JP2001181616A

JP2001181616A - オルトメタル化パラジウム錯体からなる発光素子材料および発光素子

Info

Publication number: JP2001181616A
Application number: JP37035099A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Igarashi; 達也五十嵐
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1999-12-27
Filing date: 1999-12-27
Publication date: 2001-07-03

Abstract

(57)【要約】【課題】発光特性が良好な発光素子およびそれを可能に
する発光素子材料を提供する。【解決手段】オルトメタル化パラジウム錯体からなる発
光素子材料および発光素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気エネルギーを
光に変換して発光できる発光素子用材料および発光素子
に関し、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子
写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、
標識、看板、インテリア等の分野に好適に使用できる発
光素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】今日、種々の表示素子に関する研究開発
が活発であり、中でも有機電界発光（ＥＬ）素子は、低
電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表
示素子として注目されている。例えば、有機化合物の蒸
着により有機薄膜を形成する発光素子が知られている
（アプライドフィジックスレターズ、５１巻、９１
３頁、１９８７年）。この文献に記載された発光素子は
トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体
（Ａｌｑ）を電子輸送材料として用い、正孔輸送材料
（アミン化合物）と積層させることにより、従来の単層
型素子に比べて発光特性を大幅に向上させている。

【０００３】近年、有機ＥＬ素子をカラーディスプレイ
へと適用することが活発に検討されているが、高性能カ
ラーディスプレイを開発する為には青・緑・赤、それぞ
れの発光素子の特性を向上する必要が有る。

【０００４】発光素子特性向上の手段として、オルソメ
タル化イリジウム錯体（Ir(ppy)₃：Ｔｒｉｓ−Ｏｒｔｈ
ｏ−ＭｅｔａｌａｔｅｄＣｏｍｐｌｅｘｏｆＩｒｉｄｉ
ｕｍ（ＩＩＩ）ｗｉｔｈ２−Ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉ
ｎｅ）からの発光を利用した緑色発光素子が報告されて
いる（Applied Physics Letters ７５、４（１９９
９）．）。本素子は外部量子収率８％を達しており、従
来素子の限界といわれていた外部量子収率５％を凌駕し
ているが、緑色発光に限定されているため、ディスプレ
イとしての適用範囲が狭く、高効率で他色に発光する発
光素子材料の開発が求められていた。

【０００５】一方、有機発光素子において高輝度発光を
実現しているものは有機物質を真空蒸着によって積層し
ている素子であるが、製造工程の簡略化、加工性、大面
積化等の観点から塗布方式による素子作製が望ましい。
しかしながら、従来の塗布方式で作製した素子では特に
発光効率の点で蒸着方式で作製した素子に劣っており、
新規発光素子材料の開発が望まれていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、発光
特性が良好な発光素子およびそれを可能にする発光素子
用材料の提供にある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この課題は下記手段によ
って達成された。オルトメタル化パラジウム錯体からなる発光素子材
料。一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有
機化合物薄層を形成した発光素子において、少なくとも
一層にに記載の発光素子材料を少なくとも一種含有す
る層であることを特徴とする発光素子。に記載の発光素子材料を含む層を塗布プロセスで成
膜することを特徴とするに記載の発光素子。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の化合物はオルトメタル化パラジウム錯体
（orthometalated Pd Complexes）からなる発光素子材
料である。オルトメタル化金属錯体とは、例えば「有機
金属化学−基礎と応用−」ｐ１５０、２３２裳華房社山
本明夫著１９８２年発行、「Photochemistry and Photo
physics of Coordination Compounds」 p71-p77,p135-p
146 Springer-Verlag社 H.Yersin著１９８７年発行等に
記載されている化合物群の総称である。

【０００９】オルトメタル化パラジウム錯体のパラジウ
ムの価数は特に限定しないが、２価が好ましい。オルト
メタル化パラジウム錯体の配位子は、オルトメタル化錯
体を形成し得る物であれば特に問わないが、例えば、ア
リール基置換含窒素ヘテロ環誘導体（アリール基の置換
位置は含窒素ヘテロ環窒素原子の隣接炭素上であり、ア
リール基としては例えばフェニル基、ナフチル基、アン
トラセニル基、ピレニル基などが挙げられ、含窒素ヘテ
ロ環としては、例えば、ピリジン、ピリミジン、ピラジ
ン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、キノキサリ
ン、フタラジン、キナゾリン、ナフトリジン、シンノリ
ン、ペリミジン、フェナントロリン、ピロール、イミダ
ゾール、ピラゾール、オキサゾール、オキサジアゾー
ル、トリアゾール、チアジアゾール、ベンズイミダゾー
ル、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、フェナン
トリジンなどが挙げられる）、ヘテロアリール基置換含
窒素ヘテロ環誘導体（ヘテロアリール基の置換位置は含
窒素ヘテロ環窒素原子の隣接炭素上であり、ヘテロアリ
ール基としては例えば前記の含窒素ヘテロ環誘導体を含
有する基、チオフェニル基、フリル基などが挙げられ
る）、７，８−ベンゾキノリン誘導体、ホスフィノアリ
ール誘導体、ホスフィノヘテロアリール誘導体、ホスフ
ィノキシアリール誘導体、ホスフィノキシヘテロアリー
ル誘導体、アミノメチルアリール誘導体、アミノメチル
ヘテロアリール誘導体等が挙げられる。アリール基置換
含窒素芳香族ヘテロ環誘導体、ヘテロアリール基置換含
窒素芳香族ヘテロ環誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘
導体が好ましく、フェニルピリジン誘導体、チオフェニ
ルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体がさ
らに好ましく、チオフェニルピリジン誘導体、７，８−
ベンゾキノリン誘導体が特に好ましい。

【００１０】本発明の化合物は、オルトメタル化錯体を
形成するに必要な配位子以外に、他の配位子を有してい
ても良い。他の配位子としては種々の公知の配位子が有
るが、例えば、「Photochemistry and Photophysics of
Coordination Compounds」Springer-Verlag社 H.Yersi
n著１９８７年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」
裳華房社山本明夫著１９８２年発行等に記載の配位子が
挙げられ、好ましくは、ハロゲン配位子（好ましくは塩
素配位子）、含窒素ヘテロ環配位子（例えばビピリジ
ル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子、ジチオ
カルバミン酸配位子、カルボン酸配位子であり、より好
ましくは塩素配位子、ビピリジル配位子、ジチオカルバ
ミン酸配位子、ジケトン配位子である。

【００１１】本発明の化合物の配位子の種類は１種類で
も良いし、複数の種類があっても良い。錯体中の配位子
の数は好ましくは１〜３種類であり、特に好ましくは
１，２種類であり、さらに好ましくは１種類である。

【００１２】本発明の化合物の炭素数は、好ましくは５
〜１００、より好ましくは１０〜５０、さらに好ましく
は１４〜３０である。

【００１３】本発明の化合物の好ましい形態は、一般式
（１）で表される部分構造を有する化合物またはその互
変異性体、一般式（２）で表される部分構造を有する化
合物またはその互変異性体、一般式（３）で表される部
分構造を有する化合物またはその互変異性体である。一
般式（２）で表される部分構造を有する化合物またはそ
の互変異性体、一般式（３）で表される部分構造を有す
る化合物またはその互変異性体がより好ましい。

【００１４】

【化１】

【００１５】一般式（１）で表される部分構造を有する
化合物またはその互変異性体は、化合物中にパラジウム
原子を一つ有しても良いし、また、２つ以上有するいわ
ゆる複核錯体であっても良い。他の金属原子を同時に含
有していても良い。一般式（２）で表される部分構造を
有する化合物またはその互変異性体、一般式（３）で表
される部分構造を有する化合物またはその互変異性体も
同様である。

【００１６】本発明の化合物のさらに好ましい形態は、
一般式（４）で表される化合物、一般式（５）で表され
る化合物、一般式（６）で表される化合物である。一般
式（５）で表される化合物、一般式（６）で表される化
合物が特に好ましい。

【００１７】

【化２】

【００１８】一般式（４）について説明する。Ｒ¹¹、Ｒ
¹²は置換基を表し、置換基としては、例えば、アルキル
基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数
１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例え
ばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチ
ル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シ
クロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが
挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜
３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは
炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブ
テニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキ
ニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭
素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、
例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられ
る。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より
好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜
１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナ
フチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基
（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０
〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えば
アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミ
ノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルア
ミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは
炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に
好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エ
トキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げ
られる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜
３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは
炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナ
フチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられ
る。）、ヘテロアリールオキシ基（好ましくは炭素数１
〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましく
は炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラ
ジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが
挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３
０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭
素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホ
ルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシ
カルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好まし
くは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２で
あり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル
などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基
（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７
〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えば
フェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシ
ルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましく
は炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であ
り、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げら
れる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３
０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭
素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイ
ルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル
アミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは
炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であ
り、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられ
る。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましく
は炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特
に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオ
キシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニ
ルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましく
は炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であ
り、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニ
ルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好
ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２
０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスル
ファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファ
モイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられ
る。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、
より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数
１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモ
イル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルな
どが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素
数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ま
しくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチ
ルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好まし
くは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、
特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル
チオなどが挙げられる。）、ヘテロアリールチオ基（好
ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２
０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリ
ジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキ
サゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げら
れる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、
より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数
１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられ
る。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、
より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数
１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼン
スルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ま
しくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２
０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレ
イド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げら
れる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３
０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭
素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フ
ェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ
基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ
基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、ス
ルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好
ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１
２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素
原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリ
ジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モル
ホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベ
ンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ま
しくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３
０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリ
メチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられ
る。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換さ
れてもよい。また、Ｒ¹¹基どうし、Ｒ¹²基どうし、もし
くは、Ｒ¹¹基、Ｒ¹²基が結合して縮環構造を形成しても
良い。

【００１９】Ｒ¹¹、Ｒ¹²はアルキル基、アリール基が好
ましく、アルキル基がより好ましい。

【００２０】ｑ¹¹、ｑ¹²は０〜４の整数を表し、０〜２
がより好ましく、０がさらに好ましい。ｑ¹¹、ｑ¹²が２
〜４の場合、複数個のＲ¹¹、Ｒ¹²はそれぞれ同一または
互いに異なっても良い。

【００２１】Ｌ¹は配位子を表す。配位子としては前記
オルトメタル化パラジウム錯体を形成するに必要な配位
子、及び、その他の配位子で説明した配位子が挙げられ
る。Ｌ¹はオルトメタル化パラジウム錯体を形成するに
必要な配位子、含窒素ヘテロ環配位子、ジケトン配位
子、ハロゲン配位子が好ましく、より好ましくはオルト
メタル化パラジウム錯体を形成するに必要な配位子、ビ
ピリジル配位子、フェナントロリン配位子である。

【００２２】ｎ¹は０、１、２、３を表し、０が好まし
い。ｍ¹は１、２を表し、好ましく２である。ｎ¹、ｍ¹
の数の組み合わせは、一般式（４）で表される金属錯体
が中性錯体となる数の組み合わせが好ましい。

【００２３】一般式（５）について説明する。Ｒ²¹、Ｒ
²²、ｎ²、ｍ²、ｑ²²、Ｌ²はそれぞれ前記Ｒ¹¹、Ｒ¹²、
ｎ¹、ｍ¹、ｑ¹²、Ｌ¹とそれぞれ同義である。ｑ²¹は
０、１、２を表し、０が好ましい。

【００２４】一般式（６）について説明する。Ｒ³¹、ｎ
³、ｍ³、Ｌ³それぞれ前記Ｒ¹¹、ｎ¹、ｍ¹、Ｌ¹と同義で
ある。ｑ³¹は０〜８の整数を表し、０〜２が好ましく、
０がより好ましい。

【００２５】本発明の化合物は一般式（１）等の繰り返
し単位をひとつ有する、いわゆる低分子化合物であって
も良く、また、一般式（１）等の繰り返し単位を複数個
有するいわゆる、オリゴマー化合物、ポリマー化合物
（重量平均分子量（ポリスチレン換算）は好ましくは１
０００〜５００００００、より好ましくは２０００〜１
００００００、さらに好ましくは３０００〜１００００
０である。）であっても良い。本発明の化合物は低分子
化合物が好ましい。

【００２６】次に本発明の化合物例を示すが、本発明は
これに限定されない。

【００２７】

【化３】

【００２８】

【化４】

【００２９】

【化５】

【００３０】

【化６】

【００３１】本発明の化合物は Inorg.Chem. 1989年、2
8号、309頁. J.Organomet.Chem. 1987年、 327号、 101
頁. 同 1987年、335号、293頁. J.Org.Chem. 1987年, 5
2号、73頁等、種々の公知の手法で合成することができ
る。

【００３２】次に、本発明の化合物を含有する発光素子
に関して説明する。本発明の発光素子は、本発明の化合
物を利用する素子であればシステム、駆動方法、利用形
態など特に問わないが、本発明の化合物からの発光を利
用するもの、または本化合物を電荷輸送材料として利用
する物が好ましい。代表的な発光素子として有機ＥＬ
（エレクトロルミネッセンス）素子を挙げることができ
る。

【００３３】本発明の化合物を含有する発光素子の有機
層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗
加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、
コーティング法、インクジェット法などの方法が用いら
れ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法が
好ましい。

【００３４】本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電
極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄
膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正
孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有し
てもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備え
たものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の
材料を用いることができる。

【００３５】陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層な
どに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用
いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材
料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金
属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金
属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物
または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物
質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなど
の有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物な
どが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、
特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好
ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能である
が、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、よ
り好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは
１００ｎｍ〜５００ｎｍである。

【００３６】陽極は通常、ソーダライムガラス、無アル
カリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが
用いられる。ガラスを用いる場合、その材質について
は、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アル
カリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライ
ムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施
したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機
械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガ
ラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましく
は０．７ｍｍ以上のものを用いる。陽極の作製には材料
によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場
合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着
法、化学反応法（ゾル−ゲル法など）、酸化インジウム
スズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は
洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、
発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場
合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的であ
る。

【００３７】陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層な
どに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送
層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン
化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の
材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いる
ことができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬ
ｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物、アルカリ土類金属
（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物、金、銀、
鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそ
れらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそ
れらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの
混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属
等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料
であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アル
ミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−
銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上記
化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及
び混合物を含む積層構造を取ることもできる。陰極の膜
厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜
５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎ
ｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍ
である。陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング
法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用い
られ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時
に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に
蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあ
らかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。陽極及び陰
極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が
好ましい。

【００３８】発光層の材料は、電界印加時に陽極または
正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができ
ると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を
注入することができる機能や、注入された電荷を移動さ
せる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させ
る機能を有する層を形成することができるものであれば
何でもよい。例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾ
イミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリ
ルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブ
タジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナ
フタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導
体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダ
ジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘
導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン
誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン
誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘
導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール
誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯
体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレ
ンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体、本
発明の化合物等が挙げられる。発光層の膜厚は特に限定
されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のも
のが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、
更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。発光層の
形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱
蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コー
ティング法（スピンコート法、キャスト法、ディップコ
ート法など）、インクジェット法、ＬＢ法などの方法が
用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法で
ある。

【００３９】正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極か
ら正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から
注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、カルバゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリー
ルアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導
体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン
誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチ
ルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化
合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系
化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、
ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共
重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導
電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体、本発明の化
合物等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は
特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの
範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍ
であり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種または２
種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成ま
たは異種組成の複数層からなる多層構造であってもよ
い。正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空
蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送剤を溶媒に溶解また
は分散させてコーティングする方法（スピンコート法、
キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット
法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共
に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例
えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレ
ン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレ
ート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオ
キシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾー
ル）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポ
リアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹
脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル
樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂など
が挙げられる。

【００４０】電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極か
ら電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から
注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、トリアゾール誘
導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ア
ントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピラン
ジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニ
リデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフ
タレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フ
タロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯
体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベン
ゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種
金属錯体、有機シラン誘導体等が挙げられる。電子注入
層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではない
が、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より
好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０
ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上
述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であ
ってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からな
る多層構造であってもよい。電子注入層、電子輸送層の
形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入
輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングする
方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法
など）、インクジェット法などが用いられる。コーティ
ング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散すること
ができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場
合に例示したものが適用できる。

【００４１】保護層の材料としては水分や酸素等の素子
劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能
を有しているものであればよい。その具体例としては、
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ
ｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｇ
ｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、Ｔ
ｉＯ₂等の金属酸化物、ＭｇＦ₂、ＬｉＦ、ＡｌＦ₃、Ｃ
ａＦ₂等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレ
ア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフル
オロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロ
ロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレン
との共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１
種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて
得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フ
ッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率
０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。保護層の形
成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、
スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ
（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、
イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起
イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザ
ーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーテ
ィング法を適用できる。

【００４２】

【実施例】以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本
発明の実施の態様はこれらに限定されない。

【００４３】比較例１ Applied Physics Letters ７５、４（１９９９）．に従
い、化合物Ａを含有するＥＬ素子を作製した。東陽テク
ニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直
流定電圧をＥＬ素子に印加し発光させ、発光波長を浜松
フォトニクス社製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１
を用いて測定した。その結果、ＥＬｍａｘ＝５３０ｎｍ
の緑色発光が得られた。

【００４４】

【化７】

【００４５】実施例１ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）４０ｍｇ、ＰＢＤ（２
−（４−ビフェニル)−５−（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）−１，３，４−オキサジアゾール）１２ｍｇ、本発
明の化合物（１−１）１ｍｇをジクロロエタン２．５ｍ
ｌに溶解し、洗浄した基板上にスピンコートした（１５
００ｒｐｍ，２０ｓｅｃ）。有機層の膜厚は９８ｎｍで
あった。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面
積が４ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置
内でマグネシウム：銀＝１０：１を５０ｎｍ共蒸着した
後、銀５０ｎｍを蒸着した。作製したＥＬ素子からは、
ＥＬｍａｘ＝４60ｎｍの青色の発光が得られた。実施例２実施例１の（１−１）の替わりに（１−２）を用い、実
施例１と同様に素子作製した。ＥＬｍａｘ＝５35ｎｍの
緑色の発光が得られた。実施例３実施例１の（１−１）の替わりに（１−３）を用い、実
施例１と同様に素子作製した。ＥＬｍａｘ＝470ｎｍの
青色の発光が得られた。同様に、本発明の化合物含有Ｅ
Ｌ素子を作製・評価したところ、種々の発光色を有する
ＥＬ素子を作製できることが確認できた。

【００４６】

【発明の効果】本発明の化合物は有機ＥＬ用材料として
使用可能であり、また、種々の発光色を有するＥＬ素子
を作製できることができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】オルトメタル化パラジウム錯体からなる
発光素子材料。
【請求項２】一対の電極間に発光層もしくは発光層を
含む複数の有機化合物薄層を形成した発光素子におい
て、少なくとも一層に請求項１に記載の発光素子材料を
少なくとも一種含有する層であることを特徴とする発光
素子。
【請求項３】請求項１に記載の発光素子材料を含む層
を塗布プロセスで成膜することを特徴とする請求項２に
記載の発光素子。