JP5090639B2 - 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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Description

本発明は芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、特に、高発光効率で、色純度の高い青色発光が得られる有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現する芳香族アミン誘導体に関するものである。
有機物質を使用した有機EL素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般にEL素子は、発光層及び該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。
従来の有機EL素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。最近の有機EL素子は徐々に改良されているものの、さらなる高発光効率、長寿命が要求されている。
例えば、単一のモノアントラセン化合物を有機発光材料として用いる技術が開示されている(特許文献1)。しかしながら、この技術においては、例えば電流密度165mA/cm2において、1650cd/m2の輝度しか得られておらず、効率は1cd/Aであって極めて低く、実用的ではない。また、単一のビスアントラセン化合物を有機発光材料として用いる技術が開示されている(特許文献2)。しかしながら、この技術においても、効率は1〜3cd/A程度で低く、実用化のための改良が求められていた。一方、有機発光材料として、ジスチリル化合物を用い、これにスチリルアミンなどを添加したものを用いた長寿命の有機EL素子が提案されている(特許文献3)。しかしながら、この素子は、寿命が十分ではなく、さらなる改良が求められていた。
また、モノもしくはビスアントラセン化合物とジスチリル化合物を有機発光媒体層として用いた技術が開示されている(特許文献4)。しかしながら、これらの技術においては、スチリル化合物の共役構造により発光スペクトルが長波長化して色純度を悪化させていた。
さらに、特許文献5には、スチルベン誘導体を用いた青色発光素子が開示されている。しかしながら、この素子は、発光効率に優れるものの、色純度が悪いため、フルカラーディスプレイ用途に向け、さらなる改良が求められていた。
特開平11−3782号公報 特開平8−12600号公報 国際公開WO94/006157号公報 特開2001−284050号公報 国際公開WO02/020459号公報
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、寿命が長く、高発光効率で、色純度の高い青色発光が得られる有機EL素子及びそれを実現する芳香族アミン誘導体を提供することを目的とするものである。
本発明者らは、前記の好ましい性質を有する芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機EL素子を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、テトラヒドロクリセン、ジヒドロナフタレン、インデン、インデノインデン等の骨格を分子内に有する下記一般式(I)で表される芳香族アミン誘導体を利用することによりその目的を達成し得ることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち、本発明は、下記一般式(I)で表される芳香族アミン誘導体を提供するものである。
Figure 0005090639
[式中、A1〜A6は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシル基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のシリル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数5〜50の複素環基を表わす。
1とA2、A3とA4、A3とA4、A4とA5、及びA5とA6はそれぞれ互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。
1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜20のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数3〜20のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数1〜20のシリル基である。
aは1〜3の整数を表わし、aが2以上の場合、R1及びR2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
ただし、A1〜A6うち、少なくとも一つは、下記一般式(II)もしくは(III)を表す。
Figure 0005090639
{式中、Ar1〜Ar4は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数3〜50のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数5〜50の複素環基を表わす。Ar1〜Ar4がアリール基の場合、Ar1とAr2は、Ar3とAr4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
Ar5は、前記Ar1〜Ar4の各基から水素原子を一個除いた二価基のいずれかである。
bは1〜3の整数を表し、aが2以上の場合、複数のAr5は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。}]
また、本発明は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機EL素子において、該有機薄膜層の少なくとも1層が、前記芳香族アミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機EL素子を提供するものである。
本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機EL素子は、低い印加電圧で実用上十分な発光輝度が得られ、発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い。
本発明の芳香族アミン誘導体は、下記一般式(I)で表される化合物である。
以下、一般式(I)で表される芳香族アミン誘導体について説明する。
Figure 0005090639
