JP2002170684A

JP2002170684A - 発光素子及びイリジウム錯体

Info

Publication number: JP2002170684A
Application number: JP2001219909A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Igarashi; 達也五十嵐; Keizo Kimura; 桂三木村
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2000-09-21
Filing date: 2001-07-19
Publication date: 2002-06-14
Anticipated expiration: 2021-07-19
Also published as: JP4067286B2; US6808827B2; US20050031904A1; US20020048689A1

Abstract

(57)【要約】【課題】高効率発光素子およびそれを実現する新規金
属錯体を提供する。【解決手段】一対の電極間に発光層もしくは発光層を
含む複数の有機化合物層を形成した発光素子において、
少なくとも一層に遷移金属原子−燐原子間に結合を有す
る化合物を含有する発光素子および遷移金属原子−燐原
子間に結合を有する金属錯体化合物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気エネルギーを
光に変換して発光できる発光素子用材料および発光素子
に関し、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子
写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、
標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用
できる発光素子に関する。また、青色領域に強い発光を
示すイリジウム錯体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】今日、種々の表示素子に関する研究開発
が活発であり、中でも有機電界発光（ＥＬ）素子は、低
電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表
示素子として注目されている。例えば、有機化合物の蒸
着により有機薄膜を形成する発光素子が知られている
（アプライドフィジックスレターズ，５１巻，９１
３頁，１９８７年）。この文献に記載された発光素子は
トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体
（Ａｌｑ）を電子輸送材料として用い、正孔輸送材料
（アミン化合物）と積層させることにより、従来の単層
型素子に比べて発光特性を大幅に向上させている。近
年、有機ＥＬ素子をカラーディスプレイ、白色光源へと
適用することが活発に検討されているが、高性能カラー
ディスプレイ、及び、白色光源を開発する為には青・緑
・赤、それぞれの発光素子の特性を向上する必要が有
る。発光素子特性向上の手段として、オルトメタル化イ
リジウム錯体（Ir(ppy)₃:Ｔｒｉｓ−Ｏｒｔｈｏ−Ｍｅ
ｔａｌａｔｅｄＣｏｍｐｌｅｘｏｆＩｒｉｄｉｕ
ｍ（ＩＩＩ）ｗｉｔｈ２−Ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎ
ｅ）からの発光を利用した緑色発光素子が報告されてい
る（Applied Physics Letters ７５，４（１９９
９）．）。しかしながら、Ir(ppy)₃緑色発光に限定され
ている為、ディスプレイとしての適用範囲が狭く、高効
率で他色（青、赤）に発光する素子の開発が求められて
いた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高効
率発光素子の提供にあり、また、それを実現する新規金
属錯体の提供にある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】この課題は下記手段によ
って達成された。 (1) 一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の
有機化合物層を形成した発光素子において、少なくとも
一層に遷移金属原子−燐原子間に結合を有する化合物を
含有することを特徴とする発光素子。 (2) 一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の
有機化合物層を形成した発光素子において、少なくとも
一層に一般式（２）で表される化合物を含有することを
特徴とする(1)記載の発光素子。

【０００５】

【化５】

【０００６】式中、Ｒ²¹は水素原子または置換基を表
し、Ｌ²¹は配位子を表し、Ｘ²¹は対イオンを表す。ｎ²¹
は３〜５の整数を表し、ｎ²²は１〜８の整数を表し、ｎ
²³は０〜８の整数を表し、ｎ²⁴は０〜６の整数を表す。
ｎ²¹、ｎ²²、ｎ²³、ｎ²⁴が複数の場合は、複数のＲ²¹、
（Ｒ²¹）_n21−Ｐ、Ｌ²¹、Ｘ²¹はそれぞれ同一であって
も異なっても良い。 (3) 遷移金属原子−燐原子間に結合を有する化合物が３
５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の発光極大波長（λｍａ
ｘ）を有する化合物であることを特徴とする(1)または
(2) に記載の発光素子。 (4) 遷移金属原子−燐原子間に結合を有する化合物を含
有する層が塗布プロセスで成膜されていることを特徴と
する(1) 、(2) または(3)に記載の発光素子。 (5) 一般式（４）で表される化合物。

【０００７】

【化６】

【０００８】Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁴⁵は置換基を
表す。Ｌ⁴¹は配位子を表す。Ｘ⁴¹は対アニオンを表し、
ｍ⁴¹、ｍ⁴²はそれぞれ０〜４の整数を表す。ｎ⁴¹は０又
は１を表す。 (6) 一般式（５）で表される化合物。

【０００９】

【化７】

【００１０】Ｒ⁵¹、Ｒ⁵²、Ｒ⁵³、Ｒ⁵⁴、Ｒ⁵⁵、Ｒ⁵⁶はそ
れぞれ置換基を表す。Ｚ⁵¹は連結基を表し、Ｘ⁵¹は対ア
ニオンを表し、ｍ⁵¹、ｍ⁵²はそれぞれ０〜４の整数を表
す。 (7) 一般式（６）で表される化合物。

