CN101621076B - 薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置 - Google Patents

薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置。一种将氧化物半导体用作有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置包括：源电极和漏电极，形成在基底上；有源层，由设置在源电极和漏电极上的氧化物半导体形成；栅电极；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中的至少一个上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙大于等于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。

Description

薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置
本申请要求于2008年6月30日在韩国知识产权局提交的第2008-62417号韩国专利申请的优先权，通过引用将该申请的内容包含于此。
技术领域
本发明的多个方面涉及一种将氧化物半导体用作有源层的薄膜晶体管、一种制造所述薄膜晶体管的方法和一种具有所述薄膜晶体管的平板显示装置。更具体地讲，本发明的多个方面涉及一种具有形成在有源层的一个表面或两个表面上的界面稳定层的薄膜晶体管、一种制造所述薄膜晶体管的方法和一种具有所述薄膜晶体管的平板显示装置。
背景技术
通常，薄膜晶体管(TFT)包括：有源层，提供沟道区、源区和漏区；栅电极，形成在沟道区上，并通过栅极绝缘层与有源层电隔离。
如上所述构造的TFT的有源层通常由诸如非晶硅或多晶硅的半导体材料形成。然而，如果有源层由非晶硅形成，则迁移率低，因此难以以高速度操作驱动电路。如果有源层由多晶硅形成，则迁移率高，而阈值电压不均匀。因此，应当添加单独的补偿电路。
因为利用低温多晶硅(LTPS)来制造TFT的传统方法涉及高成本工艺(例如，激光热处理)，所以设备投资和管理成本高，并且难以将传统方法应用到大尺寸的基底。
为了解决这样的问题，最近已经对将氧化物半导体用作有源层进行了研究。
在第2004-273614号日本专利公开中已经公开了将氧化锌(ZnO)或以ZnO为主成分的氧化物半导体用作有源层的TFT。
因为以ZnO为主成分的氧化物半导体的非晶态和高迁移率，所以推测这样的氧化物半导体是稳定的材料。如果这样的氧化物半导体被用作有源层，则能够利用传统的设备来制造TFT，而不用另外购买单独的处理设备。以低温沉积所述氧化物半导体，不需要离子注入。此外，利用溅射方法沉积所述氧化物半导体。因此，可以将所述氧化物半导体应用到大尺寸的基底。
然而，因为将氧化物半导体用作有源层的TFT的电学特性容易根据工艺条件和TFT的结构而改变，所以可靠性会降低。具体地说，当通过恒压或恒流来驱动TFT时，阈值电压根据时间沿正(+)向变化。估计这样的现象是由电荷俘获导致的，其中，电荷俘获由有源层和绝缘层之间或有源层和钝化层之间的界面的劣化引起。
发明内容
本发明的各个方面提供一种能够改善有源层的界面特性的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述薄膜晶体管的方法和一种具有所述薄膜晶体管的平板显示装置。
本发明的多个方面提供一种能够在有源层的界面中防止电荷俘获的TFT、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置。
本发明的多个方面提供了一种具有高的电学特性和可靠性的TFT、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置。
