板面向所述第一基板布置；和液晶层，所述液晶层位于所述第一电极和所述第二电极之间，其中所述薄膜晶体管包括：形成在所述第一基板上的栅极；活化层，所述活化层形成在所述栅极上，通过栅绝缘膜与所述栅极绝缘，并由含氧的化合物半导体形成；钝化层，所述钝化层形成在所述活化层上；和源极和漏极，所述源极和所述漏极形成为接触所述活化层，且所述钝化层包括钛的氧化物(TiOx)。
根据本发明的另一个方面，提供了平板显示装置，包括：第一基板，有机发光装置形成在所述第一基板上，所述有机发光装置包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机薄膜层；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述第一基板上且与所述有机发光装置的所述第一电极连接以控制所述有机发光装置的运行；和第二基板，所述第二基板面向所述第一基板布置，其中所述薄膜晶体管包括：形成在所述第一基板上的栅极；活化层，所述活化层形成在所述栅极上，通过栅绝缘膜与所述栅极绝缘，并由含氧的化合物半导体形成；形成在所述活化层上的钝化层；和源极和漏极，形成所述源极和所述漏极以接触所述活化层，且所述钝化层包括钛的氧化物(TiOx)。
根据本发明的多个方面，薄膜晶体管具有由含氧的化合物半导体形成的活化层和在所述活化层上的钝化层，所述钝化层包括钛的氧化物。钝化层防止沟道区受到污染或损坏，使得可以防止薄膜晶体管的电学性质因活化层损坏而降低，以改进基板内阈值电压的分散度，并使工艺步骤变易，这是因为其在形成源极和漏极工艺期间可用作蚀刻终止层。此外，包括钛的氧化物的钝化层可以通过使用金属靶的直流(DC)反应溅射法形成，以使其可用于大面积基板，使得可以容易地制备大显示装置。
本发明的其它方面和/或优点将在以下说明书中部分陈述，其部分从说明书中得出，或可以通过本发明的实施了解。
附图说明
本发明的这些和/或其它方面和优点通过以下结合其附图的实施方式的描述将变得显而易见且更容易理解：
图1A和1B为显示根据本发明实施方式的薄膜晶体管的横截面图；
图2A至2D为显示根据本发明多个方面的薄膜晶体管制备方法的横截面图；
图3A至3C为显示形成钝化层之前和形成钝化层之后测定的薄膜晶体管电学性质的图；
图4为显示根据本发明多个方面的包括薄膜晶体管的平板显示装置的透视图；
图5A和5B为显示根据本发明多个方面的包括薄膜晶体管的平板显示装置的平面图和横截面图；和
图6为显示图5A的有机发光装置的横截面图。
具体实施方式
现对本发明的现有实施方式做出详细说明，其实施例在附图中说明，其中同样的附图标记在全文中指相同元件。以下通过参照附图描述实施方式说明本发明。
在以下详细描述中，仅通过说明的方式显示和描述本发明的某些示例性实施方式。正如本领域技术人员所认识，所述实施方式可以各种不同方式修改，全部修改不背离本发明的精神或范围。因此，附图和说明书本质上是说明性的，而非限制。此外，当称一个元件在另一个元件“上”、“上形成”或“位于其上”时，其可以是直接在另一个元件上，或间接在另一个元件上，二者之间插入有一个或多个插入元件。此外，当称一个元件与另一个元件“连接”时，其可以直接与另一个元件连接，或间接与另一个元件连接，二者之间插入有一个或多个插入元件。
本发明的多个方面提供了薄膜晶体管和制备所述薄膜晶体管的方法，所述薄膜晶体管可以防止因活化层损坏而造成电学性质和其分散度降低，且可以用于大基板以制备大显示装置。
图1A和1B为显示根据本发明实施方式的薄膜晶体管的横截面图。参照图1A，缓冲层11形成在基板10上，且栅极12形成在缓冲层11上。栅绝缘膜13形成在基板上以至少覆盖栅极12，且由化合物半导体形成的活化层14形成在栅绝缘膜13上。活化层14提供了沟道区14a、源区14b和漏区14c，其中沟道区14a与栅极12重叠。此外，钝化层15至少形成在活化层14中的沟道区14a上，且源极16a和漏极16b接触活化层14中的源区14b和漏区14c。
图1A显示了这样的结构，其中钝化层15形成在活化层14中的沟道区14a上，且钝化层15形成在包括活化层14的基板10的整个上部上，使得源极16a和漏极16b通过形成在钝化层15上的接触孔接触活化层14中的源区14b和漏区14c。相反，图1B显示了这样的结构，其中钝化层15仅形成在活化层14中的沟道区14a上，使得源极16a和漏极16b直接接触活化层14中的源区14b和漏区14c。
活化层14由含氧的化合物半导体，如氧化锌(ZnO)形成，其中所述化合物半导体可以掺杂有选自由镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)和钒(V)组成的组中的至少一种的离子。此外，钝化层15由钛的氧化物(TiOx)或钛的氮氧化物(TiOxNy)形成。
现在，通过薄膜晶体管的制备方法来更详细地描述本发明的多个方面。图2A至2D为显示根据本发明多个方面的薄膜晶体管制备方法的横截面图；参照图2A，在缓冲层11形成在基板10上之后，栅极12形成在缓冲层上，且栅绝缘膜13形成在基板上以至少覆盖栅极12。将如硅Si等半导体基板、如玻璃或塑料等绝缘基板或金属基板用作基板10。栅极12可以由如Al、Cr和MoW等金属或导电聚合物等形成，且栅绝缘膜13可以由如SiO2、SiNx和Ga2O3等绝缘材料形成。
参照图2B，由化合物半导体形成的活化层14形成在栅绝缘膜13上。活化层14包括沟道区14a、源区14b和漏区14c，其中沟道区14a与栅极12重叠。活化层14由含氧的化合物半导体，如氧化锌(ZnO)形成，其中所述化合物半导体可以掺杂有选自由镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)和钒(V)组成的组中的至少一种的离子。例如，化合物半导体可以为ZnO、ZnGaO、ZnInO、ZnSnO和GaInZnO等。
参照图2C，当包括钛的氧化物(TiOx)的钝化层15形成在基板上的活化层14之上后，将钝化层15图形化以形成接触孔15a，以使得活化层14的源区14b和漏区14c暴露。如图1B所示，在钝化层图形化期间，可以将钝化层15图形化，以仅在活化层14中沟道区14a的上部上留下。
包括钛的氧化物(TiOx)的钝化层15保护活化层14免受潮湿或氧气影响，且防止活化层14受到污染或损坏。因为用作钝化层15的钛的氧化物(TiOx)(x＝0.3～3.0)和钛的氮氧化物(TiOxNy)(x＝0.3～3.0；y＝0.3～5.0)可以通过用金属靶的直流(DC)反应溅射法沉积，所以其可以被用于大面积基板，使得可以容易地将显示装置做大。例如，可以通过控制用金属靶的DC反应溅射法中的氧(O)和氮(N)的量将钛的氧化物(TiOx)或钛的氮氧化物(TiOxNy)沉积在大面积基板上。
例如，通常使用RF溅射法或化学气相沉积法沉积无机材料，如氧化物或氮化物。然而，RF溅射法的缺点在于沉积速率低且对大基板不易进行沉积。同样，化学气相沉积法的缺点为化合物半导体的电学性质因沉积工艺期间的氧扩散而降低。相反，DC反应溅射法可以在大面积基板上稳定沉积薄膜。然而，因为镓(Ga)或铝(Al)等具有低熔点或产生严重的电弧放电，所以应选择适宜的金属靶。钛(Ti)通过DC反应溅射法可以稳定沉积在730mm×920mm(即第四代基板)或更大的大面积基板上。因此，如果在沉积工艺期间适当控制氧(O)和氮(N)的量(分压)，能沉积具有所需层的钛的氧化物(TiOx)或钛的氮氧化物(TiOxNy)。
参照图2D，当由Mo、MoW、Al、AlNd和AlLiLa等形成的导电层形成在钝化层15上，以使接触孔15a被填充且导电层接触活化层14的源区14b和漏区14c之后，将导电层图形化以形成通过接触孔15a与源区14b和漏区14c接触的源极16a和漏极16b。钝化层15在导电层图形化期间可用作蚀刻终止层，由此可以使蚀刻工艺容易，以保护活化层14中的沟道区14a，并防止活化层14在随后工艺中受到有机材料等的污染。
图3A至3C为在钝化层15形成之前和之后漏电流Id根据栅电压Vg的变化曲线图。在图3A中，将氧(O2)的分压控制为15％；在图3B中，将氧(O2)的分压控制为19％；在图3C中，将氮(N2)的分压控制为13％。在图3A至3C中，线A1、A11和A21以及线A2、A12和A22表示在钝化层形成前的测定结果，源极16a和漏极16b之间的电压Vd在0.1V和5.1V的范围时测定；线B1、B11和B21以及线B2、B12和B22表示在钝化层形成后的测定结果，源极16a和漏极16b之间的电压Vd在0.1V和5.1V的范围时测定。
如图3A至3C所示，在钝化层形成之前和之后阈值电压的变化很小，由此表明活化层14未受到钝化层15的污染或损坏。
根据上述本发明的多个方面，薄膜晶体管可用于平板显示装置。图4为显示具有根据本发明多个方面的薄膜晶体管的平板显示装置的透视图，其中基于显示图像的显示面板100对平板显示装置进行图解。
显示面板100包括相对放置的两块基板110和120，和位于两块基板110和120之间的液晶层130，其中像素区113由基板110上以矩阵排列的多条栅线111和数据线112限定。控制向各个像素提供信号的薄膜晶体管114和与薄膜晶体管114连接的像素电极115形成在与栅极线111和数据线112之间的交叉处相邻的基板110上。
参照图2A至2D所述，根据本发明多个方面的制造方法也可以制造具有图1A或1B的结构的薄膜晶体管114。
彩色滤光片121和公共电极122形成在基板120上。偏光板116和123分别形成在基板110和120的后表面上，即基板110和120的外表面或外部表面，其中作为光源的背光(未显示)位于偏光板116的下部。
同时，驱动显示面板100的驱动IC(未显示)安装在显示面板100的像素区113的外围。所述驱动器将外源提供的电信号转换成扫描信号和数据信号，并将这些信号提供给栅线111和数据线112。
图5A和5B为显示具有根据本发明多个方面的薄膜晶体管的平板显示装置的平面图和横截面图，其中基于显示图像的显示面板200对平板显示装置进行图解。
参照图5A，基板210包括像素区220和围绕像素区220的非像素区230。以矩阵排列的连接在扫描线224和数据线226之间的多个有机发光装置300在基板210中的像素区220上形成。扫描线224和数据线226分别从扫描驱动器234和数据驱动器236延伸进像素区。启动有机发光装置300的电源线(未显示)以及扫描驱动器234和数据驱动器236形成在基板中的非像素区域230上，其中所述扫描驱动器234和数据驱动器236处理外源信号以将扫描信号和数据信号提供给扫描线224和数据线226。
参照图5B，密封像素区220的密封基板400位于形成有有机发光装置300的基板210上部，且密封基板400通过密封剂410与基板210结合，由此完成显示面板200。
参照图6，包括有机发光装置300的有机发光显示装置包括阳极317、阴极320和在阳极317和阴极320之间形成的有机薄膜层319。尽管在本文中描述为阳极317和阴极320，本发明的多个方面不限于此，因此这些电极的极性可以反转。所形成的有机薄膜层319具有这样的结构，其中空穴传输层、有机发光层和电子传输层堆叠，且可以进一步包括空穴注入层和电子注入层。有机发光装置300可以进一步包括控制有机发光装置300运行的薄膜晶体管，以及保持向其提供信号的电容器。
参照图2A至2D，根据本发明多个方面的制造方法可以制造具有图1A或1B结构的薄膜晶体管。虽然图6中显示了具有图1A所示结构的薄膜晶体管，但是本发明的多个方面不限于此，因此图6的有机发光显示装置可以包括图1B结构的薄膜晶体管。
参照图5A和6来更加详细地描述包括上述薄膜晶体管的有机发光显示装置。
缓冲层11形成在基板210上，且栅极12形成在像素区220中的缓冲层11上。与栅极12连接的扫描线224可以形成在像素区220中，且扫描线224从扫描驱动器234延伸进像素区220；且接收外源信号的点(pad)228可以在非像素区230中形成。
活化层14形成在基板上的栅极14上，通过栅绝缘膜13与栅极12绝缘，且提供沟道区14a、源区14b和漏区14c(如图1A所示)。
钝化层15形成在活化层14上，其中接触孔形成在钝化层15中，以使得暴露活化层14的源区14b和漏区14c。在钝化层15上，形成源极16a和漏极16b以通过接触孔接触源区14b和漏区14c。连接源极16a和漏极16b的数据线226在像素区220中形成，且数据线226从数据驱动器236延伸进像素区220；且接收外源信号的点228在非像素区230中形成。虽然图6所示为图1A的钝化层15，但是本发明的多个方面不限于此，因此图1B的钝化层15可以包含在其中。
平坦化层17形成在源极16a和漏极16b上，且在平坦化层17上形成通孔，以使得源极16a或漏极16b中的一个暴露。形成通过通孔连接源极16a或漏极16b的阳极317。
像素界定膜318形成在平坦化层317上，以使得阳极317的至少一部分(即发光区域)暴露，有机薄膜层319形成在暴露的阳极317上，且阴极320形成在包括有机薄膜层319的像素界定膜318上。
返回参照图5B，密封像素区220的密封基板400位于形成有有机发光装置300的基板210上部，且密封基板400通过密封剂410与基板210结合，由此完成显示面板200。
虽然已经显示并描述了本发明的一些实施方式，但是本领域技术人员应理解在此实施方式中可以进行改变而不背离本发明的原理和精神，本发明的范围由权利要求书和它们的等价形式所限定。

Claims (31)

1.一种薄膜晶体管，包括：
基板；
形成在所述基板上的栅极；
活化层，所述活化层形成在所述栅极上，通过栅绝缘膜与所述栅极绝缘，并由含氧的化合物半导体形成；
形成在所述活化层上的钝化层；和
源极和漏极，所述源极和漏极形成为与所述活化层接触，
其中所述钝化层包括钛的氧化物(TiOx)。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述钝化层形成为覆盖所述活化层，且所述源极和漏极通过形成在所述钝化层中的接触孔与所述活化层接触。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述化合物半导体包括氧化锌(ZnO)。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述化合物半导体掺杂有选自由镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)和钒(V)组成的组中的至少一种的离子。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述TiOx为钛的氮氧化物(TiOxNy)。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括：
形成在所述基板和所述栅极之间的缓冲层。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述活化层包括：
沟道区、源区和漏区，
其中所述钝化层形成为仅覆盖所述活化层的沟道区，且所述源极和漏极分别连接所述活化层的源区和漏区。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中所述源极和漏极分别直接位于所述活化层的源区和漏区上。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述化合物半导体包括ZnO、ZnGaO、ZnInO、ZnSnO和GaInZnO中的至少一种。
10.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中TiOx中x的范围为0.3至3.0。
11.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其中TiOxNy中x的范围为0.3至3.0，且TiOxNy中y的范围为0.3至5.0。
12.一种制备薄膜晶体管的方法，包括：
在基板上形成栅极；
在所述基板上形成栅绝缘膜以覆盖所述栅极；
在所述栅绝缘膜上形成活化层，所述活化层由含氧的化合物半导体形成；
在所述活化层上形成包括钛的氧化物(TiOx)的钝化层；和
形成源极和漏极以接触所述活化层。
13.如权利要求12所述的制备薄膜晶体管的方法，其中形成所述钝化层包括：
在所述活化层上形成所述钝化层；和
在所述钝化层中形成接触孔。
14.如权利要求13所述的制备薄膜晶体管的方法，其中形成所述源极和漏极包括：
在所述钝化层上形成导电层，以使所述接触孔被填充且所述导电层通过所述接触孔接触所述活化层；和
