JP5473506B2 - カラーフィルタ及び発光表示素子 - Google Patents

Description

本発明は、カラーフィルタ及び発光表示素子に係り、特に、白色光を発光する発光表示素子用のカラーフィルタ、及びこのカラーフィルタを有する発光表示素子に関する。

有機ＥＬ素子などの発光表示素子では、いわゆるＲＧＢ方式でフルカラーを表示する方式がある。このＲＧＢ方式で白表示を行うためには、Ｒ画素、Ｇ画素及びＢ画素にそれぞれ対応する発光層から発光した各色光をカラーフィルタで分光した後に白色を合成していたため、発光層から出た光の一部がカラーフィルタにより減弱されることとなり、白色光の輝度を維持するには、より多くの電力を必要としていた。そこで、この問題を解決するため、ＲＧＢに加え、Ｗ（白）を組み合わせた４画素種によりフルカラーを表示する方式が開示されている（特許文献１参照）。この方式では、白色光を発光させるには、上記のＲＧＢ方式とは異なり、カラーフィルタを用いることなく、白色光を発光する発光層からの光を直接用いることができるため、カラーフィルタによる光の減弱を受けることなく、白色光を発光させることが可能となる。

しかしながら、このようにして白色光を発光する発光表示素子では、白色光の光路を経て素子に入射した外部光が素子内部で反射し、再び白色光の光路を介して外部に出射することにより、外界の景色の写り込みや、コントラストの低下等、表示性能に悪影響を及ぼすという問題があった。

この問題を解決するため、有機ＥＬ積層膜が形成されたフィルム基板の反有機ＥＬ積層膜側に直線偏光板を設け、このフィルム基板が１／４波長板を兼ねた有機ＥＬ素子が開示されている（特許文献２参照）。この構成により、従来の構成に比べて、光が素子外に出るまでに通過する層の数が減ったことにより、各層の界面における光散乱が減少し、より確実に反射光を遮蔽することができると開示している。

しかしながら、このような構成では、白色光が通過する光路上だけでなく、赤色光、青色光及び緑色光の通過する光路上にも、直線偏光板と１／４波長板とが設けられており、赤色光、青色光及び緑色光の通過する光路上に直線偏光板が設けられていることから、直線偏光板により光の透過率が約５０％となってしまい、素子における光の利用効率が低下してしまうという問題があった。

特開２００３−１７８８７５号公報 特開２００１−０７６８６５号公報

本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、光の利用効率の低下を抑制しつつ外光反射によるコントラストを向上させるカラーフィルタ及びこのカラーフィルタを有する発光表示素子を提供することを目的とする。

本発明者らは、前記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、白色光の通過する光路上にのみ円偏光層を形成することで上記課題を解決し得ることを見出し、本発明の完成に至った。即ち、
＜１＞ 白色光を少なくとも発光する発光表示素子用のカラーフィルタであって、
前記白色光の光路上にのみ円偏光層が形成されているカラーフィルタである。
＜２＞ 円偏光層が、偏光層と１／４波長層とからなる前記＜１＞に記載のカラーフィルタである。
＜３＞ カラーフィルタの支持体が、透明支持体である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載のカラーフィルタである。
＜４＞ 支持体が、１／４波長層である前記＜３＞に記載のカラーフィルタである。
＜５＞ 前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のカラーフィルタと、白色光を少なくとも発光する発光層とを有する発光表示素子である。
＜６＞ 発光表示素子が、光学共振器の構造を有する前記＜５＞に記載の発光表示素子である。
＜７＞ 光源の材料として、少なくとも一種の燐光発光材料を含有する前記＜５＞から＜６＞のいずれかに記載の発光表示素子である。

本発明によれば、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、光の利用効率の低下を抑制しつつ外光反射によるコントラストを向上させるカラーフィルタ及びこのカラーフィルタを有する発光表示素子を提供することができる。

図１は、本発明によるカラーフィルタの一態様を示す断面図である。 図２は、本発明によるカラーフィルタの一態様を示す断面図である。 図３は、本発明によるカラーフィルタの一態様を示す断面図である。 図４は、本発明によるカラーフィルタの一態様を示す断面図である。 図５は、本発明によるカラーフィルタの一態様を示す断面図である。 図６は、本発明によるカラーフィルタの一態様を示す断面図である。 図７は、本発明によるカラーフィルタの一態様を示す断面図である。 図８は、本発明によるカラーフィルタの一態様を示す断面図である。 図９は、本発明によるカラーフィルタの一態様を示す断面図である。 図１０は、本発明によるカラーフィルタの一態様を示す断面図である。 図１１は、本発明によるカラーフィルタの一態様を示す断面図である。 図１２は、本発明による発光表示素子の一態様を示す断面図である。 図１３は、本発明による発光表示素子の一態様を示す断面図である。

（カラーフィルタ）
本発明によるカラーフィルタは、後述の発光表示素子から発光する白色光の光路上にのみ形成された円偏光層を有し、必要に応じてその他の部材を有する。

カラーフィルタの形状としては、後述の発光表示素子の構成に応じて、適宜選択すればよく、例えば、フィルム状、層状が挙げられる。

カラーフィルタの構造としては、上記のとおり、発光表示素子から発光する白色光の光路上にのみ形成された円偏光層を有する構成であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよい。カラーフィルタの構造の例について、図面を参照して、説明する。

図１〜６は、本発明によるカラーフィルタの一態様を示す断面図である。カラーフィルタ１は、例えば後述の１／４波長層１４と後述の偏光層１２とからなる円偏光層１６を有する。また、カラーフィルタ１は、後述の発光表示素子からの発光のうち、所望の波長域の光のみを通過させるフィルター層１８を有する。なお、図１〜６において、矢印は、発光表示素子からの発光の方向を示す。

円偏光層１６は、カラーフィルタにおいて白色光の通過する光路上に形成されていれば、どのような構成であってもよく、例えば、図１及び３に記載のように、フィルター層１８の全面に形成された１／４波長層１４と、フィルター層１８のうち白色光を通過させる白色フィルター部１８ｗの光出射側上に形成された偏光層１２とから構成されてもよい。また、円偏光層１６は、図２に記載のように、後述の支持体２２上に形成された１／４波長層１４と、１／４波長層１４上に形成され、且つフィルター層１８のうち白色光を通過させる白色フィルター部１８ｗの光出射側上に形成された偏光層１２とから構成されてもよい。また、円偏光層１６は、図６に記載のように、カラーフィルタの発光表示素子側に形成された１／４波長層１４と、カラーフィルタの反発光表示素子側（図６の紙面においてフィルター層１８の上側の面）に形成された偏光層１２とから構成されてもよい。

また、円偏光層１６は、図４及び５に記載のように、フィルター層１８のうち白色光を通過させる白色フィルター部１８ｗの光出射側上にのみ形成された１／４波長層１４と、この１／４波長層１４上に形成された偏光層１２とから構成されてもよい。また、円偏光層１６は、図５に記載のように、支持体２２を介して、フィルター層１８のうち白色光を通過させる白色フィルター部１８ｗの光出射側上に形成されてもよい。さらに、円偏光層１６は、図６及び７〜１１のように、フィルター層１８を挟むように、偏光層１２と１／４波長層１４とで構成されていてもよい。

＜円偏光層＞
本発明において、円偏光層は、外部からカラーフィルタに入射した光（以下、外光とも称する。）を、入射方向と反対側に透過して、反射板で反射した後に再入射した反射光をカラーフィルタから外部へ出射することを阻止するものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよい。円偏光層としては、例えば、直線偏光のみを透過させる後述の偏光層と、後述の１／４波長層とを有するものであってもよい。このように構成することにより、カラーフィルタに入射する外光のうち、偏光層を介して所定の方向（即ち、偏光層で透過が許容される振動方向）に振動する直線偏光が透過し、この直線偏光は、１／４波長層を通過することで、直線偏光の遅相軸が進相軸に対して１／４波長、即ち、９０°ずれて円偏光となる。この円偏光は、後述の発光表示素子中の反射部材（例えば、素子中の発光層に配置された電極）により反射されることにより、上記の直線偏光が１／４波長層に入射した方向とは逆向きの偏光を有する円偏光となる。この逆向きの偏光を有する円偏光は、再び１／４波長層に入射して、上記とは９０°偏光方向が異なる直線偏光となる。この９０°偏光方向が異なる直線偏光は、上記の所定の方向に振動する直線偏光を透過させる上記の偏光層を通過することができない。これにより、カラーフィルタに入射した外光は、カラーフィルタから出射されることなく、外光反射が防止されることとなる。

−偏光層−
本発明において、偏光層としては、自然光などの任意の方向に振動する光を直線偏光とする層であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよい。偏光層としては、例えば、ヨウ素系偏光板、二色性染料を用いる染料系偏光板、ポリエン系偏光板などが好適に挙げられる。これらの偏光板のうち、ヨウ素系偏光板及び染料系偏光板は、一般にポリビニルアルコール系フィルムを延伸し、これにヨウ素又は二色性染料を吸着することによって製造できる。この場合、偏光層の偏光軸は、フィルムの延伸方向に垂直な方向となる。

−１／４波長層−
本発明において、１／４波長層としては、常光線と異常光線との光路差が入射光の４分の１波長になるように構成された層であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよい。１／４波長層としては、一軸延伸した高分子フィルムなどの複屈折異方性を有する材料から形成されたものであってもよい。

＜フィルター層＞
本発明によるカラーフィルタは、後述の発光表示素子からの発光のうち、所望の波長域の光のみを通過させるフィルター層１８を有する。フィルター層１８の形状としては、カラーフィルタの形状に応じて適宜選択すればよい。フィルター層１８の構造としては、発光表示素子からの白色光を透過させ、且つ発光表示素子からの発光のうち、所望の波長域の光を出射させ得るものであれば、目的に応じて適宜選択すればよく、発光表示素子からの白色光を透過させる白色フィルター部１８ｗを有してもよい。フィルター層１８は、その他、発光表示素子からの発光のうち、青色光を透過させる青色フィルター部１８ｂ、緑色光を透過させる緑色フィルター部１８ｇ、及び赤色光を透過させる赤色フィルター部１８ｒを有してもよい。

＜その他の部材＞
＜＜支持体＞＞
本発明によるカラーフィルタは、カラーフィルタの強度を増加させることを目的として、支持体を有してもよい。支持体としては、カラーフィルタの光特性に影響を及ぼさないものであれば、特に制限はなく、例えば、光学的に不活性な透明支持体であってもよい。また、支持体としては、カラーフィルタの構成を簡略化しつつ、円偏光の特性を発揮し得ることを目的として、上記の１／４波長層の機能を有するものであってもよい。

支持体の材料としては、上記の目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラス、金属酸化物等の無機材料；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン；ポリアミド、ポリエーテル、ポリスチレン、ポリエステルアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエステル、ポリ塩化ビニル、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、ポリエーテルケトン、ポリフッ化エチレン等の耐有機溶剤性に優れた有機材料；などが挙げられる。支持体の厚みとしては、通常採用される範囲の厚さであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１０μｍ〜１ｃｍであってもよい。

−カラーフィルタの製法−
カラーフィルタの製法としては、上記の構成を有するものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよい。例えば、図１及び２に記載のように、支持体２２上に積層した、白色フィルター部１８ｗ、赤色フィルター部１８ｒ、緑色フィルター部１８ｇ及び青色フィルター部１８ｂからなるフィルター層１８の上に、又はフィルター層１８上に積層した支持体２２上に、１／４波長層１４を積層し、さらに、白色光の通過する光路上にのみ偏光層１２を適当な方法で積層する方法であってもよい。また、図３に記載のように、フィルター層１８上に、１／４波長層１４を積層し、さらに、白色光の通過する光路上にのみ偏光層１２を適当な方法で積層する方法であってもよい。また、図４及び５に記載のように、支持体２２上に積層したフィルター層１８上に、又はフィルター層１８上に積層した支持体２２上に、さらに、白色光の通過する光路上にのみ１／４波長層１４と偏光層１２とを積層する方法であってもよい。また、支持体２２と、１／４波長層１４と、フィルター層１８とを積層し、さらに、白色光の通過する光路上にのみ偏光層１２を適当な方法で積層する方法であってもよい。

偏光層１２及び／又は１／４波長層１４を積層する上記の適当な方法としては、上記の通りに構成し得るものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよい。例えば、偏光層１２及び／又は１／４波長層１４を、発光表示素子からの白色光の光路上に配置されるような形状にスリット状に切断し、白色光の光路上に配置する方法であってもよい。また、発光表示素子からの白色光の光路上に配置されるような形状にパターニングされた偏光層１２及び／又は１／４波長層１４を、白色光の光路上に配置する方法であってもよい。なかでも、ワイヤーグリッドを用いてパターニングしてインプリント法で配置する方法であってもよい。また、偏光層１２及び／又は１／４波長層１４を構成する層の下層に配向層を設け、偏光層１２及び／又は１／４波長層１４を構成する二色性色素等をインクジェット法等の塗布により配置する方法であってもよい。また、フィルター層１８の白色フィルター部１８ｗに対応する位置に設けた光配向性の配向膜を光配向させた後、液晶材料を直接注入して、この材料を偏光層１２及び／又は１／４波長層１４の特性を有するように配向させる方法であってもよい。

（発光表示素子）
本発明による発光表示素子は、上記の本発明によるカラーフィルタと、白色光を少なくとも発光する発光層とを有し、必要に応じてその他の部材を有してもよい。

図１２及び１３は、本発明による発光表示素子の一態様を示す断面図である。発光表示素子１００は、上記の本発明によるカラーフィルタ１と、一対の電極（陰極１０２及び陽極１０４）間に配置された白色光を少なくとも発光する発光層１０６を有する。なお、図１２及び１３において、矢印は、発光層１０６からの発光の出射方向を示す。また、図１２及び１３において、カラーフィルタ１と、基体１１４との間又は陰極１０２との間に空間があるが、これは、その間の構成は特に制限がなく、必要に応じて、適当な部材が配置されてもよいことを意味するものである。

本発明による発光表示素子は、発光層からの発光が反射/干渉を繰り返して光学共振する光学共振器の構造を有してもよい。この光学共振器の構造としては、発光層からの発光が反射/干渉を繰り返し得る構造であれば、特に制限はなく、適宜選択すればよいが、例えば、図１２及び１３に記載の発光表示素子１００において、発光層１０６からみてカラーフィルタ１側に半透明な陰極１０２を設け、発光層１０６からみて反カラーフィルタ１側の平坦化層１１６に反射層１１２を設け、陰極１０２と反射層１１２との間で光学共振器の構造を構成してもよい。これにより、多重干渉による色強度が増大し、より高い光強度を出射し得る有機ＥＬ装置が得られる。なお、図１２及び１３に記載の発光表示素子１００において、符号１１４は、ガラス基板などの基体を示し、符号１０８は、各画素における光路長を調整する光路長調整層を示し、符号１１０は、各画素を電気的に絶縁する絶縁層を示し、符号１１８は、ＴＦＴを示す。

＜発光層＞
本発明において、発光層としては、電界を印加されて白色光を発するものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。発光層の構成としては、白色光を発光する層を有すれば、特に制限はなく、発光層の全てから白色光が発光される構成であってもよく、白色光を発光する層と、その他の青色光、緑色光及び／又は赤色光を発光する層とを有する発光層としたものであってもよい。なお、図１２では、単一の発光層を構成するように記載されているが、発光層からの出射面に沿うように、各光が発光するように構成される態様も、本発明に含まれる。

発光層と上記のカラーフィルタとの配置としては、発光層から発光された白色光の光路上に円偏光層が配置されるものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよい。発光層の全てから白色光が発光される構成である場合には、発光層からの出射面の全面から白色光が発光されることから、発光層の上方にカラーフィルタ１の円偏光層１６を配置すればよい。発光層が発光の出射面に沿って白色光を発光する層とその他の青色光、緑色光及び／又は赤色光を発光する層とからなるように構成されている場合には、発光層から発光された白色光の光路上に円偏光層が配置されるように構成すればよい。

発光層の材料としては、有機発光材料からなるものであっても、無機発光材料からなるものであってもよいが、なかでも、色相の選択幅が広い、駆動電圧が低い点で、有機発光材料が好ましい。以下、有機発光材料を用いた発光層を有する有機化合物層について、説明する。

−有機化合物層−
有機化合物層の積層の形態としては、陽極側から、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。さらに、正孔輸送層と陽極との間に正孔注入層、及び／又は有機発光層と電子輸送層との間に、電子輸送性中間層を有する。また、有機発光層と正孔輸送層との間に正孔輸送性中間層を、同様に陰極と電子輸送層との間に電子注入層を設けてもよい。尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。

有機発光層は、前記発光層に、陽極と陰極、及び有機発光層以外の各層は前記その他の層に、それぞれ対応する。

有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、塗布法、インクジェット法、及びスプレー法等いずれによっても好適に形成することができる。

本発明による発光表示素子は、有機発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、有機発光層以外の他の有機化合物層としては、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層、等の各層が挙げられる。

本発明による発光表示素子において、有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式等いずれによっても好適に形成することができる。

−−有機発光層−−
有機発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。

有機発光層は、発光材料のみで構成されていてもよく、ホスト材料と発光性ドーパントの混合層とした構成でもよい。発光性ドーパントは蛍光発光材料でも燐光発光材料であってもよく、２種以上であってもよい。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種単独であっても２種以上であってもよく、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、有機発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいてもよい。

また、有機発光層は、１層単独であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。

前記発光性ドーパントとしては、燐光性発光材料、蛍光性発光材料等いずれもドーパント（燐光発光性ドーパント、蛍光発光性ドーパント）として用いることができる。

有機発光層は、色純度を向上させるためや発光波長領域を広げるために２種類以上の発光性ドーパントを含有することもできる。前記発光性ドーパントは、さらに前記ホスト化合物との間で、イオン化ポテンシャルの差（ΔＩｐ）と電子親和力の差（ΔＥａ）が、１．２ｅＶ＞△Ｉｐ＞０．２ｅＶ、及び／又は１．２ｅＶ＞△Ｅａ＞０．２ｅＶの関係を満たすドーパントであることが駆動耐久性の観点で好ましい。

前記燐光発光性ドーパントとしては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができ、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体を挙げることができる。

前記遷移金属原子としては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、金、銀、銅、及び白金が好ましく、レニウム、イリジウム、及び白金がより好ましく、イリジウム、白金が特に好ましい。

ランタノイド原子としては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテシウムが挙げられる。なかでも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。

錯体の配位子としては、例えば、Ｇ．Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ等著，Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｐｅｒｇａｍｏｎ Ｐｒｅｓｓ社１９８７年発行、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著，「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」 Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。

配位子としては、ハロゲン配位子（塩素配位子が好ましい）、芳香族炭素環配位子（例えば、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、ナフチルアニオンなどが挙げられ、炭素数５〜３０が好ましく、炭素数６〜３０がより好ましく、炭素数６〜２０がさらにより好ましく、炭素数６〜１２が特に好ましい）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなどが挙げられ、炭素数５〜３０が好ましく、炭素数６〜３０がより好ましく、炭素数６〜２０がさらにより好ましく、炭素数６〜１２が特に好ましい）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなどが挙げられる）、カルボン酸配位子（例えば、酢酸配位子などが挙げられ、炭素数２〜３０が好ましく、炭素数２〜２０がより好ましく、炭素数２〜１６が特に好ましい）、アルコラト配位子（例えば、フェノラト配位子などが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数６〜２０がさらに好ましい）、シリルオキシ配位子（例えば、トリメチルシリルオキシ配位子、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリルオキシ配位子、トリフェニルシリルオキシ配位子などが挙げられ、炭素数３〜４０が好ましく、炭素数３〜３０がより好ましく、炭素数３〜２０が特に好ましい）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子、リン配位子（例えば、トリフェニルフォスフィン配位子などが挙げられ、炭素数３〜４０が好ましく、炭素数３〜３０がより好ましく、炭素数３〜２０がさらにより好ましく、炭素数６〜２０が特に好ましい）、チオラト配位子（例えば、フェニルチオラト配位子などが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数６〜２０が特に好ましい）、フォスフィンオキシド配位子（例えば、トリフェニルフォスフィンオキシド配位子などが挙げられ、炭素数３〜３０が好ましく、炭素数８〜３０がより好ましく、炭素数１８〜３０が特に好ましくい）が好ましく、含窒素ヘテロ環配位子がより好ましい。

上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。

これらのなかでも、発光性ドーパントとしては、例えば、ＵＳ６，３０３，２３８Ｂ１、ＵＳ６，０９７，１４７、ＷＯ００／５７６７６、ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ０１／０８２３０、ＷＯ０１／３９２３４Ａ２、ＷＯ０１／４１５１２Ａ１、ＷＯ０２／０２７１４Ａ２、ＷＯ０２／１５６４５Ａ１、ＷＯ０２／４４１８９Ａ１、ＷＯ０５／１９３７３Ａ２、特開２００１−２４７８５９、特開２００２−３０２６７１、特開２００２−１１７９７８、特開２００３−１３３０７４、特開２００２−２３５０７６、特開２００３−１２３９８２、特開２００２−１７０６８４、ＥＰ１２１１２５７、特開２００２−２２６４９５、特開２００２−２３４８９４、特開２００１−２４７８５９、特開２００１−２９８４７０、特開２００２−１７３６７４、特開２００２−２０３６７８、特開２００２−２０３６７９、特開２００４−３５７７９１、特開２００６−２５６９９９、特開２００７−１９４６２、特開２００７−８４６３５、特開２００７−９６２５９等の特許文献に記載の燐光発光化合物などが挙げられる。なかでも、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｃｕ錯体、Ｒｅ錯体、Ｗ錯体、Ｒｈ錯体、Ｒｕ錯体、Ｐｄ錯体、Ｏｓ錯体、Ｅｕ錯体、Ｔｂ錯体、Ｇｄ錯体、Ｄｙ錯体、Ｃｅ錯体が好ましく、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｒｅ錯体がより好ましい。なかでも、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｒｅ錯体が、さらにより好ましい。さらに、発光効率、駆動耐久性、色度等の観点で、３座以上の多座配位子を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｒｅ錯体が特に好ましい。

前記蛍光発光性ドーパントとしては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができ、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物（アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、又はペンタセンなど）、８−キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、及びこれらの誘導体などが挙げられる。

発光性ドーパントとしては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

有機発光層中の発光性ドーパントは、有機発光層中に一般的に有機発光層を形成する全化合物質量に対して、０．１質量％〜５０質量％含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％〜５０質量％含有されることが好ましく、２質量％〜４０質量％含有されることがより好ましい。

有機発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、２ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、なかでも、外部量子効率の観点で、３ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのが特に好ましい。

前記ホスト材料としては、正孔輸送性に優れる正孔輸送性ホスト材料（正孔輸送性ホストと記載する場合がある）及び電子輸送性に優れる電子輸送性ホスト化合物（電子輸送性ホストと記載する場合がある）を用いることができる。

有機発光層内の正孔輸送性ホストとしては、例えば、以下の材料が挙げられる。即ち、ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、及び、それらの誘導体等が挙げられる。

なかでも、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、芳香族第三級アミン化合物、チオフェン誘導体であることが好ましく、分子内にカルバゾール基を有するものがより好ましく、ｔ−ブチル置換カルバゾール基を有する化合物が特に好ましい。

有機発光層内の電子輸送性ホストとしては、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、電子親和力Ｅａが２．５ｅＶ以上３．５ｅＶ以下であることが好ましく、２．６ｅＶ以上３．４ｅＶ以下であることがより好ましく、２．８ｅＶ以上３．３ｅＶ以下であることが特に好ましい。また、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、イオン化ポテンシャルＩｐが５．７ｅＶ以上７．５ｅＶ以下であることが好ましく、５．８ｅＶ以上７．０ｅＶ以下であることがより好ましく、５．９ｅＶ以上６．５ｅＶ以下であることが特に好ましい。

このような電子輸送性ホストとしては、具体的には、例えば、以下の材料が挙げられる。即ち、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、及びそれらの誘導体（他の環と縮合環を形成してもよい）、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体等が挙げられる。

電子輸送性ホストとしては、金属錯体、アゾール誘導体（ベンズイミダゾール誘導体、イミダゾピリジン誘導体等）、アジン誘導体（ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体等）が好ましく、なかでも、耐久性の点から、金属錯体化合物がより好ましい。金属錯体化合物（Ａ）は、金属に配位する窒素原子、酸素原子及び硫黄原子の少なくともいずれかを有する配位子を有する金属錯体が好ましい。

金属錯体中の金属イオンは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、インジウムイオン、錫イオン、白金イオン、又はパラジウムイオンであることが好ましく、ベリリウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、白金イオン、又はパラジウムイオンがより好ましく、アルミニウムイオン、亜鉛イオン、又はパラジウムイオンが特に好ましい。

前記金属錯体中に含まれる配位子としては、種々の公知の配位子であればよく、例えば、「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著、１９８７年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」、裳華房社、山本明夫著、１９８２年発行等に記載の配位子が挙げられる。

前記配位子としては、含窒素ヘテロ環配位子（炭素数１〜３０が好ましく、炭素数２〜２０がより好ましく、炭素数３〜１５が特に好ましい）が好ましい。また、前記配位子としては、単座配位子であっても２座以上の配位子であってもよいが、２座以上６座以下の配位子であることが好ましい。また、２座以上６座以下の配位子と単座の混合配位子も好ましい。

前記配位子としては、例えば、アジン配位子（例えば、ピリジン配位子、ビピリジル配位子、ターピリジン配位子などが挙げられる。）、ヒドロキシフェニルアゾール配位子（例えば、ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾピリジン配位子などが挙げられる。）、アルコキシ配位子（例えば、メトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数１〜１０が特に好ましい。）、アリールオキシ配位子（例えば、フェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ、２，４，６−トリメチルフェニルオキシ、４−ビフェニルオキシなどが挙げられ、炭素数６〜３０が好ましく、炭素数６〜２０がより好ましく、炭素数６〜１２が特に好ましい）などが挙げられる。

ヘテロアリールオキシ配位子（例えば、ピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数１〜１２が特に好ましい。）、アルキルチオ配位子（例えば、メチルチオ、エチルチオなどが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数１〜１２が特に好ましい。）、アリールチオ配位子（例えば、フェニルチオなどが挙げられ、炭素数６〜３０が好ましく、炭素数６〜２０がより好ましく、炭素数６〜１２が特に好ましい。）、ヘテロアリールチオ配位子（例えば、ピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数１〜１２が特に好ましい。）、シロキシ配位子（例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基などが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましい、炭素数３〜２５がより好ましい、炭素数６〜２０が特に好ましい。）、芳香族炭化水素アニオン配位子（例えば、フェニルアニオン、ナフチルアニオン、及びアントラニルアニオンなどが挙げられ、炭素数６〜３０が好ましく、炭素数６〜２５がより好ましく、炭素数６〜２０が特に好ましい。）、芳香族ヘテロ環アニオン配位子（例えば、ピロールアニオン、ピラゾールアニオン、ピラゾールアニオン、トリアゾールアニオン、オキサゾールアニオン、ベンゾオキサゾールアニオン、チアゾールアニオン、ベンゾチアゾールアニオン、チオフェンアニオン、及びベンゾチオフェンアニオンなどが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数２〜２５がより好ましく、炭素数２〜２０が特に好ましい。）、インドレニンアニオン配位子などが挙げられ、含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、シロキシ配位子などが好ましく、含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、シロキシ配位子、芳香族炭化水素アニオン配位子、芳香族ヘテロ環アニオン配位子などがさらに好ましい。

金属錯体電子輸送性ホストの例としては、例えば、特開２００２−２３５０７６、特開２００４−２１４１７９、特開２００４−２２１０６２、特開２００４−２２１０６５、特開２００４−２２１０６８、特開２００４−３２７３１３等に記載の化合物が挙げられる。

有機発光層において、前記ホスト材料の三重項最低励起準位（Ｔ１）が、前記燐光発光材料のＴ１より高いことが色純度、発光効率、駆動耐久性の点で好ましい。

また、ホスト化合物の含有量は、特に限定されるものではないが、発光効率、駆動電圧の観点から、発光層を形成する全化合物質量に対して１５質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。

−−−正孔注入層、正孔輸送層−−−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる正孔注入材料、正孔輸送材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。

具体的には、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、等を含有する層であることが好ましい。

有機ＥＬ素子の正孔注入層あるいは正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。正孔注入層、あるいは正孔輸送層に導入する電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。

具体的には、無機化合物は塩化第二鉄や塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどのハロゲン化金属、五酸化バナジウム、及び三酸化モリブデンなどの金属酸化物などが挙げられる。

有機化合物の場合は、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基などを有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなどを好適に用いることができる。

この他にも、特開平６−２１２１５３、特開平１１−１１１４６３、特開平１１−２５１０６７、特開２０００−１９６１４０、特開２０００−２８６０５４、特開２０００−３１５５８０、特開２００１−１０２１７５、特開２００１−１６０４９３、特開２００２−２５２０８５、特開２００２−５６９８５、特開２００３−１５７９８１、特開２００３−２１７８６２、特開２００３−２２９２７８、特開２００４−３４２６１４、特開２００５−７２０１２、特開２００５−１６６６３７、特開２００５−２０９６４３等に記載の化合物を好適に用いることができる。

このうち、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ｐ−フルオラニル、ｐ−クロラニル、ｐ−ブロマニル、ｐ−ベンゾキノン、２，６−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジクロロベンゾキノン、１，２，４，５−テトラシアノベンゼン、１，４−ジシアノテトラフルオロベンゼン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベンゾキノン、ｐ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、ｏ−ジニトロベンゼン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，３−ジニトロナフタレン、１，５−ジニトロナフタレン、９，１０−アントラキノン、１，３，６，８−テトラニトロカルバゾール、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，３，５，６−テトラシアノピリジン、又はフラーレンＣ６０が好ましく、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ｐ−フルオラニル、ｐ−クロラニル、ｐ−ブロマニル、２，６−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジクロロベンゾキノン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，２，４，５−テトラシアノベンゼン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベンゾキノン、又は２，３，５，６−テトラシアノピリジンがより好ましく、テトラフルオロテトラシアノキノジメタンが特に好ましい。

これらの電子受容性ドーパントは、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子受容性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料に対して０．０１質量％〜５０質量％であることが好ましく、０．０５質量％〜２０質量％であることがさらに好ましく、０．１質量％〜１０質量％であることが特に好ましい。

正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのがさらに好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであるのがさらに好ましい。

正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種単独又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

−−−電子注入層、電子輸送層−−−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。

具体的には、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。

本発明による発光表示素子の電子注入層又は電子輸送層には、電子供与性ドーパントを含有させることができる。電子注入層、あるいは電子輸送層に導入される電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Ｌｉなどのアルカリ金属、Ｍｇなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。金属としては、特に仕事関数が４．２ｅＶ以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｇｄ、及びＹｂなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。

この他にも、特開平６−２１２１５３、特開２０００−１９６１４０、特開２００３−６８４６８、特開２００３−２２９２７８、特開２００４−３４２６１４等に記載の材料を用いることができる。

これらの電子供与性ドーパントは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子供与性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、電子輸送層材料に対して０．１質量％〜９９質量％であることが好ましく、１．０質量％〜８０質量％であることがさらに好ましく、２．０質量％〜７０質量％であることが特に好ましい。

電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが特に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが特に好ましい。

電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種単独又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

−−正孔ブロック層−−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。

正孔ブロック層を構成する化合物の例としては、ＢＡｌｑ等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。

正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが特に好ましい。

正孔ブロック層は、上述した材料の１種単独又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

−−電子ブロック層−−
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として、電子ブロック層を設けることができる。

電子ブロック層を構成する化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。

電子ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが特に好ましい。

正孔ブロック層は、上述した材料の１種単独又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

発光層は、さらに発光効率を向上させるため、複数の発光層の間に電荷発生層が設けた構成をとることができる。

電荷発生層は、電界印加時に電荷（正孔及び電子）を発生する機能を有すると共に、発生した電荷を電荷発生層と隣接する層に注入させる機能を有する層である。

電荷発生層を形成する材料は、上記の機能を有する材料であれば、特に制限はなく、単一化合物で形成されていても、複数の化合物で形成されていてもよい。

具体的には、導電性を有するものであっても、ドープされた有機層のように半導電性を有するものであっても、また、電気絶縁性を有するものであってもよく、特開平１１−３２９７４８や、特開２００３−２７２８６０や、特開２００４−３９６１７に記載の材料が挙げられる。

さらに、具体的には、ＩＴＯ、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの透明導電材料、Ｃ６０等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等などの導電性有機物、Ｃａ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ａｌ：Ｌｉ合金、Ｍｇ：Ｌｉ合金などの金属材料、正孔伝導性材料、電子伝導性材料、及びそれらを混合させたものが挙げられる。

前記正孔伝導性材料は、例えば、２−ＴＮＡＴＡ、ＮＰＤなどの正孔輸送有機材料にＦ４−ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱ、ＦｅＣｌ_３などの電子求引性を有する酸化剤をドープさせたものや、Ｐ型導電性高分子、Ｐ型半導体などが挙げられ、前記電子伝導性材料は電子輸送有機材料に４．０ｅＶ未満の仕事関数を有する金属若しくは金属化合物をドープしたものや、Ｎ型導電性高分子、Ｎ型半導体が挙げられる。Ｎ型半導体としては、Ｎ型Ｓｉ、Ｎ型ＣｄＳ、Ｎ型ＺｎＳなどが挙げられ、Ｐ型半導体としては、Ｐ型Ｓｉ、Ｐ型ＣｄＴｅ、Ｐ型ＣｕＯなどが挙げられる。

また、前記電荷発生層として、Ｖ_２Ｏ_５などの電気絶縁性材料を用いることもできる。

前記電荷発生層は、単層でも複数積層させたものでもよい。複数積層させた構造としては、透明伝導材料や金属材料などの導電性を有する材料と正孔伝導性材料、又は、電子伝導性材料を積層させた構造、上記の正孔伝導性材料と電子伝導性材料を積層させた構造の層などが挙げられる。

前記電荷発生層は、一般に、可視光の透過率が５０％以上になるよう、膜厚・材料を選択することが好ましい。また膜厚は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．５〜２００ｎｍが好ましく、１〜１００ｎｍがより好ましく、３〜５０ｎｍがさらに好ましく、５〜３０ｎｍが特に好ましい。

電荷発生層の形成方法は、特に限定されるものではなく、前述した有機化合物層の形成方法を用いることができる。

電荷発生層は前記二層以上の発光層間に形成するが、電荷発生層の陽極側及び陰極側には、隣接する層に電荷を注入する機能を有する材料を含んでいてもよい。陽極側に隣接する層への電子の注入性を上げるため、例えば、ＢａＯ、ＳｒＯ、Ｌｉ_２Ｏ、ＬｉＣｌ、ＬｉＦ、ＭｇＦ_２、ＭｇＯ、ＣａＦ_２などの電子注入性化合物を電荷発生層の陽極側に積層させてもよい。

以上で挙げられた内容以外にも、特開２００３−４５６７６号公報、米国特許第６３３７４９２号、同第６１０７７３４号、同第６８７２４７２号等に記載を元にして、電荷発生層の材料を選択することができる。

＜陰極＞
本発明において、陰極としては、発光層に電界を印加し得るものであれば、特に制限はない。陰極は、発光表示素子の配置の形態に応じて、透明若しくは半透明又は光透過性若しくは光不透過性の陽極又は陰極等、適宜選択すればよく、例えば、発光表示素子の発光層からみて、光出射方向に位置する電極を透明としてもよい。

−陽極−
陽極は、通常、上述の発光層を構成する有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光表示素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料のなかから適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常、透明陽極として設けられる。

陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。なかでも、導電性金属酸化物が好ましく、生産性、高導電性、透明性等の点で、ＩＴＯがより好ましい。

陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などのなかから、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、後述の基体上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。

本発明において、陽極の配置位置としては、発光層に接するように設けられれば、特に制限はなく、有機ＥＬ装置の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、陽極は、発光層における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。

なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。

陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。

陽極の抵抗値としては、１０^３Ω／□以下が好ましく、１０^２Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光の出射ためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。

なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明導電膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。

−陰極−
陰極は、通常、上述の発光層を構成する有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光表示素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料のなかから適宜選択することができる。

陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、及びイッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。

これらのなかでも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。

なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの公報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。

陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などのなかから、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種単独又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。

陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。

本発明において、陰極の配置位置は、発光層に電界を印加し得るように設けられれば、特に制限はなく、発光層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。

また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１ｎｍ〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層とみることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。

陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。

また、陰極は、透明であってもよいし、半透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、さらにＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。

＜反射層＞
本発明において、反射層としては、発光層からの光を反射するものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。反射層の形状、構造、大きさとしては、本発明の目的に応じて適宜選択すればよく、反射層の厚みは、本発明の目的に応じて適宜選択すればよく、３００ｎｍ〜１，０００ｎｍの範囲であってもよい。

反射層の配置位置としては、発光表示素子の態様に応じて、適宜選択すればよく、後述の基体を設ける場合には、反射層は、基体と発光層との間に配置してもよい。

反射層の材料としては、発光層からの光を反射するものであれば特に制限はなく、例えば、この発光に対して７０％以上の反射率を有するものであってもよい。反射層の材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉなどの金属が挙げられる。

＜基体＞
本発明による発光表示素子において、発光表示素子の強度を確保する、環境に由来する有害物質から発光表示素子を保護する目的で、基体を有してもよい。基体としては、この目的を満たす限り、特に制限はなく、その形状、構造、大きさ等を適宜選択すればよく、一般的には、基体の形状としては、板状であることが好ましい。基体の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。基体は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。

基体の配置位置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよい。なかでも、環境に由来する有害物質を遮断する点から、発光表示素子の最も外側に配置することが好ましい。

基体の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、その具体例としては、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、及びポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。

例えば、基体としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したもの（例えば、バリアフィルム基板）を使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性及び加工性に優れていることが好ましい。

熱可塑性基体を用いる場合には、さらに必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。

＜その他の部材＞
本発明による発光表示素子において、目的に応じて、適宜その他の本技術分野公知の部材を設けてもよい。例えば、その他の部材としては、発光層からの発光を発光表示素子の外部に射出する光取り出し層、発光層から発光した光の光路長を調整する光路長調整層、発光表示素子への空気や水分などの透過を防止するガスバリア層、発光表示素子の各部材を物理的/化学的外力から保護する保護層、発光表示素子の外部及び／又は内部からの光の反射を防止する反射防止層などが挙げられる。

次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。

（実施例１）
＜ＲＧＢＷ カラーフィルタの作成＞
ブラックカラーレジストＣＫ−８４００（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ（株）製）を カラーフィルタ作製用のガラス基板の上にスピンコーターを用いて乾燥膜厚が１．０μｍとなるように塗布し、１２０℃で２分間乾燥させて黒色の均一な塗膜を形成した。

次に、露光装置を使用して、塗膜に３６５ｎｍの波長で１００μｍのマスクを通して３００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で照射した。照射後、１０％ＣＤ−１（富士フイルム エレクトロニクスマテリアルズ（株）製）現像液を使用して、２６℃で９０秒間現像した。引き続き、流水で２０秒間リンスした後、エアナイフで乾燥させ、２２０℃で６０分間熱処理を行なってブラックマトリックスのパターン像を形成した。

次に、下記３色の硬化性組成物を、サンドミルで一昼夜分散した。なお、緑色、赤色及び青色のそれぞれで得た分散液を、それぞれ、分散液（Ａ−１）、（Ａ−２）及び（Ａ−３）とも称する。

［緑色：分散液（Ａ−１）］
ベンジルメタクリレート／メタクリル酸共重合体 ８０質量部
（重量平均分子量３０，０００、酸価１２０）
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ５００質量部
銅フタロシアニン顔料 ３３質量部
Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１８５ ６７質量部

［赤色：分散液（Ａ−２）］
ベンジルメタクリレート／メタクリル酸共重合体 ８０質量部
（重量平均分子量３０，０００、酸価１２０）
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ５００質量部
ピグメントレッド２５４ ５０質量部
ピグメントレッドＰＲ１７７ ５０質量部

［青色：分散液（Ａ−３）］
ベンジルメタクリレート／メタクリル酸共重合体 ８０質量部
（重量平均分子量３０，０００、酸価１２０）
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ５００質量部
ピグメントブルー１５：６ ９５質量部
ピグメントバイオレット２３ ５質量部

次いで、上記の各色用の硬化性組成物（即ち、分散液（Ａ−１）、（Ａ−２）及び（Ａ−３））６０質量部に、下記の成分を添加して、各色用の組成物を得た。

ジペンタエリスリトールヘキサアクリレ−ト（ＤＰＨＡ） ８０質量部
４−［ｏ−ブロモ−ｐ−Ｎ，Ｎ−ジ（エトキシカルボニル）アミノフェニル］２、６−ジ（トリクロロメチル）−Ｓ−トリアジン ５質量部
７−［｛４−クロロ−６−（ジエチルアミノ）−Ｓ−トリアジン−２−イル｝アミノ］−３−フェニルクマリン ２質量部
ハイドロキノンモノメチルエーテル ０．０１質量部
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ５００質量部

上記の通り添加して得た各色用の組成物を均一に混合した後、孔径５μｍのフィルターで濾過し、本発明の３色の硬化性組成物を得た。このうち緑色の硬化性組成物をブラックマトリックスを作成したガラス基板の上にスピンコーターを用いて乾燥膜厚が１．０μｍとなるように塗布し、１２０℃で２分間乾燥させて緑色の均一な塗膜を形成した。

次に、露光装置を使用して、塗膜に３６５ｎｍの波長で１００μｍのマスクを通して３００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で照射した。照射後、１０％ＣＤ−１（富士フイルム エレクトロニクスマテリアルズ（株）製）現像液を使用して、２６℃で６０秒間現像した。引き続き、流水で２０秒間リンスした後、エアナイフで乾燥させ、２２０℃で６０分間熱処理を行なって緑色のパターン像（緑色画素）を形成した。この操作を赤色の硬化性組成物と青色の硬化性組成物についても同様に、同一のガラス基板に対して行ない、順次赤色のパターン像（赤色画素）および青色のパターン像（青色画素）を形成した。

このようにして形成したパターン像における白画素に対応する部分の大きさに合わせて偏光板（ＴＳ偏光フィルム：４３７８１−Ｋ エドモントオプティックスジャパン製）を切断し白画素上に紫外線硬化型接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ社製）を用いて貼付した。

さらに、上記のガラス基板の裏面全体に位相差フィルム（１／４λ位相差フィルム：２７３４４Ｋ エドモントオプティックスジャパン製）を、紫外線硬化型接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ社製）を用いて偏光板の透過軸と位相差フィルムの遅相軸が４５度の角度となるように貼付し、本発明のカラーフィルタ１を得た。

＜ＥＬ素子の作成＞
ＴＦＴを備えたガラス基板上に１５０ｎｍの厚みで形成されたインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜（ジオマテック社製）に対し、フォトリソグラフィーと塩酸エッチングを用いてパターニングし、陽極を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗及びイソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行って、真空蒸着装置内に設置した。その後、蒸着装置内を排気した。

続いて、上記蒸着装置内にて４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を加熱して、蒸着速度０．２ｎｍ／秒で蒸着を行い、膜厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

引続き、上記により形成された正孔輸送層の上に、発光層の形成用の材料として、下記のホスト材料、青色発光材料、緑色発光材料及び赤色発光材料を過熱し、同時蒸着することで、発光層の成膜を行った。

ホスト材料：
４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル（ＣＢＰ）
青色発光材料：
イリジウム（ＩＩＩ）ビス［（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジナート−Ｎ，Ｃ２］ピコリネート（Ｆｉｒｐｉｃ）
緑色発光材料：
トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）
赤色発光材料：
下記のドーパントＡ

なお、共蒸着において、ＣＢＰの蒸着速度は０．２ｎｍ／秒に制御し、下記材料の量としては、Ｆｉｒｐｉｃが１．５質量％、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３が０．５質量％、ドーパントＡが０．５質量％とし、膜厚３０ｎｍの発光層を正孔輸送層の上に積層した。

更に、アルミニウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチル−８−キノリナト）４−フェニルフェノレート（ＢＡｌｑ）を、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着を行い、膜厚３０ｎｍの電子輸送層を発光層の上に積層した。

その後、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を蒸着速度０．１ｎｍ／秒、１ｎｍの膜厚で電子輸送層の上に成膜して電子注入層を形成し、更に、アルミニウムを蒸着速度０．５ｎｍ／秒、膜厚１５０ｎｍの陰極を形成した。

また、陽極及び陰極より、それぞれアルミニウムのリード線を結線した。なお、蒸着時は、所望の膜厚が得られるよう、水晶発振式成膜コントローラを用いてモニターした。

ここで得られた積層体を、空気に晒すことなく、窒素ガスで置換したグローブボックス内に入れた。内側に凹部を設けたガラス製の封止カバーに、前記グローブボックス内で水分吸収剤（サエスゲッターズ製）を貼り付けた。この封止カバーと、接着剤として紫外線硬化型接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ製）を用いて封止した。

以上のようにして、実施例１の有機ＥＬ素子を得た。

ＥＬ素子からの発光が出射する側に上記の通り作成したカラーフィルタが配置されるように、カラーフィルタと、ＥＬ素子とを、紫外線硬化型接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ社製）を用いて接合して、本発明の発光表示素子１を得た。

（実施例２）
実施例１の通りに形成した有機ＥＬのＲＧＢＷ画素面上全面に位相差フィルム（１／４λ位相差フィルム：２７３４４Ｋ エドモントオプティックスジャパン製）を紫外線硬化型接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ製）を用いて貼り付けした後に、ＲＧＢＷ画素パターン像における白画素に対応する部分の大きさに合わせて偏光板（ＴＳ偏光フィルム：４３７８１−Ｋ エドモントオプティックスジャパン製）を切断し白画素上に偏光板の透過軸と位相差フィルムの遅相軸が４５度の角度となるように紫外線硬化型接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ製）を用いて貼付した。それ以外は、実施例１と同様に行い、本発明のカラーフィルタ２及び発光表示素子２を得た。

（比較例１）
実施例１において、偏光板を作成しなかったこと以外は実施例１と同様に行って、比較カラーフィルタ１及び比較発光表示素子１を得た。

（比較例２）
実施例１において、偏光板を白画素に対応する部分に貼付するのに代えて、形成されたパターン像の全体に貼付した以外は実施例１と同様に行って、比較カラーフィルタ２及び比較発光表示素子２を得た。

（比較例３）
実施例１において、カラーフィルタを設けなかった以外は実施例１と同様に行って、比較発光表示素子３を得た。

（実施例３）
＜ＥＬ素子の作成＞
（１）ＴＦＴを備えたガラス基板に、真空成膜製法により、各Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗ副画素に光反射層としてのＡｌ（厚み：１００ｎｍ）をパターン化して設置した。
（２）光反射層の上面に、各Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗ副画素位置にイオンプレーティング法を用いて、ＳｉＯＮをＲ部１２０ｎｍ、Ｇ部７０ｎｍ、Ｂ部３０ｎｍ、Ｗ部２，２００ｎｍ積層して透明絶縁材料からなる光路長調整層を形成した。
（３）上記光路長調整層上面に透明電極（ＩＴＯ、６０ｎｍ）を各副画素でパターニングして形成した。透明電極は、光路長調整層及び反射層に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴの電極と導通した。
（４）発光部をメタルマスクでカバーし、非発光部を絶縁層で被覆した。
（５）上記透明電極３上面に、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗ副画素共通に、白色発光電界発光層、及び半透過反射電極を真空蒸着法により以下の順で形成した。

＜発光層構成＞
４，４’，４’’−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡと略記する）と２−ＴＮＡＴＡに対してＦ４−ＴＣＮＱ（テトラフルオロテトラシアノキノジメタン）を１．０質量％となるように共蒸着を行ない４０ｎｍの正孔注入層を作成した。

引き続き、α−ＮＰＤを積層して厚み１０ｎｍの正孔輸送層を作成した。

さらに、正孔輸送層上に、１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍＣＰと略称）とｍＣＰに対して発光材Ａを１５質量％、発光材Ｂを０．１３質量％、発光材Ｃを０．１３質量％となるように４元で共蒸着を行ない３０ｎｍの発光層を作成した。

発光層の上にＢＡｌｑで厚み４０ｎｍの電子輸送層を作成した。

さらにＬｉＦを厚み０．５ｎｍに蒸着後、Ａｌを厚み１．５ｎｍに蒸着して電子注入層とした。

＜半透過反射電極＞
発光層の金属電極（Ａｇ、２０ｎｍ）を真空成膜製法で形成した。

得られた積層体を、空気に晒すことなく、窒素ガスで置換したグローブボックス内に入れた。内側に凹部を設けたガラス製の封止カバーと、接着剤として紫外線硬化型接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ製）を用いて封止した。以上のようにしてＥＬ素子３を作成した。

さらにＥＬ素子からの発光が出射する側に、実施例１で作成したカラーフィルタ１と、ＥＬ素子３とを、紫外線硬化型接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ社製）を用いて接合して、本発明の発光表示素子３を得た。

（比較例４）
実施例３において、偏光板を作成しなかったこと以外は実施例３と同様に行って、比較カラーフィルタ４及び比較発光表示素子４を得た。

（比較例５）
実施例３において、偏光板を白画素に対応する部分に貼付するのに代えて、形成されたパターン像の全体に貼付した以外は実施例３と同様に行って、比較カラーフィルタ５及び発光表示素子５を得た。

（比較例６）
実施例３において、カラーフィルタを設けなかった以外は実施例３と同様に行って、比較発光表示素子６を得た。

＜評価＞
上記の通りに得た各発光表示素子について、輝度計（トップコム社製：ＳＲ−３）を用いて、白輝度及び黒輝度をそれぞれ測定した。輝度計は、発光表示素子の中心と鉛直方向に同じ高さとなり且つこの中心の水平方向に５°の位置であって、発光表示素子から１メートル離れた位置に設置した。この設置場所では、蛍光灯により鉛直照度１，０００ｌｕｘとなるように照射した。

この状態で、発光表示素子に通電しない状態で測定した輝度を黒輝度とし、発光表示素子を全点灯させて測定した輝度を白輝度とした。このようにして得た白輝度について、ＥＬ素子ごとに比較例３及び比較例６で得た白輝度を１００としたときの各白輝度の値の相対値を算出した。また、上記の通りに得た黒輝度と白輝度とから、白輝度／黒輝度を算出した。

発光層からの白色光の光路上に円偏光層円偏光板を設けたことにより、発光表示素子からの発光である白輝度を保持したまま、外光反射が低減するため、コントラスト（白輝度／黒輝度）の低下が防止され、外光が射す環境下で表示画像面を観察しても明瞭な画像が観察できた。

本発明のカラーフィルタは、白色光を発光する発光表示素子として、好適に利用可能であり、このようにして得た発光表示素子は、高精彩なフルカラー表示が可能であるため、携帯電話ディスプレイ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、コンピュータディスプレイ、自動車の情報ディスプレイ、ＴＶモニター、又は一般照明を含む幅広い分野、好適に利用可能である。

１ カラーフィルタ
１２ 偏光層
１４ １／４波長層
１６ 円偏光層
１８ フィルター層
１８ｗ 白色フィルター部
１８ｒ 赤色フィルター部
１８ｇ 緑色フィルター部
１８ｂ 青色フィルター部
２２ 支持体
１００ 発光表示素子
１０２ 陰極
１０４ 陽極
１０６ 発光層
１０８ 光路長調整層
１１０ 絶縁層
１１２ 反射層
１１４ 基体
１１６ 平坦化層
１１８ ＴＦＴ

Claims (7)

1. 白色光を少なくとも発光する発光表示素子用のカラーフィルタであって、
   前記カラーフィルタは、Ｒ（赤色）Ｇ（緑色）Ｂ（青色）Ｗ（白色）画素パターンを有し、前記Ｗ（白色）画素パターンの前記白色光の光路上にのみ円偏光層が形成されていることを特徴とするカラーフィルタ。
2. 円偏光層が、偏光層と１／４波長層とからなる請求項１に記載のカラーフィルタ。
3. カラーフィルタの支持体が、透明支持体である請求項１から２のいずれかに記載のカラーフィルタ。
4. 支持体が、１／４波長層である請求項３に記載のカラーフィルタ。
5. 請求項１から４のいずれかに記載のカラーフィルタと、白色光を少なくとも発光する発光層とを有することを特徴とする発光表示素子。
6. 発光表示素子が、光学共振器の構造を有する請求項５に記載の発光表示素子。
7. 光源の材料として、少なくとも一種の燐光発光材料を含有する請求項５から６のいずれかに記載の発光表示素子。