JP4555358B2 - 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置 - Google Patents
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Description
これらFPDは、ガラス基板上に設けた非晶質シリコン薄膜や多結晶シリコン薄膜を活性層に用いる電界効果型薄膜トランジスタ(以後の説明で、Thin Film Transistor、もしくはTFTと記載する場合がある)のアクティブマトリクス回路により駆動されている。
しかし、上述のシリコン薄膜を用いるトランジスタの製造は、比較的高温の熱工程を要し、一般的に耐熱性の低い樹脂基板上に直接形成することは困難である。
あるいは、アモルファス酸化物半導体のキャリア濃度を低減すること、例えば、1018/cm3未満にするとTFTは動作し、1016/cm3未満で良好なON/OFF比を持つTFTが得られること、さらに良好な低いオフ電流特性を持たせるには、キャリア濃度を1016/cm3未満にすることが好ましいことが開示されている。該アモルファス酸化物半導体の形成方法として組成又は元素が互いに異なる複数の酸化物層を積層し、その形成過程で互いの層の金属成分が溶融混合し合ったアモルファス酸化物半導体層を形成する方法が開示されている(例えば、特許文献4参照)。また、活性層として母体となる酸化物半導体と、トンネル効果を生じる膜厚以下の厚みで酸素原子を有する酸化物層間材とを積層した酸化物半導体を活性層として用いることが開示されている(例えば、特許文献5参照)。
<1> 基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物を含む活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極又はドレイン電極の少なくとも一方との間に、少なくともアモルファスGa 2 O 3 を含み厚みが3nmを超える抵抗層を有し、前記活性層のバンドギャップが前記抵抗層のバンドギャップより小さいことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。
<2> 前記活性層が少なくともInを含み、前記活性層のバンドギャップが2.0eV以上4.0eV未満である<1>に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<3> 前記抵抗層のバンドギャップが4.0eV以上15.0eV未満である<1>又は<2>に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<4> 前記活性層のバンドギャップと前記抵抗層のバンドギャップの差が0.1eV以上13.0eV未満であることを特徴とする<1>〜<3>のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<5> 前記活性層のキャリア濃度が、前記抵抗層のキャリア濃度よりも高いことを特徴とする<1>〜<4>のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<6> 前記抵抗層の膜厚が5nm以上80nm以下であることを特徴とする<1>〜<5>のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<7> 前記ゲート絶縁膜と、前記ソース電極又はドレイン電極の間は、前記活性層と前記抵抗層の2層からなることを特徴とする<1>〜<6>のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<8> 前記活性層と前記抵抗層がスパッタ法により成膜された層であることを特徴とする<1>〜<7>のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<9> 前記基板がフレキシブル基板であることを特徴とする<1>〜<8>のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<10> 1対の電極と、該電極間に介在する発光層とを有する発光素子と、該発光素子を駆動するための電界効果型トランジスタとを備えた表示装置であって、該電界効果型トランジスタが<1>〜<9>のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタであることを特徴とする表示装置。
本発明のTFTは、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を順次有し、ゲート電極に電圧を印加して、活性層に流れる電流を制御し、ソース電極とドレイン電極間の電流をスイッチングする機能を有するアクテイブ素子である。TFT構造として、スタガ構造及び逆スタガ構造いずれをも形成することができる。
好ましくは、アモルファス酸化物を含有する活性層をゲート絶縁膜に隣接し、抵抗層をソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方に隣接して配置される。従来、アモルファス酸化物を含有する層は化学的エッチング液により腐食され易いという問題があり、その上に設置される層のパターニングに化学的エッチング法を利用することが困難であった。本発明による積層される抵抗層は耐酸性に優れる利点を有するため、該層配置の構成により、ソース電極及びドレイン電極を化学的エッチングによりパターニングすることが可能になり、TFT生産性が改善される効果が得られる。
E2が4.0eV未満では、活性層として動作してしまい好ましくなく、また、15.0eV以上の条件を満たす物質を得ることは現実的ではない。
好ましくは、活性層が、In、Sn、Zn、及びCdより選ばれる少なくとも一つの元素を含む酸化物を含有する。
好ましくは、抵抗層が、Ga、Mg、Al、Ca、及びSiより選ばれる少なくとも一つの元素を含む酸化物を含有する。
好ましくは、活性層と抵抗層がスパッタ法により成膜された層である。
好ましくは、基板が可撓性樹脂基板である。
本発明のTFTについて以下においてさらに詳細に説明する。
本発明の活性層に用いられるアモルファス酸化物は、低温で成膜可能である為に、プラスティックのような可撓性のある樹脂基板に作製が可能である。
本発明の活性層に用いられるアモルファス酸化物は、好ましくはIn、Sn、Zn、又はCdを含む酸化物であり、より好ましくは、In、Sn、Znを含む酸化物、さらに好ましくは、In、Znを含む酸化物である。本発明における活性層の電気伝導度は、特に限定されないが、電気伝導度10−10S/cm以上10+1S/cm以下であり、より好ましくは、10−7S/cm以上10−3S/cm以下である。
本発明の活性層は、バンドギャップが2.0eV以上4.0eV未満であり、好ましくは2.2eV以上3.8eV以下、より好ましくは3.0eV以上3.5eV以下である。
本発明の活性層のバンドギャップは、下記により調製(調整)される。たとえばIndium−Gallium−Zinc−Oxide(IGZO)であれば、In2O3(2.5eV)とZnO(3.3eV)とGa2O3(4.6eV)による共スパッタにより可能となる。バンドギャップの大きいGa2O3(4.6eV)の比率を大きくすれば、それに伴って活性層のバンドギャップも大きくなり、In2O3(2.5eV)の比率を大きくすると、それに伴って活性層のバンドギャップも小さくなる。
本発明における活性層のキャリア濃度は、種々の手段により所望の数値に調整することができる。
本発明における活性層のキャリア濃度は、特に限定されないが、好ましくは1×1015/cm3以上の高い領域である。より好ましくは、1×1015/cm3以上1×1021/cm3以下である。
(1)酸素欠陥による調整
酸化物半導体において、酸素欠陥ができると、活性層のキャリア濃度が増加し、電気伝導度が大きくなることが知られている。よって、酸素欠陥量を調整することにより、酸化物半導体のキャリア濃度を制御することが可能である。酸素欠陥量を制御する具体的な方法としては、成膜中の酸素分圧、成膜後の後処理時の酸素濃度と処理時間等がある。ここでいう後処理とは、具体的に100℃以上の熱処理、酸素プラズマ、UVオゾン処理がある。これらの方法の中でも、生産性の観点から成膜中の酸素分圧を制御する方法が好ましい。成膜中の酸素分圧を調整することにより、酸化物半導体のキャリア濃度の制御ができる。
酸化物半導体の金属組成比を変えることにより、キャリア濃度が変化することが知られている。例えば、例えば、Indium−Gallium−Zinc−Oxide(IGZO)であれば、Inの比率を大きくすれば、それに伴って活性層のキャリア濃度も大きくなり、Gaの比率を大きくすると、それに伴って活性層のキャリア濃度も小さくなる。
これら組成比を変える具体的な方法としては、例えば、スパッタによる成膜方法においては、組成比が異なるターゲットを用いる。または、多元のターゲットにより、共スパッタし、そのスパッタレートを個別に調整することにより、膜の組成比を変えることが可能である。
酸化物半導体に、Li,Na,Mn,Ni,Pd,Cu,Cd,C,N,又はP等の元素を不純物として添加することによりキャリア濃度を減少させることが可能である。不純物を添加する方法としては、酸化物半導体と不純物元素とを共蒸着により行う、成膜された酸化物半導体膜に不純物元素のイオンをイオンドープ法により行う等がある。
上記(1)〜(3)においては、同一酸化物半導体系でのキャリア濃度の調整方法を述べたが、もちろん酸化物半導体材料を変えることにより、キャリア濃度を変えることができる。例えば、一般的にSnO2系酸化物半導体は、In2O3系酸化物半導体に比べてキャリア濃度が小さいことが知られている。このように酸化物半導体材料を変えることにより、キャリア濃度の調整が可能である。
キャリア濃度を調整する手段としては、上記(1)〜(4)の方法を単独に用いても良いし、組み合わせても良い。
活性層の成膜方法は、酸化物半導体の多結晶焼結体をターゲットとして、気相成膜法を用いるのが良い。気相成膜法の中でも、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法(PLD法)が適している。さらに、量産性の観点から、スパッタリング法が好ましい。
本発明に於ける活性層の厚みは、好ましくは、0.1nm以上100nm以下である。
より好ましくは、0.5nm以上50nm以下、さらに好ましくは、1nm以上20nm以下である。
本発明に於ける活性層の膜厚は、作製した素子断面のHRTEM(High Resolution TEM)写真撮影により測定することができる。
本発明に用いられる抵抗層のバンドギャップが4.0eV以上15.0eV未満である。
好ましくは、抵抗層が、Ga、Mg、Al、Ca、及びSiより選ばれる少なくとも一つの元素を含む酸化物を含有する。より好ましくは、Ga、Mg、Al、又はCaを含む酸化物、さらに好ましくは、Ga、Mg、又はAlを含む酸化物である。
本発明の抵抗層は、バンドギャップが4.0eV以上15.0eV未満であり、好ましくは4.2eV以上12.0eV以下、より好ましくは4.5eV以上10.0eV以下である。
本発明の抵抗層のバンドギャップは、下記により調製(調整)される。
例えば、Ga2O3(4.6eV)とMgO(8.0eV)の二種の混合物であれば、Gaの比率が高い場合バンドギャップは小さくなり、Mgの比率が高い場合バンドギャップは大きくなる。
本発明に於ける抵抗層の厚みは、好ましくは、3nm以上100nm以下である。より好ましくは、5nm以上80nm以下、さらに好ましくは、10nm以上50nm以下である。
本発明におけるゲート電極としては、例えば、Al、Mo、Cr、Ta、Ti、Au、又はAg等の金属、Al−Nd、APC等の合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性化合物、またはこれらの混合物を好適に挙げられる。
ゲート電極の厚みは、好ましくは、10nm以上1000nm以下である。より好ましくは、20nm以上500nm以下、さらに好ましくは、40nm以上100nm以下である。
ゲート絶縁膜としては、SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、Y2O3、Ta2O5、又はHfO2等の絶縁体、又はそれらの化合物を少なくとも二つ以上含む混晶化合物が用いられる。また、ポリイミドのような高分子絶縁体もゲート絶縁膜として用いることができる。
特に、HfO2のような高誘電率絶縁体をゲート絶縁膜に用いると、膜厚を厚くしても、低電圧でのTFT駆動が可能であるので、特に好ましい。
本発明におけるソース電極及びドレイン電極材料として、例えば、Al、Mo、Cr、Ta、Ti、Au、又はAg等の金属、Al−Nd、APC等の合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性化合物、またはこれらの混合物を好適に挙げられる。特に好ましくは、IZOである。
ソース電極及びドレイン電極の厚みは、好ましくは、10nm以上1000nm以下である。より好ましくは、20nm以上500nm以下、さらに好ましくは、40nm以上400nm以下である。
