JP2002203679A - 発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光輝度に優れたイオン性遷移金属錯体含有
発光素子を提供する。 【解決手段】 本発明の発光素子は陽極と陰極の間に２
層以上の有機化合物層を積層してなる素子であり、有機
化合物層の少なくとも一層がイオン性遷移金属錯体を含
有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電気エネルギーを光
に変換して発光する発光素子に関し、特に表示素子、デ
ィスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録
光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリ
ア、光通信用デバイス等に好適に使用できる発光素子に
関する。

【０００２】

【従来の技術】今日、種々の発光素子に関する研究開発
が活発に行われている。中でも、イオン性遷移金属錯体
含有素子、例えばJ. Am. Chem. Soc., 122, 7426 (200
0) 及びJ. Am. Chem. Soc., 121, 3525 (1999) に記載
のルテニウム錯体含有素子は低電圧駆動が可能であるた
め、消費電力の低い発光デバイスとしての展開が期待さ
れている。しかしながら、このような従来の素子は発光
輝度が低く、改良が望まれている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、発光
輝度に優れたイオン性遷移金属錯体含有発光素子を提供
することである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記課題に鑑み鋭意研究
の結果、本発明者は、イオン性遷移金属錯体を含有する
層を含む複数の有機化合物層を積層してなる発光素子は
高い発光輝度を示すことを発見し、本発明に想到した。

【０００５】即ち、本発明の発光素子は陽極と陰極の間
に２層以上の有機化合物層を積層してなる素子であり、
有機化合物層の少なくとも一層がイオン性遷移金属錯体
を含有することを特徴とする。本発明の発光素子は表示
素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光
源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、
インテリア、光通信用デバイス等に好適に使用できる。

【０００６】上記イオン性遷移金属錯体を含有する有機
化合物層はイオン性遷移金属錯体を50質量％以上含有す
るのが好ましく、この有機化合物層は塗布法により製膜
するのが好ましい。本発明の発光素子はイオン性遷移金
属錯体を含有する有機化合物層、及び該イオン性遷移金
属錯体以外のイオン性化合物を含有する有機化合物層
を、それぞれ有するのが好ましい。また、イオン性遷移
金属錯体を含有する有機化合物層の陰極側に、他の有機
化合物層を有するのが好ましい。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の発光素子は陽極と陰極の
間に積層した２層以上の有機化合物層を有し、該有機化
合物層の少なくとも一層はイオン性遷移金属錯体を含有
する。以下、イオン性遷移金属錯体を含有する有機化合
物層を「イオン性遷移金属錯体層」と称する。本発明で
用いるイオン性遷移金属錯体は遷移金属錯体イオン及び
対イオンからなり、該遷移金属錯体イオンは遷移金属イ
オン及び配位子を含む。

【０００８】上記遷移金属イオンは特に限定されず、ル
テニウムイオン、イリジウムイオン、白金イオン、レニ
ウムイオン、クロムイオン、コバルトイオン、銅イオ
ン、モリブデンイオン、ロジウムイオン、銀イオン、タ
ングステンイオン、オスミウムイオン及び金イオンが好
ましく、ルテニウムイオン、イリジウムイオン、白金イ
オン及びレニウムイオンがより好ましい。イオン性遷移
金属錯体はこのような遷移金属原子を複数含んでいても
よく、即ち、いわゆる複核錯体であってよい。この場
合、複数の金属原子は同じでも異なっていてもよい。

【０００９】上記配位子は特に限定されず、G. Wilkins
onら著「Comprehensive Coordination Chemistry」, Pe
rgamon Press社（1987年）、H.Yersin著「Photochemist
ry and Photophysics of Coordination Compounds」, S
pringer-Verlag社（1987年）、山本明夫著「有機金属化
学−基礎と応用−」, 裳華房社（1982年）等に記載の配
位子が使用できる。中でも、ハロゲン配位子、含窒素ヘ
テロ環配位子（フェニルピリジン系配位子、ベンゾキノ
リン系配位子、キノリノール系配位子、ビピリジル系配
位子、フェナントロリン系配位子等）、ジケトン配位子
（アセチルアセトン等）、カルボン酸配位子（酢酸配位
子等）、リン配位子（トリフェニルホスフィン系配位
子、亜リン酸エステル系配位子等）、一酸化炭素配位
子、イソニトリル配位子、及びシアノ配位子が好まし
い。イオン性遷移金属錯体は複数種の配位子を含んでい
てもよいが、好ましくは１又は２種類の配位子を含む。

