JP4144192B2 - 有機電界発光素子の製造方法 - Google Patents
有機電界発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4144192B2 JP4144192B2 JP2001159221A JP2001159221A JP4144192B2 JP 4144192 B2 JP4144192 B2 JP 4144192B2 JP 2001159221 A JP2001159221 A JP 2001159221A JP 2001159221 A JP2001159221 A JP 2001159221A JP 4144192 B2 JP4144192 B2 JP 4144192B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole transport
- layer
- transport material
- electron
- organic electroluminescent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 89
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 64
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 58
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 58
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 43
- -1 aromatic amine compound Chemical class 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 10
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 claims description 6
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 4
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 claims description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 3
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 138
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 7
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 150000004325 8-hydroxyquinolines Chemical class 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004390 alkyl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 125000004986 diarylamino group Chemical group 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 2
- YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N tetraphenylporphyrin Chemical compound C1=CC(C(=C2C=CC(N2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3N2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 189363-47-1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFJWYZMQAEBMO-UHFFFAOYSA-N 1h-benzo[h]quinolin-10-one Chemical compound C1=CNC2=C3C(=O)C=CC=C3C=CC2=C1 ZVFJWYZMQAEBMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVVGSPCXHRFDDR-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzothiazol-2-yl)phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2S1 MVVGSPCXHRFDDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTUBTKOZCCGPSU-UHFFFAOYSA-N 2-n-naphthalen-1-yl-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC=C1 MTUBTKOZCCGPSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline Chemical compound C12=CC=CN=C2C2=NC=CC=C2C2=C1NC(C=1C3=CC=CC=C3C=CC=1)=N2 NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUJYDIFFRDAYDH-UHFFFAOYSA-N 2-thiophen-2-yl-5-[5-[5-(5-thiophen-2-ylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene Chemical compound C1=CSC(C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC=CC=2)=C1 KUJYDIFFRDAYDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DEFLNOSTNCSZRB-IDTAVKCVSA-N 9-[(2r,3r,4r,5r)-3,4-dimethoxy-5-(methoxymethyl)oxolan-2-yl]-n-methoxypurin-6-amine Chemical compound CO[C@@H]1[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1N1C2=NC=NC(NOC)=C2N=C1 DEFLNOSTNCSZRB-IDTAVKCVSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- DNZSHSJERXNJGX-UHFFFAOYSA-N chembl3040240 Chemical compound C1=CC(C(=C2C=CC(N2)=C(C=2C=CN=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CN=CC=2)C2=CC=C3N2)C=2C=CN=CC=2)=NC1=C3C1=CC=NC=C1 DNZSHSJERXNJGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- LSZLYWSRWXFMOI-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+);5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Co+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 LSZLYWSRWXFMOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- VVOLVFOSOPJKED-UHFFFAOYSA-N copper phthalocyanine Chemical compound [Cu].N=1C2=NC(C3=CC=CC=C33)=NC3=NC(C3=CC=CC=C33)=NC3=NC(C3=CC=CC=C33)=NC3=NC=1C1=CC=CC=C12 VVOLVFOSOPJKED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- LBAIJNRSTQHDMR-UHFFFAOYSA-N magnesium phthalocyanine Chemical compound [Mg].C12=CC=CC=C2C(N=C2NC(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2N1 LBAIJNRSTQHDMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDCQRRQLLCXEFB-UHFFFAOYSA-N oxovanadium(2+);5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [V+2]=O.C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 WDCQRRQLLCXEFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- RKCAIXNGYQCCAL-UHFFFAOYSA-N porphin Chemical compound N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 RKCAIXNGYQCCAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000467 secondary amino group Chemical group [H]N([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZRXVCYGHAUGABY-UHFFFAOYSA-O tris(4-bromophenyl)azanium Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1[NH+](C=1C=CC(Br)=CC=1)C1=CC=C(Br)C=C1 ZRXVCYGHAUGABY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機電界発光素子の製造方法に関するものであり、詳しくは、有機化合物から成る発光層に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、薄膜型の電界発光（ＥＬ）素子としては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるＺｎＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ等に、発光中心であるＭｎや希土類元素（Ｅｕ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｓｍ等）をドープしたものが一般的であるが、上記の無機材料から作製したＥＬ素子は、
１）交流駆動が必要（一般に50〜1000Ｈｚ）、
２）駆動電圧が高い（一般に200Ｖ程度）、
３）フルカラー化が困難で特に青色に問題がある、
４）周辺駆動回路のコストが高い、
という問題点を有している。
【０００３】
しかし、近年、上記問題点の改良のため、有機薄膜を用いたＥＬ素子の開発が行われるようになった。特に、発光効率を高めるため、電極からのキャリアー注入の効率向上を目的として電極の種類の最適化を行い、芳香族ジアミンから成る正孔輸送層と８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体から成る発光層とを設けた有機電界発光素子の開発（Appl.Phys.Lett.,51巻,913頁，1987年）により、従来のアントラセン等の単結晶を用いたＥＬ素子と比較して発光効率の大幅な改善がなされ、実用特性に近づいている。
【０００４】
上記の様な低分子材料を用いた電界発光素子の他にも、発光層の材料として、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ［2-メトキシ-5-(2-エチルヘキシルオキシ)-1,4-フェニレンビニレン］、ポリ（3-アルキルチオフェン）、ポリフルオレン等の高分子材料を用いた電界発光素子の開発や、ポリビニルカルバゾール等の高分子に低分子の発光材料と電子移動材料を混合分散した素子の開発も行われている。
【０００５】
ところで、有機電界発光素子の最大の課題は、駆動時の寿命であり、駆動時の不安定性の現像としては、発光輝度の低下、定電流駆動時の電圧上昇、非発光部分（ダークスポット）の発生等が挙げられる。これらの不安定性の原因はいくつか存在するが、有機層の薄膜形状の劣化が支配的である。この薄膜形状の劣化は、素子駆動時の発熱による有機非晶質膜の結晶化（または凝集）等に起因すると考えられている。特に、駆動電圧の上昇については陽極と正孔輸送層のコンタクトが重要である。
【０００６】