根据本发明的一方面，一种TFT包括：基底；源电极和漏电极，形成在基底上；有源层，由氧化物半导体形成，并被形成为与源电极和漏电极至少部分叠置；栅极绝缘层，形成在基底上，以覆盖有源层、源电极和漏电极；栅电极，形成在栅极绝缘层上，并通过栅极绝缘层与有源层绝缘；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中的一个或两个上，其中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。
根据本发明的另一方面，一种制造TFT的方法包括以下步骤：在基底上形成源电极和漏电极；在具有源电极和漏电极的基底上顺序地形成第一界面稳定层和氧化物半导体层；将氧化物半导体层图案化，以形成有源层；在具有有源层的基底上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上并在有源层上方形成栅电极，其中，第一界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。
根据本发明的又一方面，一种制造TFT的方法包括以下步骤：在基底上形成源电极和漏电极；在具有源电极和漏电极的基底上顺序地形成氧化物半导体层和界面稳定层；将界面稳定层和氧化物半导体层图案化，以形成有源层；在具有有源层的基底上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上并在有源层上方形成栅电极，其中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。
根据本发明的另一方面，一种具有TFT的平板显示装置包括第一基底、第二基底和液晶层，在第一基底上形成有多个像素、多个TFT和多个第一电极，多个像素由多条第一导电线和多条第二导电线限定，TFT控制提供到各个像素的信号，第一电极分别结合到TFT，在第二基底上形成有第二电极，液晶层被注入到第一电极和第二电极之间密封的空间中，其中，TFT均包括：源电极和漏电极，形成在第一基底上；有源层，由氧化物半导体制成，并与源电极和漏电极部分叠置；栅电极，通过栅极绝缘层与有源层绝缘；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中一个或两个上，其中，界面稳定层由具有3.0eV至8.0eV的带隙的氧化物形成。
根据本发明的另一方面，一种具有TFT的平板显示装置包括第一基底和第二基底，在第一基底上形成有有机发光装置和TFT，有机发光装置均包括第一电极、有机薄膜层和第二电极，TFT控制各个有机发光装置的操作，第二基底被设置为与第一基底相对，其中，TFT均包括：源电极和漏电极，形成在第一基底上；有源层，由氧化物半导体形成，并与源电极和漏电极部分叠置；栅电极，通过栅极绝缘层与有源层隔离；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中的一个或两个上，其中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。
在根据本发明多个方面的TFT中，界面稳定层形成在有源层的一个表面或两个表面上。因为包含氧化物的界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙大于等于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。因此，通过高的界面稳定性和电荷迁移率，使得诸如阈值电压的变化的电学特性的改变最小化，并可以防止可靠性随温度和时间而降低。当将根据本发明多个方面的TFT应用于平板显示装置时，能够通过稳定的电学特性实现改善的图像质量。
本发明的附加方面和/或优点将在下面的描述中部分地进行说明，并部分地根据该描述将是明显的，或者可以由本发明的实施而获知。
附图说明
通过以下结合附图对实施例的描述，本发明的这些和/或其它方面和优点将变得明显且更易于理解，在附图中：
图1是根据本发明实施例的薄膜晶体管(TFT)的剖视图。
图2是根据本发明实施例的TFT的剖视图。
图3是根据本发明实施例的TFT的剖视图。
图4A至图4D是示出根据本发明多个方面的制造TFT的方法的剖视图。
图5A和图5B是示出根据本发明多个方面的TFT的可靠性测量结果的曲线图。
图6A至图6C是示出根据本发明多个方面的TFT的应力测量结果的曲线图。
图7是示出根据本发明多个方面的具有TFT的平板显示装置的实施例的透视图。
图8A和图8B分别是示出根据本发明多个方面的具有TFT的平板显示装置的另一实施例的平面图和剖视图。
图9是图8A的有机发光装置的剖视图。
具体实施方式
现在，将详细说明本发明的当前实施例，在附图中示出了本发明的示例，其中，相同的标号始终表示相同的元件。下面通过参照附图来描述实施例以说明本发明。
在下面的详细描述中，仅通过举例说明的方式只示出并描述了本发明的特定示例性实施例。本领域技术人员将认识到，在全部没有脱离本发明的精神或范围的情况下，所描述的实施例可以以各种不同的方式来修改。因此，附图和描述将被视为在本质上是示出性的而非限制性的。另外，当元件被称作“在”、“形成在”或“设置在”另一元件“上”时，该元件可以直接在、直接形成在或直接设置在另一元件上，或者可以在这两个元件之间设置一个或多个中间元件。另外，当元件被称作“连接到”、“结合到”或“电结合到”另一元件时，该元件可以直接连接到另一元件，或者在这两个元件之间设置一个或多个中间元件的情况下间接地连接到另一元件。在下文中，相同的标号表示相同的元件。
图1是根据本发明实施例的薄膜晶体管(TFT)的剖视图，在图1中示出了具有顶栅结构的TFT的示例。缓冲层11形成在基底10上，源电极12a和漏电极12b形成在缓冲层11上。由氧化物半导体制成的有源层13和界面稳定层14顺序地形成在具有源电极12a和漏电极12b的基底10上。栅极绝缘层15形成在具有有源层13的基底10上，栅电极16形成在栅极绝缘层15上并在有源层13上方。虽然没有示出，但是界面稳定层14可以形成得宽于有源层13。
图2是根据本发明实施例的TFT的剖视图，在图2中示出了具有顶栅结构的TFT的另一示例。缓冲层21形成在基底20上，源电极22a和漏电极22b形成在缓冲层21上。界面稳定层23和由氧化物半导体制成的有源层24顺序地形成在具有源电极22a和漏电极22b的基底20上。栅极绝缘层25形成在具有有源层24的基底20上，栅电极26形成在栅极绝缘层25上并在有源层24上方。虽然没有示出，但是界面稳定层23可以形成得宽于有源层24。
图3是根据本发明实施例的TFT的剖视图，在图3中示出了具有顶栅结构的TFT的又一示例。缓冲层31形成在基底30上，源电极32a和漏电极32b形成在缓冲层31上。第一界面稳定层33、由氧化物半导体制成的有源层34和第二界面稳定层35顺序地形成在具有源电极32a和漏电极32b的基底30上。栅极绝缘层36形成在具有有源层34的基底30上，栅电极37形成在栅极绝缘层36上并在有源层34上方。虽然没有示出，但是第一界面稳定层33和/或第二界面稳定层35可以形成得宽于有源层34。
这样设置有源层13、24、34，使得有源层13的两个侧部与源电极12a和漏电极12b部分叠置，有源层24的两个侧部与源电极22a和漏电极22b部分叠置，有源层34的两个侧部与源电极32a和漏电极32b部分叠置。有源层13、24、34的沟道区与栅电极16、26、37叠置。有源层13、24、34的氧化物半导体包含氧化锌(ZnO)，并掺杂有镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)、镉(Cd)、银(Ag)、铜(Cu)、锗(Ge)、钆(Gd)和钒(V)中的至少一种离子。例如，有源层13、24、34均可以由ZnO、ZnGaO、ZnInO、ZnSnO、GaInZnO、CdO、InO、GaO、SnO、AgO、CuO、GeO、GdO、HfO等形成。
界面稳定层14、23、33、35包含带隙大于等于有源层13、24或34的带隙的氧化物，例如，所述氧化物具有3.0eV至8.0eV的带隙。界面稳定层14、23、33、35包含从由硅的氧化物、硅的氮氧化物、硅的碳氧化物、SiOxCyHz、硅的氟氧化物、锗的氧化物、钆的氧化物、铝的氧化物、镓的氧化物、锑的氧化物、锆的氧化物、铪的氧化物、钽的氧化物、钇的氧化物、钒的氧化物、镁的氧化物、钙的氧化物、钡的氧化物、锶的氧化物和旋涂玻璃(SOG)组成的组中选择的任何一种，其中，x＝0.90～1.0，y＝0～0.1，z＝0～0.1，x+y+z＝1。