一般式(I)において、A1〜A6は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは、炭素数1〜20)のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50(好ましくは、核炭素数5〜20)のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50(好ましくは、核炭素数6〜20)のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数3〜50(好ましくは、核炭素数5〜12)のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは、炭素数1〜6)のアルコキシル基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50(好ましくは、核炭素数5〜18)のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50(好ましくは、核炭素数5〜18)のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20(好ましくは、炭素数1〜6)のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20(好ましくは、炭素数1〜10)のシリル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数5〜50(好ましくは、核炭素数5〜20)の複素環基を表わす。
1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20(好ましくは、炭素数1〜20)のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜20(好ましくは、核炭素数5〜20)のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20(好ましくは、核炭素数6〜20)のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数3〜20(好ましくは、核炭素数5〜12)のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数1〜20(好ましくは、炭素数1〜10)のシリル基である。
ただし、A1〜A6うち、少なくとも一つは、下記一般式(II)もしくは(III)を表す。


Figure 0005090639
一般式(II)及び(III)において、Ar1〜Ar4は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは、炭素数1〜20)のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50(好ましくは、核炭素数5〜20)のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50(好ましくは、核炭素数6〜20)のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数3〜50(好ましくは、核炭素数5〜12)のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数5〜50(好ましくは、核炭素数5〜20)の複素環基を表わす。Ar1〜Ar4がアリール基の場合、Ar1とAr2は、Ar3とAr4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
Ar5は、前記Ar1〜Ar4の各基から水素原子を一個除いた二価基のいずれかである。
1〜A6、R1、R2、及びAr1〜Ar4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、2−フェニルイソプロピル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、ベンジル基、α−フェノキシベンジル基、α,α−ジメチルベンジル基、α,α−メチルフェニルベンジル基、α,α−ジトリフルオロメチルベンジル基、トリフェニルメチル基、α−ベンジルオキシベンジル基等が挙げられる。
1〜A6、R1、R2、及びAr1〜Ar4のアリール基としては、例えば、フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、ビフェニル基、4−メチルビフェニル基、4−エチルビフェニル基、4−シクロヘキシルビフェニル基、ターフェニル基、3,5−ジクロロフェニル基、ナフチル基、5−メチルナフチル基、アントリル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基等が挙げられる。
1〜A6、R1、R2、及びAr1〜Ar4のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、1−フェニルエチル基、2−フェニルエチル基、1−フェニルイソプロピル基、2−フェニルイソプロピル基、フェニル−t−ブチル基、α−ナフチルメチル基、1−α−ナフチルエチル基、2−α−ナフチルエチル基、1−α−ナフチルイソプロピル基、2−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、1−β−ナフチルエチル基、2−β−ナフチルエチル基、1−β−ナフチルイソプロピル基、2−β−ナフチルイソプロピル基、1−ピロリルメチル基、2−(1−ピロリル)エチル基、p−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、o−メチルベンジル基、p−クロロベンジル基、m−クロロベンジル基、o−クロロベンジル基、p−ブロモベンジル基、m−ブロモベンジル基、o−ブロモベンジル基、p−ヨードベンジル基、m−ヨードベンジル基、o−ヨードベンジル基、p−ヒドロキシベンジル基、m−ヒドロキシベンジル基、o−ヒドロキシベンジル基、p−アミノベンジル基、m−アミノベンジル基、o−アミノベンジル基、p−ニトロベンジル基、m−ニトロベンジル基、o−ニトロベンジル基、p−シアノベンジル基、m−シアノベンジル基、o−シアノベンジル基、1−ヒドロキシ−2−フェニルイソプロピル基、1−クロロ−2−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。
1〜A6、R1、R2、及びAr1〜Ar4のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、トリシクロヘプチル基、アダマンチル基等が挙げられ、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、アダマンチル基が好ましい。
1〜A6のアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、s−ブトキシ基、t−ブトキシ基、各種ペンチルオキシ基、各種ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
1〜A6のアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、トリルオキシ基、ナフチルオキシ基等が挙げられる。
1〜A6のアリールアミノ基としては、例えば、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジナフチルアミノ基、ナフチルフェニルアミノ基等が挙げられる。
1〜A6のアルキルアミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジヘキシルアミノ基等が挙げられる。
1〜A6、R1及びR2、のシリル基の具体例としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