そこで、陽極と正孔輸送層のコンタクトを向上させるために、両層の間に正孔注入層を設け、駆動電圧を低下させることが検討されている。この正孔注入層に用いられる材料に要求される条件としては、陽極とのコンタクトがよく、均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、即ち、融点及びガラス転移温度Tgが高いこと、好ましくは300℃以上の融点と100℃以上のTgを有することが要求される。さらに、イオン化ポテンシャルが低く陽極からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいことが挙げられる。
【０００７】
従来、正孔注入層の材料としても種々のものが検討されており、例えばポルフィリン誘導体やフタロシアニン化合物（特開昭63−295695号公報）、スターバスト型芳香族トリアミン（特開平４−308688号公報）、ヒドラゾン化合物（特開平４−320483号公報）、ポリチエニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリアニリン等の有機化合物や、スパッタ・カーボン膜や、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物等の金属酸化物などが報告されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、陽極と正孔輸送層との間に正孔注入層を挿入する方法において、ポルフィリン誘導体やフタロシアニン化合物を正孔注入層として用いた場合、これらの膜自体による光吸収のためにスペクトルが変化したり、外観上着色して透明でなくなるという問題がある。
【０００９】
スターバスト型芳香族トリアミンでは、イオン化ポテンシャルが低く透明性がよいという利点はあるものの、ガラス転移点や融点が低いために耐熱性に難点がある。
【００１０】
ポリチエニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリアニリン等の共役系ポリマーでは、可溶性に問題があり、プロセス上での問題がある。
【００１１】
また、電子受容性化合物を混合していない非共役系ポリマーを正孔輸送層に使用することが行われているが（特開平９−188756号公報、特開平11−135262号公報）、素子の効率は特開平９−188756号公報中17頁図４に記載されているように、6Vで20cd/m２と駆動電圧が高く、その時の発光効率も1cd/Aと低い。
【００１２】
更に、非共役系の正孔輸送性ポリマーに電子受容性化合物を混合することで低電圧駆動が可能なことが開示されているが（特開平11−283750号公報）、ここで開示されるポリマーはガラス転移温度Tgが低いと考えられ、また、耐熱性が向上したとの記載もない。
【００１３】
このように有機電界発光素子の駆動時における電圧が高いこと、そして、耐熱性を含めた安定性が低いことは、ファクシミリ、複写機、液晶ディスプレイのバックライト等の光源としては大きな問題であり、特にフルカラーフラットパネル・ディスプレイ等の表示素子としても望ましくない。
【００１４】
また、従来の有機電界発光素子では、通常陽極として用いられるインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）は、その表面粗さが10nm程度の粗さ（Ra）を有するのに加えて、局所的に突起を有することが多く、素子作製時に短絡欠陥を生じるという問題もあった。
【００１５】
ポリマーを用いた正孔注入層は、層表面の平坦性が高く、ＩＴＯの平坦性をカバーするため好ましいが、正孔移動度の高さという点からは、一般に低分子化合物が好ましい。
【００１６】
特開平11−251067号公報には、正孔輸送材料と電子受容性化合物とからなる正孔注入層を真空蒸着法により形成することが開示されている。しかし、正孔注入層の形成に当たり、真空蒸着法を用いると電子受容性化合物が熱分解したり、真空蒸着装置内を腐食させる等の弊害があり、材料の選択幅が限られる。
【００１７】
本発明は、上記従来の問題点を解決し、低電圧、高発光効率で駆動させることができ、かつ良好な耐熱性を有し、高温において長期間に亙って安定な発光特性を維持することができる有機電界発光素子を提供することを目的とする。
【００１８】
本発明はまた、上述の陽極の表面粗さに起因する素子作製時の短絡欠陥を防止することができ、しかも、使用材料の選択幅を広げることができる有機電界発光素子を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、基板上に、陽極及び陰極により狭持された発光層を有し、前記陽極と発光層との間に、分子量が1,000未満の正孔輸送材料と該正孔輸送材料を酸化しうる電子受容性化合物を含有する層が、湿式製膜法により形成されてなる有機電界発光素子を製造する方法であって、前記正孔輸送材料と電子受容性化合物を含む層を湿式製膜法にて形成した後、６０℃以上、該正孔輸送材料のガラス転移点以下の温度で加熱する工程を含むことを特徴とする。
【００２０】
即ち、本発明者らは、従来の問題点を解決し、高温において安定な発光特性を維持できる有機電界発光素子を提供するべく鋭意検討した結果、基板上に、陽極及び陰極により挟持された発光層を有する有機電界発光素子において、陽極と発光層との間に、分子量が1,000未満の正孔輸送材料と該正孔輸送材料を酸化しうる電子受容性化合物を含有する層を、湿式製膜法により、好ましくは陽極に接する正孔注入層として設けることにより、上記課題を解決することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００２１】
本発明においては、正孔輸送材料と、これを酸化しうる電子受容性化合物を混合して用いることで、素子の発光特性と耐熱性を同時に改善することを可能とした。即ち、電子供与性の正孔輸送材料に電子受容性化合物を混合することにより、電荷移動が起こり、結果としてフリーキャリアである正孔が生成し、この層の電気電導度が高くなる。このような層を設けることで、発光層と陽極との電気的接合が改善され、駆動電圧が低下すると同時に連続駆動時の安定性も向上する。しかも、本発明では、分子量1,000未満の正孔輸送材料を用いることから、正孔移動度が高い。
【００２２】
一般に、有機電界発光素子において、低分子化合物を用いて層を形成する場合、通常は真空蒸着法が使用されるが、本発明により、分子量が1,000未満の正孔輸送材料と電子受容性化合物とを含む層を湿式製膜法にて形成することにより、
・使用できる材料の幅が広がる。従って、Ｔｇの高い材料を、広い範囲から選ぶことができ、素子の耐熱性を高めることができる。
・表面平坦性の高い層が得られる。このため、このような層を、陽極上に形成することにより、前述の陽極の表面粗さが緩和され、良好な表面平滑化効果が得られ、素子作製時の短絡欠陥が防止される。
という優れた効果が奏される。
【００２３】
なお、本発明に係る分子量が1,000未満の正孔輸送材料とこれを酸化しうる電気受容性化合物とを含む層において、バインダー樹脂の含有量は５０重量％以下であることが好ましい。また、この層は、正孔輸送性を示す層であり、陽極と発光層との間であればどこにあっても良く、後掲の図１〜３に示す如く、陽極上に直接設けるものに何ら限定されないが、陽極（無機材料）との電気的接合が良く、耐熱性を高めることができるというこの層の長所を十分に生かすためには、陽極と接する位置に正孔注入層として形成するのが最も有利である。
【００２４】
本発明において、正孔輸送材料としては、例えば、
芳香族アミン化合物
フタロシアニン誘導体又はポルフィリン誘導体
ジアリールアミノ基を有する８−ヒドロキシキノリン誘導体の金属錯体
オリゴチオフェン誘導体
が挙げられる。
【００２５】
また、この正孔輸送材料を酸化しうる電子受容性化合物としては、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、及びアリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上、好ましくは下記化合物群から選ばれる１種又は２種以上が挙げられる。
【００２６】
【化２】
【００２７】
本発明の有機電界発光素子の製造方法のように加熱工程を経ることにより、得られる膜に含有される分子のマイグレーションを活性化し、熱的に安定な薄膜構造に到達させることができ、膜の表面平坦性を向上させると共に、素子の発光効率を向上させることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下に図面を参照して本発明の有機電界発光素子の製造方法の実施の形態を詳細に説明する。
【００２９】
図１〜３は本発明の有機電界発光素子の実施の形態を示す模式的な断面図であり、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は電子輸送層、７は陰極を各々表わす。
【００３０】
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリヤ性が低すぎると、基板を通過する外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板のどちらか片側もしくは両側に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【００３１】
基板１上には陽極２が設けられる。陽極２は正孔注入層３への正孔注入の役割を果たすものである。この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック等により構成される。陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子等を適当なバインダー樹脂溶液に分散し、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。陽極２は異なる物質で積層して形成することも可能である。陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60％以上、好ましくは80％以上とすることが望ましく、この場合、厚みは、通常10〜1000nm、好ましくは20〜500nm程度である。不透明でよい場合は陽極２は基板１と同一でもよい。また、上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【００３２】
図１〜３に示す素子構造においては、陽極２の上に正孔注入層３が設けられる。この正孔注入層３に用いられる材料に要求される条件としては、陽極２からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが挙げられる。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。
【００３３】
本発明の有機電界発光素子は、好ましくはこの正孔注入層３を、分子量1,000未満の正孔輸送材料と該正孔輸送材料を酸化しうる電子受容性化合物を含有する層とする。また、本発明においては、この正孔注入層３を湿式製膜法で陽極２上に形成することにより、素子の駆動電圧を下げるとともに、陽極２のＩＴＯ表面を平坦化し、電極間の短絡を防止し、更には正孔注入層３の構成材料の選択の幅を広げるといった効果を得る。
【００３４】
この正孔注入層３に用いる正孔輸送材料としては、0.01cm２/V・秒以上の正孔移動度を有する材料であれば使用可能である。この目的に適う材料として、芳香族アミン化合物が挙げられる。例えば、4,4'-ビス［N-（1-ナフチル）-N-フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−234681号公報）、4,4',4"-トリス(1-ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（J.Lumin.,72-74巻、985頁、1997年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Chem.Commun.,2175頁、1996年）、2,2',7,7'-テトラキス-(ジフェニルアミノ)-9,9'-スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Synth.Metals,91巻、209頁、1997年）等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じて２種以上を混合して用いてもよい。
【００３５】
正孔輸送材料としては、フタロシアニン誘導体又はポルフィリン誘導体も用いることができる。これらの化合物の好ましい具体例としては、以下の化合物が挙げられる。
【００３６】
ポルフィン
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィン
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィンコバルト（II）
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィン銅（II）
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィン亜鉛（II）
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィンバナジウム（IV）オキシド
5,10,15,20-テトラ（4-ピリジル）-21H,23H-ポルフィン
29H,31H-フタロシアニン
銅（II）フタロシアニン
亜鉛（II）フタロシアニン
チタンフタロシアニンオキシド
マグネシウムフタロシアニン
鉛フタロシアニン
銅（II）4,4',4'',4'''-テトラアザ-29H,31H-フタロシアニン
【００３７】
また、正孔輸送材料としては、ジアリールアミノ基を有する８−ヒドロキシキノリン誘導体の金属錯体を用いることもでき、例えば、下記一般式（Ｉ）で表されるものが挙げられる。
【００３８】
【化３】
【００３９】
（（Ｉ）式中、Ａr1及びＡr2は、各々独立して置換基を有していてもよい芳香族基または芳香族複素環基を示し、Ｒ1〜Ｒ5は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基、水酸基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。なお、Ｒ1とＲ2、Ｒ2とＲ3、或いはＲ4とＲ5とは環を形成していてもよく、また、Ｒ1〜Ｒ5のいずれかがアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、２級若しくは３級アミノ基、アミド基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す場合には、このものは更にその炭化水素部分に置換基を有していてもよい。Ｍは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、Ｓｃ，Ｙ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｍ、ＥｕまたはＴｂを表し、ｎは２から４までの整数を示す。）
【００４０】
上記一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例としては、次のようなものが挙げられる。
【００４１】
【化４】
【００４２】
その他、α−セキシチオフェン等のオリゴチオフェン誘導体も、好ましい正孔輸送材料の例として挙げられる。
【００４３】
なお、このような正孔輸送材料の分子量が1,000以上であると、低分子化合物を用いることによる正孔移動度の向上効果が得られないため、本発明において、正孔輸送材料としては分子量1,000未満、好ましくは400〜800のものを用いる。
【００４４】
正孔注入層３を形成する上記正孔輸送材料と混合して用いられる、正孔輸送材料を酸化して正孔注入層の導電率を向上させる電子受容性化合物としては、酸化剤が好ましく用いられ、特にハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、アリールアミンとハロゲン化金属又はルイス酸との塩が好適である。
【００４５】
このような電子受容性化合物の具体例としては、以下に示す化合物が挙げられる。
【００４６】
【化５】
【００４７】
なお、正孔注入層３中の電子受容性化合物の前記正孔輸送材料に対する含有量は、通常0.1〜50モル％、特に1〜30モル％の範囲にあることが好ましい。
【００４８】
本発明において、前記正孔輸送材料と電子受容性化合物とを含有する正孔注入層３は湿式製膜法により前記陽極２上に形成される。例えば、前記正孔輸送材料と電子受容性化合物の所定量に、必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤等を添加し、溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法やディップコート法などの湿式製膜法により陽極２上に塗布し、乾燥して正孔注入層３を形成する。
【００４９】
なお、バインダー樹脂を含有する場合、その種類や含有量によっては、該層における正孔移動度が低下する畏れがある。よって正孔移動度の面からは、バインダー樹脂の含有量は、該層中５０重量％以下が好ましく、３０重量％以下がより好ましく、実質的にバインダー樹脂を含有しない場合が最も好ましい。
【００５０】
本発明における、前記正孔輸送材料と電子輸送性化合物を含む層は、上述の如く、湿式製膜及び乾燥工程のみで形成することも可能であるが、更に加熱工程を経ることにより、得られる膜に含まれる分子のマイグレーションを活性化し、熱的に安定な薄膜構造に到達させることができ、これにより膜の表面平坦性が向上し、かつ素子の発光効率が向上するため好ましい。
【００５１】
具体的には、前記正孔輸送材料と電子受容性化合物を含む層を湿式製膜法にて形成した後、用いた正孔輸送材料のガラス転移点Ｔｇ以下の温度で加熱する。この加熱温度は、正孔輸送材料のガラス転移点Ｔｇより１０℃以上低温であることが好ましい。また、加熱処理による効果を十分に得るためには、６０℃以上で処理する。加熱時間は通常１分〜８時間程度である。
【００５２】
前述の如く、従来の有機電界発光素子では、ＩＴＯ等の陽極２の表面粗さに起因する素子作製時の短絡の問題があったが、このように湿式製膜法により形成された正孔注入層は、表面が平滑なものとなるため、この短絡の問題を解消することができる。
【００５３】
このようにして形成される正孔注入層３の膜厚は、通常5〜1000nm、好ましくは10〜500nmである。
【００５４】
正孔注入層３の上には発光層５が設けられる。発光層５は、電界を与えられた電極間において陰極７から注入された電子と正孔注入層３から輸送された正孔を効率よく再結合し、かつ、再結合により効率よく発光する材料から形成される。
【００５５】
このような条件を満たす材料としては、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭59−194393号公報）、10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体（特開平６−322362号公報）、ビススチリルベンゼン誘導体（特開平１−245087号公報、同２−222484号公報）、ビススチリルアリーレン誘導体（特開平２−247278号公報）、(2-ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾールの金属錯体（特開平８−315983号公報）、シロール誘導体等が挙げられる。これらの発光層材料は、通常は真空蒸着法により正孔注入層３上に積層形成される。
【００５６】
素子の発光効率を向上させるとともに発光色を変える目的で、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレーザ用蛍光色素をドープすること（J.Appl.Phys.,65巻,3610頁,1989年）等が行われている。この方法の利点は、
１）高効率の蛍光色素により発光効率が向上、
２）蛍光色素の選択により発光波長が可変、
３）濃度消光を起こす蛍光色素も使用可能、
４）薄膜性のわるい蛍光色素も使用可能、
等が挙げられる。
【００５７】
素子の駆動寿命を改善する目的においても、前記発光層材料をホスト材料として、蛍光色素をドープすることは有効である。例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体をホスト材料として、ルブレンに代表されるナフタセン誘導体（特開平４−335087号公報）、キナクリドン誘導体（特開平５−70773号公報）、ペリレン等の縮合多環芳香族環（特開平５−198377号公報）を、ホスト材料に対して0.1〜10重量％ドープすることにより、素子の発光特性、特に駆動安定性を大きく向上させることができる。発光層のホスト材料に上記ナフタセン誘導体、キナクリドン誘導体、ペリレン等の蛍光色素をドープする方法としては、共蒸着による方法と蒸着源を予め所定の濃度で混合しておく方法がある。
【００５８】
高分子系の発光層材料としては、先に挙げたポリ（p-フェニレンビニレン）、ポリ［2-メトキシ-5-（2-エチルヘキシルオキシ）-1,4-フェニレンビニレン］、ポリ（3-アルキルチオフェン）等の高分子材料や、ポリビニルカルバゾール等の高分子に発光材料と電子移動材料を混合した系等が挙げられる。これらの材料は正孔注入層と同様にスピンコートやディップコート等の方法により正孔注入層３上に塗布して薄膜形成される。
【００５９】
このようにして形成される発光層５の膜厚は、通常10〜200nm、好ましくは30〜100nmである。
【００６０】
素子の発光特性を向上させるために、図２に示すように、正孔輸送層４を正孔注入層３と発光層５との間に設けたり、さらには、図３に示す様に電子輸送層６を発光層５と陰極７との間に設けるなど機能分離型にすることが行われる。
【００６１】
図２及び図３の機能分離型素子において、正孔輸送層４の材料としては、正孔注入層３からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが必要である。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。また、発光層と直接接する層であるために、発光を消光する物質が含まれていないことが望ましい。
【００６２】
このような正孔輸送材料としては、すでに、正孔注入層を形成する正孔輸送材料として挙げた、4,4'-ビス［N-（1-ナフチル）-N-フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−234681号公報）、4,4',4"-トリス(1-ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（J.Lumin.,72-74巻、985頁、1997年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Chem.Commun.,2175頁、1996年）、2,2',7,7'-テトラキス-(ジフェニルアミノ)-9,9'-スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Synth.Metals,91巻、209頁、1997年）等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じて、２種以上を混合して用いてもよい。
【００６３】
上記の化合物以外に、正孔輸送層４の材料として、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−53953号公報）、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン（Polym.Adv.Tech.,7巻、33頁、1996年）等の高分子材料が挙げられる。
【００６４】
正孔輸送層４は上記の正孔輸送材料を塗布法あるいは真空蒸着法により前記正孔注入層３上に積層することにより形成される。
【００６５】
塗布法の場合は、正孔輸送材料の１種または２種以上に、必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤とを添加し、溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法により正孔注入層３上に塗布し、乾燥して正孔輸送層４を形成する。ここで、バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常５０重量％以下が好ましい。
【００６６】
真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−４Pa程度にまで排気した後、ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向き合って置かれた、陽極２および正孔注入層３が形成された基板１上に正孔輸送層４を形成する。
【００６７】
このようにして形成される正孔輸送層４の膜厚は、通常10〜300nm、好ましくは30〜100nmである。このように薄い膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられる。
【００６８】
また、電子輸送層６に用いられる化合物には、陰極からの電子注入が容易で、電子の輸送能力がさらに大きいことが要求される。このような電子輸送材料としては、既に発光層材料として挙げた８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体、オキサジアゾール誘導体（Appl.Phys.Lett.,55巻,1489頁,1989年）やそれらをポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等の樹脂に分散した系、フェナントロリン誘導体（特開平５−331459号公報）、2-t-ブチル-9,10-N,N'-ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛等が挙げられる。電子輸送層６の膜厚は、通常5〜200nm、好ましくは10〜100nmである。
【００６９】
陰極７は、発光層５に電子を注入する役割を果たす。陰極７として用いられる材料は、前記陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
【００７０】
陰極７の膜厚は通常、陽極２と同様である。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増す上で有効である。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
【００７１】
さらに、陰極７と発光層５または電子輸送層６の界面にＬｉＦ、ＭｇＦ２、Ｌｉ２Ｏ等の極薄絶縁膜（膜厚0.1〜5nm）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Appl.Phys.Lett.,70巻，152頁，1997年；特開平10−74586号公報；IEEE Trans.Electron.Devices，44巻，1245頁，1997年）。
【００７２】
図１〜３は、本発明で採用される素子構造の一例であって、本発明は何ら図示のものに限定されるものではない。例えば、図１とは逆の構造、即ち、基板１上に陰極７、発光層５、正孔注入層３、陽極２の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図２及び図３に示したものについても、前記各構成層を逆の構造に積層することも可能である。また、各層間に前述の層以外の任意の層が形成されていても良い。
【００７３】
なお、図１〜３においては、前記正孔輸送材料と電子受容性化合物を含有する層を、陽極に接する正孔注入層として設けてあるが、本発明においては、この層は必ずしも正孔注入層である必要はなく、陽極と発光層との間に設けられていれば良い。ただし、この湿式製膜法で形成される層を正孔注入層として陽極に接して設けることにより、陽極の表面粗さに起因する素子の短絡の問題を解消することができ、また、耐熱性の高い層を陽極に接して設けることで高温下での安定性も高められ、好ましい。
【００７４】
【実施例】
次に、実験例、製造例、実施例及び比較例によって本発明を更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【００７５】
実験例１
ＩＴＯガラス基板を、アセトンで超音波洗浄、純水で水洗、イソプロピルアルコールで超音波洗浄、乾燥窒素で乾燥、ＵＶ／オゾン洗浄を行った後、正孔輸送材料として以下に示す芳香族アミン化合物：4,4'-ビス［N-（m-トリル）-N-フェニルアミノ］ビフェニルと、電子受容性化合物としてSbCl５を20モル％（前記芳香族アミン化合物に対して）含有する1,2-ジクロロメタン溶液（芳香族アミン化合物の濃度５ｍＭ）を、上記ＩＴＯガラス基板上にスピンコート（スピナ回転数1,000rpm；スピナ回転時間40秒）した。その後、真空中で室温にて１時間乾燥して、15nmの膜厚の均一な薄膜を得た。
【００７６】
【化６】
【００７７】
この試料の平均表面粗さ（Ｒａ）をＡＦＭ（原子間力顕微鏡；セイコーインスツルメンツ社製SPA300HV／SPI3800N）により測定したところ、1nmと非常に平滑であった。一方、膜を形成しないＩＴＯガラス基板のＲａは7.5nmであった。
【００７８】
この結果から、有機膜を塗布法により湿式製膜することで、ＩＴＯガラス基板の平坦化効果が得られることが確認された。
【００７９】
製造例１
図３に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
【００８０】
ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜120nm堆積したもの（ジオマテック社製；電子ビーム成膜品；シート抵抗15Ω）を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて3mm幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
【００８１】
このＩＴＯガラス基板上に、実験例１と同一条件で4,4'-ビス［N-（m-トリル）-N-フェニルアミノ］ビフェニルとSbCl５をスピンコートし、15nmの膜厚の均一な薄膜形状を有する正孔注入層３を形成した。
【００８２】
次に、上記正孔注入層３を塗布成膜した基板１を真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が2×10−６Torr（約2.7×10−４Pa）以下になるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポンプを用いて排気した。上記装置内に配置されたタンタルボードに入れた芳香族アミン化合物：4,4'-ビス［N-（m-トリル）-N-フェニルアミノ］ビフェニルを、タンタルボートに通電加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度は3×10−６Torr（約4×10−４Pa）、蒸着速度は0.2nm/秒で、膜厚75nmの膜を正孔注入層３の上に積層して正孔輸送層４を完成させた。
【００８３】
引続き、発光層５の材料として、以下の構造式に示すアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体、Al(C９H６NO)３、を正孔輸送層４と同様にして蒸着を行った。この時のアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体の蒸着速度は0.25nm/秒で、蒸着時の真空度は3×10−６Torr（約4×10−４Pa）、蒸着された発光層５の膜厚は75nmであった。
【００８４】
【化７】
【００８５】
さらに、陰極からの電子注入を容易にするために、電子輸送層６として安息香酸のリチウム塩を、蒸着速度0.5nm/秒、蒸着時の真空度3×10−６Torr（約4×10−４Pa）の条件において、膜厚2nmで形成した。
【００８６】
上記の正孔輸送層４、発光層５及び電子輸送層６を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
【００８７】
ここで、電子輸送層６までの蒸着を行った素子に、陰極蒸着用のマスクとして3mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプとは直交するように素子に密着させた。このマスク交換作業は真空をやぶらずに行った。
【００８８】
続いて、陰極７として、アルミニウムを蒸着速度1nm/秒で電子輸送層６上に膜厚90nmで形成した。蒸着時の真空度は6.0×10−５Torr（約8×10−４Pa）であった。陰極蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【００８９】
以上の様にして、3mm×3mmのサイズの有機電界発光素子が得られた。この素子を陰極蒸着装置から取り出した後、大気中において陽極と陰極間に順方向の電圧を印加して発光特性を測定した。この素子の輝度−電圧特性を図４のグラフに示す。図４より明らかなように、この素子が輝度100cd/m２に達する電圧は5.6Ｖと低電圧であった。
【００９０】
製造例２
正孔注入層を形成する正孔輸送材料として以下の構造式に示す芳香族アミン化合物：4,4'-ビス［N-（1-ナフチル）-N-フェニルアミノ］ビフェニルを用いた他は、製造例１と同様にして素子を作製し、得られた素子の輝度−電圧特性を調べ、結果を図４に示した。図４より明らかなように、この素子が輝度100cd/m２に達する電圧は5.6Ｖと低電圧であった。
【００９１】
【化８】
【００９２】
実験例２
実験例１と同様にして洗浄したＩＴＯ基板上に、正孔輸送材料として下記に示す芳香族アミン化合物を用い、電子受容性化合物としてTBPAH（トリス（４−ブロモフェニル）アミニウムヘキサクロロアンチモネート）を用いた他は、実験例１と同様にして塗布、乾燥を行って、正孔輸送材料と電子受容性化合物とを含む薄膜を膜厚25nmで形成した。用いた正孔輸送材料のガラス転移温度Ｔｇは146℃であった。
【００９３】
【化９】
【００９４】
この膜を窒素雰囲気中、115℃で６０分加熱処理したものと、加熱処理しないものとについて、その表面粗さをＡＦＭで測定し、結果を表１に示した。表１より、加熱処理により、膜表面の平坦化効果が得られることがわかる。
【００９５】
【表１】
【００９６】
実施例１，比較例３
実験例２と同様にして正孔注入層を形成した他は、製造例１と同様にして素子を作製した。
【００９７】
即ち、比較例３では、正孔注入層の形成に当たり、湿式製膜後加熱処理を行わずに実験例２と同様に行い、その他は製造例１と同様にして素子を作製した。また、実施例１では、正孔注入層の形成に当たり、湿式製膜後加熱処理を行って実験例２と同様に行い、その他は製造例１と同様にして素子を作製した。
【００９８】
各素子の発光特性を表２に示す。表２より、湿式製膜後の加熱処理により、発光効率が改善されることがわかる。
【００９９】
【表２】
【０１００】
比較例１
正孔注入層として膜厚15nmの銅フタロシアニン層を用いた他は、製造例１と同様にして素子を作製し、得られた素子の輝度−電圧特性を調べ、図４に示した。図４より明らかなように、この素子が輝度100cd/m２に達する電圧は7.0Ｖと製造例１，２に比べて高かった。
【０１０１】
比較例２
正孔注入層を設けない他は、製造例１と同様にして素子を作製し、得られた素子の輝度−電圧特性を調べ、結果を図４に示した。図４より明らかなように、この素子が輝度100cd/m２に達する電圧は11.0Ｖと高電圧であった。
【０１０２】
【発明の効果】
以上詳述した通り、陽極と陰極との間に、低分子の正孔輸送材料と電子受容性化合物とを含有する層を湿式製膜法により形成した本発明の有機電界発光素子によれば、低電圧での高発光効率駆動が可能で、しかも耐熱性が良好な素子が提供される。
【０１０４】
従って、本発明による有機電界発光素子は、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や壁掛けテレビ）や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯への応用が考えられ、特に、高耐熱性が要求される車載用表示素子として、その技術的価値は大きいものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の有機電界発光素子の実施の形態の一例を示す模式的な断面図である。
【図２】 本発明の有機電界発光素子の実施の形態の他の例を示す模式的な断面図である。
【図３】 本発明の有機電界発光素子の実施の形態の別の例を示す模式的な断面図である。
【図４】 製造例１，２及び比較例１，２で作製した素子の輝度−電圧特性を示すグラフである。
【符号の説明】
１ 基板
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ 発光層
６ 電子輸送層
７ 陰極
【発明の属する技術分野】
本発明は有機電界発光素子の製造方法に関するものであり、詳しくは、有機化合物から成る発光層に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、薄膜型の電界発光（ＥＬ）素子としては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるＺｎＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ等に、発光中心であるＭｎや希土類元素（Ｅｕ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｓｍ等）をドープしたものが一般的であるが、上記の無機材料から作製したＥＬ素子は、
１）交流駆動が必要（一般に50〜1000Ｈｚ）、
２）駆動電圧が高い（一般に200Ｖ程度）、
３）フルカラー化が困難で特に青色に問題がある、
４）周辺駆動回路のコストが高い、
という問題点を有している。
【０００３】
しかし、近年、上記問題点の改良のため、有機薄膜を用いたＥＬ素子の開発が行われるようになった。特に、発光効率を高めるため、電極からのキャリアー注入の効率向上を目的として電極の種類の最適化を行い、芳香族ジアミンから成る正孔輸送層と８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体から成る発光層とを設けた有機電界発光素子の開発（Appl.Phys.Lett.,51巻,913頁，1987年）により、従来のアントラセン等の単結晶を用いたＥＬ素子と比較して発光効率の大幅な改善がなされ、実用特性に近づいている。
【０００４】
上記の様な低分子材料を用いた電界発光素子の他にも、発光層の材料として、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ［2-メトキシ-5-(2-エチルヘキシルオキシ)-1,4-フェニレンビニレン］、ポリ（3-アルキルチオフェン）、ポリフルオレン等の高分子材料を用いた電界発光素子の開発や、ポリビニルカルバゾール等の高分子に低分子の発光材料と電子移動材料を混合分散した素子の開発も行われている。
【０００５】
ところで、有機電界発光素子の最大の課題は、駆動時の寿命であり、駆動時の不安定性の現像としては、発光輝度の低下、定電流駆動時の電圧上昇、非発光部分（ダークスポット）の発生等が挙げられる。これらの不安定性の原因はいくつか存在するが、有機層の薄膜形状の劣化が支配的である。この薄膜形状の劣化は、素子駆動時の発熱による有機非晶質膜の結晶化（または凝集）等に起因すると考えられている。特に、駆動電圧の上昇については陽極と正孔輸送層のコンタクトが重要である。
【０００６】
そこで、陽極と正孔輸送層のコンタクトを向上させるために、両層の間に正孔注入層を設け、駆動電圧を低下させることが検討されている。この正孔注入層に用いられる材料に要求される条件としては、陽極とのコンタクトがよく、均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、即ち、融点及びガラス転移温度Tgが高いこと、好ましくは300℃以上の融点と100℃以上のTgを有することが要求される。さらに、イオン化ポテンシャルが低く陽極からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいことが挙げられる。
【０００７】
従来、正孔注入層の材料としても種々のものが検討されており、例えばポルフィリン誘導体やフタロシアニン化合物（特開昭63−295695号公報）、スターバスト型芳香族トリアミン（特開平４−308688号公報）、ヒドラゾン化合物（特開平４−320483号公報）、ポリチエニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリアニリン等の有機化合物や、スパッタ・カーボン膜や、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物等の金属酸化物などが報告されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、陽極と正孔輸送層との間に正孔注入層を挿入する方法において、ポルフィリン誘導体やフタロシアニン化合物を正孔注入層として用いた場合、これらの膜自体による光吸収のためにスペクトルが変化したり、外観上着色して透明でなくなるという問題がある。
【０００９】
スターバスト型芳香族トリアミンでは、イオン化ポテンシャルが低く透明性がよいという利点はあるものの、ガラス転移点や融点が低いために耐熱性に難点がある。
【００１０】
ポリチエニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリアニリン等の共役系ポリマーでは、可溶性に問題があり、プロセス上での問題がある。
【００１１】
また、電子受容性化合物を混合していない非共役系ポリマーを正孔輸送層に使用することが行われているが（特開平９−188756号公報、特開平11−135262号公報）、素子の効率は特開平９−188756号公報中17頁図４に記載されているように、6Vで20cd/m２と駆動電圧が高く、その時の発光効率も1cd/Aと低い。
【００１２】
更に、非共役系の正孔輸送性ポリマーに電子受容性化合物を混合することで低電圧駆動が可能なことが開示されているが（特開平11−283750号公報）、ここで開示されるポリマーはガラス転移温度Tgが低いと考えられ、また、耐熱性が向上したとの記載もない。
【００１３】
このように有機電界発光素子の駆動時における電圧が高いこと、そして、耐熱性を含めた安定性が低いことは、ファクシミリ、複写機、液晶ディスプレイのバックライト等の光源としては大きな問題であり、特にフルカラーフラットパネル・ディスプレイ等の表示素子としても望ましくない。
【００１４】
また、従来の有機電界発光素子では、通常陽極として用いられるインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）は、その表面粗さが10nm程度の粗さ（Ra）を有するのに加えて、局所的に突起を有することが多く、素子作製時に短絡欠陥を生じるという問題もあった。
【００１５】
ポリマーを用いた正孔注入層は、層表面の平坦性が高く、ＩＴＯの平坦性をカバーするため好ましいが、正孔移動度の高さという点からは、一般に低分子化合物が好ましい。
【００１６】
特開平11−251067号公報には、正孔輸送材料と電子受容性化合物とからなる正孔注入層を真空蒸着法により形成することが開示されている。しかし、正孔注入層の形成に当たり、真空蒸着法を用いると電子受容性化合物が熱分解したり、真空蒸着装置内を腐食させる等の弊害があり、材料の選択幅が限られる。
【００１７】
本発明は、上記従来の問題点を解決し、低電圧、高発光効率で駆動させることができ、かつ良好な耐熱性を有し、高温において長期間に亙って安定な発光特性を維持することができる有機電界発光素子を提供することを目的とする。
【００１８】
本発明はまた、上述の陽極の表面粗さに起因する素子作製時の短絡欠陥を防止することができ、しかも、使用材料の選択幅を広げることができる有機電界発光素子を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、基板上に、陽極及び陰極により狭持された発光層を有し、前記陽極と発光層との間に、分子量が1,000未満の正孔輸送材料と該正孔輸送材料を酸化しうる電子受容性化合物を含有する層が、湿式製膜法により形成されてなる有機電界発光素子を製造する方法であって、前記正孔輸送材料と電子受容性化合物を含む層を湿式製膜法にて形成した後、６０℃以上、該正孔輸送材料のガラス転移点以下の温度で加熱する工程を含むことを特徴とする。
【００２０】
即ち、本発明者らは、従来の問題点を解決し、高温において安定な発光特性を維持できる有機電界発光素子を提供するべく鋭意検討した結果、基板上に、陽極及び陰極により挟持された発光層を有する有機電界発光素子において、陽極と発光層との間に、分子量が1,000未満の正孔輸送材料と該正孔輸送材料を酸化しうる電子受容性化合物を含有する層を、湿式製膜法により、好ましくは陽極に接する正孔注入層として設けることにより、上記課題を解決することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００２１】
本発明においては、正孔輸送材料と、これを酸化しうる電子受容性化合物を混合して用いることで、素子の発光特性と耐熱性を同時に改善することを可能とした。即ち、電子供与性の正孔輸送材料に電子受容性化合物を混合することにより、電荷移動が起こり、結果としてフリーキャリアである正孔が生成し、この層の電気電導度が高くなる。このような層を設けることで、発光層と陽極との電気的接合が改善され、駆動電圧が低下すると同時に連続駆動時の安定性も向上する。しかも、本発明では、分子量1,000未満の正孔輸送材料を用いることから、正孔移動度が高い。
【００２２】
一般に、有機電界発光素子において、低分子化合物を用いて層を形成する場合、通常は真空蒸着法が使用されるが、本発明により、分子量が1,000未満の正孔輸送材料と電子受容性化合物とを含む層を湿式製膜法にて形成することにより、
・使用できる材料の幅が広がる。従って、Ｔｇの高い材料を、広い範囲から選ぶことができ、素子の耐熱性を高めることができる。
・表面平坦性の高い層が得られる。このため、このような層を、陽極上に形成することにより、前述の陽極の表面粗さが緩和され、良好な表面平滑化効果が得られ、素子作製時の短絡欠陥が防止される。
という優れた効果が奏される。
【００２３】
なお、本発明に係る分子量が1,000未満の正孔輸送材料とこれを酸化しうる電気受容性化合物とを含む層において、バインダー樹脂の含有量は５０重量％以下であることが好ましい。また、この層は、正孔輸送性を示す層であり、陽極と発光層との間であればどこにあっても良く、後掲の図１〜３に示す如く、陽極上に直接設けるものに何ら限定されないが、陽極（無機材料）との電気的接合が良く、耐熱性を高めることができるというこの層の長所を十分に生かすためには、陽極と接する位置に正孔注入層として形成するのが最も有利である。
【００２４】
本発明において、正孔輸送材料としては、例えば、
芳香族アミン化合物
フタロシアニン誘導体又はポルフィリン誘導体
ジアリールアミノ基を有する８−ヒドロキシキノリン誘導体の金属錯体
オリゴチオフェン誘導体
が挙げられる。
【００２５】
また、この正孔輸送材料を酸化しうる電子受容性化合物としては、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、及びアリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上、好ましくは下記化合物群から選ばれる１種又は２種以上が挙げられる。
【００２６】
【化２】
本発明の有機電界発光素子の製造方法のように加熱工程を経ることにより、得られる膜に含有される分子のマイグレーションを活性化し、熱的に安定な薄膜構造に到達させることができ、膜の表面平坦性を向上させると共に、素子の発光効率を向上させることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下に図面を参照して本発明の有機電界発光素子の製造方法の実施の形態を詳細に説明する。
【００２９】
図１〜３は本発明の有機電界発光素子の実施の形態を示す模式的な断面図であり、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は電子輸送層、７は陰極を各々表わす。
【００３０】
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリヤ性が低すぎると、基板を通過する外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板のどちらか片側もしくは両側に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【００３１】
基板１上には陽極２が設けられる。陽極２は正孔注入層３への正孔注入の役割を果たすものである。この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック等により構成される。陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子等を適当なバインダー樹脂溶液に分散し、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。陽極２は異なる物質で積層して形成することも可能である。陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60％以上、好ましくは80％以上とすることが望ましく、この場合、厚みは、通常10〜1000nm、好ましくは20〜500nm程度である。不透明でよい場合は陽極２は基板１と同一でもよい。また、上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【００３２】
図１〜３に示す素子構造においては、陽極２の上に正孔注入層３が設けられる。この正孔注入層３に用いられる材料に要求される条件としては、陽極２からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが挙げられる。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。
【００３３】
本発明の有機電界発光素子は、好ましくはこの正孔注入層３を、分子量1,000未満の正孔輸送材料と該正孔輸送材料を酸化しうる電子受容性化合物を含有する層とする。また、本発明においては、この正孔注入層３を湿式製膜法で陽極２上に形成することにより、素子の駆動電圧を下げるとともに、陽極２のＩＴＯ表面を平坦化し、電極間の短絡を防止し、更には正孔注入層３の構成材料の選択の幅を広げるといった効果を得る。
【００３４】
この正孔注入層３に用いる正孔輸送材料としては、0.01cm２/V・秒以上の正孔移動度を有する材料であれば使用可能である。この目的に適う材料として、芳香族アミン化合物が挙げられる。例えば、4,4'-ビス［N-（1-ナフチル）-N-フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−234681号公報）、4,4',4"-トリス(1-ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（J.Lumin.,72-74巻、985頁、1997年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Chem.Commun.,2175頁、1996年）、2,2',7,7'-テトラキス-(ジフェニルアミノ)-9,9'-スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Synth.Metals,91巻、209頁、1997年）等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じて２種以上を混合して用いてもよい。
【００３５】
正孔輸送材料としては、フタロシアニン誘導体又はポルフィリン誘導体も用いることができる。これらの化合物の好ましい具体例としては、以下の化合物が挙げられる。
【００３６】
ポルフィン
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィン
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィンコバルト（II）
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィン銅（II）
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィン亜鉛（II）
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィンバナジウム（IV）オキシド
5,10,15,20-テトラ（4-ピリジル）-21H,23H-ポルフィン
29H,31H-フタロシアニン
銅（II）フタロシアニン
亜鉛（II）フタロシアニン
チタンフタロシアニンオキシド
マグネシウムフタロシアニン
鉛フタロシアニン
銅（II）4,4',4'',4'''-テトラアザ-29H,31H-フタロシアニン
【００３７】
また、正孔輸送材料としては、ジアリールアミノ基を有する８−ヒドロキシキノリン誘導体の金属錯体を用いることもでき、例えば、下記一般式（Ｉ）で表されるものが挙げられる。
【００３８】
【化３】