如图1至图3所示，界面稳定层14、23、33、35形成在有源层13、24、34的一个表面或两个表面上。界面稳定层14、23、33、35均由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。如果界面稳定层14、23、33、35的带隙小于有源层13、24、34的带隙(例如，3.0eV)，则容易传输电荷，因此可能没有有效地利用有源层13、24、34的沟道区的载流子。如果界面稳定层14、23、33、35的带隙大于8.0eV，则由于高绝缘特性而导致电学特性劣化。因为包含氧化物的界面稳定层14、23、33、35的特性与栅极绝缘层15、25、36和钝化层(未示出)的特性相同，所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层14、23、33、35的带隙大于等于有源层13、24、34的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。
为了提高防止电荷俘获的效果，优选地将界面稳定层14、23、33、35的有效[H]、[OH-]浓度调节为低于1019/cm3。如果界面稳定层14、23、33、35的来自残留的[H]、[OH-]的净电子浓度高于1019/cm3，则氢或氢氧根原子/分子/离子渗透(扩散)通过有源层13、24、34的表面，以起到阱的作用。因此，有源层13、24、34的电学特性会劣化。为了将界面稳定层14、23、33、35的[H]或[OH-]浓度浓度调节为10+19/cm3或更低，可以利用物理沉积方法(例如，溅射沉积方法)，而不是利用化学沉积方法。
因为界面稳定层14、23、33、35保护有源层13、24、34的沟道区，并增加后面的热处理工艺的固化效果(curing effect)，所以可以使有源层13、24、34的损伤得到恢复。
优选地，将设置在有源层24与源电极22a和漏电极22b之间的界面稳定层23以及设置在有源层34与源电极32a和漏电极32b之间的界面稳定层33形成为具有100以下的厚度，从而可以将有源层24与源电极22a和漏电极22b之间的接触电阻以及有源层34与源电极32a和漏电极32b之间的接触电阻保持为低。更优选地，将界面稳定层23、33形成为具有10
Figure G2009101385689D00062
至20
Figure G2009101385689D00063
的厚度。优选地，将形成在有源层13的顶表面上的界面稳定层14和形成在有源层34的顶表面上的界面稳定层35形成为具有例如50
Figure G2009101385689D00064
至5000
Figure G2009101385689D00065
的厚度，从而充分地保护有源层13、34，并保持界面稳定性。
在下文中，将参照图4A至图4D详细描述根据本发明多个方面的制造如上所述构造的TFT的方法。为了方便示出，将以图3的结构作为示例进行描述。
参照图4A，在基底30上，通过利用Mo、MoW、Al、AlNd、AlLiLa等形成导电层然后将所述导电层图案化，来形成源电极32a和漏电极32b。可以在基底30上形成缓冲层31，从而防止杂质扩散，可以在缓冲层31上形成源电极32a和漏电极32b。基底30可以包括例如硅(Si)的半导体基底、例如玻璃或塑料的绝缘基底、或金属基底。
参照图4B，在具有源电极32a和漏电极32b的基底30上顺序地形成第一界面稳定层33、氧化物半导体层39和第二界面稳定层35。第一界面稳定层33和第二界面稳定层35均包含带隙大于等于氧化物半导体层39的带隙的氧化物，例如，所述氧化物具有3.0eV至8.0eV的带隙。第一界面稳定层33和第二界面稳定层35均可以包含从由硅的氧化物、硅的氮氧化物、硅的碳氧化物、SiOxCyHz、硅的氟氧化物、锗的氧化物、钆的氧化物、铝的氧化物、镓的氧化物、锑的氧化物、锆的氧化物、铪的氧化物、钽的氧化物、钇的氧化物、钒的氧化物、镁的氧化物、钙的氧化物、钡的氧化物、锶的氧化物和SOG组成的组中选择的任何一种，其中，x＝0.90～1.0，y＝0～0.1，z＝0～0.1，x+y+z＝1。
