JP4161262B2 - 有機電界発光素子、及びそれを用いた発光又は表示装置 - Google Patents

有機電界発光素子、及びそれを用いた発光又は表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4161262B2
JP4161262B2 JP2003165852A JP2003165852A JP4161262B2 JP 4161262 B2 JP4161262 B2 JP 4161262B2 JP 2003165852 A JP2003165852 A JP 2003165852A JP 2003165852 A JP2003165852 A JP 2003165852A JP 4161262 B2 JP4161262 B2 JP 4161262B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic electroluminescent
layer
structural formula
light
electroluminescent element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003165852A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004087463A5 (ja
JP2004087463A (ja
Inventor
義 石橋
真理 市村
眞一郎 田村
尚之 植田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2003165852A priority Critical patent/JP4161262B2/ja
Priority to TW092116881A priority patent/TWI242384B/zh
Priority to EP03761798A priority patent/EP1516902A4/en
Priority to US10/487,584 priority patent/US8025986B2/en
Priority to PCT/JP2003/008043 priority patent/WO2004003104A1/ja
Priority to CN03801209.XA priority patent/CN1564857A/zh
Publication of JP2004087463A publication Critical patent/JP2004087463A/ja
Publication of JP2004087463A5 publication Critical patent/JP2004087463A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4161262B2 publication Critical patent/JP4161262B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003Carbocyclic compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007Non-condensed systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011Condensed systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1014Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/321Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917Electroluminescent

