CN102651451B - 一种电致发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电致发光器件，其结构依次为：基底/导电层/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极层；其中，发光层为复合层结构，该复合层结构依次为：第一蓝光发光层/第一量子阱/红光-绿光磷光发光层/第二量子阱/第二蓝光发光层；所述第一蓝光发光层与制备在所述电子阻挡层表面，所述空穴阻挡层制备在所述第二蓝光发光层表面。本发明的电致发光器件，在红光-绿光磷光发光层两侧分别置于第一、二蓝光发光层，可以使出射的蓝光充分激发红光和绿光的发光，提高能量利用率，从而使发光效率得到增强。

Description

一种电致发光器件
技术领域
本发明涉及一种电致发光器件。
背景技术
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
发光材料是影响发光效率的最重要的因素，发光材料可以分为荧光材料和磷光材料，荧光材料由于三线态跃迁受阻，因此，只能通过单线态的辐射失活而发光，三线态激子与单线态激子的比例约为3∶1；而由于荧光材料只有25％的激子可以有效的利用，剩下的75％都通过非辐射衰减，能量以热的形式释放，使器件温度升高，从而减少器件的寿命，而磷光材料则由于金属原子自身较强的自旋耦合作用，因此，使得原来不可能的三线态跃迁成为可能，因此，发光效率大大提高，目前绿光磷光材料和红光磷光材料的发光效率都比较好，材料稳定性较高，而蓝光磷光材料的寿命和稳定性都不太好，制约了蓝光的发光。
发明内容
基于上述问题，本发明的目的在于提供一种电致发光器件。
本发明的技术方案如下：
一种电致发光器件，其结构依次为：基底/导电层/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极层；其中，所述发光层为复合层结构，该复合层结构依次为：第一蓝光发光层/第一量子阱/红光-绿光磷光发光层/第二量子阱/第二蓝光发光层；所述第一蓝光发光层与制备在所述电子阻挡层表面，所述空穴阻挡层制备在所述第二蓝光发光层表面。
在上述电致发光器件中：
基底和导电层可以采用ITO(氧化铟锡)玻璃，其中，玻璃为基底，ITO为导电层；阴极层的材料可以为银(Ag)、铝(Al)、镁:银镁(Mg:Ag)合金或金(Au)中的任一种；
红光-绿光磷光发光层的材料为红光磷光材料与绿光磷光材料混合后掺杂到铍配合物材料中组成的混合物；其中，红光磷光材料为二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(piq)2(acac))或三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)中的任一种；绿光磷光材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)或乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))中的任一种；铍配合物材料为吩基吡啶铍(Bepp2)、10-羟基苯并喹啉铍(BeBq2)、8-羟基喹啉铍(BeqQ2)、2-甲基-8-羟基喹啉铍(BeMQ2)、8-羟基喹啉铍(BeQ2)、或7-丙基-8羟基喹啉铍(BePrQ2)中的任一种；
第一量子阱和第二量子阱的材料分别为2-丁基-9，10-二-(2-萘基)蒽(TBADN)、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4′-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N，N′-(1-萘基)-N，N′-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁铜(CuPc)中的至少一种；
第一、二蓝光发光层的材料分别为蓝光材料(如，Perylene(苝)、二萘嵌苯衍生物(TBPe)、三苯胺二苯乙烯衍生物(DPAVBi或DPAVB)、三苯胺连萘基乙烯衍生物(BDAVBi)或苯乙烯衍生物(BCzVB或BCzVBi))掺杂空穴传输材料(如，2-丁基-9，10-二-(2-萘基)蒽(TBADN)、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4′-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N，N′-(1-萘基)-N，N′-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁铜(CuPc))组成的混合物中的任一种。
本发明的电致发光器件，在红光-绿光磷光发光层两层各制备一层蓝光发光层，具有如下优点：
1、在两个蓝光发光层与红光-绿光磷光发光层之间插入第一和第二量子阱，使产生的单线态激子限制在蓝光发光层中，同时也将空穴限制在磷光层中，使蓝光发光材料的三线态激子可以扩散到磷光层中辐射跃迁发光，实现三线态能量转移，使发光加强，从而大大提高发光效率；
2、第一、二量子阱将空穴限制在磷光发光层中，使磷光发光层对其进行充分的捕获，限制激子的发光区域，将光谱窄化，稳定发光光色；
3、在红光-绿光磷光发光层两侧分别置于第一、二蓝光发光层，可以使出射的蓝光充分激发红光和绿光的发光，提高能量利用率，从而使发光效率得到增强。
附图说明
图1为本发明的电致发光器件的结构示意图；
图2为实施例1的电致发光器件能级图；
图3为实施例1的电致发光器件与参比电致发光器件的亮度电压图。
具体实施方式
本发明提供的一种电致发光器件，如图1所示，其结构依次为：基底11/导电层12/空穴注入层13/空穴传输层14/电子阻挡层15/发光层16/空穴阻挡层17/电子传输层18/电子注入层19/阴极层20；其中，所述发光层为复合层结构，该复合层结构依次为：第一蓝光发光层161/第一量子阱162/红光-绿光磷光发光层163/第二量子阱164/第二蓝光发光层165；第一蓝光发光层161与制备在电子阻挡层15表面，空穴阻挡层17制备在第二蓝光发光层165表面；也就是电致发光器件整体结构为：基底11/导电层12/空穴注入层13/空穴传输层14/电子阻挡层15/第一蓝光发光层161/第一量子阱162/红光-绿光磷光发光层163/第二量子阱164/第二蓝光发光层165/空穴阻挡层17/电子传输层18/电子注入层19/阴极层20。
在上述电致发光器件中，每一功能层均采用蒸镀技术进行制备：
基底和导电层可以采用ITO(氧化铟锡)玻璃，其中，玻璃为基底11，ITO为导电层12；
阴极层20的材料可以为银(Ag)、铝(Al)、镁:银镁(Mg:Ag)合金或金(Au)中的任一种，优选Al；该阴极层的厚度为20-200nm，优选厚度为150nm；
红光-绿光磷光发光层的材料为红光磷光材料与绿光磷光材料混合后掺杂到铍配合物材料中组成的混合物；其中，红光磷光材料为二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(piq)2(acac))或三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)中的任一种；绿光磷光材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)或乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))中的任一种；铍配合物材料为吩基吡啶铍(Bepp2)、10-羟基苯并喹啉铍(BeBq2)、8-羟基喹啉铍(BeqQ2)、2-甲基-8-羟基喹啉铍(BeMQ2)、8-羟基喹啉铍(BeQ2)、或7-丙基-8羟基喹啉铍(BePrQ2)中的任一种；该红光-绿光磷光发光层中，红光材料的掺杂比例为0.5％-5％，红光材料的掺杂比例为5％-10％，且该红光-绿光磷光发光层厚度为5-15nm；
第一量子阱和第二量子阱的材料分别为2-丁基-9，10-二-(2-萘基)蒽(TBADN)、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4′-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N，N′-(1-萘基)-N，N′-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁铜(CuPc)中的至少一种；其中，第一、二量子阱的厚度分别为1-10nm；
第一、二蓝光发光层的材料蓝光材料(如，Perylene(苝)、二萘嵌苯衍生物(TBPe)、三苯胺二苯乙烯衍生物(DPAVBi或DPAVB)、三苯胺连萘基乙烯衍生物(BDAVBi)或苯乙烯衍生物(BCzVB或BCzVBi))与2-丁基-9，10-二-(2-萘基)蒽(TBADN)、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4′-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N，N′-(1-萘基)-N，N′-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁铜(CuPc)掺杂组成的混合物中的任一种；其中，蓝光的掺杂比例为1％-20％，蓝光发光层厚度为5-15nm；
空穴注入层的材料为三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、VOx或五氧化二钒(V2O5)中的任一种，优选为MoO3；其中，空穴注入层厚度为5-40nm，优选厚度为5nm；
空穴传输层和电子阻挡层的材料分别为N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁铜CuPc中的任一种，空穴传输层和电子阻挡层的厚度分别为5-80nm；其中，空穴传输层优选NPB，优选厚度为40nm，电子阻挡层优选为TCTA，优选厚度为5nm；
电子传输层和空穴阻挡层的材料分别为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、2，5-二(1-萘基)-1，3，4-二唑(BND)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)。其中，空穴阻挡层厚度为3-10nm，优选厚度为5nm，空穴阻挡层的材料优选为TPBi；电子传输层厚度为40-80nm，优选厚度为60nm，电子传输层的材料优选为Bphen；
电子注入层的材料为Cs2CO3、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF中的任一种，电子注入层的厚度0.5-5nm；对于该注入层的材料，也可采用Cs2CO3、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF与电子传输材料(如，2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、2，5-二(1-萘基)-1，3，4-二唑(BND)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)中的任一种)掺杂组成的混合物中的任一种，掺杂比例为20-60％，此时的电子注入层厚度为20-60nm；就掺杂混合物材料而言，优选Bphen:CsN3，优选掺杂比例为20％，此时电子注入层厚度优选为40nm；
其中，上述铍配合物材料为吩基吡啶铍(Bepp2)、10-羟基苯并喹啉铍(BeBq2)、8-羟基喹啉铍(BeqQ2)、2-甲基-8-羟基喹啉铍(BeMQ2)、8-羟基喹啉铍(BeQ2)、或7-丙基-8羟基喹啉铍(BePrQ2)中的任一种。
本发明的电致发光器件，用相对稳定，性能较好的蓝光发光材料与红光、绿光磷光材料制备发光层得到白光器件，蓝光发光层制备在红光-绿光磷光层两侧，用第一、二量子阱与红光-绿光磷光层相隔，而蓝光发光层主要利用单线态跃迁发光，由于三线态激子的扩散长度为100nm，产生的三线态激子可以通过扩散进入到磷光层实现三线态能量转移，使发光加强，这种结构可以有效的提高荧光三线态的作用，而单线态的扩散长度为5nm，因此量子阱可以使单线态激子限制在荧光层中，同时也可以起到量子阱作用，将空穴限制在磷光层中，使磷光材料对其进行充分的捕获，限制激子的发光区域，将光谱窄化，稳定发光光色，由于蓝光是荧光材料，只能通过单线态发光，因此，为了提高发光效率与光色，我们选用两层蓝光荧光层作为蓝光发光层，而由于蓝光层位于两侧，而蓝光材料是高能量材料，因此，无论出光方向是在哪一边，都可以充分激发红光和绿光的发光，提高能量利用率，从而使发光效率得到增强。
下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。
实施例1
一种电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/TBADN:BCzVBi/TCTA/Bepp2:Ir(MDQ)2(acac):Ir(ppy)3/TCTA/TBADN:BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
关于该实施例中的电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层的复合结构中：第一、二蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料，即空穴传输材料为TBADN，蓝光材料掺杂比例为10％，厚度为10nm；第一量子阱材料为TCTA，厚度为2nm；红光-绿光磷光发光层中，红光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光材料掺杂比例为1％，绿光材料为Ir(ppy)3，绿光材料掺杂比例为7％，该红光-绿光磷光发光层的厚度为10nm；第二层量子阱材料为TCTA，厚度为2nm。该电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(Bphen:CsN3)的厚度为40nm；阴极层采用Al层，其厚度为150nm。
图1为该实施例电致发光器件能级图；其中，该器件结构为：
玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/TBADN:BCzVBi/TCTA/Bepp2:Ir(MDQ)2(acac):Ir(ppy)3/TCTA/TBADN:BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
图2是该实施例的电致发光器件与参比电致发光器件的亮度电压图；其中，
该实施例的电致发光器件结构：玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/TBADN:BCzVBi/TCTA/Bepp2:Ir(MDQ)2(acac):Ir(ppy)3/TCTA/TBADN:BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al；
参比电致发光器件结构：ITO/玻璃/MoO3/NPB/TCTA/TBADN:BCzVBi/Bepp2:Ir(MDQ)2(acac):Ir(ppy)3/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
由图2中可以看出，在10V时，实施例1的器件电流密度为328mA/cm2，而参比器件电流密度为182mA/cm2，这说明，实施例1的两层蓝光层对效率的提高起到了积极的作用，同时激子的复合几率提高，因此，器件的电流密度得到了增大。
实施例2
一种电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/WO3/TPD/TCTA/TPD:BCzVB/TPD/BeBq2:Ir(MDQ)2(acac):Ir(ppy)3/TPD/TPD:BCzVB/TAZ/TPBI/Cs2CO3/Al 。
关于该实施例中的电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层的复合结构中：第一、二蓝光发光层的蓝光材料为BCzVB，主体材料，即空穴传输材料为TPD，蓝光材料掺杂比例为5％，厚度为10nm；第一量子阱材料为TPD，厚度为2nm；红光-绿光磷光发光层中，红光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光材料掺杂比例为0.5％，绿光材料为Ir(ppy)3，绿光材料掺杂比例为7％，该红光-绿光磷光发光层的厚度为10nm；第二层量子阱材料为TPD，厚度为2nm。该电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(WO3)的厚度为40nm，空穴传输层(TPD)的厚度为20nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TAZ)的厚度为10nm；电子传输层(TPBI)的厚度为80nm；电子注入层(Cs2CO3)的厚度为20nm；阴极层采用Al层，其厚度为20nm。
实施例3
一种电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/VOx/TDAPB/NPB/TCTA:TBPe/NPB/BeMQ2:Ir(MDQ)2(acac):Ir(ppy)3/TDAPB/TCTA:TBPe/BND /TPQ /LiF/Al。
关于该实施例中的电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层的复合结构中：第一、二蓝光发光层的蓝光材料为TBPe，主体材料，即空穴传输材料为TCTA，蓝光材料掺杂比例为20％，厚度为10nm；第一量子阱材料为NPB，厚度为2nm；红光-绿光磷光发光层中，红光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光材料掺杂比例为5％，绿光材料为Ir(ppy)3，绿光材料掺杂比例为10％，该红光-绿光磷光发光层的厚度为10nm；第二层量子阱材料为TDAPB，厚度为2nm。该电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(VOx)的厚度为10nm，空穴传输层(TDAPB)的厚度为80nm；电子阻挡层(NPB)的厚度为80nm；空穴阻挡层(BND)的厚度为3nm；电子传输层(TPQ)的厚度为40nm；电子注入层(LiF)的厚度为60nm；阴极层采用Al层，其厚度为200nm。
实施例4
一种电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/V2O5/CuPc/TPD/CBP:DPAVB/NPB/CBP:Ir(piq)3:Ir(piq)3/CuPc/CBP:DPAVB/TPQ/TPBI/CsF/Al。
关于该实施例中的电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层的复合结构中：第一、二蓝光发光层的蓝光材料为DPAVB，主体材料，即空穴传输材料为CBP，蓝光材料掺杂比例为10％，厚度为10nm；第一量子阱材料为NPB，厚度为2nm；红光-绿光磷光发光层中，红光材料为Ir(piq)3，红光材料掺杂比例为1％，绿光材料为Ir(ppy)3，绿光材料掺杂比例为7％，该红光-绿光磷光发光层的厚度为10nm；第二层量子阱材料为CuPc，厚度为2nm。该电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(V2O5)的厚度为30nm，空穴传输层(CuPc)的厚度为10nm；电子阻挡层(TPD)的厚度为60nm；空穴阻挡层(TPQ)的厚度为8nm；电子传输层(TPBI)的厚度为50nm；电子注入层(CsF)的厚度为50nm；阴极层采用Al层，其厚度为100nm。
实施例5
一种电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/V2O5/CuPc/TPD/NPB:苝/NPB/BeqQ2:Ir(piq)3:Ir(ppy)2(acac)/CuPc/NPB:苝/TPQ/TPBI/CaF2/Ag。
关于该实施例中的电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层的复合结构中：第一、二蓝光发光层的蓝光材料为苝，主体材料，即空穴传输材料为NPB，蓝光材料掺杂比例为10％，厚度为10nm；第一量子阱材料为NPB，厚度为2nm；红光-绿光磷光发光层中，红光材料为Ir(piq)3，红光材料掺杂比例为1％，绿光材料为Ir(ppy)2(acac)，绿光材料掺杂比例为7％，该红光-绿光磷光发光层的厚度为10nm；第二层量子阱材料为CuPc，厚度为2nm。该电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(V2O5)的厚度为15nm，空穴传输层(CuPc)的厚度为50nm；电子阻挡层(TPD)的厚度为20nm；空穴阻挡层(TPQ)的厚度为6nm；电子传输层(TPBI)的厚度为70nm；电子注入层(CaF2)的厚度为30nm；阴极层采用Ag层，其厚度为60nm。
实施例6
一种电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/V2O5/CuPc/TPD/CuPc:DPAVB/NPB/BeqQ2:Ir(piq)3:Ir(ppy)2(acac)/CuPc/CuPc:DPAVB/TPQ/TPBI/CsN3/Mg。
关于该实施例中的电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层的复合结构中：第一、二蓝光发光层的蓝光材料为DPAVB，主体材料，即空穴传输材料为CuPc，蓝光材料掺杂比例为10％，厚度为10nm；第一量子阱材料为NPB，厚度为2nm；红光-绿光磷光发光层中，红光材料为Ir(piq)3，红光材料掺杂比例为1％，绿光材料为Ir(ppy)2(acac)，绿光材料掺杂比例为7％，该红光-绿光磷光发光层的厚度为10nm；第二层量子阱材料为CuPc，厚度为2nm。该电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(V2O5)的厚度为25nm，空穴传输层(CuPc)的厚度为55nm；电子阻挡层(TPD)的厚度为35nm；空穴阻挡层(TPQ)的厚度为8nm；电子传输层(TPBI)的厚度为55nm；电子注入层(CsN3)的厚度为25nm；阴极层采用Mg层，其厚度为80nm。
实施例7
一种电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/MoO3/NPB/TPD/TBADN:BCzVBi/TPD/Bepp2:Ir(MDQ)2(acac):Ir(ppy)3/TPBi/TBADN:BCzVBi/TPBi/Bphen/MgF2/Mg-Ag合金。
关于该实施例中的电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层的复合结构中：第一、二蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料，即空穴传输材料为TBADN，蓝光材料掺杂比例为10％，厚度为10nm；第一量子阱材料为TPD，厚度为2nm；红光-绿光磷光发光层中，红光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光材料掺杂比例为1％，绿光材料为Ir(ppy)3，绿光材料掺杂比例为7％，该红光-绿光磷光发光层的厚度为10nm；第二层量子阱材料为TPBi，厚度为2nm。该电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(MgF2)的厚度为40nm；阴极层采用Mg-Ag合金层，其厚度为160nm。
实施例8
一种电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/TBADN:BCzVB/TCTA/Bepp2:Ir(MDQ)2(acac):Ir(ppy)3/TCTA/TBADN:BCzVB/TPBi/Bphen/NaF/Au。
关于该实施例中的电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层的复合结构中：第一、二蓝光发光层的蓝光材料为BCzVB，主体材料，即空穴传输材料为TBADN，蓝光材料掺杂比例为5％，厚度为10nm；第一量子阱材料为TCTA，厚度为5nm；红光-绿光磷光发光层中，红光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光材料掺杂比例为1％，绿光材料为Ir(ppy)3，绿光材料掺杂比例为7％，该红光-绿光磷光发光层的厚度为10nm；第二层量子阱材料为TCTA，厚度为5nm。该电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(NaF)的厚度为40nm；阴极层采用Au层，其厚度为180nm。
实施例9
一种电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/TBADN:BCzVBi/TCTA/BeBq2:Ir(piq)2(acac):Ir(piq)2(acac)/TCTA/TBADN:BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
关于该实施例中的电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层的复合结构中：第一、二蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料，即空穴传输材料为TBADN，蓝光材料掺杂比例为10％，厚度为10nm；第一量子阱材料为TCTA，厚度为2nm；红光-绿光磷光发光层中，红光材料为Ir(piq)2(acac)，红光材料掺杂比例为1％，绿光材料为Ir(piq)2(acac)，绿光材料掺杂比例为7％，该红光-绿光磷光发光层的厚度为15nm；第二层量子阱材料为TCTA，厚度为2nm。该电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(Bphen:CsN3)的厚度为40nm；阴极层采用Al层，其厚度为90nm。
实施例10
一种电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/MoO3/NPB/NPB/TBADN:DPAVBi/TCTA/Bepp2:Ir(MDQ)2(acac):Ir(ppy)3/TPBi/TBADN:DPAVBi/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
关于该实施例中的电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层的复合结构中：第一、二蓝光发光层的蓝光材料为DPAVBi，主体材料，即空穴传输材料为TBADN，蓝光材料掺杂比例为10％，厚度为10nm；第一量子阱材料为TCTA，厚度为2nm；红光-绿光磷光发光层中，红光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光材料掺杂比例为1％，绿光材料为Ir(ppy)3，绿光材料掺杂比例为7％，该红光-绿光磷光发光层的厚度为10nm；第二层量子阱材料为TPBi，厚度为2nm。该电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(Bphen:CsN3)的厚度为40nm；阴极层采用Al层，其厚度为130nm。
实施例11
一种电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/CBP:DPAVB/CBP/Bepp2:Ir(MDQ)2(acac):Ir(ppy)3/TPD/TCTA:BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
关于该实施例中的电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层的复合结构中：第一蓝光发光层的蓝光材料为DPAVB，主体材料，即空穴传输材料为CBP，蓝光材料掺杂比例为10％，厚度为10nm；第二蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料，即空穴传输材料为TCTA，蓝光材料掺杂比例为10％，厚度为10nm；第一量子阱材料为CBP，厚度为2nm；红光-绿光磷光发光层中，红光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光材料掺杂比例为1％，绿光材料为Ir(ppy)3，绿光材料掺杂比例为7％，该红光-绿光磷光发光层的厚度为10nm；第二层量子阱材料为TPBi，厚度为2nm。该电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(Bphen:CsN3)的厚度为40nm；阴极层采用Al层，其厚度为70nm。
实施例12
一种电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/TBADN:BCzVBi/CBP/Bepp2:Ir(MDQ)2(acac):Ir(ppy)3/TCTA/TDAPB:BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
关于该实施例中的电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层的复合结构中：第一蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料，即空穴传输材料为TBADN，蓝光材料掺杂比例为10％，厚度为10nm；第二蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料，即空穴传输材料为TDAPB，蓝光材料掺杂比例为10％，厚度为10nm；第一量子阱材料为CBP，厚度为2nm；红光-绿光磷光发光层中，红光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光材料掺杂比例为1％，绿光材料为Ir(ppy)3，绿光材料掺杂比例为7％，该红光-绿光磷光发光层的厚度为10nm；第二层量子阱材料为TCTA，厚度为2nm。该电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(Bphen:CsN3)的厚度为40nm；阴极层采用Al层，其厚度为40nm。
实施例13
一种电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/CBP:BCzVBi/TCTA/Bepp2:Ir(MDQ)2(acac):Ir(ppy)3/TCTA/CBP:BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
关于该实施例中的电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层的复合结构中：第一、二蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料，即空穴传输材料为CBP，且第一蓝光发光层中蓝光材料掺杂比例为8％，第二蓝光发光层中蓝光材料掺杂比例为10％，厚度为10nm；第一量子阱材料为TCTA，厚度为2nm；红光-绿光磷光发光层中，红光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光材料掺杂比例为3％，绿光材料为Ir(ppy)3，绿光材料掺杂比例为8％，该红光-绿光磷光发光层的厚度为10nm；第二层量子阱材料为TCTA，厚度为2nm。该电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(Bphen:CsN3)的厚度为40nm；阴极层采用Al层，其厚度为150nm。
实施例14
一种电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/TBADN:TBPe/TCTA/BeMQ2:Ir(MDQ)2(acac):Ir(ppy)3/TCTA/TBADN:BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
关于该实施例中的电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层的复合结构中：第一蓝光发光层的蓝光材料为TBPe，主体材料，即空穴传输材料为TBADN，蓝光材料掺杂比例为10％，厚度为10nm；第二蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料，即空穴传输材料为TDAPB，蓝光材料掺杂比例为10％，厚度为10nm；第一量子阱材料为TCTA，厚度为10nm；红光-绿光磷光发光层中，红光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光材料掺杂比例为2.5％，绿光材料为Ir(ppy)3，绿光材料掺杂比例为6％，该红光-绿光磷光发光层的厚度为12nm；第二层量子阱材料为TCTA，厚度为2nm。该电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(Bphen:CsN3)的厚度为40nm；阴极层采用Al层，其厚度为150nm。
实施例15
一种电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/TPD:BCzVBi/TPBi/Bepp2:Ir(MDQ)2(acac):Ir(ppy)3/TCTA/TPD:BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
关于该实施例中的电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层的复合结构中：第一、二蓝光发光层的蓝光材料为BCzVBi，主体材料，即空穴传输材料为TPD，蓝光材料掺杂比例为10％，厚度为8nm；第一量子阱材料为TPBi，厚度为2nm；红光-绿光磷光发光层中，红光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光材料掺杂比例为2％，绿光材料为Ir(ppy)3，绿光材料掺杂比例为9％，该红光-绿光磷光发光层的厚度为11nm；第二层量子阱材料为TPBi，厚度为2nm。该电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(Bphen:CsN3)的厚度为40nm；阴极层采用Al层，其厚度为150nm。
应当理解的是，上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细，并不能因此而认为是对本发明专利保护范围的限制，本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种电致发光器件，其结构依次为：基底/导电层/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极层；其特征在于，所述发光层为复合层结构，该复合层结构依次为：第一蓝光发光层/第一量子阱/红光-绿光磷光发光层/第二量子阱/第二蓝光发光层；所述第一蓝光发光层制备在所述电子阻挡层表面，所述空穴阻挡层制备在所述第二蓝光发光层表面；
所述第一蓝光发光层和第二蓝光发光层的材料分别为蓝光材料掺空穴传输材料组成的混合物，蓝光材料为苝、二萘嵌苯衍生物、三苯胺二苯乙烯衍生物、三苯胺连萘基乙烯衍生物或苯乙烯衍生物，空穴传输材料为2-丁基-9,10-二-(2-萘基)蒽、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-(1-萘基)-N,N'-二苯基-4,4’-联苯二胺、1,3,5-三苯基苯或酞菁铜；
第一量子阱和第二量子阱的材料分别为2-丁基-9,10-二-(2-萘基)蒽、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-(1-萘基)-N,N'-二苯基-4,4’-联苯二胺、1,3,5-三苯基苯及酞菁铜中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述红光-绿光磷光发光层的材料为红光磷光材料与绿光磷光材料混合后掺杂到铍配合物材料中组成的混合物。
3.根据权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，所述红光磷光材料为二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱、或者三(1-苯基-异喹啉)合铱中的任一种；所述绿光磷光材料为三(2-苯基吡啶)合铱或乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱中的任一中。
4.根据权利要求2或3所述的电致发光器件，其特征在于，所述铍配合物材料为吩基吡啶铍、10-羟基苯并喹啉铍、8-羟基喹啉铍、2-甲基-8-羟基喹啉铍、8-羟基喹啉铍、或7-丙基-8羟基喹啉铍中的任一种。
5.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为三氧化钼、三氧化钨、VOx或五氧化二钒中的任一种。
6.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层和电子阻挡层的材料分别为N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、1,3,5-三苯基苯或酞菁铜中的任一种。
7.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层和空穴阻挡层的材料分别为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、2,5-二(1-萘基)-1,3,4-二唑、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或喹喔啉衍生物中的任一种。
8.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材料为Cs2CO3、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF中的任一种。
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