KR101330672B1 - 서로 다른 유기 물질의 2개 이하의 층을 포함하는 발광 유기 다이오드 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 유기 발광 다이오드는, 음극(7)과 접촉 상태에 있는 층의 영역(6)에서 n-도핑된 제 1 유기 물질(O1)에 기반한 층과, 양극(6)과 접촉 상태에 있는 층의 영역(2)에서 p-도핑된 제 2 유기 물질(O2)에 기반한 제 2 층과, 제 1 층과 제 2 층 중 어느 하나에 병합되며, 다른 층과 접촉상태에 있고 n-도핑 또는 p-도핑되지 않은 전자발광 존(4; 4')을 포함하되, 이에 의해 특히 낮은 비용의 고-성능 다이오드를 획득하는 것을 가능하게 한다.
다이오드, 유기, 도핑, 도너, 억셉터

Description

서로 다른 유기 물질의 2개 이하의 층을 포함하는 발광 유기 다이오드{LIGHT-EMITTING ORGANIC DIODE COMPRISING NOT MORE THAN TWO LAYERS OF DIFFERENT ORGANIC MATERIALS}
본 발명은 유기 발광 다이오드에 대한 것이다. 또한, 본 발명은 동일한 기판에 의해 지지되는 이들 다이오드의 네트워크를 포함하는 조명 또는 이미지-디스플레이 패널에 관한 것이다.
특허 문서 제EP0498979 B1호(출원인: 도시바)는 유기 발광 다이오드를 공개하고 있는데, 이 유기 발광 다이오드는,
- 기판,
- 전도 물질(M1)로 구성된 음극 및 전도 물질(M2)로 구성된 양극,
- n-도핑된 제 1 유기 물질(O1)에 기반하고 음극과 접촉 상태에 있는 제 1 층,
- p-도핑된 제 2 유기 물질(O2)에 기반하고, 양극과 접촉 상태에 있는 제 2 층, 및
- n-도핑 또는 p-도핑되지 않는 제 3 유기 물질(O3)에 기반하고, 제 1 층 및 제 2 층 사이에 놓이는 제 3 층을 포함한다. 도 1을 참조하면, 특허 문서 제US2004-062949호(출원인: NOVALED)와 특허 문서 제US6566807호는 도핑층의 이러한 구조에 차단층을 더한다: 즉, 홀 주입 층(O2)과 전자발광 층(O3) 사이에 놓이는 물질(O4)의 전자 차단층, 전자 주입 층(O1)과 전자발광 층(O3) 사이에 놓이는 물질(O5)의 홀 차단층.
이들 특허 문서는 서로 다른 층의 다양한 유기 물질의 필요한 전자특성을 지정한다.
이들 특성을 한정하기 위해, 특히 다음 파라메타가 정의된다:
- 음극의 전도성 물질의 일함수(EM1)와 양극의 전도성 물질의 일함수(EM2);
- n-도핑 층의 기본 물질의 각각에 대한 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)레벨의 에너지, HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 레벨의 에너지: 홀 차단층의 기본 물질(O5)의 E01C, EO1V: 전자발광층의 기분 물질(O3)의 E05C, E05V: 전자 차단 층의 기본 물질(O4)의 EO3C, EO3V: p-도핑 층의 기본 물질(O2)의 E04C, E04V: EO2C, EO2V; 이들 모든 레벨은 무한에서 진공상태에 있는 전자 에너지(일함수의 경우 동일한 기초)에 관련하여 양으로 평가됨.
도 1에 예시된 바와 같이, 이들 특허 문서에 따른 다이오드의 최적 기능화를 획득하기 위해, 다음이 중요하다:
- EM1 ≥ EO1C, 이는 음극과 n-도핑 유기층 사이의 계면(surface)에 전위장벽이 있고, 이 계면에서 접합이 저항성이 아님을 의미한다; 이 전위 장벽의 높이는 0.5eV로 제한될 수 있거나, 또는 더 높은 장벽의 경우, 도핑 레벨은 이에 따라 적응되어 이러한 장벽을 지나는 전자의 통과를 촉진한다; 만일 EO1F가 점유된 레벨의 중심자(centroid)로서 도핑된 존에 있는 전자의 페르미 준위를 표시한다면, 도핑 레벨이 EO1F ≥EM1이 되도록 하는 것이 바람직하다.
- EM2 ≤EO2V, 이는 양극과 p-도핑 유기층 사이의 계면에 전위장벽이 있고, 이 계면에서 접합이 저항성이 아님을 의미한다; 이 전위 장벽의 높이는 0.5eV로 제한될 수 있거나, 또는 더 높은 장벽의 경우, 도핑 레벨은 이에 따라 적응되어 이러한 장벽을 지나는 홀(hole)의 통과를 촉진한다; 만일 EO2F가 점유된 레벨의 중심자(centroid)로서 도핑된 존에 있는 전자의 페르미 준위를 표시한다면, 도핑 레벨이 EO2F ≥EM2이 되도록 하는 것이 바람직하다. 따라서, 위 조건들에 따르면, 캐리어, 즉 전자 또는 홀이 전극, 즉 음극 또는 양극과의 계면에 직근접하는 도핑된 존에 놓인 소위 "공핍존(depletion zone)" 전체의 터널 효과에 의해 주입된다; 더욱이, 특허문서 제EP0498979 B1호(9쪽, 11-12 행)에 의해 교시된 바와 같이, 이러한 "공핍존"의 두께는 매우 작으며, 즉 일반적으로 10nm 미만이고; 이러한 두께는 명학하게 사용된 물질과 도핑 레벨에 의존한다.
도 1에 예시된 바와 같이, 다이오드의 최적 기능화를 얻기 위해, 또한 다음 이 중요하다:
- 물질(O1)의 n-도핑층과 물질(O5)의 홀 차단층 사이의 계면에서 전자의 통과를 촉진하기 위해 EO5C ≥EO1C - 0.3eV이고, 바람직하게는 이러한 계면에서 전기손실을 제한하기 위해 EO5C ≤EO1C + 0.3eV가 된다;
- 물질(O2)의 p-도핑층과 물질(O4)의 전자 차단층 사이의 계면에서 홀의 통과를 촉진하기 위해 EO4V ≤EO2V + 0.3eV이고, 바람직하게는 이러한 계면에서 전기손실을 제한하기 위해 EO4V ≥EO2V - 0.3eV가 된다;
도 1에 예시된 바와 같이, 다이오드의 최적 기능화를 얻기 위해, 또한 다음이 중요하다:
- 물질(O3)의 전자발광 층과 물질(O4)의 전자 차단층 사이의 계면에서 전자를 효율적으로 차단하기 위해, EO4C < EO3C이고;
- 이러한 계면에서 홀의 통과를 허용하기 위해 EO4V + 0.3eV ≥EO3V이고, 바람직하게는 이러한 계면에서 전기 손실을 제한하기 위해 EO4V - 0.3eV ≤E03V이며;
- 물질(O3)의 전자발광 층과 물질(O5)의 홀 전자 차단층 사이의 계면에서 홀을 효율적으로 차단하기 위해, EO5V > EO3V이고;
- 이러한 계면에서 전자의 통과를 허용하기 위해 EO5C - 0.3eV ≤ EO3C이고, 바람직하게는 이러한 계면에서 전기 손실을 제한하기 위해 EO5C + 0.3eV ≥E03C이다.
종래 기술의 전하 주입 및 트랜스포트 층 대신에, 전자발광 방출층에서 전하, 즉 전자 또는 홀의 주입 및 트랜스포트를 위하여 도핑된 유기층을 사용함으로써 제공된 이점은 특히 다음과 같다:
- 고 전기 생산;
- 음극의 물질에 대한 일함수보다 낮는 LUMO 레벨이 전자 주입에 대하여 더 이상 금지적이 아니고, 양극의 물질에 대한 일함수보다 더 높은 HUMO 레벨이 홀의 주입에 대하여 더 이상 금지적이 아니므로, 사용될 수 있는 유기 반도체 물질의 선택폭을 넓게 함;
- 도핑된 층의 고 전도성으로 인해, 금지적 저항 손실을 일으키는 것 없이도, 전하 주입 또는 트랜스포트 층을 위하여 사용될 수 있는 두께의 범위를 넓게함; 특히, 이는 간섭 효과에 의해 광 추출을 최적화하기 위해 두께를 더 잘 적응시키는 것이 가능하게 한다.
위에 인용된 특허 문서에 기술된 발광 다이오드 구조의 한 가지 단점은 음극면과 양극면 둘 다에 도핑된 층에 의해 제공된 이점을 완전히 이용하기 위해, 적어도 3개의 서로 다른 유기 물질을 사용하는 것이 방편적이다는 점이다. 이는 특허 문서 제EP0498979 B1호(출원인: 도시바)의 도 9 및 도 12를 참조하여 기술된 바와 같이, 단지 2개의 유기 물질을 갖는 구조가 오로지 한쪽 면, 즉 양극면 또는 음극면상에 전자적으로 n- 또는 p-도핑되기 때문이며, 이는 도핑된 층에 의해 제공된 이점이 완전히 이용되지 못하도록 한다. 이들 특허 문서에 기술된 모든 다른 구조는 음극과 양극 사이에서 적어도 3개의 서로 다른 유기 물질을 포함한다.
본 발명의 목적은 이러한 문제점에 대한 해소법을 제공하는 것이다.
이러한 목적을 위해, 본 발명은 유기 발광 다이오드에 관한 것으로서,
이 유기 발광 다이오드는,
- 음극 및 양극과,
- 상기 음극과 상기 음극 사이에 놓이고, 이러한 음극과 접촉 상태에 있는 층의 존에서 n-도핑된 제 1 유기 물질에 기반한 상기 음극과 접촉 상태에 있는 제 1 층과,
- 이러한 양극과 접촉 상태에 있는 층의 존에서 p-도핑된 제 2 유기 물질에 기반한 상기 양극과 접촉 상태에 있는 제 2 층을 포함하며,
이 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 제 1 층 및/또는 상기 제 2 층은 다른 층과 접촉상태에 있고 n-도핑 또는 p-도핑되지 않은 전자발광 존을 포함하는 것을 특징으로 한다.
p-형 및 n-형 도펀트(dopant)는 전자 도펀트이고, 이 전자 도펀트는 전자발광 존의 유기 물질이 일반적으로 도핑되는 발광 도펀트와 반대이다.
본 발명에 따른 다이오드는 종래 기술의 다이오드 보다 생산하기에 더 용이하고 경제적인데, 이는 이들 다이오드가 일반적으로 서로 다른 유기물질로 된 두 층만을 포함하며, 이들 다이오드가 양극면상의 홀을 주입 및 트랜스포트를 위해 그리고 음극면에 전자를 주입 및 트랜스포트 둘 다를 하기 위해 도핑된 반도체 물질의 사용으로 인해 높은 생산성을 가지기 때문이다.
본 발명은 유기 물질이 중합되지 않는 경우에 더 특히 적용되며, 따라서 진공 증발에 의해 증착될 수 있다; 따라서 유리하게는 다양한 존은 단순한 도펀트 코-이바포레이션(co-evaporation)에 의해 획득될 수 있다.
기본 물질이라는 용어는 각 존의 "호스트" 물질을 의미하는 것으로 의도되며; 따라서, 소정 물질에 기초를 둔 동일한 층은 이 기본 물질에 분포된 예를 들면 5% 중량의 n-형 전자 도펀트, 근접 존으로부터 확산으로 인해 불순물을 제외한 단지 이 기본 물질을 포함하는, 전자 또는 발광 도펀트로 도핑되지 않은 장벽존, 및 이 기본 물질로 분포된 예를 들면 8% 중량의 발광 도펀트를 포함하는 도핑된 존을 포함한다: 이들 3개 존은 동일한 "호스트" 물질에 기초한다. 각 도핑된 존은 복수의 도펀트를 함유할 수 있다.
따라서, 바람직하게는, 상기 다이오드는 제 1 유기 물질 및 제 2 유기 물질 양쪽 모두에 다른 물질에 기반할 수 있는, 상기 음극과 상기 양극 사이에 놓이는 임의 다른 층을 포함하지 않는다. 일 변형예에 따르면, 제 1 및 제 2 유기 물질은 동일하다(도 5를 참조). 그러나, 바람직하게는, 그리고 호모접합(homojunction)을 기술한, 특허문서 제EP1347518호(10쪽의 4번째 실시예를 참조), 특허문서 제EP1071145호, HARADA K의 "realization of organic pn-homojunction"(proceeding of the SPIE, 권.5464, 1-9쪽(XP002314797), 2004년 9월)에 기술된 다이오드와 대조적으로, 상기 제 2 유기 물질은 상기 제 1 유기 물질과 다르다. 2개의 서로 다른 유기 물질의 사용은 제조 방법의 복잡성을 제한하면서도 더 좋은 생산성을 얻는 것이 가능하다.
그러므로, 제 1 또는 제 2 층, 또는 두 층 모두는 다이오드의 전극, 즉 음극 또는 양극 근처에 위치된 도핑된 존 또는 "슬라이스"와 발광이고 다른 층 근처에 위치된 미도핑존 또는 "슬라이스"를 갖는다.
n- 또는 p-도핑된 존의 전자 도펀트는 그 자체로 알려진 방식으로 적응되어 만일 n-형 도핑이 수반된다면 LUMO 레벨 근처에 있는 전자에 대하여 추가적인 에너지 레벨을 제공하거나, 또는 만일 p-형 도핑이 수반된다면 HOMO 레벨 근처에 있는 홀에 대하여 추가적인 에너지를 제공한다. 따라서, 이들 n- 또는 p-형 도펀트는 아래에 기술된 "발광" 도펀트에 반대되는 "전자" 도펀트로서 명칭된다.
다이오드는 제 1 층의 일부(도 3 참조)를 형성하는 단일 발광 존, 또는 제 2 층의 일부(도 2 참조)를 형성하는 단일 발광 존, 또는 2개의 발광 존으로서 하나는 제 1 층의 일부를 형성하고, 다른 하나는 제 2 층의 일부를 형성하는 2개의 발광 존(도 4 참조)을 포함할 수 있다. 전자발광 존의 전자발광 성질은 특히 적어도 하나의 형광성(fluorescent) 및/또는 인광성(phosphorescent) 도펀트의 도움으로, 이러한 존이 속하는 층의 유기 물질을 발광 도핑함으로써 그 자체로 알려진 방식으로 얻어진다. 착색 도펀트가 더해져서 다이오드의 발광성 방출 스펙트럼을 적응시킬 수 있다. 일부 물질은 고유의 전자발광 특성을 가지며, 동시에 또한 캐리어, 즉 전자 또는 홀의 하나에 대한 트랜스포터가 될 수 있다. 도펀트는 "호스트" 물질과 관계될 수 있지만, 그러나 이는 꼭 필수적인 것은 아니다. 고유적으로, 발광 "호스트" 물질은 형광성 또는 인광성일 수 있다.
바람직하게는, 제 1 층의 n-도핑된 존과 제 2 층의 p-도핑된 존의 두께는 20nm이상이다. 이들 높은 두께는 도핑이 이들 존에 고 전도성을 나누어주게 되므로, 실질적으로 저항성 손실을 증가시키지 않고 광 추출을 최적화하는 것을 가능하게 한다.
바람직하게는, 또한 본 발명에 따른 다이오드는 실질적으로 도핑되지 않고, 상기 도핑된 존 중 하나와 상기 전자발광 존 중 하나 사이에 놓이는 적어도 하나의 확산 장벽 존을 포함한다. 해당 장벽에 의존하면서, 장벽 존의 물질은 제 1 층의 기본 물질 또는 제 2 층의 기본 물질이 된다. 위에 언급된 진공 증발에 의한 제조의 경우에 있어서, 이 존은 유리하게는 임의의 도펀트 코-이바포레이션을 회피하면서도 생산된다. 근접 존(도핑된 존 및/또는 전자발광 존)으로부터 기인한 도펀트(들)의 확산으로 인해, 이러한 장벽 존은 적은 비율로 이들 인접한 존의 도펀트 중 하나 이상을 포함할 수 있으며, 특히 이들 근접한 존에서 훨씬 더 적은 비율로 이들 인접한 존의 도펀트 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
바람직하게는, 각 확산 장벽 존의 두께는 20nm미만이 된다. 이러한 존의 두께는 바람직하게는 도핑된 존의 두께보다 훨씬 작게 되므로, 다이오드의 두께에서 저항성 손실을 제한하게 된다.
바람직하게는, 만일 음극 및 양극이 각기 전도성 물질(M1 및 M2)로 구성되며, 만일 물질(M1)과 물질(M2)의 일함수가 각기 EM1 및 EM2로 표시되고, EO1C가 LUMO 레벨의 에너지 또는 전자 친화도를, EO1V가 제 1 유기 물질(O1)의 HOMO 레벨의 에너지 또는 이온화 전위를, EO2C는 LUMO 레벨의 에너지를, EO2V는 제 2 유기 물질(O2)의 HOMO 레벨의 에너지를 표시하고, 모든 이들 레벨이 무한 진공 상태의 전자의 에너지에 대하여 양으로 평가된다면, 음극의 전도성 물질, 양극의 전도성 물질, 및 제 1 및 제 2 유기 물질은 다음과 같이 되도록 선택된다: EM1 ≥EO1C 및 EM2 ≤EO 2V. 이들 조건들은 음극과 제 1 층의 n-도핑된 존 사이의 접합 및 양극과 제 2 층의 p-도핑된 존 사이의 접합의 비-저항성 성질에 대응한다. 이들 접합에서 전위 장벽에도 불구하고, 그러나 이러한 전위 장벽의 두께를 감소시키는데 기여하는 제 1 및 제 2 층의 유기 물질의 전자 도핑으로 인해, 전류는 감소된 전류 손실로 이들 접합을 가로지른다.
바람직하게는, 음극의 전도성 물질, 양극의 전도성 물질, 및 제 1 및 제 2 유기 물질이 더욱이 다음과 같이 되도록 선택된다: EO2C < EO1C 및/또는 EO1V > EO2V.
이들 조건들은 2개 층 사이의 계면에서 전자 및/또는 홀을 차단하는 것을 가능하게 한다. 더 효율적인 블록킹(blocking: 차단)을 달성하기 위해, 한편으로 이들 LUMO 레벨, 다른 한편으로 이들 HOMO 레벨 사이의 차이가 0.5 이상이 되는 것이 바람직하다.
음극면상의 홀 블록킹 및 양극면상의 전자 블록킹 둘다를 달성하는 것이 절대적으로 필수적인 것은 아니다. 특히, 제 1 유기 물질(음극면상)이 홀보다 더 좋게 전자를 전도하는 경우에 있어서, 홀을 블록킹하는 것은 덜 유용하며; 제 2 유기 물질(양극면상)이 전자보다 좋게 홀을 전도하는 경우에 있어서, 전자를 블록킹하는 것은 덜 유용하다.
바람직하게는, 적어도 하나의 전자발광 존은 EDLC에 의해 정의된 LUMO 레벨과 EDLV에 의해 정의된 HOMO 레벨은 상기 제 1 층에 속하는 발광 존의 경우에 EDLV - EDLC < EO1V - E01C + 0.3eV가 되고, 상기 제 2 층에 속하는 발광 존의 경우에 EDLV - EDLC < EO2V - EO2C + 0.3eV가 되도록 선택된 적어도 하나의 발광 도펀트(dopant)를 포함한다.
이 발광 도펀트는 이들 도펀트가 혼합되는 "호스트(host)" 물질의 금지 갭내에 포함되지 않는 LUMO 레벨 및/또는 HOMO 레벨을 갖는다; 이러한 물질의 HOMO 레벨 및 LUMO 레벨에 의해 경계가 정해진 "호스트" 물질의 금지갭, 및 이러한 도펀트에 속하는 HOMO 레벨 및 LUMO 레벨에 의해 경계가 정해진 발광 도펀트의 금지갭 사이에 구별이 이루어지고; 이러한 도펀트의 금지갭의 폭이 효율적인 발광 도핑을 위하여, 0.3eV 이내가 되도록 "호스트" 물질의 금지갭의 폭보다 작아야 되는 것이 중요하다. 바람직하게는, 이러한 도펀트의 LUMO 레벨 및 HOMO 레벨은 이들 도펀트가 혼합되는 물질의 금지갭 내로 모두 포함되며, 이는 다이오드의 생산성을 개선시킨다.
발광 또는 착색 도펀트가 혼합되는 물질의 금지갭 내에 포함되는 LUMO 레벨 및/또는 HOMO 레벨을 가질 때마다, 이러한 레벨은 n- 또는 p-형 전자 도핑에 기여할 수 없다. 그러므로, 발광존의 발광 도펀트와 명확하게 n- 또는 p-도핑된 존의 전자 도펀트를 구별하는 것이 가능하다.
바람직하게는, 상기 제 1 및 제 2 유기 물질, 및 상기 적어도 하나의 발광 도펀트는 EDLV - EDLC < EO2V - EO1C + 0.3 eV 및 EDLV - EDLC < EO1V - EO2C + 0.3eV가 되도록 선택된다.
이들 조건들은 유리하게는 "엑스시플렉스(exciplex)"의 포메이션을 제한하는것, 즉 서로 다른 물질에 대응하는 2개의 에너지 레벨을 일치시켜 전자-홀 쌍의 탈여기화(de-excitation) 또는 재결합을 제한하는 것을 가능하게 한다.
바람직하게는, 제 1 유기 금속은 Bphen, BCP, DPVBi, TPBi 및 Alq3로 구성된 그룹으로부터 선택되고, 상기 제 2 유기 물질은 Spiro-TAD, TAZ 및 TCTA로 구성된 그룹으로부터 선택된다. BCP, DPVBi 및 TPBi는 각기 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(또는 바쏘쿠프로인: bathocuproine), 4,4-비스(2,2-디페닐리린), 및 2,2',2"-(1,3,5-페닐린)트리스[1-페닐-1H-벤지미다졸]에 해당하며; 이들 유기 물질은 충분히 넓은 금지갭(HOMO의 레벨과 LUMO의 레벨 사이의 분리)을 가지므로, 청색-컬러의 광을 방출하는 발광 도펀트를 수신하기에 매우 충분한 "호스트" 물질을 형성한다.
본 발명은 이미지 디스플레이 또는 조명 패널에 관한 것으로, 본 발명에 따른 복수의 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 한다.
획득된 패널은 특히 경제적이고 매우 좋은 생산성을 갖는다. 본 발명은 첨부된 도면을 참조하고 제한되지 않는 예시를 전제로, 이후 설명을 읽음으로써 더 명확하게 이해될 것이다.
도 1은 이미 기술된 바와 같이, 종래 기술에 대응하는 유기 발광 다이오드 구조를 나타내는 도면;
도 2 내지 도 4는 본 발명에 따른 2개의 유기층을 구비한 3개의 다른 다이오드 실시예를 나타내는 것으로서: 도 2의 경우에서 양극면상의 유기층에 속하는 단일 전자발광 존을 가지며, 도 3의 경우에서 음극면상의 유기층에 속하는 단일 전자발광 존을 가지고, 도 4의 경우에서 양극면상의 유기층에 속하는 하나와 음극면상의 유기층에 속하는 다른 하나를 갖는 2개의 인접한 전자발광 존을 갖는 것을 나타낸 도면;
도 5는 2개의 유기 물질(O1 및 O2)이 동일한 특정 실시예를 나타내는 것으로서, 단일 물질은 O로서 명칭되는 것을 나타내는 도면;
도 6은 유기층의 전자 도핑 레벨 검사를 가능하게 하는 전기적인 측정 디바이스를 기술하는 도면;
도 7 및 도 8은 예시 1에 따라 획득된 다이오드의 생산성, 및 전기적이고 발광적인 특성을 나타내는 도면;
도 9 및 도 10은 예시 2에 따라 획득된 다이오드의 생산성, 및 전기적이고 발광적인 특성을 나타내는 도면.
본 발명이 종래의 최신 기술에 대하여 가지는 차이점 및 이점을 하이라이트 하고 설명을 간단화하기 위해, 동일한 참조번호는 동일한 기능을 수행하는 구성요소를 위해 사용된다. 획득된 유기 다이오드의 생산성 및 성능은 대개 음극, 양극의 물질, 음극면상의 유기물질(O1) 및 양극면상의 유기물질(O2) 중의 선택에 의존한다;
다음 용어가 사용된다:
- EM1은 음극의 물질(M1)의 일함수를 표기하며, EM2는 양극의 물질(M2)의 일함수를 표기하고,
- EO1C는 LUMO 레벨의 에너지를 표기하고, EO1V는 물질(O1)의 HOMO 레벨의 에너지를 표기하며,
- EO2C는 LUMO 레벨의 에너지를 표기하고, EO2V는 물질(O2)의 HOMO 레벨의 에너지를 표기하며,
- EDLC는 LUMO 레벨의 에너지를 표기하고 EDLV는 발광 도펀트의 HOMO 레벨의 에너지를 표기한다.
이들 물질 및 이러한 도펀트는 바람직하게는 다음을 위해 선택된다:
-a) EM1 ≥EO1C 및 EM2 ≤E02V; 이들 조건들은 전극과 유기 물질 사이의 접합이 저항성이 아니라는 것을 표현하며;
-b) b-1) EO2C < EO1C 및 b-2) EO1V > EO2V; 이들 조건들은 제 1 층으로 흐르는 전자가 제 2 층으로 유입되는 것을 방지하고, 제 2 층으로 흐르는 홀이 제 1 층으 로의 유입되는 것을 방지하는 사실을 표현한다;
- c) 만일 발광 도펀트가 제 1 층의 존을 도핑한다면, EDLV - EDLC < EO1V - EO1C +0.3 eV이고, 만일 발광 도펀트가 제 2 층의 존을 도핑한다면, EDLV - EDLC < EO2V - EO2C +0.3eV가 되며; 위에 표시되고 도 4에 예시된 바와 같이, 둘 다의 경우수는 동시에 발생할 수 있다;
- d) d-1) EDLV - EDLC < E02V - EO1C +0.3eV 및 d-2) EDLV - EDLC < EO1V - EO2C + 0.3eV이며, 이는 엑스시플렉스 포메이션을 제한하고 생산성을 개선하는 것을 가능하게 한다.
물질의 선택이 이루어진 후, 후속적으로 다음 스택은 바람직하게는 진공 증발에 의해 유리 기판 또는 능동 매트릭스상에서 생성된다.
- 일반적으로 10nm와 200nm 사이의 두께를 구비하는 양극(1);
- 일반적으로 30nm와 200nm 사이의 두께를 구비하는, 유기 물질(O2)에 기반한 층으로서, 유기 물질(O2)을 증착하는 제 1 공정에서, 홀 도너(즉, 전자 억셉터) 도펀트는 20nm을 초과하는 두께의 p-도핑된 존을 형성하기 위해, 공동증착(co-evaporation) 도펀트 존(3)을 형성하고, 선택적으로, 동일한 물질(O2)을 진공 증발하는 제 2 공정에 있어서, 이후 증착은 도펀트 공동증착없이도 지속되어 20nm 미만의 두께를 갖는 미도핑된 존(3)을 형성하도록 되는, 층;
- 일반적으로 30nm와 200nm 사이의 두께를 갖는 유기 물질(O1)상에 기반한 층으로서, 유기 물질(O1)을 진공 증발하는 선택적인 제 1 공정에 있어서, 물질(O1) 은 도펀트 코-이바포레이션없이도 증착되어 20nm 미만의 두께를 갖는 미도핑된 장벽존(5)을 형성하고, 동일한 유기 물질(O1)을 진공 증발하는 제 2 공정에 있어서, 증착은 전자 도너 도펀트를 코-이바포레이팅(co-evaporating)하면서 지속되어 20nm 이상의 두께를 갖는 n-도핑된 존(6)을 형성하도록 되는, 층,
- 일반적으로 10nm 및 200nm 사이의 두께를 갖는 음극(7).
유기 물질(O2)의 증착 종료 및/또는 유기 물질(O1)의 증착 시작에서, 이러한 증착은 전자발광 도펀트를 코-이바포레팅하는 동안에 수행되어, 일반적으로 20nm과 동일한 또는 이 보다 큰 두께를 가지는, 2개 층 사이 계면에서의 적어도 하나의 전자발광 존(4,4')을 형성한다.
각 층에 있는 모든 존을 형성하기 위한 증착이후, 특히 주변대기의 산소 및 습도에 의해, 저하 위험에 대하여 이전에 증착된 유기층을 보호하는 것을 의도하는 캡슐화층은 후속적으로 그 자체로 알려진 방식으로 증착된다.
본 발명에 따른 다이오드가 획득된다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 단지 기껏해야 2개의 유기층을 구비하는 다이오드의 3가지 다른 실시예가 발견될 수 있으며, 도 2의 경우에서 양극면상의 물질(O2)의 유기층에 속하는 단일 전자발광 존(4)을 가지며, 도 3의 경우에서 음극면상의 물질(O1)의 유기층에 속하는 단일 전자발광 존(4')을 가지고, 도 4의 경우에서 양극면상의 물질(O2)의 유기층에 속하는 하나(4)와 음극면상의 물질(O2)의 유기층에 속하는 다른 하나(4')를 갖는 2개의 인접한 전자발광 존(4,4')을 가지며; 마지막으로, 도 5를 참조하면, 2개의 유기 물질(O1 및 O2)가 동일하고, 따라서 단일 물질이 O로명기된 특정 실시예가 보여질 수 있다. 도 2 내지 도 4의 실시예가 선호된다.
위에 기술된 모든 실시예에 적용가능한 본 발명의 한 가지 변형예에 따르면, 구조는 역이되는데, 즉 음극이 우선 증착되고, 이후 물질(O1)의 층, 그리고 이후 물질(O2)의 층, 다음으로 음극이 증착된다.
비록 위에 기술된 장벽 존(3, 5)이 전자 또는 홀의 블록킹으로 인해 이점을 제공할지라도, 이들 장벽존은 그럼에도 불구하고 선택적으로 남아 있게 된다.
획득된 다이오드는 매우 우수한 생산성과 우수한 효율성을 가짐에도 불구하고, 이들 다이오드는 특히 경제적으로 제조가 가능한데, 이는 이들 다이오드가 서로 다른 유기 물질에 기반한 기껏해야 2개의 유기층을 단지 포함하기 때문이다.
예시 1 :
본 예시는 도 3으로 표현된 본 발명의 실시예를 예시하기 위한 것으로, 이 예시에서 다이오드는 물질(O1)에 기반한 층에 포함되고, 음극과 접촉상태에 있는 단일 발광 존만을 포함한다.
진공 증발(양극을 제외함)에 의해, 다음 스택이 유기 기판상에 알려진 방식으로 생성된다.
- 예를 들면, 음극 스퍼터링(cathodic sputtering)에 의해, 150nm의 두께를 갖는 ITO 양극;
- 유기 물질(O2 = Spiro-TAD: 여기서 Spiro-TAD는 2,2',7,7'-테트라키스(디페닐-아민)-9,9'-스피로-비플루오렌으로 명명된 화합물에 대응하는 약어임)에 기반 하고, 45nm의 총 두께를 갖는 층으로서, p-도핑된 존(2)을 형성하려는 의도를 갖는 제 1 Spiro-TAD 진공 증발 공정에 있어서, 홀 도너(전자 억셉터) 도펀트는 코-이바포레이팅(co-evaporated)되고, 여기서는, F4-TCNQ가 홀 도너 도펀트가 되며, 이 F4-TCNQ는 테트라-플루오로-테트라-시아노-퀴노-디메탄으로 명명된 화합물에 대응하는 약어이며, 이에 따라서 p-도핑된 존의 두께는 대략 35nm이고, 도핑 레벨은 쿼츠 밸런스(quartz balance)에 기반하고 증착 챔버내로 통합되는 종래의 디바이스의 도움에 의해 약 2 중량%로 조정되며, 장벽존(3)을 형성하도록 의도된, 동일한 Spiro-TAD를 진공 증발하는 제 2 공정에 있어서, 증착은 후속적으로 도펀트 코-이바포레이션없이도 지속되어 대략 10nm의 두께를 갖는 미도핑된 장벽존(3)을 획득하게 되는, 층;
- 유기 물질(O1 = Bphen: 여기서 Bphen은 바토페난트롤린, 또는 더 상세하게 4,7-디페닐-1, 10-페난트롤린으로 명명된 화합물에 대응하는 약어임)에 기반하고, 약 72nm의 총 두께를 갖는 층으로서, 전자발광 존(4')을 형성하기 위해 의도된 제 1 Bphen 진공 증발 공정에 있어서, 루브린(rubrene)에 의해 형성된 발광 도펀트는 코-이바폴레팅되어 전자발광 존(4')의 약 32nm 두께에 대하여 루브린의 약 20 중량%으로의 도핑을 획득하며, 또 다른 장벽존(5)을 형성하려는, 동일한 BPhen을 진공 증발하는 제 2 공정에 있어서, 후속적으로 증착은 도펀트 코-이바포레이션없이도 지속되어 약 5nm의 두께를 가지는 미도핑된 장벽존(3)을 획득하며, n-도핑된 존(6)을 형성하려는 제 3 Bphen 진공 증발 공정에 있어서, Bphen 증착은 세슘에 의해 형성된 전자 도너를 코-이바포레팅(co-evaporating)하는 동안 지속되어 도핑된 존(6)의 약 35nm 두께 및 증착된 층의 10nm 두께당 10과 20mV 사이에 놓인 도핑레벨을 획득하며, 이러한 도핑 레벨은 도 6에 표현된 측정 디바이스를 사용하여 다음과 같이 평가된다; 증착 챔버에 있어서, 물질(O1)은 I = 1.25mm 만큼 분리되고, d = 14mm에 걸쳐 연장되어 DC 전압(E = 10V) 발생기 및 기준 저항(R = 4.5 ㏁)을 포함하는 저항 기준 측정 디바이스에 연결되며 직렬로 연결된 2개의 금속 전극(본 도면에서 빗금친 부분) 사이에서 동시에 증착되며, 증착된 두께(여기서는, 10nm의 공정으로 취해짐)의 함수로서 저항의 단말 양단의 전압에서의 변동이 세슘 도핑의 레벨에 비례한 값을 제공하는, 층 및,
- 150nm의 두께를 갖는 알루미늄 음극(7).
특히, 주변 대기의 산소 및 습도에 의해 저하의 위험에 대하여 이전에 증착된 유기층을 보호하려는 갭슐화 층(미도시)은 후속적으로 그 자체로 알려진 방식으로 증착된다.
본 발명에 따른 다이오드가 획득된다.
만일 EM1 = 4.3eV가 알루미늄의 일함수를 나타내고, EM2 = 4.5 내지 5.0eV가 ITO의 일함수를 나타내고, EO1C = 3.0eV가 BPhen의 LUMO 레벨의 에너지를, EO1V = 6.3eV가 HOMO 레벨의 에너지를 나타내고, EO2C = 2.4eV가 Spiro-TAD의 LUMO 에너지를, EO2V = 5.3eV가 HOMO 레벨의 에너지를 나타내며, EDLC = 3.0eV가 발광 도펀트 루브렌(rubrene)의 LUMO 레벨의 에너지를, EDLV = 5.3eV가 HOMO 레벨의 에너지를 나타 낸다면, 물질 및 발광 도펀트의 선택이 사실상 본 발명에 따른 모든 유리한 조건들 a) 내지 d)에 대응하는 것이 발견된다:
-a) EM1(4.3) ≥EO1C(3.0) 및 EM2(4.5 내지 5.0) ≤ EO2V(5.3)
-b) EO2C(2.4) << EO1C(3.0) 및 EO1V(6.3) >> EO2V(5.3)
-c) 발광 도펀트가 제 2 층의 존을 도핑하므로, EDLV - EDLC(= 2.3eV) < EO2V - EO2C + 0.3eV (= 3.2eV)
-d) EDLV - EDLC(= 2.3eV) < EO2V - EO1C +0.3eV(= 2.6eV) 및 EDLV - EDLC < EO1V - EO2C +0.3 eV.
따라서, 획득된 다이오드의 전기적이고 발광적인 성능은 도 7 및 도 8에 표현되며, 도 7은 다이오드의 단자 양단에 걸친 전압U(V)의 함수로서 휘도 L(Cd/m2) 및 전류 I(mA/cm2)의 값을 나타내며, 1mA/cm2은 35.7Cd/m2을 제공하고 2.85V의 전압을 요구하며, 도 8은 발광 효율의 2개 값을 보여주는데, 하나는 Cd/A로 다른 하나는 루멘/와트로 보여주면, 100Cd/m2과 3.09V의 전압에서, 효율성은 3.12 Cd/A 및 3.17 Lm/W가 된다.
따라서, 전체적으로 수용가능한 성능 및 생산성은 특히 단순하고 경제적인 다이오드 구조로 획득되는 것을 볼 수 있다.
예시 2:
본 예시는 도 2에 표현된 본 발명의 실시예를 예시하기 위한 것으로서, 이 예시에서, 다이오드는 물질(O2)에 기반한 층내로 포함되고, 양극과 접촉 상태에 있는 단일 발광 존만을 포함한다.
음극의 기본 물질, 제 1 유기층, 제 2 유기층, 양극 및 발광 도펀트는 예시 1의 이들과 동일하다. 예시 1에서의 절차는 다음을 제외하고 채용된다:
장벽층(3)이 생성되는 동안 유기 물질(O2 = Spiro-TAD)에 기반한 층을 증착하는 공정 이후, Spiro-TAD를 진공 증발하는 제 3 공정이 추가되며, 이 제 3 공정은 전자발광 존(4)의 약 32nm 두께에 대하여 약 20 중량%의 루브렌으로 도핑하는 것을 얻기 위해 루브렌을 코-에바포레이팅함으로서 전자발광 존(4)을 형성하려는 것이며; Spiro-TAD에 기반한 층의 총 두께는 약 77nm이며,
유기 물질(O1 = Bphen)에 기반한 층에서 전자발광 존을 형성하는 제 1 공정이 생략되며, 대신에 장벽층(5) 형성 공정으로 직접 진행하고, 따라서, BPhen에 기반한 층의 총 두께는 약 40nm이 된다.
본 발명에 따른 다이오드가 획득된다.
도 1의 경우에서와 같이, 그리고 물질 및 도펀트가 동일하므로, 물질 및 발광 도펀트의 선택은 본 발명에 따른 모든 유리한 조건들 a) 내지 d)에 이전 처럼 대응하며, 단지 조건 c)의 선택은 발광 도펀트가 이제 제 1 층의 존을 도핑하므로 변화되며, 이러한 조건은 EDLV - EDLC(= 2.3 eV) < EO1V - EO1C + 0.3eV(= 3.6 eV)이므 로 잘 만족된다.
다이오드의 전기적이고 발광적인 성능이 도 9 및 도 10에 표현되며, 도 9는 다이오드의 단자 양단에 걸친 전압U(V)의 함수로서 휘도 L(Cd/m2) 및 전류 I(mA/cm2)의 값을 나타내며, 1mA/cm2은 37.1 Cd/m2을 제공하고 2.57V의 전압을 요구하며, 도 10은 발광 효율성의 2개 값을 보여주는데, 하나는 Cd/A로 다른 하나는 루멘/와트로 보여주며, 100Cd/m2과 2.7V의 전압에서, 효율성은 3.88 Cd/A 및 4.51 Lm/W가 된다.
따라서, 이러한 제 2 예시는 전체적으로 수용가능한 성능의 획득을 명확히 예시하고 특히 단순하고 경제적인 다이오드 구조를 생산한다.
예시 3:
본 예시는 도 2를 참조하여 또 다른 실시예를 예시하려는 것으로, 이 예시에서 다이오드는 물질(O2)에 기반한 층내에 포함되고 양극과 접촉상태에 있는 단일 발광 존만을 포함한다. 예시 2에 기술된 방법과 비교되는 방법의 도움으로, 동일한 도핑 레벨 및 동일한 두께를 사용하면, 다음 스택이 생산된다: 즉, ITO/F4TCNQ-도핑된 TAZ / TAZ/ 일피(Irppy)-도핑된 TAZ/ Bphen / Cs-도핑된 Bphen / Al. 제 2 층의 유기 물질은 여기에서 TAZ이며, 이 TAZ는 3-(4-비페닐일)-4-페닐-5-테르트(tert)-부틸페닐-1,2,4-트리아졸의 약칭이다. 발광 도펀트는 여기에서 일피(Irppy)이고, 이 Irppy는 트리스[2-(2-피리디닐)페닐-C,N]-이리듐의 약칭이다.
만일 EM1 = 4.3eV가 알루미늄의 일함수를 나타내고, EM2 = 4.5 내지 5.0eV가 ITO의 일함수를 나타내고, EO1C = 3.0eV가 BPhen의 LUMO 레벨의 에너지를, EO1V = 6.3eV가 HOMO 레벨의 에너지를 나타내고, EO2C = 2.6eV가 TAZ의 LUMO 레벨의 에너지를, EO2V = 6.6eV가 HOMO 레벨의 에너지를 나타내며, EDLC = 2.4eV가 발광 도펀트 일피의 LUMO 레벨의 에너지를, EDLV = 5.4eV가 HOMO 레벨의 에너지를 나타낸다면, 물질및 발광 도펀트의 선택이 사실상 본 발명에 따른 모든 유리한 조건들 a) 내지 d)에 대응하는 것이 발견된다:
-a) EM1(4.3) ≥EO1C(3.0) 및 EM2(4.5 내지 5.0) ≤ EO2V(6.6)
-b) EO2C(2.6) << EO1C(3.0) 및 EO1V(6.3) >> EO2V(6.6), 이는 전자의 블록킹을 보장하는 것을 가능하게 하고, 한편으로는 부등식 EO1V(6.3)>>EO2V(6.6)가 만족되지 않는다면, 홀의 블록킹은 효율적으로 보장되지 않음
-c) 발광 도펀트가 제 2 층의 존을 도핑하므로, EDLV - EDLC(= 3.0eV) < EO2V - EO2C + 0.3eV (= 4.3eV)
-d) EDLV - EDLC(= 3.0eV) < EO2V - EO1C +0.3eV(= 3.9eV) 및 EDLV - EDLC (=3.0eV) < EO1V - EO2C + 0.3 eV (4eV)이고, 엑시플렉스(exiplexes)을 제한하는 2개의 조건은 이전의 2개 예시에서와 같이, 만족됨을 여기서 볼 수 있다.
획득된 다이오드는 예시 1 및 예시 2의 다이오드와 전체적으로 비교할 수 있는 전기적이고 발광적인 성능을 갖는다.
예시 4:
본 예시는 도 3을 참조하여 또 다른 실시예를 예시하려는 것으로, 이 예시에서 다이오드는 물질(O1)에 기반한 층내에 포함되고 음극과 접촉상태에 있는 단일 발광 존만을 포함한다.
예시 1에 기술된 방법과 유사한 방법의 도움으로, 동일한 도핑 레벨 및 동일한 두께를 사용하면, 다음 스택이 생산된다: 즉, ITO/F4TCNQ-도핑된 TCTA / TCTA/ 루브렌-도핑된 Alq3 / Alq3 / Li-도핑된 Alq3 / Al. 제 1 층의 유기 물질(O1)은 여기에서 Alq3이며, 이 Alq3는 트리스(8-히드록시 퀴노린)알루미늄의 약칭이다. 제 2 층의 유기 물질(O2)은 여기서는 TCTA이며, 이 TCTA는 4,4',4'-트리(N-카보졸)트리페닐아민의 약칭디다. 발광 도펀트는 여기에서 다시 루브렌이다.
만일 EM1 = 4.3eV가 알루미늄의 일함수를 나타내고, EM2 = 4.5 내지 5.0eV가 ITO의 일함수를 나타내고, EO1C = 2.9eV가 Alq3의 LUMO 레벨의 에너지를, EO1V = 5.8eV가 HOMO 레벨의 에너지를 나타내고, EO2C = 2.7eV가 TCTA의 LUMO 레벨의 에너지를, EO2V = 5.8eV가 HOMO 레벨의 에너지를 나타내며, EDLC = 3.0eV가 발광 도펀트 루브렌(rubrene)의 LUMO 레벨의 에너지를, EDLV = 5.3eV가 HOMO 레벨의 에너지를 나타낸다면, 물질및 발광 도펀트의 선택이 사실상 본 발명에 따른 모든 유리한 조건 들 a) 내지 d)에 대응하는 것이 발견된다:
-a) EM1(4.3) ≥EO1C(2.9) 및 EM2(4.5 내지 5.0) ≤ EO2V(5.8)
-b) EO2C(2.7) < EO1C(2.9) 및 EO1V(6.0) > EO2V(5.8)
-c) 발광 도펀트가 제 1 층의 존을 도핑하므로, EDLV - EDLC(= 2.3eV) < EO1V - EO1C + 0.3eV (= 3.4eV)
-d) EDLV - EDLC(= 2.3eV) < EO2V - EO1C + 0.3eV(= 3.2eV) 및 EDLV - EDLC (=3.0eV) < EO1V - EO2C + 0.3 eV (3.6eV)이고, 엑시플렉스(exiplexes)을 제한하는 2개의 조건이 만족됨을 여기서 볼 수 있다.
획득된 다이오드는 본 발명에 따른 모든 조건이 만족되므로, 상당히 예외적으로 전기적이고 발광적인 성능을 갖는다. 본 발명은 특히 발광 다이오드 패널에 적용되며, 예를 들면 조명 또는 이미지 디스플레이를 위해 적용된다. 당업자라면 본 발명이 첨부된 청구항의 범위를 벗어나지 않으면서도, 복수의 발광 유기 다이오드를 병합하는 임의 시스템에 적용됨이 명백하게 알 것이다.
본 발명은 유기 발광 다이오드에 대해 적용 가능하다. 또한, 본 발명은 동일한 기판에 의해 지지되는 이들 다이오드의 네트워크를 포함하는 조명 또는 이미지-디스플레이 패널에도 적용 가능하다.

Claims (11)

  1. 유기 발광 다이오드로서,
    - 음극 및 양극과,
    상기 음극과 상기 양극 사이에 놓이고,
    - 상기 음극과 접촉 상태에 있는 제 1 층으로서, 상기 음극과 접촉 상태에 있는 상기 제 1 층의 존(zone)에서 n-도핑된 제 1 유기 물질에 기반한, 제 1 층과,
    - 상기 양극과 접촉 상태에 있는 제 2 층으로서, 상기 양극과 접촉 상태에 있는 층의 존에서 p-도핑된 제 2 유기 물질에 기반한, 제 2 층을 포함하고,
    - 상기 제 1 층은, 제 2 층과 접촉 상태에 있고 n-도핑되지 않은 전자발광 존을 포함하고;
    - 상기 제 2 층은, 제 1 층과 접촉 상태에 있고 p-도핑되지 않은 전자발광 존을 포함하고;
    - 상기 제 2 유기 물질은 상기 제 1 유기 물질과 다르며,
    만일 음극 및 양극이 각기 전도성 물질(M1 및 M2)로 구성되고, 물질(M1)과 물질(M2)의 일함수가 각기 EM1 및 EM2로 표기되고, EO1C가 제 1 유기 물질의 LUMO 레벨의 에너지 또는 전자 친화도를 표시하며, EO1V가 제 1 유기 물질의 HOMO 레벨의 에너지 또는 이온화 전위를 표시하고, EO2C가 제 2 유기 물질의 LUMO 레벨의 에너지를 표시하고, EO2V가 제 2 유기 물질의 HOMO 레벨의 에너지를 표시하고, 이 모든 레벨이 무한 진공 상태에서 진공 중에 있는 전자의 에너지에 관하여 양으로 평가된다면, 음극의 전도성 물질, 양극의 전도성 물질, 및 제 1 및 제 2 유기 물질은 EM1 ≥ EO1C 및 EM2 ≤ EO2V가 되도록 선택되는, 유기 발광 다이오드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 층의 n-도핑된 존의 두께와 상기 제 2 층의 p-도핑된 존의 두께는 20nm 이상인, 유기 발광 다이오드.
  3. 제 1 항에 있어서,
    도핑되지 않고, 상기 도핑된 존 중 하나와 상기 전자발광 존 중 하나 사이에 놓이는 적어도 하나의 확산 장벽 존을 또한 포함하는, 유기 발광 다이오드.
  4. 제 3 항에 있어서,
    각 확산 장벽 존의 두께는 20nm 미만인, 유기 발광 다이오드.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 유기 물질은 더욱이, EO2C < EO1C 및 EO1V > EO2V가 되도록 선택되는, 유기 발광 다이오드.
  7. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 전자발광 존(4; 4')은 EDLC에 의해 정의된 LUMO 레벨과 EDLV에 의해 정의된 HOMO 레벨은 상기 제 1 층에 속하는 발광 존의 경우에 EDLV - EDLC < EO1V - E01C + 0.3eV가 되고, 상기 제 2 층에 속하는 발광 존의 경우에 EDLV - EDLC < EO2V - EO2C + 0.3eV가 되도록 선택된 적어도 하나의 발광 도펀트(dopant)를 포함하는, 유기 발광 다이오드.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 유기 물질, 및 상기 적어도 하나의 발광 도펀트는 EDLV - EDLC < EO2V - EO1C + 0.3 eV 및 EDLV - EDLC < EO1V - EO2C + 0.3eV가 되도록 선택되는, 유기 발광 다이오드.
  9. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 유기 물질은 Bphen, BCP, DPVBi, TPBi 및 Alq3로 구성된 그룹으로부터 선택되고, 상기 제 2 유기 물질은 Spiro-TAD, TAZ 및 TCTA로 구성된 그룹으로부터 선택되는, 유기 발광 다이오드.
  10. 이미지-디스플레이로서,
    상기 이미지-디스플레이는 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 청구된 복수의 다이오드를 포함하는, 이미지-디스플레이.
  11. 조명 패널로서,
    상기 조명 패널은 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 청구된 복수의 다이오드를 포함하는, 조명 패널.
KR1020077028084A 2005-06-10 2006-06-09 서로 다른 유기 물질의 2개 이하의 층을 포함하는 발광 유기 다이오드 KR101330672B1 (ko)

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