1〜A6及びAr1〜Ar4の複素環基としては、例えば、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ピロール、フラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、オキサジアゾリン、インドリン、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ベンゾキノン、ピラロジン、イミダゾリジン、ピペリジン等の残基が挙げられる。
一般式(I)において、aは1〜3の整数を表わし、aが2以上の場合、R1及びR2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
一般式(I)において、A1とA2、A3とA4、A3とA4、A4とA5、及びA5とA6は、また、一般式(II)及び(III)において、Ar1〜Ar4がアリール基の場合、Ar1とAr2、及びAr3とAr4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
この環としては、例えば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン等の炭素数4〜12のシクロアルカン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン等の炭素数4〜12のシクロアルケン、シクロヘキサジエン、シクロヘプタジエン、シクロオクタジエン等の炭素数6〜12のシクロアルカジエン、ベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、ピレン、クリセン、アセナフチレン等の炭素数6〜50の芳香族環、イミダゾール、ピロール、フラン、チオフェン、ピリジン、カルバゾール、アゼピン等の炭素数5〜50の複素環などが挙げられる。
一般式(II)及び(III)において、bは1〜3の整数を表し、aが2以上の場合、複数のAr5は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
前記A1〜A6、R1、R2、及びAr1〜Ar5の置換基としては、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシカルボニル基、アミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基等が挙げられる。
これらの中でも、炭素数1〜10のアルキル基、核炭素数5〜7のシクロアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基が好ましく、炭素数1〜6のアルキル基、核炭素数5〜7のシクロアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が特に好ましい。
本発明の一般式(I)で表される芳香族アミン誘導体は、A3〜A6のうち少なくとも一つが前記一般式(II)又は(III)で表される構造であると好ましい。
また、本発明の一般式(I)で表される芳香族アミン誘導体は、下記一般式(IV)で表される構造であると好ましい。
Figure 0005090639
一般式(IV)中、A2〜A6は、前記一般式(I)におけるものと同じである。A3とA4、A4とA5、及びA5とA6は、それぞれ互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。R1及びR2は、前記一般式(I)におけるものと同じである。aは1〜3の整数を表し、aが2以上の場合、R1及びR2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ar3及びAr4は、前記一般式(III)におけるものと同じである。Ar5は、前記一般式(III)におけるものと同じである。bは0〜3の整数を表し、bが2以上の場合、複数のAr5は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
本発明の一般式(I)で表される芳香族アミン誘導体は、前記一般式(IV)において、Ar3及びAr4が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリール基、又は置換もしくは無置換の核炭素数5〜50の複素環基であり、Ar5が、前記Ar3及びAr4の各基から水素原子を一個除いた二価基であり、A3〜A6のうち、少なくとも一つは、前記一般式(II)又は(III)で表される構造であると好ましい。
本発明の一般式(I)で表される芳香族アミン誘導体は、下記一般式(V)で表される構造であると好ましい。
Figure 0005090639
一般式(V)中、A3〜A10は、一般式(I)におけるA1〜A6と同じである。A3とA4、A4とA5、A5とA6、A7とA8、A8とA9、及びA9とA10は、それぞれ互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。R1〜R4は、一般式(I)におけるR1及びR2と同じである。a及びcはそれぞれ1〜3の整数を表し、a及び/又はcが2以上の場合、複数のR1とR2、及び/又はR3とR4は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。ただし、A3〜A6のうち少なくとも一つと、A7〜A10のうち少なくとも一つは、それぞれ独立に、上記一般式(II)もしくは(III)を表す。
本発明の一般式(I)で表される芳香族アミン誘導体は、下記一般式(VI)で表される構造であると好ましい。
Figure 0005090639
一般式(VI)中、A3〜A10は、一般式(I)におけるA1〜A6と同じである。A3とA4、及びA7とA8はそれぞれ互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。R1〜R4は、一般式(I)におけるR1及びR2と同じである。a及びcはそれぞれ1〜3の整数を表し、a及び/又はcが2以上の場合、複数のR1とR2及び/又はR3とR4は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ar1〜Ar7は、前記一般式(II)及び(III)におけるAr1〜Ar4と同じである。
本発明の芳香族アミン誘導体は、下記一般式(VII)で表される構造であると好ましい。
Figure 0005090639
一般式(VII)中、A2'〜A6'は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシル基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のシリル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数5〜50の複素環基である。A3'とA4'、A4'とA5'、及びA5'とA6'は、それぞれ互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。R1'及びR2'は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜20のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数3〜20のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数1〜20のシリル基である。a’は1〜3の整数を表し、a’が2以上の場合、複数のR1'及びR2'は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ar3'は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数3〜50のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数5〜50の複素環基である。Ar5'は、前記Ar3'の各基から水素原子を一個除いた二価基のいずれかである。b’は1〜3の整数を表し、b’が2以上の場合、複数のAr5'は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。mは2〜3の整数を表し、nは0〜1の整数を表し、m+n=3である。なお、複数のA2'〜A6'、R1'、R2'、又はAr5'は、それぞれ同一でも、異なっていても良い。}
前記一般式(IV)〜(VII)におけるA7〜A10、R3、R4及びAr6〜Ar8の各基の具体例、置換基及び好ましい炭素数の範囲は、前記一般式(I)で説明したものと同様である。
本発明の一般式(I)で表される芳香族アミン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。
Figure 0005090639
Figure 0005090639
Figure 0005090639
Figure 0005090639
Figure 0005090639
Figure 0005090639
Figure 0005090639
次に、本発明の芳香族アミン誘導体の製造方法について説明する。
本発明の一般式(I)で表される芳香族アミン誘導体の製造方法は、特に限定されず公知の方法で製造すればよく、例えばAngew.Chem.Int.Ed.Engl.,12,1348(1995)、特開平10−1239742、J.Org.Chem.,61,1133(1996)、J.Am.Chem.Soc.,118,7215(1996)に記載されるアリールハライドとアミン化合物から芳香族アミンを合成する方法、J.Org.Chem.,65,1158(2000)に記載されるアリールトリフラートとアミン化合物から芳香族アミンを合成する方法等で製造する。
本発明の一般式(I)で表される芳香族アミン誘導体は、テトラヒドロクリセン、ジヒドロナフタレン、インデン、インデノインデン等で表される共役部位を環化させた構造をとるため、発光波長が短波長化し、青色純度が向上する。また、固体状態で強い蛍光性を持ち、電場発光性にも優れ、蛍光量子効率が0.3以上である。さらに、金属電極又は有機薄膜層からの優れた正孔注入性及び正孔輸送性、金属電極又は有機薄膜層からの優れた電子注入性及び電子輸送性を併せて持ち合わせているので、有機EL素子用発光材料、特にドーピング材料として有効に用いられ、さらに、他の正孔輸送性材料、電子輸送性材料又はドーピング材料を使用してもさしつかえない。
本発明の有機EL素子は、陽極と陰極間に一層又は複数層の有機薄膜層を形成した素子である。一層型の場合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した正孔、又は陰極から注入した電子を発光材料まで輸送させるために、正孔注入材料又は電子注入材料を含有しても良い。本発明の芳香族アミン誘導体は、高い発光特性を持ち、優れた正孔注入性、正孔輸送特性及び電子注入性、電子輸送特性を有しているので、発光材料又はドーピング材料として発光層に使用することができる。
本発明の有機EL素子においては、発光層が、本発明の芳香族アミン誘導体を含有すると好ましく、含有量としては通常0.1〜20重量%であり、1〜10重量%含有するとさらに好ましい。また、本発明の芳香族アミン誘導体は、極めて高い蛍光量子効率、高い正孔輸送能力及び電子輸送能力を併せ持ち、均一な薄膜を形成することができるので、この芳香族アミン誘導体のみで発光層を形成することも可能である。
また、本発明の有機EL素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む二層以上からなる有機薄膜層が挟持されている有機EL素子において、陽極と発光層との間に本発明の芳香族アミン誘導体を主成分とする有機層を有しても好ましい。この有機層としては、正孔注入層、正孔輸送層等が挙げられる。
さらに、本発明の芳香族アミン誘導体をドーピング材料として含有する場合、ホスト材料として下記一般式(VIII)及び(IX)のアントラセン誘導体及び下記一般式(X)のピレン誘導体から選ばれる少なくとも一種を含有すると好ましい。
Figure 0005090639
一般式(VIII)中、X1及びX2は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシル基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50の複素環基、又はハロゲン原子を表わす。o及びpは、それぞれ独立に、0〜4の整数を表わす。o及び/又はpが2以上の場合、複数のX1及び/又はX2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ar15及びAr16は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50の複素環基であり、Ar15及びAr16の少なくとも一方は、置換もしくは無置換の核炭素数10〜50の縮合環アリール基又は置換もしくは無置換の炭素数10以上のアリール基を表す。qは、1〜3の整数である。qが2以上の場合は、複数の[ ]内の基
Figure 0005090639
は、同じでも異なっていてもよい。
前記X1及びX2並びにAr15及びAr16の具体例や置換基は、前記一般式(I)で説明したものと同様の例が挙げられる。
Figure 0005090639
一般式(IX)中、X1〜X3は、前記一般式(VIII)におけるX1及びX2と同じである。o、p及びsは、それぞれ独立に、0〜4の整数を表わす。o、p及び/又はsが2以上の場合、複数のX1、X2及び/又はX3は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ar17は、置換もしくは無置換の核炭素数10〜50の縮合環アリール基である。Ar18は、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリール基である。rは、1〜3の整数である。rが2以上の場合は、複数の[ ]内の基
Figure 0005090639
は、同じでも異なっていてもよい。
前記一般式(IX)中のX1〜X3並びにAr17及びAr18の各基の具体例や置換基は、前記一般式(I)で説明したものと同様の例が挙げられる。
一般式(VIII)及び(IX)のアントラセン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。
Figure 0005090639
Figure 0005090639
Figure 0005090639
Figure 0005090639
Figure 0005090639
Figure 0005090639
一般式(X)中、Ar19及びAr20は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリール基である。L1及びL2は、それぞれ、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換ジベンゾシロリレン基である。sは0〜2の整数、tは1〜4の整数、uは0〜2の整数、vは1〜4の整数である。また、L1又はAr19は、ピレンの1〜5位のいずれかに結合し、L2またはAr20は、ピレンの6〜10位のいずれかに結合する。ただし、t+Vが偶数の時、Ar19,Ar20,L1,L2は、下記(1)又は(2)を満たす。
(1)Ar19とAr20が異なる基、及び/又はL1とL2が異なる基。
(2)Ar19とAr20が同一な基、かつL1とL2が同一な基の時
(2-1)s≠u及び/又はt≠v、又は
(2-2)s=u かつt=vの時
(2-2-1)L1及びL2、又はピレンが、それぞれAr19及びAr19上の異なる結合位置に結合しているか、
(2-2-2)L1及びL2、又はピレンが、それぞれAr19及びAr19上の同じ結合位置で結合している場合、L1及びL2、又はAr19及びAr19のピレンにおける置換位置が1位と6位、又は2位と7位である場合はない。
前記Ar19及びAr20並びにL1及びL2の各基の具体例や置換基は、前記一般式(I)で説明したものと同様の例が挙げられる。
一般式(X)のピレン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。
Figure 0005090639
Figure 0005090639
本発明において、有機薄膜層が複数層型の有機EL素子としては、(陽極/正孔注入層/発光層/陰極)、(陽極/発光層/電子注入層/陰極)、(陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極)等の構成で積層したものが挙げられる。
前記複数層には、必要に応じて、本発明の芳香族アミン誘導体に加えてさらなる公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を使用することもできる。有機EL素子は、前記有機薄膜層を複数層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。また、ドーピング材料により、発光輝度や発光効率の向上、赤色や青色の発光を得ることもできる。また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良い。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層又は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。
本発明の芳香族アミン誘導体と共に発光層に使用できる上記一般式(IX)〜(XI)以外のホスト材料又はドーピング材料としては、例えば、ナフタレン、フェナントレン、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン、9,10−ジフェニルアントラセン、9,10−ビス(フェニルエチニル) アントラセン、1,4−ビス(9’−エチニルアントラセニル) ベンゼン等の縮合多量芳香族化合物及びそれらの誘導体、トリス(8−キノリノラート) アルミニウム、ビス−(2−メチル−8−キノリノラート) −4−(フェニルフェノリナート) アルミニウム等の有機金属錯体、トリアリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、スチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
正孔注入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層又は電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の有機EL素子において使用できる正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、芳香族三級アミン誘導体及びフタロシアニン誘導体である。
芳香族三級アミン誘導体としては、例えば、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N,N’,N’−(4−メチルフェニル)−1,1’−フェニル−4,4’−ジアミン、N,N,N’,N’−(4−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジナフチル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−(メチルフェニル)−N,N’−(4−n−ブチルフェニル)−フェナントレン−9,10−ジアミン、N,N−ビス(4−ジ−4−トリルアミノフェニル)−4−フェニル−シクロヘキサン等、又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。
フタロシアニン(Pc)誘導体としては、例えば、H2Pc、CuPc、CoPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FePc、MnPc、ClAlPc、ClGaPc、ClInPc、ClSnPc、Cl2SiPc、(HO)AlPc、(HO)GaPc、VOPc、TiOPc、MoOPc、GaPc−O−GaPc等のフタロシアニン誘導体及びナフタロシアニン誘導体があるが、これらに限定されるものではない。
また、本発明の有機EL素子は、発光層と陽極との間に、これらの芳香族三級アミン誘導体及び/又はフタロシアニン誘導体を含有する層、例えば、前記正孔輸送層又は正孔注入層を形成してなると好ましい。
電子注入材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電子注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することにより増感させることもできる。
本発明の有機EL素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物及び含窒素五員環誘導体である。
前記金属錯体化合物としては、例えば、8−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)亜鉛、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)銅、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)マンガン、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)ガリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)ベリリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリナート)クロロガリウム、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(o−クレゾラート)ガリウム、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(1−ナフトラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(2−ナフトラート)ガリウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
前記含窒素五員誘導体としては、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサゾール、ジメチルPOPOP、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−チアゾール、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−(4’−t−ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル) 1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルオキサジアゾリル) ]ベンゼン、1,4−ビス[2−(5−フェニルオキサジアゾリル) −4−t−ブチルベンゼン]、2−(4’−t−ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル) −1,3,4−チアジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−チアジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルチアジアゾリル) ]ベンゼン、2−(4’−t−ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル) −1,3,4−トリアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−トリアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルトリアゾリル) ]ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の有機EL素子においては、発光層中に、一般式(I)から選ばれる少なくとも一種の芳香族アミン誘導体の他に、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料及び電子注入材料の少なくとも1種が同一層に含有されてもよい。また、本発明により得られた有機EL素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。
本発明の有機EL素子の陽極に使用される導電性材料としては、4eVより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、ITO基板、NESA基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質としては、4eVより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等及びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム/銀、マグネシウム/インジウム、リチウム/アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。
本発明の有機EL素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を10%以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定されるものではないが、ガラス基板及び透明性樹脂フィルムがある。透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。
本発明に係わる有機EL素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nm〜10μmの範囲が適しているが、10nm〜0.2μmの範囲がさらに好ましい。
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げられる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げられる。
本発明の有機EL素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の材料は、有機EL素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。
次に、実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明する。
合成実施例1(化合物D−3−1の合成)
アルゴン気流下、冷却管付き300mL三口フラスコ中に、文献既知の方法(J.Org.Chem.,57,1262(1992))により調製した、5,6,11,12−テトラヒドロクリセン−2,8−ジオール ビストリフルオロメタンスルホネート 5.3g(10mmol)、ビス(3,4,5−トリメチルフェニル)アミン 6.3g(25mmol)、酢酸パラジウム 0.03g(1.5mol%)、トリ−t−ブチルホスフィン 0.06g(3mol%)、t−ブトキシナトリウム 2.4g(25mmol)、及び乾燥トルエン 100mLを加えた後、100℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン 50mL及びメタノール 100mLにて洗浄し、淡黄色粉末 6.2gを得た。このものは、1H−NMRスペクトル(図1)及びFD−MS(フィールドディソプーションマススペクトル)の測定により、化合物D−3−1と同定した(収率85%)。なお1H−NMRスペクトルは、Brucker社製 DRX−500(重塩化メチレン溶媒)を使用して測定した。また、得られた化合物についてトルエン溶液中で測定した最大蛍光波長は437nmであった。
合成実施例2(化合物D−5−1の合成)
アルゴン気流下冷却管付き300mL三口フラスコ中に、文献既知の方法(J.Org.Chem.,67,169(2002))より調製した、1H−インデン−2−ボロン酸 9.8g(62mmol)、トリス(4−ブロモフェニル)アミン 8.2g(17mmol)、(テトラキストリフェニルホスフィン)パラジウム 0.4g(0.34mmol)、炭酸ナトリウム水溶液 5.4g(52mmol、2M)、ジメトキシエタン 50mLを加えた後、100℃にて8時間加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、水 50mL、メタノール 100mLにて洗浄し、カラムクロマトグラフィー(シリカゲル、展開溶媒 ヘキサン/塩化メチレン=8/2)にて精製し、淡黄色粉末 6.6gを得た。このものは、1H−NMRスペクトル(図2)及びFD−MS(フィールドディソプーションマススペクトル)の測定により、化合物D−5−1と同定した(収率67%)。なお1H−NMRスペクトルは、Brucker社製 DRX−500(重塩化メチレン溶媒)を使用して測定した。また、得られた化合物についてトルエン溶液中で測定した最大蛍光波長は433nmであった。
実施例1
25×75×1.1mmサイズのガラス基板上に、膜厚130nmのインジウムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。このガラス基板に紫外線及びオゾンを照射して洗浄したのち、真空蒸着装置にこの基板を設置した。
まず、正孔注入層として、N’,N’’−ビス[4−(ジフェニルアミノ)フェニル]−N’,N’’−ジフェニルビフェニル−4,4’−ジアミンを 60nmの厚さに蒸着したのち、その上に正孔輸送層として、N,,N,N’,N’−テトラキス(4−ビフェニル)−4,4’−ベンジジンを20nmの厚さに蒸着した。次いで、ホスト材料として10−(4−(ナフタレン−2−イル)フェニル)−9−(ナフタレン−2−イル)アントラセン、ドーピング材料として上記 化合物D−3−1とを、重量比40:2で同時蒸着し、厚さ40nmの発光層を形成した。
次に、電子注入層として、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウムを20nmの厚さに蒸着した。次に弗化リチウムを1nmの厚さに蒸着し、次いでアルミニウムを150nmの厚さに蒸着した。このアルミニウム/弗化リチウムは陰極として働く。このようにして有機EL素子を作製した。
次にこの素子に通電試験を行ったところ、電圧6.5V、電流密度10mA/cm2にて、発光効率2.0cd/A、201cd/m2の純青色発光(発光極大波長:450nm)が得られた。
実施例2
実施例1において、化合物D−3−1のかわりに化合物D−1−4を用いて、有機EL素子を作製した。
この素子に通電試験を行ったところ、電圧6.5V、電流密度10mA/cm2にて、発光効率 1.7cd/A、172cd/m2の純青色発光(発光極大波長:444nm)が得られた。
比較例1
実施例2において、化合物D−1−4のかわりに、N,N,N‘,N’−テトラキス(2−ナフチル)−4,4‘−ジアミノスチルベンを用いて、有機EL素子を作製した。
この素子に通電試験を行ったところ、電圧6.5V、電流密度10mA/cm2にて、発光極大波長が455nmの青色発光であり、色純度が悪化した。
本結果から、スチルベン骨格を発光中心とした場合は長波長発光が起こり、青色純度を低下させることが分かる。
以上詳細に説明したように、本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機EL素子は、低い印加電圧で実用上十分な発光輝度が得られ、発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い。このため、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の材料は、有機EL素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。
合成実施例1において得られた本発明の芳香族アミン誘導体である化合物D−3−1の1H−NMRスペクトルを示す図である。 合成実施例2において得られた本発明の芳香族アミン誘導体である化合物D−5−1の1H−NMRスペクトルを示す図である。

Claims (12)

  1. 下記一般式(V)で表わされる芳香族アミン誘導体。
    Figure 0005090639
    {式中、A3〜A10は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、核炭素数5〜20のアリール基、核炭素数6〜20のアラルキル基、核炭素数5〜12のシクロアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシル基、核炭素数5〜18のアリールオキシ基、核炭素数5〜18のアリールアミノ基、炭素数1〜6のアルキルアミノ基、炭素数1〜10のシリル基、又は核炭素数5〜20の複素環基である。
    3とA4、A4とA5、A5とA6、A7とA8、A8とA9、及びA9とA10は、それぞれ互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。
    1〜R4は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、核炭素数5〜20のアリール基、核炭素数6〜20のアラルキル基、核炭素数5〜12のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数1〜20のシリル基である。
    a及びcはそれぞれ1〜3の整数を表し、a及び/又はcが2以上の場合、複数のR1とR2、及び/又はR3とR4は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
    ただし、A3〜A6のうち少なくとも一つと、A7〜A10のうち少なくとも一つは、それぞれ独立に、下記一般式(II)又は(III)で表される。
    Figure 0005090639
    {式中、Ar1〜Ar4は、それぞれ独立に、炭素数1〜20のアルキル基、核炭素数5〜20のアリール基、核炭素数6〜20のアラルキル基、核炭素数5〜12のシクロアルキル基、又は核炭素数5〜20の複素環基である。Ar1〜Ar4がアリール基の場合、Ar1とAr2 、及びAr3とAr4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
    Ar5は、前記Ar1〜Ar4の各基から水素原子を一個除いた二価基のいずれかである。
    bは1〜3の整数を表し、bが2以上の場合、複数のAr5は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。}}
  2. 下記一般式(VI)で表わされる請求項に記載の芳香族アミン誘導体。
    Figure 0005090639
    {式中、A3〜A10は、前記一般式(V)におけるA3〜A6と同じである。
    3とA4、及びA7とA8は、それぞれ互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。
    1〜R4は、前記一般式(V)におけるR1及びR2と同じである。
    a及びcはそれぞれ1〜3の整数を表し、a及び/又はcが2以上の場合、複数のR1とR2及び/又はR3とR4は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
    Ar1〜Ar7は、前記一般式(II)及び(III)におけるAr1〜Ar4と同じである。}
  3. 前記A3〜A10が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、核炭素数5〜20のアリール基、又は核炭素数5〜12のシクロアルキル基であり、
    1〜R4が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、核炭素数5〜20のアリール基、又は核炭素数5〜12のシクロアルキル基であり、
    a及びcがそれぞれ2を表す請求項に記載の芳香族アミン誘導体。
  4. 下記一般式(VII)で表わされる芳香族アミン誘導体。
    Figure 0005090639
    {式中、A2'〜A6'は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜50のアルキル基、核炭素数5〜50のアリール基、核炭素数6〜50のアラルキル基、核炭素数3〜50のシクロアルキル基、炭素数1〜50のアルコキシル基、核炭素数5〜50のアリールオキシ基、核炭素数5〜50のアリールアミノ基、炭素数1〜20のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のシリル基、又は核炭素数5〜50の複素環基である。
    3'とA4'、A4'とA5'、及びA5'とA6'は、それぞれ互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。
    1'及びR2'は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、核炭素数5〜20のアリール基、核炭素数6〜20のアラルキル基、核炭素数3〜20のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数1〜20のシリル基である。
    a’は1〜3の整数を表し、a’が2以上の場合、複数のR1'及びR2'は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
    Ar3'は、それぞれ独立に、炭素数1〜50のアルキル基、核炭素数5〜50のアリール基、核炭素数6〜50のアラルキル基、核炭素数3〜50のシクロアルキル基、又は核炭素数5〜50の複素環基である。
    Ar5'は、前記Ar3'の各基から水素原子を一個除いた二価基のいずれかである。
    b’は1〜3の整数を表し、b’が2以上の場合、複数のAr5'は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
    mは2〜3の整数を表し、nは0〜1の整数を表し、m+n=3である。
    なお、複数のA2'〜A6'、R1'、R2'、又はAr5'は、それぞれ同一でも、異なっていても良い。}
  5. 前記A2'〜A6'が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜50のアルキル基、核炭素数5〜50のアリール基、又は核炭素数3〜50のシクロアルキル基であり、
    1'及びR2'が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、核炭素数5〜20のアリール基、又は核炭素数3〜20のシクロアルキル基であり、
    a’が1であり、
    Ar3'が、それぞれ独立に、炭素数1〜50のアルキル基、核炭素数5〜50のアリール基、又は核炭素数3〜50のシクロアルキル基であり、
    b’が1を表し、
    mが3を表し、nが0を表す請求項に記載の芳香族アミン誘導体。
  6. 陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも1層が、請求項1〜のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
  7. 該発光層に、請求項1〜のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する請求項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 該発光層が、請求項1〜のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を0.1〜20重量%含有する請求項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9. 有機エレクトロルミネッセンス素子用のドーピング材料である請求項1〜のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
  10. 該発光層が、ドーピング材料として請求項1〜のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を含有し、ホスト材料として下記一般式(VIII)で表されるアントラセン誘導体を含有する請求項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0005090639
    {式中、X1及びX2は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシル基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50の複素環基、又はハロゲン原子である。
    o及びpは、それぞれ独立に、0〜4の整数を表わす。o及び/又はpが2以上の場合、複数のX1及び/又はX2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
    Ar15及びAr16は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリール基、又は置換もしくは無置換の核炭素数5〜50の複素環基であり、
    Ar15及びAr16の少なくとも一方は、置換もしくは無置換の核炭素数10〜50の縮合環アリール基又は置換もしくは無置換の炭素数10以上のアリール基である。
    qは、1〜3の整数である。qが2以上の場合は、複数の[ ]内の基は、同じでも異なっていてもよい。}
  11. 該発光層が、ドーピング材料として請求項1〜5のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を含有し、ホスト材料として下記一般式(IX)で表されるアントラセン誘導体を含有する請求項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0005090639
    {式中、X1〜X3は、前記一般式(VIII)におけるX1及びX2と同じである。
    o、p及びsは、それぞれ独立に、0〜4の整数を表わす。o、p及び/又はsが2以上の場合、複数のX1、X2及び/又はX3は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
    Ar17は、置換もしくは無置換の核炭素数10〜50の縮合環アリール基である。
    Ar18は、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリール基である。
    rは、1〜3の整数である。rが2以上の場合は、複数の[ ]内の基は、同じでも異なっていてもよい。}
  12. 該発光層が、ドーピング材料として請求項1〜5のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を含有し、ホスト材料として下記一般式(X)で表されるピレン誘導体を含有する請求項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0005090639
    {式中、Ar19及びAr20は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のアリール基である。
    1及びL2は、それぞれ、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換ジベンゾシロリレン基である。
    sは0〜2の整数、tは1〜4の整数、uは0〜2の整数、vは1〜4の整数である。
    また、L1又はAr19は、ピレンの1〜5位のいずれかに結合し、L2又はAr20は、ピレンの6〜10位のいずれかに結合する。
    ただし、t+vが偶数の時、Ar19,Ar20,L1及びL2は、下記(1)又は(2)を満たす。
    (1) Ar19とAr20が異なる基、及び/又はL1とL2が異なる基。
    (2) Ar19とAr20が同一な基、かつL1とL2が同一な基の時
    (2-1) s≠u及び/又はt≠v、又は
    (2-2) s=uかつt=vの時
    (2-2-1) L1及びL2、又はピレンが、それぞれAr19及びAr19上の異なる結合位置に結合しているか、
    (2-2-2) L1及びL2、又はピレンが、それぞれAr19及びAr19上の同じ結合位置で結合している場合、L1及びL2、又はAr19及びAr19のピレンにおける置換位置が1位と6位、又は2位と7位である場合はない。}
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