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光領域を有する有機層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子(有機EL素子)、及びこれを用いたディスプレイデバイス等の発光又は表示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
軽量で高効率のフラットパネルディスプレイが、例えばコンピュータやテレビジョンの画面表示用として盛んに研究、開発されている。
【0003】
まず、ブラウン管(CRT)は、輝度が高く、色再現性が良いため、現在ディスプレイとして最も多く使われているが、嵩高く、重く、また消費電力も高いという問題がある。
【0004】
また、軽量で高効率のフラットパネルディスプレイとして、アクティブマトリックス駆動等の液晶ディスプレイが商品化されているが、液晶ディスプレイは視野角が狭く、また自発光でないために、周囲が暗い環境下ではバックライトの消費電力が大きいことや、今後実用化が期待されている高精細度の高速ビデオ信号に対して十分な応答性能を有しない等の問題点がある。特に、大画面サイズのディスプレイを製造することは困難であり、そのコストが高いこと等の課題もある。
【0005】
これに対する代替として、発光ダイオードを用いたディスプレイの可能性があるが、やはり製造コストが高く、また、1つの基板上に発光ダイオードのマトリックス構造を形成することが難しい等の問題があり、ブラウン管に取って代わる低価格のディスプレイ候補としては、実用化までの課題が大きい。
【0006】
これらの諸課題を解決する可能性のあるフラットパネルディスプレイとして、最近、有機発光材料を用いた有機電界発光素子(有機EL素子)が注目されている。即ち、発光材料として有機化合物を用いることにより、自発光で、応答速度が高速であり、視野角依存性の無いフラットパネルディスプレイの実現が期待されている。
【0007】
有機電界発光素子の構成は、透光性の正極と金属陰極との間に、電流の注入によって発光する発光材料を含む有機薄膜を形成したものである。C. W. Tang、S. A. VanSlyke等は Applied Physics Letters第51巻12号913〜915頁(1987年)掲載の研究報告において、有機薄膜を正孔輸送性材料からなる薄膜と電子輸送性材料からなる薄膜との2層構造として、各々の電極から有機薄膜中に注入された正孔(ホール)と電子が再結合することにより発光する素子構造を開発した(シングルヘテロ構造の有機EL素子)。
【0008】
この素子構造では、正孔輸送材料または電子輸送材料のいずれかが発光材料を兼ねており、発光は発光材料の基底状態と励起状態のエネルギーギャップに対応した波長帯で起きる。このような2層構造とすることにより、大幅な駆動電圧の低減、発光効率の改善が行われた。
【0009】
その後、C. Adachi 、S. Tokita 、T. Tsutsui、S. Saito等の Japanese Journal of Applied Physics第27巻2号L269〜L271頁(1988年)掲載の研究報告に記載されているように、正孔輸送材料、発光材料、電子輸送材料の3層構造(ダブルヘテロ構造の有機EL素子)が開発され、更に、C. W. Tang、S. A. VanSlyke、C. H. Chen等の Journal of Applied Physics 第65巻9号3610〜3616頁(1989年)掲載の研究報告に記載されているように、電子輸送材料中に発光材料を含ませた素子構造などが開発された。これらの研究により、低電圧で、高輝度の発光の可能性が検証され、近年、研究開発が非常に活発に行われている。
【0010】
発光材料に用いる有機化合物は、その多様性から、理論的には分子構造を変化させることによって発光色を任意に変えることができるという利点があると言える。従って、分子設計を施すことにより、フルカラーディスプレイに必要な色純度の良いR(赤)、G(緑)、B(青)の3色を揃えることは、無機物を用いた薄膜EL素子と比べて容易であると言える。
【0011】
現在、後記の非特許文献1で報告されているように、電子輸送材料として、トリス(8−キノリール)アルミニウム(以下、Alq3と略記する。)に4−ジシアノメチレン−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−2−メチル−4H−ピラン(以下、DCMと略記する。)をドープした赤色発光の例等がある。
【0012】
また、後記の非特許文献2で報告されているBSB−BCNは、1000cd/m2以上の高い輝度を実現している。
【0013】
また、後記の特許文献1においては、特定のスチリル化合物を有機電界発光材料とすることを提案している。
【0014】
【非特許文献1】
Chem.Funct.Dyes,Proc.Int.Symp.,2nd P.536(1993)
【非特許文献2】
T.Tsutsui,D.U.Kim,Inorganic and Organic
electroluminescence 会議(1996、Berlin)
【特許文献1】
特開平7−188649号(特許請求の範囲、第5頁右欄8行目〜第22頁右欄5行目、図1〜図3)
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、実際には有機電界発光素子においても、解決しなければならない問題がある。安定した高輝度の赤色発光素子の開発は難しく、上記非特許文献1に示されている電子輸送材料のようにAlq3にDCMをドープした赤色発光の例等は、輝度、信頼性ともにディスプレイ材料としては満足のいくものではない。
【0016】
また、上記非特許文献2に示されているBSB−BCNは、1000cd/m2以上の高い輝度を実現しているが、フルカラーに対応する赤色としての色度が完全なものとは言えない。
【0017】
さらに高輝度で安定かつ色純度の高い赤色発光素子の実現が、望まれているのが現状である。
【0018】
また、上記特許文献1においては、特定のスチリル化合物を有機電界発光材料とすることを提案しているが、目的の発光色が青色であり、赤色等の他の色波長を得ることを目的としたものではない。
【0019】
本発明の目的は、高い蛍光収率を有し、熱安定性にも優れた化合物を用いて、赤色等の比較的長波長の発光色を任意に選択でき、色純度が良く、高輝度かつ安定な発光を生じる有機電界発光素子、及びこれを用いた発光又は表示装置を提供することにある。
【0020】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特に、特定のスチリル化合物と、これに効率良くエネルギーを伝達することが可能な材料とから発光領域を構成した有機電界発光素子を作製すれば、高輝度、高信頼性であって熱安定性も良好であり、赤色等の比較的長波長の色純度が良好な発光素子を提供できることを見出し、本発明に到達したものである。
【0021】
即ち、本発明は、発光領域を有する有機層が陽極と陰極との間に設けられ、電流の注入によって発光する有機物質を構成要素として含む有機電界発光素子において、前記有機層の構成層のうちの少なくとも1層が、下記構造(17)−1〜(17)−68で表される特定のスチリル化合物の少なくとも1種(1種であってよいが、2種又はそれ以上であってもよい。)と、電荷輸送能を持つ材料とを含む混合層からなることを特徴とする有機電界発光素子に係るものである。
【0022】
【化2】
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
Figure 0004161262
【0023】
これらのスチリル化合物のうち、例えば構造式(17)−におけるシアノ基の導入位置は、他の導入位置と比べて比較的短めの発光波長が得られるが、後者の場合は、分子骨格が安定化して発光波長をより長くすることができる。
【0024】
また、本発明の化合物を含む混合層を形成するに使用可能な材料としては、本発明の化合物の他に、正孔輸送性材料(例えば、芳香族アミン類等)、電子輸送性材料(例えば、Alq3、ピラゾリン類、オキサジアゾール類、トリアゾール類、フェニレン類等)、または一般に赤色発光用ドーパントとして用いられる一連の化合物(DCMおよびその類似化合物、ポルフィリン類、フタロシアニン類、ペリレン化合物、ナイルレッド、スクアリリウム化合物等)が挙げられる(以下、同様)。
【0025】
本発明の有機電界発光素子において、前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有機積層構造のうちの少なくとも前記電子輸送層が、前記構造式(17)−1〜(17)−68で表されるスチリル化合物の少なくとも1種を含む前記混合層からなってよい。
【0026】
また、前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有機積層構造のうちの少なくとも前記正孔輸送層が、前記構造式(17)−1〜(17)−68で表されるスチリル化合物の少なくとも1種を含む前記混合層からなっていてよい。
【0027】
また、前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記正孔輸送層が、前記構造式(17)−1〜(17)−68のいずれかで表されるスチリル化合物の少なくとも1種を含む前記混合層からなり、かつ前記電子輸送層が、前記構造式(17)−1〜(17)−68で表されるスチリル化合物の少なくとも1種を含む前記混合層からなっていてよい。
【0028】
また、前記有機層が、正孔輸送層と発光層と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有機積層構造のうちの少なくとも前記発光層が、前記構造式(17)−1〜(17)−68のいずれかで表されるスチリル化合物の少なくとも1種を含む前記混合層からなっていてよい。
【0029】
また、前記混合層において、前記構造式(17)−1〜(17)−68のいずれかで表されるスチリル化合物の少なくとも1種が5〜90重量%の濃度範囲で、電荷輸送能を持つ前記材料に混合されているのがよい。
【0030】
また、前記混合層が、前記構造式(17)−1〜(17)−68のいずれかで表されるスチリル化合物の少なくとも1種と、600nm〜700nmの範囲に発光極大を有する赤色又は橙色発光色素とを含むのがよい。
【0031】
なお、上記した「混合層」とは、典型的には、上記スチリル化合物とその他の化合物との混合層を意味するが、これ以外にも、上記スチリル化合物に包含される2種又はそれ以上のスチリル化合物の混合層も意味する場合がある。このような混合層とすることによって、複数の化合物の組み合せで所望の輝度や色度の赤色発光等を生ぜしめることができる。
【0032】
本発明の有機電界発光素子は、例えば画素の少なくとも一部に用いたディスプレイデバイスとして構成された発光又は表示装置に好適なものである(以下、同様)。
【0033】
図1〜図6には、本発明に基づく有機電界発光素子(有機EL素子)の例をそれぞれ示す。
【0034】
図1は、陰極3を発光光20が透過する上面発光型の有機電界発光素子Aであって、発光光20は保護層4の側からも観測できる。図2は、陰極3での反射光も発光光20として得る下面発光型の有機電界発光素子Bを示す。
【0035】
図中、1は有機電界発光素子を形成するための基板である。ガラス、プラスチック及び他の適宜の材料を用いることができる。また、有機電界発光素子を他の表示素子と組み合わせて用いる場合には、基板を共用することもできる。2は透明、半透明又は不透明の電極であり、ITO(Indium tin oxide)、SnO2、Au、Ag、Al、Cr等が使用できる。
【0036】
また、5は有機発光層であり、上記したスチリル化合物を発光材料として含有している(但し、上記スチリル化合物は、少なくとも1種がその他の化合物と混合して、或いは複数種のスチリル化合物を併用して含有:以下、同様)。この発光層について、有機電界発光20を得る層構成としては、従来公知の種々の構成を用いることができる。
【0037】
後記するように、例えば、正孔(ホール)輸送層と電子輸送層のいずれかを構成する材料が発光性を有する場合、これらの薄膜を積層した構造が使用できる。更に、本発明の目的を満たす範囲で電荷輸送性能を上げるために、正孔輸送層と電子輸送層のいずれか若しくは両方が、複数種の材料の薄膜を積層した構造、又は、複数種の材料を混合した組成からなる薄膜を使用するのを妨げない。
【0038】
また、発光性能を上げるために、少なくとも1種以上の蛍光性の材料を用いて、この薄膜を正孔輸送層と電子輸送層の間に挟持した構造、更に少なくとも1種以上の蛍光性の材料を正孔輸送層若しくは電子輸送層、又はこれらの両方に含ませた構造を使用してもよい。これらの場合には、発光効率を改善するために、正孔(ホール)又は電子の輸送を制御するための薄膜をその層構成に含ませることも可能である。
【0039】
上記のスチリル化合物は、電子輸送性能と正孔輸送性能の両方を持つため、素子構造中、電子輸送性材料との混合発光層としても、或いは正孔輸送性材料との混合発光層としても用いることが可能である。また、該化合物を含む混合層を電子輸送層と正孔輸送層に挟み込んだ構成で発光材料として用いることも可能である。
【0040】
上記のスチリル化合物のうち異なる2種類以上の化合物を含む混合層を発光層として用いてもよい。適切な2種類以上の化合物の組み合わせを選ぶことにより、素子の電気的な特性を大きく変えることなく、発光色を任意に選ぶことが可能となる。
【0041】
また、上記のスチリル化合物のアリール部に、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、トリフルオロメチル基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシル基などの置換基を導入することにより、発光層を形成する薄膜の結晶化を抑制し、アモルファス性を向上させることができ、結果として発光素子の信頼性(特に半減寿命)を向上させることができる。
【0042】
なお、図1及び図2中、3は陰極であり、電極材料としては、Ag、Au、Al、Cr、In等の金属、又はこの金属とLi、Mg、Ca等の活性な金属との合金、或いはこれらが積層した構造が使用できる(以下、同様)。この陰極は更に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の酸化物又はフッ化物(LiF、Li2O等)等を複合又は積層した構造であってよい(以下、同様)。上面発光型の有機電界発光素子においては、陰極の厚さを調節することにより、用途に合った光透過率を得ることができる。また、図中、4は封止、保護層であり、有機電界発光素子全体を覆う構造とすることで、その効果が上がる。気密性が保たれれば、適宜の材料を使用することができる。
【0043】
本発明に基づく有機電界発光素子においては、有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された有機積層構造(シングルへテロ構造)を有しており、正孔輸送層又は電子輸送層の形成材料として前記スチリル化合物を含む混合層が用いられてよい。或いは、有機層が正孔輸送層と発光層と電子輸送層とが順次積層された有機積層構造(ダブルヘテロ構造)を有しており、発光層の形成材料として前記スチリル化合物を含む混合層が用いられてよい。
【0044】
これらの混合層における前記スチリル化合物の混合比率は5〜90重量%が望ましく、2種以上の該材料を混合することにより、電子と正孔が再結合を起こして発光する領域が界面に留まらず、発光層内に広げることができる。このように発光領域を発光層内に広げることにより、素子の信頼性を向上させることができる。
【0045】
このような有機積層構造を有する有機電界発光素子の例を示すと、図3は、透光性の基板1上に、透光性の陽極2と、正孔輸送層6と電子輸送層7とからなる有機層5aと、陰極3とが順次積層された積層構造を有し、この積層構造が保護層4によって封止されてなる、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子Cである。
【0046】
図3に示すように発光層を省略した層構成の場合には、正孔輸送層6と電子輸送層7の界面から所定波長の発光20を発生する。この発光は基板1側から観測される。
【0047】
また、図4は、透光性の基板1上に、透光性の陽極2と、正孔輸送層10と発光層11と電子輸送層12とからなる有機層5bと、陰極3とが順次積層された積層構造を有し、この積層構造が保護層4によって封止されてなる、ダブルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子Dである。
【0048】
図4に示した有機電界発光素子においては、陽極2と陰極3の間に直流電圧を印加することにより、陽極2から注入された正孔が正孔輸送層10を経て、また陰極3から注入された電子が電子輸送層12を経て、それぞれ発光層11に到達する。この結果、発光層11においては電子/正孔の再結合が生じて励起子が生成し、この励起子から所定波長の発光を発生する。
【0049】
上述した各有機電界発光素子C、Dにおいて、電荷輸送能を有する正孔輸送性材料として使用可能な材料としては、ベンジジン又はその誘導体、スチリルアミン又はその誘導体、トリフェニルメタン又はその誘導体をはじめ、ポルフィリン又はその誘導体、トリアゾール又はその誘導体、イミダゾール又はその誘導体、オキサジアゾール又はその誘導体、ポリアリールアルカン又はその誘導体、フェニレンジアミン又はその誘導体、アリールアミン又はその誘導体、オキサゾール又はその誘導体、アントラセン又はその誘導体、フルオレノン又はその誘導体、ヒドラゾン又はその誘導体、スチルベン又はその誘導体、またはポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の複素環式共役系ののモノマー、オリゴマー、ポリマー等が挙げられる(以下、同様)。
【0050】
具体的には、α−ナフチルフェニルジアミン、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、金属ナフタロシアニン、4,4’,4”−トリメチルトリフェニルアミン、4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、N,N,N’,N’−テトラキス(p−トリル)p−フェニレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラフェニル−4,4’−ジアミノビフェニル、N−フェニルカルバゾール、4−ジ−p−トリルアミノスチルベン、ポリ(パラフェニレンビニレン)、ポリ(チオフェンビニレン)、ポリ(2,2’−チエニルピロール)等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0051】
また、電荷輸送能を有する電子輸送性材料として使用可能な材料としては、キノリン又はその誘導体、ペリレン又はその誘導体、ビススチリル又はその誘導体、ピラジン又はその誘導体等が挙げられる(以下、同様)。
【0052】
具体的には、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム(Alq3)、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、又はこれらの誘導体等が挙げられる。
【0053】
基板1は、例えば、ガラス、プラスチック等の光透過性の材料を適宣用いることができる。また、他の表示素子と組み合わせて用いる場合や、図3及び図4に示した積層構造をマトリックス状に配置する場合等は、この基板を共用してもよい。
【0054】
また、陽極2は、透明電極であり、ITOやSnO2等が使用できる。この陽極2と正孔輸送層6(又は正孔輸送層10)との間には、電荷注入効率を改善する目的で、無機物、有機物もしくは有機金属化合物、例えば2−TNATA(4,4’,4”−トリス(2−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン)や、米国特許第4720432号に記載のポルフィリン化合物等(以下、同様)からなる薄膜を設けてもよい。なお、保護層4が金属等の導電性材料で形成されている場合は、陽極2の側面に絶縁膜が設けられていてもよい。
【0055】
また、有機電界発光素子Cにおける有機層5aは、正孔輸送層6と電子輸送層7とが積層された有機層であり、これらのいずれか又は双方に上記したスチリル化合物を含む混合層として、発光性の正孔輸送層6又は電子輸送層7を形成してよい。有機電界発光素子Dにおける有機層5bは、正孔輸送層10と上記したスチリル化合物を含む混合物からなる発光層11と電子輸送層12とが積層された有機層であるが、その他、種々の積層構造を採ることができる。例えば、正孔輸送層と電子輸送層のいずれか若しくは両方が発光してもよい。
【0056】
また、正孔輸送層において、正孔輸送性能を向上させるため、複数種の正孔輸送材料を積層した正孔輸送層を形成してもよい。
【0057】
また、有機電界発光素子Cにおいて、発光層は電子輸送性発光層7であってよいが、電源8から印加される電圧によっては、正孔輸送層6やその界面で発光される場合がある。同様に、有機電界発光素子Dにおいて、発光層は層11以外に、電子輸送層12であってもよく、正孔輸送層10であってもよい。発光性能を向上させるため、少なくとも1種の蛍光性材料を用いた発光層11を正孔輸送層と電子輸送層との間に狭持させた構造であるのがよい。或いは、この蛍光性材料を正孔輸送層又は電子輸送層、或いはこれら両層に含有させた構造を構成してよい。このような場合、発光効率を改善するために、正孔又は電子の輸送を制御するための薄膜(ホールブロッキング層やエキシトン生成層など)をその層構成に含ませることも可能である。
【0058】
また、陰極3に用いる材料としては、Li、Mg、Ca等の活性な金属とAg、Al、In等の金属との合金を使用でき、これらの金属層が積層した構造であってもよい。なお、陰極の厚みや材質を適宜選択することによって、用途に見合った有機電界発光素子を作製できる。
【0059】
また、保護層4は、封止膜として作用するものであり、有機電界発光素子全体を覆う構造とすることにより、電荷注入効率や発光効率を向上できる。なお、その気密性が保たれれば、アルミニウム、金、クロム等の単金属又は合金や、酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン化合物、有機物など、適宜その材料を選択できる。
【0060】
図5は、基板1上に、陽極2と、正孔輸送層6と電子輸送層7とからなる有機層5cと、透明又は半透明の陰極3とが順次積層された積層構造を有し、この積層構造が保護層4によって封止されてなる、シングルへテロ構造の上面発光型の有機電界発光素子Eである。この場合、正孔輸送層6と電子輸送層7との界面から、所定波長の発光20を発生し、この発光は陰極3又は保護層4側から観測される。
【0061】
図6は、基板1上に、陽極2と、正孔注入層9と正孔輸送層10と発光層11と電子輸送層12とからなる有機層5dと、透明又は半透明の陰極3とが順次積層された積層構造を有し、この積層構造が保護層4によって封止されてなる、上面発光型の有機電界発光素子Fである。この有機電界発光素子においても、図4に示した有機電界発光素子と同様に、発光層11において、電子/正孔の再結合が生じて励起子が生成し、この励起子から所定波長の発光が発生する。
【0062】
上述した各有機電界発光素子E、Fにおいて、基板1は、例えば、Ag、Au、Al、Cr、In等、又はその合金等のような光反射性の材料を適宜用いることができる、また、他の表示素子と組み合わせて用いる場合や、図5及び図6に示した積層構造をマトリックス状に配置する場合等は、この基板を共用してもよい。
【0063】
また、この基板1上の陽極2は、反射性電極であり、Ag、Au、Al、Cr、In、又はその合金等を使用でき、またITO等を積層して使用でき、その厚みは成膜性及び反射性を考慮すると、50nm以上とするのがよく、200nm以下とすることができる。こうした陽極を用いると、基板1は上記した光反射性材料に限らず、ガラス等の透明又は半透明材料を用いてもよい。
【0064】
また、図6に示すように、陽極2と正孔輸送層10(又は正孔輸送層6)との間には、電荷注入効率を改善する目的で、無機物、有機物もしくは有機金属化合物からなる正孔注入層9を設けてもよい。なお、保護層4が金属等の導電性材料で形成されている場合は、絶縁分離のために、陽極2の側面に絶縁膜が設けられていてもよい。
【0065】
有機電界発光素子Eにおける有機層5cは、正孔輸送層6と電子輸送層7とが積層された有機層であり、これらのいずれか又は双方に上記したスチリル化合物を含む混合層として、発光性の正孔輸送層6又は電子輸送層7を形成してよい。有機電界発光素子Fにおける有機層5dは、正孔輸送層10と、上記したスチリル化合物を含む混合物からなる発光層11と、電子輸送層12とが積層された有機層であるが、その他、種々の積層構造を採ることができる。例えば、正孔輸送層と電子輸送層のいずれか若しくは両方が発光してもよい。
【0066】
また、正孔輸送層において、正孔輸送性能を向上させるため、複数種の正孔輸送材料を積層した正孔輸送層を形成してもよい。
【0067】
また、有機電界発光素子Eにおいて、発光層は電子輸送性発光層7であってよいが、電源8から印加される電圧によっては、正孔輸送層6やその界面で発光される場合がある。同様に、有機電界発光素子Fにおいて、発光層は層11以外に、電子輸送層12であってもよく、正孔輸送層10であってもよい。発光性能を向上させるため、少なくとも1種の蛍光性材料を用いた発光層11を正孔輸送層と電子輸送層との間に挟持させた構造であるのがよい。或いは、この蛍光性材料を正孔輸送層又は電子輸送層、或いはこれら両層に含有させた構造を構成してよい。このような場合、発光効率を改善するために、正孔又は電子の輸送を制御するための薄膜(ホールブロッキング層やエキシトン生成層など)をその層構成に含ませることも可能である。
【0068】
また、陰極3に用いる材料としては、Li、Mg、Ca等の活性な金属とAg、Al、In等の金属との合金を使用でき、これらの金属層が積層した構造であってもよい。なお、陰極の厚みや材質を適宜選択することによって、用途に見合った有機電界発光素子を作製できるが、陰極の厚みは0.5〜15nm、更には0.5〜5nm程度が望ましい。
【0069】
また、保護層4は、封止膜として作用するものであり、有機電界発光素子全体を覆う構造とすることにより、電荷注入効率や発光効率を向上できる。なお、その気密性が保たれれば、アルミニウム、金、クロム、酸化シリコン、窒化シリコン等の単金属又は合金、化合物など、適宜その材料を選択できる。
【0070】
上述した各有機電界発光素子E、Fにおいては、発光層が陽極と陰極との間に挟持された構造であり、発光した光は陽極と陰極との間で多重干渉を生じる。陽極及び陰極の反射率、透過率などの光学的な特性と、これらに挟持された有機層の膜厚とを適当に選ぶことにより、多重干渉効果を積極的に利用することができ、素子E、Fより取り出される発光波長を制御することが可能となる。これにより、発光色度を改善することも可能となる。この多重干渉効果のメカニズムについては、J.Yamada等によるAM-LCD Digest of Technical Papers, OD-2, P77-80(2002)を参照することができる。
【0071】
上記した各有機電界発光素子に印加する電流は通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いてもよい。電流値、電圧値は、素子破壊しない範囲内であれば特に制限はないが、有機電界発光素子の消費電力や寿命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率良く発光させることが望ましい。
【0072】
次に、図7は、本発明の有機電界発光素子を用いた平面ディスプレイの構成例である。図示の如く、例えばフルカラーディスプレイの場合は、赤(R)、緑(G)及び青(B)の3原色を発光可能な有機層5(5a,5b,5c,5d)が、陰極3と陽極2との間に配されている。陰極3及び陽極2は、互いに交差するストライプ状に設けることができ、輝度信号回路14及びシフトレジスタ内蔵の制御回路15により選択されて、それぞれに信号電圧が印加され、これによって、選択された陰極3及び陽極2が交差する位置(画素)の有機層が発光するように構成されている。
【0073】
即ち、図7は例えば8×3RGB単純マトリックスであって、正孔輸送層と、発光層及び電子輸送層のいずれか少なくとも一つからなる積層体5を陰極3と陽極2の間に配設したものである(図3又は図4、図5又は図6参照)。陰極と陽極は、ともにストライプ状にパターニングするとともに、互いにマトリックス状に直交させ、シフトレジスタ内蔵の制御回路15及び輝度信号回路14により時系列的に信号電圧を印加し、その交叉位置で発光するように構成されたものである。かかる構成のEL素子は、文字・記号等のディスプレイとしては勿論、画像再生装置としても使用できる。また、陰極3と陽極2のストライプ状パターンを赤(R)、緑(G)、青(B)の各色毎に配し、マルチカラーあるいはフルカラーの全固体型フラットパネルディスプレイを構成することが可能となる。また、上記の単純マトリックス方式のみならず、アクティブマトリックス方式での駆動も可能である。
【0074】
【実施例】
次に、本発明の実施例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0075】
参考例1
この参考例は、下記構造式(18)−1のアミノスチリル化合物と、α−NPD(α−ナフチルフェニルジアミン)との混合層を正孔輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0076】
【化3】
構造式(18)−1
Figure 0004161262
【化4】
Figure 0004161262
【0077】
まず、真空蒸着装置中に、100nmの厚さのITOからなる陽極が一表面に形成された30mm×30mmのガラス基板をセッティングした。蒸着マスクとして複数の2.0mm×2.0mmの単位開口を有する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法により10-4Pa以下の真空下で上記構造式(18)−1のスチリル化合物と正孔輸送材料であるα−NPDとを重量比1:1で混合した層を例えば50nmの厚さに正孔輸送層(兼発光層)として成膜した。蒸着レートは各々0.1nm/秒とした。
【0078】
さらに、電子輸送層材料として下記構造式のAlq3(トリス(8−キノリノール)アルミニウム)を正孔輸送層に接して蒸着した。Alq3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば50nmとし、蒸着レートは0.2nm/秒とした。
【0079】
【化5】
Figure 0004161262
【0080】
陰極材料としてはMgとAgの混合膜を採用し、これも蒸着により、例えばMgとAgの混合比を1:3として200nmの厚さに形成し、参考例1による図3に示した如き有機電界発光素子を作製した。
【0081】
このように作製した参考例1の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を行った結果、620nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイオードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1500cd/m2の輝度が得られた。
【0082】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで2500時間であった。
【0083】
参考例2
この参考例は、上記構造式(18)−1のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0084】
まず、真空蒸着装置中に、100nmの厚さのITOからなる陽極が一表面に形成された30mm×30mmのガラス基板をセッティングした。蒸着マスクとして複数の2.0mm×2.0mmの単位開口を有する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法により10-4Pa以下の真空下で前記構造式のα−NPDを例えば50nmの厚さに成膜した。蒸着レートは0.1nm/秒とした。
【0085】
さらに、上記構造式(18)−1のスチリル化合物と電子輸送性材料であるAlq3とを重量比1:1で混合した層を正孔輸送層に接して蒸着した。上記構造式(18)−1のアミノスチリル化合物とAlq3とからなる電子輸送層(兼発光層)の膜厚も例えば50nmとし、蒸着レートは各々0.2nm/秒とした。
【0086】
陰極材料としてはMgとAgの混合膜を採用し、これも蒸着により、例えばMgとAgの混合比を1:3として200nmの厚さに形成し、参考例2による図3に示した如き有機電界発光素子を作製した。
【0087】
このように作製した参考例2の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、620nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで2600cd/m2の輝度が得られた。
【0088】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで2700時間であった。
【0089】
参考例3
この参考例は、上記構造式(18)−1のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、ダブルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0090】
まず、真空蒸着装置中に、100nmの厚さのITOからなる陽極が一表面に形成された30mm×30mmのガラス基板をセッティングした。蒸着マスクとして複数の2.0mm×2.0mmの単位開口を有する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法により10-4Pa以下の真空下で上記構造式のα−NPDを例えば30nmの厚さに成膜した。蒸着レートは0.2nm/秒とした。
【0091】
さらに、発光材料として上記構造式(18)−1のスチリル化合物とAlq3とを重量比1:1で正孔輸送層に接して蒸着した。上記構造式(18)−1のスチリル化合物とAlq3との混合層からなる発光層の膜厚も例えば30nmとし、蒸着レートは各々0.2nm/秒とした。
【0092】
さらに、電子輸送性材料として上記構造式のAlq3を発光層に接して蒸着した。Alq3の膜厚を例えば30nmとし、蒸着レートは0.2nm/秒とした。
【0093】
陰極材料としてはMgとAgの混合膜を採用し、これも蒸着により、例えばMgとAgの混合比を1:3として200nmの厚さに形成し、参考例3による図4に示した如き有機電界発光素子を作製した。
【0094】
このように作製した参考例3の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、620nmに発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで3200cd/m2の輝度が得られた。
【0095】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光して強制劣化させた際、輝度が半減するまで3500時間であった。
【0096】
参考例4
この参考例は、上記構造式(18)−1のスチリル化合物と、下記構造式(18)−2のスチリル化合物との混合層を発光層として用い、ダブルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0097】
【化6】
構造式(18)−2
Figure 0004161262
【0098】
まず、真空蒸着装置中に、100nmの厚さのITOからなる陽極が一表面に形成された30mm×30mmのガラス基板をセッティングした。蒸着マスクとして複数の2.0mm×2.0mmの単位開口を有する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法により10-4Pa以下の真空下で上記構造式のα−NPDを例えば30nmの厚さに成膜した。蒸着レートは0.2nm/秒とした。
【0099】
さらに、発光材料として上記構造式(18)−1のスチリル化合物と上記構造式((18)−2のスチリル化合物とを重量比1:3で正孔輸送層に接して共蒸着した。上記構造式(18)−1のスチリル化合物と上記構造式(18)−2のスチリル化合物との混合層からなる発光層の膜厚も例えば30nmとし、蒸着レートは上記構造式(18)−1の化合物は0.1nm/秒、上記構造式(18)−2の化合物は0.3nm/秒とした。
【0100】
さらに、電子輸送性材料として上記構造式のAlq3を発光層に接して蒸着した。Alq3の膜厚を例えば30nmとし、蒸着レートは0.2nm/秒とした。
【0101】
陰極材料としてはMgとAgの混合膜を採用し、これも蒸着により、例えばMgとAgの混合比を1:3として200nmの厚さに形成し、参考例4による図4に示した如き有機電界発光素子を作製した。
【0102】
このように作製した参考例4の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、610nmに発光ピークを有するスペクトルを得た。電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで2200cd/m2の輝度が得られた。
【0103】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光して強制劣化させた際、輝度が半減するまで1000時間であった。
【0104】
参考例5
この参考例は、上記構造式(18)−1のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0105】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0106】
このように作製した参考例5の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、608nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1000cd/m2の輝度が得られた。
【0107】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで800時間であった。
【0108】
参考例6
この参考例は、下記構造式(18)−のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0109】
【化7】
構造式(18)−
Figure 0004161262
【0110】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0111】
このように作製した参考の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、610nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで500cd/m2の輝度が得られた。
【0112】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで700時間であった。
【0113】
参考例7
この参考例は、下記構造式(18)−のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0114】
【化8】
構造式(18)−
Figure 0004161262
【0115】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0116】
このように作製した参考の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、605nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1200cd/m2の輝度が得られた。
【0117】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1100時間であった。
【0118】
実施例1
本実施例は、下記構造式(17)−のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0119】
【化9】
構造式(17)−
Figure 0004161262
【0120】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0121】
このように作製した実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、600nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1000cd/m2の輝度が得られた。
【0122】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1400時間であった。
【0123】
参考例8
この参考例は、下記構造式(18)−のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0124】
【化10】
構造式(18)−
Figure 0004161262
【0125】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0126】
このように作製した参考の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、615nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで900cd/m2の輝度が得られた。
【0127】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで850時間であった。
【0128】
参考例9
この参考例は、下記構造式(18)−のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0129】
【化11】
構造式(18)−
Figure 0004161262
【0130】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0131】
このように作製した参考の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、620nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで800cd/m2の輝度が得られた。
【0132】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで700時間であった。
【0133】
参考例10
この参考例は、下記構造式(18)−のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0134】
【化12】
構造式(18)−
Figure 0004161262
【0135】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0136】
このように作製した参考10の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、615nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1100cd/m2の輝度が得られた。
【0137】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1000時間であった。
【0138】
実施例2
本実施例は、下記構造式(17)−のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0139】
【化13】
構造式(17)−
Figure 0004161262
【0140】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0141】
このように作製した実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、610nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで950cd/m2の輝度が得られた。
【0142】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1300時間であった。
【0143】
参考例11
この参考例は、下記構造式(18)−のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0144】
【化14】
構造式(18)−
Figure 0004161262
【0145】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0146】
このように作製した参考11の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、605nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで850cd/m2の輝度が得られた。
【0147】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで650時間であった。
【0148】
参考例12
この参考例は、下記構造式(18)−のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0149】
【化15】
構造式(18)−
Figure 0004161262
【0150】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0151】
このように作製した参考12の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、610nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで750cd/m2の輝度が得られた。
【0152】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで500時間であった。
【0153】
参考例13
この参考例は、下記構造式(18)−10のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0154】
【化16】
構造式(18)−10
Figure 0004161262
【0155】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0156】
このように作製した参考13の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、625nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1000cd/m2の輝度が得られた。
【0157】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1500時間であった。
【0158】
参考例14
この参考例は、下記構造式(18)−11のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0159】
【化17】
構造式(18)−11
Figure 0004161262
【0160】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0161】
このように作製した参考14の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、610nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで2000cd/m2の輝度が得られた。
【0162】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで2800時間であった。
【0163】
実施例3
本実施例は、下記構造式(17)−のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0164】
【化18】
構造式(17)−
Figure 0004161262
【0165】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0166】
このように作製した実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、605nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1800cd/m2の輝度が得られた。
【0167】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで3300時間であった。
【0168】
参考例15
この参考例は、下記構造式(18)−12のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0169】
【化19】
構造式(18)−12
Figure 0004161262
【0170】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0171】
このように作製した参考15の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、605nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで880cd/m2の輝度が得られた。
【0172】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで700時間であった。
【0173】
実施例4
本実施例は、下記構造式(17)−のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0174】
【化20】
構造式(17)−
Figure 0004161262
【0175】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0176】
このように作製した実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、605nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで900cd/m2の輝度が得られた。
【0177】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで850時間であった。
【0178】
参考例16
この参考例は、下記構造式(18)−13のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0179】
【化21】
構造式(18)−13
Figure 0004161262
【0180】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0181】
このように作製した参考16の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、700nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで250cd/m2の輝度が得られた。
【0182】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで350時間であった。
【0183】
実施例5
本実施例は、下記構造式(17)−のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0184】
【化22】
構造式(17)−
Figure 0004161262
【0185】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0186】
このように作製した実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、690nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで180cd/m2の輝度が得られた。
【0187】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで450時間であった。
【0188】
参考例17
この参考例は、下記構造式(18)−14のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0189】
【化23】
構造式(18)−14
Figure 0004161262
【0190】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0191】
このように作製した参考17の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、690nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで330cd/m2の輝度が得られた。
【0192】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで390時間であった。
【0193】
実施例6
本実施例は、下記構造式(17)−のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0194】
【化24】
構造式(17)−
Figure 0004161262
【0195】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0196】
このように作製した実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、680nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで280cd/m2の輝度が得られた。
【0197】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで500時間であった。
【0198】
参考例18
この参考例は、下記構造式(18)−15のスチリル化合物と、上記構造式Alq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0199】
【化25】
構造式(18)−15
Figure 0004161262
【0200】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0201】
このように作製した参考18の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、680nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで220cd/m2の輝度が得られた。
【0202】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで210時間であった。
【0203】
実施例7
本実施例は、下記構造式(17)−のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0204】
【化26】
構造式(17)−
Figure 0004161262
【0205】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0206】
このように作製した実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、675nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで240cd/m2の輝度が得られた。
【0207】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで240時間であった。
【0208】
実施例8
本実施例は、下記構造式(17)−のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0209】
【化27】
構造式(17)−
Figure 0004161262
【0210】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0211】
このように作製した実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、680nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで260cd/m2の輝度が得られた。
【0212】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで320時間であった。
【0213】
実施例9
本実施例は、下記構造式(17)−のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0214】
【化28】
構造式(17)−
Figure 0004161262
【0215】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0216】
このように作製した実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、680nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで180cd/m2の輝度が得られた。
【0217】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで280時間であった。
【0218】
実施例10
本実施例は、下記構造式(17)−10のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0219】
【化29】
構造式(17)−10
Figure 0004161262
【0220】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0221】
このように作製した実施例10の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、675nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで340cd/m2の輝度が得られた。
【0222】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで600時間であった。
【0223】
実施例11
本実施例は、下記構造式(17)−11のスチリル化合物と、上記構造式Alq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0224】
【化30】
構造式(17)−11
Figure 0004161262
【0225】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0226】
このように作製した実施例11の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、630nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで550cd/m2の輝度が得られた。
【0227】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで780時間であった。
【0228】
実施例12
本実施例は、下記構造式(17)−12のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0229】
【化31】
構造式(17)−12
Figure 0004161262
【0230】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0231】
このように作製した実施例12の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、640nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで700cd/m2の輝度が得られた。
【0232】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1500時間であった。
【0233】
実施例13
本実施例は、下記構造式(17)−13のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0234】
【化32】
構造式(17)−13
Figure 0004161262
【0235】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0236】
このように作製した実施例13の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、645nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで720cd/m2の輝度が得られた。
【0237】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで2200時間であった。
【0238】
実施例14
本実施例は、下記構造式(17)−14のスチリル化合物と、上記の構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0239】
【化33】
構造式(17)−14
Figure 0004161262
【0240】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0241】
このように作製した実施例14の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、648nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで750cd/m2の輝度が得られた。
【0242】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで3200時間であった。
【0243】
実施例15
本実施例は、下記構造式(17)−15のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0244】
【化34】
構造式(17)−15
Figure 0004161262
【0245】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0246】
このように作製した実施例15の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、665nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで850cd/m2の輝度が得られた。
【0247】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで2500時間であった。
【0248】
実施例16
本実施例は、下記構造式(17)−16のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0249】
【化35】
構造式(17)−16
Figure 0004161262
【0250】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0251】
このように作製した実施例16の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、638nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1200cd/m2の輝度が得られた。
【0252】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで5000時間であった。
【0253】
実施例17
本実施例は、下記構造式(17)−17のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0254】
【化36】
構造式(17)−17
Figure 0004161262
【0255】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0256】
このように作製した実施例17の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、640nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1150cd/m2の輝度が得られた。
【0257】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで5500時間であった。
【0258】
実施例18
本実施例は、下記構造式(17)−18のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0259】
【化37】
構造式(17)−18
Figure 0004161262
【0260】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0261】
このように作製した実施例18の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、645nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1180cd/m2の輝度が得られた。
【0262】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで4800時間であった。
【0263】
実施例19
本実施例は、下記構造式(17)−19のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0264】
【化38】
構造式(17)−19
Figure 0004161262
【0265】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0266】
このように作製した実施例19の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、647nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで950cd/m2の輝度が得られた。
【0267】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで5100時間であった。
【0268】
実施例20
本実施例は、下記構造式(17)−20のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0269】
【化39】
構造式(17)−20
Figure 0004161262
【0270】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0271】
このように作製した実施例20の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、632nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで890cd/m2の輝度が得られた。
【0272】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1500時間であった。
【0273】
実施例21
本実施例は、下記構造式(17)−21のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0274】
【化40】
構造式(17)−21
Figure 0004161262
【0275】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0276】
このように作製した実施例21の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、585nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで300cd/m2の輝度が得られた。
【0277】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで850時間であった。
【0278】
実施例22
本実施例は、下記構造式(17)−22のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0279】
【化41】
構造式(17)−22
Figure 0004161262
【0280】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0281】
このように作製した実施例22の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、580nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで580cd/m2の輝度が得られた。
【0282】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1200時間であった。
【0283】
実施例23
本実施例は、下記構造式(17)−23のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0284】
【化42】
構造式(17)−23
Figure 0004161262
【0285】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0286】
このように作製した実施例23の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、650nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで620cd/m2の輝度が得られた。
【0287】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1500時間であった。
【0288】
実施例24
本実施例は、下記構造式(17)−24のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0289】
【化43】
構造式(17)−24
Figure 0004161262
【0290】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0291】
このように作製した実施例24の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、660nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで520cd/m2の輝度が得られた。
【0292】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで850時間であった。
【0293】
実施例25
本実施例は、下記構造式(17)−25のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0294】
【化44】
構造式(17)−25
Figure 0004161262
【0295】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0296】
このように作製した実施例25の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、665nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで750cd/m2の輝度が得られた。
【0297】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで720時間であった。
【0298】
実施例26
本実施例は、下記構造式(17)−26のスチリル化合物と、上記の構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0299】
【化45】
構造式(17)−26
Figure 0004161262
【0300】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0301】
このように作製した実施例26の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、645nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで950cd/m2の輝度が得られた。
【0302】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1200時間であった。
【0303】
実施例27
本実施例は、下記構造式(17)−27のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0304】
【化46】
構造式(17)−27
Figure 0004161262
【0305】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0306】
このように作製した実施例27の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、650nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで900cd/m2の輝度が得られた。
【0307】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1550時間であった。
【0308】
実施例28
本実施例は、下記構造式(17)−28のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0309】
【化47】
構造式(17)−28
Figure 0004161262
【0310】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0311】
このように作製した実施例28の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、655nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1000cd/m2の輝度が得られた。
【0312】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1300時間であった。
【0313】
実施例29
本実施例は、下記構造式(17)−29のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0314】
【化48】
構造式(17)−29
Figure 0004161262
【0315】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0316】
このように作製した実施例29の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、655nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1100cd/m2の輝度が得られた。
【0317】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1100時間であった。
【0318】
実施例30
本実施例は、下記構造式(17)−30のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0319】
【化49】
構造式(17)−30
Figure 0004161262
【0320】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0321】
このように作製した実施例30の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、642nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで350cd/m2の輝度が得られた。
【0322】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで250時間であった。
【0323】
実施例31
本実施例は、下記構造式(17)−31のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0324】
【化50】
構造式(17)−31
Figure 0004161262
【0325】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0326】
このように作製した実施例31の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、640nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで250cd/m2の輝度が得られた。
【0327】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで180時間であった。
【0328】
実施例32
本実施例は、下記構造式(17)−32のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0329】
【化51】
構造式(17)−32
Figure 0004161262
【0330】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0331】
このように作製した実施例32の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、625nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで280cd/m2の輝度が得られた。
【0332】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで240時間であった。
【0333】
実施例33
本実施例は、下記構造式(17)−33のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0334】
【化52】
構造式(17)−33
Figure 0004161262
【0335】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0336】
このように作製した実施例33の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、635nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで350cd/m2の輝度が得られた。
【0337】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで750時間であった。
【0338】
実施例34
本実施例は、下記構造式(17)−34のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0339】
【化53】
構造式(17)−34
Figure 0004161262
【0340】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0341】
このように作製した実施例34の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、640nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで300cd/m2の輝度が得られた。
【0342】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで600時間であった。
【0343】
参考例19
この参考例は、下記構造式(18)−16のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0344】
【化54】
構造式(18)−16
Figure 0004161262
【0345】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0346】
このように作製した参考19の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、650nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで400cd/m2の輝度が得られた。
【0347】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで300時間であった。
【0348】
実施例35
本実施例は、下記構造式(17)−35のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0349】
【化55】
構造式(17)−35
Figure 0004161262
【0350】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0351】
このように作製した実施例35の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、645nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで520cd/m2の輝度が得られた。
【0352】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1050時間であった。
【0353】
実施例36
本実施例は、下記構造式(17)−36のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0354】
【化56】
構造式(17)−36
Figure 0004161262
【0355】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0356】
このように作製した実施例36の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、647nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで500cd/m2の輝度が得られた。
【0357】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1200時間であった。
【0358】
参考例20
この参考例は、下記構造式(18)−17のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0359】
【化57】
構造式(18)−17
Figure 0004161262
【0360】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0361】
このように作製した参考20の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、633nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで220cd/m2の輝度が得られた。
【0362】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで230時間であった。
【0363】
実施例37
本実施例は、下記構造式(17)−37のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0364】
【化58】
構造式(17)−37
Figure 0004161262
【0365】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0366】
このように作製した実施例37の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、595nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで380cd/m2の輝度が得られた。
【0367】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで180時間であった。
【0368】
実施例38
本実施例は、下記構造式(17)−38のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0369】
【化59】
構造式(17)−38
Figure 0004161262
【0370】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0371】
このように作製した実施例38の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、590nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで320cd/m2の輝度が得られた。
【0372】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで250時間であった。
【0373】
実施例39
本実施例は、下記構造式(17)−39のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0374】
【化60】
構造式(17)−39
Figure 0004161262
【0375】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0376】
このように作製した実施例39の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、588nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで210cd/m2の輝度が得られた。
【0377】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで150時間であった。
【0378】
実施例40
本実施例は、下記構造式(17)−45のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0379】
【化61】
構造式(17)−45
Figure 0004161262
【0380】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0381】
このように作製した実施例40の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、605nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1000cd/m2の輝度が得られた。
【0382】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1350時間であった。
【0383】
実施例41
本実施例は、下記構造式(17)−46のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0384】
【化62】
構造式(17)−46
Figure 0004161262
【0385】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0386】
このように作製した実施例41の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、600nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1950cd/m2の輝度が得られた。
【0387】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで3500時間であった。
【0388】
実施例42
本実施例は、下記構造式(17)−47のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0389】
【化63】
構造式(17)−47
Figure 0004161262
【0390】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0391】
このように作製した実施例42の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、670nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで290cd/m2の輝度が得られた。
【0392】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで520時間であった。
【0393】
実施例43
本実施例は、下記構造式(17)−48のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0394】
【化64】
構造式(17)−48
Figure 0004161262
【0395】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0396】
このように作製した実施例43の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、625nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで620cd/m2の輝度が得られた。
【0397】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで770時間であった。
【0398】
実施例44
本実施例は、下記構造式(17)−49のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0399】
【化65】
構造式(17)−49
Figure 0004161262
【0400】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0401】
このように作製した実施例44の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例1と同様に分光測定を行った結果、635nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1260cd/m2の輝度が得られた。
【0402】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで5400時間であった。
【0403】
実施例45
本実施例は、下記構造式(17)−50のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0404】
【化66】
構造式(17)−50
Figure 0004161262
【0405】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0406】
このように作製した実施例45の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、645nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで950cd/m2の輝度が得られた。
【0407】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1600時間であった。
【0408】
実施例46
本実施例は、下記構造式(17)−51のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0409】
【化67】
構造式(17)−51
Figure 0004161262
【0410】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0411】
このように作製した実施例46の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、640nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで550cd/m2の輝度が得られた。
【0412】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1000時間であった。
【0413】
実施例47
本実施例は、下記構造式(17)−52のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0414】
【化68】
構造式(17)−52
Figure 0004161262
【0415】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0416】
このように作製した実施例47の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、587nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで360cd/m2の輝度が得られた。
【0417】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで270時間であった。
【0418】
実施例48
本実施例は、上記構造式(17)−のスチリル化合物と上記構造式(17)−のスチリル化合物との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0419】
まず、真空蒸着装置中に、100nmの厚さのITOからなる陽極が一表面に形成された30mm×30mmのガラス基板をセッティングした。蒸着マスクとして、複数の2.0mm×2.0mmの単位開口を有する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法によって10-4Pa以下の真空下で上記構造式のα−NPDを例えば50nmの厚さに成膜とした。蒸着レートは0.1nm/秒とした。
【0420】
さらに、上記構造式(17)−のスチリル化合物と上記構造式(17)−のスチリル化合物とを混合した層を正孔輸送層に接して蒸着した。この場合、構造式(17)−のスチリル化合物の重量比を幾通りかに変えて作製した。スチリル化合物の混合層の膜厚も例えば50nmとした。
【0421】
陰極材料としてはMgとAgの混合膜を採用し、これも蒸着により、例えばMgとAgの混合比を1:3として200nmの厚さに形成し、有機電界発光素子を作製した。
【0422】
このように作製した実施例48の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光スペクトルは2つのスチリル化合物の混合比によって変化し、発光ピークが600nmから680nmの範囲で任意の波長を選ぶことができた。この際、素子の電圧−電流特性など電気的な特性を大きく変えることはなかった。
【0423】
参考例21
この参考例は、上記構造式(18)−11のスチリル化合物と上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用いたシングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子において、発光層中の構造式(18)−11のスチリル化合物の濃度と発光色、駆動電圧、素子寿命の関係を調べた例である。それぞれの結果を下記表1に示す。
【0424】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0425】
【表1】
表1 参考21の素子特性
Figure 0004161262
【0426】
表1から明らかなように、発光層中のスチリル化合物の濃度が増すにつれて深い赤色の発光を呈し、駆動電圧は低下するが、素子寿命は低減する。このような発光層中のスチリル化合物の濃度と素子特性の関係から、色度、駆動電圧と半減寿命のすべてを兼ね備えた実用的に最適な濃度が存在することになる。この参考21の場合では、スチリル化合物の濃度が5〜90重量%のうち、30〜90重量%で使用することが望ましいことがわかった。
【0427】
比較例1
この比較例は、上記構造式(17)−17で示されるスチリル化合物と、上記構造式(17)−17で示されるスチリル化合物においてアリール部から所定の置換基(メチル基)を取り除いた下記構造式のスチリル化合物A−1を用いて作製した有機電界発光素子の素子特性を比較した例である。
【0428】
それぞれのスチリル化合物と上記構造式のAlq3との混合層(重量比1:1)を電子輸送性発光層として用いたシングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製し、それぞれの素子特性を下記表2に比較して示す。層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0429】
【化69】
構造式 A−1:
Figure 0004161262
【0430】
素子構造:
素子1(実施例17):ITO/α−NPD(50nm)/構造式(17)−17のス チリル化合物+Alq3(50nm)/Mg:Ag(200nm)
素子2(比較):ITO/α−NPD(50nm)/化合物A−1のスチリル化合 物+Alq3(50nm)/Mg:Ag(200nm)
【0431】
【表2】
表2 素子特性の比較
Figure 0004161262
【0432】
表2から、構造式(17)−17のスチリル化合物とAlq3との混合層を発光層に用いた素子1では、構造式(17)−17のスチリル化合物が分子内アリール部にシアノ基、メチル基を有することにより、発光層のアモルファス性を向上させることが可能となり、その結果、アリール部の置換基の異なる素子2と比較して連続点灯半減寿命を向上させることができた。
【0433】
実施例49
本実施例は、下記構造式(17)−53のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0434】
【化70】
構造式(17)−53
Figure 0004161262
【0435】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0436】
このように作製した実施例49の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、595nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1500cd/m2の輝度が得られた。
【0437】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1600時間であった。
【0438】
実施例50
本実施例は、下記構造式(17)−54のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0439】
【化71】
構造式(17)−54
Figure 0004161262
【0440】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0441】
このように作製した実施例50の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、605nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1100cd/m2の輝度が得られた。
【0442】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで950時間であった。
【0443】
実施例51
本実施例は、上記構造式(17)−17のスチリル化合物と、上記構造式のα−NPDとの混合層、及び上記構造式(17)−17のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層の積層膜を発光層として用い、ダブルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0444】
まず、真空蒸着法により、100nmの厚さのITOからなる陽極が一表面に形成された30mm×30mmのガラス基板上に、上記構造式のα−NPDを例えば25nmの厚さに成膜した。さらに、発光材料として上記構造式(17)−17のスチリル化合物とα−NPDを重量比1:1で正孔輸送層に接して蒸着した。上記構造式(17)−17のスチリル化合物とα−NPDとの混合層からなる発光層の膜厚も例えば25nmとした。さらに、同じく発光材料として上記構造式(17)−17のスチリル化合物とAlq3を重量比1:1で蒸着した。上記構造式(17)−17のスチリル化合物とAlq3との混合層からなる発光層の膜厚も例えば25nmとした。
【0445】
さらに、電子輸送性材料として上記構造式のAlq3を発光層に接して蒸着した。Alq3の膜厚を例えば25nmとした。
【0446】
陰極材料としてはMgとAgの混合膜を採用し、これも蒸着により、例えばMgとAgの混合比を1:3として200nmの厚さに形成し、有機電界発光素子を作製した。
【0447】
このように作製した実施例51の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、640nmに発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで900cd/m2の輝度が得られた。
【0448】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光して強制劣化させた際、輝度が半減するまで3900時間であった。
【0449】
実施例52
本実施例は、上記構造式(17)−17のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3及び上記構造式のα−NPDとの混合層を発光層として用い、ダブルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0450】
まず、真空蒸着法により、100nmの厚さのITOからなる陽極が一表面に形成された30mm×30mmのガラス基板上に、上記構造式のα−NPDを例えば30nmの厚さに成膜した。さらに、発光材料として上記構造式(17)−17のスチリル化合物とAlq3及びα−NPDを重量比2:1:1で正孔輸送層に接して蒸着した。上記構造式(17)−17のスチリル化合物とAlq3及びα−NPDとの混合層からなる発光層の膜厚も例えば30nmとした。
【0451】
さらに、電子輸送性材料として上記構造式のAlq3を発光層に接して蒸着した。Alq3の膜厚を例えば30nmとした。
【0452】
陰極材料としてはMgとAgの混合膜を採用し、これも蒸着により、例えばMgとAgの混合比を1:3として200nmの厚さに形成し、有機電界発光素子を作製した。
【0453】
このように作製した実施例52の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、640nmに発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1000cd/m2の輝度が得られた。
【0454】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光して強制劣化させた際、輝度が半減するまで4100時間であった。
【0455】
実施例53
本実施例は、下記構造式(17)−55のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0456】
【化72】
構造式(17)−55
Figure 0004161262
【0457】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0458】
このように作製した実施例53の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、605nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで900cd/m2の輝度が得られた。
【0459】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1000時間であった。
【0460】
実施例54
本実施例は、下記構造式(17)−56のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0461】
【化73】
構造式(17)−56
Figure 0004161262
【0462】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0463】
このように作製した実施例54の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、600nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1700cd/m2の輝度が得られた。
【0464】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで3200時間であった。
【0465】
実施例55
本実施例は、下記構造式(17)−57のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0466】
【化74】
構造式(17)−57
Figure 0004161262
【0467】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0468】
このように作製した実施例55の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、670nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで280cd/m2の輝度が得られた。
【0469】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで500時間であった。
【0470】
実施例56
本実施例は、下記構造式(17)−58のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0471】
【化75】
構造式(17)−58
Figure 0004161262
【0472】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0473】
このように作製した実施例56の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、625nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで630cd/m2の輝度が得られた。
【0474】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで700時間であった。
【0475】
実施例57
本実施例は、下記構造式(17)−59のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0476】
【化76】
構造式(17)−59
Figure 0004161262
【0477】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0478】
このように作製した実施例57の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、635nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1220cd/m2の輝度が得られた。
【0479】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで5200時間であった。
【0480】
実施例58
本実施例は、下記構造式(17)−60のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0481】
【化77】
構造式(17)−60
Figure 0004161262
【0482】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0483】
このように作製した実施例58の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、645nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1000cd/m2の輝度が得られた。
【0484】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1500時間であった。
【0485】
実施例59
本実施例は、下記構造式(17)−63のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0486】
【化78】
構造式(17)−63
Figure 0004161262
【0487】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0488】
このように作製した実施例59の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、610nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで950cd/m2の輝度が得られた。
【0489】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで750時間であった。
【0490】
実施例60
本実施例は、下記構造式(17)−64のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0491】
【化79】
構造式(17)−64
Figure 0004161262
【0492】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0493】
このように作製した実施例60の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、610nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで2000cd/m2の輝度が得られた。
【0494】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで2700時間であった。
【0495】
実施例61
本実施例は、下記構造式(17)−65のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0496】
【化80】
構造式(17)−65
Figure 0004161262
【0497】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0498】
このように作製した実施例61の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、595nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1400cd/m2の輝度が得られた。
【0499】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1500時間であった。
【0500】
実施例62
本実施例は、下記構造式(17)−66のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0501】
【化81】
構造式(17)−66
Figure 0004161262
【0502】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0503】
このように作製した実施例62の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、690nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで170cd/m2の輝度が得られた。
【0504】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで450時間であった。
【0505】
実施例63
本実施例は、下記構造式(17)−67のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0506】
【化82】
構造式(17)−67
Figure 0004161262
【0507】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0508】
このように作製した実施例63の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、640nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1100cd/m2の輝度が得られた。
【0509】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで5300時間であった。
【0510】
実施例64
本実施例は、下記構造式(17)−68のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、シングルヘテロ構造の下面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0511】
【化83】
構造式(17)−68
Figure 0004161262
【0512】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0513】
このように作製した実施例64の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、650nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで900cd/m2の輝度が得られた。
【0514】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで1600時間であった。
【0515】
比較例2
この比較例は、上記構造式(17)−のスチリル化合物と上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用いた素子と、上記構造式(17)−のスチリル化合物のみの単独膜を電子輸送性発光層として用いた素子の素子特性を比較した例である。
【0516】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0517】
素子構造:
素子3(実施例):ITO/α−NPD(50nm)/構造式(17)−のスチリ ル化合物+Alq3(50nm)/Mg:Ag(200nm)
素子4(比較例):ITO/α−NPD(50nm)/化合物(17)−2のスチリ ル化合物(50nm)/Mg:Ag(200nm)
【0518】
素子3及び素子4の発光色はいずれも橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、610nm付近に発光ピークを有する同様のスペクトルが得られた。
【0519】
これらの有機電界発光素子に対して初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで、素子3では1300時間であったのに対して、スチリル化合物単独膜を発光層として使用した素子4では350時間となった。
【0520】
比較例3
この比較例は、上記構造式(17)−のスチリル化合物と上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用いた素子と、上記構造式(17)−のスチリル化合物のみの単独膜を電子輸送性発光層として用いた素子の素子特性を比較した例である。
【0521】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0522】
素子構造:
素子5(実施例):ITO/α−NPD(50nm)/構造式(17)−のスチリ ル化合物+Alq3(50nm)/Mg:Ag(200nm)
素子6(比較例):ITO/α−NPD(50nm)/構造式(17)−のスチリ ル化合物(50nm)/Mg:Ag(200nm)
【0523】
素子5及び素子6の発光色はいずれも橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、605nm付近に発光ピークを有する同様のスペクトルが得られた。
【0524】
これらの有機電界発光素子に対して初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで、素子5では3300時間であったのに対して、スチリル化合物単独膜を発光層として使用した素子6では600時間となった。
【0525】
比較例4
この比較例は、上記構造式(17)−のスチリル化合物と上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用いた素子と、上記構造式(17)−のスチリル化合物のみの単独膜を電子輸送性発光層として用いた素子の素子特性を比較した例である。
【0526】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0527】
素子構造:
素子7(実施例):ITO/α−NPD(50nm)/構造式(17)−のスチリ ル化合物+Alq3(50nm)/Mg:Ag(200nm)
素子8(比較例):ITO/α−NPD(50nm)/構造式(17)−のスチリ ル化合物(50nm)/Mg:Ag(200nm)
【0528】
素子7及び素子8の発光色はいずれも赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、680nm付近に発光ピークを有する同様のスペクトルが得られた。
【0529】
これらの有機電界発光素子に対して初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで、素子7では500時間であったのに対して、スチリル化合物単独膜を発光層として使用した素子8では120時間となった。
【0530】
比較例5
この比較例は、上記構造式(17)−11のスチリル化合物と上記構造式Alq3との混合層を電子輸送性発光層として用いた素子と、上記構造式(17)−11のスチリル化合物のみの単独膜を電子輸送性発光層として用いた素子の素子特性を比較した例である。
【0531】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0532】
素子構造:
素子9(実施例11):ITO/α−NPD(50nm)/構造式(17)−11のス チリル化合物+Alq3(50nm)/Mg:Ag(200nm)
素子10(比較例):ITO/α−NPD(50nm)/構造式(17)−11のス チリル化合物(50nm)/Mg:Ag(200nm)
【0533】
素子9及び素子10の発光色はいずれも赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、630nm付近に発光ピークを有する同様のスペクトルが得られた。
【0534】
これらの有機電界発光素子に対して初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで、素子9では780時間であったのに対して、スチリル化合物単独膜を発光層として使用した素子10では170時間となった。
【0535】
比較例6
この比較例は、上記構造式(17)−17のスチリル化合物と上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用いた素子と、上記構造式(17)−17のスチリル化合物のみの単独膜を電子輸送性発光層として用いた素子の素子特性を比較した例である。
【0536】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0537】
素子構造:
素子11(実施例17):ITO/α−NPD(50nm)/構造式(17)−17の スチリル化合物+Alq3(50nm)/Mg:Ag(200nm)
素子12(比較例):ITO/α−NPD(50nm)/構造式(17)−17のス チリル化合物(50nm)/Mg:Ag(200nm)
【0538】
素子11及び素子12の発光色はいずれも赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、640nm付近に発光ピークを有する同様のスペクトルが得られた。
【0539】
これらの有機電界発光素子に対して初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで、素子11では5500時間であったのに対して、スチリル化合物単独膜を発光層として使用した素子12では800時間となった。
【0540】
比較例7
この比較例は、上記構造式(17)−27のスチリル化合物と上記構造式Alq3の混合層を電子輸送性発光層として用いた素子と、上記構造式(17)−27のスチリル化合物のみの単独膜を電子輸送性発光層として用いた素子の素子特性を比較した例である。
【0541】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0542】
素子構造:
素子13(実施例27):ITO/α−NPD(50nm)/構造式(17)−27の スチリル化合物+Alq3(50nm)/Mg:Ag(200nm)
素子14(比較例):ITO/α−NPD(50nm)/構造式(17)−27のス チリル化合物(50nm)/Mg:Ag(200nm)
【0543】
素子13及び素子14の発光色はいずれも赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、650nm付近に発光ピークを有する同様のスペクトルが得られた。
【0544】
これらの有機電界発光素子に対して初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで、素子13では1550時間であったのに対して、スチリル化合物単独膜を発光層として使用した素子14では280時間となった。
【0545】
比較例8
この比較例は、上記構造式(17)−35のスチリル化合物と上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用いた素子と、上記構造式(17)−35のスチリル化合物のみの単独膜を電子輸送性発光層として用いた素子の素子特性を比較した例である。
【0546】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0547】
素子構造:
素子15(実施例35):ITO/α−NPD(50nm)/構造式(17)−35の スチリル化合物+Alq3(50nm)/Mg:Ag(200nm)
素子16(比較例):ITO/α−NPD(50nm)/構造式(17)−35のス チリル化合物(50nm)/Mg:Ag(200nm)
【0548】
素子15及び素子16の発光色はいずれも赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、645nm付近に発光ピークを有する同様のスペクトルが得られた。
【0549】
これらの有機電界発光素子に対して初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで、素子15では1050時間であったのに対して、スチリル化合物単独膜を発光層として使用した素子16では180時間となった。
【0550】
比較例9
この比較例は、上記構造式(17)−38のスチリル化合物と上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用いた素子と、上記構造式(17)−38のスチリル化合物のみの単独膜を電子輸送性発光層として用いた素子の素子特性を比較した例である。
【0551】
層構造、成膜法とも参考例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0552】
素子構造:
素子17(実施例38):ITO/α−NPD(50nm)/構造式(17)−38の スチリル化合物+Alq3(50nm)/Mg:Ag(200nm)
素子18(比較例):ITO/α−NPD(50nm)/構造式(17)−38のス チリル化合物(50nm)/Mg:Ag(200nm)
【0553】
素子17及び素子18の発光色はいずれも橙色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、590nm付近に発光ピークを有する同様のスペクトルが得られた。
【0554】
これらの有機電界発光素子に対して初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで、素子17では250時間であったのに対して、スチリル化合物単独膜を発光層として使用した素子18では70時間となった。
【0555】
実施例65
本実施例は、上記構造式(17)−17のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、上面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0556】
まず、真空蒸着装置中に、100nmの厚さの銀合金と、更にその上部に成膜された10nmの厚さのITOとからなる陽極が一表面に形成された30mm×30mmのガラス基板をセッティングした。蒸着マスクとして、複数の2.0mm×2.0mmの単位開口を有する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法により10-4Pa以下の真空下で下記構造式の2−TNATAを例えば20nm成膜し、続いてその上に、α−NPDを例えば43nmの厚さに成膜した。蒸着レートは各々0.1nm/秒とした。
【0557】
【化84】
2−TNATA:
Figure 0004161262
【0558】
更に、上記構造式(17)−17のスチリル化合物と電子輸送性材料であるAlq3とを重量比1:1で混合した層を正孔輸送層に接して蒸着した。上記構造式(17)−17のアミノスチリル化合物とAlq3とからなる電子輸送層(兼発光層)の膜厚も例えば30nmとし、蒸着レートは各々0.2nm/秒とした。
【0559】
更に、その上に、電子輸送層としてAlq3を例えば36nmの厚さに成膜した。
【0560】
陰極材料としてはMgとAgの混合膜を採用し、これも蒸着により、例えばMgとAgの混合比を5:1として12nmの厚さに形成し、図6に示した如き有機電界発光素子を作製した。
【0561】
このように作製した実施例65の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、640nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで850cd/m2の輝度が得られた。
【0562】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減するまで8300時間であった。
【0563】
実施例66
本実施例は、上記構造式(17)−18のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、上面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0564】
層構造、成膜法ともに実施例65に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0565】
このように作製した実施例66の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、640nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで900cd/m2の輝度が得られた。
【0566】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化された際、輝度が半減するまで7000時間であった。
【0567】
実施例67
本実施例は、上記構造式(17)−19のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、上面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0568】
層構造、成膜法ともに実施例65に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0569】
このように作製した実施例67の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、643nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで800cd/m2の輝度が得られた。
【0570】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化された際、輝度が半減するまで6000時間であった。
【0571】
実施例68
本実施例は、上記構造式(17)−12のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、上面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0572】
層構造、成膜法ともに実施例65に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0573】
このように作製した実施例68の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、640nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで650cd/m2の輝度が得られた。
【0574】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化された際、輝度が半減するまで2200時間であった。
【0575】
実施例69
本実施例は、上記構造式(17)−13のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、上面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0576】
層構造、成膜法ともに実施例65に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0577】
このように作製した実施例69の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、642nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで680cd/m2の輝度が得られた。
【0578】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化された際、輝度が半減するまで3500時間であった。
【0579】
実施例70
本実施例は、上記構造式(17)−14のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、上面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0580】
層構造、成膜法ともに実施例65に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0581】
このように作製した実施例70の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、645nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで660cd/m2の輝度が得られた。
【0582】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化された際、輝度が半減するまで3800時間であった。
【0583】
実施例71
本実施例は、上記構造式(17)−15のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、上面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0584】
層構造、成膜法ともに実施例65に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0585】
このように作製した実施例71の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、650nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで700cd/m2の輝度が得られた。
【0586】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化された際、輝度が半減するまで3300時間であった。
【0587】
実施例72
本実施例は、上記構造式(17)−16のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、上面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0588】
層構造、成膜法ともに実施例65に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0589】
このように作製した実施例72の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、640nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1100cd/m2の輝度が得られた。
【0590】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化された際、輝度が半減するまで6000時間であった。
【0591】
実施例73
本実施例は、上記構造式(17)−のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、上面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0592】
層構造、成膜法ともに実施例65に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0593】
このように作製した実施例73の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、655nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで200cd/m2の輝度が得られた。
【0594】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化された際、輝度が半減するまで500時間であった。
【0595】
実施例74
本実施例は、上記構造式(17)−のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、上面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0596】
層構造、成膜法ともに実施例65に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0597】
このように作製した実施例74の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、655nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで210cd/m2の輝度が得られた。
【0598】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化された際、輝度が半減するまで350時間であった。
【0599】
参考例22
この参考例は、上記構造式(18)−11のスチリル化合物と、上記構造式のAlq3との混合層を電子輸送性発光層として用い、上面発光型の有機電界発光素子を作製した例である。
【0600】
層構造、成膜法ともに実施例65に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【0601】
このように作製した参考22の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、参考例1と同様に分光測定を行った結果、630nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで1800cd/m2の輝度が得られた。
【0602】
この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気下に1ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかった。また、初期輝度300cd/m2で電流値を一定に通電して連続発光し、強制劣化された際、輝度が半減するまで2500時間であった。
【0603】
【発明の作用効果】
本発明の有機電界発光素子及び発光装置によれば、発光領域を有する有機層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子において、前記有機層の構成層の少なくとも1層が、前記構造式(17)−1〜(17)−68で表される特定のスチリル化合物の少なくとも1種と、電荷輸送能を持つ材料とを含む混合層からなっているので、高輝度、高信頼性であって熱安定性も良好であり、赤色等の比較的長波長の発光色を任意に選択でき、色純度が良好な有機電界発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に基づく有機電界発光素子の要部概略断面図である。
【図2】 同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面図である。
【図3】 同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面図である。
【図4】 同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面図である。
【図5】 同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面図である。
【図6】 同、有機電界発光素子の更に他の例の要部概略断面図である。
【図7】 同、有機電界発光素子を用いたフルカラーの平面ディスプレイの構成図である。
【符号の説明】
1…基板、2…透明電極(陽極)、3…陰極、4…保護膜、5、5a、5b…有機層、
6…正孔輸送層、7…電子輸送層、8…電源、9…正孔注入層、10…正孔輸送層、
11…発光層、12…電子輸送層、14…輝度信号回路、15…制御回路、
20…発光光、A、B、C、D、E、F…有機電界発光素子

Claims (9)

  1. 発光領域を有する有機層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子において、前記有機層の構成層のうちの少なくとも1層が、下記構造式(17)−1〜(17)−68で表されるスチリル化合物の少なくとも1種と、電荷輸送能を持つ材料とを含む混合層からなることを特徴とする有機電界発光素子。
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
    Figure 0004161262
  2. 前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有機積層構造のうちの少なくとも前記電子輸送層が、前記構造式(17)−1〜(17)−68のいずれかで表されるスチリル化合物の少なくとも1種を含む前記混合層からなる、請求項に記載した有機電界発光素子。
  3. 前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有機積層構造のうちの少なくとも前記正孔輸送層が、前記構造式(17)−1〜(17)−68のいずれかで表されるスチリル化合物の少なくとも1種を含む前記混合層からなる、請求項に記載した有機電界発光素子。
  4. 前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記正孔輸送層が、前記構造式(17)−1〜(17)−68のいずれかで表されるスチリル化合物の少なくとも1種を含む前記混合層からなり、かつ前記電子輸送層が、前記構造式(17)−1〜(17)−68のいずれかで表されるスチリル化合物の少なくとも1種を含む前記混合層からなる、請求項に記載した有機電界発光素子。
  5. 前記有機層が、正孔輸送層と発光層と電子輸送層とが積層された有機積層構造をしており、前記有機積層構造のうちの少なくとも前記発光層が、前記構造式(17)−1〜(17)−68のいずれかで表されるスチリル化合物の少なくとも1種を含む前記混合層からなる、請求項に記載した有機電界発光素子。
  6. 前記混合層において、前記構造式(17)−1〜(17)−68のいずれかで表されるスチリル化合物の少なくとも1種が5〜90重量%の濃度範囲で、電荷輸送能を持つ前記材料に混合されている、請求項に記載した有機電界発光素子。
  7. 前記混合層が、前記構造式(17)−1〜(17)−68のいずれかで表されるスチリル化合物の少なくとも1種と、600nm〜700nmの範囲に発光極大を有する赤色又は橙色発光色素とを含む、請求項に記載した有機電界発光素子。
  8. 請求項のいずれか1項に記載した有機電界発光素子を用いた発光又は表示装置。
  9. 前記有機電界発光素子を画素の少なくとも一部に用いたディスプレイデバイスとして構成された、請求項に記載した発光又は表示装置。
JP2003165852A 2002-06-26 2003-06-11 有機電界発光素子、及びそれを用いた発光又は表示装置 Expired - Fee Related JP4161262B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003165852A JP4161262B2 (ja) 2002-06-26 2003-06-11 有機電界発光素子、及びそれを用いた発光又は表示装置
TW092116881A TWI242384B (en) 2002-06-26 2003-06-20 Organic electroluminescent emission element, light-emitting device and display device using the same
US10/487,584 US8025986B2 (en) 2002-06-26 2003-06-25 Organic electroluminescent element and light-emitting device or display device incorporated therewith
PCT/JP2003/008043 WO2004003104A1 (ja) 2002-06-26 2003-06-25 有機電界発光素子、及びそれを用いた発光装置又は表示装置
EP03761798A EP1516902A4 (en) 2002-06-26 2003-06-25 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND ELECTROLUMINESCENT DEVICE OR DISPLAY IT CONTAINING IT
CN03801209.XA CN1564857A (zh) 2002-06-26 2003-06-25 有机电致发光元件和掺杂该元件的发光器件或显示器件

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002185675 2002-06-26
JP2003165852A JP4161262B2 (ja) 2002-06-26 2003-06-11 有機電界発光素子、及びそれを用いた発光又は表示装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004087463A JP2004087463A (ja) 2004-03-18
JP2004087463A5 JP2004087463A5 (ja) 2004-12-24
JP4161262B2 true JP4161262B2 (ja) 2008-10-08

Family

ID=30002282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003165852A Expired - Fee Related JP4161262B2 (ja) 2002-06-26 2003-06-11 有機電界発光素子、及びそれを用いた発光又は表示装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8025986B2 (ja)
EP (1) EP1516902A4 (ja)
JP (1) JP4161262B2 (ja)
CN (1) CN1564857A (ja)
TW (1) TWI242384B (ja)
WO (1) WO2004003104A1 (ja)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4001118B2 (ja) * 2003-03-24 2007-10-31 ソニー株式会社 有機電界発光素子及びアミノモノスチリルナフタレン化合物
US20070194308A1 (en) * 2005-06-27 2007-08-23 Wintek Corporation Organic light emitting display capable of showing images on double sides thereof
DE102005037734B4 (de) * 2005-08-10 2018-02-08 Merck Patent Gmbh Elektrolumineszierende Polymere, ihre Verwendung und bifunktionelle monomere Verbindungen
US20070176539A1 (en) * 2006-02-01 2007-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh OLED with area defined multicolor emission within a single lighting element
US8115378B2 (en) * 2006-12-28 2012-02-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Tetra-substituted chrysenes for luminescent applications
US8257836B2 (en) 2006-12-29 2012-09-04 E I Du Pont De Nemours And Company Di-substituted pyrenes for luminescent applications
US8541111B2 (en) * 2007-05-21 2013-09-24 Sony Corporation Organic electroluminescent device and display apparatus
US20080303428A1 (en) * 2007-06-01 2008-12-11 Vsevolod Rostovtsev Chrysenes for green luminescent applications
JP5292394B2 (ja) * 2007-06-01 2013-09-18 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 青色発光材料
KR101554750B1 (ko) 2007-06-01 2015-09-22 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 진청색 발광 용도를 위한 크라이센
JP5466150B2 (ja) 2007-06-01 2014-04-09 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 緑色発光材料
JP4882908B2 (ja) * 2007-08-07 2012-02-22 富士ゼロックス株式会社 有機電界発光素子及び表示装置
US8192848B2 (en) 2008-01-11 2012-06-05 E I Du Pont De Nemours And Company Substituted pyrenes and associated production methods for luminescent applications
US8546844B2 (en) 2008-06-26 2013-10-01 E I Du Pont De Nemours And Company Process for forming an organic light-emitting diode luminaires having a single light-emitting layer with at least two light-emitting dopants
JP2011526416A (ja) * 2008-06-26 2011-10-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 有機発光ダイオード照明器具
JP4623166B2 (ja) 2008-08-25 2011-02-02 ソニー株式会社 標識化合物及びこれを用いた検出方法
US20110215715A1 (en) * 2008-11-19 2011-09-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Chrysene compounds for blue or green luminescent applications
US8932733B2 (en) * 2008-12-19 2015-01-13 E I Du Pont De Nemours And Company Chrysene derivative host materials
TW201038532A (en) * 2008-12-19 2010-11-01 Du Pont Anthracene compounds for luminescent applications
US8531100B2 (en) 2008-12-22 2013-09-10 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for luminescent applications
TW201035282A (en) * 2008-12-22 2010-10-01 Du Pont Photoactive composition and electronic device made with the composition
US8759818B2 (en) * 2009-02-27 2014-06-24 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for electronic applications
JP5567656B2 (ja) * 2009-04-03 2014-08-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電気活性材料
US9260657B2 (en) 2009-05-19 2016-02-16 E I Du Pont De Nemours And Company Chrysene compounds for luminescent applications
CN102471677A (zh) 2009-07-01 2012-05-23 E.I.内穆尔杜邦公司 用于发光应用的*化合物
KR101545774B1 (ko) * 2009-08-13 2015-08-19 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 크라이센 유도체 재료
WO2011028471A2 (en) * 2009-08-24 2011-03-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
US20110204338A1 (en) * 2009-08-24 2011-08-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
CN102484215A (zh) * 2009-08-24 2012-05-30 E.I.内穆尔杜邦公司 有机发光二极管灯具
WO2011028473A2 (en) * 2009-08-24 2011-03-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
US8471247B2 (en) * 2009-08-24 2013-06-25 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
WO2011028479A2 (en) 2009-08-24 2011-03-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
JP5715142B2 (ja) 2009-09-29 2015-05-07 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company ルミネセンス用途用の重水素化合物
JP2013508380A (ja) 2009-10-19 2013-03-07 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電子用途用のトリアリールアミン化合物
WO2011049904A2 (en) 2009-10-19 2011-04-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Triarylamine compounds for electronic applications
EP2493887A4 (en) 2009-10-29 2013-06-19 Du Pont DETERERATED COMPOUNDS FOR ELECTRONIC APPLICATIONS
US8674343B2 (en) 2009-10-29 2014-03-18 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diodes having white light emission
JP5671054B2 (ja) * 2009-12-09 2015-02-18 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company 電子用途用の化合物の組合せの一部としての重水素化合物
US8465849B2 (en) * 2009-12-21 2013-06-18 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated zirconium compound for electronic applications
US8617720B2 (en) 2009-12-21 2013-12-31 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive composition and electronic device made with the composition
US20120187383A1 (en) 2010-08-11 2012-07-26 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive compound and composition and electronic device made with the composition
KR20140000672A (ko) 2010-08-24 2014-01-03 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 광활성 조성물 및 그 조성물로 제조된 전자 소자
WO2012082593A2 (en) 2010-12-15 2012-06-21 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive material and devices made with such materials
TW201229003A (en) 2010-12-17 2012-07-16 Du Pont Anthracene derivative compounds for electronic applications
WO2012083301A1 (en) 2010-12-17 2012-06-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Anthracene derivative compounds for electronic applications
TW201229204A (en) 2010-12-17 2012-07-16 Du Pont Anthracene derivative compounds for electronic applications
EP2655347A1 (en) 2010-12-20 2013-10-30 E.I. Du Pont De Nemours And Company Triazine derivatives for electronic applications
WO2012087961A2 (en) 2010-12-20 2012-06-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive compositions for electronic applications
US9293716B2 (en) 2010-12-20 2016-03-22 Ei Du Pont De Nemours And Company Compositions for electronic applications
US20130256646A1 (en) 2010-12-21 2013-10-03 E I Du Pont De Nemours And Company Electronic device including a pyrimidine compound
JP2014532984A (ja) 2011-10-19 2014-12-08 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company 照明用有機電子デバイス
JP6114375B2 (ja) 2012-03-23 2017-04-12 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company 緑色発光材料
KR102123622B1 (ko) 2012-04-02 2020-06-16 주식회사 엘지화학 청색 발광 화합물
WO2013163019A1 (en) 2012-04-23 2013-10-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Blue luminescent compounds
US9062993B2 (en) 2012-05-22 2015-06-23 E I Du Pont De Nemours And Company Method and apparatus for liquid flow calibration check
WO2014130597A1 (en) 2013-02-25 2014-08-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including a diazachrysene derivative
WO2015089304A1 (en) 2013-12-13 2015-06-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company System for forming an electroactive layer
US10586933B2 (en) 2014-01-23 2020-03-10 Lg Chem, Ltd. Electroactive metal complexes
US9843001B2 (en) 2014-08-18 2017-12-12 E I Du Pont De Nemours And Company Blue luminescent compounds
US9944846B2 (en) 2014-08-28 2018-04-17 E I Du Pont De Nemours And Company Compositions for electronic applications
US9972783B2 (en) 2015-03-25 2018-05-15 E I Du Pont De Nemours And Company High energy triarylamine compounds for hole transport materials
US10804473B2 (en) 2015-05-21 2020-10-13 Lg Chem, Ltd. Electron transport materials for electronic applications
US9966542B2 (en) 2016-06-02 2018-05-08 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3820752B2 (ja) * 1998-06-26 2006-09-13 ソニー株式会社 有機電界発光素子
TW480896B (en) * 1999-07-30 2002-03-21 Sony Corp Organic electroluminescent device
KR100364951B1 (ko) * 1999-08-02 2002-12-16 닛본 덴기 가부시끼가이샤 유기 전자발광 재료 및 이 재료를 이용한 전자발광 소자
KR100738762B1 (ko) * 1999-09-21 2007-07-12 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전자발광 소자 및 유기 발광 매체
US6528940B1 (en) * 1999-09-28 2003-03-04 Canon Kabushiki Kaisha Conductive liquid crystal device, and organic electroluminescence device
JP4164718B2 (ja) * 1999-10-06 2008-10-15 ソニー株式会社 ビス(アミノスチリル)ナフタレン化合物及びその合成中間体、これらの製造方法、並びに有機電界発光素子
JP4255610B2 (ja) 1999-12-28 2009-04-15 出光興産株式会社 白色系有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4094203B2 (ja) * 2000-03-30 2008-06-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光媒体
JP2002134276A (ja) 2000-10-30 2002-05-10 Sony Corp 有機電界発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004003104A1 (ja) 2004-01-08
EP1516902A4 (en) 2012-06-27
TWI242384B (en) 2005-10-21
JP2004087463A (ja) 2004-03-18
CN1564857A (zh) 2005-01-12
US8025986B2 (en) 2011-09-27
EP1516902A1 (en) 2005-03-23
TW200415934A (en) 2004-08-16
US20050158577A1 (en) 2005-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4161262B2 (ja) 有機電界発光素子、及びそれを用いた発光又は表示装置
JP4655410B2 (ja) 有機電界発光素子
CA2514506C (en) Oleds having inorganic material containing anode capping layer
JP3852552B2 (ja) 有機電界発光素子
US9508940B2 (en) OLEDs doped with phosphorescent compounds
JP5389313B2 (ja) 有機発光素子
US20060214553A1 (en) Organic electroluminescent device
KR100838094B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 이것을 사용한 발광장치
WO2004066315A2 (en) Benzoxazinone and quinazolinone derivatives
KR100751464B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
JP2002134276A (ja) 有機電界発光素子
JP3852518B2 (ja) 有機電界発光素子
JP3820752B2 (ja) 有機電界発光素子
JPH10335066A (ja) 有機電界発光素子およびこれを用いたフラットパネルディスプレイ
JP2000091073A (ja) 有機電界発光素子
JP3852517B2 (ja) 有機電界発光素子
JP2000091077A (ja) 有機電界発光素子
JP2003208988A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP3910010B2 (ja) 有機電界発光素子
JP2000012225A (ja) 有機電界発光素子
US20040219390A1 (en) Benzoxazinone and quinazolinone derivatives
JP3852520B2 (ja) 有機電界発光素子
KR100994855B1 (ko) 유기 전계 발광 소자, 및 이것을 사용한 발광 장치 또는표시 장치
JP2010141359A (ja) 有機電界発光素子及び発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040126

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040126

RD13 Notification of appointment of power of sub attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433

Effective date: 20070125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070424

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070621

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080626

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080709

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120801

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120801

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130801

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees