JP2019114751A - 薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた液晶表示装置並びに薄膜トランジスタ基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
問題ありません。
図1は、この実施形態に係る液晶表示装置Sの概略平面図である。図2は、図1のII−II線における断面構造を示す断面図である。なお、図1では、図2に示す偏光板58の図示を省略している。
液晶表示装置Sは、互いに対向するように配置されたTFT基板10及び対向基板50と、これらTFT基板10及び対向基板50の両外周縁部同士を接着する枠状のシール材51と、TFT基板10と対向基板50との間でシール材51の内側に封入された液晶層52とを備えている。
上記TFT基板10の概略構成図を図3及び図4に示す。図3は、1画素及び各配線の端子部を示す平面図である。図4は、図中左側から順に、図3のA−A線、B−B線における断面構造を示す断面図である。
対向基板50は、図示は省略するが、ベース基板である絶縁性基板上にゲート配線14gl及びソース配線24slに対応するように格子状に設けられたブラックマトリクスと、該ブラックマトリクスの格子間に周期的に配列するように設けられた赤色層、緑色層及び青色層を含む複数色のカラーフィルタと、それらブラックマトリクス及び各カラーフィルタを覆うように設けられた透明絶縁樹脂からなるオーバーコート層と、該オーバーコート層上に柱状に設けられたフォトスペーサとを備えている。
上記構成の液晶表示装置Sでは、各画素において、ゲートドライバICチップ53からゲート信号がゲート配線14glを介してゲート電極14gdに送られて、TFT26がオン状態になったときに、ソースドライバICチップ54からソース信号がソース配線24slを介してソース電極24sdに送られて、酸化物半導体層18sl及びドレイン電極24ddを介して、画素電極30pdに所定の電荷が書き込まれると共に保持容量素子27が充電される。このとき、各画素電極30pdと共通電極30cdとの間において電位差が生じ、液晶層52に所定の電圧が印加される。また、各TFT26がオフ状態のときには、保持容量素子27に形成された保持容量によって、対応する画素電極30pdに書き込まれた電圧の低下が抑制される。そして、液晶表示装置Sでは、各画素において、液晶層52に印加する電圧の大きさによって液晶分子の配向状態を変えることにより、液晶層52での光透過率を調整して画像が表示される。
次に、上記TFT基板10及び液晶表示装置Sを製造する方法について、図5〜図16を参照しながら一例を挙げて説明する。図5はTFT基板10の製造方法における第1パターニング工程を、図6はTFT基板10の製造方法におけるゲート絶縁膜成膜工程を、図7はTFT基板10の製造方法における第2パターニング工程を、図8はTFT基板10の製造方法における第3パターニング工程を、図9はTFT基板10の製造方法における第4パターニング工程を、図10〜図12はTFT基板10の製造方法における第5パターニング工程を、図13はTFT基板10の製造方法における第6パターニング工程を、図14はTFT基板10の製造方法における第7パターニング工程を、それぞれ示す図4対応箇所の断面図である。
TFT基板製造工程は、第1〜第8パターニング工程を含んでいる。
予め準備したガラス基板などの絶縁性基板12上に、スパッタリング法により、例えば、アルミニウム膜(例えば厚さ200nm程度)及びモリブデン膜(例えば厚さ100nm程度)などを順に成膜して積層導電膜を形成する。ここで、モリブデン膜に代えて、モリブデンニオブ膜(例えば厚さ100nm程度)を成膜してもよい。次いで、この積層導電膜におけるゲート配線14gl、ゲート電極14gd、及びゲート端子部14gtの形成箇所に対して、第1のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成する。続いて、このレジストパターンをマスクとして上記積層導電膜をドライエッチングの一種である塩素系ガスを用いた反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching、以下、RIEと称する)を行うことによりパターニングする。その後に、レジスト剥離液による上記レジストパターンの剥離及び洗浄を行うことにより、図5に示すように、ゲート配線14gl、ゲート電極14gd、及びゲート端子部14gtを同時に形成する。
上記ゲート電極14gd及びゲート端子部14gtなどが形成された基板上に、プラズマCVD法により、窒化シリコン膜(例えば厚さ350nm程度)及び酸化シリコン膜(例えば厚さ50nm程度)を順に成膜して、図6に示すようにゲート絶縁膜16とする。
上記ゲート絶縁膜16が形成された基板上に、スパッタリング法により、In−Ga−Zn−O系の第1酸化物半導体からなる第1半導体膜(例えば厚さ40nm程度)を成膜する。第1酸化物半導体は、インジウムの組成比がガリウム及び亜鉛の各組成比よりも大きくことが好ましい。次いで、この第1半導体膜に対して、第2のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成する。続いて、このレジストパターンをマスクとして上記第1半導体膜をシュウ酸液にてウェットエッチングを行うことによりパターニングする。その後、レジスト剥離液により上記レジストパターンの剥離及び洗浄を行うことにより、図7に示すように、第1酸化物半導体層18sl1を形成する。
上記第1酸化物半導体層18sl1が形成された基板上に、スパッタリング法により、In−Ga−Zn−O系の第2酸化物半導体からなる第2半導体膜(例えば厚さ60nm程度)を成膜する。第2酸化物半導体は、ガリウムの組成比がインジウム及び亜鉛の各組成比よりも大きいことが好ましい。次いで、この第2半導体膜に対して、第3のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成する。続いて、このレジストパターンをマスクとして上記第2半導体膜をシュウ酸液にてウェットエッチングを行うことによりパターニングする。その後、レジスト剥離液により上記レジストパターンの剥離及び洗浄を行うことにより、図8に示すように、第2酸化物半導体層18sl2を形成する。この結果、酸化物半導体層18slが形成される。
上記酸化物半導体層18slが形成された基板上に、スパッタリング法により、モリブデン膜24(例えば厚さ50nm程度)、アルミニウム膜21(例えば厚さ300nm程度)及びモリブデン膜22(例えば厚さ100nm程度)を順に成膜することにより、積層導電膜を形成する。次いで、この積層導電膜に対して、第4のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィーにより、ソース配線24sl、ソース電極24sd、ドレイン電極24dd、及びソース端子部24stの形成箇所にレジストパターンを形成する。続いて、このレジストパターンをマスクとして上記積層導電膜を塩素系ガスを用いたRIEでパターニングすることにより、図9に示すように、ソース配線24sl、ソース電極24sd、ドレイン電極24dd及びソース端子部24stを同時に形成する。このとき、第1酸化物半導体層18sl1は、第2酸化物半導体層18sl2で被覆されていることから、塩素系ガスのプラズマ(プラズマ処理)により第1酸化物半導体層18sl1が還元されるのを抑制することができる。
上記ソース電極24sd及びドレイン電極24ddなどが形成された基板上に、プラズマCVD法により、窒化シリコン膜を成膜して、図10に示すように保護絶縁膜28(例えば厚さ300nm程度)とする。このとき、第1酸化物半導体層18sl1は、第2酸化物半導体層18sl2で被覆されていることから、プラズマCVD法による保護絶縁膜28の成膜時の水素プラズマ(プラズマ処理)により第1酸化物半導体層18sl1が還元されるのを抑制することができる。
上記保護絶縁膜28及び32がパターニングされた基板上に、スパッタリング法により、例えばITO、IZOなどの透明導電膜(例えば厚さ70nm程度)を成膜する。続いて、この透明導電膜に対して、第6のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィーにより共通電極30cd、接続電極34、ゲート接続電極30gt1及びソース接続電極30st1の形成箇所にレジストパターンを形成する。そして、このレジストパターンをマスクとして上記透明導電膜をシュウ酸液にてウェットエッチングを行うことによりパターニングする。その後に、レジスト剥離液にて上記レジストパターンの剥離及び洗浄を行うことにより、図13に示すように、共通電極30cd、接続電極34、ゲート接続電極30gt1及びソース接続電極30st1を形成する。
上記共通電極30cd及び接続電極34などが形成された基板上に、プラズマCVD法により、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜を成膜して保護絶縁膜36(例えば厚さ300nm程度)とする。
上記コンタクトホール20b,29b,29dが形成された基板上に、スパッタリング法により、例えばITO、IZOなどの透明導電膜(例えば厚さ70nm程度)を成膜する。続いて、この透明導電膜に対して、第8のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィーにより画素電極30pd、ゲート接続電極30gt2及びソース接続電極30st2の形成箇所にレジストパターンを形成する。そして、このレジストパターンをマスクとして上記透明導電膜をシュウ酸液にてウェットエッチングを行うことによりパターニングする。その後に、レジスト剥離液にて上記レジストパターンの剥離及び洗浄を行うことにより、画素電極30pd、ゲート接続電極30gt2及びソース接続電極30st2を形成する。
まず、ガラス基板などの絶縁性基板上に、スピンコート法又はスリットコート法により、例えば、黒色に着色された感光性樹脂を塗布した後、その塗布膜を、フォトマスクを用いて露光した後に現像することによりパターニングして、ブラックマトリクスを形成する。
まず、TFT基板10の表面に、印刷法によりポリイミド系樹脂を塗布した後、その塗布膜に対して焼成及びラビング処理を行うことにより、配向膜55を形成する。また、対向基板50の表面にも、印刷法によりポリイミド系樹脂を塗布した後、その塗布膜に対して焼成及びラビング処理を行うことにより、配向膜56を形成する。
両面に偏光板57,58が貼り付けられた貼合体における端子領域10aにACFを配置した後、それらACFを介して各ゲートドライバICチップ53及び各ソースドライバICチップ54を端子領域10aに熱圧着することにより、それら各ドライバICチップ53,54を貼合体に実装する。
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態1と重複する内容については説明を省略する。また、本実施形態と実施形態1とにおいて、同一又は同様の機能を有する部材には同一の符号を付し、本実施形態において、その部材の説明は省略する。本実施形態は、以下で説明するように、TFTがエッチストッパ型である点を除いて、実施形態1と実質的に同じである。
この実施形態に係るTFT基板10の概略構成図を図15及び図16に示す。図15は、1画素及び各配線の端子部を示す平面図である。図16は、図中左側から順に、図15のA−A線、B−B線における断面構造を示す断面図である。
次に、この実施形態に係るTFT基板10を製造する方法について、図17〜図18を参照しながら一例を挙げて説明する。図17〜図18はTFT基板10の製造方法における第4パターニング工程を示す図16対応箇所の断面図である。
TFT基板製造工程は、第1〜第9パターニング工程を含んでいる。
まず、実施形態1と同様に、第1〜第3パターニング工程を行う。
酸化物半導体層18slが形成された基板上に、プラズマCVD法により、酸化シリコン膜を成膜して、図17に示すようにエッチングストッパ層40(例えば厚さ200nm程度)とする。このとき、第1酸化物半導体層18sl1は、第2酸化物半導体層18sl2で被覆されていることから、プラズマCVD法によるエッチングストッパ層40の成膜時の水素プラズマ(プラズマ処理)により第1酸化物半導体層18sl1が還元されるのを軽減することができる。
続いて、実施形態1の第4パターニング工程と同様の工程を行う。エッチングストッパ層40は、酸化物半導体層18slのチャネル保護膜として機能するので、RIEによる上記積層導電膜のパターニング時に、酸化物半導体層18slのチャネル領域18cがプラズマダメージを受けないようにすることができる。また、このとき、第1酸化物半導体層18sl1は、第2酸化物半導体層18sl2で被覆され、かつ酸化物半導体層18slは、エッチングストッパ層40で被覆されていることから、塩素系ガスのプラズマ(プラズマ処理)により第1酸化物半導体層18sl1が還元されるのを軽減することができる。
続いて、実施形態1の第5パターニング工程(保護絶縁膜成膜工程及びアニール処理工程)と同様の工程を行う。このとき、第1酸化物半導体層18sl1は、第2酸化物半導体層18sl2で被覆され、かつ酸化物半導体層18slは、エッチングストッパ層40で被覆されていることから、プラズマCVD法による保護絶縁膜28の成膜時の水素プラズマ(プラズマ処理)により第1酸化物半導体層18sl1が還元されるのを軽減することができる。また、酸化シリコンからなるエッチングストッパ層40は例えば窒化シリコン膜よりも酸素の透過率が一般的に高いので、このときのアニール処理により、酸化物半導体層18slのチャネル領域18cに当該アニール処理の酸素が有効に供給される。この結果、酸化物半導体層18slに潜在的に存在する酸素欠損による格子欠陥が修復され、当該半導体層18slの特性をより安定化させることができる。
そして、実施形態1の第6〜第8パターニング工程と同様の工程を行うことによって、図16に示すTFT基板10を製造することができる。
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態1〜2と重複する内容については説明を省略する。また、本実施形態と実施形態1〜2とにおいて、同一又は同様の機能を有する部材には同一の符号を付し、本実施形態において、その部材の説明は省略する。本実施形態は、以下で説明するように、ゲート電極の内側に酸化物半導体層が配置された構造である点を除いて、実施形態1と実質的に同じである。
この実施形態に係るTFT基板10の概略構成図を図19及び図20に示す。図19は、1画素及び各配線の端子部を示す平面図である。図20は、図中左側から順に、図19のA−A線、B−B線における断面構造を示す断面図である。
この実施形態に係るTFT基板10は、実施形態1に係るTFT基板10と同様の工程にて製造することができる。
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態1〜2と重複する内容については説明を省略する。また、本実施形態と実施形態1〜2とにおいて、同一又は同様の機能を有する部材には同一の符号を付し、本実施形態において、その部材の説明は省略する。本実施形態は、以下で説明するように、ゲート電極の内側に酸化物半導体層が配置された構造である点を除いて、実施形態2と実質的に同じである。
この実施形態に係るTFT基板10の概略構成図を図21及び図22に示す。図21は、1画素及び各配線の端子部を示す平面図である。図22は、図中左側から順に、図21のA−A線、B−B線における断面構造を示す断面図である。
この実施形態に係るTFT基板10は、実施形態2に係るTFT基板10と同様の工程にて製造することができる。
本発明の第1の態様は、ベース基板(12)と、前記ベース基板(12)上に設けられたゲート電極(14gd)、前記ゲート電極(14gd)を覆うように設けられたゲート絶縁膜(16)、前記ゲート絶縁膜(16)上に前記ゲート電極(14gd)に重なるように設けられた半導体層(18sl)、並びに、各々一部が前記半導体層(18sl)に接続されるように、且つ前記半導体層(18sl)上で互いに対向するように設けられたソース電極(24sd)及びドレイン電極(24dd)を有するTFT(26)とを備えたTFT基板(10)であって、前記半導体層(18sl)は、第1酸化物半導体からなる第1半導体層(18sl1)と、前記第1半導体層(18sl1)を覆うように設けられた第2酸化物半導体からなる第2半導体層(18sl2)とを有するものであってもよい。
12:絶縁性基板(ベース基板)
14gd:ゲート電極
16:ゲート絶縁膜
18sl:酸化物半導体層(半導体層)
18sl1:第1酸化物半導体層(第1半導体層)
18sl2:第2酸化物半導体層(第2半導体層)
20a,20b,29a,29b,38s,38d:コンタクトホール
24sd:ソース電極
24dd:ドレイン電極
21s,21d:モリブデン層(第1導電層)
22s,22d:アルミニウム層(第2導電層)
23s,23d:モリブデン層(第3導電層)
26:TFT(薄膜トランジスタ)
28,32,36:保護絶縁膜
30cd:共通電極(透明導電層)
30pd:画素電極(透明導電層)
34:接続電極
40:エッチングストッパ層
50:対向基板
52:液晶層
S:液晶表示装置
Claims (5)
- ベース基板と、
前記ベース基板上に設けられたゲート電極、前記ゲート電極を覆うように設けられたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極に重なるように設けられた半導体層、並びに、各々一部が前記半導体層に接続されるように、且つ前記半導体層上で互いに対向するように設けられたソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタとを備えた薄膜トランジスタ基板であって、
前記半導体層は、第1酸化物半導体からなる第1半導体層と、前記第1半導体層を覆うように設けられた第2酸化物半導体からなる第2半導体層とを有する
ことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。 - 前記第1酸化物半導体及び前記第2酸化物半導体は、各々、インジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素から構成され、
前記第1酸化物半導体は、インジウムの組成比がガリウム及び亜鉛の各組成比よりも大きく、
前記第2酸化物半導体は、ガリウムの組成比がインジウム及び亜鉛の各組成比よりも大きい
ことを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタ基板。 - 請求項1又は2記載の薄膜トランジスタ基板と、
前記薄膜トランジスタ基板に対向して配置された対向基板と、
前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板との間に設けられた液晶層とを備える
ことを特徴とする液晶表示装置。 - ベース基板上に導電膜を成膜し、前記導電膜を第1のフォトマスクを用いてパターニングすることにより、ゲート電極を形成する第1パターニング工程と、
前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を成膜するゲート絶縁膜成膜工程と、
前記ゲート絶縁膜上に第1酸化物半導体からなる第1半導体膜を成膜し、前記第1半導体膜を第2のフォトマスクを用いてパターニングすることにより、第1半導体層を形成する第2パターニング工程と、
前記第1半導体層を覆うように第2酸化物半導体からなる第2半導体膜を成膜し、前記第2半導体膜を第3のフォトマスクを用いてパターニングすることにより、前記第1半導体層を覆うように第2半導体層を形成する第3パターニング工程と、
前記第1半導体層及び前記第2半導体層を覆うように導電膜を成膜し、第4のフォトマスクを用いて、前記導電膜をドライエッチングでパターニングすることにより、ソース電極及びドレイン電極を形成する第4パターニング工程とを含む
ことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記第1酸化物半導体及び前記第2酸化物半導体は、各々、インジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素から構成され、
前記第1酸化物半導体は、インジウムの組成比がガリウム及び亜鉛の各組成比よりも大きく、
前記第2酸化物半導体は、ガリウムの組成比がインジウム及び亜鉛の各組成比よりも大きい
ことを特徴とする請求項4記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
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