CN102738398A - 一种白光电致发光器件 - Google Patents

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周明杰
王平
黄辉
陈吉星
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Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
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Abstract

本发明属于光电子器件领域，其公开了一种白光电致发光器件，该器件为层状结构，该层状结构依次为：基底/导电层/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/第一蓝光发光层/第一间隔层/磷光发光层/第二间隔层/第二蓝光发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极层；第一蓝光发光层和第二蓝光发光层的材质均为铍配合物材料中掺杂蓝光材料；磷光发光层的材质为铍配合物材料中掺杂红光磷光材料和绿光磷光材料。本发明的白光电致发光器件，蓝光发光层与磷光发光层制备的混合发光层，在蓝光发光层与磷光发光层之间插入间隔层，可使蓝光材料的三线态激子扩散到红光和绿光两个磷光发光层中辐射跃迁发光，进一步提高器件的发光效率。

Description

一种白光电致发光器件
技术领域
本发明涉及一种光电子器件领域，尤其是涉及一种白光电致发光器件。
背景技术
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
发光材料是影响发光效率的最重要的因素，发光材料可以分为荧光材料(即蓝光材料)和磷光材料(即红光磷光材料和/或绿光磷光材料)，荧光材料由于三线态跃迁受阻，因此，只能通过单线态的辐射失活而发光，三线态激子与单线态激子的比例约为3∶1；而由于荧光材料只有25wt％的激子可以有效的利用，剩下的75wt％都通过非辐射衰减，能量以热的形式释放，使器件温度升高，从而减少器件的寿命，而磷光材料则由于金属原子自身较强的自旋耦合作用，因此，使得原来不可能的三线态跃迁成为可能，因此，发光效率大大提高，目前绿光磷光材料和红光磷光材料的发光效率都比较好，材料稳定性较高，而蓝光材料的寿命和稳定性都不太好，制约了蓝光的发光。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以提高发光效率的白光电致发光器件。
本发明的技术方案如下：
一种白光电致发光器件，该器件为层状结构，该层状结构依次为：基底/导电层/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/第一蓝光发光层/第一间隔层/磷光发光层/第二间隔层/第二蓝光发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极层；
所述第一蓝光发光层和第二蓝光发光层的材质均为铍配合物材料中掺杂蓝光材料，且铍配合物材料为主体材料，蓝光材料的掺杂质量百分比为5-20wt％；
所述磷光发光层的材质为铍配合物材料中掺杂红光磷光材料和绿光磷光材料，且铍配合物材料为主体材料，红光磷光材料的掺杂质量百分比为0.5-5wt％，红光磷光材料的掺杂质量百分比为5-10wt％；
在上述白光电致发光器件中：
基底和导电层可以采用ITO(氧化铟锡)玻璃，其中，玻璃为基底，ITO为导电层；阴极层的材料可以为银(Ag)、铝(Al)、银镁(Ag-Mg)合金或金(Au)中的任一种；
蓝光材料为Perylene(苝)、二萘嵌苯衍生物(TBPe)、三苯胺二苯乙烯衍生物(DPAVBi或DPAVB)、三苯胺连萘基乙烯衍生物(BDAVBi)或苯乙烯衍生物(BCzVB或BCzVBi)中的任一种；
所述第一间隔层和第二间隔层的材料均为所述铍配合物材料，且第一间隔层和第二间隔层的材料与第一蓝光发光层、第二蓝光发光层、磷光发光层的主体材料一致；
所述铍配合物材料为吩基吡啶铍(Bepp2)、10-羟基苯并喹啉铍(BeBq2)、8-羟基喹啉铍(BeqQ2)、2-甲基-8-羟基喹啉铍(BeMQ2)、8-羟基喹啉铍(BeQ2)、或7-丙基-8羟基喹啉铍(BePrQ2)中的任一种；
红光磷光材料为二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(piq)2(acac))或三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)；
绿光磷光材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))或乙酰丙酮酸二(2-对苯氧基苯基吡啶)铱((Oppy)2Ir(acac))中的任一种；
空穴注入层采用三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、VOx或五氧化二钒(V2O5)中的任一种；.
空穴传输层与电子阻挡层分别采用1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁铜CuPc中的任一种；
电子传输层与空穴阻挡层分别采用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、2，5-二(1-萘基)-1，3，4-二唑(BND)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)中的任一种；
电子注入层为Cs2CO3、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF中的任一种。
本发明的白光电致发光器件，采用蓝光发光层与红光、绿光磷光材料制备混合发光层，在第一、二蓝光发光层与磷光发光层之间分别插入第一、二间隔层，阻挡蓝光发光层单线态扩散到磷光发光层中，同时，又使蓝光材料的三线态激子可以扩散到磷光发光层中跃迁发光，将第一、二蓝光发光层分别制备在磷光发光层的两侧，两侧蓝光发光层可以产生更多的三线态能量，从而转移到磷光发光层中，使磷光发光层充分的利用蓝光发光层产生的三线态能量而发光，磷光发光层由主体材料(铍配合物材料)与红光磷光材料和绿光磷光材料共掺杂制备而成，这种结构有效地提高了主体材料与发光材料之间的能量转移效率，从而提高发光层的发光效率。
附图说明
图1为本发明的白光电致发光器件的结构示意图；
图2为实施例1的白光电致发光器件能级图；
图3为实施例1的白光电致发光器件与参比白光电致发光器件的亮度电压图；其中，曲线1是实施例1的电流效率-电流密度的曲线，曲线2是对比例的电流效率-电流密度的曲线。
具体实施方式
本发明提供的一种白光电致发光器件，如图1所示，该器件为层状结构，该层状结构依次为：基底11/导电层12/空穴注入层13/空穴传输层14/电子阻挡层15/第一蓝光发光层16/第一间隔层17/磷光发光层18/第二间隔层19/第二蓝光发光层20/空穴阻挡层21/电子传输层22/电子注入层23/阴极层24；其中，第一蓝光发光层16/第一间隔层17/磷光发光层18/第二间隔层19/第二蓝光发光层20这一复合层结构构成了该电致发光器件的发光层；在该电致发光器件的发光层中，所述第一蓝光发光层16和第二蓝光发光层20的厚度均为5-15nm，两者的材质均选用铍配合物材料作为主体材料掺杂蓝光材料，且蓝光材料的掺杂质量百分比为5-20wt％；所述磷光发光层18的厚度为5-20nm，其材质选用铍配合物材料作为主体材料掺杂红光磷光材料和绿光磷光材料，且红光磷光材料的掺杂质量百分比为0.5-5wt％，绿光磷光材料的掺杂质量百分比为5-20wt％。
在上述白光电致发光器件中，每一有机功能层均采用蒸镀技术依次进行蒸镀制备的。
本发明的白光电致发光器件，各功能层的材质及制备工艺技术如下：
基底和导电层可以采用现有一体化的ITO(氧化铟锡)玻璃，其中，玻璃为基底，ITO为导电层；
蓝光材料为Perylene(苝)、二萘嵌苯衍生物(TBPe)、三苯胺二苯乙烯衍生物(DPAVBi或DPAVB)、三苯胺连萘基乙烯衍生物(BDAVBi)或苯乙烯衍生物(BCzVB或BCzVBi)中的任一种；
第一间隔层和第二间隔层的材料均为所述铍配合物材料，且第一间隔层和第二间隔层的材料与第一、二蓝光发光层、以及磷光发光层的主体材料(即铍配合物材料)相同；该铍配合物材料为吩基吡啶铍(Bepp2)、10-羟基苯并喹啉铍(BeBq2)、8-羟基喹啉铍(BeqQ2)、2-甲基-8-羟基喹啉铍(BeMQ2)、8-羟基喹啉铍(BeQ2)、或7-丙基-8羟基喹啉铍(BePrQ2)中的任一种
红光磷光材料为二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(piq)2(acac))或三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3))中的任一种；
绿光磷光材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac)))或者乙酰丙酮酸二(2-对苯氧基苯基吡啶)铱中的任一种；
空穴注入层的材料为三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、VOx或五氧化二钒(V2O5)中的任一种，优选为MoO3；其中，空穴注入层厚度为5-40nm，优选厚度为5nm；
空穴传输层和电子阻挡层的材料分别为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁铜(CuPc)中的任一种，空穴传输层和电子阻挡层的厚度分别为5-80nm；其中，空穴传输层优选NPB，优选厚度为40nm，电子阻挡层优选为TCTA，优选厚度为5nm；
电子传输层和空穴阻挡层的材料分别为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、2，5-二(1-萘基)-1，3，4-二唑(BND)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBi)或喹喔啉衍生物(TPQ)。其中，空穴阻挡层厚度为3-10nm，优选厚度为5nm，空穴阻挡层的材料优选为TPBi；电子传输层厚度为40-80nm，优选厚度为60nm，电子传输层的材料优选为Bphen；
电子注入层的材料为Cs2CO3、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF中的任一种，电子注入层的厚度0.5-5nm；对于该注入层的材料，也可采用Cs2CO3、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF与电子传输材料(如，2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、2，5-二(1-萘基)-1，3，4-二唑(BND)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBi)或喹喔啉衍生物(TPQ)中的任一种)掺杂组成的混合物中的任一种，掺杂比例为20-60wt％，此时的电子注入层厚度为20-60nm；就掺杂混合物材料而言，优选Bphen：CsN3，优选掺杂比例为20wt％，此时电子注入层厚度优选为40nm；
阴极层的材料可以为银(Ag)、铝(Al)、银镁(Ag-Mg)合金或金(Au)中的任一种，优选Al；该阴极层的厚度为20-200nm，优选厚度为150nm；
本发明的白光电致发光器件，用相对稳定，性能较好蓝光材料与红光、绿光磷光材料制备的发光层，由于三线态激子的扩散长度为100nm，单线态的扩散长度为5nm，为了使荧光材料单线态激子在荧光层中充分的进行Forster能量转移，且采用蓝光发光层与红光、绿光磷光材料制备混合发光层，在第一、二蓝光发光层与磷光发光层之间分别插入第一、二间隔层，阻挡蓝光发光层单线态扩散到磷光发光层中，同时，又使蓝光材料的三线态激子可以扩散到磷光发光层中跃迁发光，将第一、二蓝光发光层分别制备在磷光发光层的两侧，两侧蓝光发光层可以产生更多的三线态能量，从而转移到磷光发光层中，使磷光发光层充分的利用蓝光发光层产生的三线态能量而发光，磷光发光层由主体材料(铍配合物材料)与红光磷光材料和绿光磷光材料共掺杂制备而成，这种结构有效地提高了主体材料与发光材料之间的能量转移效率，从而提高发光层的发光效率。
下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。
实施例1
一种白光电致发光器件，其层状结构依次为：
玻璃/ITO/MoO3/NPB/TAPC/Bepp2：BCzVBi/Bepp2/Bepp2：Ir(ppy)3：Ir(MDQ)2(acac)/Bepp2/Bepp2：BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen：CsN3/Al。
首先，将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，然后对其进行氧等离子处理，处理时间为5-15min，功率为50W；接着在ITO导电层上依次蒸镀各有机功能层，得到白光电致发光器件；其中，
空穴注入层的材料为MoO3，厚度为5nm；
空穴传输层的材料为NPB，厚度10nm；
电子阻挡层的材料为TAPC，厚度为5nm；
第一蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料为Bepp2，掺杂比例为15wt％(质量百分比，下同)，该发光层厚度为10nm；
第一间隔层，其主体材料为Bepp2，且该间隔层厚度为2nm；
红色磷光发光层的红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)、绿光磷光材料为Ir(ppy)3、主体材料为Bepp2；红光磷光材料掺杂质量百分比为0.5wt％，绿光磷光材料掺杂比例为7wt％；该磷光发光层厚度为7nm；
第二间隔层，厚度为2nm，材料为Bepp2；
第二蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料为Bepp2，掺杂质量百分比为15wt％，该发光层厚度为10nm；
空穴阻挡层的材料为TPBi，厚度为10nm；
电子传输层的材料为Bphen，厚度为40nm；
电子注入层的材料为Bphen：CsN3，厚度为0.5nm，Bphen与CsN3的掺杂质量百分比为60wt％；
阴极层的材料为Al，厚度为80nm。
图2为实施例1的电子发光器能级图；从能级图上可以看到，在使用同一主体之后电子、空穴以及能量的传输转移没有了势垒的阻碍，可以最大程度的降低克服势垒所需要的能量损失，从而提高发光效率，而蓝光荧光层分别在磷光层的两侧，可以使更多的三线态能量转移到磷光层中，有利于提高磷光层的发光效率。
图3是该实施例的白光电致发光器件与参比白光电致发光器件的发光效率图；其中，曲线1是实施例1的电流效率-电流密度的曲线，曲线2是对比例的电流效率-电流密度的曲线；参比电致发光器件的结构：
玻璃/ITO/MoO3/NPB/TAPC/Bepp2：BCzVBi/Bepp2：Ir(ppy)3/Bepp2：Ir(MDQ)2(acac)/TPBi/Bphen/Bphen：CsN3/Al。
从图3可以看到，实施例1的器件最高电流效率为34cd/A，而没有间隔层，蓝光发光层没有制备在磷光发光层的两侧的参比器件亮度为27cd/A，这说明，当加入间隔层之后，电子和空穴的复合几率得到提高，同时，第一、二蓝光发光层制备在磷光发光层的两侧，也可以使蓝光材料产生更多的三线态扩散到磷光层而被红光、绿光磷光材料捕获，因此，器件的电流效率得到了增大。
实施例2
一种白光电致发光器件，其层状结构依次为：玻璃/ITO/WO3/TPD/TAPC/BeqQ2：TBPe/BeqQ2/BeqQ2：Ir(ppy)3：Ir(MDQ)2(acac)/BeqQ2/BeqQ2：TBPe/Alq3/BND/Cs2CO3/Ag。
首先，将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，然后对其进行氧等离子处理，处理时间为10min，功率为50W；接着在ITO导电层上依次蒸镀各有机功能层，得到白光电致发光器件；其中，
空穴注入层的材料为WO3，厚度为10nm；
空穴传输层的材料为TPD，厚度5nm；
电子阻挡层的材料为TAPC，厚度为20nm；
第一蓝光发光层的蓝光材料为TBPe，主体材料为BeqQ2，掺杂质量百分比为10wt％，该发光层厚度为15nm；
第一间隔层，其主体材料为BeqQ2，且该间隔层厚度为1nm；
磷光发光层的红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)，绿光磷光材料为Ir(ppy)3，主体材料为BeqQ2，红光磷光材料掺杂质量百分比为1.5wt％，绿光磷光材料掺杂比例为15wt％，该磷光发光层厚度为10nm；
第二间隔层，厚度为10nm，材料为BeqQ2；
第二蓝光发光层的蓝光材料为TBPe，主体材料为BeqQ2，掺杂质量百分比为5wt％，该发光层厚度为15nm；
空穴阻挡层的材料为Alq3，厚度为5nm；
电子传输层的材料为BND，厚度为80nm；
电子注入层的材料为Cs2CO3，厚度为5nm；
阴极层的材料为Ag，厚度为20nm。
实施例3
一种白光电致发光器件，其层状结构依次为：玻璃/ITO/VOx/TCTA/NPB/BeqQ2：DPAVBi/BeqQ2/BeqQ2：Ir(ppy)2(acac))：Ir(piq)2(acac)/BeqQ2/BeqQ2：DPAVBi/BND/TAZ/CsN3/Ag-Mg。
首先，将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，然后对其进行氧等离子处理，处理时间为15min，功率为50W；接着在ITO导电层上依次蒸镀各有机功能层，得到白光电致发光器件；其中，
空穴注入层的材料为VOx，厚度为40nm；
空穴传输层的材料为TCTA，厚度80nm；
电子阻挡层的材料为NPB，厚度为60nm；
第一蓝光发光层的蓝光材料为DPAVBi，主体材料为BeqQ2，掺杂质量百分比为20wt％，该发光层厚度为5nm；
第一间隔层，其主体材料为BeqQ2，且该间隔层厚度为2nm；
磷光发光层的红光磷光材料为Ir(piq)2(acac)，绿光磷光材料为Ir(ppy)2(acac))，主体材料为BeqQ2，红光磷光材料掺杂质量百分比为5wt％，绿光磷光材料掺杂比例为5wt％，该磷光发光层厚度为10nm；
第二间隔层，厚度为1nm，材料为BeqQ2；
第二蓝光发光层的蓝光材料为DPAVBi，主体材料为BeqQ2，掺杂质量百分比为20wt％，该发光层厚度为5nm；
空穴阻挡层的材料为BND，厚度为3nm；
电子传输层的材料为TAZ，厚度为80nm；
电子注入层的材料为CsN3，厚度为5nm；
阴极层的材料为Ag-Mg，厚度为200nm。
实施例4
一种白光电致发光器件，其层状结构依次为：玻璃/ITO/V2O5/TDAPB/CuPc/BePrQ2：BDAVBi/BePrQ2/BePrQ2：(OPPy)2Ir(acac)：Ir(piq)3/BePrQ2/BePrQ2：BDAVBi/TDAPB/TPBI/Bphen：CsN3/Al。
首先，将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，然后对其进行氧等离子处理，处理时间为5-15min，功率为50W；接着在ITO导电层上依次蒸镀各有机功能层，得到白光电致发光器件；其中，
空穴注入层的材料为V2O5，厚度为30nm；
空穴传输层的材料为TDAPB，厚度20nm；
电子阻挡层的材料为CuPc，厚度为5nm；
第一蓝光发光层的蓝光材料为BDAVBi，主体材料为BePrQ2，掺杂质量百分比为8wt％，该发光层厚度为12nm；
第一间隔层，其主体材料为BePrQ2，且该间隔层厚度为8nm；
磷光发光层的红光磷光材料为Ir(piq)3绿光磷光材料为(Oppy)2Ir(acac)，主体材料为BePrQ2，红光磷光材料掺杂质量百分比为2.5wt％，绿光磷光材料掺杂比例为8wt％，该磷光发光层厚度为13nm；
第二间隔层，厚度为2nm，材料为BePrQ2；
第二蓝光发光层的蓝光材料为BDAVBi，主体材料为BePrQ2，掺杂质量百分比为6wt％，该发光层厚度为12nm；
空穴阻挡层的材料为TDAPB，厚度为60nm；
电子传输层的材料为TPBI，厚度为20nm；
电子注入层的材料为LiF，厚度为2.5nm；
阴极层的材料为Au，厚度为50nm。
实施例5
一种白光电致发光器件，其层状结构依次为：玻璃/ITO/MoO3/TAPC/TAPC/BeBq2：苝/BeBq2/BeBq2：Ir(ppy)2(acac)：Ir(MDQ)2(acac)/BeBq2/BeBq2：苝/TPQ/Bphen/CsF/Al。
首先，将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，然后对其进行氧等离子处理处理时间为7min，功率为50W；接着在ITO导电层上依次蒸镀各有机功能层，得到白光电致发光器件；其中，
空穴注入层的材料为MoO3，厚度为30nm；
空穴传输层的材料为TAPC，厚度70nm；
电子阻挡层的材料为TAPC，厚度为50nm；
第一蓝光发光层的蓝光材料为苝，主体材料为BeBq2，掺杂质量百分比为17wt％，该发光层厚度为11nm；
第一间隔层，其主体材料为BeBq2，且该间隔层厚度为4nm；
磷光发光层的红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)，绿光磷光材料为Ir(ppy)2(acac)，主体材料为BeBq2，红光磷光材料掺杂质量百分比为3.5wt％，绿光磷光材料掺杂比例为9wt％，该磷光发光层厚度为6nm；
第二间隔层，厚度为2nm，材料为BeBq2；
第二蓝光发光层的蓝光材料为苝，主体材料为BeBq2，掺杂质量百分比为20wt％，该发光层厚度为14nm；
空穴阻挡层的材料为TPQ，厚度为4nm；
电子传输层的材料为Bphen，厚度为70nm；
电子注入层的材料为CsF，厚度为30nm；
阴极层的材料为Al，厚度为180nm。
实施例6
一种白光电致发光器件，其层状结构依次为：玻璃/ITO/V2O5/TPD/TAPC/BeMQ2：DPAVB/BeMQ2/BeMQ2：Ir(ppy)3：Ir(piq)3/BeMQ2/BeMQ2：DPAVB/Alq3/BND/CaF2/Au。
首先，将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，然后对其进行氧等离子处理处理时间为8min，功率为50W；接着在ITO导电层上依次蒸镀各有机功能层，得到白光电致发光器件；其中，
空穴注入层的材料为V2O5，厚度为25nm；
空穴传输层的材料为TPD，厚度55nm；
电子阻挡层的材料为TAPC，厚度为15nm；
第一蓝光发光层的蓝光材料为DPAVB，主体材料为BeMQ2，掺杂质量百分比为18wt％，该发光层厚度为8nm；
第一间隔层，其主体材料为BeMQ2，且该间隔层厚度为3nm；
磷光发光层的红光磷光材料为Ir(piq)3，绿光磷光材料为Ir(ppy)3，主体材料为BeMQ2，红光磷光材料掺杂质量百分比为4.5wt％，绿光磷光材料掺杂比例为9wt％，该磷光发光层厚度为3nm；
第二间隔层，厚度为2nm，材料为BeMQ2；
第二蓝光发光层的蓝光材料为DPAVB，主体材料为BeMQ2，掺杂质量百分比为16wt％，该发光层厚度为6nm；
空穴阻挡层的材料为Alq3，厚度为7nm；
电子传输层的材料为BND，厚度为50nm；
电子注入层的材料为CaF2，厚度为50nm；
阴极层的材料为Au，厚度为120nm。
实施例7
一种白光电致发光器件，其层状结构依次为：
玻璃/ITO/MoO3/TDAPB/TAPC/BeqQ2：TBPe/BeqQ2/BeqQ2：Ir(ppy)3：Ir(MDQ)2(acac)/BeqQ2/BeqQ2：TBPe/Bphen/Bphen/MgF2/Al。
首先，将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，然后对其进行氧等离子处理处理时间为9min，功率为50W；接着在ITO导电层上依次蒸镀各有机功能层，得到白光电致发光器件；其中，
空穴注入层的材料为MoO3，厚度为35nm；
空穴传输层的材料为TDAPB，厚度40nm；
电子阻挡层的材料为TAPC，厚度为35nm；
第一蓝光发光层的蓝光材料为TBPe，主体材料为BeqQ2，掺杂质量百分比为10wt％，该发光层厚度为5nm；
第一间隔层，其主体材料为BeqQ2，且该间隔层厚度为6nm；
红色磷光发光层的红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)，绿光磷光材料为Ir(ppy)3，主体材料为BeqQ2，红光磷光材料掺杂质量百分比为1.5wt％，绿光磷光材料掺杂比例为7wt％，该红色磷光发光层厚度为8nm；
第二间隔层，厚度为8nm，材料为BeqQ2；
第二蓝光发光层的蓝光材料为TBPe，主体材料为BeqQ2，掺杂质量百分比为10wt％，该发光层厚度为5nm；
空穴阻挡层的材料为Bphen，厚度为6nm；
电子传输层的材料为Bphen，厚度为30nm；
电子注入层的材料为MgF2，厚度为30nm；
阴极层的材料为Al，厚度为40nm。
实施例8
一种白光电致发光器件，其层状结构依次为：玻璃/ITO/WO3/CuPc/TAPC/BePrQ2：BCzVB/BePrQ2/BePrQ2：(Oppy)2Ir(acac)：Ir(MDQ)2(acac)/BePrQ2/BePrQ2：BCzVB/TPBi/Bphen/NaF/Al。
首先，将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，然后对其进行氧等离子处理，处理时间为14min，功率为50W；接着在ITO导电层上依次蒸镀各有机功能层，得到白光电致发光器件；其中，
空穴注入层的材料为WO3，厚度为25nm；
空穴传输层的材料为CuPc，厚度15nm；
电子阻挡层的材料为TAPC，厚度为65nm；
第一蓝光发光层的蓝光材料为BCzVB，主体材料为BePrQ2，掺杂质量百分比为15wt％，该发光层厚度为2nm；
第一间隔层，其主体材料为BePrQ2，且该间隔层厚度为8nm；
磷光发光层的红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)，绿光磷光材料为(Oppy)2Ir(acac)，主体材料为BeBq2，红光磷光材料掺杂质量百分比为3.5wt％，绿光磷光材料掺杂比例为8wt％，该磷光发光层厚度为2nm；
第二间隔层，厚度为8nm，材料为BePrQ2；
第二蓝光发光层的蓝光材料为BCzVB，主体材料为BePrQ2，掺杂质量百分比为10wt％，该发光层厚度为14nm；
空穴阻挡层的材料为TPBi，厚度为6nm；
电子传输层的材料为Bphen，厚度为80nm；
电子注入层的材料为NaF，厚度为60nm；
阴极层的材料为Al，厚度为170nm。
实施例9
一种白光电致发光器件，其层状结构依次为：玻璃/ITO/MoO3/NPB/TAPC/BeMQ2：BCzVBi/BeMQ2/BeMQ2：Ir(ppy)3：Ir(MDQ)2(acac)/BeMQ2/BeMQ2：BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen：CsN3/Al。
首先，将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，然后对其进行氧等离子处理，处理时间为13min，功率为50W；接着在ITO导电层上依次蒸镀各有机功能层，得到白光电致发光器件；其中，
空穴注入层的材料为MoO3，厚度为5nm；
空穴传输层的材料为NPB，厚度40nm；
电子阻挡层的材料为TAPC，厚度为5nm；
第一蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料为BeMQ2，掺杂质量百分比为15wt％，该发光层厚度为10nm；
第一间隔层，其主体材料为BeMQ2，且该间隔层厚度为2nm；
磷光发光层的红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)，绿光磷光材料为Ir(ppy)3，主体材料为BeMQ2，红光磷光材料掺杂质量百分比为0.5wt％，绿光磷光材料掺杂比例为7wt％，该磷光发光层厚度为7nm；
第二间隔层，厚度为2nm，材料为BeMQ2；
第二蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料为BeMQ2，掺杂质量百分比为15wt％，该发光层厚度为10nm；
空穴阻挡层的材料为TPBi，厚度为5nm；
电子传输层的材料为Bphen，厚度为60nm；
电子注入层的材料为Bphen：CsN3，厚度为40nm，Bphen与CsN3的掺杂质量百分比为20wt％；
阴极层的材料为Al，厚度为150nm。
实施例10
一种白光电致发光器件，其层状结构依次为：
玻璃/ITO/MoO3/NPB/TAPC/BeBq2：BCzVBi/BeBq2/BeBq2：Ir(ppy)3：Ir(MDQ)2(acac)/BeBq2/BeBq2：BCzVBi/TPBi/Bphen/TPBi：CaF2/Al。
首先，将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，然后对其进行氧等离子处理，处理时间为15min，功率为50W；接着在ITO导电层上依次蒸镀各有机功能层，得到白光电致发光器件；其中，
空穴注入层的材料为MoO3，厚度为5nm；
空穴传输层的材料为NPB，厚度10nm；
电子阻挡层的材料为TAPC，厚度为5nm；
第一蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料为BeBq2，掺杂质量百分比为15wt％，该发光层厚度为10nm；
第一间隔层，其主体材料为BeBq2，且该间隔层厚度为2nm；
磷光发光层的红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)，绿光磷光材料为Ir(ppy)3，主体材料为BeBq2，红光磷光材料掺杂质量百分比为0.5wt％，绿光磷光材料掺杂比例为7wt％，该磷光发光层厚度为7nm；
第二间隔层，厚度为2nm，材料为BeBq2；
第二蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料为BeBq2，掺杂质量百分比为15wt％，该发光层厚度为10nm；
空穴阻挡层的材料为TPBi，厚度为10nm；
电子传输层的材料为Bphen，厚度为40nm；
电子注入层的材料为TPBi：CaF2，厚度为20nm，TPBi：与CaF2的掺杂质量百分比为30wt％；
阴极层的材料为Al，厚度为90nm。
实施例11
一种白光电致发光器件，其层状结构依次为：玻璃/ITO/MoO3/NPB/TAPC/BeBq2：BCzVBi/BeBq2/BeBq2：Ir(ppy)3：Ir(MDQ)2(acac)/BeBq2/BeBq2：BCzVBi/TPBi/Bphen/TPQ：NaF/Al。
首先，将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，然后对其进行氧等离子处理，处理时间为10min，功率为50W；接着在ITO导电层上依次蒸镀各有机功能层，得到白光电致发光器件；其中，
空穴注入层的材料为MoO3，厚度为5nm；
空穴传输层的材料为NPB，厚度10nm；
电子阻挡层的材料为TAPC，厚度为5nm；
第一蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料为BeBq2，掺杂质量百分比为15wt％，该发光层厚度为10nm；
第一间隔层，其主体材料为BeBq2，且该间隔层厚度为2nm；
磷光发光层的红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)，绿光磷光材料为Ir(ppy)3，主体材料为BeBq2，红光磷光材料掺杂质量百分比为0.5wt％，绿光磷光材料掺杂比例为7wt％，该磷光发光层厚度为7nm；
第二间隔层，厚度为2nm，材料为BeBq2；
第二蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料为BeBq2，掺杂质量百分比为15wt％，该发光层厚度为10nm；
空穴阻挡层的材料为TPBi，厚度为10nm；
电子传输层的材料为Bphen，厚度为40nm；
电子注入层的材料为TPQ：NaF，厚度为20nm，TPQ与NaF的掺杂质量百分比为40wt％；
阴极层的材料为Al，厚度为40nm。
实施例12
一种白光电致发光器件，其层状结构依次为：
玻璃/ITO/MoO3/NPB/TAPC/BeBq2：BCzVBi/BeBq2/BeBq2：Ir(ppy)3：Ir(MDQ)2(acac)/BeBq2/BeBq2：BCzVBi/TPBi/Bphen/TPQ：CsF/Al。
首先，将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，然后对其进行氧等离子处理处理时间为8min，功率为50W；接着在ITO导电层上依次蒸镀各有机功能层，得到白光电致发光器件；其中，
空穴注入层的材料为MoO3，厚度为5nm；
空穴传输层的材料为NPB，厚度10nm；
电子阻挡层的材料为TAPC，厚度为5nm；
第一蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料为BeBq2，掺杂质量百分比为15wt％，该发光层厚度为10nm；
第一间隔层，其主体材料为BeBq2，且该间隔层厚度为2nm；
磷光发光层的红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)，绿光磷光材料为Ir(ppy)3，主体材料为BeBq2，红光磷光材料掺杂质量百分比为0.5wt％，绿光磷光材料掺杂比例为7wt％，该磷光发光层厚度为7nm；
第二间隔层，厚度为2nm，材料为BeBq2；
第二蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料为BeBq2，掺杂质量百分比为15wt％，该发光层厚度为10nm；
空穴阻挡层的材料为TPBi，厚度为10nm；
电子传输层的材料为Bphen，厚度为40nm；
电子注入层的材料为TPQ：CsF，厚度为45nm，TPQ与CsF掺杂质量百分比为50wt％；
阴极层的材料为Al，厚度为180nm。
实施例13
一种白光电致发光器件，其层状结构依次为：玻璃/ITO/MoO3/NPB/TAPC/BePrQ2：BCzVBi/BePrQ2/BePrQ2：Ir(ppy)2(acac)：Ir(piq)3/TCTA：TPBi/BeBq2：Ir(ppy)3/BePrQ2/BePrQ2：BCzVBi/TPBi/Bphen/PBD：MgF2/Al。
首先，将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，然后对其进行氧等离子处理处理时间为9min，功率为50W；接着在ITO导电层上依次蒸镀各有机功能层，得到白光电致发光器件；其中，
空穴注入层的材料为MoO3，厚度为5nm；
空穴传输层的材料为NPB，厚度10nm；
电子阻挡层的材料为TAPC，厚度为5nm；
第一蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料为BePrQ2，掺杂质量百分比为15wt％，该发光层厚度为10nm；
第一间隔层，其主体材料为BePrQ2，且该间隔层厚度为2nm；
磷光发光层的红光磷光材料为Ir(piq)3，绿光磷光材料为Ir(ppy)2(acac)，主体材料为BePrQ2，红光磷光材料掺杂质量百分比为0.5wt％，绿光磷光材料掺杂比例为7wt％，该磷光发光层厚度为7nm；
第二间隔层，厚度为2nm，材料为BePrQ2；
第二蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料为BePrQ2，掺杂质量百分比为15wt％，该发光层厚度为10nm；
空穴阻挡层的材料为TPBi，厚度为10nm；
电子传输层的材料为Bphen，厚度为40nm；
电子注入层的材料为PBD：MgF2，厚度为35nm，PBD与MgF2的掺杂质量百分比为40wt％
阴极层的材料为Al，厚度为50nm。
实施例14
一种白光电致发光器件，其层状结构依次为：玻璃/ITO/MoO3/NPB/TAPC/BeMQ2：DPAVB/BeMQ2/BeMQ2：(Oppy)2Ir(acac)：Ir(MDQ)2(acac)/BeMQ2/BeMQ2：DPAVB/TPBi/Bphen/BND：Cs2CO3/Al。
首先，将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，然后对其进行氧等离子处理，处理时间为10min，功率为50W；接着在ITO导电层上依次蒸镀各有机功能层，得到白光电致发光器件；其中，
空穴注入层的材料为MoO3，厚度为5nm；
空穴传输层的材料为NPB，厚度10nm；
电子阻挡层的材料为TAPC，厚度为5nm；
第一蓝光发光层的蓝光材料为DPAVB，主体材料为BeMQ2，掺杂质量百分比为15wt％，该发光层厚度为10nm；
第一间隔层，其主体材料为BeMQ2，且该间隔层厚度为2nm；
磷光发光层的红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)，绿光磷光材料为(Oppy)2Ir(acac)，主体材料为BeMQ2，红光磷光材料掺杂质量百分比为0.5wt％，绿光磷光材料掺杂比例为7wt％，该磷光发光层厚度为7nm；
第二间隔层，厚度为2nm，材料为BeMQ2；
第二蓝光发光层的蓝光材料为DPAVB，主体材料为BeMQ2，掺杂质量百分比为15wt％，该发光层厚度为10nm；
空穴阻挡层的材料为TPBi，厚度为10nm；
电子传输层的材料为Bphen，厚度为40nm；
电子注入层的材料为BND：Cs2CO3，厚度为40nm，BND与Cs2CO3的掺杂质量百分比为35wt％
阴极层的材料为Al，厚度为160nm。
实施例15
一种白光电致发光器件，其层状结构依次为：玻璃/ITO/MoO3/NPB/TAPC/BeBq2：BCzVBi/BeBq2/BeBq2：Ir(piq)2(acac)：Ir(piq)2(acac)/BeBq2/BeBq2：BCzVBi/TPBi/Bphen/TAZ：CsN3/Al。
首先，将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，然后对其进行氧等离子处理，处理时间为10min，功率为50W；接着在ITO导电层上依次蒸镀各有机功能层，得到白光电致发光器件；其中，
空穴注入层的材料为MoO3，厚度为5nm；
空穴传输层的材料为NPB，厚度10nm；
电子阻挡层的材料为TAPC，厚度为5nm；
第一蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料为BeBq2，掺杂质量百分比为15wt％，该发光层厚度为10nm；
第一间隔层，其主体材料为BeBq2，且该间隔层厚度为2nm；
磷光发光层的红光磷光材料为Ir(piq)2(acac)，绿光磷光材料为Ir(piq)2(acac)，主体材料为BeBq2，红光磷光材料掺杂质量百分比为0.5wt％，绿光磷光材料掺杂比例为7wt％，该磷光发光层厚度为7nm；
第二间隔层，厚度为2nm，材料为BeBq2；
第二蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料为BeBq2，掺杂质量百分比为15wt％，该发光层厚度为10nm；
空穴阻挡层的材料为TPBi，厚度为10nm；
电子传输层的材料为Bphen，厚度为40nm；
电子注入层的材料为TAZ：CsN3，厚度为50nm；TAZ与CsN3的掺杂质量百分比为25wt％；
阴极层的材料为Al，厚度为100nm。
应当理解的是，上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细，并不能因此而认为是对本发明专利保护范围的限制，本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种白光电致发光器件，其特征在于，该器件为层状结构，该层状结构依次为：基底/导电层/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/第一蓝光发光层/第一间隔层/磷光发光层/第二间隔层/第二蓝光发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极层；
所述第一蓝光发光层和第二蓝光发光层的材质均为铍配合物材料中掺杂蓝光材料；
所述磷光发光层的材质为铍配合物材料中掺杂红光磷光材料和绿光磷光材料。
2.根据权利要求1所述的白光电致发光器件，其特征在于，所述蓝光材料为苝、二萘嵌苯衍生物、三苯胺二苯乙烯衍生物、三苯胺连萘基乙烯衍生物或苯乙烯衍生物中的任一种。
3.根据权利要求1所述的白光电致发光器件，其特征在于，所述第一间隔层和第二间隔层的材料均为所述铍配合物材料。
4.根据权利要求1或3所述的白光电致发光器件，其特征在于，所述铍配合物材料为吩基吡啶铍、10-羟基苯并喹啉铍、8-羟基喹啉铍、2-甲基-8-羟基喹啉铍、8-羟基喹啉铍、或者7-丙基-8羟基喹啉铍中的任一种。
5.根据权利要求1所述的白光电致发光器件，其特征在于，所述红光磷光材料为二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱、或者三(1-苯基-异喹啉)合铱中的任一种。
6.根据权利要求1所述的白光电致发光器件，其特征在于，所述绿光磷光材料为三(2-苯基吡啶)合铱、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱、或者乙酰丙酮酸二(2-对苯氧基苯基吡啶)铱中的任一种。
7.根据权利要求1所述的白光电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为三氧化钼、三氧化钨、VOx或五氧化二钒中的任一种。
8.根据权利要求1所述的白光电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层和电子阻挡层的材料分别为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、1，3，5-三苯基苯或酞菁铜中的任一种。
9.根据权利要求1所述的白光电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层和空穴阻挡层的材料分别为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、2，5-二(1-萘基)-1，3，4-二唑、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或喹喔啉衍生物中的任一种。
10.根据权利要求1所述的白光电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材料为Cs2CO3、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF中的任一种；所述阴极层的材质为银、铝、银镁合金或金。
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