可以利用诸如射频(RF)或直流(DC)溅射沉积方法的物理方法来沉积氧化硅(SiOx)或氧化铝(AlOx)。当利用RF溅射沉积方法来沉积氧化铝(AlOx)时，将氧比例调节为大约4％至10％，从而形成具有优良的抗应力(例如，由温度和栅极偏压(gate bias)导致的应力)性的第一界面稳定层33和第二界面稳定层35。
参照图4C，通过将第二界面稳定层35、氧化物半导体层39和第一界面稳定层33顺序地图案化，来将氧化物半导体层39形成为有源层34。此时，根据本发明的多个方面，可以不对形成在氧化物半导体层39的底表面上的第一界面稳定层33进行图案化。
参照图4D，在具有有源层34的基底30上形成栅极绝缘层36，栅极绝缘层36由SiO2、SiNx、GaO3等形成。通过利用Al、Cr、MoW等在栅极绝缘层36上形成导电层然后将所述导电层图案化，来在栅极绝缘层36上并在有源层34上方形成栅电极37。
图5A是示出根据本发明多个方面的TFT的可靠性测量结果的曲线图，其中，利用氧化铝(AlOx)来形成界面稳定层。因为在温度从室温升高到100℃之后，阈值电压(Vth)、s-因子(亚阈值斜率因子(sub-threshold slope factor))和截止电流几乎不会被改变，所以TFT具有优良的可靠性。图5B是示出根据本发明多个方面的TFT的可靠性测量结果的曲线图，其中，通过利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积氧化硅(SiOx)来形成界面稳定层。随着温度升高，阈值电压(Vth)沿负向改变，且s-因子劣化。
图6A和图6B是示出根据本发明多个方面的TFT的应力测量结果的曲线图。在图6A中，将15V的电压VGS施加到栅电极达大约1小时，在图6B中，将-15V的电压VGS施加到栅电极达大约1小时。在图6A中，阈值电压(Vth)的改变是0.5V，在图6B中，阈值电压(Vth)的改变是0.7V。图6C是示出根据本发明多个方面的TFT的应力测量结果的曲线图，其中，利用氧化硅(SiOx)形成界面稳定层。在制造多晶硅TFT的过程中通常利用氧化硅(SiOx)，以900℃的温度利用干(O2)或湿(H2O)热氧化方法形成的热氧化物(SiO2)被用作氧化硅(SiOx)。当将15V的电压VGS施加到栅电极达1小时时，阈值电压(Vth)的改变是2.1V；当将-15V的电压VGS施加到栅电极达1小时时，阈值电压(Vth)的改变是-2.8V。因此，通过图6A、图6B和图6C的结果，可以看出TFT的可靠性与传统的TFT的可靠性相比显著提高。
根据本发明多个方面的TFT可以应用于平板显示装置。图7是示出根据本发明多个方面的具有TFT的平板显示装置的实施例的透视图。将示意性地描述显示图像的显示面板100。
显示面板100包括彼此相对设置的两个基底110和120以及设置在两个基底110和120之间的液晶层130。在显示面板100中，像素区域113由多条栅极线111和数据线112限定，并以矩阵形式排列。
TFT 114控制提供到每个像素的信号，结合到晶体管114的像素电极115形成在栅极线111和数据线112的每个交叉部分处并位于基底110上。TFT 114具有图1至图3的结构中的任何一种结构，并可以利用参照图4A至图4D描述的制造TFT的方法来制造。
滤色器121和共电极122形成在基底120上。偏振板116形成在基底110的后表面处，偏振板123形成在基底120的后表面处，背光(未示出)设置在偏振板116下方。
同时，驱动显示面板100的液晶显示器(LCD)驱动IC(未示出)安装在显示面板100的像素区域113的侧部。LCD驱动IC将从显示面板100的外部提供的电信号转换成扫描信号和数据信号，然后将转换的扫描信号和数据信号提供到栅极线111和数据线112。
图8A和图8B分别是示出根据本发明多个方面的具有TFT的平板显示装置的另一实施例的平面图和剖视图。将示意性地描述显示图像的显示面板200。
参照图8A，基底210被分成像素区域220和围绕像素区域220的非像素区域230。在扫描线224和数据线226之间以矩阵形式连接的多个有机发光装置300形成在基底210的像素区域220上。从像素区域220延伸的扫描线224和数据线226形成在基底210的非像素区域230上，电源线(未示出)操作有机发光装置300，扫描驱动器234将从显示面板200的外部提供的信号提供到扫描线224，数据驱动器236将从显示面板200的外部提供的信号提供到数据线226。
参照图9，有机发光装置300包括阳极电极317、阴极电极320以及形成在阳极电极317和阴极电极320之间的有机薄膜层319。有机薄膜层319被形成为具有空穴传输层、有机发光层和电子传输层层叠的结构。在有机薄膜层319中还可以包括空穴注入层、空穴阻挡层、电子阻挡层和电子注入层。有机发光装置300还可以包括用于控制有机发光装置300的操作的TFT和用于保持信号的电容器。
TFT可具有图1至图3的结构中的任何一种结构，并可以利用参照图4A至图4D描述的制造TFT的方法来制造。在下文中，将参照图8A和图9详细描述包括TFT的有机发光装置300。
缓冲层形成在基底210上，源电极32a和漏电极32b形成在像素区域220中的缓冲层31上。此时，结合到源电极32a和漏电极32b中的一个电极的数据线226形成在像素区域220中。数据线226可以从像素区域220和焊盘228延伸，以接收从显示面板200的外部提供的信号，数据线226可以形成在非像素区域230中。
第一界面稳定层33、氧化物半导体层39和第二界面稳定层35顺序形成在具有源电极32a和漏电极32b的基底210上。第二界面稳定层35和氧化物半导体层39被顺序或同时图案化，从而形成有源层34。栅极绝缘层36形成在具有有源层34的基底210上，栅电极37形成在栅极绝缘层36上并形成在有源层34上方。此时，结合到栅电极37的扫描线224形成在像素区域220中。扫描线224可以从像素区域220和焊盘228延伸，以接收从显示面板200的外部提供的信号，扫描线224可以形成在非像素区域230中。
平坦化层38形成在上述薄膜晶体管上方，通孔形成在平坦化层38和栅极绝缘层36中，以暴露源电极32a或漏电极32b。阳极电极317被形成为通过通孔结合到源电极32a或漏电极32b。
像素限定层318形成在平坦化层38上，从而暴露阳极电极317的区域(发光区域)，有机薄膜层319形成在被暴露的阳极电极317上。阴极电极320形成在具有有机薄膜层319的像素限定层318上。
参照图8B，密封像素区域220的密封基底400设置在具有有机发光装置300的基底210上方，密封基底400通过密封构件410与基底210结合，从而完成显示面板200。
虽然已经示出并描述了本发明的一些实施例，但本领域技术人员应当明白，在不脱离本发明的原理和精神的情况下，可以在这样的实施例中做出改变，本发明的范围由权利要求书及其等同物限定。

Claims (28)

1.一种薄膜晶体管，包括：
基底；
源电极和漏电极，形成在基底上；
有源层，由氧化物半导体形成，并被形成为与源电极和漏电极至少部分叠置；
栅极绝缘层，形成在基底上，以覆盖有源层、源电极和漏电极；
栅电极，形成在栅极绝缘层上，并通过栅极绝缘层与有源层绝缘；
界面稳定层，形成在有源层的整个底表面上并在有源层的整个底表面与源电极和漏电极之间，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV且大于等于有源层的带隙的氧化物形成。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管还包括：
在有源层的顶表面上的由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成的另一界面稳定层。
