JP2017123352A

JP2017123352A - 有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器

Info

Publication number: JP2017123352A
Application number: JP2014072905A
Authority: JP
Inventors: 西村　和樹; Kazuki Nishimura; 和樹西村; 博之齊藤; Hiroyuki Saito
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 2014-03-31
Filing date: 2014-03-31
Publication date: 2017-07-13
Also published as: WO2015151965A1; US20170110667A1; US10135000B2

Abstract

【課題】長寿命で発光させることのできる有機エレクトロルミネッセンス素子、並びに当該有機エレクトロルミネッセンス素子を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】陽極と、陰極と、発光層と、を含み、前記発光層は、第一の化合物と、第二の化合物と、第三の化合物と、を含み、第一の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ１）と、第二の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たし、第一の化合物の電子親和力Ａｆ（Ｍ１）と、第二の化合物の電子親和力Ａｆ（Ｍ２）とが、下記数式（数２）の関係を満たし、第一の化合物の三重項エネルギーＴ（Ｍ１）が、下記数式（数３）の関係を満たす有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｓ（Ｍ２）≧Ｓ（Ｍ１）×０．９５ …（数１）
Ａｆ（Ｍ２）−Ａｆ（Ｍ１）≧０．２ｅＶ …（数２）
Ｔ（Ｍ１）≦２．０ｅＶ …（数３）
【選択図】なし

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器に関する。

有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と略記する場合がある。）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有機ＥＬ素子は、発光層および該発光層を挟んだ一対の対向電極を備えている。両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する。

従来、発光層にホスト材料とドーパント材料を含有させ、励起はホスト材料、発光はドーパント材料と、それぞれ機能を分離させることで、素子性能を改善する技術が開発されている。
例えば、特許文献１〜４には、有機発光層にホスト材料と、正孔トラップ性ドーパントと、電子トラップ性ドーパントとを共存させた有機電界発光素子が記載されている。特許文献１に記載の有機電界発光素子では、有機発光層に注入された正孔を正孔トラップ性ドーパントによって補足（トラップ）させるとともに、有機発光層に注入された電子を電子トラップ性ドーパントによって補足させている。
ところで、特許文献１〜３に記載の有機電界発光素子において、正孔トラップ性ドーパントおよび電子トラップ性ドーパントは、どちらもホスト材料の一重項エネルギーよりも小さい一重項エネルギーを有している。すなわち、特許文献１〜３に記載の有機電界発光素子は、正孔トラップ性ドーパント、および電子トラップ性ドーパントの両方を発光させていることになる。そのため、有機電界発光素子から放射される光は、それぞれのドーパントからの発光色が混ざっており、発光ピークの半値幅が広くなっている。
また、特許文献４では、ホスト及び正孔トラップ性ドーパントは、どちらも電子トラップ性ドーパントよりも小さい一重項エネルギーを有している。すなわち、正孔トラップ性ドーパントに発光させていることとなる。また、ホストにはピレン誘導体を用いている。
近年、有機ＥＬ素子の実用化に向けて、さらなる長寿命化が求められている。

国際公開第２００６／０５９５１２号韓国公開特許第１０−２０１１−００５３５６８号公報特開２０１３−１３５２３７号公報特開２００８−２９４４０４号公報

本発明の目的は、長寿命で発光させることのできる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、並びに当該有機エレクトロルミネッセンス素子を備える電子機器を提供することである。

本発明の一態様によれば、陽極と、陰極と、発光層と、を含み、前記発光層は、第一の化合物と、第二の化合物と、第三の化合物と、を含み、前記第一の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ１）と、前記第二の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たし、前記第一の化合物の電子親和力Ａｆ（Ｍ１）と、前記第二の化合物の電子親和力Ａｆ（Ｍ２）とが、下記数式（数２）の関係を満たし、前記第一の化合物の三重項エネルギーＴ（Ｍ１）が、下記数式（数３）の関係を満たす有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。

Ｓ（Ｍ２）≧Ｓ（Ｍ１）×０．９５ …（数１）
Ａｆ（Ｍ２）−Ａｆ（Ｍ１）≧０．２ｅＶ …（数２）
Ｔ（Ｍ１）≦２．０ｅＶ …（数３）

本発明の一態様によれば、前述の本発明の一態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子を備える電子機器が提供される。

本発明一態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子によれば、長寿命で発光させることができる。また、本発明の一態様によれば、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を備える電子機器が提供される。

一実施形態に係る有機ＥＬ素子の概略構成を示す図である。

〔第一実施形態〕
第一実施形態に係る有機ＥＬ素子は、陰極と、陽極と、陰極と陽極との間に配置された有機層とを有する。有機層は、一層または複数層で構成される。
また、本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、有機層のうち少なくとも１層は、発光層である。そのため、有機層は、例えば、一層の発光層で構成されていてもよいし、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層、電子障壁層等の公知の有機ＥＬ素子で採用される層を有していてもよい。有機層は、無機化合物を含んでいてもよい。

有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、例えば、次の（ａ）〜（ｅ）などの構成を挙げることができる。
（ａ）陽極／発光層／陰極
（ｂ）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／陰極
（ｃ）陽極／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（ｄ）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（ｅ）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／障壁層／電子注入・輸送層／陰極
上記の中で（ｄ）の構成が好ましく用いられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
なお、上記「発光層」とは、発光機能を有する有機層である。
上記「正孔注入・輸送層」は「正孔注入層および正孔輸送層のうちの少なくともいずれか１つ」を意味し、「電子注入・輸送層」は「電子注入層および電子輸送層のうちの少なくともいずれか１つ」を意味する。ここで、正孔注入層および正孔輸送層を有する場合には、正孔輸送層と陽極との間に正孔注入層が設けられていることが好ましい。また、電子注入層および電子輸送層を有する場合には、電子輸送層と陰極側との間に電子注入層が設けられていることが好ましい。

図１に、第一実施形態における有機ＥＬ素子１の一例の概略構成を示す。
図１に示す有機ＥＬ素子１は、基板２と、陽極３と、陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機層１０と、を有する。
そして、有機層１０は、陽極３側から順に、正孔注入層６、正孔輸送層７、発光層５、電子輸送層８、および電子注入層９が、この順番で積層されて構成される。

（発光層）
本実施形態に係る発光層５は、第一の化合物、第二の化合物および第三の化合物を含む。第一の化合物、第二の化合物および第三の化合物は、互いに異なる化合物である。

本実施形態において、第一の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ１）と、前記第二の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たし、第一の化合物の電子親和力Ａｆ（Ｍ１）と、第二の化合物の電子親和力Ａｆ（Ｍ２）とが、下記数式（数２）の関係を満たし、第一の化合物の三重項エネルギーＴ（Ｍ１）が、下記数式（数３）の関係を満たす。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子１によれば、前記数式（数２）の関係を満たすことで、発光層５に注入された電子が第二の化合物によって補足（トラップ）されるため、発光層５と、当該発光層５の陽極３側で隣接する層（本実施形態では正孔輸送層７）との界面における劣化が防止される。また、前記数式（数１）の関係を満たすことで、補足した電子が第二の化合物から第一の化合物へ移り易くなり、第一の化合物における電子と正孔との再結合確率が向上し、第二の化合物における再結合確率は低下する。ゆえに、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１によれば、長寿命で発光させることができる。

本実施形態において、第一の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ１）と、第二の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ２）とが、下記数式（数４）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ（Ｍ２）≧Ｓ（Ｍ１） …（数４）

本実施形態において、第二の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ２）と、第三の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ３）とが、下記数式（数４ａ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ（Ｍ２）≧Ｓ（Ｍ３） …（数４ａ）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子１において、前記数式（数４）の関係を満たせば、補足した電子が第二の化合物から第一の化合物へより移り易くなり、第一の化合物における電子と正孔との再結合確率がより向上する。その結果、より良好な色純度で、より長寿命で発光させることができる。

本実施形態において、二の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ２）が、下記数式（数５）の関係を満たすことが好ましく、下記数式（数５ａ）の関係を満たすことがより好ましい。
Ｓ（Ｍ２）≧３．０ｅＶ …（数５）
Ｓ（Ｍ２）≧３．２ｅＶ …（数５ａ）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子１において、前記数式（数５）や（数５ａ）の関係を満たせば、補足した電子が第二の化合物から第一の化合物へさらに移り易くなり、第一の化合物における電子と正孔との再結合確率がさらに向上する。その結果、さらに良好な色純度で、さらに長寿命で発光させることができる。

本実施形態において、第一の化合物の電子親和力Ａｆ（Ｍ１）と、第二の化合物の電子親和力Ａｆ（Ｍ２）とが、下記数式（数６）の関係を満たすことが好ましく、下記数式（数６ａ）の関係を満たすことがより好ましく、下記数式（数６ｂ）の関係を満たすことがさらに好ましい。
Ａｆ（Ｍ２）−Ａｆ（Ｍ１）＞０．２ｅＶ …（数６）
Ａｆ（Ｍ２）−Ａｆ（Ｍ１）＞０．３ｅＶ …（数６ａ）
Ａｆ（Ｍ２）−Ａｆ（Ｍ１）＞０．４ｅＶ …（数６ｂ）

本実施形態において、第二の化合物の電子親和力Ａｆ（Ｍ２）が、下記数式（数６ｃ）の関係を満たすことが好ましく、下記数式（数６ｄ）の関係を満たすことがより好ましい。
Ａｆ（Ｍ２）＞３．２ｅＶ …（数６ｃ）
Ａｆ（Ｍ２）＞３．４ｅＶ …（数６ｄ）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子１において、前記数式（数６）、（数６ａ）、または（数６ｂ）の関係を満たせば、発光層５に注入された電子が第二の化合物によって補足され易くなる。そのため、発光層５と、当該発光層５の陽極３側で隣接する層（本実施形態では正孔輸送層７）との界面の劣化が防止される。また、第二の化合物から第一の化合物へ電子がさらに移動し易くなるため、第一の化合物における電子と正孔との再結合確率がさらに向上する。その結果、さらに良好な色純度で、さらに長寿命で発光させることができる。

本実施形態において、第一の化合物の三重項エネルギーＴ（Ｍ１）と、前記第二の化合物の三重項エネルギーＴ（Ｍ２）とが、下記数式（数７）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ（Ｍ１）＜Ｔ（Ｍ２） …（数７）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子１において、前記数式（数７）の関係を満たせば、第一の化合物において電子および正孔が再結合して生成された三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを有する第二の化合物へ移動し難い。また、第二の化合物において三重項励起子が生成された場合でも、三重項励起子は速やかに第一の化合物へエネルギー移動する。その結果、第一の化合物の分子において三重項励起子同士が衝突することで一重項励起子が生成されるＴＴＦ（Ｔｒｉｐｌｅｔ−ＴｒｉｐｌｅｔＦｕｓｉｏｎ）現象が効率的に発生する。ＴＴＦ現象については、例えば、国際公開第２０１０／１３４３５２号、国際公開第２０１０／１４３４３４号、国際公開第２０１２／０７０２３３号、国際公開第２０１２／０７０２３４号に記載されている。

・一重項エネルギーＳ
一重項エネルギーＳは、次のようにして測定される。
測定対象となる化合物の１０μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の吸収スペクトル（縦軸：発光強度、横軸：波長とする。）を測定した。この吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式１に代入して一重項エネルギーを算出した。一重項エネルギーＳの単位は、ｅＶである。
換算式１：Ｓ［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
本実施例では、吸収スペクトルを日立社製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）で測定した。なお、吸収スペクトル測定装置は、ここで用いた装置に限定されない。

吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線は以下のように引く。吸収スペクトルの極大値のうち、最も長波長側の極大値から長波長方向にスペクトル曲線上を移動する際に、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち下がるにつれ（つまり縦軸の値が減少するにつれ）、傾きが減少しその後増加することを繰り返す。傾きの値が最も長波長側（ただし、吸光度が０．１以下となる場合は除く）で極小値をとる点において引いた接線を当該吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線とする。
なお、吸光度の値が０．２以下の極大点は、上記最も長波長側の極大値には含めない。

・イオン化ポテンシャルＩｐ
イオン化ポテンシャルの測定は、大気下で光電子分光装置を用いて測定することができる。具体的には、材料に光を照射し、その際に電荷分離によって生じる電子量を測定することにより測定した。測定装置としては、例えば、理研計器株式会社製の光電子分光装置（装置名：ＡＣ−３）などが挙げられる。イオン化ポテンシャルＩｐの単位は、ｅＶである。

・電子親和力Ａｆ
電子親和力（アフィニティ）は、上述の方法で測定した化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ、および一重項エネルギーＳの測定値を用い、次の計算式（数９）から算出することができる。電子親和力（アフィニティ）の単位は、ｅＶである。
Ａｆ＝Ｉｐ−Ｓ …（数９）

・三重項エネルギーＴ
三重項エネルギーの測定は、次のようにして行われる。まず、測定対象となる化合物を石英基板上に蒸着して試料を作製する。この試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］に基づいて、次の換算式２から算出されるエネルギー量を三重項エネルギーＴとする。三重項エネルギーＴの単位は、ｅＶである。
換算式２：Ｔ［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線（すなわち変曲点における接線）が、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
なお、スペクトルの最大ピーク強度の１５％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
燐光の測定には、（株）日立ハイテクノロジー製のＦ−４５００形分光蛍光光度計本体を用いることができる。なお、測定装置はこの限りではなく、冷却装置及び低温用容器と、励起光源と、受光装置とを組み合わせることにより、測定してもよい。

・第一の化合物
本実施形態において、第一の化合物は、少なくとも前記数式（数１），（数２），（数３）の関係を満たす限り、特に限定されない。

本実施形態において、第一の化合物は、アントラセン誘導体であることも好ましい。
また、例えば、本実施形態において、第一の化合物は、下記一般式（１）で表されることも好ましい。

（前記一般式（１）において、Ａｒ_１１およびＡｒ_１２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）

前記Ａｒ_１１および前記Ａｒ_１２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニル基であることが好ましい。
また、前記Ａｒ_１１は、置換もしくは無置換のナフチル基であり、前記Ａｒ_１２は、置換もしくは無置換のフェニル基であることも好ましい。
また、前記Ａｒ_１１は、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のベンゾアントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、９，９−ジフェニルフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、置換もしくは無置換のナフトベンゾフラニル基、置換もしくは無置換のナフトベンゾチオフェニル基、および置換もしくは無置換のナフトベンゾフルオレニル基からなる群から選択されるいずれかの基であり、前記Ａｒ_１２は、置換もしくは無置換のフェニル基、または置換もしくは無置換のナフチル基であることも好ましい。

例えば、本実施形態において、第一の化合物は、下記一般式（１０）で表されることも好ましい。

（前記一般式（１０）において、
Ａｒ_１３は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、
Ａｒ_１３は、ナフタレン環の任意の炭素原子に結合し、
Ａｒ_１１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
ｎ１は、６であり、複数のＲ_１は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ_１は、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、Ｒ_１が置換基である場合の置換基としては、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
−Ｓｉ（Ｒ_１００）_３で表されるシリル基、
−Ｎ（Ｒ_１０１）_２で表されるアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、
Ｒ_１００は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_１００が置換基である場合の置換基としては、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
複数のＲ_１００は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ_１０１は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_１０１が置換基である場合の置換基としては、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
複数のＲ_１０１は、互いに同一でも異なっていてもよく、
なお、Ａｒ_１１が結合しているアントラセン環は、ナフタレン環を構成する任意の炭素原子に結合する。）

例えば、本実施形態において、第一の化合物は、下記一般式（１０ａ）で表されることも好ましい。

前記一般式（１０ａ）において、Ｒ_１１１〜Ｒ_１１５，Ｒ_１２１〜Ｒ_１２５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_１１１〜Ｒ_１１５，Ｒ_１２１〜Ｒ_１２５が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_１が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
Ｒ_１１１〜Ｒ_１１５のうち少なくとも２つが６員環の炭素原子に結合する置換基である場合、２つの炭素原子の当該置換基同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
Ｒ_１２１〜Ｒ_１２５のうち少なくとも２つが６員環の炭素原子に結合する置換基である場合、２つの炭素原子の当該置換基同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよい。また、本実施形態において、前記Ｒ_１１１〜Ｒ_１１５，Ｒ_１２１〜Ｒ_１２５は、水素原子であることも好ましい。

例えば、本実施形態において、第一の化合物は、下記一般式（１１）で表されることも好ましい。

前記一般式（１１）において、
Ａｒ_１１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、
Ｌ_１１は、単結合または連結基であり、
Ｌ_１１における連結基としては、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、
Ａｒ_１４は、下記一般式（１１ａ）で表される基、または下記一般式（１１ｂ）で表される基である。

前記一般式（１１ａ）において、
Ｙ_１１は、酸素原子、硫黄原子、またはＣ（Ｒ_１０２）_２であり、
Ｒ_１０２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_１０２が置換基である場合の置換基としては、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
Ｘ_１１〜Ｘ_１８は、それぞれ独立に、
Ｒ_Ｘと結合する炭素原子、
Ｌ_１１と結合する炭素原子、
下記一般式（１１ｃ）で表される構造と結合する炭素原子、または
下記一般式（１１ｄ）で表される構造と結合する炭素原子であり、
Ｒ_Ｘは、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_Ｘが置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_１が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、複数のＲＸは、互いに同一でも異なっていてもよい。

前記一般式（１１ｂ）において、
Ｙ_１２は、酸素原子、硫黄原子、またはＣ（Ｒ_１０３）_２であり、
Ｒ_１０３は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_１０３が置換基である場合の置換基としては、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
Ｘ_２１〜Ｘ_２４は、それぞれ独立に、
Ｒ_Ｙ結合する炭素原子、
Ｌ_１１と結合する炭素原子、または
下記一般式（１１ｄ）で表される構造と結合する炭素原子であり、
Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_Ｙは、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_Ｙが置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_１が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、複数のＲ_Ｙは、互いに同一でも異なっていてもよい。

前記一般式（１１ｃ）において、＊１および＊２は、それぞれ独立に、Ｘ_１１とＸ_１２の組、Ｘ_１２とＸ_１３の組、Ｘ_１３とＸ_１４、Ｘ_１５とＸ_１６の組、Ｘ_１６とＸ_１７の組、並びにＸ_１７とＸ_１８の組から選ばれる組における炭素原子との結合部位を示し、
Ｙ_１３は、酸素原子、硫黄原子、またはＣ（Ｒ_１０４）_２であり、
Ｒ_１０４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_１０４が置換基である場合の置換基としては、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
Ｚ_１１〜Ｚ_１４は、それぞれ独立に、
Ｒ_Ｚと結合する炭素原子、または
Ｌ_１１と結合する炭素原子であり、
Ｒ_Ｚは、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_Ｚが置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_１が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、複数のＲ_Ｚは、互いに同一でも異なっていてもよい。

前記一般式（１１ｄ）において、＊３および＊４は、それぞれ独立に、Ｘ_１１とＸ_１２の組、Ｘ_１２とＸ_１３の組、Ｘ_１３とＸ_１４の組、Ｘ_１５とＸ_１６の組、Ｘ_１６とＸ_１７の組、並びにＸ_１７とＸ_１８の組から選ばれる組における炭素原子との結合部位、またはＸ_２１とＸ_２２、Ｘ_２２とＸ_２３の組、並びにＸ_２３とＸ_２４の組から選ばれる組における炭素原子との結合部位を示し、
Ｚ_１５〜Ｚ_１８は、それぞれ独立に、
Ｒ_Ｗと結合する炭素原子、または
Ｌ_１１と結合する炭素原子であり、
Ｒ_Ｗは、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_Ｗが置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_１が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、複数のＲ_Ｗは、互いに同一でも異なっていてもよい。

前記一般式（１０ａ）で表される基に前記一般式（１０ｃ）で表される構造が結合する場合、Ｘ_１１〜Ｘ_１８，Ｚ_１１〜Ｚ_１４のうちいずれかがＬ_１１と結合する炭素原子であり、
前記一般式（１０ａ）で表される基に前記一般式（１０ｄ）で表される構造が結合する場合、Ｘ_１１〜Ｘ_１８，Ｚ_１５〜Ｚ_１８のうちいずれかがＬ_１１と結合する炭素原子であり、
前記一般式（１０ｂ）で表される基に前記一般式（１０ｄ）で表される構造が結合する場合、Ｘ_２１〜Ｘ_２４，Ｚ_１５〜Ｚ_１８のうちいずれかがＬ_１１と結合する炭素原子である。

前記Ａｒ_１４は、下記一般式（１１ｅ）、下記一般式（１１ｆ）、下記一般式（１１ｇ）または下記一般式（１１ｈ）で表される基であることも好ましい。

前記一般式（１１ｅ），（１１ｆ），（１１ｇ），（１１ｈ）において、
Ｙ_１１は、前記一般式（１１ａ）におけるＹ_１１と同義であり、
Ｙ_１３は、前記一般式（１１ｃ）におけるＹ_１１と同義であり、
Ｘ_１１〜Ｘ_１８は、それぞれ独立に、
Ｒ_Ｘと結合する炭素原子、または
Ｌ_１１と結合する炭素原子であり、
Ｒ_Ｘは、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_Ｘが置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_１が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、複数のＲ_Ｘは、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｚ_１１〜Ｚ_１４は、それぞれ独立に、
Ｒ_Ｚと結合する炭素原子、または
Ｌ_１１と結合する炭素原子であり、
Ｒ_Ｚは、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_Ｚが置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_１が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、複数のＲ_Ｚは、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｚ_１５〜Ｚ_１８は、それぞれ独立に、
Ｒ_Ｗと結合する炭素原子、または
Ｌ_１１と結合する炭素原子であり、
Ｒ_Ｗは、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_Ｗが置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_１が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、複数のＲ_Ｗは、互いに同一でも異なっていてもよく、
前記一般式（１１ｅ）において、Ｘ_１１〜Ｘ_１５，Ｘ_１８，Ｚ_１１〜Ｚ_１４のうちいずれかがＬ_１１と結合する炭素原子であり、
前記一般式（１１ｆ）において、Ｘ_１１〜Ｘ_１６，Ｚ_１５〜Ｚ_１８のうちいずれかがＬ_１１と結合する炭素原子であり、
前記一般式（１１ｇ）において、Ｘ_１１〜Ｘ_１４，Ｘ_１７，Ｘ_１８，Ｚ_１５〜Ｚ_１８のうちいずれかがＬ_１１と結合する炭素原子であり、
前記一般式（１１ｈ）において、Ｘ_１１〜Ｘ_１５，Ｘ_１８，Ｚ_１５〜Ｚ_１８のうちいずれかがＬ_１１と結合する炭素原子である。

前記Ｙ_１１は、酸素原子であることが好ましい。前記Ｙ_１１が酸素原子である場合、前記Ｘ_１３が前記Ｌ_１１と結合する炭素原子であることが好ましい。

例えば、本実施形態において、第一の化合物は、下記一般式（１２）で表されることも好ましい。

前記一般式（１２）において、Ａｒ_１５およびＡｒ_１６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、ただし、Ａｒ_１５およびＡｒ_１６のうち少なくともいずれかが、置換もしくは無置換の縮合芳香族炭化水素基であり、この縮合芳香族炭化水素基は、２つまたは３つの６員環が縮合して構築されている。

前記一般式（１２）において、前記Ａｒ_１５が、無置換のフェニル基であり、前記Ａｒ_１６が、下記一般式（１２ａ）で表される基であるとき、すなわち、第一の化合物が下記一般式（１２ｂ）で表されるとき、Ｒ_１３１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であることが好ましい。

前記一般式（１２）において、前記Ａｒ_１５が、無置換のフェニル基であり、前記Ａｒ_１６が、下記一般式（１２ｃ）で表される基であるとき、すなわち、第一の化合物が下記一般式（１２ｄ）で表されるとき、Ｒ_１３２は、無置換の環形成炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であることが好ましい。

前記一般式（１２）において、前記Ａｒ_１５が、無置換のフェニル基であり、前記Ａｒ_１６が、下記一般式（１２ｅ）で表される基であるとき、すなわち、第一の化合物が下記一般式（１２ｆ）で表されるとき、Ｒ_１３３は、無置換の環形成炭素数１２〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であることが好ましい。

前記一般式（１２）において、
前記Ａｒ_１５が、無置換の１−ナフチル基であり、
前記Ａｒ_１６が、
下記一般式（１２ｇ）で表される基、
下記一般式（１２ｉ）で表される基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数１２〜３０の芳香族炭化水素基、または
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であることが好ましい。
前記Ａｒ_１５が、無置換の１−ナフチル基であり、前記Ａｒ_１６が、下記一般式（１２ｇ）で表される基である場合、第一の化合物は、下記一般式（１２ｈ）で表される。
前記Ａｒ_１５が、無置換の１−ナフチル基であり、前記Ａｒ_１６が、下記一般式（１２ｉ）で表される基である場合、第一の化合物は、下記一般式（１２ｊ）で表される。

前記一般式（１２ｇ），（１２ｈ）において、Ｒ_１３４〜Ｒ_１３８は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_１３４〜Ｒ_１３８が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_１が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、Ｒ_１３４〜Ｒ_１３８のうち少なくともいずれかは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。
前記一般式（１２ｉ），（１２ｊ）において、Ｒ_１４１〜Ｒ_１４７は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_１４１〜Ｒ_１４７が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_１が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、Ｒ_１４１〜Ｒ_１４７のうち少なくともいずれかは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。

例えば、本実施形態において、第一の化合物は、下記一般式（１２ｋ）で表されることも好ましい。

前記一般式（１２ｋ）において、Ｒ_１５０〜Ｒ_１５９は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_１５０〜Ｒ_１５９が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_１が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
Ｒ_１５０〜Ｒ_１５９のうち少なくともいずれかが、
置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、
Ｒ_１５０〜Ｒ_１５４のうち少なくとも２つが６員環の炭素原子に結合する置換基である場合の当該置換基同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよい。

例えば、本実施形態において、第一の化合物は、下記一般式（１２ｍ）で表されることも好ましい。

前記一般式（１２ｍ）において、Ｒ_１６０〜Ｒ_１６６，Ｒ_１７１〜Ｒ_１７５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_１６０〜Ｒ_１６６，Ｒ_１７１〜Ｒ_１７５が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_１が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、Ｒ_１６０〜Ｒ_１６６のうち一つが置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基である場合、当該芳香族炭化水素基の環形成炭素数は、１０以上３０以下である。
Ｒ_１７１〜Ｒ_１７５のうち少なくともいずれかが置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０の縮合芳香族炭化水素基であることも好ましく、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜１４の縮合芳香族炭化水素基であることもより好ましい。また、Ｒ_１７１〜Ｒ_１７５のうち少なくともいずれかが置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０の縮合芳香族炭化水素基である場合、それ以外は、水素原子であり、Ｒ_１６０〜Ｒ_１６６も、水素原子であることも好ましい。

例えば、本実施形態において、第一の化合物は、下記一般式（１３）で表されることも好ましい。

前記一般式（１３）において、
Ａｒ_１７およびＡｒ_１８は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、
ただし、Ａｒ_１７およびＡｒ_１８のいずれかが、置換もしくは無置換の環形成炭素数１６〜３０の縮合芳香族炭化水素基であり、
Ｌ_１７およびＬ_１８は、それぞれ独立に、単結合または連結基であり、Ｌ_１７およびＬ_１８における連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜３０の複素環基である。

例えば、本実施形態において、第一の化合物は、下記一般式（１３ａ）で表されることも好ましい。

前記一般式（１３ａ）において、
Ａｒ_１７は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、
Ｌ_１７およびＬ_１８は、それぞれ独立に、前記一般式（１３）におけるＬ_１７およびＬ_１８と同義であり、
Ｒ_１８１〜Ｒ_１９１は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_１８１〜Ｒ_１９１が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_１が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
Ｒ_１８１〜Ｒ_１９１のうち少なくとも２つが置換基である場合の当該置換基同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよい。
本実施形態において、前記Ｒ_１８１〜Ｒ_１９１は、水素原子であることも好ましい。

例えば、本実施形態において、第一の化合物は、下記一般式（１３ｂ）で表されることも好ましい。

前記一般式（１３ｂ）において、
Ａｒ_１７は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、
Ｌ_１８は、前記一般式（１３）におけるＬ_１８と同義であり、
ｎ２は、４であり、複数のＲ_１９２は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ_１９２，Ｒｘ_１〜Ｒｘ_１１は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_１９２，Ｒｘ_１〜Ｒｘ_１１が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_１が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
Ｒｘ_１〜Ｒｘ_１１のうち少なくとも２つが置換基である場合の当該置換基同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよい。

本実施形態において、前記Ａｒ_１１〜Ａｒ_１８は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることも好ましい。
また、本実施形態において、前記Ａｒ_１１〜Ａｒ_１８は、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のビフェニル基、置換もしくは無置換ビフェニル基、置換もしくは無置換のターフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のアントリル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、および置換もしくは無置換のトリフェニレニル基からなる群から選択される芳香族炭化水素基であることも好ましい。

例えば、本実施形態において、第一の化合物は、下記一般式（１３ｃ）で表されることも好ましい。

前記一般式（１３ｃ）において、
Ｌ_１８は、前記一般式（１３）におけるＬ_１８と同義であり、
ｎ３は、５であり、複数のＲ_１９２は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ_１９２，Ｒｘ_１〜Ｒｘ_１１は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_１９２，Ｒｘ_１〜Ｒｘ_１１が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_１が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
Ｒｘ_１〜Ｒｘ_１１のうち少なくとも２つが置換基である場合の当該置換基同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよい。
本実施形態において、前記Ｒ_１９２，Ｒｘ_１〜Ｒｘ_１１は、水素原子であることも好ましい。

本実施形態において、前記Ｒ_１，Ｒ_１１，Ｒ_１２，Ｒ_１３１〜Ｒ_１３８，Ｒ_１４１〜Ｒ_１４７，Ｒ_１５０〜Ｒ_１６６，Ｒ_１７１〜Ｒ_１７５，Ｒ_１８１〜Ｒ_１９２，Ｒｘ_１〜Ｒｘ_１１は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_１，Ｒ_１１，Ｒ_１２，Ｒ_１３１〜Ｒ_１３８，Ｒ_１４１〜Ｒ_１４７，Ｒ_１５０〜Ｒ_１６６，Ｒ_１７１〜Ｒ_１７５，Ｒ_１８１〜Ｒ_１９２，Ｒｘ_１〜Ｒｘ_１１が置換基である場合の置換基としては、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、−Ｓｉ（Ｒ_１０５）_３で表されるシリル基、および置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基からなる群から選択される置換基であることが好ましい。Ｒ_１０５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_１０５が置換基である場合の置換基としては、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基である。

・第二の化合物
本実施形態において、第二の化合物は、少なくとも前記数式（数１），（数２）の関係を満たす限り、特に限定されない。

例えば、本実施形態において、第二の化合物は、下記一般式（２１）で表されることが好ましい。

（前記一般式（２１）において、
Ｒ_２１〜Ｒ_２６は、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、Ｒ_２１〜Ｒ_２６が置換基である場合の置換基としては、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
−Ｓｉ（Ｒ_２２１）_３で表されるシリル基、
−Ｎ（Ｒ_２２２）_２で表されるアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、
Ｒ_２２１は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２２１が置換基である場合の置換基としては、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
複数のＲ_２２１は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ_２２２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２２２が置換基である場合の置換基としては、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
複数のＲ_２２２は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｐａは、４であり、複数のＲ_２１は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｐｂは、２であり、複数のＲ_２２は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｐｃは、３であり、複数のＲ_２３は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｐｄは、４であり、複数のＲ_２４は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｐｅは、２であり、複数のＲ_２５は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｐｆは、３であり、複数のＲ_２６は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ_２１〜Ｒ_２６は、それぞれ芳香環の炭素原子に結合している。）

本実施形態において、前記Ｒ_２１〜Ｒ_２６が置換基である場合の置換基としては、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、−Ｓｉ（Ｒ_２２３）_３で表されるシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であることが好ましい。前記Ｒ_２２３は、それぞれ独立に、前記Ｒ_２２１と同義である。
また、本実施形態において、前記Ｒ_２１〜Ｒ_２６が水素原子であることも好ましく、この場合、第二の化合物は、下記式（２１ａ）で表される。

また、本実施形態において、第二の化合物は、シアノ基を有する化合物であることも好ましい。
例えば、本実施形態において、第二の化合物は、下記一般式（２２）で表されることも好ましい。

（前記一般式（２２）において、
Ａｒ_２１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０の縮合芳香族炭化水素基であり、
Ｌ_２は、単結合、または連結基であり、
Ｌ_２における連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、
ｑｘは、１以上３以下の整数であり、複数のＬ_２は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｑａは、１以上４以下の整数であり、Ａｒ_２１に結合する下記一般式（２２ｘ）で表される複数の基は、互いに同一でも異なっていてもよい。）

前記一般式（２２）は、ｑｘが１の場合、下記一般式（２２ａ）で表され、ｑｘが２の場合、下記一般式（２２ｂ）で表され、ｑｘが３の場合、下記一般式（２２ｃ）で表される。

前記一般式（２２ａ），（２２ｂ），（２２ｃ）において、Ａｒ_２１，ｑａは、それぞれ、前記一般式（２２）におけるＡｒ_２１，ｑａと同義であり、
前記一般式（２２ａ），（２２ｂ），（２２ｃ）において、Ｌ_２，Ｌ_２ａ，Ｌ_２ｂ，Ｌ_２ｃは、それぞれ独立に、前記一般式（２２）におけるＬ_２と同義である。

本実施形態において、ｑａは、１以上３以下の整数であることが好ましく、１または２であることがより好ましい。

本実施形態において、前記Ａｒ_２１における置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０の縮合芳香族炭化水素基は、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、フルオランテン、ベンゾ［ａ］アントラセン、ベンゾ［ｃ］フェナントレン、トリフェニレン、ベンゾ［ｇ］クリセン、ベンゾ［ｂ］トリフェニレン、ピセン、およびペリレンからなる群から選択される縮合芳香族炭化水素から誘導される基であることが好ましい。
前記Ａｒ_２１における置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０の縮合芳香族炭化水素基は、フェナントレン、ピレン、クリセン、フルオランテン、トリフェニレン、およびベンゾ［ｇ］クリセンからなる群から選択される縮合芳香族炭化水素から誘導される基であることがより好ましい。
前記Ａｒ_２１が置換基を有する場合、当該置換基は、前記Ｒ_２１〜Ｒ_２６が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、−Ｓｉ（Ｒ_２２４）_３で表されるシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される。前記Ｒ_２２４は、それぞれ独立に、前記Ｒ_２２１と同義である。

例えば、本実施形態において、第二の化合物は、下記一般式（２３）で表されることも好ましい。

前記一般式（２３）において、
Ｌ_２は、前記一般式（２２）におけるＬ_２と同義であり、
Ｒ_２７〜Ｒ_２９は、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、Ｒ_２７〜Ｒ_２９が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２１〜Ｒ_２６が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
ｑｂは、４であり、複数のＲ_２７は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｑｃは、２であり、複数のＲ_２８は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｑｄは、３であり、複数のＲ_２９は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｑｘは、１以上３以下の整数であり、複数のＬ_２は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ_２７〜Ｒ_２９は、それぞれ芳香環の炭素原子に結合している。

本実施形態において、前記Ｌ_２は、連結基であり、前記Ｌ_２における連結基は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることが好ましい。また、前記ｑｘは、２または３であることが好ましく、複数の前記Ｌ_２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基から選択されることが好ましい。また、前記Ｌ_２は、フェニレン基、ビフェニルジイル基またはナフチレン基であることが好ましい。また、前記Ｌ_２における連結基は、フェニレン基を含み、当該フェニレン基のメタ位またはパラ位に、シアノ基が結合していることが好ましい。

例えば、本実施形態において、第二の化合物は、下記一般式（２３ｘ）で表されることも好ましい。

前記一般式（２３ｘ）において、
Ｌ_２は、前記一般式（２２）におけるＬ_２と同義であり、
Ｒ_２７〜Ｒ_２９は、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、Ｒ_２７〜Ｒ_２９が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２１〜Ｒ_２６が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
ｑｂは、４であり、複数のＲ_２７は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｑｃは、２であり、複数のＲ_２８は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｑｄは、３であり、複数のＲ_２９は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ_２７〜Ｒ_２９は、それぞれ芳香環の炭素原子に結合している。

また、例えば、前記第二の化合物は、下記一般式（２３ａ）で表されることも好ましい。

前記一般式（２３ａ）において、Ｒ_２７〜Ｒ_２９は、水素原子、または置換基であり、Ｒ_２７〜Ｒ_２９が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２１〜Ｒ_２６が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
Ｌ_２００は、それぞれ独立に、単結合、または連結基であり、連結基である場合は、前記Ｌ_２と同義である。シアノ基は、フェニル基の６員環の炭素原子に結合し、パラ位またはメタ位に結合することが好ましい。Ｒ_２７〜Ｒ_２９は、それぞれ芳香環の炭素原子に結合している。

本実施形態において、前記Ｒ_２７〜Ｒ_２９が置換基である場合の置換基としては、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、−Ｓｉ（Ｒ_２２５）_３で表されるシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であることが好ましい。前記Ｒ_２２５は、それぞれ独立に、前記Ｒ_２２１と同義である。
また、本実施形態において、前記Ｒ_２７〜Ｒ_２９が水素原子であることも好ましい。

例えば、本実施形態において、第二の化合物は、下記一般式（２４）で表されることも好ましい。

前記一般式（２４）において、
Ｒ_２０１〜Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、Ｒ_２０１〜Ｒ_２０８が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２１〜Ｒ_２６が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
Ｌ_２１およびＬ_２２は、それぞれ独立に、前記一般式（２２）におけるＬ_２と同義であり、
ｑｙは、１以上３以下の整数であり、複数のＬ_２１は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｑｚは、１以上３以下の整数であり、複数のＬ_２２は、互いに同一でも異なっていてもよい。

本実施形態において、前記Ｌ_２１および前記Ｌ_２２は、連結基であり、前記Ｌ_２１および前記Ｌ_２２における連結基は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることが好ましい。また、前記ｑｙおよび前記ｑｚは、それぞれ独立に、２または３であることが好ましく、複数の前記Ｌ_２１および前記Ｌ_２２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基からなる群から選択されることが好ましい。また、前記Ｌ_２１および前記Ｌ_２２は、それぞれ独立に、フェニレン基、ビフェニルジイル基またはナフチレン基であることが好ましい。また、前記Ｌ_２１および前記Ｌ_２２における連結基は、フェニレン基を含み、当該フェニレン基のメタ位またはパラ位に、シアノ基が結合していることが好ましい。

例えば、前記第二の化合物は、下記一般式（２４ａ）で表されることも好ましい。

前記一般式（２４ａ）において、Ｒ_２０１〜Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、前記一般式（２４）におけるＲ_２０１〜Ｒ_２０８と同義であり、
Ｌ_２１１およびＬ_２２１は、それぞれ独立に、単結合、または連結基であり、連結基である場合は、前記Ｌ_２１および前記Ｌ_２２と同義である。シアノ基は、フェニル基の６員環の炭素原子に結合し、パラ位またはメタ位に結合することが好ましい。

本実施形態において、前記Ｒ_２０１〜Ｒ_２０８が置換基である場合の置換基としては、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、−Ｓｉ（Ｒ_２２６）_３で表されるシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であることが好ましい。前記Ｒ_２２６は、それぞれ独立に、前記Ｒ_２２１と同義である。
また、本実施形態において、前記Ｒ_２０１〜Ｒ_２０８が水素原子であることも好ましい。

例えば、本実施形態において、第二の化合物は、下記一般式（２５）で表されることも好ましい。

前記一般式（２５）において、
Ｒ_２１１〜Ｒ_２２０は、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、Ｒ_２１１〜Ｒ_２２０が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２１〜Ｒ_２６が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
Ｌ_２３およびＬ_２４は、それぞれ独立に、前記一般式（２２）におけるＬ_２と同義であり、
ｑｖは、１以上３以下の整数であり、複数のＬ_２３は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｑｗは、１以上３以下の整数であり、複数のＬ_２４は、互いに同一でも異なっていてもよい。

本実施形態において、前記Ｌ_２３および前記Ｌ_２４は、連結基であり、前記Ｌ_２３および前記Ｌ_２４における連結基は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることが好ましい。また、前記ｑｖおよび前記ｑｗは、それぞれ独立に、２または３であることが好ましく、複数の前記Ｌ_２３および前記Ｌ_２４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基からなる群から選択されることが好ましい。また、前記Ｌ_２３および前記Ｌ_２４は、それぞれ独立に、フェニレン基、ビフェニルジイル基またはナフチレン基であることが好ましい。また、前記Ｌ_２３および前記Ｌ_２４における連結基は、フェニレン基を含み、当該フェニレン基のメタ位またはパラ位に、シアノ基が結合していることが好ましい。

例えば、前記第二の化合物は、下記一般式（２５ａ）で表されることも好ましい。

前記一般式（２５ａ）において、Ｒ_２１１〜Ｒ_２２０は、それぞれ独立に、前記一般式（２５）におけるＲ_２１１〜Ｒ_２２０と同義であり、
Ｌ_２３１およびＬ_２４１は、それぞれ独立に、単結合、または連結基であり、連結基である場合は、前記Ｌ_２３および前記Ｌ_２４と同義である。シアノ基は、フェニル基の６員環の炭素原子に結合し、パラ位またはメタ位に結合することが好ましい。

本実施形態において、前記Ｒ_２１１〜Ｒ_２２０が置換基である場合の置換基としては、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、−Ｓｉ（Ｒ_２２７）_３で表されるシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であることが好ましい。前記Ｒ_２２７は、それぞれ独立に、前記Ｒ_２２１と同義である。
また、本実施形態において、前記Ｒ_２１１〜Ｒ_２２０が水素原子であることも好ましい。

・第三の化合物
本実施形態に係る第三の化合物は、特に限定されない。

本実施形態の有機ＥＬ素子１において、第三の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ（Ｍ３）と、第一の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ（Ｍ１）とが、下記数式（数１０）の関係を満たすことが好ましく、下記数式（数１０ａ）の関係を満たすことがより好ましく、下記数式（数１０ｂ）の関係を満たすことがさらに好ましい。
Ｉｐ（Ｍ１）−Ｉｐ（Ｍ３）≧０．２ｅＶ …（数１０）
Ｉｐ（Ｍ１）−Ｉｐ（Ｍ３）＞０．２ｅＶ …（数１０ａ）
Ｉｐ（Ｍ１）−Ｉｐ（Ｍ３）＞０．３ｅＶ …（数１０ｂ）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子１において、前記数式（数１０）、（数１０ａ）、または（数１０ｂ）の関係を満たせば、発光層５に注入された正孔が第三の化合物によって補足され易くなるため、発光層５と、当該発光層５の陰極４側で隣接する層（本実施形態では電子輸送層８）との界面における劣化が防止される。

本実施形態に係る第三の化合物は、蛍光発光性の発光材料であることが好ましい。
また、本実施形態において、第三の化合物の三重項エネルギーＴ（Ｍ３）と、第一の化合物の三重項エネルギーＴ（Ｍ１）とが、下記数式（数１１）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ（Ｍ１）＜Ｔ（Ｍ３） …（数１１）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子１において、前記数式（数１１）の関係を満たせば、第一の化合物において電子および正孔が再結合して生成された三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを有する第三の化合物へ移動し難い。また、第三の化合物において三重項励起子が生成された場合でも、三重項励起子は速やかに第一の化合物へエネルギー移動する。その結果、第一の化合物の分子において三重項励起子同士が衝突することで一重項励起子が生成されるＴＴＦ現象が効率的に発生する。

また、本実施形態において、第三の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ３）と、第一の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ１）とが、下記数式（数１２）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ（Ｍ１）＞Ｓ（Ｍ３） …（数１２）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子１において、前記数式（数１２）の関係を満たせば、第一の化合物の分子において正孔と電子とが再結合して生成された一重項励起子、並びにＴＴＦ現象で生成された一重項励起子が、第三の化合物へ移動し易くなり、第三の化合物の蛍光発光に寄与する。その結果、有機ＥＬ素子１の発光効率がさらに向上する。また、発光層５に共存する第一の化合物や第二の化合物の発光が抑制され、第三の化合物が主に発光するので、有機ＥＬ素子１は、第三の化合物の発光色、すなわち単色光で発光する。また、その発光スペクトルの主ピークの半値幅は狭く、色純度がさらに良好になる。

本実施形態に係る第三の化合物は、前記数式（数１１）および前記数式（数１２）の関係を満たす化合物であることがより好ましい。
本実施形態に係る第三の化合物としては、蛍光発光性材料を用いることができる。具体的には、例えば、ビスアリールアミノナフタレン誘導体、アリール置換ナフタレン誘導体、ビスアリールアミノアントラセン誘導体、アリール基置換アントラセン誘導体、ビスアリールアミノピレン誘導体、アリール基置換ピレン誘導体、ビスアリールアミノクリセン誘導体、アリール置換クリセン誘導体、ビスアリールアミノフルオランテン誘導体、アリール置換フルオランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、ピロメテンホウ素錯体化合物、ピロメテン骨格を有する化合物もしくはその金属錯体、ジケトピロロピロール誘導体、ペリレン誘導体が挙げられる。

発光層５に用いることができる青色系の蛍光発光材料として、ピレン誘導体、スチリルアミン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、フルオレン誘導体、ジアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）などが挙げられる。

発光層５に用いることができる緑色系の蛍光発光材料として、芳香族アミン誘導体等を使用できる。具体的には、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。

発光層５に用いることができる赤色系の蛍光発光材料として、テトラセン誘導体、ジアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。

本実施形態において、第三の化合物は、主ピーク波長が５５０ｎｍ以下の蛍光発光を示すことが好ましく、主ピーク波長が４８０ｎｍ以下の蛍光発光を示すことがより好ましい。主ピーク波長とは、第三の化合物が１０^−５モル／リットル以上１０^−６モル／リットル以下の濃度で溶解しているトルエン溶液について、測定した発光スペクトラムにおける発光強度が最大となる発光スペクトルのピーク波長をいう。
第三の化合物は、青色の蛍光発光を示すことが好ましい。また、第三の化合物は、蛍光量子収率の高い材料であることが好ましい。

例えば、本実施形態において、第三の化合物は、下記一般式（３０）で表されることも好ましい。

前記一般式（３０）において、Ｒ_３１〜Ｒ_３８は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_３１〜Ｒ_３８が置換基である場合の置換基としては、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
−Ｓｉ（Ｒ_３００）_３で表されるシリル基、
−Ｎ（Ｒ_３０１）_２で表されるアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、
Ｒ_３００は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_３００が置換基である場合の置換基としては、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
複数のＲ_３００は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ_３０１は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_３０１が置換基である場合の置換基としては、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
複数のＲ_３０１は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ａｒ_３１〜Ａｒ_３４は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または
下記一般式（３０ａ）で表される複素環基である。

前記一般式（３０ａ）において、Ｒ_３１１〜Ｒ_３１７は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_３１１〜Ｒ_３１７が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_３１〜Ｒ_３８が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
Ｒ_３１１〜Ｒ_３１７のうち少なくとも２つが置換基である場合の当該置換基同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
Ｙ_３１は、酸素原子または硫黄原子である。

前記Ｒ_３１〜Ｒ_３８，Ｒ_３１１〜Ｒ_３１７が置換基である場合の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、−Ｓｉ（Ｒ_３０２）_３で表されるシリル基、および置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基からなる群から選択される置換基であることが好ましい。前記Ｒ_３０２は、前記Ｒ_３００と同義である。

発光層５において、前記第一の化合物をホスト材料として用い、前記第二の化合物をコホスト材料として用い、前記第三の化合物をドーパント材料として用いるドーピングシステムを採用することが好ましい。ドーピングシステムを採用する場合、ホスト材料は、主に電子と正孔の再結合を促し、励起子を発光層５内に閉じ込める機能を有し、ドーパント材料は、再結合で得られた励起子を効率的に発光させる機能を有する。また、コホスト材料は、本実施形態においてはホスト材料における励起子生成を増やすためキャリアを補足して、ホスト材料へ移動させる機能を有する。

・発光層の膜厚
本実施形態の有機ＥＬ素子１における発光層５の膜厚は、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは７ｎｍ以上５０ｎｍ以下、さらに好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。５ｎｍ未満では発光層５の形成が困難となり、色度の調整が困難となるおそれがあり、５０ｎｍを超えると駆動電圧が上昇するおそれがある。

・発光層における化合物の含有率
本実施形態の有機ＥＬ素子１では、発光層５において、第一の化合物の含有率は、５０質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、第二の化合物の含有率は、１質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、第三の化合物の含有率は、１質量％以上１０質量１０％以下であることが好ましい。発光層５における第一の化合物、第二の化合物および第三の化合物の合計含有率の上限は、１００質量％である。なお、本実施形態は、発光層５に、第一の化合物、第二の化合物および第三の化合物以外の材料が含まれることを除外するものではない。

（基板）
基板２は、有機ＥＬ素子１の支持体として用いられる。基板２としては、例えば、ガラス、石英、プラスチックなどを用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリエチレンナフタレートからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。

（陽極）
基板２上に形成される陽極３には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１質量％以上１０質量％以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。また、例えば、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５質量％以上５質量％以下、酸化亜鉛を０．１質量％以上１質量％以下含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。
陽極３上に形成される有機層のうち、陽極３に接して形成される正孔注入層６は、陽極３の仕事関数に関係なく正孔（ホール）注入が容易である複合材料を用いて形成されるため、電極材料として可能な材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物、その他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素も含む）を用いることもできる。
仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極３を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。

（正孔注入層）
正孔注入層６は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。
また、正孔注入性の高い物質としては、低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等やジピラジノ［２，３−ｆ：２０，３０−ｈ］キノキサリン−２，３，６，７，１０，１１−ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ−ＣＮ）も挙げられる。
また、正孔注入性の高い物質としては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。

（正孔輸送層）
正孔輸送層７は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層７には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。具体的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。
正孔輸送層７には、ＣＢＰ、９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（ＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（ＰＣｚＰＡ）のようなカルバゾール誘導体や、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。
但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
正孔輸送層を二層以上配置する場合、エネルギーギャップのより大きい材料を含む層を、発光層５に近い側に配置することが好ましい。

本実施形態において、正孔輸送層７は、発光層５で生成する三重項励起子が正孔輸送層７へ拡散することを防止し、三重項励起子を発光層５内に閉じ込める機能を有することが好ましい。三重項励起子を発光層５内に閉じ込めることで、三重項励起子の密度を高め、ＴＴＦ現象を効率良く発生させることができる。三重項励起子の拡散防止のため、正孔輸送層７の三重項エネルギーＴ（Ｈｔ）は、Ｔ（Ｍ１）より大きいことが好ましい。このような三重項エネルギーの関係を満たすことで、正孔輸送層７は、三重項励起子の拡散を防止する。

（電子輸送層）
電子輸送層８は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層８には、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、３）高分子化合物を使用することができる。具体的には低分子の有機化合物として、Ａｌｑ、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎｑ、ＺｎＰＢＯ、ＺｎＢＴＺなどの金属錯体等を用いることができる。また、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。本実施態様においては、ベンゾイミダゾール化合物を好適に用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層８として用いてもよい。また、電子輸送層８は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
また、電子輸送層８には、高分子化合物を用いることもできる。例えば、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）などを用いることができる。

本実施形態において、電子輸送層８は、発光層５で生成する三重項励起子が電子輸送層８や電子注入層９へ拡散することを防止し、三重項励起子を発光層５内に閉じ込める機能を有することが好ましい。三重項励起子を発光層５内に閉じ込めることで、三重項励起子の密度を高め、ＴＴＦ現象を効率良く発生させることができる。三重項励起子の拡散防止のため、電子輸送層８の三重項エネルギーＴ（Ｅｔ）は、Ｔ（Ｍ１）より大きいことが好ましく、さらに、Ｔ（Ｅｔ）は、Ｔ（Ｍ３）より大きいことが好ましい。このような三重項エネルギーの関係を満たすことで、電子輸送層８は、三重項励起子が拡散することを防止する。

（電子注入層）
電子注入層９は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層９には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する物質にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極４からの電子注入をより効率良く行うことができる。
あるいは、電子注入層９に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層８を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

（陰極）
陰極４には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極４を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
なお、電子注入層９を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極４を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。

（層形成方法）
本実施形態の有機ＥＬ素子１の各層の形成方法としては、上記で特に言及した以外には制限されないが、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ法、イオンプレーティング法などの乾式成膜法や、スピンコーティング法、ディッピング法、フローコーティング法、インクジェット法などの湿式成膜法などの公知の方法を採用することができる。

（膜厚）
本実施形態の有機ＥＬ素子１の各有機層の膜厚は、上記で特に言及した以外には制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。

本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジニル基は環形成炭素数５であり、フラニル基は環形成炭素数４である。また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の炭素数は環形成炭素数の数に含めない。本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）の化合物（例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば環を構成する原子の結合手を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環は、環形成原子数が６であり、キナゾリン環は、環形成原子数が１０であり、フラン環は、環形成原子数が５である。ピリジン環やキナゾリン環の炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子については、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。
次に前記一般式に記載の各置換基について説明する。

本実施形態における環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基（アリール基と称する場合がある。）としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ａ］アントリル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ベンゾ［ｂ］トリフェニレニル基、ピセニル基、ペリレニル基などが挙げられる。
本実施形態におけるアリール基としては、環形成炭素数が６〜２０であることが好ましく、より好ましくは６〜１２であることが更に好ましい。上記アリール基の中でもフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ターフェニル基、フルオレニル基が特に好ましい。１−フルオレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基および４−フルオレニル基については、９位の炭素原子に、後述する本実施形態における置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基や置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基が置換されていることが好ましい。

本実施形態における環形成原子数５〜３０の複素環基（ヘテロアリール基、ヘテロ芳香族環基、または芳香族複素環基と称する場合がある。）は、ヘテロ原子として、窒素、硫黄、酸素、ケイ素、セレン原子、およびゲルマニウム原子からなる群から選択される少なくともいずれかの原子を含むことが好ましく、窒素、硫黄、および酸素からなる群から選択される少なくともいずれかの原子を含むことがより好ましい。
本実施形態における環形成原子数５〜３０の複素環基（ヘテロアリール基、ヘテロ芳香族環基、または芳香族複素環基と称する場合がある。）としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリニル基、ナフチリジニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、イミダゾピリジニル基、ベンズトリアゾリル基、カルバゾリル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ピペリジニル基、ピロリジニル基、ピペラジニル基、モルホリル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基などが挙げられる。
本実施形態における複素環基の環形成原子数は、５〜２０であることが好ましく、５〜１４であることがさらに好ましい。上記複素環基の中でも１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基が特に好ましい。１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基および４−カルバゾリル基については、９位の窒素原子に、本実施形態における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基が置換されていることが好ましい。

また、本実施形態において、複素環基は、例えば、下記一般式（ＸＹ−１）〜（ＸＹ−１８）で表される部分構造から誘導される基であってもよい。

前記一般式（ＸＹ−１）〜（ＸＹ−１８）において、ＸおよびＹは、それぞれ独立に、ヘテロ原子であり、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ケイ素原子、またはゲルマニウム原子であることが好ましい。前記一般式（ＸＹ−１）〜（ＸＹ−１８）で表される部分構造は、任意の位置で結合手を有して複素環基となり、この複素環基は、置換基を有していてもよい。

また、本実施形態において、置換もしくは無置換のカルバゾリル基としては、例えば、下記式で表されるようなカルバゾール環に対してさらに環が縮合した基も含み得る。このような基も置換基を有していてもよい。また、結合手の位置も適宜変更され得る。

本実施形態における炭素数１〜３０のアルキル基としては、直鎖、分岐鎖または環状のいずれであってもよい。直鎖または分岐鎖のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、アミル基、イソアミル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、３−メチルペンチル基、が挙げられる。
本実施形態における直鎖または分岐鎖のアルキル基の炭素数は、１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがさらに好ましい。上記直鎖または分岐鎖のアルキル基の中でもメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、アミル基、イソアミル基、ネオペンチル基が特に好ましい。
本実施形態におけるシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等が挙げられる。シクロアルキル基の環形成炭素数は、３〜１０であることが好ましく、５〜８であることがさらに好ましい。上記シクロアルキル基の中でも、シクロペンチル基やシクロヘキシル基が特に好ましい。
アルキル基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルキル基としては、例えば、上記炭素数１〜３０のアルキル基が１以上のハロゲン基で置換されたものが挙げられる。具体的には、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロエチル基、トリフルオロメチルメチル基、トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基等が挙げられる。

本実施形態における炭素数３〜３０のアルキルシリル基としては、上記炭素数１〜３０のアルキル基で例示したアルキル基を有するトリアルキルシリル基が挙げられ、具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、トリ−ｎ−オクチルシリル基、トリイソブチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジメチル−ｎ−プロピルシリル基、ジメチル−ｎ−ブチルシリル基、ジメチル−ｔ−ブチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基等が挙げられる。トリアルキルシリル基における３つのアルキル基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。

本実施形態における環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基としては、ジアルキルアリールシリル基、アルキルジアリールシリル基、トリアリールシリル基が挙げられる。
ジアルキルアリールシリル基は、例えば、上記炭素数１〜３０のアルキル基で例示したアルキル基を２つ有し、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基を１つ有するジアルキルアリールシリル基が挙げられる。ジアルキルアリールシリル基の炭素数は、８〜３０であることが好ましい。
アルキルジアリールシリル基は、例えば、上記炭素数１〜３０のアルキル基で例示したアルキル基を１つ有し、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基を２つ有するアルキルジアリールシリル基が挙げられる。アルキルジアリールシリル基の炭素数は、１３〜３０であることが好ましい。
トリアリールシリル基は、例えば、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基を３つ有するトリアリールシリル基が挙げられる。トリアリールシリル基の炭素数は、１８〜３０であることが好ましい。

本実施形態における炭素数１〜３０のアルコキシ基は、−ＯＺ_１と表される。このＺ_１の例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基が挙げられる。アルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基があげられる。
アルコキシ基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルコキシ基としては、例えば、上記炭素数１〜３０のアルコキシ基が１以上のハロゲン基で置換されたものが挙げられる。

本実施形態における環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基は、−ＯＺ_２と表される。このＺ_２の例として、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基が挙げられる。このアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基が挙げられる。

炭素数２〜３０のアルキルアミノ基は、−ＮＨＲＶ、または−Ｎ（ＲＶ）２と表される。このＲＶの例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基が挙げられる。

環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基は、−ＮＨＲＷ、または−Ｎ（ＲＷ）２と表される。このＲＷの例として、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基が挙げられる。

炭素数１〜３０のアルキルチオ基は、−ＳＲＶと表される。このＲＶの例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基が挙げられる。
環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基は、−ＳＲＷと表される。このＲＷの例として、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基が挙げられる。

本発明において、「環形成炭素」とは飽和環、不飽和環、または芳香環を構成する炭素原子を意味する。「環形成原子」とはヘテロ環（飽和環、不飽和環、および芳香環を含む）を構成する炭素原子およびヘテロ原子を意味する。
また、本発明において、水素原子とは、中性子数の異なる同位体、すなわち、軽水素（Ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（Ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）、三重水素（Ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。

また、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基としては、上述のようなアリール基、複素環基、アルキル基（直鎖または分岐鎖のアルキル基、シクロアルキル基、ハロアルキル基）、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基の他に、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、およびカルボキシ基が挙げられる。
ここで挙げた置換基の中では、アリール基、複素環基、アルキル基、ハロゲン原子、アルキルシリル基、アリールシリル基、シアノ基が好ましく、さらには、各置換基の説明において好ましいとした具体的な置換基が好ましい。
これらの置換基は、上記の置換基によって更に置換されてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成してもよい。

アルケニル基としては、炭素数２〜３０のアルケニル基が好ましく、直鎖、分岐鎖、または環状のいずれであってもよく、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、シクロペンタジエニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘキサジエニル基等が挙げられる。

アルキニル基としては、炭素数２〜３０のアルキニル基が好ましく、直鎖、分岐鎖、または環状のいずれであってもよく、例えば、エチニル、プロピニル、２−フェニルエチニル等が挙げられる。

アラルキル基としては、環形成炭素数６〜３０のアラルキル基が好ましく、−Ｚ_３−Ｚ_４と表される。このＺ_３の例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基に対応するアルキレン基が挙げられる。このＺ_４の例として、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基の例が挙げられる。このアラルキル基は、炭素数７〜３０のアラルキル基（アリール部分は炭素数６〜３０、好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１２）、アルキル部分は炭素数１〜３０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６）であることが好ましい。このアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、２−フェニルプロパン−２−イル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基が挙げられる。

ハロゲン原子として、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。

「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは前記置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。
なお、本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。ここで、「ＹＹ」は「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」と「ＹＹ」はそれぞれ１以上の整数を意味する。
本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表すものであり、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。ここで、「ＹＹ」は「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」と「ＹＹ」はそれぞれ１以上の整数を意味する。
以下に説明する化合物またはその部分構造において、「置換もしくは無置換の」という場合についても、前記と同様である。

本実施形態において、置換基同士が互いに結合して環構造が構築される場合、環構造は、飽和環、不飽和環、または芳香環である。

（電子機器）
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子１は、表示装置や発光装置等の電子機器に使用できる。表示装置としては、例えば、有機ＥＬパネルモジュール等の表示部品、テレビ、携帯電話、タブレットもしくはパーソナルコンピュータ等が挙げられる。発光装置としては、例えば、照明、もしくは車両用灯具等が挙げられる。

〔実施形態の変形〕
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変更、改良などは、本発明に含まれるものである。

例えば、発光層は、１層に限られず、複数の発光層が積層されていてもよい。有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、少なくとも１つの発光層が前記第一の化合物、第二の化合物および第三の化合物を含んでいればよい。例えば、その他の発光層が、蛍光発光型の発光層であっても、三重項励起状態から直接基底状態への電子遷移による発光を利用した燐光発光型の発光層であってもよい。
また、有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、これらの発光層が互いに隣接して設けられていてもよいし、中間層を介して複数の発光ユニットが積層された、いわゆるタンデム型の有機ＥＬ素子であってもよい。

また、例えば、発光層の陽極側や陰極側に障壁層を隣接させて設けてもよい。障壁層は、発光層に接して配置され、正孔、電子および励起子の少なくともいずれかを阻止することが好ましい。
例えば、発光層の陰極側で接して障壁層が配置された場合、当該障壁層は、電子を輸送し、正孔が当該障壁層よりも陰極側の層（例えば、電子輸送層）に到達することを阻止する。有機ＥＬ素子が、電子輸送層を含む場合は、発光層と電子輸送層との間に当該障壁層を含むことが好ましい。
また、発光層の陽極側で接して障壁層が配置された場合、当該障壁層は、正孔を輸送し、電子が当該障壁層よりも陽極側の層（例えば、正孔輸送層）に到達することを阻止する。有機ＥＬ素子が、正孔輸送層を含む場合は、発光層と正孔輸送層との間に当該障壁層を含むことが好ましい。
また、励起エネルギーが発光層からその周辺層に漏れ出さないように、障壁層を発光層に隣接させて設けてもよい。発光層で生成した励起子が、当該障壁層よりも電極側の層（例えば、電子輸送層や正孔輸送層）に移動することを阻止する。
発光層と障壁層とは接合していることが好ましい。

その他、本発明の実施における具体的な構造および形状などは、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などとしてもよい。

次に、実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例の記載内容になんら制限されるものではない。

有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物を以下に示す。

［化合物の評価］
次に、本実施例で使用した化合物の物性を測定した。測定方法および算出方法を以下に示すとともに、測定結果および算出結果を表１に示す。

・一重項エネルギーＳ
一重項エネルギーＳは、次のようにして測定される。
測定対象となる化合物の１０μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の吸収スペクトル（縦軸：発光強度、横軸：波長とする。）を測定した。この吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式１に代入して一重項エネルギーを算出した。
換算式１：Ｓ［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
本実施例では、吸収スペクトルを日立社製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）で測定した。

なお、吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線は以下のように引いた。吸収スペクトルの極大値のうち、最も長波長側の極大値から長波長方向にスペクトル曲線上を移動する際に、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち下がるにつれ（つまり縦軸の値が減少するにつれ）、傾きが減少しその後増加することを繰り返す。傾きの値が最も長波長側（ただし、吸光度が０．１以下となる場合は除く）で極小値をとる点において引いた接線を当該吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線とする。
なお、吸光度の値が０．２以下の極大点は、上記最も長波長側の極大値には含めなかった。

・三重項エネルギーＴ
三重項エネルギーの測定は、次のようにして行った。測定対象化合物をＥＰＡ（ジエチルエーテル：イソペンタン：エタノール＝５：５：５（容積比））中に、濃度が１０μｍｏｌ／Ｌとなるように溶解し、この溶液を石英セル中に入れて測定試料とした。この測定試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］に基づいて、次の換算式２から算出されるエネルギー量を三重項エネルギーＴとした。
換算式２：Ｔ［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
燐光の測定には、（株）日立ハイテクノロジー製のＦ−４５００形分光蛍光光度計本体を用いた。

燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線（すなわち変曲点における接線）が、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
なお、スペクトルの最大ピーク強度の１５％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とした。

・イオン化ポテンシャルＩｐ
大気下で光電子分光装置（理研計器株式会社製:ＡＣ−３）を用いて測定した。具体的には、測定対象となる化合物に光を照射し、その際に電荷分離によって生じる電子量を測定することにより測定した。

・電子親和力（アフィニティ）Ａｆ
上述の方法で測定した化合物のイオン化ポテンシャルＩｐおよび一重項エネルギーＳの測定値を用い、次の計算式から算出した。
Ａｆ＝Ｉｐ−Ｓ

〔有機ＥＬ素子の製造例〕
・実施例１
２５ｍｍ×７５ｍｍ×厚さ１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行った。ＩＴＯ透明電極の厚さは１３０ｎｍとした。
洗浄後のＩＴＯ透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まずＩＴＯ透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして化合物ＨＩを蒸着して、膜厚１０ｎｍのＨＩ膜を成膜し、正孔注入層を形成した。
次に、このＨＩ膜上に、正孔輸送材料として化合物ＨＴ−１を蒸着して膜厚８０ｎｍのＨＴ−１膜を成膜し、第一正孔輸送層を形成した。
ついで、このＨＴ−１膜上に、第二正孔輸送材料として化合物ＨＴ−２を蒸着して、膜厚１０ｎｍのＨＴ−２膜を成膜し、第二正孔輸送層を形成した。
さらに、このＨＴ−２膜上に、第一の化合物としての化合物ＢＨ−１と、第二の化合物としての化合物ＣＨ−１と、第三の化合物としての化合物ＢＤ−１とを共蒸着した。これにより、厚さ２５ｎｍの発光層を形成した。なお、発光層中、化合物ＢＨ−１の割合は、９２質量％とし、化合物ＣＨ−１の割合は、４質量％とし、化合物ＢＤ−１の割合は、４質量％とした。
そして、この発光層の上に、化合物ＨＢ−１を蒸着して膜厚２５ｎｍのＨＢ−１膜を成膜し、正孔阻止層を形成した。
ついで、このＨＢ−１膜上に、化合物ＥＴ−１を蒸着し、膜厚１０ｎｍの電子輸送層を形成した。
次に、この電子輸送層上に、ＬｉＦを成膜速度０．１オングストローム／ｍｉｎで蒸着して膜厚１ｎｍのＬｉＦ膜を成膜し、電子注入性電極（陰極）を形成した。
そして、このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの金属Ａｌ膜を成膜し、金属Ａｌ陰極を形成した。
実施例１の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（10） / HT-1（80） / HT-2（10） / BH-1 : CH-1 : BD-1（25, 92% : 4% : 4%） / HB-1（25） / ET-1（10） / LiF（1） / Al（80）
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。また、同じく括弧内において、パーセント表示された数字は、発光層における各材料の割合（質量％）を示す。

・実施例２
実施例２の有機ＥＬ素子は、実施例１と同様に発光層まで形成した後、この発光層の上に、化合物ＥＴ−２と、Ｌｉｑ（８−キノリノラトリチウム）とを共蒸着した。これにより、厚さ３６ｎｍの電子輸送層を形成した。なお、電子輸送層中、化合物ＥＴ−２の割合は、５０質量％とし、Ｌｉｑの割合は、５０質量％とした。
次に、この電子輸送層上に、Ｌｉｑを蒸着し、膜厚１ｎｍのＬｉｑ膜を成膜し、電子注入性電極（陰極）を形成した。
そして、このＬｉｑ膜上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの金属Ａｌ膜を成膜し、金属Ａｌ陰極を形成した。
実施例２の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（10） / HT-1（80） / HT-2（10） / BH-1 : CH-1 : BD-1（25, 92% : 4% : 4%） / ET-2 : Liq（36, 50% : 50%） / Liq（1） / Al（80）

・比較例１
比較例１の有機ＥＬ素子は、実施例１の発光層に代えて、化合物ＢＨ−１と化合物ＢＤ−１とを共蒸着して、厚さ２５ｎｍの発光層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして作製した。なお、発光層中、化合物ＢＨ−１の割合は、９６質量％とし、化合物ＢＤ−１の割合は、４質量％とした。
比較例１の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（10） / HT-1（80） / HT-2（10） / BH-1 : BD-1（25, 96% : 4%） / HB-1（25） / ET-1（10） / LiF（1） / Al（80）

・比較例２
比較例２の有機ＥＬ素子は、実施例２の発光層に代えて、化合物ＢＨ−１と化合物ＢＤ−１とを共蒸着して、厚さ２５ｎｍの発光層を形成したこと以外は、実施例２と同様にして作製した。なお、発光層中、化合物ＢＨ−１の割合は、９６質量％とし、化合物ＢＤ−１の割合は、４質量％とした。
比較例２の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（10） / HT-1（80） / HT-2（10） / BH-1 : BD-1（25, 96% : 4%） / ET-2 : Liq（36, 50% : 50%） / Liq（1） / Al（80）

・比較例３
比較例３の有機ＥＬ素子は、実施例１の発光層に代えて、化合物ＢＨ−１と、化合物ＣＨ−３と、化合物ＢＤ−１とを共蒸着して、厚さ２５ｎｍの発光層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして作製した。なお、発光層中、化合物ＢＨ−１の割合は、９２質量％とし、化合物ＣＨ−３の割合は、４質量％とし、化合物ＢＤ−１の割合は、４質量％とした。
比較例３の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（10） / HT-1（80） / HT-2（10） / BH-1 : CH-3 : BD-1（25, 92% : 4% : 4%） / HB-1（25） / ET-1（10） / LiF（1） / Al（80）

・比較例４
比較例４の有機ＥＬ素子は、実施例１の発光層に代えて、化合物ＢＨ−７と、化合物ＣＨ−１と、化合物ＢＤ−１とを共蒸着して、厚さ２５ｎｍの発光層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして作製した。なお、発光層中、化合物ＢＨ−７の割合は、９２質量％とし、化合物ＣＨ−１の割合は、４質量％とし、化合物ＢＤ−１の割合は、４質量％とした。
比較例４の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（10） / HT-1（80） / HT-2（10） / BH-7 : CH-1 : BD-1（25, 92% : 4% : 4%） / HB-1（25） / ET-1（10） / LiF（1） / Al（80）

〔有機ＥＬ素子の評価〕
実施例１〜２、および比較例１〜４において作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。評価結果を表２および表３に示す。

・ＣＩＥ１９３１色度
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加した時のＣＩＥ１９３１色度座標（ｘ、ｙ）を分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタ社製）で計測した。

・主ピーク波長λｐ
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを前記分光放射輝度計で計測し、得られた分光放射輝度スペクトルから主ピーク波長λｐ（単位：ｎｍ）を読み取った。

・寿命ＬＴ８０
寿命ＬＴ８０は、電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加し、初期輝度に対して輝度が８０％となるまでの時間（単位：ｈｒｓ）を測定した。

実施例１の有機ＥＬ素子は、前記数式（数１）〜（数３）の関係を満たす第一の化合物としての化合物ＢＨ−１、第二の化合物としての化合物ＣＨ−１および第三の化合物としてのＢＤ−１を含む発光層を備えるため、比較例１，３，４の有機ＥＬ素子に比べて長い寿命を示した。
比較例１の有機ＥＬ素子は、化合物ＢＨ−１と化合物ＢＤ−１とで発光層が構成されているため、実施例１よりも寿命が短かったと考えられる。
比較例３の有機ＥＬ素子は、化合物ＣＨ−３のＡｆ（アフィニティ）が３．１ｅＶであるため、前記数式（２）を満たさず、寿命が短かったと考えられる。
比較例４の有機ＥＬ素子は、化合物ＢＨ−７の三重項エネルギーＴ（Ｍ１）が２．２ｅＶであるため、前記数式（数３）の関係を満たさず、寿命が短かったと考えられる。

実施例２の有機ＥＬ素子は、前記数式（数１）〜（数３）の関係を満たす第一の化合物としての化合物ＢＨ−１、第二の化合物としての化合物ＣＨ−１および第三の化合物としてのＢＤ−１を含む発光層を備えるため、比較例２の有機ＥＬ素子に比べて長い寿命を示した。比較例２の有機ＥＬ素子は、化合物ＢＨ−１と化合物ＢＤ−１とで発光層が構成されているため、実施例２よりも寿命が短かったと考えられる。

〔有機ＥＬ素子の製造例〕
・実施例３
実施例３の有機ＥＬ素子は、実施例１の発光層における化合物ＢＨ−１を化合物ＢＨ−２に変更したこと、並びに化合物ＣＨ−１を化合物ＣＨ−２に変更したこと以外は、実施例１と同様にして作製した。
実施例３の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（10） / HT-1（80） / HT-2（10） / BH-2 : CH-2 : BD-1（25, 92% : 4% : 4%） / HB-1（25） / ET-1（10） / LiF（1） / Al（80）

・比較例５
比較例５の有機ＥＬ素子は、実施例１の発光層に代えて、化合物ＢＨ−２と化合物ＢＤ−１とを共蒸着して、厚さ２５ｎｍの発光層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして作製した。なお、発光層中、化合物ＢＨ−２の割合は、９６質量％とし、化合物ＢＤ−１の割合は、４質量％とした。
比較例５の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（10） / HT-1（80） / HT-2（10） / BH-2 : BD-1（25, 96% : 4%） / HB-1（25） / ET-1（10） / LiF（1） / Al（80）

〔有機ＥＬ素子の評価〕
実施例３、および比較例５において作製した有機ＥＬ素子について、前述と同様の評価を行った。評価結果を表４に示す。

実施例３の有機ＥＬ素子は、前記数式（数１）〜（数３）の関係を満たす第一の化合物としての化合物ＢＨ−２、第二の化合物としての化合物ＣＨ−２および第三の化合物としての化合物ＢＤ−１を含む発光層を備えるため、比較例５の有機ＥＬ素子に比べて長い寿命を示した。比較例５の有機ＥＬ素子は、化合物ＢＨ−２と化合物ＢＤ−１とで発光層が構成されているため、実施例３よりも寿命が短かったと考えられる。

〔有機ＥＬ素子の製造例〕
・実施例４
実施例４の有機ＥＬ素子は、実施例１の発光層における化合物ＢＨ−１を化合物ＢＨ−３に変更したこと以外は、実施例１と同様にして作製した。
実施例４の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（10） / HT-1（80） / HT-2（10） / BH-3 : CH-1 : BD-1（25, 92% : 4% : 4%） / HB-1（25） / ET-1（10） / LiF（1） / Al（80）

・実施例５
実施例５の有機ＥＬ素子は、実施例２の発光層における化合物ＢＨ−１を化合物ＢＨ−３に変更したこと以外は、実施例２と同様にして作製した。
実施例５の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（10） / HT-1（80） / HT-2（10） / BH-3 : CH-1 : BD-1（25, 92% : 4% : 4%） / ET-2 : Liq（36, 50% : 50%） / Liq（1） / Al（80）

・実施例６
実施例６の有機ＥＬ素子は、実施例４の発光層における化合物ＣＨ−１を化合物ＣＨ−２に変更したこと以外は、実施例４と同様にして作製した。
実施例６の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（10） / HT-1（80） / HT-2（10） / BH-3 : CH-2 : BD-1（25, 92% : 4% : 4%） / HB-1（25） / ET-1（10） / LiF（1） / Al（80）

・比較例６
比較例６の有機ＥＬ素子は、実施例１の発光層に代えて、化合物ＢＨ−３と化合物ＢＤ−１とを共蒸着して、厚さ２５ｎｍの発光層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして作製した。なお、発光層中、化合物ＢＨ−３の割合は、９６質量％とし、化合物ＢＤ−１の割合は、４質量％とした。
比較例６の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（10） / HT-1（80） / HT-2（10） / BH-3 : BD-1（25, 96% : 4%） / HB-1（25） / ET-1（10） / LiF（1） / Al（80）

・比較例７
比較例７の有機ＥＬ素子は、実施例２の発光層に代えて、化合物ＢＨ−３と化合物ＢＤ−１とを共蒸着して、厚さ２５ｎｍの発光層を形成したこと以外は、実施例２と同様にして作製した。なお、発光層中、化合物ＢＨ−３の割合は、９６質量％とし、化合物ＢＤ−１の割合は、４質量％とした。
比較例７の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（10） / HT-1（80） / HT-2（10） / BH-3 : BD-1（25, 96% : 4%） / ET-2 : Liq（36, 50% : 50%） / Liq（1） / Al（80）

〔有機ＥＬ素子の評価〕
実施例４〜７、および比較例６〜７において作製した有機ＥＬ素子について、前述と同様の評価を行った。評価結果を表５および表６に示す。

実施例４，６の有機ＥＬ素子は、前記数式（数１）〜（数３）の関係を満たす第一の化合物、第二の化合物および第三の化合物を含む発光層を備えるため、比較例６の有機ＥＬ素子に比べて長い寿命を示した。比較例６の有機ＥＬ素子は、化合物ＢＨ−３と化合物ＢＤ−１とで発光層が構成されているため、実施例４，６よりも寿命が短かったと考えられる。

実施例５の有機ＥＬ素子は、前記数式（数１）〜（数３）の関係を満たす第一の化合物、第二の化合物および第三の化合物を含む発光層を備えるため、比較例７の有機ＥＬ素子に比べて長い寿命を示した。比較例７の有機ＥＬ素子は、化合物ＢＨ−３と化合物ＢＤ−１とで発光層が構成されているため、実施例５よりも寿命が短かったと考えられる。

〔有機ＥＬ素子の製造例〕
・実施例７
実施例７の有機ＥＬ素子は、実施例１の発光層における化合物ＢＨ−１を化合物ＢＨ−５に変更したこと、並びに化合物ＣＨ−１を化合物ＣＨ−２に変更したこと以外は、実施例１と同様にして作製した。
実施例７の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（10） / HT-1（80） / HT-2（10） / BH-5 : CH-2 : BD-1（25, 92% : 4% : 4%） / HB-1（25） / ET-1（10） / LiF（1） / Al（80）

・比較例８
比較例８の有機ＥＬ素子は、実施例１の発光層に代えて、化合物ＢＨ−５と化合物ＢＤ−１とを共蒸着して、厚さ２５ｎｍの発光層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして作製した。なお、発光層中、化合物ＢＨ−５の割合は、９６質量％とし、化合物ＢＤ−１の割合は、４質量％とした。
比較例８の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（10） / HT-1（80） / HT-2（10） / BH-5 : BD-1（25, 96% : 4%） / HB-1（25） / ET-1（10） / LiF（1） / Al（80）

〔有機ＥＬ素子の評価〕
実施例７、および比較例８において作製した有機ＥＬ素子について、前述と同様の評価を行った。評価結果を表７に示す。

実施例７の有機ＥＬ素子は、前記数式（数１）〜（数３）の関係を満たす第一の化合物としての化合物ＢＨ−５、第二の化合物としての化合物ＣＨ−２および第三の化合物としてのＢＤ−１を含む発光層を備えるため、比較例８の有機ＥＬ素子に比べて長い寿命を示した。比較例８の有機ＥＬ素子は、化合物ＢＨ−５と化合物ＢＤ−１とで発光層が構成されているため、実施例７よりも寿命が短かったと考えられる。

〔有機ＥＬ素子の製造例〕
・実施例８
実施例８の有機ＥＬ素子は、実施例１の発光層における化合物ＢＨ−１を化合物ＢＨ−６に変更したこと、並びに化合物ＣＨ−１を化合物ＣＨ−２に変更したこと以外は、実施例１と同様にして作製した。
実施例８の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（10） / HT-1（80） / HT-2（10） / BH-6 : CH-2 : BD-1（25, 92% : 4% : 4%） / HB-1（25） / ET-1（10） / LiF（1） / Al（80）

・比較例９
比較例９の有機ＥＬ素子は、実施例１の発光層に代えて、化合物ＢＨ−６と化合物ＢＤ−１とを共蒸着して、厚さ２５ｎｍの発光層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして作製した。なお、発光層中、化合物ＢＨ−６の割合は、９６質量％とし、化合物ＢＤ−１の割合は、４質量％とした。
比較例９の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（10） / HT-1（80） / HT-2（10） / BH-6 : BD-1（25, 96% : 4%） / HB-1（25） / ET-1（10） / LiF（1） / Al（80）

〔有機ＥＬ素子の評価〕
実施例８、および比較例９において作製した有機ＥＬ素子について、前述と同様の評価を行った。評価結果を表８に示す。

実施例８の有機ＥＬ素子は、前記数式（数１）〜（数３）の関係を満たす第一の化合物としての化合物ＢＨ−６、第二の化合物としての化合物ＣＨ−２および第三の化合物としてのＢＤ−１を含む発光層を備えるため、比較例９の有機ＥＬ素子に比べて長い寿命を示した。比較例９の有機ＥＬ素子は、化合物ＢＨ−６と化合物ＢＤ−１とで発光層が構成されているため、実施例８よりも寿命が短かったと考えられる。

１…有機エレクトロルミネッセンス素子、３…陽極、４…陰極、５…発光層、７…正孔輸送層、８…電子輸送層。

Claims

陽極と、陰極と、発光層と、を含み、
前記発光層は、第一の化合物と、第二の化合物と、第三の化合物と、を含み、
前記第一の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ１）と、前記第二の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たし、
前記第一の化合物の電子親和力Ａｆ（Ｍ１）と、前記第二の化合物の電子親和力Ａｆ（Ｍ２）とが、下記数式（数２）の関係を満たし、
前記第一の化合物の三重項エネルギーＴ（Ｍ１）が、下記数式（数３）の関係を満たす有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｓ（Ｍ２）≧Ｓ（Ｍ１）×０．９５ …（数１）
Ａｆ（Ｍ２）−Ａｆ（Ｍ１）≧０．２ｅＶ …（数２）
Ｔ（Ｍ１）≦２．０ｅＶ …（数３）
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記第一の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ１）と、前記第二の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ２）とが、下記数式（数４）の関係を満たす有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｓ（Ｍ２）≧Ｓ（Ｍ１） …（数４）
請求項１または請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記第二の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ２）が、下記数式（数５）の関係を満たす有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｓ（Ｍ２）≧３．０ｅＶ …（数５）
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記第一の化合物の電子親和力Ａｆ（Ｍ１）と、前記第二の化合物の電子親和力Ａｆ（Ｍ２）とが、下記数式（数６）の関係を満たす有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ａｆ（Ｍ２）−Ａｆ（Ｍ１）＞０．２ｅＶ …（数６）
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記第三の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ（Ｍ３）と、前記第一の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ（Ｍ１）とが、下記数式（数１０）の関係を満たす有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｉｐ（Ｍ１）−Ｉｐ（Ｍ３）≧０．２ｅＶ …（数１０）
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記第三の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ３）と、前記第一の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ１）とが、下記数式（数１２）の関係を満たす有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｓ（Ｍ１）＞Ｓ（Ｍ３） …（数１２）
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記第一の化合物の三重項エネルギーＴ（Ｍ１）と、前記第二の化合物の三重項エネルギーＴ（Ｍ２）とが、下記数式（数７）の関係を満たす有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｔ（Ｍ１）＜Ｔ（Ｍ２） …（数７）
請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第三の化合物は、蛍光発光性材料である有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記第一の化合物は、下記一般式（１）で表される有機エレクトロルミネッセンス素子。
（前記一般式（１）において、Ａｒ_１１およびＡｒ_１２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記Ａｒ_１１および前記Ａｒ_１２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニル基である有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記Ａｒ_１１は、置換もしくは無置換のナフチル基であり、前記Ａｒ_１２は、置換もしくは無置換のフェニル基である有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記Ａｒ_１１は、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のベンゾアントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、９，９−ジフェニルフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、置換もしくは無置換のナフトベンゾフラニル基、置換もしくは無置換のナフトベンゾチオフェニル基、および置換もしくは無置換のナフトベンゾフルオレニル基からなる群から選択されるいずれかの基であり、
前記Ａｒ_１２は、置換もしくは無置換のフェニル基、または置換もしくは無置換のナフチル基である有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記第二の化合物は、下記一般式（２１）で表される有機エレクトロルミネッセンス素子。

（前記一般式（２１）において、
Ｒ_２１〜Ｒ_２６は、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、Ｒ_２１〜Ｒ_２６が置換基である場合の置換基としては、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
−Ｓｉ（Ｒ_２２１）_３で表されるシリル基、
−Ｎ（Ｒ_２２２）_２で表されるアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、
Ｒ_２２１は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２２１が置換基である場合の置換基としては、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
複数のＲ_２２１は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ_２２２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２２２が置換基である場合の置換基としては、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
複数のＲ_２２２は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｐａは、４であり、複数のＲ_２１は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｐｂは、２であり、複数のＲ_２２は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｐｃは、３であり、複数のＲ_２３は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｐｄは、４であり、複数のＲ_２４は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｐｅは、２であり、複数のＲ_２５は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｐｆは、３であり、複数のＲ_２６は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ_２１〜Ｒ_２６は、それぞれ芳香環の炭素原子に結合している。）
請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記Ｒ_２１〜Ｒ_２６は、水素原子である有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記第二の化合物は、下記一般式（２２）で表される有機エレクトロルミネッセンス素子。
（前記一般式（２２）において、
Ａｒ_２１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０の縮合芳香族炭化水素基であり、
Ｌ_２は、単結合、または連結基であり、
Ｌ_２における連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、
ｑｘは、１以上３以下の整数であり、複数のＬ_２は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｑａは、１以上４以下の整数であり、Ａｒ_２１に結合する下記一般式（２２ｘ）で表される複数の基は、互いに同一でも異なっていてもよい。）
請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記Ａｒ_２１における置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０の縮合芳香族炭化水素基は、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、フルオランテン、ベンゾ［ａ］アントラセン、ベンゾ［ｃ］フェナントレン、トリフェニレン、ベンゾ［ｇ］クリセン、ベンゾ［ｂ］トリフェニレン、ピセン、およびペリレンからなる群から選択される縮合芳香族炭化水素から誘導される基である有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記Ａｒ_２１における置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０の縮合芳香族炭化水素基は、フェナントレン、ピレン、クリセン、フルオランテン、トリフェニレン、およびベンゾ［ｇ］クリセンからなる群から選択される縮合芳香族炭化水素から誘導される基である有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記第二の化合物は、下記一般式（２３）で表される有機エレクトロルミネッセンス素子。
（前記一般式（２３）において、
Ｌ_２は、前記一般式（２２）におけるＬ_２と同義であり、
Ｒ_２７〜Ｒ_２９は、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、Ｒ_２７〜Ｒ_２９が置換基である場合の置換基としては、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
−Ｓｉ（Ｒ_２２１）_３で表されるシリル基、
−Ｎ（Ｒ_２２２）_２で表されるアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、
Ｒ_２２１は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２２１が置換基である場合の置換基としては、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
複数のＲ_２２１は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ_２２２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２２２が置換基である場合の置換基としては、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
複数のＲ_２２２は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｑｂは、４であり、複数のＲ_２７は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｑｃは、２であり、複数のＲ_２８は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｑｄは、３であり、複数のＲ_２９は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｑｘは、１以上３以下の整数であり、複数のＬ_２は、互いに同一でも異なっていてもく、Ｒ_２７〜Ｒ_２９は、それぞれ芳香環の炭素原子に結合している。）
請求項１５から請求項１８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記Ｌ_２は、連結基であり、前記Ｌ_２における連結基は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基である有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項１５から請求項１８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記ｑｘは、２または３であり、複数の前記Ｌ_２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基からなる群から選択される有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項１９または請求項２０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記Ｌ_２は、フェニレン基、ビフェニルジイル基またはナフチレン基である有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項１９または請求項２０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記Ｌ_２における連結基は、フェニレン基を含み、当該フェニレン基のメタ位またはパラ位に、シアノ基が結合している有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項１から請求項２２のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層と前記陰極との間に電子輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項１から請求項２３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層と前記陽極との間に正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項１から請求項２４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える電子機器。