本発明に用いられる基板は特に限定されることはなく、例えばYSZ(ジルコニア安定化イットリウム)、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリブチレンテレフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカ−ボネ−ト、ポリエ−テルスルホン、ポリアリレ−ト、アリルジグリコ−ルカ−ボネ−ト、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、及びポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の合成樹脂等の有機材料、などが挙げられる。前記有機材料の場合、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、又は低吸湿性等に優れていることが好ましい。
これは、可撓性基板の厚みを50μm未満とした場合には、基板自体が十分な平坦性を保持することが難しいためである。また、可撓性基板の厚みを500μmよりも厚くした場合には、基板自体を自由に曲げることが困難になる、すなわち基板自体の可撓性が乏しくなるためである。
次に、図面を用いて、詳細に本発明におけるTFTの構造を説明する。
図1は、本発明のTFTの一例を示す模式図である。基板1がプラスチックフィルムなどの可撓性基板の場合、基板1の少なくとも一方の面に絶縁層6を配し、その上にゲート電極2、ゲート絶縁膜3、アモルファス酸化物よりなる活性層4、抵抗層7を積層して有し、その表面にソース電極5−1とドレイン電極5−2が設置される。
本発明の電界効果型薄膜トランジスタは、液晶やEL素子を用いた画像表示装置、特に平面薄型表示装置(Flat Panel Display:FPD)に好ましく用いられる。より好ましくは、基板に有機プラスチックフィルムのような可撓性基板を用いたフレキシブル表示装置に用いられる。特に、本発明の電界効果型薄膜トランジスタは、移動度が高いことから有機EL素子を用いた表示装置、フレキシブル有機EL表示装置に最も好ましく用いられる。
本発明に用いられる有機EL表示装置は、基板上に少なくとも下部電極、少なくとも発光層を含む有機層、及び上部電極を順次有する有機EL素子、および前記上部電極上に少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体を含有する活性層、ソース電極、及びドレイン電極を有し前記有機EL素子を駆動するTFTを有する。TFTが有機EL素子の背面に配置されているので、有機EL素子の発光を取り出す開口部を大きく取ることができる。好ましくは、TFTと有機EL素子の間に保護絶縁膜を有し、前記有機EL素子の上部電極とTFTの前記ソース電極または前記ドレイン電極とが前記保護絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されている。好ましくは、前記下部電極が光透過性電極であり、前記上部電極が光反射性電極である。
本発明の発光素子は基板上に陰極と陽極を有し、両電極の間に有機発光層(以下、単に「発光層」と称する場合がある。)を含む有機化合物層を有する。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。
また、発光層と正孔輸送層との間に正孔輸送性中間層を、同様に陰極と電子輸送層との間に電子注入層を設けても良い。
尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
本発明で使用する基板としては、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、ジルコニア安定化イットリウム(YSZ)、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、およびポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
透湿防止層(ガスバリア層)の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層(ガスバリア層)は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、60%以上が好ましく、70%以上がより好ましい。
陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01質量%〜10質量%のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など)をいう。
例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その1種又は2種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を0.1nm〜5nmの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を1nm〜10nmの厚さに薄く成膜し、更にITOやIZO等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
本発明における有機化合物層について説明する。
本発明の有機EL素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、発光層以外の他の有機化合物層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
有機発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
本発明における発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光性ドーパントの混合層とした構成でも良い。発光性ドーパントは蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、2種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は1種であっても2種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。
また、発光層は1層であっても2層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
前記燐光性の発光性ドーパントとしては、一般に、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体を挙げることができる。
例えば、該遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、金、銀、銅、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金であり、更に好ましくはイリジウム、白金である。
ランタノイド原子としては、例えばランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
前記蛍光性の発光性ドーパントとしては、一般には、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物(アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、またはペンタセンなど)、8−キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、およびこれらの誘導体などを挙げることができる。
本発明に用いられるホスト材料としては、正孔輸送性に優れる正孔輸送性ホスト材料(正孔輸送性ホストと記載する場合がある)及び電子輸送性に優れる電子輸送性ホスト化合物(電子輸送性ホストと記載する場合がある)を用いることができる。
本発明に用いられる正孔輸送性ホストとしては、具体的には、例えば、以下の材料を挙げることができる。
ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、及びそれらの誘導体等が挙げられる。
好ましくは、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、芳香族第三級アミン化合物、又はチオフェン誘導体であり、より好ましくは、分子内にカルバゾール基を有するものが好ましい。特に、t−ブチル置換カルバゾール基を有する化合物が好ましい。
本発明に用いられる発光層内の電子輸送性ホストとしては、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、電子親和力Eaが2.5eV以上3.5eV以下であることが好ましく、2.6eV以上3.4eV以下であることがより好ましく、2.8eV以上3.3eV以下であることが更に好ましい。また、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、イオン化ポテンシャルIpが5.7eV以上7.5eV以下であることが好ましく、5.8eV以上7.0eV以下であることがより好ましく、5.9eV以上6.5eV以下であることが更に好ましい。
ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、およびそれらの誘導体(他の環と縮合環を形成してもよい)、8−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体等を挙げることができる。
金属錯体中の金属イオンは特に限定されないが、好ましくはベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、インジウムイオン、錫イオン、白金イオン、またはパラジウムイオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、白金イオン、またはパラジウムイオンであり、更に好ましくはアルミニウムイオン、亜鉛イオン、またはパラジウムイオンである。
配位子としては、例えばアジン配位子(例えば、ピリジン配位子、ビピリジル配位子、ターピリジン配位子などが挙げられる。)、ヒドロキシフェニルアゾール配位子(例えば、ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾピリジン配位子などが挙げられる。)、アルコキシ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、及び2−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。)、アリールオキシ配位子(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシ、2,4,6−トリメチルフェニルオキシ、及び4−ビフェニルオキシなどが挙げられる。)、
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる正孔注入材料、正孔輸送材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、又はカーボン等を含有する層であることが好ましい。
電子受容性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料に対して0.01質量%〜50質量%であることが好ましく、0.05質量%〜20質量%であることが更に好ましく、0.1質量%〜10質量%であることが特に好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、0.1nm〜200nmであるのが好ましく、0.5nm〜100nmであるのがより好ましく、1nm〜100nmであるのが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
この他にも、特開平6−212153、特開2000−196140、特開2003−68468、特開2003−229278、特開2004−342614等に記載の材料を用いることが出来る。
電子輸送層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、0.1nm〜200nmであるのが好ましく、0.2nm〜100nmであるのがより好ましく、0.5nm〜50nmであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する化合物の例としては、BAlq等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、BCP等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として、電子ブロック層を設けることができる。電子ブロック層を構成する化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
電子ブロック層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。
電子ブロック層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
本発明において、有機EL素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、MgO、SIO、SIO2、Al2O3、GeO、NIO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、TIO2等の金属酸化物、SINx、SINxOy等の金属窒化物、MgF2、LIF、AlF3、CaF2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。
さらに、本発明の有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、および酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、およびシリコーンオイル類が挙げられる。
(樹脂封止層)
本発明の機能素子は樹脂封止層により大気との接触により、酸素や水分による素子性能の劣化を抑制することが好ましい。
<素材>
樹脂封止層の樹脂素材としては、特に限定されることはなく、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、ゴム系樹脂、またはエステル系樹脂等を用いることができるが、中でも水分防止機能の点からエポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂の中でも熱硬化型エポキシ樹脂、または光硬化型エポキシ樹脂が好ましい。
<作製方法>
樹脂封止層の作製方法は特に限定されることはなく、例えば、樹脂溶液を塗布する方法、樹脂シートを圧着または熱圧着する方法、蒸着やスパッタリング等により乾式重合する方法が挙げられる。
<膜厚み>
樹脂封止層の厚みは1μm以上、1mm以下が好ましい。更に好ましくは5μm以上、100μm以下であり、最も好ましくは10μm以上50μm以下である。これよりも薄いと、第2の基板を装着時に上記無機膜を損傷する恐れがある。またこれよりも厚いと電界発光素子自体の厚みが厚くなり、有機電界発光素子の特徴である薄膜性を損なうことになる。
本発明に用いられる封止接着剤は、端部よりの水分や酸素の侵入を防止する機能を有する。
<素材>
前記封止接着剤の材料としては、前記樹脂封止層で用いる材料と同じものを用いることができる。中でも、水分防止の点からエポキシ系の接着剤が好ましく、中でも光硬化型接着剤あるいは熱硬化型接着剤が好ましい。
封止剤に添加されているフィラーとしては、SiO2、SiO(酸化ケイ素)、SiON(酸窒化ケイ素)またはSiN(窒化ケイ素)等の無機材料が好ましい。フィラーの添加により、封止剤の粘度が上昇し、加工適正が向上し、および耐湿性が向上する。
封止接着剤は乾燥剤を含有しても良い。乾燥剤としては、酸化バリウム、酸化カルシウム、または酸化ストロンチウムが好ましい。
封止接着剤に対する乾燥剤の添加量は、0.01質量%以上20質量%以下であることが好ましく、更に好ましくは0.05質量%以上15質量%以下である。これよりも少ないと、乾燥剤の添加効果が薄れることになる。またこれよりも多い場合には封止接着剤中に乾燥剤を均一分散させることが困難になり好ましくない。
<封止接着剤の処方>
・ポリマー組成、濃度
封止接着剤としては特に限定されることはなく、前記のものを用いることができる。例えば光硬化型エポキシ系接着剤としては長瀬ケムテック(株)製のXNR5516を挙げることができる。そこに直接前記乾燥剤を添加し、分散せしめれば良い。
・厚み
封止接着剤の塗布厚みは1μm以上1mm以下であることが好ましい。これよりも薄いと封止接着剤を均一に塗れなくなり好ましくない。またこれよりも厚いと、水分が侵入する道筋が広くなり好ましくない。
<封止方法>
本発明においては、上記乾燥剤の入った封止接着剤をディスペンサー等により任意量塗布し、塗布後第2基板を重ねて、硬化させることにより機能素子を得ることができる。
本発明における有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流(必要に応じて交流成分を含んでもよい)電圧(通常2ボルト〜15ボルト)、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明における有機電界発光素子の駆動方法については、特開平2−148687号、同6−301355号、同5−29080号、同7−134558号、同8−234685号、同8−241047号の各公報、特許第2784615号、米国特許5828429号、同6023308号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
前記電荷発生層は、電界印加時に電荷(正孔及び電子)を発生する機能を有すると共に、発生した電荷を電荷発生層と隣接する層に注入させる機能を有する層である。
具体的には、導電性を有するものであっても、ドープされた有機層のように半導電性を有するものであっても、また、電気絶縁性を有するものであってもよく、特開平11−329748や、特開2003−272860や、特開2004−39617に記載の材料が挙げられる。
前記正孔伝導性材料は、例えば2−TNATA、NPDなどの正孔輸送有機材料にF4−TCNQ、TCNQ、FeCl3などの電子求引性を有する酸化剤をドープさせたものや、P型導電性高分子、P型半導体などが挙げられ、前記電子伝導性材料は電子輸送有機材料に4.0eV未満の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物をドープしたものや、N型導電性高分子、N型半導体が挙げられる。N型半導体としては、N型Si、N型CdS、N型ZnSなどが挙げられ、P型半導体としては、P型Si、P型CdTe、P型CuOなどが挙げられる。
また、前記電荷発生層として、V2O5などの電気絶縁性材料を用いることもできる。
電荷発生層の形成方法は、特に限定されるものではなく、前述した有機化合物層の形成方法を用いることができる。
以上で挙げられた内容以外にも、特開2003−45676号公報、米国特許第6337492号、同第6107734号、同第6872472号等に記載を元にして、電荷発生層の材料を選択することができる。
別の好ましい態様では、透明基板上に、透明または半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、2つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長の得るのに最適な値となるよう調整される。
第一の態様の場合の計算式は特開平9−180883号明細書に記載されている。第2の態様の場合の計算式は特開2004−127795号明細書に記載されている。
また、上記方法により得られる異なる発光色の有機EL素子を複数組み合わせて用いることにより、所望の発光色の平面型光源を得ることができる。例えば、青色および黄色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、青色、緑色、赤色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、等である。
本発明の有機EL表示装置において、有機EL素子上全体は、保護絶縁膜によって保護されている。保護絶縁膜は、有機EL素子上にTFTを作製する際に、有機EL素子へ与えるダメージを低減する機能と、有機EL素子とTFTとを電気的に絶縁する機能を有する。また、保護絶縁膜は、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであることが更に好ましい。
本発明のTFTは、液晶やEL素子を用いた画像表示装置、特にFPDのスイッチング素子、駆動素子として用いることができる。特に、フレキシブルFPD装置のスイッチング素子、駆動素子として用いるのが適している。さらに本発明の電界効果型薄膜トランジスタを用いた表示装置は、携帯電話ディスプレイ、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、コンピュータディスプレイ、自動車の情報ディスプレイ、TVモニター、あるいは一般照明を含む広い分野で幅広い分野で応用される。
また、本発明のTFTは、表示装置以外にも、有機プラスチックフィルムのような可撓性基板上に本発明の電界効果型薄膜トランジスタを形成し、ICカードやIDタグなどに幅広く応用が可能である。
1.TFT素子の作製
1)本発明のTFT素子の作製
<n−Si基板の作製>
基板およびゲート電極を下記にて作製した。
厚さ0.5mmのN型Si基板((株)ジェムコ製,抵抗率1Ωcm〜3.5Ωcm)を伝導型N型基板として用い、これをそのまま基板兼ゲート電極として用いた。
次にゲート電極上に、下記のゲート絶縁膜の形成を行った。
ゲート絶縁膜:SiO2をRFマグネトロンスパッタ真空蒸着法(条件:ターゲットSiO2、成膜温度54℃、スパッタガスAr/O2=12/2sccm、RFパワー400W、成膜圧力0.4Pa)にて100nm形成し、ゲート絶縁膜を設けた。ゲート絶縁膜SiO2のパターニングには、スパッタ時にシャドウマスクを用いることにより行った。
・活性層1:この上に、InGaZnO4の組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして、RFマグネトロンスパッタ真空蒸着法により、Ar流量97sccm、O2流量1.7sccm、RFパワー200W、全圧0.4Paの条件で行った。
・活性層2:酸化インジウム錫(ITO)をAr流量12sccm、O2流量5.0sccm、RFパワー200W、全圧0.4Paの条件で蒸着した。
活性層の厚みは、蒸着時間を調整して表1に示す厚みに調整した。
活性層のパターニングは、スパッタ時にシャドウマスクを用いることにより行った。
・抵抗層:この上に、下記作製条件で酸化ガリウム(Ga2O3)もしくはInGaZnO4とIGZO/Ga2O3について共スパッタを行った抵抗層を設けた。
スパッタ条件:酸化ガリウムについては、RFマグネトロンスパッタ法により、Ga2O3の組成をターゲットとして、Ar流量12sccm、O2流量5.0sccm、RFパワー400W、全圧0.4Paの条件であった。InGaZnO4、もしくは、IGZO/Ga2O3を共スパッタの場合のIGZOについては、InGaZnO4の組成をターゲットとして、Ar流量12sccm、O2流5.0sccm、RFパワー400W、全圧0.4Paの条件であった。
蒸着厚みは蒸着時間を調整して、表1に示す厚みに調整した。
ソース電極及びドレイン電極のパターニングをフォトレジスト法により行った。フォトレジスト法は、一般に公知の手段により行った。形成されたチャネル長L=200μm、チャネル幅W=1000μmであった。
本発明のTFT素子の作製において、抵抗層を除き、活性層の材料と厚みを表1に示すように調整し、その他は同様にして、比較のTFT素子1〜6を作製した。
また、比較の素子7は、活性層(IGZO層)をソースドレイン電極側に配置し、抵抗層をゲート絶縁膜側に配置した構成とした素子である。
得られた各TFT素子について、ソース電極を0(ゼロ)Vとして、飽和領域ドレイン電圧Vd=+40V(ゲート電圧(Vg):−20V≦Vg≦+40V)でのTFT伝達特性の測定を行い、TFTの性能を評価した。TFT伝達特性の測定は、半導体パラメータ・アナライザー4156C(アジレントテクノロジー社製)を用いて行った。各パラメータと本発明に於けるその定義は下記の通りである。
・TFTの閾値電圧(Vth):Vgを横軸にし、Isd(ソース・ドレイン間電流)の1/2乗を縦軸とするグラフを作製し、直線で外挿して、Isd=0となるVgをVthをTFTの閾値電圧(Vth)としてもとめた(図5参照)。これは飽和領域でのIsd、Vg及びVthとが下記の式1に従うことによるものである。単位は[V]である。
Isd1/2 ∝(Wμ/2L)1/2(Vg−Vth) (式1)
式中、Wはチャネル幅、Lはチャネル長、μは活性層の移動度を表す。
・ON電流(Ion):Vg=+40Vにおけるドレイン電流である。単位は[A]である。
・閾値電圧のシフト量(Vthシフト1):各TFT素子を連続4回駆動(Vsd(ソース・ドレイン間電圧)=+40V,Vg=−20〜+40V)し、それぞれについてVthを測定し、4回間でのVthの変動量をVthシフト1として求めた。単位は[V]である。
Vthシフト1は駆動のヒステレシスの影響の度合いを示すものであり、小さい方が好ましい。
表1の結果より、本発明のTFTはVthシフト1が小さく、ヒステレシスが改良される優れた効果を示した。
一方、比較例のTFT素子では、実施例と比較して、Vthシフト1が大きく、駆動のヒステレシスが大きく、駆動が不安定である。
実施例1における無アルカリガラス基板の代わりに、ポリエチレンナフタレートフィルム(厚み100μm)の両面に下記バリア機能を持つ絶縁層を有するバリア付きフイルムを用いて、その他は実施例1と同様にしてTFT素子を作製した。
1.有機EL表示装置の作製
(有機EL素子部の作製)
1)下部電極の形成
基板にはポリエチレンナフタレートフィルムの両面に下記バリア機能を持つ絶縁層を有するバリア付きフイルムを用いた。前記基板の上に酸化インジウム錫(以後、ITOと略記)を150nmの厚さで蒸着し、陽極とした。
洗浄後、順次、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、および電子注入層を設けた。
正孔注入層:4,4’,4”−トリス(2−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(2−TNATAと略記する)および2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(F4−TCNQと略記する)を2−TNATAに対して1質量%含有する層、厚み160nm。
正孔輸送層:N,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(α−NPDと略記する)、厚み10nm。
発光層:1,3−bis(carbazol−9−yl)benzene(mCPと略記する)および白金錯体Pt−1をmCPに対して13質量%含有する層、厚み60nm。
正孔ブロック層:bis−(2−methyl−8−quinonylphenolate)aluminium(BAlqと略記する)、厚み40nm。
電子輸送層:トリス(8−ヒドロキシキノニナート)アルミニウム(Alq3と略記する)、厚み10nm。
電子注入層:LiF、厚み1nm。
素子サイズが2mm×2mmとなるようにシャドウマスクによりパターニングしてAlを厚み100nmに蒸着し、陰極とした。
上部電極上に、保護絶縁膜として500nmのSiON膜をイオンプレーティング法により成膜した。成膜後、レーザーによりコンタクトホールを形成した。
得られた有機EL素子と実施例1で作製したTFTとを組みあわせて等価回路を構成し、種々の条件下で駆動試験を行った。
その結果、本発明のTFTを用いると連続して長時間駆動させても安定した発光が得られた。
2:ゲート電極
3:ゲート絶縁膜
4、14、24:活性層
7、17:抵抗層
5−1:ソース電極
5−2:ドレイン電極
6:絶縁層
7:抵抗層
200:スイッチングTFT
300:有機EL素子
400:信号電極線
500:走査電極線
600:コンデンサ
700:駆動TFT
800:共通電線
Claims (10)
- 基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物を含む活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極又はドレイン電極の少なくとも一方との間に、少なくともアモルファスGa 2 O 3 を含み厚みが3nmを超える抵抗層を有し、前記活性層のバンドギャップが前記抵抗層のバンドギャップより小さいことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記活性層が少なくともInを含み、前記活性層のバンドギャップが2.0eV以上4.0eV未満である請求項1に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記抵抗層のバンドギャップが4.0eV以上15.0eV未満である請求項1又は請求項2に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記活性層のバンドギャップと前記抵抗層のバンドギャップの差が0.1eV以上13.0eV未満であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記活性層のキャリア濃度が、前記抵抗層のキャリア濃度よりも高いことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記抵抗層の膜厚が5nm以上80nm以下であることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記ゲート絶縁膜と、前記ソース電極又はドレイン電極の間は、前記活性層と前記抵抗層の2層からなることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記活性層と前記抵抗層がスパッタ法により成膜された層であることを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記基板がフレキシブル基板であることを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 1対の電極と、該電極間に介在する発光層とを有する発光素子と、該発光素子を駆動するための電界効果型トランジスタとを備えた表示装置であって、該電界効果型トランジスタが請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタであることを特徴とする表示装置。
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KR101701208B1 (ko) | 2010-01-15 | 2017-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 |
US8780629B2 (en) | 2010-01-15 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
KR102008754B1 (ko) | 2010-01-24 | 2019-08-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치와 이의 제조 방법 |
KR101791713B1 (ko) * | 2010-02-05 | 2017-10-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치 |
KR101399611B1 (ko) | 2010-02-05 | 2014-05-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
CN105336744B (zh) | 2010-02-12 | 2018-12-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其驱动方法 |
US8803063B2 (en) * | 2010-02-19 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photodetector circuit |
KR101878206B1 (ko) * | 2010-03-05 | 2018-07-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막의 제작 방법 및 트랜지스터의 제작 방법 |
WO2011118741A1 (en) | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
CN105304502B (zh) | 2010-03-26 | 2018-07-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
KR102112065B1 (ko) * | 2010-03-26 | 2020-06-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101391964B1 (ko) * | 2010-04-02 | 2014-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8884282B2 (en) | 2010-04-02 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20130014562A (ko) | 2010-04-02 | 2013-02-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9196739B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film |
US9147768B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film |
US9190522B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor |
KR101706081B1 (ko) * | 2010-04-06 | 2017-02-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
KR101803730B1 (ko) | 2010-04-09 | 2017-12-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8653514B2 (en) | 2010-04-09 | 2014-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101748404B1 (ko) | 2010-04-23 | 2017-06-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
WO2011132591A1 (en) | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
CN102859704B (zh) | 2010-04-23 | 2016-08-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
KR101800844B1 (ko) | 2010-04-23 | 2017-11-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101877377B1 (ko) | 2010-04-23 | 2018-07-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101974927B1 (ko) | 2010-04-23 | 2019-05-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
US9697788B2 (en) * | 2010-04-28 | 2017-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
WO2011135987A1 (en) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2011142467A1 (en) | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8629438B2 (en) | 2010-05-21 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2011155295A1 (en) | 2010-06-10 | 2011-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device |
WO2011155302A1 (en) | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9209314B2 (en) * | 2010-06-16 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field effect transistor |
KR101862808B1 (ko) | 2010-06-18 | 2018-05-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011158704A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101350751B1 (ko) | 2010-07-01 | 2014-01-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치의 구동 방법 |
WO2012002292A1 (en) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2012002186A1 (en) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5832181B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-12-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US9058047B2 (en) | 2010-08-26 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5806043B2 (ja) | 2010-08-27 | 2015-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5081959B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2012-11-28 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化物焼結体及び酸化物半導体薄膜 |
JP5081960B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2012-11-28 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化物焼結体及び酸化物半導体薄膜 |
US8558960B2 (en) | 2010-09-13 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
KR101932576B1 (ko) | 2010-09-13 | 2018-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
US8647919B2 (en) | 2010-09-13 | 2014-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting display device and method for manufacturing the same |
US8835917B2 (en) | 2010-09-13 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, power diode, and rectifier |
KR20130106398A (ko) | 2010-09-15 | 2013-09-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 그 제작 방법 |
KR101856722B1 (ko) * | 2010-09-22 | 2018-05-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 파워 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터 |
US9437743B2 (en) | 2010-10-07 | 2016-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
US8936965B2 (en) | 2010-11-26 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI525818B (zh) | 2010-11-30 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 |
US8809852B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor film, semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
KR101995082B1 (ko) | 2010-12-03 | 2019-07-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
US8894825B2 (en) | 2010-12-17 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering target, method for manufacturing the same, manufacturing semiconductor device |
US9024317B2 (en) | 2010-12-24 | 2015-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device |
US8921948B2 (en) | 2011-01-12 | 2014-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8536571B2 (en) | 2011-01-12 | 2013-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
TWI535032B (zh) | 2011-01-12 | 2016-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
US8916867B2 (en) | 2011-01-20 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor element and semiconductor device |
DE112012000601T5 (de) | 2011-01-28 | 2014-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung sowie Halbleitervorrichtung |
US8709922B2 (en) | 2011-05-06 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101830170B1 (ko) * | 2011-05-17 | 2018-02-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 반도체 소자, 산화물 반도체 소자의 제조 방법, 산화물 반도체소자를 포함하는 표시 장치 및 산화물 반도체 소자를 포함하는 표시 장치의 제조 방법 |
US8581625B2 (en) | 2011-05-19 | 2013-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device |
CN102789808B (zh) | 2011-05-20 | 2018-03-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 存储器装置和用于驱动存储器装置的方法 |
KR20130007426A (ko) | 2011-06-17 | 2013-01-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
US9166055B2 (en) | 2011-06-17 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR102546888B1 (ko) * | 2011-06-17 | 2023-06-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치 |
JP2021101485A (ja) * | 2011-06-17 | 2021-07-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US9385238B2 (en) | 2011-07-08 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor using oxide semiconductor |
US9214474B2 (en) * | 2011-07-08 | 2015-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US8952377B2 (en) * | 2011-07-08 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8748886B2 (en) * | 2011-07-08 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
KR102108572B1 (ko) | 2011-09-26 | 2020-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
SG11201505088UA (en) | 2011-09-29 | 2015-08-28 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device |
US20130087784A1 (en) | 2011-10-05 | 2013-04-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
DE112012004307B4 (de) | 2011-10-14 | 2017-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
KR20130040706A (ko) | 2011-10-14 | 2013-04-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR20130046357A (ko) | 2011-10-27 | 2013-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6082562B2 (ja) | 2011-10-27 | 2017-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6122275B2 (ja) | 2011-11-11 | 2017-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP6076038B2 (ja) | 2011-11-11 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US8829528B2 (en) | 2011-11-25 | 2014-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including groove portion extending beyond pixel electrode |
US9236494B2 (en) | 2011-12-13 | 2016-01-12 | E Ink Holdings Inc. | Field effect transistor |
TWI613824B (zh) | 2011-12-23 | 2018-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6033071B2 (ja) | 2011-12-23 | 2016-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102034911B1 (ko) | 2012-01-25 | 2019-10-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101254910B1 (ko) * | 2012-01-30 | 2013-04-18 | 서울대학교산학협력단 | 박막 트랜지스터 |
TWI562361B (en) | 2012-02-02 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
US20130221345A1 (en) | 2012-02-28 | 2013-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9553201B2 (en) | 2012-04-02 | 2017-01-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor, thin film transistor array panel, and manufacturing method of thin film transistor |
KR20130111874A (ko) | 2012-04-02 | 2013-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치, 그리고 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
KR102330543B1 (ko) | 2012-04-13 | 2021-11-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6143423B2 (ja) | 2012-04-16 | 2017-06-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の製造方法 |
US9219164B2 (en) | 2012-04-20 | 2015-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with oxide semiconductor channel |
US9048323B2 (en) | 2012-04-30 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN107403840B (zh) | 2012-05-10 | 2021-05-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
JP6208469B2 (ja) | 2012-05-31 | 2017-10-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2013179922A1 (en) | 2012-05-31 | 2013-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2013180040A1 (en) | 2012-05-31 | 2013-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9048265B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device comprising oxide semiconductor layer |
US9153699B2 (en) | 2012-06-15 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor with multiple oxide semiconductor layers |
US8901557B2 (en) | 2012-06-15 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5972065B2 (ja) * | 2012-06-20 | 2016-08-17 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
US9059219B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
KR102161077B1 (ko) | 2012-06-29 | 2020-09-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6310194B2 (ja) | 2012-07-06 | 2018-04-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6134598B2 (ja) | 2012-08-02 | 2017-05-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
IN2015DN01663A (ja) | 2012-08-03 | 2015-07-03 | Semiconductor Energy Lab | |
CN104584229B (zh) | 2012-08-10 | 2018-05-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
US9245958B2 (en) | 2012-08-10 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9929276B2 (en) | 2012-08-10 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR102099261B1 (ko) | 2012-08-10 | 2020-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP6220597B2 (ja) | 2012-08-10 | 2017-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8981372B2 (en) | 2012-09-13 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic appliance |
US9018624B2 (en) | 2012-09-13 | 2015-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic appliance |
TWI746200B (zh) | 2012-09-24 | 2021-11-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
WO2014046222A1 (en) | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
TWI681233B (zh) | 2012-10-12 | 2020-01-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法 |
JP6351947B2 (ja) | 2012-10-12 | 2018-07-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
KR102227591B1 (ko) | 2012-10-17 | 2021-03-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6033045B2 (ja) * | 2012-10-17 | 2016-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6283191B2 (ja) | 2012-10-17 | 2018-02-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102102589B1 (ko) | 2012-10-17 | 2020-04-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 프로그램 가능한 논리 장치 |
US9166021B2 (en) | 2012-10-17 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2014061762A1 (en) | 2012-10-17 | 2014-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR102220279B1 (ko) | 2012-10-19 | 2021-02-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법 |
WO2014065301A1 (en) | 2012-10-24 | 2014-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102279459B1 (ko) * | 2012-10-24 | 2021-07-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP6285150B2 (ja) * | 2012-11-16 | 2018-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9246011B2 (en) | 2012-11-30 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9153649B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device |
TWI582993B (zh) | 2012-11-30 | 2017-05-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP2014135478A (ja) | 2012-12-03 | 2014-07-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
KR102207028B1 (ko) | 2012-12-03 | 2021-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2014104267A1 (en) | 2012-12-28 | 2014-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6329762B2 (ja) | 2012-12-28 | 2018-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9391096B2 (en) | 2013-01-18 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI618252B (zh) | 2013-02-12 | 2018-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9231111B2 (en) | 2013-02-13 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9293544B2 (en) | 2013-02-26 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having buried channel structure |
US9373711B2 (en) | 2013-02-27 | 2016-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102238682B1 (ko) | 2013-02-28 | 2021-04-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 그 제작 방법 |
JP6250883B2 (ja) | 2013-03-01 | 2017-12-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102153110B1 (ko) | 2013-03-06 | 2020-09-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체막 및 반도체 장치 |
TWI620324B (zh) | 2013-04-12 | 2018-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US10304859B2 (en) | 2013-04-12 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film |
TWI631711B (zh) * | 2013-05-01 | 2018-08-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR102222344B1 (ko) | 2013-05-02 | 2021-03-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2014181785A1 (en) | 2013-05-09 | 2014-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
DE102014208859B4 (de) | 2013-05-20 | 2021-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
TWI632688B (zh) | 2013-07-25 | 2018-08-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法 |
JP6460592B2 (ja) | 2013-07-31 | 2019-01-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Dcdcコンバータ、及び半導体装置 |
TWI677989B (zh) | 2013-09-19 | 2019-11-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US9425217B2 (en) | 2013-09-23 | 2016-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6570817B2 (ja) | 2013-09-23 | 2019-09-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015084418A (ja) | 2013-09-23 | 2015-04-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6386323B2 (ja) | 2013-10-04 | 2018-09-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102183763B1 (ko) | 2013-10-11 | 2020-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
DE102013111501B4 (de) | 2013-10-18 | 2024-02-08 | Universität Stuttgart | Dünnschichttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
TWI685116B (zh) | 2014-02-07 | 2020-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
TWI675004B (zh) | 2014-02-21 | 2019-10-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體膜、電晶體、半導體裝置、顯示裝置以及電子裝置 |
KR102172972B1 (ko) | 2014-02-26 | 2020-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
US9337030B2 (en) | 2014-03-26 | 2016-05-10 | Intermolecular, Inc. | Method to grow in-situ crystalline IGZO using co-sputtering targets |
KR20220069118A (ko) | 2014-07-15 | 2022-05-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 그 제작 방법, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
KR20230141954A (ko) | 2015-02-12 | 2023-10-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
KR20240046304A (ko) | 2015-03-03 | 2024-04-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 그 제작 방법, 또는 그를 포함하는 표시 장치 |
US10008609B2 (en) | 2015-03-17 | 2018-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same |
US10002970B2 (en) | 2015-04-30 | 2018-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method of the same, or display device including the same |
WO2016186364A1 (en) * | 2015-05-18 | 2016-11-24 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light detection device |
CN113990756A (zh) | 2015-05-22 | 2022-01-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 |
US9627549B1 (en) * | 2015-10-05 | 2017-04-18 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor transistor device and method for fabricating the same |
TWI605587B (zh) | 2015-11-02 | 2017-11-11 | 聯華電子股份有限公司 | 半導體元件及其製造方法 |
US9773787B2 (en) | 2015-11-03 | 2017-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device |
US10312373B2 (en) * | 2015-11-17 | 2019-06-04 | Ricoh Company, Ltd. | Field-effect transistor (FET) having oxide insulating layer disposed on gate insulating film and between source and drain electrodes, and display element, display and system including said FET, and method of manufacturing said FET |
JP6607013B2 (ja) | 2015-12-08 | 2019-11-20 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
KR102458660B1 (ko) | 2016-08-03 | 2022-10-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
JPWO2018185587A1 (ja) * | 2017-04-03 | 2020-02-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置および電子機器 |
JP6782211B2 (ja) * | 2017-09-08 | 2020-11-11 | 株式会社東芝 | 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法 |
JP2019114751A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-11 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた液晶表示装置並びに薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000124456A (ja) * | 1998-10-12 | 2000-04-28 | Shoka Kagi Kofun Yugenkoshi | 高エネルギーギャップオフセット層構造を有するtft素子 |
JP2006165529A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Canon Inc | 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ |
Family Cites Families (80)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4885211A (en) | 1987-02-11 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
US4996523A (en) | 1988-10-20 | 1991-02-26 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent storage display with improved intensity driver circuits |
JP2780880B2 (ja) | 1990-11-28 | 1998-07-30 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子および該素子を用いた発光装置 |
JP3236332B2 (ja) | 1991-01-29 | 2001-12-10 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2784615B2 (ja) | 1991-10-16 | 1998-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学表示装置およびその駆動方法 |
JPH06212153A (ja) | 1993-01-14 | 1994-08-02 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3063453B2 (ja) | 1993-04-16 | 2000-07-12 | 凸版印刷株式会社 | 有機薄膜el素子の駆動方法 |
JPH07134558A (ja) | 1993-11-08 | 1995-05-23 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
US5550066A (en) | 1994-12-14 | 1996-08-27 | Eastman Kodak Company | Method of fabricating a TFT-EL pixel |
US6137467A (en) | 1995-01-03 | 2000-10-24 | Xerox Corporation | Optically sensitive electric paper |
JP3528470B2 (ja) | 1995-10-27 | 2004-05-17 | 株式会社豊田中央研究所 | 微小光共振器型有機電界発光素子 |
FR2749977B1 (fr) * | 1996-06-14 | 1998-10-09 | Commissariat Energie Atomique | Transistor mos a puits quantique et procedes de fabrication de celui-ci |
US6337492B1 (en) | 1997-07-11 | 2002-01-08 | Emagin Corporation | Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer |
JPH11111463A (ja) | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Sumitomo Chem Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US6303238B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-10-16 | The Trustees Of Princeton University | OLEDs doped with phosphorescent compounds |
JPH11251067A (ja) | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP3884564B2 (ja) | 1998-05-20 | 2007-02-21 | 出光興産株式会社 | 有機el発光素子およびそれを用いた発光装置 |
US6097147A (en) | 1998-09-14 | 2000-08-01 | The Trustees Of Princeton University | Structure for high efficiency electroluminescent device |
JP2000196140A (ja) | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法 |
JP4619546B2 (ja) | 1999-03-23 | 2011-01-26 | ザ ユニバーシティー オブ サザン カリフォルニア | 有機ledの燐光性ドーパントとしてのシクロメタル化金属錯体 |
JP4408477B2 (ja) | 1999-04-01 | 2010-02-03 | 大日本印刷株式会社 | El素子 |
JP4420486B2 (ja) | 1999-04-30 | 2010-02-24 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
KR100934420B1 (ko) | 1999-05-13 | 2009-12-29 | 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 | 전계인광에 기초한 고 효율의 유기 발광장치 |
US6310360B1 (en) | 1999-07-21 | 2001-10-30 | The Trustees Of Princeton University | Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices |
JP4729154B2 (ja) | 1999-09-29 | 2011-07-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの制御方法 |
US6458475B1 (en) | 1999-11-24 | 2002-10-01 | The Trustee Of Princeton University | Organic light emitting diode having a blue phosphorescent molecule as an emitter |
AU1807201A (en) | 1999-12-01 | 2001-06-12 | Trustees Of Princeton University, The | Complexes of form L2MX as phosphorescent dopants for organic leds |
JP4407776B2 (ja) | 1999-12-02 | 2010-02-03 | 淳二 城戸 | 電界発光素子 |
JP3929690B2 (ja) | 1999-12-27 | 2007-06-13 | 富士フイルム株式会社 | オルトメタル化イリジウム錯体からなる発光素子材料、発光素子および新規イリジウム錯体 |
JP3929706B2 (ja) | 2000-02-10 | 2007-06-13 | 富士フイルム株式会社 | イリジウム錯体からなる発光素子材料及び発光素子 |
JP2001298470A (ja) | 2000-04-11 | 2001-10-26 | Dx Antenna Co Ltd | データ伝送システム |
JP4144192B2 (ja) | 2000-05-29 | 2008-09-03 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子の製造方法 |
US20020121638A1 (en) | 2000-06-30 | 2002-09-05 | Vladimir Grushin | Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds |
JP4340401B2 (ja) | 2000-07-17 | 2009-10-07 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子及びイリジウム錯体 |
CN100505375C (zh) | 2000-08-11 | 2009-06-24 | 普林斯顿大学理事会 | 有机金属化合物和发射转换有机电致磷光 |
JP4505162B2 (ja) | 2000-09-21 | 2010-07-21 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子および新規レニウム錯体 |
JP4067286B2 (ja) | 2000-09-21 | 2008-03-26 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子及びイリジウム錯体 |
JP4086498B2 (ja) | 2000-11-29 | 2008-05-14 | キヤノン株式会社 | 金属配位化合物、発光素子及び表示装置 |
JP4086499B2 (ja) | 2000-11-29 | 2008-05-14 | キヤノン株式会社 | 金属配位化合物、発光素子及び表示装置 |
EP1348711B1 (en) | 2000-11-30 | 2018-06-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Luminescent element and display |
JP4154145B2 (ja) | 2000-12-01 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 金属配位化合物、発光素子及び表示装置 |
FR2818439B1 (fr) * | 2000-12-18 | 2003-09-26 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un ilot de matiere confine entre des electrodes, et applications aux transistors |
JP2002203678A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光素子 |
JP2002203679A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光素子 |
JP3812730B2 (ja) | 2001-02-01 | 2006-08-23 | 富士写真フイルム株式会社 | 遷移金属錯体及び発光素子 |
JP3988915B2 (ja) | 2001-02-09 | 2007-10-10 | 富士フイルム株式会社 | 遷移金属錯体及びそれからなる発光素子用材料、並びに発光素子 |
JP3972588B2 (ja) | 2001-02-26 | 2007-09-05 | 淳二 城戸 | 有機電界発光素子 |
JP4611578B2 (ja) | 2001-07-26 | 2011-01-12 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2003123982A (ja) | 2001-08-07 | 2003-04-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光素子及び新規イリジウム錯体 |
JP4584506B2 (ja) | 2001-08-28 | 2010-11-24 | パナソニック電工株式会社 | 有機電界発光素子 |
EP1443130B1 (en) * | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP3835263B2 (ja) | 2001-11-22 | 2006-10-18 | 株式会社豊田自動織機 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの電子受容性ドーパント層の形成方法及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法 |
JP3742054B2 (ja) | 2001-11-30 | 2006-02-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2003217862A (ja) | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Honda Motor Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US6872472B2 (en) | 2002-02-15 | 2005-03-29 | Eastman Kodak Company | Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP3703028B2 (ja) | 2002-10-04 | 2005-10-05 | ソニー株式会社 | 表示素子およびこれを用いた表示装置 |
JP4524093B2 (ja) | 2002-12-17 | 2010-08-11 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP4365196B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-11-18 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP4365199B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-11-18 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP4945057B2 (ja) | 2002-12-27 | 2012-06-06 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP2004327313A (ja) | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
US6936961B2 (en) | 2003-05-13 | 2005-08-30 | Eastman Kodak Company | Cascaded organic electroluminescent device having connecting units with N-type and P-type organic layers |
JP2004357791A (ja) | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Sea Shell:Kk | 履物 |
DE10338550A1 (de) | 2003-08-19 | 2005-03-31 | Basf Ag | Übergangsmetallkomplexe mit Carbenliganden als Emitter für organische Licht-emittierende Dioden (OLEDs) |
DE10339772B4 (de) | 2003-08-27 | 2006-07-13 | Novaled Gmbh | Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP4243237B2 (ja) | 2003-11-10 | 2009-03-25 | 淳二 城戸 | 有機素子、有機el素子、有機太陽電池、及び、有機fet構造、並びに、有機素子の製造方法 |
JP5137292B2 (ja) | 2003-12-26 | 2013-02-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置および電気器具 |
JP2006121029A (ja) | 2004-09-27 | 2006-05-11 | Tokyo Institute Of Technology | 固体電子装置 |
CN101057333B (zh) | 2004-11-10 | 2011-11-16 | 佳能株式会社 | 发光器件 |
JP4399429B2 (ja) | 2005-03-16 | 2010-01-13 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP4399382B2 (ja) | 2005-03-16 | 2010-01-13 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP5046548B2 (ja) | 2005-04-25 | 2012-10-10 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP2007073704A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 半導体薄膜 |
JP4981283B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-07-18 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ |
JP2007084635A (ja) | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
JP2007123702A (ja) | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタとその製造方法 |
KR101117948B1 (ko) * | 2005-11-15 | 2012-02-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치 제조 방법 |
US8129714B2 (en) * | 2007-02-16 | 2012-03-06 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Semiconductor, semiconductor device, complementary transistor circuit device |
JP4727684B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2011-07-20 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
-
2008
- 2008-03-24 JP JP2008076493A patent/JP4555358B2/ja active Active
-
2009
- 2009-03-04 US US12/397,358 patent/US8188480B2/en active Active
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JP2006165529A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Canon Inc | 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ |
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