【００１１】

【化８】

【００１２】Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³、Ｒ⁶⁴、Ｒ⁶⁵はそれぞれ
置換基を表す。Ｚ⁶¹は連結基を表す。ｍ⁶¹、ｍ⁶²はそれ
ぞれ０〜４の整数を表す。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の発光素子は、遷移金属原子−燐原子間に
結合を有する化合物（以下「本発明の化合物」という）
を有する。遷移金属原子は特に限定しないが、好ましく
は、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステ
ン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金であり、
より好ましくはレニウム、イリジウム、白金である。こ
れらの遷移金属原子に結合する燐原子は、好ましくは燐
配位子の一部を構成する。本発明の化合物が有する燐配
位子としては、特に限定されず、種々の公知の燐配位
子、及び、その誘導体を用いることができる（例えば、
Ｇ．Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ等著，Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉ
ｖｅＣｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎＣｈｅｍｉｓｔｒ
ｙ，ＰｅｒｇａｍｏｎＰｒｅｓｓ社１９８７年発行、
H.Ｙｅｒｓｉｎ著, 「Photochemistry and Photophysic
s of Coordination Compounds」 Springer-Verlag社１
９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用
−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子など）。
本発明の化合物が有する燐配位子としては、好ましく
は、アルキルホスフィン及びその誘導体、アリールホス
フィン及びその誘導体、ヘテロアリールホスフィン及び
その誘導体、アルコキシホスフィン及びその誘導体、ア
リールオキシホスフィン及びその誘導体、ヘテロアリー
ルオキシアミノホスフィン及びその誘導体、ホスフィニ
ン（ホスファベンゼン）及びその誘導体、アミノホスフ
ィン及びその誘導体である。

【００１４】本発明の化合物は燐配位子以外に種々の公
知の配位子を有することができる（例えば、Ｇ．Ｗｉｌ
ｋｉｎｓｏｎ等著，ＣｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅＣｏ
ｏｒｄｉｎａｔｉｏｎＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｐｅｒｇ
ａｍｏｎＰｒｅｓｓ社１９８７年発行、H.Yersin著，
「Photochemistry and Photophysics of Coordination
Compounds」 Springer-Verlag社１９８７年発行、山本
明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８
２年発行等に記載の配位子など）。燐配位子以外の配位
子としては、好ましくは、ハロゲン配位子（好ましくは
塩素配位子）、含窒素ヘテロ環配位子（例えばフェニル
ピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジ
ル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば
アセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子（例えば酢
酸配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位
子、シアノ配位子であり、より好ましくは含窒素ヘテロ
環配位子である。本発明の化合物は、化合物中に遷移金
属原子を一つ有しても良いし、また、２つ以上有するい
わゆる複核錯体であっても良い。異種の金属原子を同時
に含有していても良い。また、本発明の化合物は、発光
極大波長（λｍａｘ）が５５０ｎｍ以下３５０ｎｍ以上
であることが好ましく、５００ｎｍ以下３８０ｎｍ以上
であることがより好ましく、４８０ｎｍ以下４００ｎｍ
以上であることがさらに好ましい。

【００１５】本発明の化合物を含有する発光素子は、発
光色の青色色純度の観点から、発光のＣＩＥ色度値のｘ
値及びｙ値は小さい程好ましい。具体的には、発光のＣ
ＩＥ色度値のｘ値は０．２２以下であるのが好ましく、
０．２０以下であるのがより好ましい。また、発光のＣ
ＩＥ色度値のｙ値は０．５３以下であるのが好ましく、
０．５０以下であるのがより好ましく、０．４０以下で
あるのが更に好ましい。本発明の化合物を含有する発光
素子は、青色色純度の観点から、発光スペクトルの半値
幅が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるのが好ましく、５
ｎｍ以上９０ｎｍ以下であるのがより好ましく、１０ｎ
ｍ以上８０ｎｍ以下であるのがさらに好ましく、２０ｎ
ｍ以上７０ｎｍ以下であるのが特に好ましい。

【００１６】本発明の化合物の好ましい形態は、一般式
（１）で表される化合物である。

【００１７】

【化９】

【００１８】一般式（１）で表される化合物に関して説
明する。Ｒ¹は水素原子または置換基を表し、Ｍ¹は遷移
金属イオンを表し、Ｌ¹は配位子を表し、Ｘ¹は対イオン
を表す。ｎ¹は２又は３を表し、ｎ²は１〜８の整数を表
し、ｎ³は０〜８の整数を表し、ｎ⁴は０〜６の整数を表
す。ｎ¹、ｎ²、ｎ³、ｎ⁴ が複数の場合は、複数のＲ¹、
（Ｒ¹）_n1−Ｐ、Ｌ¹、Ｘ¹ はそれぞれ同一であっても異
なっても良い。（Ｒ¹）_n1−Ｐ配位子同士、Ｌ¹配位子同
士、または（Ｒ¹）_n1−Ｐ配位子とＬ¹配位子が結合して
キレート配位子を形成してもよい。Ｒ¹で表される置換
基としては例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜
３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは
炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ
−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デ
シル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペン
チル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニ
ル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素
数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例
えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルな
どが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数
２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好まし
くは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−
ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好まし
くは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、
特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニ
ル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなど
が挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３
０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭
素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジ
メチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジ
フェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられ
る。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、よ
り好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１
〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、
２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリー
ルオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましく
は炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であ
り、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−
ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロアリール
オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは
炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であ
り、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジ
ルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシ
ル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素
数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例
えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなど
が挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましく
は炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特
に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカ
ルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、
アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３
０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭
素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニル
などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭
素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好
ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベ
ンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基
（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２
〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば
アセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられ
る。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭
素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好
ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボ
ニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカル
ボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ま
しくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２
であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが
挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素
数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ま
しくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニル
アミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられ
る。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３
０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭
素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルス
ルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスル
ファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好
ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２
０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカル
バモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイ
ル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アル
キルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましく
は炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であ
り、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられ
る。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、
より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数
６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられ
る。）、ヘテロアリールチオ基（好ましくは炭素数１〜
３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは
炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベン
ズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−
ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニ
ル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素
数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例
えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニ
ル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素
数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例
えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが
挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３
０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭
素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイ
ド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸ア
ミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭
素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、
例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドな
どが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハ
ロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、
ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、
ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジ
ノ基、イミノ基、ヘテロ環基（脂肪族ヘテロ環基、ヘテ
ロアリール基が挙げられ、好ましくは炭素数１〜３０、
より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子とし
ては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的に
は例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、
チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリ
ル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾ
リルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素
数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ま
しくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリ
ル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、ホスフ
ィノ基（（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは
炭素数２〜１２、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフ
ェニルホスフィノ基などが挙げられる）などが挙げられ
る。これらの置換基は更に置換されてもよい。

【００１９】複数のＲ¹はそれぞれ結合して環構造を形
成しても良い。また、Ｒ¹基上の原子がＭ¹と結合して、
いわゆるキレート錯体を形成しても良い。Ｒ¹とＬ¹が結
合してキレート配位子を形成してもよい。Ｒ¹として
は、好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロアリー
ル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリー
ルオキシ基、置換アミノ基、ホスフィニン環（ホスファ
ベンゼン環）を形成する基である。Ｒ¹の少なくとも一
つがアルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリール
オキシ基であることが好ましく、アルコキシ基、アリー
ルオキシ基がさらに好ましい。また、本発明の化合物に
含有される燐配位子はキレート配位子が好ましい。Ｍ¹
は遷移金属原子を表す。遷移金属としては好ましくは、
ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レ
ニウム、オスミウム、イリジウム、白金であり、より好
ましくは、レニウム、イリジウム、白金である。

【００２０】Ｌ¹は配位子を表す。Ｌ¹としては、例え
ば、前記燐配位子以外に有しても良い配位子で説明した
配位子が挙げられる。好ましくは、ハロゲン配位子（好
ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば
フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビ
ピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子
（例えばアセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子
（例えば酢酸配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニ
トリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは含
窒素ヘテロ環配位子である。Ｘ¹は対イオンを表す。対
イオンとしては、特に限定されないが、好ましくはアル
カリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイ
オン、パークロレートイオン、ＰＦ₆イオン、アンモニ
ウムイオン（例えばテトラメチルアンモニウムイオンな
ど）である。ｎ¹は好ましくは３である。ｎ²は好ましく
は１〜３である。ｎ³は好ましくは０〜３である。ｎ⁴は
好ましくは０〜３である。本発明の化合物は、一般式
（２）、一般式（７）で表される化合物が好ましく（よ
り好ましくは一般式（２）で表される化合物）、一般式
（２）の中でも一般式（８）で表される化合物がより好
ましく、一般式（３）で表される化合物が更に好まし
い。一般式（３）で表される化合物は、一般式（４）、
一般式（５）、一般式（６）で表される化合物が好まし
く、一般式（５）で表される化合物が更に好ましい。

【００２１】

【化１０】

【００２２】

【化１１】

【００２３】

【化１２】

【００２４】

【化１３】

【００２５】

【化１４】

【００２６】

【化１５】

【００２７】

【化１６】

【００２８】一般式（２）について説明する。Ｒ²¹、Ｌ
²¹、Ｘ²¹、ｎ²¹、ｎ²²、ｎ²³、ｎ²⁴は前記Ｒ¹、Ｌ¹、Ｘ
¹、ｎ¹、ｎ²、ｎ³、ｎ⁴ とそれぞれ同義であり、好まし
い範囲も同様である。一般式（２）で表される化合物の
イリジウムの価数は特に限定しないが、３価が好まし
い。化合物中にイリジウム原子を一つ有しても良いし、
また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であっても良い
が（例えば、Ｌ²¹またはＲ²¹中にイリジウム原子を含ん
でも良い）、イリジウム原子を一つ有する化合物が好ま
しい。他の金属原子を同時に含有していても良いが、イ
リジウム原子のみを有する化合物が好ましい。

【００２９】一般式（３）について説明する。Ｒ³¹、Ｘ
³¹、ｎ³¹は前記Ｒ¹、Ｘ¹、ｎ¹ とそれぞれ同義であり、
好ましい範囲も同様である。複数のＲ³¹は同じであって
も異なってもよい。Ｒ³²、Ｒ³³は置換基を表し、置換基
としては、例えば、前記Ｒ¹で説明した基が挙げられ
る。Ｒ³²はアルキル基、アリール基、ハロゲン原子が好
ましく、アルキル基、フッ素原子がより好ましい。Ｒ³³
は好ましくはアルキル基、アリール基、アミノ基、アル
コキシ基であり、より好ましくはアルキル基、アルコキ
シ基である。Ｒ³²、Ｒ³³中の原子はイリジウム原子と結
合を有していても良い。ｍ³¹、ｍ³²は０〜４の整数を表
し、０〜２が好ましい。ｍ³¹、ｍ³²が複数の場合、複数
個のＲ³²、Ｒ³³はそれぞれ同一であっても異なっても良
い。ｎ³⁴は０または１を表す。Ｌ³¹は単座配位の配位
子、または、Ｒ³¹と結合してキレート構造を形成する配
位子を表す。Ｌ³¹はハロゲン配位子、Ｒ³¹と結合してキ
レート構造を形成する配位子、シアノ配位子が好まし
く、Ｒ³¹と結合してキレート構造を形成する配位子がよ
り好ましい。ｎ³⁴は０または１を表す。Ｌ³¹がアニオン
性配位子の場合、ｎ³¹は０であり、Ｌ³¹が非イオン性配
位子の場合、ｎ³¹は１である。

【００３０】一般式（４）について説明する。Ｒ⁴¹、Ｒ
⁴²、Ｒ⁴³、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁴⁵は置換基を表す。Ｒ⁴¹はアルキル
基、アリール基、ヘテロアリール基が好ましい。Ｒ⁴⁴、
Ｒ⁴⁵の置換基の例、好ましい範囲は前記Ｒ¹と同じであ
る。Ｒ⁴²、Ｒ⁴³の置換基の例、好ましい範囲はそれぞれ
前記Ｒ³²、Ｒ³³と同じである。Ｌ⁴¹は単座の配位子、ま
たは、Ｒ⁴¹またはＲ⁴⁵と結合してキレート構造を形成す
る配位子を表す。Ｌ⁴¹としては、ハロゲン配位子、Ｒ⁴¹
またはＲ⁴⁵と結合してキレート構造を形成する配位子、
及びシアノ配位子が好ましい。ｍ⁴¹、ｍ⁴²はそれぞれｍ
³¹、ｍ³²と同義であり、また、好ましい範囲も同様であ
る。Ｘ⁴¹は前記Ｘ¹と同義であり、また、好ましい範囲
も同様である。ｎ⁴¹は０又は１を表し、Ｌ⁴¹がアニオン
性配位子の場合、ｎ⁴¹は０であり、Ｌ ⁴¹が非イオン性配
位子の場合、ｎ⁴¹は１である。

【００３１】一般式（５）について説明する。Ｒ⁵¹、Ｒ
⁵²、Ｒ⁵³、Ｒ⁵⁴、Ｒ⁵⁵、Ｒ⁵⁶はそれぞれ置換基を表す。
Ｒ⁵¹、Ｒ⁵²の例、好ましい範囲は前記Ｒ³²、Ｒ³³とそれ
ぞれ同じである。Ｒ⁵³、Ｒ⁵⁴、Ｒ⁵⁵、Ｒ⁵⁶はアルキル
基、アリール基、アルコキシ基が好ましい。

【００３２】Ｚ⁵¹は連結基を表す。Ｚ⁵¹としては例え
ば、アルキレン基（メチレン基、エチレン基、トリメチ
レン基、プロピレン基、テトラメチレン基など）、アル
ケニレン基（ビニレン基など）、アリーレン基（ｏ−フ
ェニレン基、２，３−ピリジレン基など）、酸素原子連
結基、硫黄原子連結基、カルボニル連結基、スルホニル
連結基、スルホキシド連結基、及びこれらを複数有する
連結基（例えば、エチレンオキシ連結基、２，２−ビナ
フチル連結基、−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）Ｏ−基など）などが挙げ
られる。これらの連結基は更に置換基を有してもよい。
置換基としては前記Ｒ¹で説明した基が挙げられる。Ｚ
⁵¹は好ましくはアルキレン基、アリーレン基、酸素原子
連結基、及びこれらを複数有する連結基であり、より好
ましくはｏ−フェニレン基である。

【００３３】Ｘ⁵¹は対アニオンを表し、対アニオンの
例、好ましい範囲は前記Ｘ⁴¹と同じである。ｍ⁵¹、ｍ⁵²
はそれぞれ０〜４の整数を表し、好ましい範囲は前記ｍ
³¹、ｍ ³²と同じである。

【００３４】一般式（６）について説明する。Ｒ⁶¹、Ｒ
⁶²、Ｒ⁶³、Ｒ⁶⁴、Ｒ⁶⁵はそれぞれ置換基を表す。Ｒ⁶¹、
Ｒ⁶²の例、好ましい範囲は前記Ｒ³²、Ｒ³³とそれぞれ同
じである。Ｒ⁶³、Ｒ⁶⁴はアルキル基、アリール基、アル
コキシ基が好ましい。Ｒ⁶⁵はアリール基、ヘテロアリー
ル基、アシル基、スルホニル基、ホスホニル基が好まし
い。Ｚ⁶¹は連結基を表し、好ましい範囲は前記Ｚ⁵¹と同
じである。ｍ⁶¹、ｍ⁶²はそれぞれ０〜４の整数を表し、
好ましい範囲は前記ｍ³¹、ｍ³²と同じである。

【００３５】一般式（７）について説明する。Ｒ⁷¹、Ｌ
⁷¹、Ｘ⁷¹、ｎ⁷¹は前記Ｒ¹、Ｌ¹、Ｘ ¹、ｎ¹と同義であ
り、好ましい範囲も同じである。ｎ⁷²は１〜４の整数を
表し、１、２が好ましい。ｎ⁷³は０〜４の整数を表し、
０、１が好ましい。ｎ⁷⁴は０〜２の整数を表し、０、１
が好ましい。

【００３６】一般式（８）について説明する。Ｒ⁸¹、Ｒ
⁸²、Ｒ⁸³はそれぞれ前記Ｒ¹と同義であり、好ましい範
囲も同じである。Ｌ⁸¹、Ｘ⁸¹は前記Ｌ¹、Ｘ¹と同義であ
り、好ましい範囲も同じである。ｎ⁸¹は１〜４の整数を
表し、１、２が好ましい。ｎ ⁸²は０〜３の整数を表し、
０、１が好ましい。ｎ⁸³は１、２を表し、２が好まし
い。ｎ⁸⁴は０、１を表す。

【００３７】Ｑ⁸¹は含窒素芳香環を形成する原子群を表
す。Ｑ⁸¹上に置換基を有していても良い（置換基として
は前記Ｒ¹で説明した基が挙げられる）。Ｑ⁸¹で形成さ
れる含窒素芳香環としては、ピリジン環、ピラジン環、
ピリミジン環、ピラゾール環、オキサゾール環、イミダ
ゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、ベン
ズアゾール環（ベンズオキサゾール、ベンズイミダゾー
ル、ベンズチアゾール）、キノリン環などが挙げられ、
好ましくはピリジン環、ベンズアゾール環であり、より
好ましくはピリジン環である。

【００３８】Ｑ⁸²は芳香環を形成する原子群を表す。Ｑ
⁸²上に置換基を有していても良い（置換基としては前記
Ｒ¹で説明した基が挙げられる）。Ｑ⁸²で形成される芳
香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセ
ン環、フェナントレン環、ピリジン環、ピラジン環、キ
ノリン環、チオフェン環、フラン環などが挙げられ、好
ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、チオフ
ェン環であり、より好ましくはベンゼン環である。

【００３９】本発明の化合物は低分子化合物であっても
良く、また、主鎖および／または側鎖に含まれる一般式
（１）で表される繰り返し単位を有するいわゆるオリゴ
マー化合物、ポリマー化合物（質量平均分子量（ポリス
チレン換算）は好ましくは１０００〜５００００００、
より好ましくは２０００〜１００００００、さらに好ま
しくは３０００〜１０００００である。）であっても良
い。本発明の化合物は低分子化合物が好ましい。次に本
発明の化合物例を示すが、本発明はこれに限定されな
い。

【００４０】

【化１７】

【００４１】

【化１８】

【００４２】

【化１９】

【００４３】

【化２０】

【００４４】

【化２１】

【００４５】

【化２２】

【００４６】

【化２３】

【００４７】

【化２４】

【００４８】

【化２５】

【００４９】

【化２６】

【００５０】

【化２７】

【００５１】

【化２８】

【００５２】

【化２９】

【００５３】

【化３０】

【００５４】

【化３１】

【００５５】本発明の化合物は種々の手法で合成するこ
とができる。例えば、りん配位子、及び種々の配位子、
またはその解離体と遷移金属化合物を溶媒（例えば、ハ
ロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、水
などが挙げられる）の存在下、もしくは、溶媒非存在
下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、
ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリ
エチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、もし
くは、塩基非存在下、室温以下、もしくは加熱し（通常
の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効
である）得ることができる。

【００５６】次に、本発明の化合物を含有する発光素子
に関して説明する。本発明の発光素子は、本発明の化合
物を利用する素子であればシステム、駆動方法、利用形
態など特に問わないが、本発明の化合物からの発光を利
用するもの、または本発明の化合物を電荷輸送材料とし
て利用するものが好ましい。代表的な発光素子として有
機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を挙げること
ができる。本発明の化合物を含有する発光素子の有機層
の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加
熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コ
ーティング法、インクジェット法、印刷法、転写法など
の方法が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コ
ーティング法が好ましい。

【００５７】本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電
極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物層
〔←薄膜〕を形成した素子であり、発光層のほか正孔注
入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層な
どを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機
能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞ
れ種々の材料を用いることができる。陽極は正孔注入
層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであ
り、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、また
はこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは
仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸
化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムス
ズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、
クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電
性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化
銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェ
ン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれら
とＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電
性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性
等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により
適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲の
ものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであ
り、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。

【００５８】陽極は通常、ソーダライムガラス、無アル
カリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが
用いられる。ガラスを用いる場合、その材質について
は、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アル
カリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライ
ムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施
したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機
械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガ
ラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましく
は０．７ｍｍ以上のものを用いる。陽極の作製には材料
によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場
合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着
法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウム
スズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は
洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、
発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場
合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的であ
る。

【００５９】陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層な
どに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送
層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン
化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の
材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いる
ことができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬ
ｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物または酸化物、アル
カリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物
または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム
−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−ア
ルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム
−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテ
リビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事
関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミ
ニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混
合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属
等である。陰極は、上記化合物及び混合物の単層構造だ
けでなく、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取る
こともできる。例えば、アルミニウム／フッ化リチウ
ム、アルミニウム／酸化リチウムの積層構造が好まし
い。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通
常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ま
しくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００
ｎｍ〜１μｍである。陰極の作製には電子ビーム法、ス
パッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法など
の方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成
分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の
金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能で
あり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよ
い。陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数
百Ω／□以下が好ましい。

【００６０】発光層の材料は、電界印加時に陽極または
正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができ
ると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を
注入することができる機能や、注入された電荷を移動さ
せる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させ
る機能を有する層を形成することができるものであれば
何でもよく、また、一重項励起子、または、三重項励起
子のいずれから発光する物であっても良い。例えばベン
ゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベ
ンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリ
フェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラ
フェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、ク
マリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘
導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアント
ラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘
導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエ
ン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリディ
ン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体や希土類
錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポ
リフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化
合物、有機シラン誘導体、本発明の化合物等が挙げられ
る。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通
常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好まし
くは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜
５００ｎｍである。

【００６１】本発明の化合物の発光層中における含有量
は発光層全体の質量に対して０．１〜１００質量％が好
ましく、１〜５０質量％がより好ましく、５〜３０質量
％がさらに好ましい。

【００６２】発光層は単一化合物で形成されても良い
し、複数の化合物で形成されても良い。また、発光層は
一つであっても複数であっても良く、それぞれの層が異
なる発光色で発光して、例えば、白色を発光しても良
い。同一層で白色発光しても良い。発光層が複数の場合
は、それぞれの発光層は単一材料で形成されていても良
いし、複数の化合物で形成されていても良い。発光層の
形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱
蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コー
ティング法（スピンコート法、キャスト法、ディップコ
ート法など）、インクジェット法、印刷法、ＬＢ法、転
写法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、
コーティング法である。

【００６３】正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極か
ら正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から
注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、カルバゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリー
ルアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導
体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン
誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチ
ルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化
合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系
化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、
ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共
重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導
電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体、カーボン
膜、本発明の化合物等が挙げられる。正孔注入層、正孔
輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１
ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは
５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５０
０ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料
の１種または２種以上からなる単層構造であってもよい
し、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造
であってもよい。正孔注入層、正孔輸送層の形成方法と
しては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送剤を溶
媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピ
ンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、イ
ンクジェット法、印刷法、転写法が用いられる。コーテ
ィング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散するこ
とができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、
ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリ
レート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポ
リスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエ
ン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、
ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセル
ロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラ
ミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エ
ポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。

【００６４】電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極か
ら電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から
注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、トリアゾール誘
導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキ
ノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノ
ン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミ
ド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリル
ピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テト
ラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノ
リノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベ
ンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金
属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、
本発明の化合物等が挙げられる。電子注入層、電子輸送
層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ
〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎ
ｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎ
ｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１
種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、
同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であ
ってもよい。電子注入層、電子輸送層の形成方法として
は、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送剤を溶媒に
溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコ
ート法、キャスト法、ディップコート法など）、インク
ジェット法、印刷法、転写法などが用いられる。コーテ
ィング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散するこ
とができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の
場合に例示したものが適用できる。

【００６５】保護層の材料としては水分や酸素等の素子
劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能
を有しているものであればよい。その具体例としては、
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ
ｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｇ
ｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｙ₂ Ｏ₃、
ＴｉＯ₂等の金属酸化物、ＳｉＮ_x、ＳｉＮ_xＯ_y等の金属
窒化物、ＭｇＦ₂、ＬｉＦ、ＡｌＦ₃、ＣａＦ₂等の金属
フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチル
メタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラ
フルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、
ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロ
エチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、
テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマー
とを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合
体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、
吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防
湿性物質等が挙げられる。保護層の形成方法についても
特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング
法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキ
シ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティ
ング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティ
ング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱Ｃ
ＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷
法、転写法を適用できる。

【００６６】

【実施例】以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本
発明の実施の態様はこれらに限定されない。（１−１）の合成イリジウム錯体ａ（J. Am. Chem. Soc.1984, 106, 664
7.に記載の方法を参考に調製）０．２ｇ、トリフェニル
ホスフィン０．１７ｇにクロロホルム２０ｍｌを加え、
還流下、３時間攪拌した。室温に冷却した後、溶液をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で
精製し、淡黄色固体（１−１）０．１ｇを得た。酸素を
脱気した後、（１−１）の発光を測定したところ（トル
エン溶媒、５．０×１０^-6Ｍ）、発光のλｍａｘは４７
０ｎｍであった。同一条件下でイリジウム錯体ａの発光
を測定したが、発光は観測されなかった。（１−１３）の合成イリジウム錯体ａ０．２ｇ、亜りん酸トリエチル０．１
２ｍｌにクロロホルム２０ｍｌを加え、還流下、３時間
攪拌した。室温に冷却した後、溶液をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（クロロホルム）で精製し、淡黄色
固体（１−１３）０．１３ｇを得た。酸素脱気下、（１
−１３）の発光を測定したところ（トルエン溶媒、５．
０×１０^-6Ｍ）、発光のλｍａｘは４６５ｎｍであっ
た。

【００６７】（１−６１）の合成イリジウム錯体ｂ（J. Am. Chem. Soc.1984, 106, 664
7.に記載の方法を参考に調製）１．０ｇ、ホスフィン配
位子ｃ１．２ｇにクロロホルム２０mlを加え、還流下、
３時間攪拌した。室温に冷却した後、溶液をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（クロロホルムで展開した
後、クロロホルム／メタノール系で展開）で精製し、淡
黄色固体０．８ｇを得た。この固体にメタノール３０ml
を加え、この溶液にＮａＣｌＯ₄・Ｈ₂Ｏ０．５ｇを加え
た。析出した固体をろ別し、メタノールで洗浄した。ク
ロロホルム／ヘキサン系で再結晶し、白色固体(1-61)
０．５ｇを得た。ＮＭＲにより構造を確認した。酸素脱
気下、(1-61)のりん光を測定したところ（トルエン溶
媒、５．０×１０^-6Ｍ）、りん光のλmaxは４４０nmで
あり、りん光量子収率φは６０％であった。（１−７０）の合成イリジウム錯体ｂ０．２ｇ、ホスフィン配位子ｄ０．１
７ｇにクロロホルム１０mlを加え、この溶液にナトリウ
ムメトキサイドのメタノール溶液（28質量％）０．１ml
を加えた。還流下、３時間攪拌し、室温に冷却した後、
溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホ
ルムで展開した後、クロロホルム／メタノール系で展
開）で精製し、黄色固体(1-70)０．１ｇを得た。マスス
ペクトル測定により、(1-70)の構造を確認した。

【００６８】

【化３２】

【００６９】

【化３３】

【００７０】

【化３４】

【００７１】比較例１ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）４０ｍｇ、ＰＢＤ（２
−(４−ビフェニル)−５−(４−ｔ−ブチルフェニル）
−１，３，４−オキサジアゾール）１２ｍｇ、化合物Ａ
１ｍｇをジクロロエタン２．５ｍｌに溶解し、洗浄し
た基板上にスピンコートした（１５００ｒｐｍ、２０ｓ
ｅｃ）。有機層の膜厚は９８ｎｍであった。有機薄膜上
にパターニングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍ
となるマスク）を設置し、蒸着装置内でマグネシウム：
銀＝１０：１を５０ｎｍ共蒸着した後、銀５０ｎｍを蒸
着した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４０
０型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加し発光さ
せ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８、発光波長
を浜松フォトニクス社製スペクトルアナライザーＰＭＡ
−１１を用いて測定した。その結果、ＥＬｍａｘ＝５０
５ｎｍ、ＣＩＥ色度値（ｘ，ｙ）＝（０．２７，０．５
７）の緑色発光が得られた。

【００７２】

【化３５】

【００７３】比較例２化合物Ａの代わりに化合物Ｂを用い、比較例１と同様に
素子作製評価した。その結果、素子からの発光は全く得
られなかった。

【００７４】実施例１化合物Ａの代わりに（１−１３）を用い、比較例１と同
様に素子作製評価した。その結果、ＥＬｍａｘ＝４７５
ｎｍの青色発光が得られた。

【００７５】実施例２ Baytron P(PEDOT-PSS溶液（ポリエチレンジオキシチオ
フェン−ポリスチレンスルホン酸ドープ体）／バイエル
社製)を洗浄した基板上にスピンコートし（１０００rp
m、３０sec）、１５０℃にて１．５時間、真空乾燥し
た。有機層の膜厚は７０nmであった。ポリメチルメタク
リレート１０mg、化合物Ｃ２０mg、本発明の化合物(1-6
1)１mgをジクロロエタン２mlに溶解し、洗浄した基板上
にスピンコートした（１０００rpm、２０sec）。この基
板を蒸着装置内に入れ、化合物Ｄを３６nm蒸着した。有
機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が４mm×
５mmとなるマスク）を設置し、フッ化リチウムを３nm蒸
着した後、アルミニウムを４００nm蒸着した。東陽テク
ニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直
流定電圧をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプ
コン社の輝度計ＢＭ−８、発光波長を浜松フォトクス社
製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定し
た。その結果、ＥＬmax＝４４７nm、ＣＩＥ色度値
（ｘ、ｙ）＝（０．１９、０．１９）の青色発光が得ら
れた。素子の外部量子効率は０．５％であった。

【００７６】実施例３化合物Ｃ２０mgおよび本発明の化合物(1-61)１mgの代わ
りに、化合物Ｃ１０mg、本発明の化合物(1-61)５mgおよ
び化合物Ｄ６mgを用い、実施例２と同様に素子作製評価
した。その結果、ＥＬmax＝４４７nm、ＣＩＥ色度値
（ｘ、ｙ）＝（０．１９、０．２４）の青色発光が得ら
れた。素子の外部量子効率は１．３％であった。

【００７７】実施例４洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、ＴＰＤ（Ｎ，
Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ジ（ｍ−トリル）−ベンジ
ジン）を５０nm蒸着し、この上に、化合物Ｃと本発明の
化合物(1-70)を１７対１の比率（質量比）で３６nm共蒸
着し、この上にアゾール化合物Ｄを３６nm蒸着した。実
施例２と同様に陰極蒸着し、素子作製した。その結果、
ＣＩＥ色度値（０．１８、０．３６）の青色発光が得ら
れ、素子の外部量子効率は５．１％であった。

【００７８】

【化３６】

【００７９】同様に、本発明の化合物を含有するＥＬ素
子を作製・評価することにより、従来の重金属錯体では
難しかった青色発光ＥＬ素子が作製できる。またそれを
応用し、白色発光素子も作製できる。また、非共役系高
分子（例えば、ポリビニルカルバゾール）、共役系高分
子（例えばポリフルオレン系化合物）などを含有する塗
布型の高効率青色発光素子も作製できる。

【００８０】

【発明の効果】本発明の青色発光素子は表示素子、ディ
スプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光
源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア
等の分野に好適である。また、本発明の化合物は、医療
用途、蛍光増白剤、写真用材料、ＵＶ吸収材料、レーザ
ー色素、カラーフィルター用染料、色変換フィルター、
光通信等にも適用可能である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の電極間に発光層もしくは発光層を
含む複数の有機化合物層を形成した発光素子において、
少なくとも一層に遷移金属原子−燐原子間に結合を有す
る化合物を含有することを特徴とする発光素子。
【請求項２】一対の電極間に発光層もしくは発光層を
含む複数の有機化合物層を形成した発光素子において、
少なくとも一層に一般式（２）で表される化合物を含有
することを特徴とする請求項１記載の発光素子。【化１】式中、Ｒ²¹は水素原子または置換基を表し、Ｌ²¹は配位
子を表し、Ｘ²¹は対イオンを表す。ｎ²¹は３〜５の整数
を表し、ｎ²²は１〜８の整数を表し、ｎ²³は０〜８の整
数を表し、ｎ²⁴は０〜６の整数を表す。ｎ²¹、ｎ²²、ｎ
²³、ｎ²⁴が複数の場合は、複数のＲ²¹、（Ｒ²¹）_n21−
Ｐ、Ｌ²¹、Ｘ²¹はそれぞれ同一であっても異なっても良
い。
【請求項３】遷移金属原子−燐原子間に結合を有する
化合物が３５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の発光極大波長
（λｍａｘ）を有する化合物であることを特徴とする請
求項１または請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】遷移金属原子−燐原子間に結合を有する
化合物を含有する層が塗布プロセスで成膜されているこ
とを特徴とする請求項１、請求項２または請求項３に記
載の発光素子。
【請求項５】一般式（４）で表される化合物。【化２】Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁴⁵は置換基を表す。Ｌ⁴¹は
配位子を表す。Ｘ⁴¹は対アニオンを表し、ｍ⁴¹、ｍ⁴²は
それぞれ０〜４の整数を表す。ｎ⁴¹は０又は１を表す。
【請求項６】一般式（５）で表される化合物。【化３】Ｒ⁵¹、Ｒ⁵²、Ｒ⁵³、Ｒ⁵⁴、Ｒ⁵⁵、Ｒ⁵⁶はそれぞれ置換基
を表す。Ｚ⁵¹は連結基を表し、Ｘ⁵¹は対アニオンを表
し、ｍ⁵¹、ｍ⁵²はそれぞれ０〜４の整数を表す。
【請求項７】一般式（６）で表される化合物。【化４】Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³、Ｒ⁶⁴、Ｒ⁶⁵はそれぞれ置換基を表
す。Ｚ⁶¹は連結基を表す。ｍ⁶¹、ｍ⁶²はそれぞれ０〜４
の整数を表す。