（（Ｉ）式中、Ａr1及びＡr2は、各々独立して置換基を有していてもよい芳香族基または芳香族複素環基を示し、Ｒ1〜Ｒ5は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基、水酸基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。なお、Ｒ1とＲ2、Ｒ2とＲ3、或いはＲ4とＲ5とは環を形成していてもよく、また、Ｒ1〜Ｒ5のいずれかがアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、２級若しくは３級アミノ基、アミド基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す場合には、このものは更にその炭化水素部分に置換基を有していてもよい。Ｍは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、Ｓｃ，Ｙ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｍ、ＥｕまたはＴｂを表し、ｎは２から４までの整数を示す。）
【００４０】
上記一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例としては、次のようなものが挙げられる。
【００４１】
【化４】
その他、α−セキシチオフェン等のオリゴチオフェン誘導体も、好ましい正孔輸送材料の例として挙げられる。
【００４３】
なお、このような正孔輸送材料の分子量が1,000以上であると、低分子化合物を用いることによる正孔移動度の向上効果が得られないため、本発明において、正孔輸送材料としては分子量1,000未満、好ましくは400〜800のものを用いる。
【００４４】
正孔注入層３を形成する上記正孔輸送材料と混合して用いられる、正孔輸送材料を酸化して正孔注入層の導電率を向上させる電子受容性化合物としては、酸化剤が好ましく用いられ、特にハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、アリールアミンとハロゲン化金属又はルイス酸との塩が好適である。
【００４５】
このような電子受容性化合物の具体例としては、以下に示す化合物が挙げられる。
【００４６】
【化５】
なお、正孔注入層３中の電子受容性化合物の前記正孔輸送材料に対する含有量は、通常0.1〜50モル％、特に1〜30モル％の範囲にあることが好ましい。
【００４８】
本発明において、前記正孔輸送材料と電子受容性化合物とを含有する正孔注入層３は湿式製膜法により前記陽極２上に形成される。例えば、前記正孔輸送材料と電子受容性化合物の所定量に、必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤等を添加し、溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法やディップコート法などの湿式製膜法により陽極２上に塗布し、乾燥して正孔注入層３を形成する。
【００４９】
なお、バインダー樹脂を含有する場合、その種類や含有量によっては、該層における正孔移動度が低下する畏れがある。よって正孔移動度の面からは、バインダー樹脂の含有量は、該層中５０重量％以下が好ましく、３０重量％以下がより好ましく、実質的にバインダー樹脂を含有しない場合が最も好ましい。
【００５０】
本発明における、前記正孔輸送材料と電子輸送性化合物を含む層は、上述の如く、湿式製膜及び乾燥工程のみで形成することも可能であるが、更に加熱工程を経ることにより、得られる膜に含まれる分子のマイグレーションを活性化し、熱的に安定な薄膜構造に到達させることができ、これにより膜の表面平坦性が向上し、かつ素子の発光効率が向上するため好ましい。
【００５１】
具体的には、前記正孔輸送材料と電子受容性化合物を含む層を湿式製膜法にて形成した後、用いた正孔輸送材料のガラス転移点Ｔｇ以下の温度で加熱する。この加熱温度は、正孔輸送材料のガラス転移点Ｔｇより１０℃以上低温であることが好ましい。また、加熱処理による効果を十分に得るためには、６０℃以上で処理する。加熱時間は通常１分〜８時間程度である。
【００５２】
前述の如く、従来の有機電界発光素子では、ＩＴＯ等の陽極２の表面粗さに起因する素子作製時の短絡の問題があったが、このように湿式製膜法により形成された正孔注入層は、表面が平滑なものとなるため、この短絡の問題を解消することができる。
【００５３】
このようにして形成される正孔注入層３の膜厚は、通常5〜1000nm、好ましくは10〜500nmである。
【００５４】
正孔注入層３の上には発光層５が設けられる。発光層５は、電界を与えられた電極間において陰極７から注入された電子と正孔注入層３から輸送された正孔を効率よく再結合し、かつ、再結合により効率よく発光する材料から形成される。
【００５５】
このような条件を満たす材料としては、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭59−194393号公報）、10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体（特開平６−322362号公報）、ビススチリルベンゼン誘導体（特開平１−245087号公報、同２−222484号公報）、ビススチリルアリーレン誘導体（特開平２−247278号公報）、(2-ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾールの金属錯体（特開平８−315983号公報）、シロール誘導体等が挙げられる。これらの発光層材料は、通常は真空蒸着法により正孔注入層３上に積層形成される。
【００５６】
素子の発光効率を向上させるとともに発光色を変える目的で、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレーザ用蛍光色素をドープすること（J.Appl.Phys.,65巻,3610頁,1989年）等が行われている。この方法の利点は、
１）高効率の蛍光色素により発光効率が向上、
２）蛍光色素の選択により発光波長が可変、
３）濃度消光を起こす蛍光色素も使用可能、
４）薄膜性のわるい蛍光色素も使用可能、
等が挙げられる。
【００５７】
素子の駆動寿命を改善する目的においても、前記発光層材料をホスト材料として、蛍光色素をドープすることは有効である。例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体をホスト材料として、ルブレンに代表されるナフタセン誘導体（特開平４−335087号公報）、キナクリドン誘導体（特開平５−70773号公報）、ペリレン等の縮合多環芳香族環（特開平５−198377号公報）を、ホスト材料に対して0.1〜10重量％ドープすることにより、素子の発光特性、特に駆動安定性を大きく向上させることができる。発光層のホスト材料に上記ナフタセン誘導体、キナクリドン誘導体、ペリレン等の蛍光色素をドープする方法としては、共蒸着による方法と蒸着源を予め所定の濃度で混合しておく方法がある。
【００５８】
高分子系の発光層材料としては、先に挙げたポリ（p-フェニレンビニレン）、ポリ［2-メトキシ-5-（2-エチルヘキシルオキシ）-1,4-フェニレンビニレン］、ポリ（3-アルキルチオフェン）等の高分子材料や、ポリビニルカルバゾール等の高分子に発光材料と電子移動材料を混合した系等が挙げられる。これらの材料は正孔注入層と同様にスピンコートやディップコート等の方法により正孔注入層３上に塗布して薄膜形成される。
【００５９】
このようにして形成される発光層５の膜厚は、通常10〜200nm、好ましくは30〜100nmである。
【００６０】
素子の発光特性を向上させるために、図２に示すように、正孔輸送層４を正孔注入層３と発光層５との間に設けたり、さらには、図３に示す様に電子輸送層６を発光層５と陰極７との間に設けるなど機能分離型にすることが行われる。
【００６１】
図２及び図３の機能分離型素子において、正孔輸送層４の材料としては、正孔注入層３からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが必要である。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。また、発光層と直接接する層であるために、発光を消光する物質が含まれていないことが望ましい。
【００６２】
このような正孔輸送材料としては、すでに、正孔注入層を形成する正孔輸送材料として挙げた、4,4'-ビス［N-（1-ナフチル）-N-フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−234681号公報）、4,4',4"-トリス(1-ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（J.Lumin.,72-74巻、985頁、1997年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Chem.Commun.,2175頁、1996年）、2,2',7,7'-テトラキス-(ジフェニルアミノ)-9,9'-スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Synth.Metals,91巻、209頁、1997年）等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じて、２種以上を混合して用いてもよい。
【００６３】
上記の化合物以外に、正孔輸送層４の材料として、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−53953号公報）、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン（Polym.Adv.Tech.,7巻、33頁、1996年）等の高分子材料が挙げられる。
【００６４】
正孔輸送層４は上記の正孔輸送材料を塗布法あるいは真空蒸着法により前記正孔注入層３上に積層することにより形成される。
【００６５】
塗布法の場合は、正孔輸送材料の１種または２種以上に、必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤とを添加し、溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法により正孔注入層３上に塗布し、乾燥して正孔輸送層４を形成する。ここで、バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常５０重量％以下が好ましい。
【００６６】
真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−４Pa程度にまで排気した後、ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向き合って置かれた、陽極２および正孔注入層３が形成された基板１上に正孔輸送層４を形成する。
【００６７】
このようにして形成される正孔輸送層４の膜厚は、通常10〜300nm、好ましくは30〜100nmである。このように薄い膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられる。
【００６８】
また、電子輸送層６に用いられる化合物には、陰極からの電子注入が容易で、電子の輸送能力がさらに大きいことが要求される。このような電子輸送材料としては、既に発光層材料として挙げた８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体、オキサジアゾール誘導体（Appl.Phys.Lett.,55巻,1489頁,1989年）やそれらをポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等の樹脂に分散した系、フェナントロリン誘導体（特開平５−331459号公報）、2-t-ブチル-9,10-N,N'-ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛等が挙げられる。電子輸送層６の膜厚は、通常5〜200nm、好ましくは10〜100nmである。
【００６９】
陰極７は、発光層５に電子を注入する役割を果たす。陰極７として用いられる材料は、前記陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
【００７０】
陰極７の膜厚は通常、陽極２と同様である。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増す上で有効である。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
【００７１】
さらに、陰極７と発光層５または電子輸送層６の界面にＬｉＦ、ＭｇＦ２、Ｌｉ２Ｏ等の極薄絶縁膜（膜厚0.1〜5nm）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Appl.Phys.Lett.,70巻，152頁，1997年；特開平10−74586号公報；IEEE Trans.Electron.Devices，44巻，1245頁，1997年）。
【００７２】
図１〜３は、本発明で採用される素子構造の一例であって、本発明は何ら図示のものに限定されるものではない。例えば、図１とは逆の構造、即ち、基板１上に陰極７、発光層５、正孔注入層３、陽極２の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図２及び図３に示したものについても、前記各構成層を逆の構造に積層することも可能である。また、各層間に前述の層以外の任意の層が形成されていても良い。
【００７３】
なお、図１〜３においては、前記正孔輸送材料と電子受容性化合物を含有する層を、陽極に接する正孔注入層として設けてあるが、本発明においては、この層は必ずしも正孔注入層である必要はなく、陽極と発光層との間に設けられていれば良い。ただし、この湿式製膜法で形成される層を正孔注入層として陽極に接して設けることにより、陽極の表面粗さに起因する素子の短絡の問題を解消することができ、また、耐熱性の高い層を陽極に接して設けることで高温下での安定性も高められ、好ましい。
