JP4994564B2 - 二重ドープ層燐光有機発光装置 - Google Patents

二重ドープ層燐光有機発光装置 Download PDF

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Description

本発明は、例えば、青色光を発することができる二重ドープ層、燐光有機発光装置に関する。本発明は、例えば、基体上の有機発光装置(OLED)に関し、この場合、OLEDは、アノード、第一ホール輸送層(HTL)、燐光物質をドープした第二ホール輸送層、燐光物質をドープした第一電子輸送層(ETL)、第二電子輸送層、及びカソードを有する。
電流により励起した時、光を発する薄膜材料を利用した有機発光装置(OLED)は、益々平坦パネル表示技術の汎用的形態になるものと予想される。それは、OLEDが、携帯電話、パーソナル・デジタル・アシスタント(PDA)、コンピューター・ディスプレー、乗り物の中の情報ディスプレー、テレビモニターのみならず、一般的照明のための光源を含めた広範な種類の潜在的用途を有するからである。それらの輝く色、視野角、完全運動ビデオとの両立性、広い温度範囲、薄くて快適な形態因子、低い消費電力、及び低コスト製造法の可能性により、OLEDは、現在成長しつつある年間400億ドルの電気ディスプレー市場を席巻している陰極線管(CRT)及び液晶表示装置(LCD)に代わる将来の技術と見做されている。それらの大きな発光効率により、電気燐光OLEDは、白熱灯、及びある種の用途のための恐らく蛍光灯、ランプに対してもそれらに置き換わる可能性を有するものと見られている。
OLEDからの発光は、蛍光又は燐光によるのが典型的である。ここで用いる用語「燐光」とは、有機分子の三重項状態からの発光を指し、用語「蛍光」とは、有機分子の一重項励起状態の発光を指す。
燐光利用の成功は、有機エレクトロルミネッセンス装置に対し有望な膨大な前途が約束されている。例えば、燐光の利点は、全ての励起子(発光層中でのホールと電子との再結合により形成される)が、一重項又は三重項のどちらの励起状態として形成されても、発光に関与することができることである。これは、有機分子の最低一重項励起状態が、最低三重項励起状態よりも僅かに高いエネルギーにあるのが典型的だからである。このことは、典型的な燐光有機金属化合物にとって、最低一重項励起状態が、最低三重項励起状態へ速やかに崩壊し、それから燐光が生ずることを意味している。これに対し、蛍光装置では、励起子の僅かな%(約25%)しか、一重項励起状態から得られる蛍光ルミネッセンスを生ずることができない。有機分子の最低三重項励起状態で生ずる蛍光装置中の残余の励起子は、蛍光を生ずるエネルギー的には好ましくない一層高い一重項励起状態へ転化することができないのが典型的である。従って、このエネルギーは無発光崩壊過程により失われることになり、それは装置を加熱する傾向を持つだけである。
結局、大きな効率のOLEDで、発光材料として燐光材料を用いることができると言う発見以来、現在まで更に一層効率的な電気燐光材料及びそのような材料を含むOLED構造体を見出すことに大きな関心が持たれている。
燐光ドーパント、facトリス(2−フェニルピリジン)イリジウム〔Ir(ppy)3〕を用いた高効率有機発光装置(OLED)が、幾つかの異なった伝導性ホスト材料を用いて実証されてきている。M.A.バルド(Baldo)その他、Nature, vol. 395, 151 (1998);D.F.オブライエン(O'Brien)その他、Appl. Phys. Lett., vol. 74, 442 (1999);M.A.バルドその他、Appl. Phys. Lett., vol. 75, 4 (1999);T.ツツイ(Tsutsui)その他、Japanese. J. Appl. Phys., Part 2, vol. 38, L1502 (1999);C.アダチ(Adachi)その他、Appl. Phys. Lett., vol. 77, 904 (2000);M.J.ヤング(Yang)その他、Japanese. J. Appl.Phys., Part 2, vol. 39, L828 (2000);及びC.L.リー(Lee)その他、Appl. Phys. Lett., vol. 77, 2280 (2000)。緑色発光Ir(ppy)3の金属・リガンド電荷移動状態の三重項レベルは、2.5eV〜3.0eV間にあるので、約400nmの所にピーク波長を有する深青色発蛍光団、例えば、4,4′−N, N′−ジカルバゾール−ビフェニル(CBP)は、三重項エネルギー移動及び励起子閉じ込め媒体としての候補になると思われる。CBP中に6%〜10%のIr(ppy)3を用いると、効率的なIr(ppy)3燐光体を与えることになる。ドーパントとホストとの間のエネルギー共鳴の外に、ホスト層中の電荷キャリヤー注入及び輸送の制御が、発光性励起子の効率的形成を達成するのに必要であると考えられる。2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−フェナントロリン(BCP)電子輸送及び励起子ブロック層と共に、CBP中へドープしたIr(ppy)3を用いて、大きな電気燐光効率が達成されている。M.A.バルドその他、Appl. Phys. Lett., vol. 75, 4 (1999)。その装置では、ドープしたCBP層がホールを容易に輸送することが判明している。
燐光OLEDに現在用いられている材料を用いて、100%に近い内部量子効率を有する装置を形成することができる。しかし、これらの従来の装置でホール輸送、再結合、及びブロック層を形成するのに用いられている材料は、スペクトルの緑色部分の発光に相当する三重項エネルギーを持つ傾向がある。青色燐光を生ずることができるドーパントを、現存する材料及び構造を利用したそのような装置中に挿入すると、発光が、全くではないとしても、マトリックス材料からだけの非効率的なものになり、燐光ドーパント材料からのものではなくなる。従って、可視電磁波スペクトルの青色領域で発光することができる効率的OLED構造体を見出すことは非常に重要である。
(本発明の概要)
本発明は、二重ドープ層構造を有する燐光OLEDに関する。本発明のOLEDは、アノード、そのアノードの上の第一ホール輸送(hole transporting)層(HTL)、前記第一HTL上の、燐光材料をドープした第二HTL、前記第二HTL上の、燐光材料をドープした第一電子輸送(electron transporting)層(ETL)、前記第一ETLの上の第二ETL、及び前記第二ETLの上のカソードを有するのが典型的である。本発明の各態様で、OLEDは、燐光材料が中にドープされたHTL及び同じ燐光材料が中にドープされたETLを有する。
本発明は、好ましくは可視スペクトルの青色範囲で光を発する二重ドープ層構造を有する燐光OLEDに関する。好ましくは、本発明の燐光OLEDは、大きな効率レベルを有する青色燐光OLEDを含む。
(詳細な説明)
本発明は、以下の記述で例示的態様に関連して記述する。これらの態様は単に説明のための例として考えられており、本発明をそれらに限定するものではない。
本発明は、二重ドープ層構造を有する燐光有機発光装置(OLED)に関する。即ち、本発明の各態様で、OLEDは、燐光材料が中にドープされたホール輸送層(HTL)、同じ燐光材料がドープされた電子輸送層(ETL)を有する。例えば、本発明のOLEDは、アノード、第一HTL、燐光材料をドープした第二HTL、燐光材料をドープした第一ETL、第二ETL、及びカソードから構成することができる。本発明に従い、ホール輸送層の燐光ドーパントは、電子輸送層の燐光ドーパントと同じ材料である。第一HTLを構成する材料は、第二HTLを構成する材料と同じである必要はなく、第一ETLを構成する材料は、第二ETLを構成する材料と同じである必要はない。ホール輸送層材料は、電荷キャリヤー輸送が、主にホールの輸送により行われる材料であり、電子輸送材料は、電荷キャリヤー輸送が、主に電子の輸送により行われる材料であることは、当業者に分かるであろう。
本発明の一つの態様として、OLED構造体は、基体、前記基体上のアノード、前記アノード上の第一HTL、前記第一HTLの上の、燐光材料をドープした第二HTL、前記第二HTL上の、燐光材料をドープした第一ETL、前記第一ETLの上の第二ETL、及び前記第二ETLの上のカソードを有する。
本発明の別の態様として、OLED構造体は、基体の上に反転したOLEDを有する。この態様では、カソードが基体の上に配置され、カソードの上に第二ETL、第二ETLの上に第一ETL、第一ETLの上に第二HTL、第二HTLの上に第一HTL、及び第一HTLの上にカソードを有する。第二HTL及び第一ETLは、燐光材料がドープされている。別法として、更に別の態様として、反転OLEDは、燐光材料をドープしたHTL、及び燐光材料をドープしたETLを持っていてもよい。
例えば、第一ホール輸送層は、実質的にホール注入層(HIL)としての機能を果たしてもよい。本発明のホール注入材料は、アノードからホール注入材料へ効率的なホール注入を与えるように、アノード表面を平坦化するか又は濡らす材料として特徴付けることができる。本発明のホール注入材料は、更に、ここに記載する相対的IPエネルギーによって定義するが、HIL層の一方の側上の隣接アノード層と、HILの他方の側上の燐光ドープホール輸送層と都合よく整合するHOMO(最高占有分子軌道)エネルギーレベルを有するものとして特徴付けられている。
HIL材料についての好ましい性質は、ホールがアノードからHIL材料へ効率的に注入できることである。特にHIL材料は、アノード材料のIPよりも約0.7eV以下大きいIPを有するのが好ましい。一層好ましくは、HIL材料は、アノード材料よりも約0.5eV以下大きいIPを有する。
HIL材料は、更に、OLEDのホール輸送層で典型的に用いられている慣用的ホール輸送材料とは、そのようなHIL材料が、慣用的ホール輸送材料のホール移動度よりも実質的に小さいホール移動度を有すると言う点で、区別される。例えば、m−MTDATAは、例えば、4,4′−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)、又はN,N′−ビス(3−メチルフェニル)−N,N′−ジフェニル−[1,1′−ビフェニル]4,4′−ジアミン(TPD)からなるHTL中へITOからのホール注入を促進するのに、恐らくHTL HONOレベル/ITOオフセットエネルギーの減少、又はITO表面の濡れにより、効果的であるとして確認されている。約5×10-4cm2/V秒及び9×10-4cm2/V秒のホール移動度を夫々有するα−NPD又はTPDのような慣用的ホール輸送材料と比較して、HIL材料m−MTDATAは、約3×10-5cm2/V秒のホール移動度を有すると考えられている。従って、m−MTDATA材料は、一般に用いられているHIL材料α−NPD及びTPDよりも一桁大きいホール移動度を有する。
二つのHTLを含有する本発明のそれらの態様では、第一HTLは、良好な電荷(即ち、ホール)の輸送体として働くどのような適当な材料を含んでいてもよい。適当なホール輸送材料が当分野で知られており、第一ホール輸送層に適している材料の例は、米国特許第5,707,745号明細書(これは参考のため全体的にここに入れてある)に見出すことができる。第一ホール輸送層として用いるのに適した他の材料には、例えば、4,4′−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD);N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)1−1′ビフェニル−4,4′−ジアミン(TPD);4,4′−ビス[N,N′−(3−トリル)アミノ]−3,3′−ジメチルビフェニル(M14);4,4′,4″−トリス(30メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA);及び4,4′−ビス[N,N′−(3−トリル)アミノ]−3,3′−ジメチルビフェニル(HMTPD)が含まれる。好ましい態様として、第一ホール輸送層は、次の化学式を有する3,3′−ジメチル−N4,N4,N4′,N4′−テトラ−p−トリル−ビフェニル−4,4′−ジアミン(R854)である:
Figure 0004994564
燐光材料をドープした発光層(EML)である第二HTLは、良好な電荷(即ち、ホール)の輸送体として働き、高度に発光性のゲストにエネルギーを効果的に移行させるどのような適当な材料を含んでいてもよい。適当なホール輸送材料が当分野で知られており、第二ホール輸送層に適している材料の例は、米国特許第5,707,745号明細書(これは、上で示したように、参考のため全体的にここに入れてある)に見出すことができる。第二ホール輸送層として用いるのに適した他の材料には、例えば、4,4′−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD);N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)1−1′ビフェニル−4,4′−ジアミン(TPD);4,4′−ビス[N,N′−(3−トリル)アミノ]−3,3′−ジメチルビフェニル(M14);4,4′,4″−トリス(30メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA);及び4,4′−ビス[N,N′−(3−トリル)アミノ]−3,3′−ジメチルジフェニル(HMTPD)が含まれる。一つの好ましい態様として、第二ホール輸送層は、次の化学式を有する3,3′−ジメチル−N4,N4,N4′,N4′−テトラ−p−トリル−ビフェニル−4,4′−ジアミン(R854)である:

Figure 0004994564
燐光材料をドープした発光層(EML)である第一ETLは、良好な電荷(即ち、電子)の輸送体として働き、高度に発光性のゲストにエネルギーを効果的に移行させるどのような適当なホスト材料を含んでいてもよい。適当な電子輸送材料が当分野で知られており、第一電子輸送層に適している材料の例は、共願の2000年8月5日に出願された米国特許出願Serial No.09/629,335(これは参考のため全体的にここに入れてある)に見出すことができる。第一電子輸送層として用いるのに適した材料の例には、例えば、1,3−ビス(N,N−t−ブチル−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(OXD−7)のようなオキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(バトクプロイン又はBCP)のようなフェナントロリン、BCP誘導体、又は置換又は非置換ベンズオキサゾール又はベンズチアゾール化合物が含まれる。好ましい態様として、第一電子輸送層は、次の化学式を有する3−フェニル−4−(1′−ナフチル)−5−フェニル−1,2,4−トリアゾール(TAZ)のホスト材料である:
Figure 0004994564
二つのETLを有する本発明のそれらの態様では、第二ETLは良好な電荷(即ち、電子)の移動体として働き、効果的な電子注入層(EIL)としての機能も果たすどのような適当な材料を含んでいてもよい。適当な電子移動材料は当分野で知られており、第二ETLに適した材料の例は、米国特許第5,707,745号明細書(これは、上で示したように、参考のため全体的にここに入れてある)に見出すことができる。好ましい態様として、第二ETLは、電子輸送材料、トリス−(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Alq3)からなり、これは第一電子輸送層へ電子を輸送するのに用いられ、次の化学式を有する:

Figure 0004994564
効果的な電子注入層は、フタロシアニン化合物、例えば、銅フタロシアニン(CuPc)からなっていてもよい。
電子注入層として働くことの外に、第二ETLは、ホールブロック層及び/又は励起子ブロック層としての機能も果たす。OLED装置内のホールブロック層及び/又は励起子ブロック層は、ホール及び/又は励起子の拡散を夫々実質的にブロックし、それによりホール及び/又は励起子を、夫々装置の発光領域内に実質的に保持し、装置効率を増大する。
どのような燐光発光体でも、本発明の燐光ドーパントとして用いることができる。好ましい燐光ドーパントは、共願の2000年8月11日に出願された米国特許出願Serial No.09/637,766(これは参考のため全体的にここに入れてある)に開示されている有機金属化合物である。そのような好ましい燐光ドーパントの例には、白金(II)(2−フェニルピリジナト−N,C2′)(アセチルアセトネート)[Pt(ppy)(acac)]、白金(II)(2−(p−トリル)ピリジナト−N,C2′)(アセチルアセトネート)[Pt(tpy)(acac)]、白金(II)(7,8−ベンゾキノリナト−N,C3′)(アセチルアセトネート)[Pt(bzq)(acac)]、白金(II)(2−(2′−(4′,5′−ベンゾチエニル)ピリジナト−N,C3′)(アセチルアセトネート)[Pt(btp)(acac)]、白金(II)(2−(4′,6′−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2′)(アセチルアセトネート)[Pt(4,6−F2ppy)(acac)]、白金(II)(2−(4′,5′−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2′)(アセチルアセトネート)[Pt(4,5−F2ppy)(acac)]、及び白金(II)(2−(4′,5′−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2′)(2−ピコリナト)[Pt(4,5−F2ppy)(pico)]が含まれ、それらの対応する化学構造は次のように下に見ることができる:

Figure 0004994564
別の好ましい燐光ドーパントは、イリジウム(2−(4′,6′−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2′)(2−ピコリナト)[Ir(4,6−F2ppy)(pico)]であり、本明細書中後で論ずる本発明の実施例で燐光ドーパントとして用いられている。
本発明のOLED構造では、光は装置の基体側から出るか、又は別法として、装置の基体とは反対側から、即ち上面発光装置として光を出す。上面発光装置は、装置の上面からのみ光を出し、基体を通っては出ないように、不透明及び/又は反射性基体を有する装置である。基体は、装置の底部にあるものとして言及されるのが典型的である。
本発明による基体は、不透明又は実質的に透明な堅い又は可撓性、且つ/又はプラスチック、金属、又はガラスでもよい。基体は、ここに記載された厚さ範囲に限定されるものではないが、もし可撓性プラスチック又は金属箔基体として存在するならば10mm位の薄いものでもよく、或は堅い透明又は不透明の基体として存在するならば、又は基体が珪素から作られているならば、実質的に一層厚いものでもよい。
適当な電極(即ち、アノード及びカソード)材料には、金属接点を形成する金属、金属合金、又はITOのような伝導性材料が含まれる。電気接点の堆積は、蒸着又は他の適当な金属堆積法により達成することができる。これらの電気接点は、例えば、インジウム、マグネシウム、白金、金、銀、又はTi/Pt/Au、Cr/Au、又はMg/Agのような組合せ物から作ることができる。
一番上の電極層(即ち、カソード又はアノード、典型的にはカソード)、即ちOLEDの基体から最も遠い側上に電極を堆積する場合、有機層への損傷を回避すべきである。例えば、有機層は、それらのガラス転移温度より高く加熱されるべきではない。一番上の電極は、基体に対し実質的に垂直な方向から堆積するのが好ましい。
好ましい態様として、カソードは、金属層のような、低仕事関数電子注入材料であるのが好ましい。カソードは、約4eVより小さい仕事関数を有するのが好ましい。カソードは、約100Å以下の厚さの金属層であるのが好ましく、約50Å以下の厚さでもよい。接点は、マグネシウム銀、又はマグネシウムと銀との合金から作るのが好ましい。金属カソード層は、もしカソード層を不透明にするならば、実質的に一層厚くてもよい。
上面発光装置のためには、米国特許第5,703,436号明細書、又は共願の米国特許出願Serial No.08/964,863及び09/054,707に記載されているような透明カソードを用いてもよい。透明カソードは、OLEDが少なくとも約50%の光学的透過率を有するような光透過特性を有する。透明カソードは、OLEDが少なくとも70%、一層好ましくは少なくとも約85%の光学的透過率を持つことができるようにする光透過特性を有するのが好ましい。
アノードは、大きな仕事関数を持つホール注入金属アノード層、例えば、インジウム錫酸化物(ITO)層であるのが好ましい。ITOは透明伝導体であり、アノードとしての機能を果たす。ITOは、広帯域半導体をドープすることにより形成された縮退型半導体である。ITOのキャリヤー濃度は、1019/cm3を越えている。ITOアノード層は、約500Å〜約4000Å以上の厚さでもよい。不透明又は反射性アノードを用いた上面発光装置の場合、Auのような高仕事関数金属を用いてもよい。
本発明のOLEDは、三つの原色、赤、緑、及び青の一つに相当する選択されたスペクトル範囲に近く中心を持つ比較的狭い帯域でエレクトロルミネッセンス発光を与える材料を用いて製造し、それらをOLED中の着色層として用いることができるようにするのが望ましい。そのような化合物は、真空蒸着された有機材料から全体的に製造されるOLED中へ容易に組込むことができるように、真空蒸着法を用いて薄い層として容易に蒸着することができることも望ましい。
本発明のOLED及びOLED構造体は、場合により、保護層(製造工程中、或る材料を保護するため)、絶縁層、或る方向へ波を導くための反射性層、及び環境からそれらの層を保護するために電極及び有機層を覆う保護キャップのような、希望の効果により付加的材料又は層を含んでいる。絶縁層及び保護キャップについての記述は、例えば、米国特許第6,013,538号明細書(これは参考のため全体的にここに入れてある)に含まれている。
反転順序のOLED層が存在するか否か、OLEDが好ましいスペクトル範囲中で発光するように考えられているか否か、又は更に別の設計変更が用いられているか否かにより、存在する層の種類、数、厚さ、及び順序に実質的な変動があるであろう。
本発明を、その或る特定の代表的態様を如何に作ることができるかを示すことに関連して次に詳細に記述するが、材料、装置、及び処理工程は、単に説明することを目的とした例として理解されるべきである。特に、本発明は、ここに特別に記載した方法、材料、条件、工程パラメーター、装置等に限定されるものではない。
例1
ITO(インジウム錫酸化物)被覆ガラス基体上に第一HTLを先ず堆積した。第一HTLは、約400ÅのR854からなっている。第二HTLは約200ÅのR854からなっており、第一HTL上に堆積されている。第二HTLはIr(4,6−F2ppy)(pico)で約6%ドープされている。第一ETLは、約200ÅのTAZからなり、第二HTL上に堆積されている。第一ETLは、Ir(4,6−F2ppy)(pico)で約6%ドープされている。約400Åの厚さを有するAlq3の第二ETLを、第一ETL上に堆積する。第二ETL上にMg/Ag電極を堆積することにより、装置を完成した。このMg/Ag電極は約100nmの厚さを持っていた。堆積は全て5×10-5トールよりも低い真空度で行なった。装置は、包装することなく、空気中で試験した。
図1は、二つの異なったOLEDについて波長の関数としてEL強度を描いたグラフを示している。第一OLED(ホスト#1)は、ITO/R854(450Å)/TAZ:6%−Ir(4,6−F2ppy)(pico)(250Å)/Alq3(450Å)/MgAg層構造を有し、第二OLED(ホスト#2)は、上の例1による構造を有する。即ち、第一OLED及び第二OLEDは、構造が似ており、但し、第一OLEDは、例1の代表である第二OLEDには存在する燐光材料をドープした第二ホール輸送層を欠いている。図1から分かるように、両方のOLEDは約472nmの所でピークEL強度を示しているが、第一OLED(燐光材料をドープした第二HTLを欠いている)は、約400nmの所に別のピーク強度を有する。この別のピークを除くことは、全装置効率を増大するのに役立つ。更に、隣接した燐光ドープ層を使用することも、エキシプレックスの形成を除くことにより装置効率を増大するのに役立つと考えられる。
図2は、6%−Ir(4,6−F2ppy)(pico)ドープR854/6%−Ir(4,6−F2ppy)(pico)ドープTAZ装置の外部量子効率(ηext)を示している。約2%の最大ηextが、約0.1〜1.0mA/cm2 の電流密度で得られており、CIEの値はX=0.14及びY=0.32である。
これは、スペクトルの青色領域で電気蛍光の存在を証明した最初の報告であると考えられる。更に、2%の外部量子効率は、ここで青色電気燐光を生ずるとして記載した材料及び装置構造を用いて、最終的に更に大きな量子効率を達成することができるであろうことを示している。
図2は、6%−Ir(4,6−F2ppy)(pico)ドープR854/6%−Ir(4,6−F2ppy)(pico)ドープTAZ装置の電力効率(ηp)を示している。約2.5lm/Wの最大ηpが、約0.1mA/cm2 の電流密度で得られている。
本発明の構造は、例えば、実質的にどんな種類の装置にも用いることができ、それら装置には、一つ以上のOLEDを含む掲示板及び標識、コンピューターモニター、乗り物、電気通信装置、電話、印刷機、テレビ、大画面壁掛けスクリーン、劇場スクリーン及びスタジアムスクリーンが含まれる。
本発明を特定の実施例及び好ましい態様に関連して記述してきたが、本発明は、これらの実施例及び態様に限定されるものではないことは分かるであろう。特に、本発明は、極めて多種類の電気装置に適用することができる。従って、特許請求される本発明には、ここに記載する特定の実施例及び好ましい態様を変更したものが含まれることは、当業者に明らかであろう。
図1は、(1)ITO/R854(450Å)/TAZ:6%−Ir(4,6−F2ppy)(pico)(250Å)/Alq3(450Å)/MgAg層構造(ホスト#1)を有するOLED;及び(2)ITO/R854(400Å)/R854:6%−Ir(4,6−F2ppy)(pico)(200Å)/TAZ:6%−Ir(4,6−F2ppy)(pico)(200Å)/Alq3(400Å)/MgAg層構造(ホスト#2)を有するOLED;についての波長の関数としてエレクトロルミネッセンス(EL)強度を示すグラフである。
図2は、ITO/R854(400Å)/R854:6%−Ir(4,6−F2ppy)(pico)(200Å)/TAZ:6%−Ir(4,6−F2ppy)(pico)(200Å)/Alq3(400Å)/MgAg層構造を有するOLEDの各々について、(1)電流密度の関数として外部量子効率(ηext)及び(2)電流密度の関数として電力効率(ηp)を示したグラフである。

Claims (44)

  1. アノード、
    前記アノードの上のホール輸送層で、有機分子の三重項状態から発光をする燐光材料をドープしたホール輸送層、
    前記ホール輸送層の上の電子輸送層で、有機分子の三重項状態から発光をする前記燐光材料をドープした電子輸送層、及び
    前記電子輸送層の上のカソード、
    を有する有機発光デバイス(但し、希土類金属イオンと有機配位子とから成り、前記希土類金属イオンは放出状態を有し、前記有機配位子は1つ以上の一重項状態および1つ以上の三重項状態を有する、1種以上の金属錯体を含有する発光材料を具えた有機発光デバイスを除く)
  2. 視スペクトルの青色範囲内の光を発する、請求項1に記載の有機発光デバイス。
  3. ホール輸送層が、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD);N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)1−1’ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD);4,4’−ビス[N,N’−(3−トリル)アミノ]−3,3’−ジメチルビフェニル(M14);4,4’,4’’−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA);4,4’−ビス[N,N’−(3−トリル)アミノ]−3,3’−ジメチルビフェニル(HMTPD)、及び3,3’−ジメチル−N4,N4,N4’,N4’−テトラ−p−トリル−ビフェニル−4,4’−ジアミン(R854)からなる群からのものを含む、請求項1又は2に記載の有機発光デバイス。
  4. 電子輸送層が、オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体、フェナントロリン、置換ベンズオキサゾール、非置換ベンズオキサゾール、置換ベンズチアゾール、及び非置換ベンズチアゾール化合物からなる群から選択された化合物を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  5. 電子輸送層が、1,3−ビス(N,N−t−ブチル−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(OXD−7)、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(バトクプロイン又はBCP)、BCP誘導体、及び3−フェニル−4−(1’−ナフチル)−5−フェニル−1,2,4−トリアゾール(TAZ)からなる群からのものを含む、請求項4に記載の有機発光デバイス。
  6. 燐光材料が、白金(II)(2−フェニルピリジナト−N,C2’)(アセチルアセトネート)[Pt(ppy)(acac)]、白金(II)(2−(p−トリル)ピリジナト−N,C2’)(アセチルアセトネート)[Pt(tpy)(acac)]、白金(II)(7,8−ベンゾキノリナト−N,C3’)(アセチルアセトネート)[Pt(bzq)(acac)]、白金(II)(2−(2’−(4’,5’−ベンゾチエニル)ピリジナト−N,C3’)(アセチルアセトネート)[Pt(btp)(acac)]、白金(II)(2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’)(アセチルアセトネート)[Pt(4,6−F2ppy)(acac)]、白金(II)(2−(4’,5’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’)(アセチルアセトネート)[Pt(4,5−F2ppy)(acac)]、白金(II)(2−(4’,5’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’)(2−ピコリナト)[Pt(4,5−F2ppy)(pico)]、及びイリジウム(2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’)(2−ピコリナト)[Ir(4,6−F2ppy)(pico)]からなる群からのものを含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  7. カソードが、マグネシウム銀及びマグネシウム銀合金からなる群からのものを含み、アノードがインジウム錫酸化物(ITO)を含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  8. 掲示板、標識、コンピューターモニター、乗り物、電気通信装置、電話、印刷機、テレビ、大画面壁掛けスクリーン、劇場スクリーン、及びスタジアムスクリーンからなる群から選択された、請求項1〜7のいずれか一項に記載の有機発光デバイスを組込んだ電気装置。
  9. アノード、
    前記アノードの上の第一ホール輸送層、
    前記第一ホール輸送層の上の第二ホール輸送層で、有機分子の三重項状態から発光をする燐光材料をドープした第二ホール輸送層、
    前記第二ホール輸送層の上の第一電子輸送層で、有機分子の三重項状態から発光をする前記燐光材料をドープした第一電子輸送層、
    前記第一電子輸送の上の第二電子輸送層、及び
    前記第二電子輸送層の上のカソード、
    を有する有機発光デバイス(但し、希土類金属イオンと有機配位子とから成り、前記希土類金属イオンは放出状態を有し、前記有機配位子は1つ以上の一重項状態および1つ以上の三重項状態を有する、1種以上の金属錯体を含有する発光材料を具えた有機発光デバイスを除く)
  10. 視スペクトルの青色範囲内の光を発する、請求項9に記載の有機発光デバイス。
  11. 第一ホール輸送層が、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD);N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)1−1’ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD);4,4’−ビス[N,N’−(3−トリル)アミノ]−3,3’−ジメチルビフェニル(M14);4,4’,4’’−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA);4,4’−ビス[N,N’−(3−トリル)アミノ]−3,3’−ジメチルビフェニル(HMTPD)、及び3,3’−ジメチル−N4,N4,N4’,N4’−テトラ−p−トリル−ビフェニル−4,4’−ジアミン(R854)からなる群からのものを含み、第二ホール輸送層が、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD);N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)1−1’ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD);4,4’−ビス[N,N’−(3−トリル)アミノ]−3,3’−ジメチルビフェニル(M14);4,4’,4’’−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA);4,4’−ビス[N,N’−(3−トリル)アミノ]−3,3’−ジメチルビフェニル(HMTPD)、及び3,3’−ジメチル−N4,N4,N4’,N4’−テトラ−p−トリル−ビフェニル−4,4’−ジアミン(R854)からなる群からのものを含む、請求項9又は10に記載の有機発光デバイス。
  12. 第一ホール輸送層が、アノードのIPエネルギーよりも0.7eV以下大きいIPエネルギーを有する、請求項9〜11のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  13. 第一ホール輸送層が、アノードのIPエネルギーよりも0.5eV以下大きいIPエネルギーを有する、請求項12に記載の有機発光デバイス。
  14. 第一電子輸送層が、オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体、フェナントロリン、置換ベンズオキサゾール、非置換ベンズオキサゾール、置換ベンズチアゾール、及び非置換ベンズチアゾール化合物からなる群からのものを含み、第二電子輸送層が、トリス−(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Alq3)及びフタロシアニン化合物からなる群からのものを含む、請求項9〜13のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  15. 第一電子輸送層が、1,3−ビス(N,N−t−ブチル−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(OXD−7)、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(バトクプロイン又はBCP)、BCP誘導体、及び3−フェニル−4−(1’−ナフチル)−5−フェニル−1,2,4−トリアゾール(TAZ)からなる群からのものを含み、第二電子輸送層が、銅フタロシアニン(CuPc)を含む、請求項9〜13のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  16. 燐光材料が、白金(II)(2−フェニルピリジナト−N,C2’)(アセチルアセトネート)[Pt(ppy)(acac)]、白金(II)(2−(p−トリル)ピリジナト−N,C2’)(アセチルアセトネート)[Pt(tpy)(acac)]、白金(II)(7,8−ベンゾキノリナト−N,C3’)(アセチルアセトネート)[Pt(bzq)(acac)]、白金(II)(2−(2’−(4’,5’−ベンゾチエニル)ピリジナト−N,C3’)(アセチルアセトネート)[Pt(btp)(acac)]、白金(II)(2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’)(アセチルアセトネート)[Pt(4,6−F2ppy)(acac)]、白金(II)(2−(4’,5’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’)(アセチルアセトネート)[Pt(4,5−F2ppy)(acac)]、白金(II)(2−(4’,5’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’)(2−ピコリナト)[Pt(4,5−F2ppy)(pico)]、及びイリジウム(2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’)(2−ピコリナト)[Ir(4,6−F2ppy)(pico)]からなる群からのものを含む、請求項9〜15のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  17. カソードが、マグネシウム銀及びマグネシウム銀合金からなる群からのものを含み、アノードがインジウム錫酸化物(ITO)を含む、請求項9〜16のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  18. 掲示板、標識、コンピューターモニター、乗り物、電気通信装置、電話、印刷機、テレビ、大画面壁掛けスクリーン、劇場スクリーン、及びスタジアムスクリーンからなる群から選択された、請求項9〜17のいずれか一項に記載の有機発光デバイスを組込んだ電気装置。
  19. 基体、
    前記基体の上のアノード、
    前記アノードの上の第一ホール輸送層、
    前記第一ホール輸送層の上の第二ホール輸送層で、有機分子の三重項状態から発光をする燐光材料をドープした第二ホール輸送層、
    前記第二ホール輸送層の上の第一電子輸送層で、有機分子の三重項状態から発光をする前記燐光材料をドープした第一電子輸送層、
    前記第一電子輸送の上の第二電子輸送層、及び
    前記第二電子輸送層の上のカソード、
    を有する有機発光デバイス(但し、希土類金属イオンと有機配位子とから成り、前記希土類金属イオンは放出状態を有し、前記有機配位子は1つ以上の一重項状態および1つ以上の三重項状態を有する、1種以上の金属錯体を含有する発光材料を具えた有機発光デバイスを除く)
  20. 視スペクトルの青色範囲内の光を発する、請求項19に記載の有機発光デバイス。
  21. 第一ホール輸送層が、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD);N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)1−1’ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD);4,4’−ビス[N,N’−(3−トリル)アミノ]−3,3’−ジメチルビフェニル(M14);4,4’,4’’−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA);4,4’−ビス[N,N’−(3−トリル)アミノ]−3,3’−ジメチルビフェニル(HMTPD)、及び3,3’−ジメチル−N4,N4,N4’,N4’−テトラ−p−トリル−ビフェニル−4,4’−ジアミン(R854)からなる群からのものを含み、第二ホール輸送層が、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD);N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)1−1’ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD);4,4’−ビス[N,N’−(3−トリル)アミノ]−3,3’−ジメチルビフェニル(M14);4,4’,4’’−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA);4,4’−ビス[N,N’−(3−トリル)アミノ]−3,3’−ジメチルビフェニル(HMTPD)、及び3,3’−ジメチル−N4,N4,N4’,N4’−テトラ−p−トリル−ビフェニル−4,4’−ジアミン(R854)からなる群からのものを含む、請求項19又は20に記載の有機発光デバイス。
  22. 第一ホール輸送層が、アノードのIPエネルギーよりも0.7eV以下大きいIPエネルギーを有する、請求項19〜21のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  23. 第一ホール輸送層が、アノードのIPエネルギーよりも0.5eV以下大きいIPエネルギーを有する、請求項22に記載の有機発光デバイス。
  24. 第一電子輸送層が、オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体、フェナントロリン、置換ベンズオキサゾール、非置換ベンズオキサゾール、置換ベンズチアゾール、及び非置換ベンズチアゾール化合物からなる群からのものを含み、第二電子輸送層が、トリス−(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Alq3)及びフタロシアニン化合物からなる群からのものを含む、請求項19〜23のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  25. 第一電子輸送層が、1,3−ビス(N,N−t−ブチル−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(OXD−7)、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(バトクプロイン又はBCP)、BCP誘導体、及び3−フェニル−4−(1’−ナフチル)−5−フェニル−1,2,4−トリアゾール(TAZ)からなる群からのものを含み、第二電子輸送層が、銅フタロシアニン(CuPc)を含む、請求項19〜23のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  26. 燐光材料が、白金(II)(2−フェニルピリジナト−N,C2’)(アセチルアセトネート)[Pt(ppy)(acac)]、白金(II)(2−(p−トリル)ピリジナト−N,C2’)(アセチルアセトネート)[Pt(tpy)(acac)]、白金(II)(7,8−ベンゾキノリナト−N,C3’)(アセチルアセトネート)[Pt(bzq)(acac)]、白金(II)(2−(2’−(4’,5’−ベンゾチエニル)ピリジナト−N,C3’)(アセチルアセトネート)[Pt(btp)(acac)]、白金(II)(2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’)(アセチルアセトネート)[Pt(4,6−F2ppy)(acac)]、白金(II)(2−(4’,5’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’)(アセチルアセトネート)[Pt(4,5−F2ppy)(acac)]、白金(II)(2−(4’,5’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’)(2−ピコリナト)[Pt(4,5−F2ppy)(pico)]、及びイリジウム(2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’)(2−ピコリナト)[Ir(4,6−F2ppy)(pico)]からなる群からのものを含む、請求項19〜25のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  27. カソードが、マグネシウム銀及びマグネシウム銀合金からなる群からのものを含み、アノードがインジウム錫酸化物(ITO)を含む、請求項19〜26のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  28. 基体が、プラスチック、金属、及びガラスからなる群からのものを含む、請求項19〜27のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  29. 基体が実質的に透明である、請求項19〜28のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  30. 基体が不透明であり、カソードが透明である、請求項19〜28のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  31. 掲示板、標識、コンピューターモニター、乗り物、電気通信装置、電話、印刷機、テレビ、大画面壁掛けスクリーン、劇場スクリーン及びスタジアムスクリーンからなる群から選択された、請求項19〜30のいずれか一項に記載の有機発光デバイスを組込んだ電気装置。
  32. 基体、
    前記基体の上のカソード、
    前記カソードの上の第一電子輸送層、
    前記第一電子輸送層の上の第二電子輸送層で、有機分子の三重項状態から発光をする燐光材料をドープした第二電子輸送層、
    前記第二電子輸送層の上の第一ホール輸送層で、有機分子の三重項状態から発光をする前記燐光材料をドープした第一ホール輸送層、
    前記第一ホール輸送の上の第二ホール輸送層、及び
    前記第二ホール輸送層の上のアノード、
    を有する有機発光デバイス(但し、希土類金属イオンと有機配位子とから成り、前記希土類金属イオンは放出状態を有し、前記有機配位子は1つ以上の一重項状態および1つ以上の三重項状態を有する、1種以上の金属錯体を含有する発光材料を具えた有機発光デバイスを除く)
  33. 視スペクトルの青色範囲内の光を発する、請求項32に記載の有機発光デバイス。
  34. 第一ホール輸送層が、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD);N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)1−1’ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD);4,4’−ビス[N,N’−(3−トリル)アミノ]−3,3’−ジメチルビフェニル(M14);4,4’,4’’−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA);4,4’−ビス[N,N’−(3−トリル)アミノ]−3,3’−ジメチルビフェニル(HMTPD)、及び3,3’−ジメチル−N4,N4,N4’,N4’−テトラ−p−トリル−ビフェニル−4,4’−ジアミン(R854)からなる群からのものを含み、第二ホール輸送層が、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD);N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)1−1’ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD);4,4’−ビス[N,N’−(3−トリル)アミノ]−3,3’−ジメチルビフェニル(M14);4,4’,4’’−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA);4,4’−ビス[N,N’−(3−トリル)アミノ]−3,3’−ジメチルビフェニル(HMTPD)、及び3,3’−ジメチル−N4,N4,N4’,N4’−テトラ−p−トリル−ビフェニル−4,4’−ジアミン(R854)からなる群からのものを含む、請求項32又は33に記載の有機発光デバイス。
  35. 第二ホール輸送層が、アノードのIPエネルギーよりも0.7eV以下大きいIPエネルギーを有する、請求項32〜34のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  36. 第二ホール輸送層が、アノードのIPエネルギーよりも0.5eV以下大きいIPエネルギーを有する、請求項35に記載の有機発光デバイス。
  37. 第二電子輸送層が、オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体、フェナントロリン、置換ベンズオキサゾール、非置換ベンズオキサゾール、置換ベンズチアゾール、及び非置換ベンズチアゾール化合物からなる群からのものを含み、第一電子輸送層が、トリス−(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Alq3)及びフタロシアニン化合物からなる群からのものを含む、請求項32〜36のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  38. 第二電子輸送層が、1,3−ビス(N,N−t−ブチル−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(OXD−7)、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(バトクプロイン又はBCP)、BCP誘導体、及び3−フェニル−4−(1’−ナフチル)−5−フェニル−1,2,4−トリアゾール(TAZ)からなる群からのものを含み、第一電子輸送層が、銅フタロシアニン(CuPc)を含む、請求項32〜36のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  39. 燐光材料が、白金(II)(2−フェニルピリジナト−N,C2’)(アセチルアセトネート)[Pt(ppy)(acac)]、白金(II)(2−(p−トリル)ピリジナト−N,C2’)(アセチルアセトネート)[Pt(tpy)(acac)]、白金(II)(7,8−ベンゾキノリナト−N,C3’)(アセチルアセトネート)[Pt(bzq)(acac)]、白金(II)(2−(2’−(4’,5’−ベンゾチエニル)ピリジナト−N,C3’)(アセチルアセトネート)[Pt(btp)(acac)]、白金(II)(2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’)(アセチルアセトネート)[Pt(4,6−F2ppy)(acac)]、白金(II)(2−(4’,5’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’)(アセチルアセトネート)[Pt(4,5−F2ppy)(acac)]、白金(II)(2−(4’,5’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’)(2−ピコリナト)[Pt(4,5−F2ppy)(pico)]、及びイリジウム(2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’)(2−ピコリナト)[Ir(4,6−F2ppy)(pico)]からなる群からのものを含む、請求項32〜38のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  40. カソードが、マグネシウム銀及びマグネシウム銀合金からなる群からのものを含み、アノードがインジウム錫酸化物(ITO)を含む、請求項32〜39のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  41. 基体が、プラスチック、金属、及びガラスからなる群からのものを含む、請求項32〜40のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  42. 基体が実質的に透明である、請求項32〜41のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  43. 基体が不透明であり、アノードが透明である、請求項32〜41のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  44. 掲示板、標識、コンピューターモニター、乗り物、電気通信装置、電話、印刷機、テレビ、大画面壁掛けスクリーン、劇場スクリーン、及びスタジアムスクリーンからなる群から選択された、請求項32〜43のいずれか一項に記載の有機発光デバイスを組込んだ電気装置。
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