CN103904250A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明是涉及一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、保护层、掺杂氮化物层及氮化物层。保护层可以将阴极层与掺杂氮化物层隔开，防止阴极层受到后续加工工艺的破坏；掺杂氮化物层与氮化物层构成水氧阻挡层，具有较好的防氧防水功能，分层设置的水氧阻挡层可以有效防止水氧逐渐渗透，阻挡水氧的效果更好。上述有机电致发光器件的防水性能可达10^-4g/m²·天，封装效果好，寿命可达7500小时以上。此外，本发明还涉及一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及电致发光领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制备一层几十纳米厚的有机发光材料作为发光层，发光层上方设有一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。

有机电致发光材料对氧气及水汽侵入特别敏感。因为氧气是淬灭剂，会使发光的量子效率显著下降，氧气对空穴传输层的氧化作用也会使其传输能力下降。水汽的影响更显而易见，其主要破坏方式是有机化合物的水解作用，使其稳定性大大下降，从而导致OLED器件失效，降低OLED器件的寿命。因而，有效抑制OLED器件在长期工作过程中的退化和失效，以使其稳定工作达到足够的寿命，对封装材料的阻隔性提出了极高的要求，而起密封保护作用的封装技术就成了解决OLED器件寿命问题的一个突破点。

封装技术是通过形成结构致密的隔层，对封装区内的核心部件实现物理保护。但传统的封装技术普遍存在寿命短的缺陷，防水氧效果差，限制了OLED器件的进一步应用。

发明内容

基于此，有必要提供一种防水氧效果较好的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、保护层、掺杂氮化物层及氮化物层；其中，所述保护层的材料为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉-铝、SiO、MgF₂或ZnS；所述掺杂氮化物层的材料为Re₂O、ReO、Re₂O₃、ReO₂、Re₂O₅或ReO₃按照10~30%的掺杂重量比掺杂在AlN、TiN、VN、NbN、ZrN或TaN中形成的掺杂混合材料；所述氮化物层的材料为AlN、TiN、VN、NbN、ZrN或TaN。

在其中一个实施例中，所述掺杂氮化物层的数量为3~5层，所述氮化物层的数量与所述掺杂氮化物层的数量相同，所述掺杂氮化物层与所述氮化物层交替设置。

在其中一个实施例中，所述掺杂氮化物层的厚度为100~150nm，所述氮化物层的厚度为100~150nm。

在其中一个实施例中，所述保护层的厚度为200~300nm。

在其中一个实施例中，所述空穴注入层的材质为MoO₃按照25wt%的掺杂浓度掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中组成的掺杂混合材料；

所述空穴传输层的材质为采用4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺；

所述发光层的材质为三（2-苯基吡啶）合铱按照5wt%的掺杂浓度掺杂入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中组成的掺杂混合材料；

所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；

所述电子注入层的材质为CsN₃按照25wt%的掺杂浓度掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中组成的混合材料。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

在阳极基板的阳极层上依次层叠真空蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层；

采用真空蒸发的方式在所述阴极层上制备一层保护层，所述保护层的材料为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉-铝、SiO、MgF₂或ZnS；

采用电子束蒸发的方式在所述保护层上制备掺杂氮化物层，所述掺杂氮化物层的材料为Re₂O、ReO、Re₂O₃、ReO₂、Re₂O₅或ReO₃按照10~30%的掺杂重量比掺杂在AlN、TiN、VN、NbN、ZrN或TaN中形成的掺杂混合材料；

采用磁控溅射的方式在所述掺杂氮化物层上制备氮化物层，所述氮化物层的材料为AlN、TiN、VN、NbN、ZrN或TaN。

在其中一个实施例中，所述制备方法还包括重复制备所述掺杂氮化物层及所述氮化物层的步骤，共制得3~5层的所述掺杂氮化物层以及与所述掺杂氮化物层交替设置且数量相同的所述氮化物层。

在其中一个实施例中，所述掺杂氮化物层的厚度为100~150nm；所述氮化物层的厚度为100~150nm。

在其中一个实施例中，制备所述保护层的过程中，蒸发速度为

制得的所述保护层的厚度为200~300nm。

在其中一个实施例中，所述空穴注入层的材质为MoO₃按照25wt%的掺杂浓度掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中组成的掺杂混合材料；

所述空穴传输层的材质为采用4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺；

所述发光层的材质为三（2-苯基吡啶）合铱按照5wt%的掺杂浓度掺杂入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中组成的掺杂混合材料；

所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；

所述电子注入层的材质为CsN₃按照25wt%的掺杂浓度掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中组成的混合材料。

上述有机电致发光器件在阴极层上设置有保护层、掺杂氮化物层及氮化物层，保护层可以将阴极层与掺杂氮化物层隔开，防止阴极层受到后续加工工艺的破坏；掺杂氮化物层与氮化物层构成水氧阻挡层，具有较好的防氧防水功能，分层设置的水氧阻挡层可以有效防止水氧逐渐渗透，阻挡水氧的效果更好。上述有机电致发光器件的防水性能可达10^-4g/m²·天，封装效果好，寿命可达7500小时以上。

附图说明

图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；

图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备流程示意图。

具体实施方式

下面主要结合附图及具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法作进一步详细的说明。

如图1所示，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠设置的阳极基板110（衬底和阳极导电作用）、空穴注入层120（注入空穴，有利于空穴从阳极注入到传输材料中）、空穴传输层130（传输空穴，有利于空穴传输到发光材料中）、发光层140（电子和空穴在此层中复合，然后将能量转移给发光分子发光）、电子传输层150（传输电子，有利于电子传输到发光材料中）、电子注入层160（注入电子，有利于电子从阳极注入到传输材料中）、阴极层170（电源为器件提供电子）、保护层180（保护阴极或有机层）及水氧阻挡层190（阻挡水氧的物质层）。

阳极基板110的基底一般为玻璃，其上的阳极层，也就是导电层的材质一般为ITO、IZO、AZO、FTO等，优选ITO；在玻璃表面制备有ITO、IZO、AZO、FTO层的，简称ITO玻璃、IZO玻璃、AZO玻璃、FTO玻璃。

空穴注入层120空穴传输层130发光层140电子传输层150电子注入层160空穴注入层120、空穴传输层130、电子传输层150、电子注入层160等功能层采用常用的材料制备。如空穴注入层120可以通过MoO₃按照25wt%的掺杂浓度掺入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中得到；空穴传输层130可以为4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）；电子传输层150可以为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）；电子注入层160可以通过CsN3按照25wt%的掺杂浓度掺入Bphen中得到。此外，在其他实施方式中，该有机电致发光器件100还可以不包括空穴注入层120、空穴传输层130、电子传输层150及电子注入层160或者只包括上述其中一种、两种或三种功能层。

发光层140可以采用常用的材料制备，如发光层140的主体材料采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料采用三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)，其中，客体材料在主体材料中的掺杂浓度5wt%。

阴极层170可以采用非透明金属材料制备，如铝、镍或金等，还可以采用具有介质层/金属层/介质层结构的透明材料制备，如ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS等。在本实施方式中，阴极层170的材料优选铝。

保护层180直接制备在阴极层170上，防止后续工艺对阴极层170的破坏。保护层180可以是厚度在200~300nm之间的酞菁铜（CuPc）层、NPB层、Alq₃层、SiO层、MgF₂层或ZnS层。

水氧阻挡层190包括掺杂氮化物层192和氮化物层194。掺杂氮化物层192直接设置在保护层180上。掺杂氮化物层192的材料可以为Re₂O、ReO、Re₂O₃、ReO₂、Re₂O₅或ReO₃按照10~30%的掺杂重量比掺杂在AlN、TiN、VN、NbN、ZrN或TaN中形成的掺杂混合材料，其厚度在100~150nm之间。氮化物层194设在掺杂氮化物层192上。氮化物层194可以为厚度在100~150nm之间的AlN、TiN、VN、NbN、ZrN或TaN层。

掺杂氮化物层192与氮化物层194的数量相同，可以为1层或多层，优选3~5层，也即水氧阻挡层190可以由3~5层的掺杂氮化物层192与氮化物层194交替叠设而成。

优选的，在本实施方式中，掺杂氮化物层192的氮化物与氮化物层194的材料相同。

该有机电致发光器件100在阴极层170上设置有保护层180、掺杂氮化物层192及氮化物层194。保护层180可以将阴极层140与掺杂氮化物层192隔开，防止阴极层140受到后续加工工艺的破坏。掺杂氮化物层192与氮化物层194构成水氧阻挡层190，具有较好的防氧防水功能，分层设置的水氧阻挡层190可以有效防止水氧逐渐渗透，阻挡水氧的效果更好。上述有机电致发光器件100的防水性能可达10^-4g/m²·天，封装效果好，寿命可达7500小时以上。

此外，本实施方式还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，如图2所示，包括如下步骤：

步骤S110，在阳极基板的阳极层表面依次真空蒸镀层叠形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层与阴极层。

在制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层与阴极层之前，优选的，还包括对阳极基板进行清洗的步骤，尤其是ITO玻璃基板。该清洗的步骤包括在超声清洗机中对阳极基板依次使用丙酮、乙醇、去离子水及乙醇清洗，每次洗涤5分钟，然后用氮气吹干，烘干后即可。

步骤S120，采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层保护层。保护层的材料为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉-铝、SiO、MgF₂或ZnS。

步骤S130，采用电子束蒸发的方式在保护层上制备掺杂氮化物层。掺杂氮化物层的材料为Re₂O、ReO、Re₂O₃、ReO₂、Re₂O₅或ReO₃按照10~30%的掺杂重量比掺杂在AlN、TiN、VN、NbN、ZrN或TaN中形成的掺杂混合材料。

步骤S140，采用磁控溅射的方式在掺杂氮化物层上制备氮化物层，氮化物层的材料为AlN、TiN、VN、NbN、ZrN或TaN。

掺杂氮化物层与氮化物层构成水氧阻挡层，当需要制备多层水氧阻挡层时，可以在首次制备完氮化物层后再重复步骤S130和步骤S140数次即可。

上述有机电致发光器件的制备方法中，所述阴极层的制备还包括：在电子注入层蒸镀完毕后，先在电子注入层的表面蒸镀一层ZnS层，随后在ZnS层表面蒸镀一层Ag层，最后在再Ag层表面蒸镀一层ZnS层，完后制得阴极层。

上述制备方法原理简单，对设备要求低，可广泛推广应用。

以下为实施例部分

实施例1：

本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO玻璃基板/MoO₃:NPB（25wt%）/TCTA/Ir(ppy)₃:TPBI（5wt%）/Bphen/CsN₃:Bphen（25wt%）/Al阴极层/CuPc/Re₂O:AlN（20wt%）/AlN，其中，相应层中“：”表示掺杂，括弧内百分比数据表示前者在后者中的掺杂质量百分比，“/”表示层叠，具体制备过程如下：

a）ITO玻璃基板前处理：在超声清洗机中依次使用丙酮、乙醇、去离子水、乙醇清洗，每次洗涤5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干；再对洗净后的ITO玻璃基板进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数。ITO玻璃基板的厚度为100nm。

b）有机功能层的制备：

空穴注入层：将MoO₃掺杂入NPB中作为空穴注入材料，掺杂浓度25wt%，在ITO玻璃基板上采用真空蒸镀的方式制备厚度为10nm的空穴注入层，制备过程中真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

空穴传输层：采用4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料，采用真空蒸镀的方式在空穴注入层上蒸发厚度40nm的空穴传输层，其中，制备过程中真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

发光层：主体材料采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客本材料采用三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)，客体材料在主体材料中的掺杂浓度5wt%，采用真空蒸发的方式在空穴传输层上蒸发厚度为20nm的发光层，其中制备过程中真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

电子传输层的制备：采用真空蒸发的方式在发光层上蒸镀一层厚度为30nm的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）作为电子传输层，其中，制备过程中真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

电子注入层的制备：将CsN₃掺入Bphen中作为电子注入材料，掺杂浓度25wt%，在电子传输层上采用真空蒸发的方式蒸镀一层厚度为20nm的电子注入层，其中，制备过程中真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

c）阴极层的制备：采用真空蒸发的方式在电子注入层上蒸发一层厚度为100nm的Al作为阴极层，其中，制备过程中真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

d）保护层的制备：采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层厚度200nm的CuPc作为保护层，真空度1×10^-5Pa，蒸发速度

e）掺杂氮化物层的制备：氮化物层为AlN，掺杂物为Re₂O，掺杂浓度为20wt%，采用电子束蒸发的方式在保护层上制备一层厚度为125nm的Re₂O:AlN作为掺杂氮化物层，其中，制备过程真空度为1×10^-5Pa。

f）氮化物层的制备：采用磁控溅射的方式在掺杂氮化物层上制备一层厚度为150nm的AlN作为氮化物层，制备过程本底真空度为1×10^-5Pa，气体氛围为Ar氛围。

交替重复步骤e）和f）5次。

实施例2：

本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO玻璃基板/MoO₃:NPB（25wt%）/TCTA/Ir(ppy)₃:TPBI（5wt%）/Bphen/CsN₃:Bphen（25wt%）/Al阴极层/NPB/ReO:TiN（10wt%）/TiN，其中，相应层中“：”表示掺杂，括弧内百分比数据表示前者在后者中的掺杂质量百分比，“/”表示层叠，具体制备过程如下：

a）、b）、c）同实施例1；

d）保护层的制备：采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层厚度300nm的NPB作为保护层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

e）掺杂氮化物层的制备：氮化物层为TiN，掺杂物为ReO，掺杂浓度为10wt%，采用电子束蒸发的方式在保护层上制备一层厚度为100nm的ReO:TiN作为掺杂氮化物层，其中，制备过程真空度为5×10^-5Pa。

f）氮化物层的制备：采用磁控溅射的方式在掺杂氮化物层上制备一层厚度为100nm的TiN作为氮化物层，制备过程本底真空度为5×10^-5Pa，气体氛围为Ar氛围。

交替重复步骤e）和f）5次。

实施例3：

本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO玻璃基板/MoO₃:NPB（25wt%）/TCTA/Ir(ppy)₃:TPBI（5wt%）/Bphen/CsN₃:Bphen（25wt%）/Al阴极层/Alq3/Re₂O₃:VN（30wt%）/VN，其中，相应层中“：”表示掺杂，括弧内百分比数据表示前者在后者中的掺杂质量百分比，“/”表示层叠，具体制备过程如下：

a）、b）、c）同实施例1；

d）保护层的制备：采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层厚度250nm的Alq3作为保护层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

e）掺杂氮化物层的制备：氮化物层为VN，掺杂物为Re₂O₃，掺杂浓度为30wt%，采用电子束蒸发的方式在保护层上制备一层厚度为150nm的ReO:TiN作为掺杂氮化物层，其中，制备过程真空度为5×10^-5Pa。

f）氮化物层的制备：采用磁控溅射的方式在掺杂氮化物层上制备一层厚度为120nm的VN作为氮化物层，制备过程本底真空度为5×10^-5Pa，气体氛围为Ar氛围。

交替重复步骤e）和f）5次。

实施例4：

本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO玻璃基板/MoO₃:NPB（25wt%）/TCTA/Ir(ppy)₃:TPBI（5wt%）/Bphen/CsN₃:Bphen（25wt%）/Al阴极层/SiO/ReO₂:NbN（20wt%）/NbN，其中，相应层中“：”表示掺杂，括弧内百分比数据表示前者在后者中的掺杂质量百分比，“/”表示层叠，具体制备过程如下：

a）、b）、c）同实施例1；

d）保护层的制备：采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层厚度200nm的SiO作为保护层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

e）掺杂氮化物层的制备：氮化物层为NbN，掺杂物为ReO₂，掺杂浓度为20wt%，采用电子束蒸发的方式在保护层上制备一层厚度为120nm的ReO₂:NbN作为掺杂氮化物层，其中，制备过程真空度为5×10^-5Pa。

f）氮化物层的制备：采用磁控溅射的方式在掺杂氮化物层上制备一层厚度为120nm的NbN作为氮化物层，制备过程本底真空度为5×10^-5Pa，气体氛围为Ar氛围。

交替重复步骤e）和f）4次。

实施例5：

本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO玻璃基板/MoO₃:NPB（25wt%）/TCTA/Ir(ppy)₃:TPBI（5wt%）/Bphen/CsN₃:Bphen（25wt%）/Al阴极层/MgF₂/Re₂O₅:ZrN（20wt%）/ZrN，其中，相应层中“：”表示掺杂，括弧内百分比数据表示前者在后者中的掺杂质量百分比，“/”表示层叠，具体制备过程如下：

a）、b）、c）同实施例1；

d）保护层的制备：采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层厚度300nm的MgF₂作为保护层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

e）掺杂氮化物层的制备：氮化物层为ZrN，掺杂物为Re₂O₅，掺杂浓度为20wt%，采用电子束蒸发的方式在保护层上制备一层厚度为120nm的Re₂O₅:ZrN作为掺杂氮化物层，其中，制备过程真空度为5×10^-5Pa。

f）氮化物层的制备：采用磁控溅射的方式在掺杂氮化物层上制备一层厚度为120nm的ZrN作为氮化物层，制备过程本底真空度为5×10^-5Pa，气体氛围为Ar氛围。

交替重复步骤e）和f）4次。

实施例6：

本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO玻璃基板/MoO₃:NPB（25wt%）/TCTA/Ir(ppy)₃:TPBI（5wt%）/Bphen/CsN₃:Bphen（25wt%）/Al阴极层/ZnS/ReO₃:TaN（20wt%）/TaN，其中，相应层中“：”表示掺杂，括弧内百分比数据表示前者在后者中的掺杂质量百分比，“/”表示层叠，具体制备过程如下：

a）、b）、c）同实施例1；

d）保护层的制备：采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层厚度250nm的ZnS作为保护层，真空度1×10^-3Pa，蒸发速度

e）掺杂氮化物层的制备：氮化物层为TaN，掺杂物为ReO₃，掺杂浓度为20wt%，采用电子束蒸发的方式在保护层上制备一层厚度为130nm的ReO₃:TaN作为掺杂氮化物层，其中，制备过程真空度为1×10^-3Pa。

f）氮化物层的制备：采用磁控溅射的方式在掺杂氮化物层上制备一层厚度为120nm的TaN作为氮化物层，制备过程本底真空度为1×10^-3Pa，气体氛围为Ar氛围。

交替重复步骤e）和f）3次。

表1为上述各实施例的防水氧性能检测数据：

表1

由表1数据可以看出采用本实施方式结构的有机电致发光器件防水的能力强，器件寿命较长。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、保护层、掺杂氮化物层及氮化物层；其中，所述保护层的材料为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉-铝、SiO、MgF₂或ZnS；所述掺杂氮化物层的材料为Re₂O、ReO、Re₂O₃、ReO₂、Re₂O₅或ReO₃按照10~30%的掺杂重量比掺杂在AlN、TiN、VN、NbN、ZrN或TaN中形成的掺杂混合材料；所述氮化物层的材料为AlN、TiN、VN、NbN、ZrN或TaN。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂氮化物层的数量为3~5层，所述氮化物层的数量与所述掺杂氮化物层的数量相同，所述掺杂氮化物层与所述氮化物层交替设置。

3.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂氮化物层的厚度为100~150nm，所述氮化物层的厚度为100~150nm。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述保护层的厚度为200~300nm。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为MoO₃按照25wt%的掺杂浓度掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4'-二胺中组成的掺杂混合材料；

所述空穴传输层的材质为采用4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺；

所述发光层的材质为三（2-苯基吡啶）合铱按照5wt%的掺杂浓度掺杂入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中组成的掺杂混合材料；

所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；

所述电子注入层的材质为CsN₃按照25wt%的掺杂浓度掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中组成的混合材料。

6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在阳极基板的阳极层上依次层叠真空蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层；

采用真空蒸发的方式在所述阴极层上制备一层保护层，所述保护层的材料为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉-铝、SiO、MgF₂或ZnS；

采用电子束蒸发的方式在所述保护层上制备掺杂氮化物层，所述掺杂氮化物层的材料为Re₂O、ReO、Re₂O₃、ReO₂、Re₂O₅或ReO₃按照10~30%的掺杂重量比掺杂在AlN、TiN、VN、NbN、ZrN或TaN中形成的掺杂混合材料；

采用磁控溅射的方式在所述掺杂氮化物层上制备氮化物层，所述氮化物层的材料为AlN、TiN、VN、NbN、ZrN或TaN。

7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，还包括重复制备所述掺杂氮化物层及所述氮化物层的步骤，共制得3~5层的所述掺杂氮化物层以及与所述掺杂氮化物层交替设置且数量相同的所述氮化物层。

8.如权利要求6或7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述掺杂氮化物层的厚度为100~150nm；所述氮化物层的厚度为100~150nm。

9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，制备所述保护层的过程中，蒸发速度为制得的所述保护层的厚度为200~300nm。

10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的材质为MoO₃按照25wt%的掺杂浓度掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中组成的掺杂混合材料；

所述空穴传输层的材质为采用4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺；

所述发光层的材质为三（2-苯基吡啶）合铱按照5wt%的掺杂浓度掺杂入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中组成的掺杂混合材料；

所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；

所述电子注入层的材质为CsN₃按照25wt%的掺杂浓度掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中组成的混合材料。

Images