【００７４】
【実施例】
次に、実験例、製造例、実施例及び比較例によって本発明を更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【００７５】
実験例１
ＩＴＯガラス基板を、アセトンで超音波洗浄、純水で水洗、イソプロピルアルコールで超音波洗浄、乾燥窒素で乾燥、ＵＶ／オゾン洗浄を行った後、正孔輸送材料として以下に示す芳香族アミン化合物：4,4'-ビス［N-（m-トリル）-N-フェニルアミノ］ビフェニルと、電子受容性化合物としてSbCl５を20モル％（前記芳香族アミン化合物に対して）含有する1,2-ジクロロメタン溶液（芳香族アミン化合物の濃度５ｍＭ）を、上記ＩＴＯガラス基板上にスピンコート（スピナ回転数1,000rpm；スピナ回転時間40秒）した。その後、真空中で室温にて１時間乾燥して、15nmの膜厚の均一な薄膜を得た。
【００７６】
【化６】
この試料の平均表面粗さ（Ｒａ）をＡＦＭ（原子間力顕微鏡；セイコーインスツルメンツ社製SPA300HV／SPI3800N）により測定したところ、1nmと非常に平滑であった。一方、膜を形成しないＩＴＯガラス基板のＲａは7.5nmであった。
【００７８】
この結果から、有機膜を塗布法により湿式製膜することで、ＩＴＯガラス基板の平坦化効果が得られることが確認された。
【００７９】
製造例１
図３に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
【００８０】
ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜120nm堆積したもの（ジオマテック社製；電子ビーム成膜品；シート抵抗15Ω）を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて3mm幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
【００８１】
このＩＴＯガラス基板上に、実験例１と同一条件で4,4'-ビス［N-（m-トリル）-N-フェニルアミノ］ビフェニルとSbCl５をスピンコートし、15nmの膜厚の均一な薄膜形状を有する正孔注入層３を形成した。
【００８２】
次に、上記正孔注入層３を塗布成膜した基板１を真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が2×10−６Torr（約2.7×10−４Pa）以下になるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポンプを用いて排気した。上記装置内に配置されたタンタルボードに入れた芳香族アミン化合物：4,4'-ビス［N-（m-トリル）-N-フェニルアミノ］ビフェニルを、タンタルボートに通電加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度は3×10−６Torr（約4×10−４Pa）、蒸着速度は0.2nm/秒で、膜厚75nmの膜を正孔注入層３の上に積層して正孔輸送層４を完成させた。
【００８３】
引続き、発光層５の材料として、以下の構造式に示すアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体、Al(C９H６NO)３、を正孔輸送層４と同様にして蒸着を行った。この時のアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体の蒸着速度は0.25nm/秒で、蒸着時の真空度は3×10−６Torr（約4×10−４Pa）、蒸着された発光層５の膜厚は75nmであった。
【００８４】
【化７】
さらに、陰極からの電子注入を容易にするために、電子輸送層６として安息香酸のリチウム塩を、蒸着速度0.5nm/秒、蒸着時の真空度3×10−６Torr（約4×10−４Pa）の条件において、膜厚2nmで形成した。
【００８６】
上記の正孔輸送層４、発光層５及び電子輸送層６を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
【００８７】
ここで、電子輸送層６までの蒸着を行った素子に、陰極蒸着用のマスクとして3mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプとは直交するように素子に密着させた。このマスク交換作業は真空をやぶらずに行った。
【００８８】
続いて、陰極７として、アルミニウムを蒸着速度1nm/秒で電子輸送層６上に膜厚90nmで形成した。蒸着時の真空度は6.0×10−５Torr（約8×10−４Pa）であった。陰極蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【００８９】
以上の様にして、3mm×3mmのサイズの有機電界発光素子が得られた。この素子を陰極蒸着装置から取り出した後、大気中において陽極と陰極間に順方向の電圧を印加して発光特性を測定した。この素子の輝度−電圧特性を図４のグラフに示す。図４より明らかなように、この素子が輝度100cd/m２に達する電圧は5.6Ｖと低電圧であった。
【００９０】
製造例２
正孔注入層を形成する正孔輸送材料として以下の構造式に示す芳香族アミン化合物：4,4'-ビス［N-（1-ナフチル）-N-フェニルアミノ］ビフェニルを用いた他は、製造例１と同様にして素子を作製し、得られた素子の輝度−電圧特性を調べ、結果を図４に示した。図４より明らかなように、この素子が輝度100cd/m２に達する電圧は5.6Ｖと低電圧であった。
【００９１】
【化８】
実験例２
実験例１と同様にして洗浄したＩＴＯ基板上に、正孔輸送材料として下記に示す芳香族アミン化合物を用い、電子受容性化合物としてTBPAH（トリス（４−ブロモフェニル）アミニウムヘキサクロロアンチモネート）を用いた他は、実験例１と同様にして塗布、乾燥を行って、正孔輸送材料と電子受容性化合物とを含む薄膜を膜厚25nmで形成した。用いた正孔輸送材料のガラス転移温度Ｔｇは146℃であった。
【００９３】
【化９】
この膜を窒素雰囲気中、115℃で６０分加熱処理したものと、加熱処理しないものとについて、その表面粗さをＡＦＭで測定し、結果を表１に示した。表１より、加熱処理により、膜表面の平坦化効果が得られることがわかる。
【００９５】
【表１】
実施例１，比較例３
実験例２と同様にして正孔注入層を形成した他は、製造例１と同様にして素子を作製した。
【００９７】
即ち、比較例３では、正孔注入層の形成に当たり、湿式製膜後加熱処理を行わずに実験例２と同様に行い、その他は製造例１と同様にして素子を作製した。また、実施例１では、正孔注入層の形成に当たり、湿式製膜後加熱処理を行って実験例２と同様に行い、その他は製造例１と同様にして素子を作製した。
【００９８】
各素子の発光特性を表２に示す。表２より、湿式製膜後の加熱処理により、発光効率が改善されることがわかる。
【００９９】
【表２】
比較例１
正孔注入層として膜厚15nmの銅フタロシアニン層を用いた他は、製造例１と同様にして素子を作製し、得られた素子の輝度−電圧特性を調べ、図４に示した。図４より明らかなように、この素子が輝度100cd/m２に達する電圧は7.0Ｖと製造例１，２に比べて高かった。
【０１０１】
比較例２
正孔注入層を設けない他は、製造例１と同様にして素子を作製し、得られた素子の輝度−電圧特性を調べ、結果を図４に示した。図４より明らかなように、この素子が輝度100cd/m２に達する電圧は11.0Ｖと高電圧であった。
【０１０２】
【発明の効果】
以上詳述した通り、陽極と陰極との間に、低分子の正孔輸送材料と電子受容性化合物とを含有する層を湿式製膜法により形成した本発明の有機電界発光素子によれば、低電圧での高発光効率駆動が可能で、しかも耐熱性が良好な素子が提供される。
【０１０４】
従って、本発明による有機電界発光素子は、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や壁掛けテレビ）や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯への応用が考えられ、特に、高耐熱性が要求される車載用表示素子として、その技術的価値は大きいものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の有機電界発光素子の実施の形態の一例を示す模式的な断面図である。
【図２】 本発明の有機電界発光素子の実施の形態の他の例を示す模式的な断面図である。
【図３】 本発明の有機電界発光素子の実施の形態の別の例を示す模式的な断面図である。
【図４】 製造例１，２及び比較例１，２で作製した素子の輝度−電圧特性を示すグラフである。
【符号の説明】
１ 基板
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ 発光層
６ 電子輸送層
７ 陰極
Claims (7)
- 基板上に、陽極及び陰極により狭持された発光層を有し、前記陽極と発光層との間に、分子量が1,000未満の正孔輸送材料と該正孔輸送材料を酸化しうる電子受容性化合物を含有する層が、湿式製膜法により形成されてなる有機電界発光素子を製造する方法であって、
前記正孔輸送材料と電子受容性化合物を含む層を湿式製膜法にて形成した後、６０℃以上、該正孔輸送材料のガラス転移点以下の温度で加熱する工程を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 前記正孔輸送材料と電子受容性化合物を含有する層におけるバインダー樹脂の含有量が、該層中５０重量％以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記正孔輸送材料と電子受容性化合物を含有する層が、陽極に接して設けられた正孔注入層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記正孔輸送材料が芳香族アミン化合物であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記正孔輸送材料が２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン、スターバースト構造を有する芳香族アミン化合物、またはトリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物であることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記電子受容性化合物が、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、及びアリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記電子受容性化合物が下記化合物群から選ばれる１種又は２種以上であることを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001159221A JP4144192B2 (ja) | 2000-05-29 | 2001-05-28 | 有機電界発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000158585 | 2000-05-29 | ||
| JP2000-158585 | 2000-05-29 | ||
| JP2001159221A JP4144192B2 (ja) | 2000-05-29 | 2001-05-28 | 有機電界発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002056985A JP2002056985A (ja) | 2002-02-22 |
| JP4144192B2 true JP4144192B2 (ja) | 2008-09-03 |
Family
ID=26592823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001159221A Expired - Lifetime JP4144192B2 (ja) | 2000-05-29 | 2001-05-28 | 有機電界発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4144192B2 (ja) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6830830B2 (en) * | 2002-04-18 | 2004-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconducting hole injection materials for organic light emitting devices |
| KR100954779B1 (ko) | 2002-05-01 | 2010-04-28 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 유기 일렉트로루미네슨스 소자 및 그 재료 |
| JPWO2004064453A1 (ja) * | 2003-01-10 | 2006-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子及びその作製方法 |
| US6847162B2 (en) * | 2003-04-29 | 2005-01-25 | General Electric Company | Light source with organic layer and photoluminescent layer |
| JP4731865B2 (ja) * | 2003-10-03 | 2011-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US7541734B2 (en) | 2003-10-03 | 2009-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having a layer with a metal oxide and a benzoxazole derivative |
| WO2006046678A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light-emittintg element, light-emitting device, and manufacturing method thereof |
| EP1850368B2 (en) | 2005-02-15 | 2021-04-21 | Pioneer Corporation | Film forming composition and organic electroluminescent device |
| KR101243833B1 (ko) * | 2005-05-24 | 2013-03-20 | 미쯔비시 가가꾸 가부시끼가이샤 | 유기 전계발광 소자 |
| EP1894262B1 (fr) * | 2005-06-10 | 2013-01-23 | Thomson Licensing | Diode organique electroluminescente ne comprenant au plus que deux couches de materiaux organiques differents |
| JP2007115800A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置とその製造方法 |
| JP2008021575A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子および該素子の製造方法 |
| PL1986473T3 (pl) * | 2007-04-03 | 2017-07-31 | Tsinghua University | Organiczne urządzenie elektroluminescencyjne |
| JP2009021104A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機発光素子の製造方法 |
| JP2009076865A (ja) | 2007-08-29 | 2009-04-09 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
| KR101548382B1 (ko) | 2007-09-14 | 2015-08-28 | 유디씨 아일랜드 리미티드 | 유기 전계 발광 소자 |
| US8319214B2 (en) | 2007-11-15 | 2012-11-27 | Fujifilm Corporation | Thin film field effect transistor with amorphous oxide active layer and display using the same |
| US7982216B2 (en) | 2007-11-15 | 2011-07-19 | Fujifilm Corporation | Thin film field effect transistor with amorphous oxide active layer and display using the same |
| KR100894066B1 (ko) | 2007-12-28 | 2009-04-24 | 삼성모바일디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR100922759B1 (ko) * | 2008-02-26 | 2009-10-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
| JP5243972B2 (ja) | 2008-02-28 | 2013-07-24 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子 |
| KR100922760B1 (ko) * | 2008-03-03 | 2009-10-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
| JP4555358B2 (ja) | 2008-03-24 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置 |
| JP4531836B2 (ja) | 2008-04-22 | 2010-08-25 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子並びに新規な白金錯体化合物及びその配位子となり得る新規化合物 |
| JP2010153820A (ja) | 2008-11-21 | 2010-07-08 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
| JP2010182449A (ja) | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Fujifilm Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2010186723A (ja) | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Fujifilm Corp | 有機ｅｌ装置及びその製造方法 |
| JP2010205650A (ja) | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Fujifilm Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP6174299B2 (ja) | 2009-07-31 | 2017-08-02 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子 |
| JP2011060549A (ja) | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Fujifilm Corp | 有機ｅｌ装置用光学部材及び有機ｅｌ装置 |
| JP5657243B2 (ja) | 2009-09-14 | 2015-01-21 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | カラーフィルタ及び発光表示素子 |
| JP5473506B2 (ja) | 2009-09-14 | 2014-04-16 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | カラーフィルタ及び発光表示素子 |
| JP6759108B2 (ja) | 2014-05-08 | 2020-09-23 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 安定化されたイミダゾフェナントリジン材料 |
| KR102584846B1 (ko) | 2015-05-05 | 2023-10-04 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 유기 전계발광 재료 및 디바이스 |
| EP3492480B1 (en) | 2017-11-29 | 2021-10-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
-
2001
- 2001-05-28 JP JP2001159221A patent/JP4144192B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002056985A (ja) | 2002-02-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4144192B2 (ja) | 有機電界発光素子の製造方法 | |
| JP4058842B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP4023204B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP3996036B2 (ja) | 芳香族ジアミン含有高分子化合物およびそれを用いる有機電界発光素子 | |
| JP3972588B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP5454422B2 (ja) | 電荷輸送膜用組成物、電荷輸送膜及び有機電界発光素子 | |
| JP3945123B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP4692025B2 (ja) | 電荷輸送膜用組成物及びイオン化合物、それを用いた電荷輸送膜及び有機電界発光素子、並びに、有機電界発光素子の製造方法及び電荷輸送膜の製造方法 | |
| JP4186758B2 (ja) | 高分子化合物、正孔注入・輸送材料、有機電界発光素子材料および有機電界発光素子 | |
| JPH11242996A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JPH0753953A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP2001223084A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP2004002740A (ja) | 高分子化合物、１，４−フェニレンジアミン誘導体、電荷輸送材料、有機電界発光素子材料および有機電界発光素子 | |
| JP4066619B2 (ja) | ビナフチル系化合物及びその製造方法並びに有機電界発光素子 | |
| JP3978976B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP2000150169A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP4006951B2 (ja) | 有機電界発光素子およびその製造方法 | |
| JP4396115B2 (ja) | 高分子化合物、１，４−フェニレンジアミン誘導体、電荷輸送材料、有機電界発光素子材料および有機電界発光素子 | |
| JP3750315B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP2005093427A (ja) | 有機電界発光素子用組成物及び有機電界発光素子の製造方法 | |
| JP4135411B2 (ja) | 非対称１，４−フェニレンジアミン誘導体、及びこれを用いた有機電界発光素子 | |
| JP4147621B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP4985343B2 (ja) | 電荷輸送膜用組成物、及び、それを用いた有機電界発光素子 | |
| JP2004327166A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
| JP4816687B2 (ja) | 有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機電界発光素子の製造方法及び有機電界発光素子用組成物の保管方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060725 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060915 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070320 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070406 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080304 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080527 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080609 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4144192 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130627 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |