KR20100002503A - 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (29)
- 기판;상기 기판 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극 및 드레인 전극과 일부 중첩되며 산화물 반도체로 이루어진 활성층;게이트 절연층에 의해 상기 활성층과 절연되는 게이트 전극; 및상기 활성층의 상부면 및 하부면 중 적어도 일 면에 형성된 계면 안정화층을 포함하며,상기 계면 안정화층이 3.0 내지 8.0eV의 밴드갭을 갖는 산화물로 이루어진 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서, 상기 산화물 반도체가 산화아연(ZnO)을 포함하는 박막 트랜지스터.
- 제 2 항에 있어서, 상기 산화물 반도체에 갈륨(Ga), 인듐(In), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 은(Ag), 구리(Cu), 게르마늄(Ge) 및 바나듐(V) 중 적어도 하나의 이온이 도핑된 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서, 상기 계면 안정화층이 SiOx, SiN, SiOxNy, SiOxCy, SiOxCyHz, SiOxFy, GeOx, AlOx, GaOx, SbO, ZrOx, HfOx, TaOx, YOx, VOx, MgOx, CaOx, BaOx, SrOx 및 SOG로 이루어진 군에서 선택된 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서, 상기 계면 안정화층의 수소 농도가 10+19/㎤ 이하인 박막 트랜지스터.
- 기판 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 상부에 계면 안정화층 및 산화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 산화물 반도체층을 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층을 포함하는 상부에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상부의 상기 게이트 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 계면 안정화층을 3.0 내지 8.0eV의 밴드갭을 갖는 산화물로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 계면 안정화층이 SiOx, SiN, SiOxNy, SiOxCy, SiOxCyHz, SiOxFy, GeOx, GdOx, AlOx, GaOx, SbO, ZrOx, HfOx, TaOx, YOx, VOx, MgOx, CaOx, BaOx, SrOx 및 SOG로 이루어진 군에서 선택된 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 계면 안정화층을 물리 증착 방법으로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 계면 안정화층을 10 내지 20Å의 두께로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 산화물 반도체가 산화아연(ZnO)을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 산화물 반도체에 갈륨(Ga), 인듐(In), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 은(Ag), 구리(Cu), 게르마늄(Ge), 가돌리늄(Gd) 및 바나듐(V) 중 적어도 하나의 이온이 도핑된 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 활성층을 형성하는 단계에서 상기 계면 안정화층을 패터닝하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 활성층 상에 계면 안정화층을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 계면 안정화층이 SiOx, SiN, SiOxNy, SiOxCy, SiOxCyHz, SiOxFy, GeOx, GdOx, AlOx, GaOx, SbO, ZrOx, HfOx, TaOx, YOx, VOx, MgOx, CaOx, BaOx, SrOx 및 SOG로 이루어진 군에서 선택된 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 14 항에 있어서, 상기 계면 안정화층을 물리 증착 방법으로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 기판 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 상부에 산화물 반도체층 및 계면 안정화층을 형성하는 단계;상기 계면 안정화층 및 산화물 반도체층을 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층을 포함하는 상부에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상부의 상기 게이트 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 계면 안정화층을 3.0 내지 8.0eV의 밴드갭을 갖는 산화물로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서, 상기 산화물 반도체가 산화아연(ZnO)을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 17 항에 있어서, 상기 산화물 반도체에 갈륨(Ga), 인듐(In), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 은(Ag), 구리(Cu), 게르마늄(Ge), 가돌리늄(Gd) 및 바나듐(V) 중 적어도 하나의 이온이 도핑된 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서, 상기 계면 안정화층이 SiOx, SiN, SiOxNy, SiOxCy, SiOxCyHz, SiOxFy, GeOx, GdOx, AlOx, GaOx, SbO, ZrOx, HfOx, TaOx, YOx, VOx, MgOx, CaOx, BaOx, SrOx 및 SOG로 이루어진 군에서 선택된 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서, 상기 계면 안정화층을 물리 증착 방법으로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서, 상기 계면 안정화층을 50 내지 5000Å의 두께로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 다수의 제 1 도전선과 제 2 도전선에 의해 다수의 화소가 정의되고, 각 화소로 공급되는 신호를 제어하는 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터와 연결된 제 1 전극이 형성된 제 1 기판;제 2 전극이 형성된 제 2 기판; 및상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 밀봉된 공간에 주입된 액정층을 포함하며,상기 박막 트랜지스터는 상기 제 1 기판 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극 및 드레인 전극과 일부 중첩되며 산화물 반도체로 이루어진 활성층;게이트 절연층에 의해 상기 활성층과 절연되는 게이트 전극; 및상기 활성층의 상부면 및 하부면 중 적어도 일 면에 형성된 계면 안정화층을 포함하며,상기 계면 안정화층이 3.0 내지 8.0eV의 밴드갭을 갖는 산화물로 이루어진 평판 표시 장치.
- 제 22 항에 있어서, 상기 산화물 반도체가 산화아연(ZnO)을 포함하는 박막 트랜지스터.
- 제 23 항에 있어서, 상기 산화물 반도체에 갈륨(Ga), 인듐(In), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 은(Ag), 구리(Cu), 게르마늄(Ge), 가돌리늄(Gd) 및 바나듐(V) 중 적어도 하나의 이온이 도핑된 박막 트랜지스터.
- 제 22 항에 있어서, 상기 계면 안정화층이 SiOx, SiN, SiOxNy, SiOxCy, SiOxCyHz, SiOxFy, GeOx, GdOx, AlOx, GaOx, SbO, ZrOx, HfOx, TaOx, YOx, VOx, MgOx, CaOx, BaOx, SrOx 및 SOG로 이루어진 군에서 선택된 박막 트랜지스터.
- 제 1 전극, 유기 박막층 및 제 2 전극으로 이루어진 유기전계발광 소자와, 상기 유기전계발광 소자의 동작을 제어하기 위한 박막 트랜지스터가 형성된 제 1 기판; 및상기 제 1 기판에 대향되도록 배치된 제 2 기판을 포함하며,상기 박막 트랜지스터는 상기 제 1 기판 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극 및 드레인 전극과 일부 중첩되며 산화물 반도체로 이루어진 활성층;게이트 절연층에 의해 상기 활성층과 절연되는 게이트 전극; 및상기 활성층의 상부면 및 하부면 중 적어도 일 면에 형성된 계면 안정화층을 포함하며,상기 계면 안정화층이 3.0 내지 8.0eV의 밴드갭을 갖는 산화물로 이루어진 평판 표시 장치.
- 제 26 항에 있어서, 상기 산화물 반도체가 산화아연(ZnO)을 포함하는 평판 표시 장치.
- 제 27 항에 있어서, 상기 산화물 반도체에 갈륨(Ga), 인듐(In), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 은(Ag), 구리(Cu), 게르마늄(Ge), 가돌리늄(Gd) 및 바나듐(V) 중 적어도 하나의 이온이 도핑된 평판 표시 장치.
- 제 26 항에 있어서, 상기 계면 안정화층이 SiOx, SiN, SiOxNy, SiOxCy, SiOxCyHz, SiOxFy, GeOx, GdOx, AlOx, GaOx, SbO, ZrOx, HfOx, TaOx, YOx, VOx, MgOx, CaOx, BaOx, SrOx 및 SOG로 이루어진 군에서 선택된 평판 표시 장치.
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