JP4094203B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光媒体 - Google Patents
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- 0 CNC1C(OC)=CC=C[C@@]1C=C* Chemical compound CNC1C(OC)=CC=C[C@@]1C=C* 0.000 description 1
- RYQHWGXLBQHJST-UHFFFAOYSA-N c1cc2cc(cccc3-c4c5c-6c7c-8cccc7cc5ccc4)c3c-6c2c-8c1 Chemical compound c1cc2cc(cccc3-c4c5c-6c7c-8cccc7cc5ccc4)c3c-6c2c-8c1 RYQHWGXLBQHJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(以下、「EL」と略記する。)素子及び有機発光媒体に関し、さらに詳しくは、耐熱性に優れ、寿命が長く、かつ高効率の発光が得られる有機EL素子、及び上記有機EL素子に好適に用いられる有機発光媒体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電界発光を利用したEL素子は、自己発光のため視認性が高く、かつ完全固体素子であるため、耐衝撃性に優れるなどの特徴を有することから、各種表示装置における発光素子としての利用が注目されている。
【0003】
このEL素子には、発光材料に無機化合物を用いてなる無機EL素子と有機化合物を用いてなる有機EL素子とがあり、このうち、特に有機EL素子は、印加電圧を大幅に低くしうる上、小型化が容易であって、消費電力が小さく、面発光が可能であり、かつ三原色発光も容易であることから、次世代の発光素子としてその実用化研究が積極的になされている。
【0004】
この有機EL素子の構成については、陽極/有機発光層/陰極の構成を基本とし、これに正孔注入輸送層や電子注入層を適宜設けたもの、例えば陽極/正孔注入輸送層/有機発光層/陰極や、陽極/正孔注入輸送層/有機発光層/電子注入層/陰極などの構成のものが知られている。
【0005】
このような有機EL素子の実用化に当たっては、屋外や、車搭載などにおける高温環境下での駆動安定性及び保存安定性などが求められている。屋外や、車搭載用機器へ有機EL素子を使用する場合には、一般に75℃高温保存安定性が要求される。しかしながら、従来の有機EL素子を75℃程度の高温下に保存すると発光色が変化し、発光効率が低下するという問題が生じ、有機EL素子の用途が制限されるのを免れなかった。
【0006】
このため、特に耐熱性に優れ、寿命が長く、かつ高効率の青色発光素子を得るべく、種々検討が行われてきたが、充分に満足しうるものは得られていないのが実情である。
【0007】
例えば、単一のモノアントラセン化合物を有機発光材料として用いる技術が開示されている(特開平11−3782号公報)。しかしながら、この技術においては、例えば電流密度165mA/cm2 において、1650cd/m2 の輝度しか得られておらず、効率は1cd/Aであって極めて低く、実用的ではない。また、単一のビスアントラセン化合物を有機発光材料として用いる技術が開示されている(特開平8−12600号公報)。しかしながら、この技術においても、効率は1〜3cd/A程度で低く、実用化のための改良が求められていた。一方、有機発光材料として、ジスチリル化合物を用い、これにスチリルアミンなどを添加したものを用いた長寿命の有機EL素子が提案されている(国際公開94−6157号)。しかしながら、この素子は、半減寿命が1000時間程度であり、さらなる改良が求められていた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような状況下で、耐熱性に優れ、寿命が長く、かつ高効率の発光が得られる有機EL素子及びこのEL素子に好適に用いられる有機発光媒体を提供することを目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、有機発光媒体が、電子輸送性化合物と、特定のアントラセン誘導体とを組み合わせたものであって、この有機発光媒体を含む層を一対の電極間に挟持させてなる有機EL素子は、高耐熱性,長寿命及び高効率であり、かつ青色系発光が得られることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。すなわち、本発明の要旨は、以下の通りである。
〈1〉一対の電極と、これらの電極間に挟持された有機発光媒体層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、上記有機発光媒体層が(A)窒素含有配位子からなる金属錯体及び窒素含有ヘテロ環化合物から選ばれた少なくとも一種の電子輸送性化合物と、(B)一般式(I)
A1−L−A2 ・・・(I)
(式中、A1 及びA2 は、それぞれ置換若しくは無置換のモノフェニルアントリル基又は置換若しくは無置換のジフェニルアントリル基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、Lは単結合又は二価の連結基を示す。)で表されるアントラセン誘導体、及び一般式(II)
A3−An−A4 ・・・(II)
(式中、Anは置換若しくは無置換の二価のアントラセン残基を示し、A3 及びA4 は、それぞれ置換若しくは無置換の炭素数10以上の一価の縮合芳香族環基又は置換若しくは無置換の炭素数12以上の非縮合環系アリール基を示し、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。)で表されるアントラセン誘導体の中から選ばれた少なくとも一種の化合物と、(C)一般式(V)
(Ar13)m''−U ・・・(V)
(式中、Ar13は、置換若しくは無置換の芳香族化合物の一価の残基を示し、Uは,環数4〜10の縮合多環芳香族化合物のm''価の残基を示し、m''は2〜8の整数である。ただし、Uの環数が4のとき、m''は2〜8の整数である。)で表される縮合多環芳香族系化合物、及び一般式(VI)
(Ar13)m'−U’−(Am)n' ・・・(VI)
(式中、Ar13は前記一般式(V)と同じであり、U’は環数3〜10の縮合多環芳香族炭化水素の1〜12価の残基を示し、Amは、窒素原子とこれに連結する少なくとも一つの炭素環を含む置換基よりなる一価の基を示し、m’は0〜8の整数,n’は1〜4の整数である。)で表される縮合多環芳香族系化合物の中から選ばれた少なくとも一種の蛍光性化合物とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
〈2〉(B)成分の一般式(I)で表されるアントラセン誘導体が、一般式(I−a)
【0010】
【化6】
【0011】
[式中、R1 〜R6は、それぞれ独立に,アルキル基,シクロアルキル基,アルケニル基、置換若しくは無置換のアリール基,アルコキシ基,アリーロキシ基,アルキルアミノ基,アリールアミノ基又は置換若しくは無置換の複素環基を示し、a及びbは、それぞれ0〜5の整数,c,d,e及びfは、それぞれ0〜4の整数を示し、それらが2以上の場合、R1 同士、R2同士、R3同士、R4同士,R5同士又はR6同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、またR1同士、R2同士、R3同士、R4同士,R5同士又はR6同士は結合して環を形成していてもよい。L1 は単結合、−O−,−S−,−N(R)−(Rはアルキル基又は置換若しくは無置換のアリール基である)又はアリーレン基を示す。]で表されるアントラセン誘導体、又は一般式(I−b)
【0012】
【化7】
【0013】
[式中、R7〜R14は、それぞれ独立に,アルキル基,シクロアルキル基,アルケニル基、置換若しくは無置換のアリール基,アルコキシ基,アリーロキシ基,アルキルアミノ基,アリールアミノ基又は置換若しくは無置換の複数環基を示し、g及びhは、それぞれ0〜4の整数,i,j,k及びlは、それぞれ0〜5の整数、m及びnは、それぞれ0〜3の整数を示し、それらが2以上の場合、R7同士,R8同士,R9同士R10同士,R11同士又はR12同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、またR7同士,R8同士,R9同士R10同士,R11同士又はR12同士が結合して環を形成していてもよい。L2 は単結合、−O−,−S−,−N(R)−(Rはアルキル基又は置換若しくは無置換のアリール基である)又はアリーレン基を示す。]で表されるアントラセン誘導体である前記〈1〉に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〈3〉 (B)成分の一般式(II)で表されるアントラセン誘導体が、一般式(II−a)
Ar1−An−Ar2 ・・・(II−a)
[式中、Anは置換若しくは無置換の二価のアントラセン残基を示し、Ar1 及びAr2 は、それぞれ独立に、かつ、いずれも置換若しくは無置換のフルオランテン、ナフタレン,フェナントレン,アントラセン,ピレン,ペリレン,コロネン,クリセン,ピセン,フルオレン,ターフェニル,ジフェニルアントラセン,ビフェニル,N−アルキル若しくはアリールカルバゾール,トリフェニレン,ルビセン,ベンゾアントラセン又はジベンゾアントラセンの一価の残基、及び一般式(II−x)