【００１０】上記対イオンは特に限定されず、例えばア
ルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲン
イオン、パークロレートイオン、PF₆ ^-、BF₄ ^-、アンモニ
ウムイオン（テトラメチルアンモニウムイオン等）、ス
ルホン酸イオン、カルボン酸イオン等であってよく、好
ましくはパークロレートイオン、PF₆ ^-又はBF₄ ^-である。

【００１１】本発明で用いるイオン性遷移金属錯体は好
ましくは15〜100、より好ましくは20〜70、特に好まし
くは30〜60の炭素原子を含む。また、イオン性遷移金属
錯体は低分子化合物であるのが好ましいが、オリゴマー
やポリマー化合物であってもよい。ポリマーである場
合、その質量平均分子量（ポリスチレン換算）は好まし
くは1000〜5000000、より好ましくは2000〜1000000、特
に好ましくは3000〜100000である。

【００１２】通常、本発明で用いるイオン性遷移金属錯
体は発光材料として機能するが、正孔注入材料、正孔輸
送材料、電子輸送層材料又は電子注入材料として機能す
るものであってもよく、複数の機能を併せ持っていても
よい。以下、本発明で使用するイオン性遷移金属錯体の
具体例を示すが、それらは本発明を限定するものではな
い。

【００１３】

【化１】

【００１４】

【化２】

【００１５】

【化３】

【００１６】

【化４】

【００１７】

【化５】

【００１８】イオン性遷移金属錯体層は、イオン性遷移
金属錯体のみからなる層であってもよく、該錯体をポリ
エチレンオキサイド、ポリエチレンスルホン酸、ポリカ
ーボネート等のポリマーバインダーに分散した層であっ
てもよい。この層は複数種のイオン性遷移金属錯体を含
有してもよく、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子
輸送層及び／又は電子注入層として機能してよい。

【００１９】有機化合物層は、イオン性遷移金属錯体を
乾燥後の固形分として50質量％以上含有するのが好まし
く、80質量％以上含有するのがより好ましい。含有率が
50質量％未満であると、駆動電圧の上昇を招き好ましく
ない。

【００２０】イオン性遷移金属錯体層の形成方法は特に
限定されず、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム法、スパッタ
リング法、分子積層法、塗布法、インクジェット法、印
刷法、転写法等の方法が使用できる。中でも、製造工程
の簡略化、製造コストの低減、加工性や発光特性の改善
等の観点から、塗布法が好ましい。イオン性遷移金属錯
体層の膜厚は１nm〜１mmとするのが好ましく、10nm〜１
μmとするのがより好ましい。膜厚が１nm未満であると
素子のショートを招き、１mmを超えると駆動電圧の上昇
を招くため好ましくない。

【００２１】本発明の発光素子はイオン性遷移金属錯体
層に加えて、上記イオン性遷移金属錯体以外のイオン性
化合物を含有する有機化合物層を有するのが好ましい。
以下、このような有機化合物層を「イオン性化合物層」
と称する。イオン性化合物は有機化合物であっても無機
化合物であってもよく、イオン性化合物を構成するカチ
オン種の例としては金属錯体イオン、アルカリ金属イオ
ン、アルカリ土類金属イオン、アンモニウムイオン等が
挙げられ、アニオン種の例としてはハロゲンイオン、パ
ークロレートイオン、PF₆ ^-、ボレートイオン（テトラフ
ェニルボレートイオン、BF₄ ^-等）、スルホン酸イオン
（ポリスチレンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イ
オン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン等）、カル
ボン酸イオン等が挙げられる。このようなイオン性化合
物は、上記イオン性遷移金属錯体層に含まれていてもよ
い。

【００２２】イオン性化合物層は、イオン性化合物のみ
からなる層であってもよく、該化合物をポリエチレンオ
キサイド、ポリエチレンスルホン酸、ポリカーボネート
等のポリマーバインダーに分散してなる層であってもよ
い。イオン性化合物層は複数種のイオン性化合物を含有
してもよく、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸
送層及び／又は電子注入層として機能してよい。この層
は上述したイオン性遷移金属錯体層の形成方法と同様の
方法によって設置することができる。イオン性化合物層
の膜厚は１nm〜１mmとするのが好ましく、10nm〜１μm
とするのがより好ましい。膜厚が１nm未満であると素子
のショートを招き、１mmを超えると駆動電圧の上昇を招
くため好ましくない。

【００２３】本発明の発光素子は正孔注入層、正孔輸送
層、発光層、電子注入層、電子輸送層、保護層等を有し
てよい。これらの各層は複数の機能を併せ持っていても
よい。本発明の発光素子はイオン性遷移金属錯体層の陰
極側に他の有機化合物層を有するのが好ましい。以下、
各層について詳述する。

【００２４】(A)陽極 陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層等に正孔を供給
する機能を有し、陽極を形成する材料としては、金属、
合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物
等を用いることができ、好ましくは仕事関数が４eV以上
の材料を用いる。具体例としては、導電性金属酸化物
（酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウ
ムスズ（ITO）、酸化亜鉛インジウム（IZO）等）、金属
（金、銀、クロム、ニッケル等）、これら金属と導電性
金属酸化物との混合物又は積層物、無機導電性物質（ヨ
ウ化銅、硫化銅等）、有機導電性材料（ポリアニリン、
ポリチオフェン、ポリピロール等）及びこれとITOとの
積層物等が挙げられる。中でも導電性金属酸化物が好ま
しく、生産性、導電性、透明性等の観点からITOが特に
好ましい。

【００２５】陽極の形成法は用いる材料に応じて適宜選
択すればよく、例えばITOの場合、電子ビーム法、スパ
ッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル−ゲ
ル法等）、酸化インジウムスズ分散物の塗布等の方法を
用いることができる。陽極に洗浄等の処理を施すことに
より、発光素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高め
ることも可能である。例えばITOからなる陽極の場合、U
V-オゾン処理、プラズマ処理等が効果的である。陽極の
シート抵抗は数百Ω／□以下とするのが好ましい。陽極
の膜厚は材料に応じて適宜選択可能であるが、通常10nm
〜５μmとするのが好ましく、50nm〜１μmとするのがよ
り好ましく、100〜500nmとするのが特に好ましい。

【００２６】陽極は通常、ソーダライムガラス、無アル
カリガラス、透明樹脂等からなる基板上に形成する。ガ
ラス基板の場合、ガラスからの溶出イオンを低減するた
めには無アルカリガラスを用いるのが好ましい。ソーダ
ライムガラス基板を用いる場合は、予めその表面にシリ
カ等のバリアコートを形成するのが好ましい。基板の厚
さは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はな
いが、ガラス基板の場合は通常0.2mm以上、好ましくは
0.7mm以上とする。

【００２７】(B)陰極 陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層等に電子を供給
するものである。陰極の材料としては、金属、合金、金
属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、これ
らの混合物等を用いることができ、発光層等の隣接する
層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮
して選択すればよい。具体例としては、アルカリ金属
（Li、Na、K等）及びそのフッ化物や酸化物、アルカリ
土類金属（Mg、Ca等）及びそのフッ化物や酸化物、金、
銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム及びカリウムを含む
合金及び混合金属、リチウム及びアルミニウムを含む合
金及び混合金属、マグネシウム及び銀を含む合金及び混
合金属、希土類金属（インジウム、イッテリビウム
等）、それらの混合物等が挙げられる。陰極は仕事関数
が４eV以下の材料からなるのが好ましく、アルミニウ
ム、リチウムとアルミニウムを含む合金又は混合金属、
或いはマグネシウムと銀を含む合金又は混合金属からな
るのがより好ましい。

【００２８】陰極は、上記のような材料からなる単層構
造であっても、上記材料からなる層を含む積層構造であ
ってもよい。例えば、アルミニウム／フッ化リチウム、
アルミニウム／酸化リチウム等の積層構造が好ましい。
陰極は電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着
法、コーティング法等により形成することができる。蒸
着法の場合、材料を単独で蒸着することも、二種以上の
材料を同時に蒸着することもできる。合金電極を形成す
る場合は、複数の金属を同時蒸着して形成することが可
能であり、また予め調整した合金を蒸着させてもよい。
陰極のシート抵抗は数百Ω／□以下とするのが好まし
い。陰極の膜厚は材料に応じて適宜選択可能であるが、
通常10nm〜５μmとするのが好ましく、50nm〜１μmとす
るのがより好ましく、100nm〜１μmとするのが特に好ま
しい。

【００２９】(C)正孔注入層及び正孔輸送層 正孔注入層及び正孔輸送層に用いる材料は、陽極から正
孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、及び陰極から
注入された電子を障壁する機能のいずれかを有している
ものであればよい。その具体例としては、カルバゾール
誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリ
ールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘
導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン
誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチ
ルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化
合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系
化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、
ポリ(N-ビニルカルバゾール)誘導体、アニリン系共重合
体、チオフェンオリゴマーやポリチオフェン等の導電性
高分子、有機シラン誘導体、カーボン等が挙げられる。

【００３０】正孔注入層及び正孔輸送層は１種又は２種
以上の上記材料からなる単層構造であってもよいし、同
一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であって
もよい。正孔注入層及び正孔輸送層の形成方法として
は、真空蒸着法、LB法、上記材料を溶媒中に溶解又は分
散させて塗布する方法（スピンコート法、キャスト法、
ディップコート法等）、インクジェット法、印刷法、転
写法等が用いられる。塗布法の場合、上記材料を樹脂成
分と共に溶解又は分散させて塗布液を調製してもよく、
該樹脂成分としては、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネー
ト、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブ
チルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポ
リフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ(N-ビニ
ルカルバゾール)、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノ
キシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、ポリ酢酸ビ
ニル、ABS樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリ
コン樹脂等が使用できる。正孔注入層及び正孔輸送層の
膜厚は特に限定されないが、通常１nm〜５μmとするの
が好ましく、５nm〜１μmとするのがより好ましく、10
〜500nmとするのが特に好ましい。

【００３１】(D)発光層 発光素子に電界を印加すると、発光層において陽極、正
孔注入層又は正孔輸送層から注入された正孔と、陰極、
電子注入層又は電子輸送層から注入された電子とが再結
合し、光を発する。発光層をなす材料は、電界印加時に
陽極等から正孔を受け取る機能、陰極等から電子を受け
取る機能、電荷を移動させる機能、及び正孔と電子の再
結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成す
ることができるものであれば特に限定されない。発光層
の材料としては、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイ
ミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリル
ベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタ
ジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフ
タルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、
ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン
誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導
体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘
導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘
導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリディン化
合物、金属錯体（8-キノリノール誘導体の金属錯体、希
土類錯体、遷移金属錯体等）、高分子発光材料（ポリチ
オフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン
等）、有機シラン誘導体、カーボン膜等が使用できる。

【００３２】発光層の形成方法は特に限定されず、抵抗
加熱蒸着法、電子ビーム法、スパッタリング法、分子積
層法、塗布法（スピンコート法、キャスト法、ディップ
コート法等）、インクジェット法、印刷法、LB法、転写
法等が使用可能である。中でも、抵抗加熱蒸着法及び塗
布法が好ましい。発光層の膜厚は特に限定されず、通常
１nm〜５μmとするのが好ましく、５nm〜１μmとするの
がより好ましく、10〜500nmとするのが特に好ましい。

【００３３】(E)電子注入層及び電子輸送層 電子注入層及び電子輸送層をなす材料は、陰極から電子
を注入する機能、電子を輸送する機能、並びに陽極から
注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有している
ものであればよい。具体例としては、トリアゾール誘導
体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イ
ミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノ
ジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン
誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド
誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピ
ラジン誘導体、ナフタレンやペリレン等の芳香環を有す
るテトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、金
属錯体（8-キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタ
ロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを
配位子とする金属錯体等）、有機シラン誘導体等が挙げ
られる。

【００３４】電子注入層及び電子輸送層は１種又は２種
以上の上記材料からなる単層構造であってもよいし、同
一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であって
もよい。電子注入層及び電子輸送層の形成方法として
は、真空蒸着法、LB法、上記材料を溶媒中に溶解又は分
散させて塗布する方法（スピンコート法、キャスト法、
ディップコート法等）、インクジェット法、印刷法、転
写法等が用いられる。塗布する方法の場合、上記材料を
樹脂成分と共に溶解又は分散させて塗布液を調製しても
よい。該樹脂成分としては、前述した正孔注入層及び正
孔輸送層の場合と同様のものが使用できる。電子注入層
及び電子輸送層の膜厚は特に限定されず、通常１nm〜５
μmとするのが好ましく、５nm〜１μmとするのがより好
ましく、10〜500nmとするのが特に好ましい。

【００３５】(F)保護層 保護層は水分、酸素等の素子劣化を促進するものが素子
内に入ることを抑止する機能を有する。保護層の材料と
しては、金属（In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni
等）、金属酸化物（MgO、SiO、SiO₂、Al₂O₃、GeO、Ni
O、CaO、BaO、Fe₂O₃、Y₂O₃、TiO₂等）、金属フッ化物
（MgF₂、LiF、AlF₃、CaF₂等）、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポ
リウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロト
リフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレ
ン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロ
エチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少な
くとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重
合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有
する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、
吸水率0.1％以下の防湿性物質等が使用できる。

【００３６】保護層の形成方法は特に限定されず、真空
蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、
MBE（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム
法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波
励起イオンプレーティング法）、プラズマCVD法、レー
ザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、塗布法、イン
クジェット法、印刷法、転写法等が適用できる。

【００３７】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。

【００３８】実施例１ ポリ(エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスル
ホン酸ドープ体溶液（バイエル社製「Baytron P」）を
洗浄したITO基板上にスピンコート（1000rpm、30sec）
し、150℃で1.5時間真空乾燥して膜厚70nmの有機化合物
層を形成した。この有機化合物層上に、40mgのイオン性
遷移金属錯体（1-1）を１mlのアセトニトリルに溶解し
た溶液をスピンコートして膜厚100nmのイオン性遷移金
属錯体層を得た。このイオン性遷移金属錯体層上に発光
面積が４mm×５mmとなるようにパターニングしたマスク
を設置し、蒸着装置内でアルミニウムを蒸着して膜厚20
0nmの陰極を形成し、実施例１の発光素子を作成した。

【００３９】得られた発光素子に、東陽テクニカ製「ソ
ースメジャーユニット2400型」を用いて直流定電圧を印
加して発光させ、その発光輝度をトプコン社製「輝度計
BM-8」を用いて測定し、発光波長を浜松フォトニクス社
製「スペクトルアナライザーPMA-11」を用いて測定し
た。その結果、橙色の発光が得られ、最高輝度は7010cd
/m²であった。

【００４０】実施例２ 40mgのイオン性遷移金属錯体（1-1）を1.5mlのアセトニ
トリルに溶解した溶液を洗浄したITO基板上にスピンコ
ートして膜厚70nmのイオン性遷移金属錯体層を得た。こ
れを蒸着装置に入れ、アルミニウム トリスキノリナト
錯体（Alq）を30nm蒸着した。得られたAlq層上に発光面
積が４mm×５mmとなるようにパターニングしたマスクを
設置し、蒸着装置内でマグネシウム及び銀をマグネシウ
ム：銀＝10：１（モル比）となるように厚さ50nmに共蒸
着し、更に銀を50nm蒸着して実施例２の発光素子を作成
した。得られた発光素子の発光輝度及び発光波長を実施
例１と同様に測定した結果、橙色の発光が得られ、最高
輝度は4280cd/m²であった。

【００４１】実施例３ 40mgのイオン性遷移金属錯体（1-1）を1.5mlのアセトニ
トリルに溶解した溶液を洗浄したITO基板上にスピンコ
ートし、更にその上に40mgのイオン性遷移金属錯体（1-
27）を２mlのアセトニトリルに溶解した溶液をスピンコ
ートし、総膜厚100nmのイオン性遷移金属錯体層を形成
した。このイオン性遷移金属錯体層上に発光面積が４mm
×５mmとなるようにパターニングしたマスクを設置し、
蒸着装置内でアルミニウムを蒸着して膜厚200nmの陰極
を形成し、実施例３の発光素子を作成した。得られた発
光素子の発光輝度及び発光波長を実施例１と同様に測定
した結果、橙色の発光が得られ、最高輝度は3080cd/m²
であった。

【００４２】比較例１ 40mgのイオン性遷移金属錯体（1-1）を１mlのアセトニ
トリルに溶解した溶液を、洗浄したITO基板上にスピン
コートして膜厚100nmのイオン性遷移金属錯体層を得
た。このイオン性遷移金属錯体層上に発光面積が４mm×
５mmとなるようにパターニングしたマスクを設置し、蒸
着装置内でアルミニウムを蒸着して膜厚200nmの陰極を
形成し、J. Am. Chem. Soc., 122, 7426 (2000) を参考
にして比較例１の発光素子を作成した。得られた発光素
子の発光輝度及び発光波長を実施例１と同様に測定した
結果、橙色の発光が得られ、最高輝度は2000cd/m²であ
った。

【００４３】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の発光素子
は従来のイオン性遷移金属錯体含有素子に比べて高輝度
発光が可能である。そのため、本発明の発光素子は表示
素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光
源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、
インテリア、光通信用デバイス等に好適に使用できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｄ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 陽極と陰極の間に２層以上の有機化合物
   層を積層した発光素子において、前記有機化合物層の少
   なくとも一層がイオン性遷移金属錯体を含有することを
   特徴とする発光素子。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の発光素子において、前
   記イオン性遷移金属錯体を含有する有機化合物層中に、
   前記イオン性遷移金属錯体を50質量％以上含有すること
   を特徴とする発光素子。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の発光素子におい
   て、前記イオン性遷移金属錯体を含有する有機化合物層
   が塗布法により製膜した層であることを特徴とする発光
   素子。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の発光素
   子において、前記イオン性遷移金属錯体を含有する有機
   化合物層、及び前記イオン性遷移金属錯体以外のイオン
   性化合物を含有する有機化合物層を、それぞれ有するこ
   とを特徴とする発光素子。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の発光素
   子において、前記イオン性遷移金属錯体を含有する有機
   化合物層の陰極側に、有機化合物層を有することを特徴
   とする発光素子。