WO2011013626A1 - 有機デバイス用蒸着材料及び有機デバイスの製造方法 - Google Patents

有機デバイス用蒸着材料及び有機デバイスの製造方法 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a vapor deposition material for organic devices used for organic devices such as organic electroluminescent elements, organic thin film solar cells, and organic field effect transistors, and a method for producing an organic device using the vapor deposition material for organic devices.
  • the organic device generally includes a thin film on which a deposition material containing the organic compound is deposited, and the performance of the manufactured organic device is affected by the deposition rate of the deposition material for organic devices.
  • the vapor deposition material for organic devices For this reason, some prior art is examined about the vapor deposition material for organic devices. For example, when depositing an organic material layer using an organic vapor deposition material, it has been proposed to use a pellet-shaped material having a gas content of 1 mol% or less as the organic vapor deposition material (see Patent Document 1). However, the proposed pellet-shaped organic vapor deposition material is obtained by solidifying a particulate organic vapor deposition material into a certain shape, and has a problem that it is large in size and difficult to heat during vapor deposition.
  • the present invention makes it a subject to solve the said various problems in the past and to achieve the following objectives. That is, the present invention is excellent in deposition rate stability, can uniformly form a film containing an organic compound having a large area, and reduces the variation in performance of the organic device. It aims at providing the manufacturing method of the organic device using this vapor deposition material for organic devices.
  • Means for solving the problems are as follows. That is, ⁇ 1> A vapor deposition material used for manufacturing an organic device having an average particle size represented by D50% of 10 ⁇ m to 200 ⁇ m and a uniformity represented by D60% diameter / D10% diameter of 1. It is a vapor deposition material for organic devices, characterized in that it is 0 to 4.0. ⁇ 2> The vapor deposition material for organic devices according to ⁇ 1>, which contains either an organic compound or an inorganic oxide. ⁇ 3> The vapor deposition material for organic devices according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 2>, which is used for forming at least one organic layer disposed between a pair of electrodes in an organic electroluminescent element.
  • ⁇ 4> The vapor deposition material for organic devices according to ⁇ 3>, wherein the organic layer is a light emitting layer.
  • the vapor deposition material for organic devices according to ⁇ 4> including any of an Ir complex and a Pt complex.
  • ⁇ 6> A method for producing an organic device comprising a step of forming an organic layer by vapor deposition of the vapor deposition material for organic devices according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 5> by a flash vapor deposition method. . ⁇ 7> An organic device manufactured by the method for manufacturing an organic device according to ⁇ 6>.
  • the said various conventional problems can be solved, the said objective can be achieved, it is excellent in stability of vapor deposition rate, and forms the vapor deposition film containing the organic compound of a large area uniformly.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of an organic electroluminescent element.
  • FIG. 2 is a graph showing time-luminance change characteristics of the organic electroluminescent device.
  • the vapor deposition material for an organic device of the present invention is a vapor deposition material used for manufacturing an organic device, and has an average particle diameter represented by D50% of 10 ⁇ m to 200 ⁇ m and represented by D60% diameter / D10% diameter.
  • the homogeneity is 1.0 to 4.0 and is preferably purified by sublimation.
  • the average particle size represented by D50% is 10 ⁇ m to 200 ⁇ m, preferably 20 ⁇ m to 180 ⁇ m, more preferably 40 ⁇ m to 150 ⁇ m, and particularly preferably 50 ⁇ m to 120 ⁇ m.
  • the average particle diameter represented by D50% is less than 10 ⁇ m, a stable deposition rate cannot be maintained due to the generation of static electricity due to the association between particles or the increase in contact between particles. A change in the amount of falling particles per hour becomes large and a stable deposition rate may not be maintained.
  • the D50% indicates an average particle diameter when the large side and the small side are equal when the powder is divided into two from a certain particle size.
  • the average particle diameter represented by D50% can be determined by reading the value of 50% of the passing percentage or cumulative percentage from the grain size curve.
  • the sample is sieved and the percentage by weight of the sample is used to determine how many ⁇ m of the sieve have passed. Examples thereof include a plotting method and a cumulative distribution measurement method using a laser diffraction particle size analyzer.
  • the uniformity represented by the D60% diameter / D10% diameter is 1.0 to 4.0, preferably 1.0 to 3.5. 0 to 3.2 is more preferable, and 1.0 to 3.0 is particularly preferable. If the uniformity is less than 1.0, it cannot be achieved in principle, and if it exceeds 4.0, the change in the amount of falling particles per unit time becomes large, and a stable deposition rate cannot be maintained. is there.
  • the D60% diameter indicates the particle size when the passing percentage or cumulative percentage is 60% in the particle size curve, and the D10% diameter is the grain size when the passing percentage or cumulative percentage is 10% in the particle size curve. Indicates the diameter.
  • the method for measuring the uniformity represented by the D60% diameter / D10% diameter is not particularly limited, and examples thereof include a screening method and a laser diffraction particle size analyzer.
  • the particle size at which the percentage or cumulative percentage is 60% and the particle diameter at 10% are read and the ratio is calculated to obtain a value of uniformity.
  • the method for producing the vapor deposition material for organic devices having the average particle size and the uniformity is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. For example, after pulverizing with a pulverizer, a desired opening is obtained. The method of manufacturing the vapor deposition material for organic devices by which the said average particle diameter and uniformity were adjusted by sieving with the mesh which has is mentioned.
  • Flash vapor deposition method is preferable. Since the vapor deposition material for organic devices is excellent in the stability of the vapor deposition rate, a highly reliable vapor deposition film can be obtained even if the vapor deposition rate is raised, and stable vapor deposition can be performed for a long time. According to the above flash vapor deposition method, a vapor deposition material that is easily decomposed by heating for a long time can be stably deposited continuously without being decomposed. In addition, an inorganic oxide forms a film that is close to the composition ratio of the vapor deposition material. can do. In addition, about the flash vapor deposition method, all the matters described in the organic device manufacturing method described later can be applied.
  • the vapor deposition material for organic devices is not particularly limited as long as it satisfies the average particle diameter and the uniformity, and can be appropriately selected according to the purpose.
  • examples thereof include organic compounds and inorganic oxides.
  • a luminescent material, a host material, a dopant material, etc. are mentioned, and those that have been purified by sublimation are preferred.
  • sublimation purification is a purification method that separates impurities and target substances using the difference in sublimation temperatures of compounds.
  • the aspect of sublimation purification is not particularly limited.
  • the form of the sublimation purification apparatus may be appropriately selected according to the production scale, the production environment, and the like.
  • the purity of the obtained target product can be improved by flowing the gas and strictly controlling the temperature.
  • limiting in particular as said organic compound Although it can select suitably according to the objective, It is preferable that it is a mixture of two types of organic compounds.
  • the light emitting material may be a fluorescent light emitting material or a phosphorescent light emitting material, and two or more kinds may be mixed.
  • the luminescent dopant has an ionization potential difference ( ⁇ Ip) and an electron affinity difference ( ⁇ Ea) of 1.2 eV> ⁇ Ip> 0.2 eV and / or 1.2 eV> ⁇ Ea with the host compound.
  • ⁇ Ip ionization potential difference
  • ⁇ Ea electron affinity difference
  • a dopant satisfying a relationship of> 0.2 eV is preferable from the viewpoint of driving durability.
  • the content of the light-emitting dopant in the light-emitting layer is preferably 0.1% by mass to 50% by mass with respect to the total mass of the compound generally forming the light-emitting layer in the light-emitting layer, and has durability and external quantum efficiency. In view of the above, 1% by mass to 50% by mass is more preferable, and 2% by mass to 40% by mass is even more preferable.
  • the complex containing a transition metal atom or a lanthanoid atom, etc. are mentioned.
  • the transition metal atom is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium, gold, silver, copper, and platinum. . Among these, rhenium, iridium, and platinum are preferable, and iridium and platinum are particularly preferable.
  • Examples of the ligand of the complex include G.I. Wilkinson et al., Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press 1987, H.C. Listed by Yersin, "Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds", published by Springer-Verlag, 1987, Akio Yamamoto, “Organic Metal Chemistry-Fundamentals and Applications-,” published by Yukabosha 1982, etc. It is done.
  • the complex may have one transition metal atom in the compound or may be a so-called binuclear complex having two or more. Different metal atoms may be contained at the same time.
  • Examples of the phosphorescent material include, for example, US Pat. No. 6,303,238, US Pat. No. 6,097,147, WO00 / 57676, WO00 / 70655, WO01 / 08230, WO01 / 39234, WO01. / 41512 pamphlet, WO02 / 02714 pamphlet, WO02 / 15645 pamphlet, WO02 / 44189 pamphlet, WO05 / 19373 pamphlet, WO2004 / 108857 pamphlet, WO2005 / 042444 pamphlet, WO2005 / 042550 pamphlet, JP2001. -247859, JP-2002-302671, 2002-117978, 2003 No.
  • JP-A No. 2002-235076 JP-A No. 2003-123982, JP-A No. 2002-170684, EP No. 12111257, JP-A No. 2002-226495, JP-A No. 2002-234894, JP-A-2001-247859, JP-A-2001-298470, JP-A-2002-173675, JP-A-2002-203678, JP-A-2002-203679, JP-A-2004-357791, JP-A-2006 Phosphorescent light emission described in JP-A No.
  • Each of the complexes is preferably a complex containing at least one coordination mode of a metal-carbon bond, a metal-nitrogen bond, a metal-oxygen bond, and a metal-sulfur bond, and has a luminous efficiency, organic device driving durability, and chromaticity. From the viewpoint of the above, a complex containing a tridentate or higher polydentate ligand is more preferable.
  • the fluorescent material is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose.
  • the host material is preferably a charge transport material.
  • the host material may be one type or two or more types.
  • As the charge transport material a hole transportable host material excellent in hole transportability and an electron transportable host material excellent in electron transportability can be used.
  • the hole transporting host material is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose.
  • indole derivatives carbazole derivatives, aromatic tertiary amine compounds, and thiophene derivatives are preferable, those having a carbazole group in the molecule are more preferable, and compounds having a t-butyl-substituted carbazole group are particularly preferable.
  • the electron transporting host material is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose.
  • Canocyanines or derivatives thereof others
  • a metal complex compound is preferable from the viewpoint of durability, and a metal complex having a ligand having at least one nitrogen atom, oxygen atom, or sulfur atom coordinated to a metal is more preferable.
  • the metal complex compound include JP-A No. 2002-235076, JP-A No. 2004-214179, JP-A No. 2004-221106, JP-A No. 2004-221105, JP-A No. 2004-221068, and JP-A No. 2004-221068. Examples thereof include compounds described in JP 2004-327313 A and the like.
  • Examples of the hole transporting host material and the electron transporting host material that can be used in the present invention include the following compounds and deuterated compounds thereof, but are not limited thereto.
  • an organic compound with an electron-accepting property it can be used also with an inorganic compound or an organic compound.
  • the inorganic compound include metal halides and metal oxides.
  • the metal halide include ferric chloride, aluminum chloride, gallium chloride, indium chloride, and antimony pentachloride.
  • the metal oxide include vanadium pentoxide, molybdenum trioxide (MoO 3 ), and the like.
  • the organic compound include compounds having a nitro group, halogen, cyano group, trifluoromethyl group or the like as a substituent; quinone compounds, acid anhydride compounds, fullerenes, and the like.
  • the electron donating dopant is not particularly limited as long as it has an electron donating property and has a property of reducing an organic compound, and includes an alkali metal such as Li, an alkaline earth metal such as Mg, and a rare earth metal. Suitable examples include metals and reducing organic compounds. As the metal, a metal having a work function of 4.2 eV or less can be preferably used. Specifically, Li, Na, K, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Y, Cs, La, Sm, Gd , Yb and the like. Examples of the reducing organic compound include nitrogen-containing compounds, sulfur-containing compounds, and phosphorus-containing compounds.
  • examples of the hole blocking material include aluminum complexes such as BAlq, triazole derivatives, and phenanthroline derivatives such as BCP.
  • the method for producing an organic device of the present invention includes a step of forming the organic layer by vapor deposition of the vapor deposition material for an organic device of the present invention by a flash vapor deposition method, and includes other steps as necessary.
  • the flash vapor deposition method is a vapor deposition method for forming a film while continuously supplying vapor deposition material powder to a vapor deposition source heating unit, and has an advantage that the composition of the vapor deposition material can be prevented from being disassembled and the material can be prevented from being decomposed by heating for a long time. Have.
  • the pressure at the time of flash vapor deposition is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, 10 ⁇ 1 Pa to 10 ⁇ 8 Pa is preferable, and 10 ⁇ 3 Pa to 10 ⁇ 7 Pa is more preferable. 10 ⁇ 4 Pa to 10 ⁇ 6 Pa is particularly preferable.
  • the pressure is 10 is less than -8 Pa, may it can prevent contamination of impurities or unintended gas is low must productivity to spend a few days with only vacuum, 10 -1 Pa If it exceeds, the probability of vaporized vapor deposition material reaching the substrate is lowered, and the material utilization efficiency may be extremely lowered.
  • an inert carrier gas such as nitrogen or argon may be introduced in order to control the flow of vaporized vapor deposition material from the flash vapor deposition source to the substrate.
  • the heating temperature at the time of flash vapor deposition is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the vapor deposition material.
  • the vapor deposition rate in the flash vapor deposition is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose.
  • 0.01 nm / s to 10 nm / s is preferable, and 0.1 nm / s to 5 nm / s is more preferable.
  • 0.5 nm / s to 2 nm / s is particularly preferable.
  • the unit of nm / s may be expressed by the unit of ⁇ / s (0.1 nm / s).
  • the deposition rate stable width represented by v min ⁇ v max (nm / s) is not particularly limited, but is preferably 0 nm / s to 0.3 nm / s, for example, 0 nm / S to 0.2 nm / s is more preferable, and 0 nm / s to 0.1 nm / s is particularly preferable.
  • the deposition rate stability width exceeds 0.3 nm / s, production stability, yield, device performance and the like may be deteriorated.
  • the other steps are not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose, and include steps carried out in the production of known organic devices.
  • the vapor deposition material for organic devices it is excellent in stability of vapor deposition rate, can uniformly form a film containing an organic compound of a large area, and can reduce variations in performance of the organic device. Therefore, it can be suitably used for organic devices such as organic electroluminescent elements, organic thin film solar cells, and organic field effect transistors.
  • the organic electroluminescent element is required to have high luminance as the luminance decreases with time.
  • the conventional organic electroluminescence device an initial decrease in which the luminance exponentially decreases with time is observed, and a large decrease in luminance is confirmed at an early stage (see FIG. 2).
  • the initial decrease can be suppressed (see FIG. 2).
  • the organic electroluminescent element includes at least one organic layer between a pair of electrodes, and the organic layer is formed of the vapor deposition material for organic devices of the present invention.
  • the configuration of the organic layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose.
  • the light-emitting layer receives holes from an anode, a hole injection layer, or a hole transport layer when an electric field is applied, receives electrons from a cathode, an electron injection layer, or an electron transport layer, and recombines holes and electrons. It is a layer having a function of providing a field to emit light.
  • the light emitting layer may include the light emitting material and include the host material. That is, the light emitting layer may be composed of only the light emitting material, or may be a mixed layer of the host material and the light emitting material. Furthermore, the light emitting layer may contain a material that does not have charge transporting properties and does not emit light.
  • the thickness of the light emitting layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose, but is preferably 2 nm to 500 nm, more preferably 3 nm to 200 nm, and further preferably 5 nm to 100 nm from the viewpoint of external quantum efficiency. preferable.
  • the said light emitting layer may be 1 layer, or may be two or more layers, and each layer may light-emit with a different luminescent color.
  • the hole injection layer and the hole transport layer are layers having a function of receiving holes from the anode or the anode side and transporting them to the cathode side.
  • the hole injection layer and the hole transport layer are formed by including materials such as the hole transporting host material and the electron accepting dopant.
  • the thicknesses of the hole injection layer and the hole transport layer are not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose, but are preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and further preferably 10 nm to 100 nm. preferable.
  • the hole injection layer and the hole transport layer may have a single layer structure made of one or more materials, or may have a multilayer structure made of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
  • the electron injection layer and the electron transport layer are layers having a function of receiving electrons from the cathode or the cathode side and transporting them to the anode side.
  • the electron transport layer includes a material such as the electron transport host material and the electron donating dopant.
  • the thickness of the electron transport layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and still more preferably 10 nm to 100 nm.
  • the thickness of the electron injection layer is preferably from 0.1 nm to 200 nm, more preferably from 0.2 nm to 100 nm, and even more preferably from 0.5 nm to 50 nm.
  • the electron injection layer and the electron transport layer may have a single layer structure made of one or more materials, or may have a multilayer structure made of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
  • the hole blocking layer is a layer having a function of preventing holes transported from the anode side to the light emitting layer from passing through to the cathode side.
  • a hole blocking layer can be provided as an organic layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side.
  • the hole blocking layer is formed including the hole blocking material.
  • the thickness of the hole blocking layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose, but is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and 10 nm to 100 nm. More preferably.
  • the hole blocking layer may have a single layer structure made of one or two or more materials, or may have a multilayer structure made of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
  • the electron blocking layer is a layer having a function of preventing electrons transported from the cathode side to the light emitting layer from passing through to the anode side, and is usually provided as an organic layer adjacent to the light emitting layer on the anode side.
  • the electron blocking layer includes the hole transport dopant and the like.
  • the thickness of the electron blocking layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose, but is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and even more preferably 10 nm to 100 nm. Further, the electron blocking layer may have a single layer structure made of one or more materials, or may have a multilayer structure made of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
  • the organic electroluminescent element includes an anode and a cathode as a pair of electrodes.
  • at least one of the anode and the cathode is preferably transparent.
  • the anode only needs to have a function as an electrode for supplying holes to the organic layer
  • the cathode only needs to have a function as an electrode for injecting electrons into the organic layer.
  • it can select suitably from well-known electrode materials. Suitable examples of the material constituting the electrode include metals, alloys, metal oxides, conductive compounds, and mixtures thereof.
  • the material constituting the anode examples include tin oxide doped with antimony and fluorine (ATO, FTO), tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO).
  • Conductive metal oxides metals such as gold, silver, chromium and nickel; mixtures or laminates of these metals and conductive metal oxides; inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide; polyaniline, polythiophene, Organic conductive materials such as polypyrrole; or a laminate of these and ITO.
  • conductive metal oxides are preferable, and ITO is particularly preferable in terms of productivity, high conductivity, transparency, and the like.
  • the material constituting the cathode examples include alkali metals (eg, Li, Na, K, Cs, etc.), alkaline earth metals (eg, Mg, Ca, etc.), gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloys, Examples thereof include lithium-aluminum alloys, magnesium-silver alloys, rare earth metals such as indium and ytterbium. These may be used alone, but two or more can be suitably used in combination from the viewpoint of achieving both stability and electron injection. Among these, alkali metals and alkaline earth metals are preferable from the viewpoint of electron injection properties, and materials mainly composed of aluminum are preferable from the viewpoint of excellent storage stability.
  • alkali metals and alkaline earth metals are preferable from the viewpoint of electron injection properties
  • materials mainly composed of aluminum are preferable from the viewpoint of excellent storage stability.
  • the material mainly composed of aluminum is aluminum alone, an alloy of aluminum and 0.01% by mass to 10% by mass of alkali metal or alkaline earth metal, or a mixture thereof (for example, lithium-aluminum alloy, magnesium-aluminum). Alloy).
  • the method for forming the electrode is not particularly limited and can be performed according to a known method.
  • a wet method such as a printing method or a coating method
  • a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method
  • Examples include chemical methods such as CVD and plasma CVD.
  • CVD chemical methods
  • it can be formed on the substrate in accordance with an appropriately selected method in consideration of suitability with the material constituting the electrode.
  • ITO is selected as the anode material
  • it can be formed according to a direct current or high frequency sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, or the like.
  • a metal or the like is selected as the cathode material, one or more of them can be formed simultaneously or sequentially according to a sputtering method or the like.
  • patterning when forming the electrode, it may be performed by chemical etching such as photolithography, or may be performed by physical etching using a laser or the like. It may be performed by sputtering or the like, or may be performed by a lift-off method or a printing method.
  • the organic electroluminescent element of the present invention is preferably provided on a substrate, and may be provided in such a manner that the electrode and the substrate are in direct contact with each other, or may be provided in an intermediate layer. .
  • substrate There is no restriction
  • the inorganic material include yttria-stabilized zirconia (YSZ) and glass (such as alkali-free glass and soda lime glass).
  • the polyester resin include polyethylene terephthalate, polybutylene phthalate, and polyethylene naphthalate.
  • the organic material include polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, and poly (chlorotrifluoroethylene).
  • the shape, structure, size and the like of the substrate are not particularly limited, and can be appropriately selected according to the use, purpose, etc. of the light emitting element.
  • the shape of the substrate is preferably a plate shape.
  • the structure of the substrate may be a single layer structure, a laminated structure, may be formed of a single member, or may be formed of two or more members. .
  • the substrate may be transparent or opaque, and if transparent, it may be colorless and transparent or colored and transparent.
  • the substrate may be provided with a moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) on the front surface or the back surface.
  • a moisture permeation preventing layer gas barrier layer
  • examples of the material of the moisture permeation preventive layer (gas barrier layer) include inorganic substances such as silicon nitride and silicon oxide.
  • the moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) can be formed by, for example, a high frequency sputtering method.
  • a protective layer, a sealing container, a resin sealing layer, a sealing adhesive etc. are mentioned.
  • the protective layer, the sealing container, the resin sealing layer, the sealing adhesive, and the like are not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose.
  • JP 2009-152572 A The matters described in can be applied.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of a layer structure of the organic electroluminescent element.
  • the organic electroluminescent element 10 includes an anode 2 (for example, an ITO electrode) formed on a glass substrate 1, a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, a light emitting layer 5, an electron transport layer 6, It has a layer structure in which an electron injection layer 7 and a cathode 8 (for example, an Al—Li electrode) are laminated in this order.
  • the anode 2 (for example, ITO electrode) and the cathode 8 for example, Al—Li electrode) are connected to each other via a power source.
  • the organic electroluminescence device obtains light emission by applying a direct current (which may include an alternating current component as necessary) voltage (usually 2 to 15 volts) or a direct current between the anode and the cathode. Can do.
  • the organic electroluminescence device can be applied to an active matrix by a thin film transistor (TFT).
  • TFT thin film transistor
  • As the active layer of the thin film transistor amorphous silicon, high temperature polysilicon, low temperature polysilicon, microcrystalline silicon, oxide semiconductor, organic semiconductor, carbon nanotube, or the like can be used.
  • the thin film transistors described in WO 2005/088726, JP-A-2006-165529, US Patent Application Publication No. 2008 / 0237598A1, and the like can be applied to the organic electroluminescent device of the present invention.
  • the organic electroluminescent element is not particularly limited, and the light extraction efficiency can be improved by various known devices. For example, processing the substrate surface shape (for example, forming a fine uneven pattern), controlling the refractive index of the organic layer such as the substrate, ITO layer, light emitting layer, etc., the thickness of the organic layer such as the substrate, ITO layer, light emitting layer, etc. It is possible to improve the light extraction efficiency and the external quantum efficiency by controlling the above.
  • the light extraction method from the organic electroluminescence device of the present invention may be a top emission method or a bottom emission method.
  • the organic electroluminescent device may have a resonator structure.
  • a multilayer film mirror made of a plurality of laminated films having different refractive indexes, a transparent or translucent electrode, a light emitting layer, and a metal electrode are superimposed on a transparent substrate.
  • the light generated in the light emitting layer resonates and resonates between the multilayer mirror and the metal electrode as a reflection plate (first embodiment).
  • a transparent or semi-transparent electrode and a metal electrode function as a reflecting plate on the transparent substrate, respectively, and light generated in the light emitting layer repeats reflection and resonates between them.
  • the optical path length determined from the effective refractive index of the two reflectors and the refractive index and thickness of each layer between the reflectors is adjusted to the optimum value to obtain the desired resonant wavelength. Is done.
  • the calculation formula in the case of the first aspect is described in JP-A-9-180883.
  • the calculation formula in the case of the second aspect is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-127795.
  • the organic electroluminescent element of the present invention is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose.
  • the display element, display, backlight, electrophotography, illumination light source, recording light source, exposure light source, reading light source, label It can be suitably used for signboards, interiors, optical communications, and the like.
  • the organic EL display can be a full color type, as described in the three primary colors (blue (B) and green).
  • the planar light source of a desired luminescent color can be obtained by using combining the organic electroluminescent element of the different luminescent color obtained by the said method.
  • a white light-emitting light source combining blue and yellow light-emitting elements, a white light-emitting light source combining blue, green, and red light-emitting elements can be used.
  • the prepared powder having an average particle size of about 1,500 ⁇ m to about 1 ⁇ m is sieved stepwise using the following mesh with openings of 1,520 ⁇ m to 1 ⁇ m.
  • the vapor deposition materials for organic devices in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 7 having average particle diameter (D50%) and uniformity (D60% diameter / D10% diameter) shown in Table 1 below were produced. . -Opening 1,520 ⁇ m ⁇ Opening 20 ⁇ m Stainless steel mesh (Semitech) -Opening from 15 ⁇ m to 1 ⁇ m opening Nylon mesh (Semitec, NYTAL)
  • the average particle diameter (D50%) and uniformity (D60% diameter / D10% diameter) of the vapor deposition materials for organic devices in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 7 are measured by a laser diffraction scattering particle size analyzer (Nikkiso). This was carried out using Microtrac MT3000II). The results are shown in Table 1 below.
  • a vapor deposition apparatus manufactured by Tokki Co., Ltd.
  • the vapor deposition rate of the vapor deposition material for organic devices deposited on the quartz resonator was measured with a film thickness monitor (ULTM, CRTM-9000), and the minimum and maximum values of the vapor deposition rate in a stable state were recorded. .
  • the evaluation of the deposition rate stability was performed by taking the difference between the minimum value and the maximum value of the measured deposition rate and evaluating the difference according to the following criteria. The results are shown in Table 1 below. ⁇ Evaluation criteria for deposition rate stability> ⁇ : 2 ⁇ / s or less ⁇ : Over 2 ⁇ / s, 3 ⁇ / s or less ⁇ : Over 3 ⁇ / s
  • ITO Indium Tin Oxide
  • ⁇ -NPD Bis [N- (1-naphthyl) -N-pheny] benzidine
  • the positive hole transport material 1 which consists of following structural formula was vapor-deposited so that thickness might be set to 3 nm, and the 2nd positive hole transport layer was formed.
  • the compound (A) prepared in Example 1 is used as a host material, and as a guest material, Ir (ppy) (tris) which is 10% by mass of the phosphorescent material with respect to the host material.
  • Ir (ppy) (tris) which is 10% by mass of the phosphorescent material with respect to the host material.
  • a light emitting layer doped with (2-phenylpyridine) -iridium) was deposited to a thickness of 30 nm to form a light emitting layer.
  • BAlq (Bis- (2-methyl-8-quinolinolato) -4- (phenyl-phenolate) -aluminum (III)) is deposited as an electron transporting layer so as to have a thickness of 30 nm. A transport layer was formed.
  • LiF was deposited on the electron transport layer so as to have a thickness of 1 nm.
  • a mask patterned for the cathode (a mask having a light emitting area of 2 mm ⁇ 2 mm) was placed, and metal aluminum was deposited to a thickness of 100 nm to form a cathode.
  • the laminate prepared as described above is placed in a glove box substituted with argon gas, and sealed with a stainless steel sealing can and an ultraviolet curable sealing adhesive (XNR5516HV, manufactured by Nagase Ciba Co., Ltd.). Stopped. Thus, the organic electroluminescent element of Example 1 was produced.
  • the present invention was carried out except that the vapor deposition material for organic devices using the compound (A) in Examples 2 to 6 and Comparative Examples 1 to 7 having different average particle sizes and uniformity as the host material of the light emitting layer was used.
  • organic electroluminescent elements in Examples 2 to 6 and Comparative Examples 1 to 7 were produced.
  • ⁇ / s shown in Table 1 represents 0.1 nm / s.
  • ⁇ / s shown in Table 2 represents 0.1 nm / s.
  • ⁇ / s shown in Table 3 represents 0.1 nm / s.
  • Production Example 4 Examples 13 to 15 and Comparative Examples 16 to 19
  • Production Example 1 instead of pulverizing the compound (A) as a host material, commercially available molybdenum trioxide having a particle size of about 0.5 ⁇ m to 900 ⁇ m (MoO 3 , manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.)
  • MoO 3 molybdenum trioxide having a particle size of about 0.5 ⁇ m to 900 ⁇ m
  • the vapor deposition materials for organic devices in Examples 13 to 15 and Comparative Examples 16 to 19 shown in Table 4 were produced in the same manner as in Production Example 1 except that the diameter was appropriately selected (Production Example 4).
  • ⁇ / s shown in Table 4 represents 0.1 nm / s.
  • ⁇ / s shown in Table 5 represents 0.1 nm / s.
  • ⁇ / s shown in Table 6 represents 0.1 nm / s.
  • ⁇ / s shown in Table 7 represents 0.1 nm / s.
  • ⁇ / s shown in Table 8 represents 0.1 nm / s. From Table 8, it can be seen that if the sublimation purification is not performed, the deposition rate stability is poor even if the particle size and uniformity are within the range, and sublimation purification is performed to remove impurities in the material. It was found that not only can the initial decrease be suppressed, but also the deposition rate is stabilized and the film formation uniformity is improved.
  • ⁇ / s shown in Table 9 represents 0.1 nm / s. From Table 9, if sublimation purification was not performed, it was found that the deposition rate stability was poor even if the particle size and uniformity were within the range, and sublimation purification was performed to remove impurities in the material. It was found that not only can the initial decrease be suppressed, but also the deposition rate is stabilized and the film formation uniformity is improved.
  • ⁇ / s shown in Table 10 represents 0.1 nm / s. From Table 10, it was found that the material in which the particle size and the degree of uniformity are defined may be a single material or a mixture of a plurality of materials.
  • ⁇ / s shown in Table 11 represents 0.1 nm / s. From Table 11, it was found that the material in which the particle size and the degree of uniformity are defined may be a single material or a mixture of a plurality of materials.
  • the organic device vapor deposition material and the organic device production method using the organic device vapor deposition material of the present invention it is possible to uniformly form a film containing an organic compound having a large area with excellent vapor deposition rate stability.
  • a method for producing an organic device using the organic device vapor deposition material, which can reduce variations in the performance of the organic device, and an organic electroluminescent element and an organic thin film solar It is suitably used in the field of manufacturing organic devices such as batteries and organic field effect transistors.

Abstract

　有機デバイスの製造に用いられる蒸着材料であって、Ｄ５０％で表される平均粒径が１０μｍ～２００μｍであり、かつＤ６０％径／Ｄ１０％径で表される均一度が１．０～４．０である有機デバイス用蒸着材料を提供する。

Description

有機デバイス用蒸着材料及び有機デバイスの製造方法
　本発明は、有機電界発光素子、有機薄膜太陽電池、有機電界効果トランジスタ等の有機デバイスに用いられる有機デバイス用蒸着材料及び該有機デバイス用蒸着材料を用いた有機デバイスの製造方法に関する。
　有機電界発光素子をはじめ、有機化合物を用いた種々の有機デバイスが実用化に向けて、検討されている。該有機デバイスは、一般に前記有機化合物を含む蒸着材料を蒸着させた薄膜を含んで構成され、有機デバイス用蒸着材料の蒸着速度によって、製造される有機デバイスの性能が影響を受ける。
　このため、有機デバイス用蒸着材料について、幾つかの先行技術が検討されている。
　例えば、有機蒸着材料を用いて有機物層を蒸着するにあたって、有機蒸着材料として、ガス含有率を１ｍｏｌ％以下としたペレット状の材料を用いることが提案されている（特許文献１参照）。
　しかし、前記提案のペレット状の有機蒸着材料は、粒子状の有機蒸着材料を一定の形状に固化させたものであり、サイズが大きく、蒸着の際の加熱を実施しづらいという問題がある。
　また、ペレット状の有機蒸着材料を昇華性有機材料粉末と熱伝導性非昇華性材料粉末との混合物を団結させて形成する方法が提案されている（特許文献２参照）。
　しかし、この提案では、熱伝導性非昇華性材料粉末を含むペレット状の有機蒸着材料においても、前記蒸着の際の加熱を実施しづらいという問題を大きく改善することはできず、安定した蒸着速度での蒸着を行うことができないという問題がある。蒸着速度がバラツクと、有機デバイスの素子性能にバラツキが生じるとともに、大面積の有機層を成膜する際に、膜厚のバラツキが大きく、歩留まり低下の原因となるという問題がある。
特開平１１－９２９１５号公報 特開２００３－１１５３８１号公報
　本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、蒸着速度の安定性に優れ、大面積の有機化合物を含む膜を均一に成膜することができるとともに、有機デバイスの性能がバラつくことを低減させる有機デバイス用蒸着材料及び該有機デバイス用蒸着材料を用いた有機デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
　前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
　＜１＞　有機デバイスの製造に用いられる蒸着材料であって、Ｄ５０％で表される平均粒径が１０μｍ～２００μｍであり、かつ、Ｄ６０％径／Ｄ１０％径で表される均一度が１．０～４．０であることを特徴とする有機デバイス用蒸着材料である。
　＜２＞　有機化合物及び無機酸化物のいずれかを含有する前記＜１＞に記載の有機デバイス用蒸着材料である。
　＜３＞　有機電界発光素子における一対の電極間に配される少なくとも一つの有機層の形成に用いられる前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の有機デバイス用蒸着材料である。
　＜４＞　有機層が発光層である前記＜３＞に記載の有機デバイス用蒸着材料である。
　＜５＞　Ｉｒ錯体及びＰｔ錯体のいずれかを含む前記＜４＞に記載の有機デバイス用蒸着材料である。
　＜６＞　前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の有機デバイス用蒸着材料をフラッシュ蒸着法により蒸着させて有機層を形成する工程を含むことを特徴とする有機デバイスの製造方法である。
　＜７＞　前記＜６＞に記載の有機デバイスの製造方法により製造されたことを特徴とする有機デバイスである。
　本発明によれば、従来の前記諸問題を解決することができ、前記目的を達成することができ、蒸着速度の安定性に優れ、大面積の有機化合物を含む蒸着膜を均一に成膜することができるとともに、有機デバイスの性能がバラツクことを低減させる有機デバイス用蒸着材料及び該有機デバイス用蒸着材料を用いた有機デバイスの製造方法を提供することができる。
図１は、有機電界発光素子の構成例を示す断面図である。 図２は、有機電界発光素子の時間－輝度変化特性を示すグラフである。
（有機デバイス用蒸着材料）
　本発明の有機デバイス用蒸着材料は、有機デバイスの製造に用いられる蒸着材料であって、Ｄ５０％で表される平均粒径が１０μｍ～２００μｍであり、かつ、Ｄ６０％径／Ｄ１０％径で表される均一度が１．０～４．０であり、昇華精製されたものが好ましい。
　前記Ｄ５０％で表される平均粒径は、１０μｍ～２００μｍであり、２０μｍ～１８０μｍが好ましく、４０μｍ～１５０μｍがより好ましく、５０μｍ～１２０μｍが特に好ましい。
　前記Ｄ５０％で表される平均粒径が、１０μｍ未満であると、粒子同士の会合や粒子同士の接触の増大による静電気の発生などにより安定した蒸着速度を維持できず、２００μｍを超えると、単位時間当たりの粒子の落下量の変化が大きくなりやはり安定した蒸着速度を維持できないことがある。
　なお、前記Ｄ５０％は、粉体をある粒子径から２つに分けたとき、大きい側と小さい側が等量となるときの平均粒径を示す。
　前記Ｄ５０％で表される平均粒径（以下、単に「平均粒径」ともいう。）は、粒度曲線から通過百分率もしくは累積百分率の５０％の値を読み取ることにより決定できる。粒度曲線の作成は、特に制限はないが、例えば試料をふるいにかけて、試料の重量百分率で目開き何μｍのふるいを何％通過したか調べ、横軸に目開き径、縦軸に通過百分率をプロットする方法やレーザー回折粒度分析計用いて累積分布測定を行う方法等が挙げられる。
　前記Ｄ６０％径／Ｄ１０％径で表される均一度（以下、単に「均一度」ともいう。）は、１．０～４．０であり、１．０～３．５が好ましく、１．０～３．２がより好ましく、１．０～３．０が特に好ましい。
　前記均一度が、１．０未満であると、原理的に達成できず、４．０を超えると、単位時間当たりの粒子の落下量の変化が大きくなりやはり安定した蒸着速度を維持できないことがある。
　なお、前記Ｄ６０％径は、粒度曲線において通過百分率もしくは累積百分率が６０％になるときの粒径を示し、前記Ｄ１０％径は、粒度曲線において通過百分率もしくは累積百分率が１０％になるときの粒径を示す。
　前記Ｄ６０％径／Ｄ１０％径で表される均一度の測定方法としては、特に制限はなく、例えば、ふるい分けによる方法やレーザー回折粒度分析計による測定方法等が挙げられ、作成した粒度曲線から通過百分率もしくは累積百分率が６０％となる粒径と１０％になる粒径を読み取りその比を計算して均一度の値を得ることができる。
　前記平均粒径及び均一度を有する有機デバイス用蒸着材料の製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、粉砕装置で粉砕した後、所望の目開きを有するメッシュにより篩いをかけることにより、前記平均粒径及び均一度が調整された有機デバイス用蒸着材料を製造する方法が挙げられる。
　前記有機デバイス用蒸着材料の蒸着方法としては、特に制限はなく、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着法等が挙げられるが、フラッシュ蒸着法が好ましい。前記有機デバイス用蒸着材料は、蒸着速度の安定性に優れることから、蒸着速度を挙げても信頼性の高い蒸着膜が得られ、また、長時間安定した蒸着を行うことができる。
　前記フラッシュ蒸着法によると、長時間の加熱により分解しやすい蒸着材料でも、分解させることなく安定して連続蒸着することができ、また無機酸化物では蒸着材料の組成比に近い状態の膜を作製することができる。なお、フラッシュ蒸着法については、後述の有機デバイスの製造方法において説明するすべての事項を適用することができる。
　前記有機デバイス用蒸着材料としては、前記平均粒径及び前記均一度を満たすものであれれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、有機化合物及び無機酸化物が挙げられ、例えば、発光材料、ホスト材料、ドーパント材料等が挙げられ、昇華精製されたものが好ましい。
　ここで、昇華精製とは、化合物の昇華温度の差を用いて、不純物と目的物とを分離する精製法である。昇華精製の態様については、特に限定されない。製造規模や製造環境などに応じて、適宜、昇華精製装置の形態が選択されればよい。ガスをフローし、温度調節を厳密に行うことによって、得られる目的物の純度が向上しうる。
　前記有機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２種の有機化合物の混合物であることが好ましい。
－発光材料－
　前記発光材料は、蛍光発光材料でも燐光発光材料であってもよく、２種以上が混合されていてもよい。
　前記発光性ドーパントは、ホスト化合物との間で、イオン化ポテンシャルの差（ΔＩｐ）と電子親和力の差（ΔＥａ）が、１．２ｅＶ＞△Ｉｐ＞０．２ｅＶ、及び／又は１．２ｅＶ＞△Ｅａ＞０．２ｅＶの関係を満たすドーパントであることが、駆動耐久性の観点で好ましい。
　前記発光層中の発光性ドーパントの含有量は、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、０．１質量％～５０質量％が好ましく、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％～５０質量％がより好ましく、２質量％～４０質量％が更に好ましい。
－－燐光発光材料－－
　前記燐光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体、などが挙げられる。
　前記遷移金属原子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、金、銀、銅、白金、などが挙げられる。これらの中でも、レニウム、イリジウム、白金が好ましく、イリジウム、白金が特に好ましい。
　前記錯体の配位子としては、例えば、Ｇ．Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ等著，Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ　Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，　Ｐｅｒｇａｍｏｎ　Ｐｒｅｓｓ社１９８７年発行、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著，「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ａｎｄ　Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ　ｏｆ　Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ　Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」　Ｓｐｒｉｎｇｅｒ－Ｖｅｒｌａｇ社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学－基礎と応用－」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子、などが挙げられる。
　前記錯体は、化合物中に遷移金属原子を１つ有してもよいし、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。なお、異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
　前記燐光発光材料としては、例えば、米国特許第６３０３２３８号明細書、米国特許第６０９７１４７号明細書、ＷＯ００／５７６７６号パンフレット、ＷＯ００／７０６５５号パンフレット、ＷＯ０１／０８２３０号パンフレット、ＷＯ０１／３９２３４号パンフレット、ＷＯ０１／４１５１２号パンフレット、ＷＯ０２／０２７１４号パンフレット、ＷＯ０２／１５６４５号パンフレット、ＷＯ０２／４４１８９号パンフレット、ＷＯ０５／１９３７３号パンフレット、ＷＯ２００４／１０８８５７号パンフレット、ＷＯ２００５／０４２４４４号パンフレット、ＷＯ２００５／０４２５５０号パンフレット、特開２００１－２４７８５９号公報、特開２００２－３０２６７１号公報、特開２００２－１１７９７８号公報、特開２００３－１３３０７４号公報、特開２００２－２３５０７６号公報、特開２００３－１２３９８２号公報、特開２００２－１７０６８４号公報、ＥＰ１２１１２５７号明細書、特開２００２－２２６４９５号公報、特開２００２－２３４８９４号公報、特開２００１－２４７８５９号公報、特開２００１－２９８４７０号公報、特開２００２－１７３６７４号公報、特開２００２－２０３６７８号公報、特開２００２－２０３６７９号公報、特開２００４－３５７７９１号公報、特開２００６－９３５４２号公報、特開２００６－２６１６２３号公報、特開２００６－２５６９９９号公報、特開２００７－１９４６２号公報、特開２００７－８４６３５号公報、特開２００７－９６２５９号公報等に記載の燐光発光化合物などが挙げられる。
　これらの中でも、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｃｕ錯体、Ｒｅ錯体、Ｗ錯体、Ｒｈ錯体、Ｒｕ錯体、Ｐｄ錯体、Ｏｓ錯体、Ｅｕ錯体、Ｔｂ錯体、Ｇｄ錯体、Ｄｙ錯体、Ｃｅ錯体等の錯体が好ましく、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体が特に好ましい。
　前記各錯体としては、金属－炭素結合、金属－窒素結合、金属－酸素結合、金属－硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含む錯体が好ましく、発光効率、有機デバイスの駆動耐久性、色度等の観点から、３座以上の多座配位子を含む錯体がより好ましい。
　前記Ｉｒ錯体及び前記Ｐｔ錯体の好ましい化合物の例を以下に例示する。

Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
－－蛍光発光材料－－
　前記蛍光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物（例えばアントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、又はペンタセン等）、８－キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、又はこれらの誘導体、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
－ホスト材料－
　前記ホスト材料は、電荷輸送材料であることが好ましい。該ホスト材料は１種であっても２種以上であってもよい。
　前記電荷輸送材料としては、正孔輸送性に優れる正孔輸送性ホスト材料、及び電子輸送性に優れる電子輸送性ホスト材料を用いることができる。
－－正孔輸送性ホスト材料－－
　前記正孔輸送性ホスト材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、又はそれらの誘導体、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
　これらの中でも、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、芳香族第三級アミン化合物、チオフェン誘導体が好ましく、分子内にカルバゾール基を有するものがより好ましく、ｔ－ブチル置換カルバゾール基を有する化合物が特に好ましい。
－－電子輸送性ホスト材料－－
　前記電子輸送性ホスト材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ－ル、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物；フタロシアニン又はこれらの誘導体（他の環と縮合環を形成してもよい）、８－キノリノ－ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ－ルやベンゾチアゾ－ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
　これらの中でも、耐久性の点から金属錯体化合物が好ましく、金属に配位する少なくとも１つの窒素原子又は酸素原子又は硫黄原子を有する配位子をもつ金属錯体がより好ましい。
　前記金属錯体化合物としては、例えば特開２００２－２３５０７６号公報、特開２００４－２１４１７９号公報、特開２００４－２２１０６２号公報、特開２００４－２２１０６５号公報、特開２００４－２２１０６８号公報、特開２００４－３２７３１３号公報等に記載の化合物、などが挙げられる。
　本発明に用いることができる正孔輸送性ホスト材料及び電子輸送性ホスト材料としては、以下の化合物、及びこれらの重水素化体を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。

Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004

Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
－ドーパント材料－
　前記ドーパント材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、電子受容性ドーパントでも、電子供与性ドーパントでもよい。
　前記電子受容性ドーパントとしては、特に制限はなく、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。
　前記無機化合物としては、例えば、ハロゲン化金属、金属酸化物などが挙げられる。
　前記ハロゲン化金属としては、例えば、塩化第二鉄、塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどが挙げられる。
　前記金属酸化物としては、例えば、五酸化バナジウム、三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）などが挙げられる。
　前記有機化合物としては、例えば置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基等を有する化合物；キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレン、などが挙げられる。
　前記電子供与性ドーパントとしては、特に制限はなく、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Ｌｉ等のアルカリ金属、Ｍｇ等のアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に挙げられる。金属としては、特に仕事関数が４．２ｅＶ以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｙｂなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
　また、正孔ブロック材料として、ＢＡｌｑ等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
（有機デバイスの製造方法）
　本発明の有機デバイスの製造方法は、前記本発明の有機デバイス用蒸着材料をフラッシュ蒸着法により蒸着させて有機層を形成する工程を含み、必要に応じたその他の工程を含む。
　前記フラッシュ蒸着法とは、蒸着源加熱部に蒸着材料粉末を連続的に供給しながら成膜する蒸着方法であり、蒸着材料の組成ズレや長時間加熱による材料の分解を防ぐことができる利点を有する。
　前記フラッシュ蒸着時における圧力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１０－１Ｐａ～１０－８Ｐａが好ましく、１０－３Ｐａ～１０－７Ｐａがより好ましく、１０－４Ｐａ～１０－６Ｐａが特に好ましい。
　前記圧力が、１０－８Ｐａ未満であると、不純物や意図せぬガスなどの混入を防ぐことができるが真空引きだけで数日間費やす必要があり生産性が低いことがあり、１０－１Ｐａを超えると、気化した蒸着材料の基板への到達確率が下がり材料利用効率が極端に低下してしまうことがある。また、フラッシュ蒸着源から基板までの気化した蒸着材料の流れを制御するために、窒素やアルゴンなどの不活性なキャリアガスを導入してもよい。
　前記フラッシュ蒸着時における加熱温度としては、特に制限はなく、蒸着材料に応じて適宜選択することができる。
　前記フラッシュ蒸着における蒸着速度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、０．０１ｎｍ／ｓ～１０ｎｍ／ｓが好ましく、０．１ｎｍ／ｓ～５ｎｍ／ｓがより好ましく、０．５ｎｍ／ｓ～２ｎｍ／ｓが特に好ましい。
　前記蒸着速度が、０．０１ｎｍ／ｓ未満であると、成膜に時間がかかり生産性が低くなることがあり、１０ｎｍ／ｓを超えると、蒸着速度の安定や膜厚制御が難しくなることがある。
　なお、本明細書において、ｎｍ／ｓの単位をÅ／ｓの単位（０．１ｎｍ／ｓ）で表すことがある。
　前記フラッシュ蒸着における蒸着速度に関し、該蒸着速度をｖ（ｎｍ／ｓ）に設定したときの、最も遅い実測の蒸着速度をｖｍｉｎ（ｎｍ／ｓ）とし、最も速い実測の蒸着速度をｖｍａｘ（ｎｍ／ｓ）としたとき、ｖｍｉｎ－ｖｍａｘ（ｎｍ／ｓ）で表される蒸着速度安定幅としては、特に制限はないが、例えば、０ｎｍ／ｓ～０．３ｎｍ／ｓが好ましく、０ｎｍ／ｓ～０．２ｎｍ／ｓがより好ましく、０ｎｍ／ｓ～０．１ｎｍ／ｓが特に好ましい。
　前記蒸着速度安定幅が、０．３ｎｍ／ｓを超えると、製造安定性、歩留まり、デバイス性能などの悪化を引き起こすことがある。
　前記その他の工程としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができ、公知の有機デバイスの製造において実施される工程を挙げることができる。
　前記有機デバイス用蒸着材料によれば、蒸着速度の安定性に優れ、大面積の有機化合物を含む膜を均一に成膜することができるとともに、有機デバイスの性能がバラつくことを低減させることができるため、有機電界発光素子、有機薄膜太陽電池、有機電界効果トランジスタ等の有機デバイスに好適に用いることができる。
　前記有機デバイスの中でも有機電界発光素子に好適に用いることができる。
　一般に、有機電界発光素子は、時間の経過とともに輝度の低下が確認され、高輝度性が求められる。特に、従来の有機電界発光素子においては、輝度が時間の経過とともに指数対数的に低下する初期低下が見られ、早期に大きな輝度の低下が確認される（図２参照）。これは、有機電界発光素子の品質上大きな問題となっている。
　しかしながら、本発明の有機デバイス用蒸着材料を用いて有機層が形成された有機電界発光素子において、前記初期低下を抑えることができる（図２参照）。
　この理由としては、蒸着速度の変動幅が大きいと、特に発光層においてゲスト濃度とホスト濃度の混合比が設定値から外れるため期待される耐久性が得られないが、本発明の製造方法を用いて安定で厳密な蒸着速度制御することにより歩留まりよく高性能な有機デバイスを製造することが可能となる。
　以下では、本発明の有機デバイス用蒸着材料を用いて製造される有機デバイスの好ましい態様として、有機電界発光素子を説明する。
（有機電界発光素子）
　前記有機電界発光素子は、一対の電極間に、少なくとも一つの有機層を含み、該有機層は、前記本発明の有機デバイス用蒸着材料により形成される。
　前記有機層の構成としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、及び電子ブロック層を含み、必要に応じてその他の層を含んでなる。
＜発光層＞
　前記発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
　前記発光層は、前記発光材料を含み、前記ホスト材料を含むものであってもよい。即ち、該発光層としては、前記発光材料のみで構成されていてもよいし、前記ホスト材料と前記発光材料の混合層でもよい。
　更に、前記発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいてもよい。
　前記発光層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２ｎｍ～５００ｎｍが好ましく、外部量子効率の観点から、３ｎｍ～２００ｎｍがより好ましく、５ｎｍ～１００ｎｍが更に好ましい。また、前記発光層は１層であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
＜正孔注入層、正孔輸送層＞
　前記正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。
　前記正孔注入層及び正孔輸送層としては、前記正孔輸送性ホスト材料、前記電子受容性ドーパント等の材料を含み形成される。
　前記正孔注入層及び正孔輸送層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１ｎｍ～５００ｎｍが好ましく、５ｎｍ～２００ｎｍがより好ましく、１０ｎｍ～１００ｎｍが更に好ましい。
　前記正孔注入層及び正孔輸送層は、１種又は２種以上の材料からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
＜電子注入層、電子輸送層＞
　前記電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。
　前記電子輸送層としては、前記電子輸送性ホスト材料、前記電子供与性ドーパント等の材料を含み形成される。
　前記電子注入層、電子輸送層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
　前記電子輸送層の厚みとしては、１ｎｍ～５００ｎｍであることが好ましく、５ｎｍ～２００ｎｍであることがより好ましく、１０ｎｍ～１００ｎｍであることが更に好ましい。
　また、電子注入層の厚みとしては、０．１ｎｍ～２００ｎｍであることが好ましく、０．２ｎｍ～１００ｎｍであることがより好ましく、０．５ｎｍ～５０ｎｍであることが更に好ましい。
　前記電子注入層、電子輸送層は、１種又は２種以上の材料からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
＜正孔ブロック層＞
　前記正孔ブロック層は、陽極側から前記発光層に輸送された正孔が、陰極側に通り抜けることを防止する機能を有する層である。前記発光層と陰極側で隣接する有機層として、正孔ブロック層を設けることができる。
　前記正孔ブロック層としては、前記正孔ブロック性材料を含み形成される。
　前記正孔ブロック層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１ｎｍ～５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ～２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ～１００ｎｍであるのが更に好ましい。
　前記正孔ブロック層は、１種又は２種以上の材料からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
＜電子ブロック層＞
　前記電子ブロック層は、陰極側から前記発光層に輸送された電子が陽極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、前記発光層と陽極側で隣接する有機層として設けられる。
　前記電子ブロック層としては、前記正孔輸送ドーパント等を含み形成される。
　前記電子ブロック層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１ｎｍ～５００ｎｍが好ましく、５ｎｍ～２００ｎｍがより好ましく、１０ｎｍ～１００ｎｍが更に好ましい。また電子ブロック層は、１種又は２種以上の材料からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
＜電極＞
　前記有機電界発光素子は、一対の電極として陽極と陰極とを含む。前記有機電界発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は透明であることが好ましい。通常、陽極は有機層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、陰極は有機層に電子を注入する電極としての機能を有していればよい。
　前記電極としては、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
　前記電極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物などが好適に挙げられる。
－陽極－
　前記陽極を構成する材料としては、例えば、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル等の金属；これらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物；ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質；ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料；又はこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。これらの中でも、導電性金属酸化物が好ましく、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが特に好ましい。
－陰極－
　前記陰極を構成する材料としては、例えば、アルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム－カリウム合金、リチウム－アルミニウム合金、マグネシウム－銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
　これらの中でも、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
　前記アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１質量％～１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム－アルミニウム合金、マグネシウム－アルミニウム合金など）をいう。
　前記電極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができ、例えば印刷方式、コーティング方式等の湿式方式；真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式；ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、などが挙げられる。これらの中でも、前記電極を構成する材料との適性を考慮し、適宜選択した方法に従って前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料としてＩＴＯを選択する場合には、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って形成することができる。陰極の材料として金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って形成することができる。
　なお、前記電極を形成する際にパターニングを行う場合は、フォトリソグラフィー等による化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザー等による物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
＜基板＞
　本発明の有機電界発光素子は、基板上に設けられていることが好ましく、電極と基板とが直接接する形で設けられていてもよいし、中間層を介在する形で設けられていてもよい。
　前記基板の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無機材料、ポリエステル樹脂、有機材料などが挙げられる。
　前記無機材料としては、例えば、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ガラス（無アルカリガラス、ソーダライムガラス等）などが挙げられる。
　前記ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレートなどが挙げられる。
　前記有機材料としては、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）などが挙げられる。
　前記基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。前記基板の形状としては、板状であることが好ましい。前記基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。前記基板は、透明でも不透明でもよく、透明な場合は無色透明でも有色透明でもよい。
　前記基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
　前記透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、例えば窒化珪素、酸化珪素等の無機物などが挙げられる。
　前記透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
－その他の構成－
　前記その他の構成としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、保護層、封止容器、樹脂封止層、封止接着剤などが挙げられる。
　前記保護層、前記封止容器、前記樹脂封止層、前記封止接着剤などとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、特開２００９－１５２５７２号公報等に記載の事項を適用することができる。
　図１は、前記有機電界発光素子の層構成の一例を示す概略図である。前記有機電界発光素子１０は、ガラス基板１上に形成された陽極２（例えばＩＴＯ電極）と、正孔注入層３と、正孔輸送層４と、発光層５と、電子輸送層６と、電子注入層７と、陰極８（例えばＡｌ－Ｌｉ電極）とをこの順に積層してなる層構成を有する。なお、陽極２（例えばＩＴＯ電極）と陰極８（例えばＡｌ－Ｌｉ電極）とは電源を介して互いに接続されている。
－駆動－
　前記有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト～１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
　前記有機電界発光素子は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によりアクティブマトリックスへ適用することができる。薄膜トランジスタの活性層としてアモルファスシリコン、高温ポリシリコン、低温ポリシリコン、微結晶シリコン、酸化物半導体、有機半導体、カーボンナノチューブ等を適用することができる。
　本発明の有機電界発光素子は、例えばＷＯ２００５／０８８７２６号パンフレット、特開２００６－１６５５２９号公報、米国特許出願公開２００８／０２３７５９８Ａ１号明細書などに記載の薄膜トランジスタを適用することができる。
　前記有機電界発光素子は、特に制限はなく、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸パターンを形成する）、基板、ＩＴＯ層、発光層等の有機層の屈折率を制御する、基板、ＩＴＯ層、発光層等の有機層の厚みを制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。
　本発明の有機電界発光素子からの光取り出し方式は、トップエミッション方式であってもボトムエミッション方式であってもよい。
　前記有機電界発光素子は、共振器構造を有してもよい。例えば、透明基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明又は半透明電極、発光層、及び金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する（第一の態様）。
　第二の態様では、透明基板上に、透明又は半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
　共振構造を形成するためには、２つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長を得るのに最適な値となるよう調整される。
　前記第一の態様の場合の計算式は、特開平９－１８０８８３号公報に記載されている。
　前記第２の態様の場合の計算式は、特開２００４－１２７７９５号公報に記載されている。
－用途－
　本発明の有機電界発光素子は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。
　前記有機ＥＬディスプレイをフルカラータイプのものとする方法としては、例えば「月刊ディスプレイ」、２０００年９月号、３３～３７ページに記載されているように、色の３原色（青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ））に対応する光をそれぞれ発光する有機電界発光素子を基板上に配置する３色発光法、白色発光用の有機電界発光素子による白色発光をカラーフィルターを通して３原色に分ける白色法、青色発光用の有機電界発光素子による青色発光を蛍光色素層を通して赤色（Ｒ）及び緑色（Ｇ）に変換する色変換法、などが知られている。また、上記方法により得られる異なる発光色の有機電界発光素子を複数組み合わせて用いることにより、所望の発光色の平面型光源を得ることができる。例えば、青色及び黄色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、青色、緑色、赤色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、などが挙げられる。
　以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
［製造例１：実施例１～６及び比較例１～７］
　ホスト材料である下記構造式で表される化合物（Ａ）を昇華精製装置（商品名：Ｐ－１００、（株）ＡＬＳテクノロジー社製）を用いて昇華精製して回収したものを、スーパーマスコロイダー（ＭＫＣＡ６－２）を用いて砥石間隔を変えてミリングし、平均粒径１，５００μｍ程度～２０μｍ程度の粉末を作製した。
　更に小さい粒径の粉末を作るために乾式ジェットミル（ＮＪ－５０）を用いて粉砕を行い、２０μｍ程度～１μｍ程度の粉末を作製した。
　これらの粉末の均一度を制御するために、目開き１，５２０μｍ～１μｍまでの下記メッシュを用いて、前記作製した平均粒径１，５００μｍ程度～１μｍ程度の粉末を段階的に篩いにかけて調整することにより、下記表１に示す平均粒径(Ｄ５０％)と均一度（Ｄ６０％径／Ｄ１０％径）とを有する実施例１～６及び比較例１～７における有機デバイス用蒸着材料を製造した。
・目開き１，５２０μｍ～目開き２０μｍまで
　　ステンレスメッシュ（セミテック社製）
・目開き１５μｍ～目開き１μｍまで
　　ナイロンメッシュ（セミテック社製、ＮＹＴＡＬ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
（平均粒径及び均一度の測定）
　実施例１～６及び比較例１～７における有機デバイス用蒸着材料の平均粒径(Ｄ５０％)と均一度（Ｄ６０％径／Ｄ１０％径）の測定は、レーザー回折散乱式粒度分析計（日機装社製、マイクロトラックＭＴ３０００ＩＩ）を用いて行った。結果を下記表１に示す。
（蒸着速度の測定方法及び蒸着速度安定性の評価）
　実施例１～６及び比較例１～７における有機デバイス用蒸着材料の蒸着速度の測定は、蒸着装置（トッキ社製）を用い、真空室内でフラッシュ蒸着部に有機デバイス用蒸着材料を攪拌羽根を用いて一定速度で落下させ、蒸着速度１２．０Å／ｓ（＝１．２ｎｍ／ｓ）でフラッシュ蒸着部から基板に蒸着させたとき、フラッシュ蒸着部から基板までの距離と同じ距離に設置された水晶振動子に堆積する有機デバイス用蒸着材料の蒸着速度を膜厚モニター（アルバック社製、ＣＲＴＭ－９０００）で測定し、安定状態における蒸着速度の最小値と最大値とを記録することにより行った。
　また、蒸着速度安定性の評価は、前記測定された蒸着速度の最小値と最大値との差をとり、該差を下記基準により評価することによって行った。結果を下記表１に示す。
＜蒸着速度安定性の評価基準＞
　　○：２Å／ｓ以下
　　△：２Å／ｓを超え、３Å／ｓ以下
　　×：３Å／ｓを超える
（製造例１の有機電界発光素子の作製）
　厚みが０．５ｍｍ、２．５ｃｍ角のガラス基板を洗浄容器に入れ、２－プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ－オゾン処理を行った。このガラス基板上に真空蒸着法にて以下に示す各層を形成した。特に断りがない限り有機材料はフラッシュ蒸着により成膜した。なお、以下の実施例及び比較例における蒸着速度は、特に断りのない場合は１.２ｎｍ／秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。
＜陽極＞
　ガラス基板上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）を、厚みが１００ｎｍになるようにスパッタ蒸着した。
＜正孔注入層＞
　陽極（ＩＴＯ）上に、２－ＴＮＡＴＡ（４，４’，４’’－Ｔｒｉｓ（Ｎ－（２－ｎａｐｈｔｙｌ）－Ｎ－ｐｈｅｎｙｌ－ａｍｉｎｏ)－ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）と、ドーパントとして１質量％のＦ４－ＴＣＮＱ（２，３，５，６－ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏ－７，７，８，８－ｔｅｔｒａｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ）とを、厚みが１２０ｎｍになるように共蒸着して、正孔注入層を形成した。
＜第一正孔輸送層＞
　正孔注入層上に、α－ＮＰＤ(Ｂｉｓ［Ｎ－（１－ｎａｐｈｔｈｙｌ）－Ｎ－ｐｈｅｎｙ]ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）を、厚みが７ｎｍになるように蒸着して、第一正孔輸送層を形成した。
＜第二正孔輸送層＞
　第一正孔輸送層上に、下記構造式からなる正孔輸送材料１を、厚みが３ｎｍになるように蒸着して、第二正孔輸送層を形成した。
－正孔輸送材料１－
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
＜発光層＞
　第二正孔輸送層上に、実施例１で用意した化合物（Ａ）をホスト材料として、また、ゲスト材料として前記ホスト材料に対して１０質量％の燐光発光材料であるＩｒ（ｐｐｙ）（ｔｒｉｓ（２－ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）－ｉｒｉｄｉｕｍ）をドープした発光層を、厚みが３０ｎｍになるように蒸着して、発光層を形成した。
＜電子輸送層＞
　前記発光層上に、電子輸送層としてＢＡｌｑ（Ｂｉｓ－（２－ｍｅｔｈｙｌ－８－ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ)－４－(ｐｈｅｎｙｌ－ｐｈｅｎｏｌａｔｅ)－ａｌｕｍｉｎｉｕｍ（ＩＩＩ））を厚みが３０ｎｍになるように蒸着して、電子輸送層を形成した。
＜電子注入層＞
　前記電子輸送層上に、ＬｉＦを厚みが１ｎｍになるように蒸着した。
＜陰極＞
　電子注入層上に、陰極用にパタ－ニングしたマスク（発光領域が２ｍｍ×２ｍｍとなるマスク）を設置し、金属アルミニウムを厚みが１００ｎｍとなるように蒸着して、陰極を形成した。
　以上により作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグロ－ブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶、及び紫外線硬化型の封止接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ株式会社製）を用いて封止した。以上により、実施例１の有機電界発光素子を作製した。
　また、発光層のホスト材料として平均粒径と均一度が異なる実施例２～６及び比較例１～７における化合物（Ａ）を用いた有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例２～６及び比較例１～７における有機電界発光素子を作製した。
＜初期低下の測定＞
　各有機電界発光素子について、東陽テクニカ株式会社製ソースメジャーユニット２４００を用いて、輝度２，０００ｃｄ／ｍ２になるように直流電圧を印加し、輝度が１割落ちる時間が輝度半減時間の１／１０以上の場合を「○」と評価し、１／１０未満の場合を「×」と評価した。結果を表１に示す。
＜成膜均一性の評価＞
　２０ｃｍ角ガラス基板上にフラッシュ蒸着により平均粒径と均一度が異なる実施例１～６及び比較例１～７における化合物（Ａ）を蒸着材料として成膜し、該ガラス基板上に形成された化合物（Ａ）の膜の基板中央部の膜厚と基板周辺部の膜厚を触針膜厚計（ＤＥＫＴＡＫ６Ｍ）にて測定し、その差が５％以内の場合を「○」、５％を超える場合を「×」と評価した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
 　なお、表１に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
［製造例２：実施例７～９及び比較例８～１１］
　製造例１において、ホスト材料である前記化合物（Ａ）に代えて、下記構造式で表される化合物（Ｂ）からなる発光材料を用いた以外は、製造例１と同様にして、表２に示す実施例７～９及び比較例８～１１における有機デバイス用蒸着材料を製造した（製造例２）。
　また、平均粒径及び均一度の測定、並びに蒸着速度の測定方法及び蒸着速度安定性の評価は、製造例１における有機デバイス用蒸着材料について行う方法と同様の方法で行った。結果を表２に示す。

Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
（製造例２の有機電界発光素子の作製）
　製造例１において、ホスト材料としてｍＣＰ（ビスカルバゾールベンゼン）を用いたこと、また、発光材料として平均粒径と均一度が異なる実施例７～９及び比較例８～１１における化合物（Ｂ）を用いた有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いた以外は、製造例１と同様にして、実施例７～９及び比較例８～１１における有機電界発光素子を製造した。
　これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
 　なお、表２に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
［製造例３：実施例１０～１２及び比較例１２～１５］
　製造例１において、ホスト材料である前記化合物（Ａ）に代えて、下記構造式で表される化合物（Ｃ）からなる発光材料を用いた以外は、製造例１と同様にして、表３に示す実施例１０～１２及び比較例１２～１５における有機デバイス用蒸着材料を製造した（製造例３）。
　また、平均粒径及び均一度の測定、並びに蒸着速度の測定方法及び蒸着速度安定性の評価は、製造例１における有機デバイス用蒸着材料について行う方法と同様の方法で行った。結果を表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
（製造例３の有機電界発光素子の作製）
　製造例２において、発光材料として、平均粒径と均一度が異なる実施例１０～１２及び比較例１２～１５における化合物（Ｃ）の化合物を用いた有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いた以外は、製造例２と同様にして、実施例１０～１２及び比較例１２～１５における有機電界発光素子を製造した。
　これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を表３に示す。

Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
 　なお、表３に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
［製造例４：実施例１３～１５及び比較例１６～１９］
　製造例１において、ホスト材料である前記化合物（Ａ）を粉砕することに代えて、粒径が０．５μｍ～９００μｍ程度の市販品の三酸化モリブデン（ＭｏＯ３、フルウチ化学社製）を、粒径を適宜選択して用いた以外は、製造例１と同様にして、表４に示す実施例１３～１５及び比較例１６～１９における有機デバイス用蒸着材料を製造した（製造例４）。
　また、平均粒径及び均一度の測定、並びに蒸着速度の測定方法及び蒸着速度安定性の評価は、製造例１における有機デバイス用蒸着材料について行う方法と同様の方法で行った。結果を表４に示す。
（製造例４の有機電界発光素子の作製）
　製造例１において、ホスト材料としてｍＣＰ（ビスカルバゾールベンゼン）を用いたこと、また、正孔注入層のドーパントとして平均粒径と均一度が異なる実施例１３～１５及び比較例１６～１９における三酸化モリブデンを用いた有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いた以外は、製造例１と同様にして、実施例１３～１５及び比較例１６～１９における有機電界発光素子を製造した。
　これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
 　なお、表４に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
［製造例５：実施例１６～１８及び比較例２０～２３］
　製造例１において、ホスト材料である前記化合物（Ａ）に代えて、下記構造式で表される化合物（Ｄ）からなる発光材料を用いた以外は、製造例１と同様にして、表５に示す実施例１６～１８及び比較例２０～２３における有機デバイス用蒸着材料を製造した（製造例５）。
　また、平均粒径及び均一度の測定、並びに蒸着速度の測定方法及び蒸着速度安定性の評価は、製造例１における有機デバイス用蒸着材料について行う方法と同様の方法で行った。結果を表５に示す。

Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
（製造例５の有機電界発光素子の作製）
　製造例１において、ホスト材料としてｍＣＰ（ビスカルバゾールベンゼン）を用いたこと、また、発光材料として平均粒径と均一度が異なる実施例１６～１８及び比較例２０～２３における化合物（Ｄ）を用いた有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いた以外は、製造例１と同様にして、実施例１６～１８及び比較例２０～２３における有機電界発光素子を製造した。
　これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を表５に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000016
 　なお、表５に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
［製造例６：実施例１９～２１及び比較例２４～２７］
　製造例１において、ホスト材料である前記化合物（Ａ）に代えて、下記構造式で表される化合物（Ｅ）からなる発光材料を用いた以外は、製造例１と同様にして、表６に示す実施例１９～２１及び比較例２４～２７における有機デバイス用蒸着材料を製造した（製造例６）。
　また、平均粒径及び均一度の測定、並びに蒸着速度の測定方法及び蒸着速度安定性の評価は、製造例１における有機デバイス用蒸着材料について行う方法と同様の方法で行った。結果を表６に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
（製造例６の有機電界発光素子の作製）
　製造例１において、ホスト材料としてｍＣＰ（ビスカルバゾールベンゼン）を用いたこと、また、発光材料として平均粒径と均一度が異なる実施例１９～２１及び比較例２４～２７における化合物（Ｅ）を用いた有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いた以外は、製造例１と同様にして、実施例１９～２１及び比較例２４～２７における有機電界発光素子を製造した。
　これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を表６に示す。

Figure JPOXMLDOC01-appb-T000018
 　なお、表６に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
［製造例７：実施例２２～２４及び比較例２８～３１］
　製造例１において、ホスト材料である前記化合物（Ａ）の化合物に代えて、下記構造式で表される化合物（Ｆ）からなる発光材料を用いた以外は、製造例１と同様にして、表７に示す実施例２２～２４及び比較例２８～３１における有機デバイス用蒸着材料を製造した（製造例７）。
　また、平均粒径及び均一度の測定、並びに蒸着速度の測定方法及び蒸着速度安定性の評価は、製造例１における有機デバイス用蒸着材料について行う方法と同様の方法で行った。結果を表７に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
（製造例７の有機電界発光素子の作製）
　製造例１において、ホスト材料としてｍＣＰ（ビスカルバゾールベンゼン）を用いたこと、また、発光材料として平均粒径と均一度が異なる実施例２２～２４及び比較例２８～３１における化合物（Ｆ）を用いた有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いた以外は、製造例１と同様にして、実施例２２～２４及び比較例２８～３１における有機電界発光素子を製造した。
　これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を表７に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000020
 　なお、表７に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
［製造例８：比較例３２～３３］
　製造例１において、ホスト材料である前記構造式（Ａ）の化合物に代えて、上記構造式（Ｄ）からなる発光材料を用い、昇華精製を行わなかったこと以外は、製造例１と同様にして、下記表８に示す比較例３２～３３における有機デバイス用蒸着材料を製造した（製造例８）。
　また、平均粒径及び均一度の測定、並びに蒸着速度の測定方法及び蒸着速度安定性の評価は、製造例１における有機デバイス用蒸着材料について行う方法と同様の方法で行った。結果を下記表８に示す。
（製造例８の有機電界発光素子の作製）
　製造例１において、ホスト材料としてｍＣＰ（ビスカルバゾールベンゼン）を用いたこと、また、発光材料として平均粒径と均一度が異なり、昇華精製を行わなかった比較例３２～３３における構造式（Ｄ）の化合物を用いた有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例３２～３３における有機電界発光素子を製造した。
　これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を下記表８示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000021
 　なお、表８に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
　表８より、昇華精製をしていないと、粒径と均一度が範囲内に入っていても、蒸着速度安定性が悪いことが分かり、また、昇華精製を行い、材料中の不純物を取り除いた方が、初期低下を抑制できるだけでなく、蒸着速度が安定し、成膜均一性なども向上することが分かった。
［製造例９：比較例３４～３５］
　製造例１において、ホスト材料である前記構造式（Ａ）の化合物に代えて、上記構造式（Ｅ）からなる発光材料を用い、昇華精製を行わなかったこと以外は、製造例１と同様にして、下記表９に示す比較例３４～３５における有機デバイス用蒸着材料を製造した（製造例９）。
　また、平均粒径及び均一度の測定、並びに蒸着速度の測定方法及び蒸着速度安定性の評価は、製造例１における有機デバイス用蒸着材料について行う方法と同様の方法で行った。結果を下記表９に示す。
（製造例９の有機電界発光素子の作製）
　製造例１において、ホスト材料としてｍＣＰ（ビスカルバゾールベンゼン）を用いたこと、また、発光材料として平均粒径と均一度が異なり、昇華精製を行わなかった比較例３４～３５における構造式（Ｅ）の化合物を用いた有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例３４～３５における有機電界発光素子を製造した。
　これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を下記表９に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000022
 　なお、表９に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
　表９より、昇華精製をしていないと、粒径と均一度が範囲内に入っていても、蒸着速度安定性が悪いことが分かり、また、昇華精製を行い、材料中の不純物を取り除いた方が、初期低下を抑制できるだけでなく、蒸着速度が安定し、成膜均一性なども向上することが分かった。
（製造例１０の有機電界発光素子の作製）
　製造例１において、ホスト材料としての構造式（Ａ）の化合物と、発光材料としての平均粒径と均一度が異なる構造式（Ｅ）の化合物とをあらかじめ質量比９５：５で混合した有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いたこと以外は、製造例１と同様にして、実施例２５及び比較例３６における有機電界発光素子を製造した。
　これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を下記表１０に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000023
 　なお、表１０に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
　表１０より、粒径と均一度が規定された材料は、１種類からなるものでもよいし、複数の材料が混合されたものでもよいことが分かった。
（製造例１１の有機電界発光素子の作製）
　製造例１において、ホスト材料としての構造式（Ａ）の化合物と、発光材料としての平均粒径と均一度が異なる構造式（Ｆ）の化合物とをあらかじめ質量比９０：１０で混合した有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いたこと以外は、製造例１と同様にして、実施例２６及び比較例３７における有機電界発光素子を製造した。
　これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を下記表１１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000024
 　なお、表１１に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
　表１１より、粒径と均一度が規定された材料は１種類からなるものでもよいし、複数の材料が混合されたものでもよいことが分かった。
　本発明の有機デバイス用蒸着材料及び該有機デバイス蒸着材料を用いた有機デバイスの製造方法によれば、蒸着速度の安定性に優れ、大面積の有機化合物を含む膜を均一に成膜することができるとともに、有機デバイスの性能がバラつくことを低減させる有機デバイス用蒸着材料及び該有機デバイス用蒸着材料を用いた有機デバイスの製造方法を提供することできるので、有機電界発光素子、及び有機薄膜太陽電池、有機電界効果トランジスタなどの有機デバイスの製造分野において好適に用いられる。
　　　１　　　基板
　　　２　　　陽極
　　　３　　　正孔注入層
　　　４　　　正孔輸送層
　　　５　　　発光層
　　　６　　　電子輸送層
　　　７　　　電子注入層
　　　８　　　陰極
　　１０　　　有機電界発光素子

Claims (7)

  1. 　有機デバイスの製造に用いられる蒸着材料であって、Ｄ５０％で表される平均粒径が１０μｍ～２００μｍであり、かつＤ６０％径／Ｄ１０％径で表される均一度が１．０～４．０であることを特徴とする有機デバイス用蒸着材料。
  2. 　有機化合物及び無機酸化物のいずれかを含有する請求項１に記載の有機デバイス用蒸着材料。
  3. 　有機電界発光素子における一対の電極間に配される少なくとも一つの有機層の形成に用いられる請求項１から２のいずれかに記載の有機デバイス用蒸着材料。
  4. 　有機層が発光層である請求項３に記載の有機デバイス用蒸着材料。
  5. 　Ｉｒ錯体及びＰｔ錯体のいずれかを含む請求項４に記載の有機デバイス用蒸着材料。
  6. 　請求項１から５のいずれかに記載の有機デバイス用蒸着材料をフラッシュ蒸着法により蒸着させて有機層を形成する工程を含むことを特徴とする有機デバイスの製造方法。
  7. 　請求項６に記載の有機デバイスの製造方法により製造されたことを特徴とする有機デバイス。
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