3.如权利要求1或权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，氧化物半导体包含氧化锌。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，氧化物半导体掺杂有镓、铟、锡、锆、铪、镉、银、铜、锗、钆和钒中的至少一种离子。
5.如权利要求1或权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，界面稳定层包含从由硅的氧化物、硅的氮氧化物、硅的碳氧化物、SiOxCyHz、硅的氟氧化物、锗的氧化物、钆的氧化物、铝的氧化物、镓的氧化物、锑的氧化物、锆的氧化物、铪的氧化物、钽的氧化物、钇的氧化物、钒的氧化物、镁的氧化物、钙的氧化物、钡的氧化物、锶的氧化物和旋涂玻璃组成的组中选择的一种，其中，x＝0.90～1.0，y＝0～0.1，z＝0～0.1，x+y+z＝1。
6.如权利要求1或权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，界面稳定层的氢原子或氢氧根离子浓度为10+19/cm3或低于10+19/cm3。
7.如权利要求1或权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，当界面稳定层形成在有源层的底表面上时，该界面稳定层被形成得宽于有源层。
8.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：
在基底上形成源电极和漏电极；
在具有源电极和漏电极的基底上顺序地形成第一界面稳定层和氧化物半导体层；
将氧化物半导体层图案化，以形成有源层；
在基底上形成栅极绝缘层，以覆盖有源层；
在栅极绝缘层上并在有源层上方形成栅电极，
其中，第一界面稳定层形成在有源层的整个底表面上并在有源层的整个底表面与源电极和漏电极之间，第一界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV且大于等于有源层的带隙的氧化物形成。
9.如权利要求8所述的方法，其中，第一界面稳定层包含从由硅的氧化物、硅的氮氧化物、硅的碳氧化物、SiOxCyHz、硅的氟氧化物、锗的氧化物、钆的氧化物、铝的氧化物、镓的氧化物、锑的氧化物、锆的氧化物、铪的氧化物、钽的氧化物、钇的氧化物、钒的氧化物、镁的氧化物、钙的氧化物、钡的氧化物、锶的氧化物和旋涂玻璃组成的组中选择的一种，其中，x＝0.90～1.0，y＝0～0.1，z＝0～0.1，x+y+z＝＝1。
10.如权利要求8所述的方法，其中，利用物理沉积方法形成第一界面稳定层。
11.如权利要求8所述的方法，其中，第一界面稳定层被形成为
Figure FSB00000653072400021
至
Figure FSB00000653072400022
的厚度。
12.如权利要求8所述的方法，其中，氧化物半导体层包含氧化锌。
13.如权利要求10所述的方法，其中，氧化物半导体层掺杂有镓、铟、锡、锆、铪、镉、银、铜、锗、钆和钒中的至少一种离子。
14.如权利要求8所述的方法，其中，在形成有源层的步骤中将第一界面稳定层图案化。
15.如权利要求8所述的方法，所述方法还包括：在有源层上与第一界面稳定层相对地形成第二界面稳定层。
16.如权利要求15所述的方法，其中，第二界面稳定层包含从由硅的氧化物、硅的氮氧化物、硅的碳氧化物、SiOxCyHz、硅的氟氧化物、锗的氧化物、钆的氧化物、铝的氧化物、镓的氧化物、锑的氧化物、锆的氧化物、铪的氧化物、钽的氧化物、钇的氧化物、钒的氧化物、镁的氧化物、钙的氧化物、钡的氧化物、锶的氧化物和旋涂玻璃组成的组中选择的一种，其中，x＝0.90～1.0，y＝0～0.1，z＝0～0.1，x+y+z＝1。
17.如权利要求16所述的方法，其中，利用物理沉积方法形成第二界面稳定层。
18.如权利要求15所述的方法，其中，所述第二界面稳定层被形成为
Figure FSB00000653072400031
至
Figure FSB00000653072400032
的厚度。
19.一种平板显示装置，包括第一基底、第二基底和液晶层，在第一基底上设置有第一导电线、第二导电线、多个像素和多个薄膜晶体管，第一导电线被设置为与第二导电线交叉，所述多个像素均具有第一电极，所述多个像素均由第一导电线和第二导电线限定，所述多个薄膜晶体管电结合到第一电极以控制分别提供到像素的信号，在第二基底上形成有第二电极，液晶层设置于第一电极和第二电极之间密封的空间中，其中，薄膜晶体管均包括：
源电极和漏电极，形成在第一基底上，源电极和漏电极中的一个电结合到第一导电线和第二导电线中的一种，源电极和漏电极中的另一个电结合到第一电极；
有源层，由氧化物半导体形成，并被形成为与源电极和漏电极至少部分叠置；
栅极绝缘层，形成在第一基底上，以覆盖有源层、源电极和漏电极；
栅电极，形成在栅极绝缘层上，并通过栅极绝缘层与有源层绝缘，栅电极电连接到第一导电线和第二导电线中的另一种；
界面稳定层，形成在有源层的整个底表面上并在有源层的整个底表面与源电极和漏电极之间，界面稳定层由具有3.0eV至8.0eV且大于等于有源层的带隙的带隙的氧化物形成。
20.如权利要求19所述的平板显示装置，其中，所述平板显示装置还包括：
在有源层的顶表面上的由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成的另一界面稳定层。
21.如权利要求19或权利要求20所述的平板显示装置，其中，氧化物半导体包含氧化锌。
22.如权利要求21所述的平板显示装置，其中，氧化物半导体掺杂有镓、铟、锡、锆、铪、镉、银、铜、锗、钆和钒中的至少一种离子。
23.如权利要求19或权利要求20所述的平板显示装置，其中，界面稳定层包含从由硅的氧化物、硅的氮氧化物、硅的碳氧化物、SiOxCyHz、硅的氟氧化物、锗的氧化物、钆的氧化物、铝的氧化物、镓的氧化物、锑的氧化物、锆的氧化物、铪的氧化物、钽的氧化物、钇的氧化物、钒的氧化物、镁的氧化物、钙的氧化物、钡的氧化物、锶的氧化物和旋涂玻璃组成的组中选择的一种，其中，x＝0.90～1.0，y＝0～0.1，z＝0～0.1，x+y+z＝1。
24.一种平板显示装置，包括第一基底和第二基底，在第一基底上形成有有机发光装置、栅极线、数据线和薄膜晶体管，有机发光装置包括第一电极、有机薄膜层和第二电极，薄膜晶体管控制有机发光装置的操作，第二基底被设置为与第一基底相对，其中，薄膜晶体管包括：
源电极和漏电极，形成在第一基底上，源电极和漏电极中的一个电连接到数据线中的一条；
有源层，由氧化物半导体形成，并被形成为与源电极和漏电极至少部分叠置；
栅极绝缘层，形成在第一基底上，以覆盖有源层、源电极和漏电极；
栅电极，形成在栅极绝缘层上，并通过栅极绝缘层与有源层绝缘，栅电极电连接到栅极线中的一条；
界面稳定层，形成在有源层的整个底表面上并在有源层的整个底表面与源电极和漏电极之间，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV且大于等于有源层的带隙的氧化物形成。
25.如权利要求24所述的平板显示装置，其中，所述平板显示装置还包括：
在有源层的顶表面上的由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成的另一界面稳定层。
26.如权利要求24或权利要求25所述的平板显示装置，其中，氧化物半导体包含氧化锌。
27.如权利要求26所述的平板显示装置，其中，氧化物半导体掺杂有镓、铟、锡、锆、铪、镉、银、铜、锗、钆和钒中的至少一种离子。
28.如权利要求24或权利要求25所述的平板显示装置，其中，界面稳定层包含从由硅的氧化物、硅的氮氧化物、硅的碳氧化物、SiOxCyHz、硅的氟氧化物、锗的氧化物、钆的氧化物、铝的氧化物、镓的氧化物、锑的氧化物、锆的氧化物、铪的氧化物、钽的氧化物、钇的氧化物、钒的氧化物、镁的氧化物、钙的氧化物、钡的氧化物、锶的氧化物和旋涂玻璃组成的组中选择的一种，其中，x＝0.90～1.0，y＝0～0.1，z＝0～0.1，x+y+z＝1。
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