CN103904240A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103904240A
CN103904240A CN201210572054.6A CN201210572054A CN103904240A CN 103904240 A CN103904240 A CN 103904240A CN 201210572054 A CN201210572054 A CN 201210572054A CN 103904240 A CN103904240 A CN 103904240A
Authority
CN
China
Prior art keywords
barrier layer
layer
organic
inorganic barrier
inorganic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201210572054.6A
Other languages
English (en)
Inventor
周明杰
王平
钟铁涛
陈吉星
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Original Assignee
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd, Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd filed Critical Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Priority to CN201210572054.6A priority Critical patent/CN103904240A/zh
Publication of CN103904240A publication Critical patent/CN103904240A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种有机电致发光器件，包括依次层叠的如下结构：阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层以及由若干层有机阻挡层和无机阻挡层交替层叠组成的混合阻挡层。上述有机电致发光器件的无机阻挡层的材质为硅化物和氧化物的混合物，硅化物占混合物总质量的10%~30%，具有很高的致密性，能够防止水汽和氧气进入有机电致发光器件。相对于传统的有机电致发光器件，这种有机电致发光器件具有较长的使用寿命。本发明还公开了一种上述有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及电致发光领域，特别是涉及有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件（Organic Light Emitting Display,OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件，其典型结构是在ITO玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。
OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程，使得OLED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。
传统的有机电致发光器件，采用金属材料作为阴极层，由于金属在蒸镀制备时，容易存在针孔和缺陷，这样导致水汽和氧气容易从针孔和缺陷处向发光器件内部渗透，导致器件失效，因此封装的好坏直接影响有机电致发光器件的寿命。
传统的有机电致发光器件对水汽和氧气的阻挡性能不佳，使用寿命不长。
发明内容
基于此，有必要提供一种使用寿命较长的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的如下结构：
阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层以及由若干层有机阻挡层和无机阻挡层交替层叠组成的混合阻挡层，一层所述有机阻挡层与所述阴极层直接接触；
所述无机阻挡层的材质为硅化物和氧化物的混合物，所述硅化物占所述混合物总质量的10%~30%；所述硅化物为二硅化铬、二硅化钽、二硅化铪、二硅化钛、二硅化钼和二硅化钨中的至少一种；所述氧化物为氧化镁、三氧化二铝、二氧化钛、氧化锆、二氧化铪和五氧化二钽中的至少一种；
所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉中的至少一种。
在一个实施方式中，所述有机阻挡层及无机阻挡层交替层叠的次数为4~6次。
在一个实施方式中，所述有机阻挡层的厚度为200nm~300nm。
在一个实施方式中，所述无机阻挡层的厚度为100nm~150nm。
在一个实施方式中，所述空穴注入层的材质为掺杂了三氧化钼的N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，所述三氧化钼占所述空穴注入层的重量百分比为30%；
所述空穴传输层的材质为4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺；
所述发光层的材质为掺杂了三（2-苯基吡啶）合铱的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述三（2-苯基吡啶）合铱占所述发光层的重量百分比为5%；
所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；
所述电子注入层的材质为掺杂了叠氮化铯的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，所述叠氮化铯占所述电子注入层的重量百分比为30%。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
提供阳极导电基板；
在所述阳极导电基板的阳极导电层上真空蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；
在所述阴极层上真空蒸镀制备由若干层有机阻挡层和无机阻挡层交替层叠组成的混合阻挡层，一层所述有机阻挡层与所述阴极层直接接触；
所述无机阻挡层的材质为硅化物和氧化物的混合物，所述硅化物占所述混合物总质量的10%~30%；所述硅化物为二硅化铬、二硅化钽、二硅化铪、二硅化钛、二硅化钼和二硅化钨中的至少一种；所述氧化物为氧化镁、三氧化二铝、二氧化钛、氧化锆、二氧化铪和五氧化二钽中的至少一种；
所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉中的至少一种。
在一个实施方式中，所述有机阻挡层和无机阻挡层交替层叠的次数为4~6次。
在一个实施方式中，所述有机阻挡层真空蒸镀制备时，其真空度为1×10-5Pa~1×10-3Pa，蒸发速度为
Figure BDA00002646169600031
所述无机阻挡层磁控溅射制备时，其真空度为1×10-5Pa~1×10-3Pa。
在一个实施方式中，所述有机阻挡层的厚度为200nm~300nm。
在一个实施方式中，所述无机阻挡层的厚度为100nm~150nm。
上述有机电致发光器件包含由若干层有机阻挡层和无机阻挡层交替层叠组成的混合阻挡层，无机阻挡层和有机阻挡层交替层叠时，有机阻挡层能够很好地缓解无机阻挡层之间的应力，并且无机阻挡层的材质为硅化物和氧化物的混合物，硅化物占混合物总质量的10%~30%，具有很高的致密性，能够防止水汽和氧气进入有机电致发光器件。相对于传统的有机电致发光器件，这种有机电致发光器件具有较长的使用寿命。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为图1所示的有机电致发光器件中的混合阻挡层的结构示意图；
图3为如图1和2所示的有机电致发光器件制备方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
如图1所示的一实施方式的有机电致发光器件，包括依次层叠的如下结构：阳极导电基板110、空穴注入层120、空穴传输层130、发光层140、电子传输层150、电子注入层160、阴极层170和混合阻挡层180。
混合阻挡层180由若干层有机阻挡层和无机阻挡层交替层叠组成，一层有机阻挡层与阴极层直接接触。
在一个较优的实施方式中，有机阻挡层及无机阻挡层交替层叠的次数可以为4~6次，并且有机阻挡层与阴极层170直接接触。
如图2所示，混合阻挡层180由有机阻挡层181和无机阻挡层182交替层叠4次组成。每次有机阻挡层181和无机阻挡层182交替层叠一次后，就构成一个重复单元183；这样，若干个重复单元183（如，有机阻挡层181、无机阻挡层182，有机阻挡层181、无机阻挡层182，……，如此交替重复）再次层叠后就构成了混合阻挡层180。
无机阻挡层的材质可以为硅化物和氧化物的混合物，硅化物占混合物总质量的10%~30%。相比单纯硅化物或氧化物，无机阻挡层的材质为硅化物和氧化物的混合物，由于硅化物和氧化物的晶格匹配，可互相补充缺陷，同时可以降低膜层应力。
无机阻挡层的厚度可以为100nm~150nm。
有机阻挡层的材质可以为酞菁铜（CuPc）、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA）和4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉（BCP）中的至少一种。
有机阻挡层的厚度为200nm~300nm。
有机阻挡层具有柔韧性，能够缓减阴极层170和无机阻挡层之间、无机阻挡层和无机阻挡层之间的应力，使有机电致发光器件不容易产生裂纹或者空隙。
阳极导电基板110的材质包括阳极导电层和基板，其基板可以为玻璃基板或有机薄膜基板，阳极导电层的材质可以为导电氧化物，如，氧化铟锡（ITO）、掺铝氧化锌（AZO）、掺铟氧化锌（IZO）或掺氟氧化锡（FTO），这些导电氧化物被制备在玻璃基板上，简称ITO玻璃、AZO玻璃、IZO玻璃、FTO玻璃。阳极导电基板可以自制，也可以市购获得。可以根据需要选择其他合适的材料作为阳极导电基板110。此外，还可以在阳极导电基板110上制备所需的有机电致发光器件的阳极图形。
阳极导电基板110的厚度为70nm~200nm。
空穴注入层120的材质可以为掺杂了三氧化钼的N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，三氧化钼占空穴注入层120的重量百分比可以为30%。空穴注入层120的作用为注入空穴，有利于空穴从阳极注入到传输材料中。
空穴传输层130的材质可以为4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺。空穴传输层130的作用为传输空穴，有利于空穴传输到发光材料中。
发光层140的材质可以为掺杂了三（2-苯基吡啶）合铱的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，三（2-苯基吡啶）合铱占发光层140的重量百分比可以为5%。电子和空穴在发光层140中复合，然后将能量转移给发光分子发光。
电子传输层150的材质可以为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉。电子传输层150的作用为传输电子，有利于电子传输到发光材料中。
电子注入层160的材质可以为掺杂了叠氮化铯的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，叠氮化铯占电子注入层160的重量百分比可以为30%。电子注入层160的作用为注入电子，有利于电子从阳极注入到传输材料中。
有机电致发光器件中包含有空穴注入层120、空穴传输层130、电子传输层150和电子注入层160能够降低有机电致发光器件的工作电压和提高有机电致发光器件的发光效率。
阴极层170的材质可以为锂（Li）、镁（Mg）、钙（Ca）、银（Ag）、钐（Sm）、镱（Yb）、铝（Al）或其合金。阴极层170厚度可以为20nm~100nm。
上述有机电致发光器件包含由若干层有机阻挡层和无机阻挡层交替层叠组成的混合阻挡层180，并且无机阻挡层的材质为硅化物和氧化物的混合物，硅化物占混合物总质量的10%~30%，从而使得无机阻挡层具有很高的致密性，能够防止水汽和氧气进入有机电致发光器件。相对于传统的有机电致发光器件，上述有机电致发光器件具有较长的使用寿命。
如图3所示上述的有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
S10、提供阳极导电基板110。
阳极导电基板110的材质包括阳极导电层和基板，其基板可以为玻璃基板或有机薄膜基板，阳极导电层的材质可以为导电氧化物，如，氧化铟锡（ITO）、掺铝氧化锌（AZO）、掺铟氧化锌（IZO）或掺氟氧化锡（FTO），这些导电氧化物被制备在玻璃基板上，简称ITO玻璃、AZO玻璃、IZO玻璃、FTO玻璃。阳极导电基板可以自制，也可以市购获得。在实际应用中，可以根据需要选择其他合适的材料作为阳极导电基板110。在实际应用中，可以在阳极导电基板110上制备所需的有机电致发光器件的阳极图形。阳极导电基板110的厚度可以为70nm~200nm。
将阳极导电基板110依次进行如下处理：丙酮清洗→乙醇清洗→去离子水清洗→乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次清洗时间为5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干待用。对洗净后的阳极导电基板110还可以进行表面活化处理，以增加阳极导电基板110的导电层表面的含氧量，提高导电层表面的功函数。
S20、在阳极导电基板110的阳极导电层上真空蒸镀形成空穴注入层120、空穴传输层130、发光层140、电子传输层150、电子注入层160和阴极层170。
空穴注入层120的材质可以为掺杂了三氧化钼的N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，三氧化钼占空穴注入层120的重量百分比可以为30%。空穴注入层120的作用为注入空穴，有利于空穴从阳极注入到传输材料中。
空穴传输层130的材质可以为4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺。空穴传输层130的作用为传输空穴，有利于空穴传输到发光材料中。
发光层140的材质可以为掺杂了三（2-苯基吡啶）合铱的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，三（2-苯基吡啶）合铱占发光层140的重量百分比可以为5%。电子和空穴在发光层140中复合，然后将能量转移给发光分子发光。
电子传输层150的材质可以为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉。电子传输层150的作用为传输电子，有利于电子传输到发光材料中。
电子注入层160的材质可以为掺杂了叠氮化铯的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，叠氮化铯占电子注入层160的重量百分比可以为30%。电子注入层160的作用为注入电子，有利于电子从阳极注入到传输材料中。
有机电致发光器件中包含有空穴注入层120、空穴传输层130、电子传输层150和电子注入层160能够降低有机电致发光器件的工作电压和提高有机电致发光器件的发光效率。
阴极层170的材质可以为Li、Mg、Ca、Ag、Sm、Yb、Al或其合金。
阴极层170的厚度可以为20nm~100nm。在实际运用中，可以根据需要选择合适的阴极层170的材质和厚度。
S30、在阴极层170上真空蒸镀制备由若干层有机阻挡层和无机阻挡层交替层叠组成的混合阻挡层180。
在一个较优的实施方式中，有机阻挡层181及无机阻挡层182交替层叠的次数可以为4~6次，并且有机阻挡层与阴极层170直接接触。混合阻挡层180由若干层有机阻挡层181和无机阻挡层182交替层叠组成，每次有机阻挡层181和无机阻挡层182交替层叠一次后，就构成一个重复单元183；这样，若干个重复单元183（如，有机阻挡层181、无机阻挡层182，有机阻挡层181、无机阻挡层182，……，如此交替重复）再次层叠后就构成了混合阻挡层180。
下述实施例中，为方便描述，混合阻挡层180中，紧贴阴极层170的有机阻挡层为第一有机阻挡层，第一有机阻挡层面上的无机阻挡层为第一无机阻挡层，在第一无机阻挡层表面制备第二有机阻挡层，紧接着在第二有机阻挡层表面制备第二无机阻挡层，依次类推。
无机阻挡层的材质可以为硅化物和氧化物的混合物，硅化物占混合物总质量的10%~30%。相比单纯硅化物或氧化物，无机阻挡层的材质为硅化物和氧化物的混合物，由于硅化物和氧化物的晶格匹配，可互相补充缺陷，同时可以降低膜层应力。
无机阻挡层的厚度可以为100nm~150nm。
有机阻挡层的材质可以为酞菁铜（CuPc）、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA）和4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉（BCP）中的至少一种。
有机阻挡层的厚度为200nm~300nm。
有机阻挡层具有柔韧性，能够缓减阴极层170和无机阻挡层之间、无机阻挡层和无机阻挡层之间的应力，使有机电致发光器件不容易产生裂纹或者空隙。
无机阻挡层可以采用磁控溅射法，在本底真空度为1×10-5Pa~1×10-3Pa的条件下形成。
有机阻挡层可以采用真空蒸镀法，在真空度为1×10-5Pa~1×10-3Pa，蒸发速度为
Figure BDA00002646169600081
的条件下形成。
上述有机电致发光器件的制备方法适用于以玻璃、塑料或金属为基底的柔性有机电致发光器件的制备。
上述有机电致发光器件的制备方法具有封装材料廉价，制备工艺简单，易大面积制备等优点。制备得到的有机电致发光器件防水氧能力（water vaportransmission rate,WVTR）强，WVTR可以达到10-4g/m2·day，同时对有机电致发光器件的寿命有显著的提高，使用寿命可以达到5000小时以上（T701000cd/m2）。
下面为具体实施例部分。
实施例1
提供厚度为100nm的ITO玻璃基板作为阳极导电基板，并对其进行如下处理：丙酮清洗→乙醇清洗→去离子水清洗→乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次清洗时间为5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干待用。对洗净后的ITO玻璃还需进行表面活化处理，以增加导电层表面的含氧量，提高导电层表面的功函数。
在真空度为3×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600082
的蒸发速度，采用真空蒸镀法在ITO基板上形成空穴注入层。空穴注入的材质为掺杂了MoO3的NPB，其中MoO3占空穴注入层的重量百分比为30%，形成的空穴注入层的厚度为10nm。
在真空度为3×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600083
的蒸发速度，采用真空蒸镀法在空穴注入层上形成空穴传输层。空穴传输层的材质为4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA），形成的空穴传输层的厚度为30nm。
在真空度为3×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600091
的蒸发速度，采用真空蒸镀法在空穴传输层上形成发光层。发光层的材质为掺杂了三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）。其中，Ir(ppy)3占发光层的重量百分比为5％，形成的发光层的厚度为20nm。
在真空度为3×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600092
的蒸发速度，采用真空蒸镀法在发光层上形成电子传输层。电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen），形成的电子传输层的厚度为10nm。
在真空度为3×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600093
的蒸发速度，采用真空蒸镀法在电子传输层上形成电子注入层。电子注入层的材质为掺杂了叠氮化铯（CsN3）的Bphen，其中，CsN3占电子注入层的重量百分比为30%，形成的电子注入层的厚度为20nm。
在真空度为3×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600094
的蒸发速度，采用真空蒸镀法在电子注入层上形成阴极层。阴极层的材质为铝（Al），形成的阴极层的厚度为100nm。
在真空度为1×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600095
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在阴极层上形成第一有机阻挡层。第一有机阻挡层的材质为CuPc，形成的第一有机阻挡层的厚度为300nm。
在本底真空度为1×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第一有机阻挡层上形成第一无机阻挡层。第一无机阻挡层的材质为WSi2和MgO，其中，WSi2占第一无机阻挡层的重量百分比为20%。第一无机阻挡层的厚度为150nm。
在真空度为1×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600096
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第一无机阻挡层成上形成第二有机阻挡层。第二有机阻挡层的材质为CuPc，形成的第二有机阻挡层的厚度为300nm。
在本底真空度为1×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第二有机阻挡层上形成第二无机阻挡层。第二无机阻挡层的材质为WSi2和MgO，其中，WSi2占第二无机阻挡层的重量百分比为20%。第二无机阻挡层的厚度为150nm。
在真空度为1×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600097
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第二无机阻挡层成上形成第三有机阻挡层。第三有机阻挡层的材质为CuPc，形成的第三有机阻挡层的厚度为300nm。
在本底真空度为1×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第三有机阻挡层上形成第三无机阻挡层。第三无机阻挡层的材质为WSi2和MgO，其中，WSi2占第三无机阻挡层的重量百分比为20%。第三无机阻挡层的厚度为150nm。
在真空度为1×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600101
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第三无机阻挡层成上形成第四有机阻挡层。第四有机阻挡层的材质为CuPc，形成的第四有机阻挡层的厚度为300nm。
在本底真空度为1×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第四有机阻挡层上形成第四无机阻挡层。第四无机阻挡层的材质为WSi2和MgO，其中，WSi2占第四无机阻挡层的重量百分比为20%。第四无机阻挡层的厚度为150nm。
在真空度为1×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600102
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第四无机阻挡层成上形成第五有机阻挡层。第五有机阻挡层的材质为CuPc，形成的第五有机阻挡层的厚度为300nm。
在本底真空度为1×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第五有机阻挡层上形成第五无机阻挡层。第五无机阻挡层的材质为WSi2和MgO，其中，WSi2占第五无机阻挡层的重量百分比为20%。第五无机阻挡层的厚度为150nm。
在真空度为1×10-5Pa的条件下，以的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第五无机阻挡层成上形成第六有机阻挡层。第六有机阻挡层的材质为CuPc，形成的第六有机阻挡层的厚度为300nm。
在本底真空度为1×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第六有机阻挡层上形成第六无机阻挡层。第六无机阻挡层的材质为WSi2和MgO，其中，WSi2占第六无机阻挡层的重量百分比为20%。第六无机阻挡层的厚度为150nm。得到有机电致发光器件。
实施例2
实施例2和实施例1的有机电致发光器件的制备方法基本相同，其不同之处如下：
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600104
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在阴极层上形成第一有机阻挡层。第一有机阻挡层的材质为NPB，形成的第一有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为1×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第一有机阻挡层上形成第一无机阻挡层。第一无机阻挡层的材质为MoSi2和Al2O3，其中，MoSi2占第一无机阻挡层的重量百分比为30%。第一无机阻挡层的厚度为150nm。
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600111
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第一无机层上形成第二有机阻挡层。第二有机阻挡层的材质为NPB，形成的第二有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为1×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第二有机阻挡层上形成第二无机阻挡层。第二无机阻挡层的材质为MoSi2和Al2O3，其中，MoSi2占第二无机阻挡层的重量百分比为30%。第二无机阻挡层的厚度为150nm。
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600112
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第二无机层上形成第三有机阻挡层。第三有机阻挡层的材质为NPB，形成的第三有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为1×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第三有机阻挡层上形成第三无机阻挡层。第三无机阻挡层的材质为MoSi2和Al2O3，其中，MoSi2占第三无机阻挡层的重量百分比为30%。第三无机阻挡层的厚度为150nm。
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第三无机层上形成第四有机阻挡层。第四有机阻挡层的材质为NPB，形成的第四有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为1×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第四有机阻挡层上形成第四无机阻挡层。第四无机阻挡层的材质为MoSi2和Al2O3，其中，MoSi2占四无机阻挡层的重量百分比为30%。第四无机阻挡层的厚度为150nm。
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600114
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第四无机层上形成第五有机阻挡层。第五有机阻挡层的材质为NPB，形成的第五有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为1×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第五有机阻挡层上形成第五无机阻挡层。第五无机阻挡层的材质为MoSi2和Al2O3，其中，MoSi2占第五无机阻挡层的重量百分比为30%。第五无机阻挡层的厚度为150nm。
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第五无机层上形成第六有机阻挡层。第六有机阻挡层的材质为NPB，形成的第六有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为1×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第六有机阻挡层上形成第六无机阻挡层。第六无机阻挡层的材质为MoSi2和Al2O3，其中，MoSi2占第六无机阻挡层的重量百分比为30%。第六无机阻挡层的厚度为150nm。得到有机电致发光器件。
实施例3
实施例3和实施例1的有机电致发光器件的制备方法基本相同，其不同之处如下：
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600122
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在阴极层上形成第一有机阻挡层。第一有机阻挡层的材质为Alq3，形成的第一有机阻挡层的厚度为200nm。
在本底真空度为5×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第一有机阻挡层上形成第一无机阻挡层。第一无机阻挡层的材质为TiSi2和TiO2，其中，TiSi2占第一无机阻挡层的重量百分比为10%。第一无机阻挡层的厚度为100nm。
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600123
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第一无机层上形成第二有机阻挡层。第二有机阻挡层的材质为Alq3，形成的第二有机阻挡层的厚度为200nm。
在本底真空度为5×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第二有机阻挡层上形成第二无机阻挡层。第二无机阻挡层的材质为TiSi2和TiO2，其中，TiSi2占第二无机阻挡层的重量百分比为10%。第二无机阻挡层的厚度为100nm。
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600124
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第二无机层上形成第三有机阻挡层。第三有机阻挡层的材质为Alq3，形成的第三有机阻挡层的厚度为200nm。
在本底真空度为5×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第三有机阻挡层上形成第三无机阻挡层。第三无机阻挡层的材质为TiSi2和TiO2，其中，TiSi2占第三无机阻挡层的重量百分比为10%。第三无机阻挡层的厚度为100nm。
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600131
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第三无机层上形成第四有机阻挡层。第四有机阻挡层的材质为Alq3，形成的第四有机阻挡层的厚度为200nm。
在本底真空度为5×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第四有机阻挡层上形成第四无机阻挡层。第四无机阻挡层的材质为TiSi2和TiO2，其中，TiSi2占第四无机阻挡层的重量百分比为10%。第四无机阻挡层的厚度为100nm。
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第四无机层上形成第五有机阻挡层。第五有机阻挡层的材质为Alq3，形成的第五有机阻挡层的厚度为200nm。
在本底真空度为5×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第五有机阻挡层上形成第五无机阻挡层。第五无机阻挡层的材质为TiSi2和TiO2，其中，TiSi2占第五无机阻挡层的重量百分比为10%。第五无机阻挡层的厚度为100nm。
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600133
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第五无机层上形成第六有机阻挡层。第六有机阻挡层的材质为Alq3，形成的第六有机阻挡层的厚度为200nm。
在本底真空度为5×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第六有机阻挡层上形成第六无机阻挡层。第六无机阻挡层的材质为TiSi2和TiO2，其中，TiSi2占第六无机阻挡层的重量百分比为10%。第六无机阻挡层的厚度为100nm。得到有机电致发光器件。
实施例4
实施例4和实施例1的有机电致发光器件的制备方法基本相同，其不同之处如下：
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600134
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在阴极层上形成第一有机阻挡层。第一有机阻挡层的材质为m-MTDATA，形成的第一有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为5×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第一有机阻挡层上形成第一无机阻挡层。第一无机阻挡层的材质为HfSi2和ZrO2，其中，HfSi2占第一无机阻挡层的重量百分比为20%。第一无机阻挡层的厚度为120nm。
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第一无机层上形成第二有机阻挡层。第二有机阻挡层的材质为m-MTDATA，形成的第二有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为5×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第二有机阻挡层上形成第二无机阻挡层。第二无机阻挡层的材质为HfSi2和ZrO2，其中，HfSi2占第二无机阻挡层的重量百分比为20%。第二无机阻挡层的厚度为120nm。
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600142
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第二无机层上形成第三有机阻挡层。第三有机阻挡层的材质为m-MTDATA，形成的第三有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为5×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第三有机阻挡层上形成第三无机阻挡层。第三无机阻挡层的材质为HfSi2和ZrO2，其中，HfSi2占第三无机阻挡层的重量百分比为20%。第三无机阻挡层的厚度为120nm。
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600143
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第三无机层上形成第四有机阻挡层。第四有机阻挡层的材质为m-MTDATA，形成的第四有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为5×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第四有机阻挡层上形成第四无机阻挡层。第四无机阻挡层的材质为HfSi2和ZrO2，其中，HfSi2占第四无机阻挡层的重量百分比为20%。第四无机阻挡层的厚度为120nm。
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第四无机层上形成第五有机阻挡层。第五有机阻挡层的材质为m-MTDATA，形成的第五有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为5×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第五有机阻挡层上形成第五无机阻挡层。第五无机阻挡层的材质为HfSi2和ZrO2，其中，HfSi2占第五无机阻挡层的重量百分比为20%。第五无机阻挡层的厚度为120nm。得到有机电致发光器件。
实施例5
实施例5和实施例1的有机电致发光器件的制备方法基本相同，其不同之处如下：
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600151
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在阴极层上形成第一有机阻挡层。第一有机阻挡层的材质为BCP，形成的第一有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为5×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第一有机阻挡层上形成第一无机阻挡层。第一无机阻挡层的材质为TaSi2和HfO2，其中，TaSi2占第一无机阻挡层的重量百分比为15%。第一无机阻挡层的厚度为130nm。
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第一无机层上形成第二有机阻挡层。第二有机阻挡层的材质为BCP，形成的第二有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为5×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第二有机阻挡层上形成第二无机阻挡层。第二无机阻挡层的材质为TaSi2和HfO2，其中，TaSi2占第二无机阻挡层的重量百分比为15%。第二无机阻挡层的厚度为130nm。
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600153
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第二无机层上形成第三有机阻挡层。第三有机阻挡层的材质为BCP，形成的第三有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为5×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第三有机阻挡层上形成第三无机阻挡层。第三无机阻挡层的材质为TaSi2和HfO2，其中，TaSi2占第三无机阻挡层的重量百分比为15%。第三无机阻挡层的厚度为130nm。
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600154
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第三无机层上形成第四有机阻挡层。第四有机阻挡层的材质为BCP，形成的第四有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为5×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第四有机阻挡层上形成第四无机阻挡层。第四无机阻挡层的材质为TaSi2和HfO2，其中，TaSi2占第四无机阻挡层的重量百分比为15%。第四无机阻挡层的厚度为130nm。
在真空度为5×10-5Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600155
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第四无机层上形成第五有机阻挡层。第五有机阻挡层的材质为BCP，形成的第五有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为5×10-5Pa的条件下，采用磁控溅射法在第五有机阻挡层上形成第五无机阻挡层。第五无机阻挡层的材质为TaSi2和HfO2，其中，TaSi2占第五无机阻挡层的重量百分比为15%。第五无机阻挡层的厚度为130nm。得到有机电致发光器件。
实施例6
实施例6和实施例1的有机电致发光器件的制备方法基本相同，其不同之处如下：
在真空度为1×10-3Pa的条件下，以的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在阴极层上形成第一有机阻挡层。第一有机阻挡层的材质为CuPc，形成的第一有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为1×10-3Pa的条件下，采用磁控溅射法在第一有机阻挡层上形成第一无机阻挡层。第一无机阻挡层的材质为CrSi2和Ta2O5，其中，CrSi2占第一无机阻挡层的重量百分比为15%。第一无机阻挡层的厚度为120nm。
在真空度为1×10-3Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600162
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第一无机层上形成第二有机阻挡层。第二有机阻挡层的材质为CuPc，形成的第二有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为1×10-3Pa的条件下，采用磁控溅射法在第二有机阻挡层上形成第二无机阻挡层。第二无机阻挡层的材质为CrSi2和Ta2O5，其中，CrSi2占第二无机阻挡层的重量百分比为15%。第二无机阻挡层的厚度为120nm。
在真空度为1×10-3Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600163
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第二无机层上形成第三有机阻挡层。第三有机阻挡层的材质为CuPc，形成的第三有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为1×10-3Pa的条件下，采用磁控溅射法在第三有机阻挡层上形成第三无机阻挡层。第三无机阻挡层的材质为CrSi2和Ta2O5，其中，CrSi2占第三无机阻挡层的重量百分比为15%。第三无机阻挡层的厚度为120nm。
在真空度为1×10-3Pa的条件下，以
Figure BDA00002646169600171
的蒸发速度，采用真空蒸镀的方式在第三无机层上形成第四有机阻挡层。第四有机阻挡层的材质为CuPc，形成的第四有机阻挡层的厚度为250nm。
在本底真空度为1×10-3Pa的条件下，采用磁控溅射法在第四有机阻挡层上形成第四无机阻挡层。第四无机阻挡层的材质为CrSi2和Ta2O5，其中，CrSi2占第四无机阻挡层的重量百分比为15%。第四无机阻挡层的厚度为120nm。得到有机电致发光器件。
下表为实施例1~实施例6制备的有机电致发光器件的水蒸气透过率（WVTR）和使用寿命的数据。
Figure BDA00002646169600172
从上表可以看出，采用上述方法制备得到的有机电致发光器件防水防氧能力强，WVTR可以达到10-4g/m2·day，同时制备得到的有机电致发光器件的使用寿命可以达到5000小时以上（T701000cd/m2）。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的如下结构：
阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层以及由若干层有机阻挡层和无机阻挡层交替层叠组成的混合阻挡层，一层所述有机阻挡层与所述阴极层直接接触；
所述无机阻挡层的材质为硅化物和氧化物的混合物，所述硅化物占所述混合物总质量的10%~30%；所述硅化物为二硅化铬、二硅化钽、二硅化铪、二硅化钛、二硅化钼和二硅化钨中的至少一种；所述氧化物为氧化镁、三氧化二铝、二氧化钛、氧化锆、二氧化铪和五氧化二钽中的至少一种；
所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层及无机阻挡层交替层叠的次数为4~6次。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的厚度为200nm~300nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为100nm~150nm。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为掺杂了三氧化钼的N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，所述三氧化钼占所述空穴注入层的重量百分比为30%；
所述空穴传输层的材质为4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺；
所述发光层的材质为掺杂了三（2-苯基吡啶）合铱的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述三（2-苯基吡啶）合铱占所述发光层的重量百分比为5%；
所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；
所述电子注入层的材质为掺杂了叠氮化铯的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，所述叠氮化铯占所述电子注入层的重量百分比为30%。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供阳极导电基板；
在所述阳极导电基板的阳极导电层上真空蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；
在所述阴极层上真空蒸镀制备由若干层有机阻挡层和无机阻挡层交替层叠组成的混合阻挡层，一层所述有机阻挡层与所述阴极层直接接触；
所述无机阻挡层的材质为硅化物和氧化物的混合物，所述硅化物占所述混合物总质量的10％～30％；所述硅化物为二硅化铬、二硅化钽、二硅化铪、二硅化钛、二硅化钼和二硅化钨中的至少一种；所述氧化物为氧化镁、三氧化二铝、二氧化钛、氧化锆、二氧化铪和五氧化二钽中的至少一种；
所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N，N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1，1′-联苯-4,4′-二胺、8-羟基喹啉铝、4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和4,7-二苯基-1，10-邻菲罗啉中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机阻挡层和无机阻挡层交替层叠的次数为4～6次。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机阻挡层真空蒸镀制备时，其真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，蒸发速度为
Figure FDA00002646169500021
所述无机阻挡层磁控溅射制备时，其真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机阻挡层的厚度为200nm～300nm。
10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为100nm～150nm。
CN201210572054.6A 2012-12-25 2012-12-25 有机电致发光器件及其制备方法 Pending CN103904240A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210572054.6A CN103904240A (zh) 2012-12-25 2012-12-25 有机电致发光器件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210572054.6A CN103904240A (zh) 2012-12-25 2012-12-25 有机电致发光器件及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103904240A true CN103904240A (zh) 2014-07-02

Family

ID=50995472

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210572054.6A Pending CN103904240A (zh) 2012-12-25 2012-12-25 有机电致发光器件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103904240A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104659271A (zh) * 2015-03-17 2015-05-27 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管封装结构及封装方法、显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1348609A (zh) * 1999-04-28 2002-05-08 E·I·内穆尔杜邦公司 具有改进的抗氧和抗湿降解性的挠性有机电子器件
CN1399502A (zh) * 2001-07-20 2003-02-26 Lg电子株式会社 平板显示器及在其中形成保护层的方法
US20070228382A1 (en) * 2002-06-11 2007-10-04 Shunpei Yamazaki Light emitting device and manufacturing method thereof
CN101351829A (zh) * 2005-11-02 2009-01-21 伊菲雷知识产权公司 用于电致发光显示器的层压保形密封体
CN102097595A (zh) * 2009-12-14 2011-06-15 三星移动显示器株式会社 有机发光设备及制造有机发光设备的方法
US20110163330A1 (en) * 2010-01-04 2011-07-07 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
CN102148336A (zh) * 2009-12-31 2011-08-10 三星移动显示器株式会社 阻挡膜复合材料及包括其的显示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1348609A (zh) * 1999-04-28 2002-05-08 E·I·内穆尔杜邦公司 具有改进的抗氧和抗湿降解性的挠性有机电子器件
CN1399502A (zh) * 2001-07-20 2003-02-26 Lg电子株式会社 平板显示器及在其中形成保护层的方法
US20070228382A1 (en) * 2002-06-11 2007-10-04 Shunpei Yamazaki Light emitting device and manufacturing method thereof
CN101351829A (zh) * 2005-11-02 2009-01-21 伊菲雷知识产权公司 用于电致发光显示器的层压保形密封体
CN102097595A (zh) * 2009-12-14 2011-06-15 三星移动显示器株式会社 有机发光设备及制造有机发光设备的方法
CN102148336A (zh) * 2009-12-31 2011-08-10 三星移动显示器株式会社 阻挡膜复合材料及包括其的显示装置
US20110163330A1 (en) * 2010-01-04 2011-07-07 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104659271A (zh) * 2015-03-17 2015-05-27 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管封装结构及封装方法、显示装置
CN104659271B (zh) * 2015-03-17 2017-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管封装结构及封装方法、显示装置
US9755187B2 (en) 2015-03-17 2017-09-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light-emitting diode packaging structure, method for packaging organic light-emitting diode, and display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103904246A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103904240A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103904242A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104103768A (zh) 有机电致发光器件及其制作方法
CN103904244B (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104167502A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104103767A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104103764A (zh) 有机电致发光器件及其制作方法
CN104078599B (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104078601B (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104078592A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103904251B (zh) 一种有机电致发光器件及制备方法
CN103904235B (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103904241B (zh) 有机电致发光器件及制备方法
CN104103762A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104518095A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103904248B (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104103763A (zh) 有机电致发光器件及其制作方法
CN103904237A (zh) 透明有机电致发光器件及其制备方法
CN103904232A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103904236A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104078574A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104518132A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104103773A (zh) 有机电致发光器件及其制作方法
CN103904250A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140702