将所述导电层图形化以形成所述源极和漏极。
15.如权利要求12所述的制备薄膜晶体管的方法，其中所述化合物半导体包括氧化锌(ZnO)。
16.如权利要求15所述的制备薄膜晶体管的方法，其中所述化合物半导体掺杂有选自由镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)和钒(V)组成的组中的至少一种的离子。
17.如权利要求12所述的制备薄膜晶体管的方法，其中所述TiOx为钛的氮氧化物(TiOxNy)。
18.如权利要求12所述的制备薄膜晶体管的方法，其中所述钝化层用直流反应溅射法形成。
19.如权利要求12所述的制备薄膜晶体管的方法，其中形成所述源极和漏极包括将所述钝化层用作蚀刻终止层。
20.如权利要求12所述的制备薄膜晶体管的方法，进一步包括：
在所述栅极形成之前，在所述基板上形成缓冲层。
21.如权利要求12所述的制备薄膜晶体管的方法，其中所述活化层包括：沟道区、源区和漏区，且所述方法进一步包括：
图形化所述钝化层以仅保留在所述活化层的沟道区上。
22.一种平板显示装置，包括：
第一基板，所述第一基板上有由多条第一导线和第二导线限定的多个像素，每个所述像素具有第一电极；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在所述第一基板上，分别与所述像素的第一电极连接以控制由所述第一导线和所述第二导线提供给每个像素的信号；
第二基板，所述第二基板上形成有第二电极，并面向所述第一基板布置；和
液晶层，所述液晶层位于所述第一电极和所述第二电极之间，
其中每个薄膜晶体管包括：
形成在所述第一基板上的栅极；
活化层，所述活化层形成在所述栅极上，通过栅绝缘膜与所述栅极绝缘，并由含氧的化合物半导体形成；
形成在所述活化层上的钝化层；和
源极和漏极，所述源极和所述漏极形成为接触所述活化层，
其中所述钝化层包括钛的氧化物(TiOx)。
23.如权利要求22所述的平板显示装置，其中形成所述钝化层以覆盖所述活化层，且所述源极和漏极通过形成在所述钝化层中的接触孔与所述活化层接触。
24.如权利要求22所述的平板显示装置，其中所述化合物半导体包括氧化锌(ZnO)。
25.如权利要求24所述的平板显示装置，其中所述化合物半导体掺杂有选自由镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)和钒(V)组成的组中的至少一种的离子。
26.如权利要求22所述的平板显示装置，其中所述TiOx为钛的氮氧化物(TiOxNy)。
27.一种平板显示装置，包括：
第一基板，有机发光装置形成在所述第一基板上，所述有机发光装置包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机薄膜层；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述第一基板上且与所述有机发光装置的第一电极连接以控制所述有机发光装置的运行；和
第二基板，所述第二基板面向所述第一基板布置，
其中所述薄膜晶体管包括：
形成在所述第一基板上的栅极；
活化层，所述活化层形成在所述栅极上，通过栅绝缘膜与所述栅极绝缘，且由含氧的化合物半导体形成；
形成在所述活化层上的钝化层；和
源极和漏极，所述源极和漏极形成为接触所述活化层，
其中所述钝化层包括钛的氧化物(TiOx)。
28.如权利要求27所述的平板显示器，其中形成所述钝化层以覆盖所述活化层，且所述源极和漏极通过形成在所述钝化层中的接触孔接触所述活化层。
29.如权利要求27所述的平板显示装置，其中所述化合物半导体包括氧化锌(ZnO)。
30.如权利要求29所述的平板显示装置，其中所述化合物半导体掺杂有选自由镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)和钒(V)组成的组中的至少一种的离子。
31.如权利要求27所述的平板显示装置，其中所述TiOx为钛的氮氧化物(TiOxNy)。
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