【0014】
【化8】
【0015】
(式中、B1 ,B2 は、いずれも置換若しくは無置換のフェニル基、ナフチル基,ビフェニル基、ターフェニル基、アントリル基を示す。)で表される基を示す。]で表されるアントラセン誘導体である前記〈1〉又は〈2〉に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〈4〉(A)成分の金属錯体が、一般式M−X m Y n
(式中、Mは1〜3価の金属、Xは窒素含有配位子、Yは窒素を含有しない配位子を表し、mは1,2又は3、nは0、1又は2、m+n≦3である。)
で表される前記〈1〉〜〈3〉のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〈5〉有機発光媒体層が、(A)成分,(B)成分を、質量比1:99〜99:1の割合で含む前記〈1〉〜〈4〉のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【0019】
〈6〉有機発光媒体層が、(A)成分と(B)成分の合計と(C)成分を、質量比100:1〜1:10の割合で含む前記〈1〉に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〈7〉一対の電極の少なくとも一方の表面に、カルコゲナイド層,ハロゲン化金属層又は金属酸化物層を配置する前記〈1〉〜〈6〉のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〈8〉一対の電極の少なくとも一方の表面に、還元性ドーパントと有機物の混合領域又は酸化性ドーパントと有機物の混合領域を配置することを特徴とする前記〈1〉〜〈7〉のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〈9〉有機発光媒体層の厚さが、10〜400nmである前記〈1〉〜〈8〉のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〈10〉(A)前記〈1〉における窒素含有配位子からなる金属錯体及び窒素含有ヘテロ環化合物から選ばれた少なくとも一種の電子輸送性化合物と、(B)前記〈1〉における一般式(I)及び一般式(II)で表されるアントラセン誘導体の中から選ばれた少なくとも一種の化合物と、(C)前記〈1〉における一般式(V)及び一般式(VI)で表される縮合多環芳香族系化合物の中から選ばれた少なくとも一種の蛍光性化合物とを含むことを特徴とする有機発光媒体。
【0020】
【発明の実施の形態】
本発明の有機EL素子は、一対の電極と、これらの電極間に挟持された有機発光媒体層を有する構造の素子である。
【0021】
本発明においては、上記有機発光媒体層には、(A)電子輸送性化合物と、(B)特定構造のアントラセン誘導体とを組み合わせたもの、或は、これらと(C)蛍光性化合物を組合せたものが用いられる。
上記(A)成分の電子輸送性化合物は、電子輸送性を有する化合物である限り特に制限はないが、好適なものとして、窒素含有配位子を含む金属錯体、窒素含有ヘテロ環化合物、及びSi含有環化合物などが挙げられる。
上記(A)成分としての窒素含有配位子を含む金属錯体としては,例えば、下記の一般式
M−XmYn
(式中、Mは1〜3価の金属、Xは窒素含有配位子、Yは窒素を含有しない配位子を表し、mは1,2又は3、nは0、1又は2、m+n≦3である。
この式のMの金属の種類としては、Li、Na,Cs,Be,Mg,Ca,Ba,Zn、Cd,Al,Ga,In,Ybなどが挙げられる。
これらの中で、特にAl,Be、Gaが好ましい。
また、Xの窒素含有配位子の代表例としては,キノリノール系配位子や、ベンゾキノリノール系配位子があり、例えば前者のキノリノール系配位子としては、下記の一般式
【0022】
【化11】
【0023】
(式中、R15及びR16は、ハロゲン原子、いずれも置換又は無置換のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルカノイル基、シクロアルカノイル基、 アリーロイル基,又はヘテロ原子としての窒素,酸素及び/又は硫黄を有するヘテロアリールである化合物基を表し、u及びvは、0〜3の整数であり、R15同士及びR16同士は互いに連結し、環を形成してもよい。)で表されるキノリノール系配位子である。
また、前記の式中、Yの窒素を含有しない配位子としては、特に制限はないが、フェノール、ナフトール又はそれらのアルキル又はアリール置換誘導体から導かれる酸素含有配位子が好ましい。
窒素含有配位子からなる金属錯体の具体例としては、8−キノリノールないしその誘導体から導かれる窒素含有配位子からなるトリス(8−キノリノラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(ベンゾ[f]−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム,8−キノリノラトリチウム、トリス(5−メチル−8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロロ−8−8−キノリノラトアルミニウム,トリス(5,7−ジブロモ−8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メタン]などがある。
【0024】
また、窒素含有配位子以外に窒素を含有しない配位子を有するアルミニウム錯体としては、ビス(2−メチル−8−キノリラト)(フェノラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリラト)(オルト−クレゾラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリラト)(メタ−クレゾラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリラト)(パラ−クレゾラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリラト)(オルト−フェニルフェノラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリラト)(2,3−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリラト)(2,6−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III),ビス(2−メチル−8−キノリラト)(3,4−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III),ビス(2−メチル−8−キノリラト)(3,5−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III),ビス(2−メチル−8−キノリラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリラト)(2,6−ジ−フェニルフェノラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリラト)(2,4,6−ジ−トリフェニルフェノラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリラト)(2,3,6−トリメチルフェノラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリラト)(2,3,5,6−テトラメチルフェノラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリラト)(1−ナフトラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(III)、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリラト)(オルト−フェニルフェノラト)アルミニウム(III)、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウム(III)、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(III)、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリラト)(3,5−ジメチルフェノト)アルミニウム(III)、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−4−エチル−8−キノリラト)(パラクレゾラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−4−メトキシ−8−キノリラト)(パラフェニルフェノラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリラト)(オルト−クレゾラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−6−トリフルオロメチル−8−キノリラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(III)などが挙げられる。
【0025】
このほか、ビス(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム(III)−μ−オキソ−ビス(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム(III)、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリラト)アルミニウム(III)−μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キノリラト)アルミニウム(III),ビス(4−エチル−2メチル−8−キノリラト)アルミニウム(III)−μ−オキソ−ビス(4−エチル−2メチル−8−キノリラト)アルミニウム(III)、ビス(2メチル−4−メトキシキノリラト)アルミニウム(III)−μ−オキソ−ビス(2−メチル−4−メトキシキノリラト)アルミニウム(III)、ビス(5−シアノ−2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム(III)−μ−オキソ−ビス(5−シアノ−2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリラト)アルミニウム(III)−μ−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリラト)アルミニウム(III)などが使用できる。
【0026】
また、(A)成分の窒素含有ヘテロ環化合物としては、例えば、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ビス[ 2−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール] −m−フェニレンなどのオキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、キノキサリンキノリン誘導体が挙げられる。これらの中でも、本発明においては、窒素含有配位子を含む金属錯体が特に好ましい。
【0027】
本発明においては、この(A)成分の電子輸送性化合物は、一種用いてもよく、二種以上を組合せて用いてもよい。
本発明において、有機発光媒体層に用いられる(B)成分のアントラセン誘導体は、一般式(I)
A1−L−A2 ・・・(I)
(式中、A1 及びA2 は、それぞれ置換若しくは無置換のモノフェニルアントリル基又は置換若しくは無置換のジフェニルアントリル基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、Lは単結合又は二価の連結基を示す。)で表されるアントラセン誘導体、あるいは一般式(II)
A3−An−A4 ・・・・(II)
(式中、Anは置換若しくは無置換の二価のアントラセン残基を示し、A3 及びA4 は、それぞれ置換若しくは無置換の炭素数10以上の一価の縮合芳香族環基又は置換若しくは無置換の炭素数12以上の非縮合環系アリール基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよい。)で表されるアントラセン誘導体である。
【0028】
上記一般式(I)及び(II)における各基が置換基を有する場合、その置換基としては、例えば炭素数1〜6のアルアキル基,炭素数3〜6のシクロアルキル基,炭素数1〜6のアルコキシ基,炭素数5〜18のアリールオキシ基,炭素数7〜18のアラルキルオキシ基,炭素数5〜16のアリール基で置換されたアミノ基,ニトロ基,シアノ基,炭素数1〜6のエステル基,ハロゲン原子などが挙げられる。
【0029】
ここで、炭素数1〜6のアルキル基の例としては、メチル基,エチル基,プロピル基,イソプロピル基,ブチル基,イソブチル基,sec−ブチル基,tert−ブチル基,各種ペンチル基,各種ヘキシル基などが挙げられ、また、炭素数1〜6のアルコキシル基の例としては、メトキシ基,エトキシ基,プロポキシ基,イソプロポキシ基,ブトキシ基,イソブトキシ基,sec−ブトキシ基,tert−ブトキシ基、各種ペンチルオキシ基,各種ヘキシルオキシ基などが挙げられる。炭素数3〜6のシクロアルキル基の例としては、シクロプロピル基,シクロブチル基,シクロペンチル基,シクロヘキシル基などが挙げられる。
【0030】
炭素数5〜18のアリールオキシ基の例としては、フェノキシ基,トリルオキシ基,ナフチルオキシ基などが、炭素数7〜18のアラルキルオキシ基の例としては、ベンジルオキシ基,フェネチルオキシ基,ナフチルメトキシ基などが、炭素数5〜16のアリール基で置換されたアミノ基の例としては、ジフェニルアミノ基,ジトリルアミノ基,ジナフチルアミノ基,ナフチルフェニルアミノ基などが、炭素数1〜6のエステル基の例としては、メトキシカルボニル基,エトキシカルボニル基,プロポキシカルボニル基,イソプロポキシカルボニル基などが、ハロゲン原子の例としては、フッ素原子,塩素原子,臭素原子などが挙げられる。また本発明におけるアリール基としては、スチリルフェニル,スチリルビフェニル,スチリルナフチルなども含まれる。
【0031】
一般式(I)で表されるアントラセン誘導体としては、例えば一般式(I−a)
【0032】
【化12】
【0033】
[式中、R1 〜R6は、それぞれ独立に,アルキル基,シクロアルキル基,アルケニル基、置換若しくは無置換のアリール基,アルコキシ基,アリーロキシ基,アルキルアミノ基,アリールアミノ基又は置換若しくは無置換の複素環基を示し、a及びbは、それぞれ0〜5の整数,c,d,e及びfは、それぞれ0〜4の整数を示し、それらが2以上の場合、R1 同士、R2同士、R3同士、R4同士,R5同士又はR6同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、またR1同士、R2同士、R3同士、R4同士,R5同士又はR6同士は結合して環を形成していてもよい。L1 は単結合、−O−,−S−,−N(R)−(Rはアルキル基又は置換若しくは無置換のアリール基である)又はアリーレン基を示す。]で表されるアントラセン誘導体、又は一般式(I−b)
【0034】
【化13】
【0035】
[式中、R7〜R14は、それぞれ独立に,アルキル基,シクロアルキル基,アルケニル基、置換若しくは無置換のアリール基,アルコキシ基,アリーロキシ基,アルキルアミノ基,アリールアミノ基又は置換若しくは無置換の複数環基を示し、g及びhは、それぞれ0〜4の整数,i,j,k及びlは、それぞれ0〜5の整数、m及びnは、それぞれ0〜3の整数を示し、それらが2以上の場合、R7同士,R8同士,R9同士R10同士,R11同士又はR12同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、またR7同士,R8同士,R9同士R10同士,R11同士又はR12同士が結合して環を形成していてもよい。L2 は単結合、−O−,−S−,−N(R)−(Rはアルキル基又は置換若しくは無置換のアリール基である)又はアリーレン基を示す。]で表されるアントラセン誘導体を好ましく挙げることができる。
【0036】
上記一般式(I−a)及び(I−b)において、R1 〜R12の内のアルキル基としては炭素数1〜6のものが、シクロアルキル基としては炭素数3〜6のものが、アリール基としては炭素数5〜18のものが、アルコキシ基としては炭素数1〜6のものが、アリーロキシ基としては炭素数5〜18のものが、アリールアミノ基としては炭素数5〜16のアリール基で置換されたアミノ基が、複素環式基としてはトリアゾール基,オキサジアゾール基,キノキサリン基,フラニル基やチエニル基などが好ましく挙げられる。
【0037】
また、L1 及びL2 の内の−N(R)−におけるRで示されるアルキル基としては炭素数1〜6のものが、アリール基としては炭素数5〜18のものが好ましい。
【0038】
一方、前記一般式(II)で表されるアントラセン誘導体としては、例えば一般式(II−a)
Ar1 −An−Ar2 ・・・(II−a)
[式中、Anは置換若しくは無置換の二価のアントラセン残基を示し、Ar1 及びAr2 は、それぞれ独立に、かつ、いずれも置換若しくは無置換のフルオランテン、ナフタレン,フェナントレン,アントラセン,ピレン,ペリレン,コロネン,クリセン,ピセン,フルオレン,ターフェニル,ジフェニルアントラセン,ビフェニル,N−アルキル若しくはアリールカルバゾール,トリフェニレン,ルビセン,ベンゾアントラセン又はジベンゾアントラセンの一価の残基、及び一般式(II−x)
【0039】
【化14】
【0040】
(式中、B1 ,B2は、いずれも置換若しくは無置換のフェニル基、ナフチル基,ビフェニル基、ターフェニル基、アントリル基を示す。)で表される基を示す。]で表されるアントラセン誘導体を好ましく挙げることができる。
【0041】
上記一般式(II−a)におけるAn,Ar1 及びAr2 が置換基を有する場合、その置換基としては、一般式(I)及び(II)において説明した置換基と同じものを挙げることができる。
【0042】
本発明においては、この(B)成分のアントラセン誘導体は一種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
前記一般式(I−a)で表されるアントラセン誘導体の具体例を以下に示す。なお、式中のMeはメチル基を表す。以下同じ。
【0043】
【化15】
【0044】
【化16】
【0045】
【化17】
【0046】
前記一般式(I−b)で表されるアントラセン誘導体の具体例を以下に示す。
【0047】
【化18】
【0048】
【化19】
【0049】
【化20】
【0050】
前記一般式(II−a)で表されるアントラセン誘導体の具体例を以下に示す。
【0051】
【化21】
【0052】
【化22】
【0053】
【化23】
【0054】
【化24】
【0055】
本発明において、有機発光媒体層における前記(A)成分, (B)成分とともに用いられる(C)成分の蛍光性化合物としては、(C−2)縮合多環芳香族系化合物が必須であり、さらに(C−1)アミン含有スチリル誘導体を用いても良い。
まず、(C−1)の成分としては、例えば、一般式(III)
【0056】
【化25】
【0057】
(式中、Ar3 ,Ar4 及びAr5 は、それぞれ独立に炭素数6〜40の置換若しくは無置換の一価の芳香族基を示し、それらの中の少なくとも一つは置換若しくは無置換のスチリル基を含み、pは1〜4の整数を示す。)で表されるアミン含有スチリル誘導体,あるいは一般式(IV)
【0058】
【化26】
【0059】
(式中、Ar6 ,Ar7 ,Ar9 ,Ar11及びAr12は、それぞれ独立に炭素数6〜40の置換若しくは無置換の一価の芳香族基を示し、Ar8 及びAr10は、それぞれ独立に炭素数6〜40の置換若しくは無置換の二価の芳香族基を示し、A6 〜Ar12の少なくとも一つは置換若しくは無置換のスチリル基又は置換若しくは無置換のスチリレン基を含み、q及びtは、それぞれ0〜2の整数、r及びsは、それぞれ1〜2の整数を示す。)で表されるアミン含有スチリル誘導体を挙げることができる。
【0060】
上記一般式(III)及び(IV) において、Ar3,Ar4 ,Ar5,Ar6 ,Ar7,Ar9 ,Ar11及びAr12で示される炭素数6〜40の一価の芳香族基の例としては、フェニル基,ナフチル基,アントラニル基,フェナンスリル基,ピレニル基,コロニル基,ビフェニル基,ターフェニル基,フルオレニル基,フラニル基,チエニル基,ベンゾチエニル基,インドリル基,カルバゾリル基などが挙げられる。
【0061】
また、一般式(IV) において、Ar8 及びAr10で示される炭素数6〜40の二価の芳香族基の例としては、フェニレン基,ナフチレン基,アントラニレン基,フェナンスリレン基,ピレニレン基,コロニレン基,ビフェニレン基,ターフェニレン基,フラニレン基,チエニレン基,フルオレニレン基などが挙げられる。
【0062】
さらに、上記炭素数6〜40の一価又は二価の芳香族基の別の例としては、スチルベン,ジスチリルアリーレン,トリススチリルアリーレン,テトラスチリルアリーレンの一価又は二価の残基を挙げることができる。
上記一価又は二価の芳香族基が置換基を有する場合、その置換基としては、一般式(I)及び(II)において説明した置換基と同じものを挙げることができる。
前記一般式(III)で表されるアミン含有スチリル誘導体の具体例を以下に示す。
【0063】
【化27】
【0064】
【化28】
【0065】
【化29】
【0066】
【化30】
【0067】
前記一般式(IV)で表されるアミン含有スチリル誘導体の具体例を以下に示す。
【0068】
【化31】
【0069】
【化32】
【0070】
【化33】
【0071】
次に、(C−2)成分の縮合多環芳香族系化合物としては、縮合多環芳香族炭化水素と、それをアミノ置換した誘導体であるアミノ置換縮合多環芳香族炭化水素を代表例として挙げらることができる。
前者の縮合多環芳香族炭化水素としては、例えば、下記の一般式で表される化合物を用いることができる。
【0072】
(Ar13) m'' −U ・・・(V)
式(V)中、Ar13は、置換若しくは無置換の芳香族化合物の一価の残基を示す。この芳香族化合物の残基には、芳香族炭化水素の残基と共に、芳香族複素環の残基も含まれる。前者の芳香族炭化水素の残基としては、総炭素数6〜30の単環又は多環の芳香族炭化水素の残基が好ましく、置換基を有してもよい。多環の場合の環は、縮合環でも非縮合環でもよい。
また、置換基を有する場合の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アミノ基、複素環基などが挙げられる。
Ar13が芳香族炭化水素の残基である場合の具体例としては、例えば、フェニル基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アリールフェニル基、アリールオキシフェニル基、アルケニルフェニル基、アミノフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、ペリレニル基、さらには、アリールアルキニル基などが挙げられる。上記、アルキルフェニル基のアルキル基は、分岐を有して良く、炭素数1〜10のものが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、各種プロピル基、各種ブチル基、各種ペンチル基、各種ヘキシル基などが挙げられる。また、これらアルキル基の置換位置は、o位,m位,p位のいずれであってもよい。アルキルフェニル基の代表例としては、(o,m,p)−トリル基、4−n−ブチルフェニル基、4−t−ブチルフェニル基が挙げられる。また、上記アリールフェニル基としては、アリール基がフェニル基であるものが好ましく、このフェニル基は、アルキル基などで置換されているものが好ましい。この場合のアルキル基は、アルキルフェニル基のところで例示したものと同じである。さらにアリール部分は、フェニル基などのアリール基が置換したフェニル基であってもよい。このようなアリールフェニル基の代表例としては、(o,m,p)−ビフェニリル基、4−トリフェニル基、3−トリフェニル基、テレフェニリル基などが挙げられる。また、前記アルケニルフェニル基としては、アルケニル部分の総炭素数が2〜20のものが好ましく、特にアルケニル基としてはジアリールアルケニル基が好まく、例えば、ジフェニルビニル基、ジトリルビニル基、ジビフェニルビニル基などが挙げられる。このようなアルケニルフェニル基の代表例としては、トリフェニルビニルフェニル基などが挙げられる。また、上記アミノフェニル基としては、アミノ部分がジアリールアミノ基であるものが好ましく、アリールアミノ基としては、ジフェニルアミノ基、フェニルトリルアミノ基などが挙げられる。このようなアミノフェニル基の代表例としては、ジフェニルアミノフェニル基、フェニルトリルアミノフェニル基などが挙げられる。また、上記ナフチル基としては、1−ナフチル基、2−ナフチル基などが挙げられる。また、さらに上記アリールアルキニル基としては、総炭素数8〜20のものが好ましく、例えば、フェニルエチニル基、トリルエチニル基、ビフェニリルエチニル基、ナフチルエチニル基、ジフェニルアミノフェニルエチニル基、N−フェニルトリルアミノフェニルエチニル基、フェニルプロピル基などが挙げられる。
一方、Ar13が、後者の芳香族複素環の残基である場合は、ヘテロ原子としてO,N,Sを含む5員環又は6員環が好ましい。具体的には例えば、チエニル基、フリル基、ピローリル基、ピリジル基などが挙げられる。この芳香族複素環の残基は置換基を有してもよく、置換基を有する場合の置換基の具体例は、前記芳香族炭化水素の残基の場合の置換基と同じ物を挙げることができる。
また、上記、式(V)で表される多環芳香族化合物中に存在する、全ての残基Ar13に含まれる芳香族炭化水素又は芳香族複素環の環数については、2以上存在すれば他の制限はないが、発光媒体中の蛍光分子同士の会合を防ぐ点で6以上である場合がより好ましい。
次いで、上式中Uは,環数4〜10、好ましくは4〜6の縮合多環芳香族化合物のm価の残基を示す。また、m ''は2〜8、好ましくは2〜6の整数である。ただし、Uの環数が4のとき、m '' は6〜8の整数である。
縮合多環芳香族化合物は、縮合多環芳香族炭化水素の他、縮合多環芳香族複素環も含まれる。この縮合多環芳香族炭化水素の代表例としては、ナフタセン、ピレン、クリセン、トリフェニレン、ベンゾ[c]フェナントレン、ベンゾ[a]アントラセン、ペンタセン、ペリレン、フルオランテン、アセナフソフルオランテン、ジベンゾ[a,j]アントラセン、ジベンゾ[a,h]アントラセン、ベンゾ[a]ナフタセン,ヘキサセン、アンタントレンなどが挙げられる。また、縮合多環芳香族複素環の代表例としては、ナフト[2,1−f]イソキノリン、α−ナフタフェナントリジン、フェナントロオキサゾール、キノリノ[6,5−f]キノリン,ベンゾ[b]チオファントレン、ベンゾ[g]チオファントレン,ベンゾ[i]チオファントレン、ベンゾ[b]チオファントラキノンなどが挙げられる。これらの中で、本発明においては、Uが縮合多環芳香族炭化水素の2〜8価、さらには2〜6価の残基が特に好ましい。
このような式(V)中の縮合多環芳香族炭化水素基Uを構成する縮合多環芳香族炭化水素の具体例を以下に示す。
【0073】
【化34】
【0074】
【化35】
【0075】
【化36】
【0076】
続いて、(C−2)成分の縮合多環芳香族系化合物が、アミノ置換縮合多環芳香族化合物である場合は、例えば、下記の式で表される化合物が使用できる。
(Ar13) m' −U’−(Am) n' ・・・(VI)
式(VI)中、Ar13は、前記式(V)と同じ意味であり置換基も同様である。Amは、窒素原子とこれに連結する少なくとも一つの炭素環を含む置換基よりなる一価の基であり、例えば、ジアリールアミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアルキルアリールアミノ基などを挙げることができる。また、この式におけるU’は、環数3〜10の縮合多環芳香族炭化水素の1〜12価の残基を表す。したがって、前記式(V)におけるUで挙げたと同様の縮合多環芳香族炭化水素とともにアントラセンなどをも加えた概念である。またm’は0〜8の整数,n’は1〜4の整数である。本発明の(C)成分として使用する蛍光性化合物としては、上記(C−1)、(C−2)の他に、下記の一般式
【0077】
【化37】
【0078】
(式中、R15 R16は、アルキル基、アルコキシ基、置換されたアルキル基、アリール基、縮合アリールハロゲン化物であり、R17 R180は、アルキル基、アルコキシ基、置換されたアルキル基、アリール基、又は置換されたアリール基を示し、wは、0又は1〜3の整数である。)で表されるキナクリドン化合物や、下記の一般式
【0079】
【化38】
【0080】
(式中、R19 、R20及びR21、はそれぞれ水素原子、シアノ基、カルボキシル基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、アシル基、エステル基又は置換若しくは無置換の複素環基を表し、これらは同一であっても異なってもよく、R19 、R20及びR21は互いの結合して環を形成してもよい。R22及びR25は、それぞれ水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、R22及びR23は、それぞれアルキル基又はアリール基を表し、R22とR23、R23とR24、R24とR25は互いに結合して環を形成してもよい。)で表されるクマリン化合物であっても同様の効果を発揮する。
【0081】
本発明においては、これらの(C)成分の蛍光性化合物は、一種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明においては、有機発光媒体層における前記(A)成分の電子輸送性化合物、(B)成分のアントラセン誘導体との含有割合は、質量比が 1:99 〜 99:1の範囲で、使用する化合物の種類などに応じて適宜選定するのが有利である。中でも(A)成分と(B)成分の好ましい割合は 1:9〜9:1の範囲であり、特に9:1〜1:1の範囲が好適である。この範囲で特に長寿命が得られる。
また、必要に応じて加える(C)成分の蛍光性化合物の配合割合は、
(A)成分と(B)成分の合計と(C)成分の質量比が、100:1〜1:10、好ましくは100:2〜1:1の範囲で使用する。
【0082】
この有機発光媒体層の厚さとしては、5〜200nmの範囲が好ましく、特に素子の印加電圧を非常に低くしうることから、10〜40nmの範囲が好適である。このように、(A)成分と(B)成分を組み合わせて有機発光媒体層に用いることにより、有機発光媒体層がより非晶質となって、結晶化が抑制され、安定性が向上し、耐熱性に優れるものになる。(B)成分の化合物としては、ガラス転移点が110℃以上のものが好ましい。このようなガラス転移点を有する化合物を混合することにより、有機発光媒体層のガラス転移点を110℃以上にすることができ、85℃、500時間以上の保存耐熱性を得ることが可能となる
さらに、(A)成分と(B)成分の配合比率を調整することにより、発光色の色度や発光スペクトルのピーク波長を制御できる。すなわち、(A)成分の割合を増やすと、発光スペクトルのピークは長波長に移動し、色度座標のx座標は増加する。これは(A)成分に関与する発光帯のスペクトルピークが長波長であるからである。
【0083】
さらに、(C)成分の蛍光性化合物を加えるが、これにより、一層耐熱性と発光効率が向上する。本発明の有機EL素子は、一対の電極の間に、前記の(A)成分と(B)成分及び必要に応じて加える(C)成分との組み合わせを含む有機発光媒体層(以下、発光媒体層と略記する)を挟持させてなるものであるが、該電極とこの発光媒体層の間に種々の中間層を介在させるのが好ましい。この中間層としては、例えば正孔注入層,正孔輸送層,電子注入層,電子輸送層などが挙げられる。これらは、有機,無機の種々の化合物が知られている。
【0084】
このような有機EL素子の代表的な素子構成としては、
▲1▼陽極/発光媒体層/陰極
▲2▼陽極/正孔注入層/発光媒体層/陰極
▲3▼陽極/発光媒体層/電子注入層/陰極
▲4▼陽極/正孔注入層/発光媒体層/電子注入層/陰極
▲5▼陽極/有機半導体層/発光媒体層/陰極
▲6▼陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光媒体層/陰極
▲7▼陽極/有機半導体層/発光媒体層/付着改善層/陰極
▲8▼陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光媒体層/電子注入層/陰極
などを挙げることができるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【0085】
この有機EL素子は、通常透光性の基板上に作製する。この透光性基板は有機EL素子を支持する基板であり、その透光性については、400〜700nmの可視領域の光の透過率が50%以上、好ましくは80%以上であるものが望ましく、さらに平滑な基板を用いるのが好ましい。
【0086】
このような透光性基板としては、例えば、ガラス板、合成樹脂板などが好適に用いられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英などで成形された板が挙げられる。また、合成樹脂板としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルサルファイド樹脂、ポリサルフォン樹脂などの板が挙げられる。
【0087】
次に、上記の陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物又はこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Auなどの金属,CuI,ITO(インジウムチンオキシド),SnO2 ,ZnO,In−Zn−Oなどの導電性材料が挙げられる。この陽極を形成するには、これらの電極物質を、蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることができる。この陽極は、上記発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が10%より大きくなるような特性を有していることが望ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω/□以下のものが好ましい。さらに、陽極の膜厚は、材料にもよるが通常10nm〜1μm、好ましくは10〜200nmの範囲で選択される。
【0088】
次に、陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム,ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム,リチウム,マグネシウム・銀合金,アルミニウム/酸化アルミニウム,Al/Li2 O,Al/LiO2 ,Al/LiF,アルミニウム・リチウム合金,インジウム,希土類金属などが挙げられる。
【0089】
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
ここで、発光媒体層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は10%より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、さらに、膜厚は通常10nm〜1μm、好ましくは50〜200nmである。
【0090】
本発明の有機EL素子においては、このようにして作製された一対の電極の少なくとも一方の表面に、カルコゲナイド層,ハロゲン化金属層又は金属酸化物層(以下、これらを表面層ということがある。)を配置するのが好ましい。具体的には、発光媒体層側の陽極表面にケイ素やアルミニウムなどの金属のカルコゲナイド(酸化物を含む)層を、また、発光媒体層側の陰極表面にハロゲン化金属層又は金属酸化物層を配置するのがよい。これにより、駆動の安定化を図ることができる。
【0091】
上記カルコゲナイドとしては、例えばSiOx(1≦X≦2),AlOx(1≦X≦1.5),SiON,SiAlONなどが好ましく挙げられ、ハロゲン化金属としては、例えばLiF,MgF2 ,CaF2 ,フッ化希土類金属などが好ましく挙げられ、金属酸化物としては、例えばCs2 O,Li2 O,MgO,SrO,BaO,CaOなどが好ましく挙げられる。
【0092】
本発明の有機EL素子においては、前記(A)成分と(B)成分との使用割合によって、発光媒体層の電子輸送性及び正孔輸送性共に良好となり、前記した正孔注入層,正孔輸送層,電子注入層などの中間層を省略することが可能となる。該表面層は、この場合においても設けることが可能であり、好ましい。
【0093】
さらに、本発明の有機EL素子においては、このようにして作製された一対の電極の少なくとも一方の表面に電子伝達化合物と還元性ドーパントの混合領域又は正孔伝達化合物と酸化性ドーパントの混合領域を配置するのも好ましい。このようにすると、電子伝達化合物が還元され、アニオンとなり混合領域がより発光媒体に電子を注入、伝達しやすくなる。また、正孔伝達化合物は酸化され、カチオンとなり混合領域がより発光媒体に正孔を注入、伝達しやすくなる。好ましい酸化性ドーパントとしては、各種ルイス酸やアクセプター化合物がある。好ましい還元性ドーパントとしては、アルカリ金属,アルカリ金属化合物,アルカリ土類金属,希土類金属及びこれらの化合物がある。
【0094】
本発明の有機EL素子においては、発光媒体層は、
▲1▼注入機能;電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
▲2▼輸送機能;注入した電荷(電子と正孔)を電界の力で移動させる機能
▲3▼発光機能;電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
を有する。
【0095】
この発光媒体層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、ラングミュア・ブロジェット法(LB法)等の公知の方法を適用することができる。発光媒体層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態または液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、LB法により形成された薄膜(分子累積膜)とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
【0096】
また特開昭57−51781号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光媒体層を形成することができる。
【0097】
本発明においては、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、発光媒体層に、前記(A)成分(B)成分及び(C)成分以外の他の公知の有機発光媒体を含有させてもよく、また、本発明に係る化合物を含む発光媒体層に、他の公知の有機発光媒体を含む発光媒体層を積層してもよい。
【0098】
次に、正孔注入・輸送層は、発光媒体層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常5.5eV以下と小さい。このような正孔注入・輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光媒体層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば104 〜106 V/cmの電界印加時に、少なくとも10-6cm2 /V・秒であるものが好ましい。このような材料としては、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機EL素子の正孔注入層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
【0099】
そして、この正孔注入・輸送層を形成するには、正孔注入・輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法等の公知の方法により薄膜化すればよい。この場合、正孔注入・輸送層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は5nm〜5μmである。
【0100】
次に、電子注入層は、発光媒体層への電子の注入を助ける層であって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層である。電子注入層に用いられる材料としては、8−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体が好適である。上記8−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン(一般に8−キノリノールまたは8−ヒドロキシキノリン)のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウムを電子注入材料として用いることができる。
【0101】
次に、本発明の有機EL素子を作製する方法については、例えば上記の材料及び方法により陽極、発光媒体層、必要に応じて正孔注入層、および必要に応じて電子注入層を形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機EL素子を作製することもできる。
【0102】
以下、透光性基板上に、陽極/正孔注入層/発光媒体層/電子注入層/陰極が順次設けられた構成の有機EL素子の作製例について説明する。
まず、適当な透光性基板上に、陽極材料からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるように、蒸着法あるいはスパッタリング法により形成し、陽極とする。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物(正孔注入層の材料)、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度50〜450℃、真空度10-7〜10-3torr、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50〜300℃、膜厚5nm〜5μmの範囲で適宜選択することが好ましい。
【0103】
次に、この正孔注入層上に発光媒体層を設ける。この発光媒体層の形成も、本発明に係る有機発光媒体を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により、有機発光媒体を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光媒体層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層の形成と同様な条件範囲の中から選択することができる。膜厚は10〜40nmの範囲が好ましい。
【0104】
次に、この発光媒体層上に電子注入層を設ける。この場合にも正孔注入層、発光媒体層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光媒体層と同様の条件範囲から選択することができる。
【0105】
そして、最後に陰極を積層して有機EL素子を得ることができる。陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし、下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
【0106】
以上の有機EL素子の作製は、一回の真空引きで、一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。
この有機EL素子に直流電圧を印加する場合、陽極を+、陰極を−の極性にして、3〜40Vの電圧を印加すると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加した場合には、陽極が+、陰極が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。この場合、印加する交流の波形は任意でよい。
【0107】
本発明はまた、前記(A)成分と、前記(B)成分及び必要により前記(C)成分を含む有機発光媒体をも提供するものである。この有機発光媒体は、耐熱性に優れ、寿命が長く、かつ高効率の発光が得られる有機EL素子に好適に用いられる。
【0108】
【実施例】
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
実施例1
公知の文献に従い、下記化合物DPVDPAN,TPD78,TPD106,PAVB,Ru11,DC5及びRub6Pを合成し、精製した。
【0109】
【化39】
【0110】
【化40】
【0111】
25×75×1.1mmサイズのガラス基板上に、膜厚120nmのインジウムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。このガラス基板に紫外線及びオゾンを照射して洗浄を行ったのち、真空蒸着装置にこのガラス基板を設置した。
【0112】
まず、TPD106を60nmの厚さに蒸着したのち、その上にTPD78を20nmの厚さに蒸着した。次いでDPVDPANとAlqとRu11を、重量比20:20:2で同時蒸着し、厚さ40nmの発光媒体層を形成した。DPVDPANはアントラセン誘導体、Alqは電子輸送性化合物、Ru11は縮合多環芳香族化合物である。
【0113】
次に、Alq(8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体)を20nmの厚さに蒸着した。TPD106,TPD78,DPVDPAN:Alq:Ru11及びAlqは、それぞれ正孔注入層,正孔輸送層,発光媒体層及び電子注入層である。次に、ハロゲン化アルカリ金属であるLiFを0.3nmの厚さに蒸着し、次いでアルミニウムを100nmの厚さに蒸着した。このAl/LiFは陰極として働く。このようにして有機EL素子を作製した。次に、この素子について、通電試験を行ったところ、電圧6V,電流密度3.0mA/cm2 にて、110cd/m2 の赤色発光が得られ、色度座標(0.61,0.38),効率は3.7cd/Aであった。初期光輝度1000cd/m2 にて定電流駆動の連続試験を行ったところ、半減寿命は2600時間であり、極めて長寿命であった。
【0114】
実施例2〜17及び比較例1
実施例1において、発光媒体層を、第1表に示す種類の(A)成分と(B)成分と(c)成分を第1表に示す割合で用いて形成した以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。得られた素子の性能を第1表に示す。なお、表中、Gaqはトリス(8−キノリノール)ガリウムを表す。
【0115】
【表1】
【0116】
実施例18
実施例7と同様に素子を作製した。但し、陰極をLiF/AlのかわりとしてAlq:Cs/Alを用いた。Alq:Csは電子伝達化合物であるAlqと還元性であるCs金属のモル比1:1の混合層である。電圧4.5V,電流密度1.73mA/cm2 にて203cd/m2 の黄色発光が得られた。効率は、12.7cd/Aと極めて高かった。初期光輝度1000cd/m2での定電流駆動の半減寿命は3500時間であった。
【0117】
比較例2
実施例1において、DPVDPANを用いず、Alq、Ru11を同時蒸着したこと以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。この素子の性能を評価したところ、電圧6Vで6.9mA/cm2 の電流が流れたが、輝度は173cd/m2 であり、効率は2.5cd/Aであった。したがって、実施例1の効率は、比較例2の1.5倍であった。また、初期光輝度1000cd/m2 で直流の連続通電テストを行ったところ、半減寿命は700時間であり、短かった。
【0118】
比較例3
実施例2において、DPVDPANを用いず、AlqとDC5を同時蒸着したこと以外は、実施例2と同様にして有機EL素子を作製した。この素子の性能を評価したところ、電圧6Vで2.2mA/cm2 の電流が流れたが、輝度は148cd/m2 であり、効率は6.7cd/Aであった。また、初期光輝度1000cd/m2 で直流の連続通電テストを行ったところ、半減寿命は1800時間であり、短かった。したがって、実施例2の効率及び寿命は、比較例3より優れている。
【0119】
比較例4
実施例12において、EM35を用いず、Gaq、Rub6Pを同時蒸着したこと以外は、実施例12と同様にして有機EL素子を作製した。この素子の性能を評価したところ、電圧6Vで12mA/cm2 の電流が流れ、輝度は650cd/m2 であり、効率は5.4cd/Aであった。また、初期光輝度1000cd/m2 で直流の連続通電テストを行ったところ、半減寿命は1900時間であり、短かった。したがって、実施例12の効率及び寿命は、比較例4より優れている。
【0120】
【発明の効果】
本発明によれば、耐熱性に優れ、寿命が長く、かつ高効率の発光が得られる有機EL素子を提供することができる。この有機EL素子は、各種表示装置の発光素子として好適に用いられる。
Claims (10)
- 一対の電極と、これらの電極間に挟持された有機発光媒体層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、上記有機発光媒体層が(A)窒素含有配位子からなる金属錯体及び窒素含有ヘテロ環化合物から選ばれた少なくとも一種の電子輸送性化合物と、(B)一般式(I)
A1−L−A2 ・・・(I)
(式中、A1 及びA2 は、それぞれ置換若しくは無置換のモノフェニルアントリル基又は置換若しくは無置換のジフェニルアントリル基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、Lは単結合又は二価の連結基を示す。)で表されるアントラセン誘導体、及び一般式(II)
A3−An−A4 ・・・(II)
(式中、Anは置換若しくは無置換の二価のアントラセン残基を示し、A3 及びA4 は、それぞれ置換若しくは無置換の炭素数10以上の一価の縮合芳香族環基又は置換若しくは無置換の炭素数12以上の非縮合環系アリール基を示し、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。)で表されるアントラセン誘導体の中から選ばれた少なくとも一種の化合物と、(C)一般式(V)
(Ar13)m''−U ・・・(V)
(式中、Ar13は、置換若しくは無置換の芳香族化合物の一価の残基を示し、Uは,環数4〜10の縮合多環芳香族化合物のm''価の残基を示し、m''は2〜8の整数である。ただし、Uの環数が4のとき、m''は6〜8の整数である。)で表される縮合多環芳香族系化合物、及び一般式(VI)
(Ar13)m'−U’−(Am)n' ・・・(VI)
(式中、Ar13は前記一般式(V)と同じであり、U’は環数3〜10の縮合多環芳香族炭化水素の1〜12価の残基を示し、Amは、窒素原子とこれに連結する少なくとも一つの炭素環を含む置換基よりなる一価の基を示し、m’は0〜8の整数,n’は1〜4の整数である。)で表される縮合多環芳香族系化合物の中から選ばれた少なくとも一種の蛍光性化合物とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - (B)成分の一般式(I)で表されるアントラセン誘導体が、一般式(I−a)
- (B)成分の一般式(II)で表されるアントラセン誘導体が、一般式(II−a)
Ar1−An−Ar2 ・・・(II−a)
[式中、Anは置換若しくは無置換の二価のアントラセン残基を示し、Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、かつ、いずれも置換若しくは無置換のフルオランテン、ナフタレン,フェナントレン,アントラセン,ピレン,ペリレン,コロネン,クリセン,ピセン,フルオレン,ターフェニル,ジフェニルアントラセン,ビフェニル,N−アルキル若しくはアリールカルバゾール,トリフェニレン,ルビセン,ベンゾアントラセン又はジベンゾアントラセンの一価の残基、及び一般式(II−x)
- (A)成分の金属錯体が、一般式M−X m Y n
(式中、Mは1〜3価の金属、Xは窒素含有配位子、Yは窒素を含有しない配位子を表し、mは1,2又は3、nは0、1又は2、m+n≦3である。)
で表される請求項1〜3のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 有機発光媒体層が、(A)成分,(B)成分を、質量比1:99〜99:1の割合で含む請求項1〜4のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 有機発光媒体層が、(A)成分と(B)成分の合計と(C)成分を、質量比100:1〜1:10の割合で含む請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 一対の電極の少なくとも一方の表面に、カルコゲナイド層,ハロゲン化金属層又は金属酸化物層を配置する請求項1〜6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 一対の電極の少なくとも一方の表面に、還元性ドーパントと有機物の混合領域又は酸化性ドーパントと有機物の混合領域を配置することを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 有機発光媒体層の厚さが、10〜400nmである請求項1〜8のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- (A)請求項1における窒素含有配位子からなる金属錯体及び窒素含有ヘテロ環化合物から選ばれた少なくとも一種の電子輸送性化合物と、(B)請求項1における一般式(I)及び一般式(II)で表されるアントラセン誘導体の中から選ばれた少なくとも一種の化合物と、(C)請求項1における一般式(V)及び一般式(VI)で表される縮合多環芳香族系化合物の中から選ばれた少なくとも一種の蛍光性化合物とを含むことを特徴とする有機発光媒体。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000093976A JP4094203B2 (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光媒体 |
CNB018007848A CN100482021C (zh) | 2000-03-30 | 2001-03-28 | 有机电致发光装置和有机发光介质 |
KR1020067002198A KR100572445B1 (ko) | 2000-03-30 | 2001-03-28 | 유기 전자발광 소자 및 유기 발광 매체 |
PCT/JP2001/002587 WO2001076323A1 (en) | 2000-03-30 | 2001-03-28 | Organic electroluminescence device and organic luminescent medium |
KR1020017015331A KR100572440B1 (ko) | 2000-03-30 | 2001-03-28 | 유기 전자발광 소자 및 유기 발광 매체 |
EP01917561A EP1191822A4 (en) | 2000-03-30 | 2001-03-28 | ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE AND ORGANIC LUMINESCENT BRACKET |
TW090107549A TW490992B (en) | 2000-03-30 | 2001-03-29 | Organic electroluminescence device and organic light emitting medium |
US09/819,663 US6713192B2 (en) | 2000-03-30 | 2001-03-29 | Organic electroluminescence device and organic light emitting medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000093976A JP4094203B2 (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001284050A JP2001284050A (ja) | 2001-10-12 |
JP4094203B2 true JP4094203B2 (ja) | 2008-06-04 |
Family
ID=18609088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000093976A Expired - Fee Related JP4094203B2 (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光媒体 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6713192B2 (ja) |
EP (1) | EP1191822A4 (ja) |
JP (1) | JP4094203B2 (ja) |
KR (2) | KR100572445B1 (ja) |
CN (1) | CN100482021C (ja) |
TW (1) | TW490992B (ja) |
WO (1) | WO2001076323A1 (ja) |
Families Citing this family (136)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6833200B2 (en) * | 1998-04-28 | 2004-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Luminescent device with a triarylamine compound |
KR100721656B1 (ko) * | 2005-11-01 | 2007-05-23 | 주식회사 엘지화학 | 유기 전기 소자 |
US6720090B2 (en) | 2001-01-02 | 2004-04-13 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode devices with improved luminance efficiency |
JP4885381B2 (ja) | 2001-07-23 | 2012-02-29 | 一般財団法人石油エネルギー技術センター | 新規芳香族化合物及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
SG176316A1 (en) | 2001-12-05 | 2011-12-29 | Semiconductor Energy Lab | Organic semiconductor element |
US8128957B1 (en) | 2002-02-21 | 2012-03-06 | Valeant International (Barbados) Srl | Modified release compositions of at least one form of tramadol |
US20050182056A9 (en) * | 2002-02-21 | 2005-08-18 | Seth Pawan | Modified release formulations of at least one form of tramadol |
JP4170655B2 (ja) * | 2002-04-17 | 2008-10-22 | 出光興産株式会社 | 新規芳香族化合物及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4161262B2 (ja) * | 2002-06-26 | 2008-10-08 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子、及びそれを用いた発光又は表示装置 |
KR20040005416A (ko) * | 2002-07-10 | 2004-01-16 | 엘지전자 주식회사 | 청색 발광 물질용 화합물 및 이를 포함한 유기 전계 발광소자 |
EP2199361B2 (en) * | 2002-07-19 | 2016-06-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent devices and organic luminescent medium |
JP4025137B2 (ja) * | 2002-08-02 | 2007-12-19 | 出光興産株式会社 | アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2004075567A (ja) * | 2002-08-12 | 2004-03-11 | Idemitsu Kosan Co Ltd | オリゴアリーレン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
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-
2000
- 2000-03-30 JP JP2000093976A patent/JP4094203B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-28 CN CNB018007848A patent/CN100482021C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-28 KR KR1020067002198A patent/KR100572445B1/ko active IP Right Grant
- 2001-03-28 EP EP01917561A patent/EP1191822A4/en not_active Withdrawn
- 2001-03-28 WO PCT/JP2001/002587 patent/WO2001076323A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2001-03-28 KR KR1020017015331A patent/KR100572440B1/ko active IP Right Grant
- 2001-03-29 TW TW090107549A patent/TW490992B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-03-29 US US09/819,663 patent/US6713192B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1191822A4 (en) | 2008-02-27 |
JP2001284050A (ja) | 2001-10-12 |
KR100572445B1 (ko) | 2006-04-18 |
TW490992B (en) | 2002-06-11 |
WO2001076323A1 (en) | 2001-10-11 |
KR100572440B1 (ko) | 2006-04-18 |
EP1191822A1 (en) | 2002-03-27 |
KR20020026867A (ko) | 2002-04-12 |
US20020048688A1 (en) | 2002-04-25 |
CN1366792A (zh) | 2002-08-28 |
US6713192B2 (en) | 2004-03-30 |
KR20060016136A (ko) | 2006-02-21 |
CN100482021C (zh) | 2009-04-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060926 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080219 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080305 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120314 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140314 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |