CN102738400B - 一种白光电致发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明属于光电子器件领域，其公开了一种白光电致发光器件，该器件为层状结构，该层状结构依次为：基底/导电层/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极层；其特征在于，所述发光层的材质为铍配合物材料中掺杂蓝光磷光材料、红光磷光材料和绿光磷光材料。本发明的白光电致发光器件，将蓝光、绿光、红光三种不同磷光材料共掺杂到铍配合物中作为发光层，可以进一步的提高电子传输能力，共掺杂可以避免能量在蓝光、绿光、红光三种不同磷光材料之间的能量转移损失，进而提高发光层的发光性能。

Description

一种白光电致发光器件
技术领域
本发明涉及一种光电子器件领域，尤其是涉及一种白光电致发光器件。
背景技术
1987年，美国EastmanKodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
发光材料是影响发光效率的最重要的因素，发光材料可以分为荧光材料(即蓝光磷光材料)和磷光材料(即红光磷光材料和/或绿光材料)，荧光材料由于三线态跃迁受阻，因此，只能通过单线态的辐射失活而发光，三线态激子与单线态激子的比例约为3∶1；而由于荧光材料只有25wt％的激子可以有效的利用，剩下的75wt％都通过非辐射衰减，能量以热的形式释放，使器件温度升高，从而减少器件的寿命，而磷光材料则由于金属原子自身较强的自旋耦合作用，因此，使得原来不可能的三线态跃迁成为可能，因此，发光效率大大提高，目前绿光磷光材料和红光磷光材料的发光效率都比较好，材料稳定性较高，而蓝光磷光材料的寿命和稳定性都不太好，制约了蓝光的发光。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以提高发光效率、又能延长发光寿命的白光电致发光器件。
本发明的技术方案如下：
一种白光电致发光器件，该器件为层状结构，该层状结构依次为：基底/导电层/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极层；其中，所述发光层的材质为铍配合物材料中掺杂蓝光磷光材料、红光磷光材料和绿光磷光材料，且铍配合物材料为主体材料，蓝光磷光材料、红光磷光材料和绿光磷光材料为掺杂材料；发光层中，红光磷光材料、蓝光磷光材料、绿光磷光材料各自的掺杂质量百分比分别为0.5-5wt％、5-20wt％和5-10wt％。
在上述白光电致发光器件中：
基底和导电层可以采用ITO(氧化铟锡)玻璃，其中，玻璃为基底，ITO为导电层；阴极层的材料可以为银(Ag)、铝(Al)、银镁(Ag-Mg)合金或金(Au)中的任一种；
蓝光磷光材料为双(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)、双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(5-氰基-4-氟苯基吡啶--N，C2)吡啶甲酸合铱(FCNIrpic)、双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)-[5-(2-吡啶)四氮]合铱(FIrN4)或三(3，5-二氟-4-苯腈)吡啶合铱(FCNIr)中的任一种；
红光磷光材料为二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(piq)2(acac))或三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)；
绿光磷光材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))或乙酰丙酮酸二(2-对苯氧基苯基吡啶)铱((Oppy)2Ir(acac))中的任一种；
铍配合物材料为吩基吡啶铍(Bepp2)、10-羟基苯并喹啉铍(BeBq2)、8-羟基喹啉铍(BeqQ2)、2-甲基-8-羟基喹啉铍(BeMQ2)、8-羟基喹啉铍(BeQ2)、或7-丙基-8羟基喹啉铍(BePrQ2)中的任一种；
空穴注入层采用三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、VOx或五氧化二钒(V2O5)中的任一种；
空穴传输层与电子阻挡层分别采用1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁铜CuPc中的任一种；
电子传输层与空穴阻挡层分别采用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、2，5-二(1-萘基)-1，3，4-二唑(BND)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)中的任一种；
电子注入层为Cs2CO3、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF中的任一种。
本发明的白光电致发光器件，将蓝光、绿光、红光三种不同磷光材料共掺杂到铍配合物中作为发光层，由于铍配合物的能隙比蓝光磷光材料的能隙稍高，可以有效的进行能量转移，降低启动电压，而由于所用铍配合物材料的电子传输速率都比较高，可以进一步的提高电子传输能力，共掺杂可以避免能量在蓝光、绿光、红光三种不同磷光材料之间的能量转移损失，进而提高发光层的发光性能。
附图说明
图1为本发明的白光电致发光器件的结构示意图；
图2为实施例1的白光电致发光器件能级图；
图3为实施例1的白光电致发光器件与参比白光电致发光器件的电流效率-电流密度图；其中，曲线1是实施例1的电流效率-电流密度的曲线，曲线2是对比例的电流效率-电流密度的曲线。
具体实施方式
本发明提供的白光电致发光器件，其设计原理如下：
白光电致发光器件的发光层，由蓝光磷光材料、红光磷光材料和绿光磷光材料共掺杂到铍配合物材料中制备而成。主要是利用低能隙、电子传输速率较快的铍配合物材料与蓝光磷光材料、红光磷光材料和绿光磷光材料进行共掺杂，使主体材料(即铍配合物)与客体材料(发光材料，即蓝光磷光材料、红光磷光材料和绿光磷光材料)之间进行有效的能量转移，主体材料能隙与发光材料较为接近，可降低能量转移的损失，而铍配合物的高电子传输速率可进一步提高电子的传输速率，使电子-空穴复合几率提高，同时，采用共掺杂可以降低能量在不同层之间的能量损耗几率(这种情况一般发生在蒸镀多层的发光层时出现)。
本发明提供的一种白光电致发光器件，如图1所示，该器件为层状结构，该层状结构依次为：基底11/导电层12/空穴注入层13/空穴传输层14/电子阻挡层15/发光层16//空穴阻挡层17/电子传输层18/电子注入层19/阴极层20；其中，所述发光层16的材质为铍配合物材料中掺杂蓝光磷光材料、红光磷光材料和绿光磷光材料，即发光层的组成为：
铍配合物材料：蓝光磷光材料：红光磷光材料：绿光磷光材料，且铍配合物材料为主体材料，蓝光磷光材料、红光磷光材料和绿光磷光材料为掺杂材料。
在上述白光电致发光器件中，每一有机功能层均采用蒸镀技术依次进行蒸镀制备的。
本发明的白光电致发光器件，各功能层的材质及制备工艺技术如下：
基底和导电层可以采用现有一体化的ITO(氧化铟锡)玻璃，其中，玻璃为基底，ITO为导电层；
阴极层的材料可以为银(Ag)、铝(Al)、银镁(Ag-Mg)合金或金(Au)中的任一种，优选Al；该阴极层的厚度为20-200nm，优选厚度为150nm；
发光层中，红光磷光材料为二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(piq)2(acac))或三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3))中的任一种；蓝光磷光材料为Perylene(苝)、二萘嵌苯衍生物(TBPe)、三苯胺二苯乙烯衍生物(DPAVBi或DPAVB)、三苯胺连萘基乙烯衍生物(BDAVBi)或苯乙烯衍生物(BCzVB或BCzVBi))中的任一种；绿光磷光材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac)))或者乙酰丙酮酸二(2-对苯氧基苯基吡啶)铱中的任一种；铍配合物材料为吩基吡啶铍(Bepp2)、10-羟基苯并喹啉铍(BeBq2)、8-羟基喹啉铍(BeqQ2)、2-甲基-8-羟基喹啉铍(BeMQ2)、8-羟基喹啉铍(BeQ2)、或7-丙基-8羟基喹啉铍(BePrQ2)中的任一种；该发光层中，红光磷光材料、蓝光磷光材料、绿光磷光材料各自的掺杂质量百分比分别为0.5-5wt％、5-20wt％和5-10wt％；发光层的厚度5-20nm；优选厚度为10nm。
空穴注入层的材料为三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、VOx或五氧化二钒(V2O5)中的任一种，优选为MoO3；其中，空穴注入层厚度为5-40nm，优选厚度为5nm；
空穴传输层和电子阻挡层的材料分别为N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁铜(CuPc)中的任一种，空穴传输层和电子阻挡层的厚度分别为5-80nm；其中，空穴传输层优选NPB，优选厚度为40nm，电子阻挡层优选为TCTA，优选厚度为5nm；
电子传输层和空穴阻挡层的材料分别为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、2，5-二(1-萘基)-1，3，4-二唑(BND)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)。其中，空穴阻挡层厚度为3-10nm，优选厚度为5nm，空穴阻挡层的材料优选为TPBi；电子传输层厚度为40-80nm，优选厚度为60nm，电子传输层的材料优选为Bphen；
电子注入层的材料为Cs2CO3、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF中的任一种，电子注入层的厚度0.5-5nm；对于该注入层的材料，也可采用Cs2CO3、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF与电子传输材料(如，2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、2，5-二(1-萘基)-1，3，4-二唑(BND)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)中的任一种)掺杂组成的混合物中的任一种，掺杂比例为20-60wt％，此时的电子注入层厚度为20-60nm；就掺杂混合物材料而言，优选Bphen:CsN3，优选掺杂比例为20wt％，此时电子注入层厚度优选为40nm。
本发明将蓝光、绿光、红光磷光材料共掺杂到铍配合物中作为一层发光层，由于铍配合物的能隙较窄，但是比蓝光磷光材料的能隙稍高，可以有效的进行能量转移，降低启动电压，而由于所用的铍配合物的电子传输速率都比较高(1×10-4cm2V-1s-1)，可以进一步的提高电子传输能力，三种材料共掺杂到一种主体中，可以避免能量在不同发光材料之间的能量转移损失，提高发光性能。。
下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。
实施例1
一种白光电致发光器件，其层状结构依次为：
玻璃/ITO/MoO3/NPB/TAPC/Bepp2:Ir(MDQ)2(acac):FIrpic:Ir(ppy)3/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
关于该实施例中的白光电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层中：掺杂主体(铍配合物材料)为Bepp2、红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光磷光材料掺杂比例为0.5wt％(质量百分比，下同)，蓝光磷光材料为FIrpic，蓝光磷光材料掺杂比例为10wt％；绿光磷光材料为Ir(ppy)3，绿光磷光材料掺杂比例为7wt％；该发光层的厚度为10nm。白光电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(Bphen:CsN3)的厚度为40nm；阴极层采用Al层，其厚度为150nm。
图2为该实施例白光电致发光器件能级图；从能级图上可以看到，在使用共掺杂器件结构之后，发光材料之间的能量转移不会出现太大障碍，同时由于主体与客体的能隙比较接近，也使得主体材料对发光材料，以及发光材料之间的能量转移可以更有效的进行。
图3是该实施例的白光电致发光器件与参比白光电致发光器件的亮度电压图；其中，曲线1是实施例1的电流效率-电流密度的曲线，曲线2是对比例的电流效率-电流密度的曲线；参比白光电致发光器件结构：
玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/Bepp2:Ir(MDQ)2(acac)/TCTA:FIrpic/Bepp2:Ir(ppy)3/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
由图3中可以看出，实施例1的最高电流效率为37cd/A，而没有使用共掺杂的对比器件的最高电流效率为28cd/A，这说明，当使用铍配合物共掺杂器件结构之后，主体到蓝光磷光材料、蓝光磷光材料到红光和绿光磷光材料的能量转移可以更有效的进行，因此，发光效率得到提升。
实施例2
一种白光电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/WO3/TPD/TCTA/BeBq2:Ir(piq)2(acac:FIr6:Ir(ppy)2(acac)/TAZ/TPBI/Cs2CO3/Al。
关于该实施例中的白光电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层中：掺杂主体为BeBq2，红光磷光材料为Ir(piq)2(acac)，红光磷光材料掺杂比例为5wt％；蓝光磷光材料为FIr6，蓝光磷光材料掺杂比例为20wt％；绿光磷光材料为Ir(ppy)2(acac)，绿光磷光材料掺杂比例为5wt％，该发光层的厚度为15nm。白光电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(WO3)的厚度为40nm，空穴传输层(TPD)的厚度为20nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TAZ)的厚度为10nm；电子传输层(TPBI)的厚度为80nm；电子注入层(Cs2CO3)的厚度为20nm；阴极层采用Al层，其厚度为20nm。
实施例3
一种白光电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/VOx/TDAPB/NPB/BeqQ2:Ir(piq)3:FIrN4:(Oppy)2Ir(acac)/BND/TPQ/LiF/Al。
关于该实施例中的白光电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层中：掺杂主体为BeqQ2，红光磷光材料为Ir(piq)2(acac)，红光磷光材料掺杂比例为4wt％；蓝光磷光材料为FIrN4，蓝光磷光材料掺杂比例为15wt％；绿光磷光材料为(Oppy)2Ir(acac)，绿光磷光材料掺杂比例为6wt％，该发光层的厚度为7nm。白光电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(VOx)的厚度为10nm，空穴传输层(TDAPB)的厚度为80nm；电子阻挡层(NPB)的厚度为80nm；空穴阻挡层(BND)的厚度为3nm；电子传输层(TPQ)的厚度为40nm；电子注入层(LiF)的厚度为60nm；阴极层采用Al层，其厚度为200nm。
实施例4
一种白光电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/V2O5/CuPc/TPD/BeqQ2:Ir(piq)3:FCNIr:Ir(ppy)2(acac)/TPQ/TPBI/CsF/Al。
关于该实施例中的白光电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层中：掺杂主体为BePrQ2，红光磷光材料为Ir(piq)2(acac)，红光磷光材料掺杂比例为3wt％；蓝光磷光材料为FCNIr，蓝光磷光材料掺杂比例为20wt％；绿光磷光材料为Ir(ppy)3绿光磷光材料掺杂比例为4wt％，该发光层的厚度为10nm。白光电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(V2O5)的厚度为30nm，空穴传输层(CuPc)的厚度为10nm；电子阻挡层(TPD)的厚度为60nm；空穴阻挡层(TPQ)的厚度为8nm；电子传输层(TPBI)的厚度为50nm；电子注入层(CsF)的厚度为50nm；阴极层采用Al层，其厚度为100nm。
实施例5
一种白光电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/V2O5/CuPc/TPD/BeqQ2:Ir(piq)3/BeMQ2/BeMQ2:苝/BeMQ2/BeQ2:Ir(ppy)2(acac)/TPQ/TPBI/CaF2/Ag。
关于该实施例中的白光电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层中：红光磷光材料为Ir(piq)2(acac)，掺杂主体为BePrQ2，红光磷光材料掺杂比例为4.5wt％，厚度为13nm；第一间隔层的材料为BeMQ2，厚度为6nm；蓝光磷光材料为苝，主体为BeMQ2，蓝光磷光材料掺杂比例为8wt％，厚度为12nm；第二层间隔层的材料为BeMQ2，厚度为3nm；绿光磷光材料为Ir(ppy)3，掺杂主体为BeQ2，绿光磷光材料掺杂比例为7wt％，厚度为9nm。白光电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(V2O5)的厚度为15nm，空穴传输层(CuPc)的厚度为50nm；电子阻挡层(TPD)的厚度为20nm；空穴阻挡层(TPQ)的厚度为6nm；电子传输层(TPBI)的厚度为70nm；电子注入层(CaF2)的厚度为30nm；阴极层采用Ag层，其厚度为60nm。
实施例6
一种白光电致发光器件，其结构依次为：玻璃/ITO/V2O5/CuPc/TPD/BeqQ2:Ir(piq)3:FCNIrpic:Ir(ppy)2(acac)/TPQ/TPBI/CsN3/Au。
关于该实施例中的白光电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层中：掺杂主体为BePrQ2，红光磷光材料为Ir(piq)2(acac)，红光磷光材料掺杂比例为0.5wt％；蓝光磷光材料为DPAVB，主体为FCNIrpic，蓝光磷光材料掺杂比例为5wt％；绿光磷光材料为Ir(ppy)2(acac)，绿光磷光材料掺杂比例为10wt％；该发光层的厚度为10nm。白光电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(V2O5)的厚度为25nm，空穴传输层(CuPc)的厚度为55nm；电子阻挡层(TPD)的厚度为35nm；空穴阻挡层(TPQ)的厚度为8nm；电子传输层(TPBI)的厚度为55nm；电子注入层(CsN3)的厚度为25nm；阴极层采用Au层，其厚度为80nm。
实施例7
一种白光电致发光器件，其结构依次为：
玻璃/ITO/MoO3/NPB/TPD/BeBq2:Ir(MDQ)2(acac):FCNIrpic:Ir(ppy)3/TPBi/Bphen/MgF2/Ag-Mg合金。
关于该实施例中的白光电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层中：掺杂主体为BeBq2，红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光磷光材料掺杂比例为0.5wt％；蓝光磷光材料为FCNIrpic，蓝光磷光材料掺杂比例为10wt％；绿光磷光材料为Ir(ppy)3，绿光磷光材料掺杂比例为7wt％；该发光层的厚度为10nm。白光电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(MgF2)的厚度为40nm；阴极层采用Ag-Mg合金层，其厚度为160nm。
实施例8
一种白光电致发光器件，其结构依次为：
玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/Bepp2:Ir(MDQ)2(acac)FIrN4:Ir(ppy)3/TPBi/Bphen/NaF/Au。
关于该实施例中的白光电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层中：掺杂主体为Bepp2，红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光磷光材料掺杂比例为4wt％；蓝光磷光材料为FIrN4，蓝光磷光材料掺杂比例为18wt％。绿光磷光材料为Ir(ppy)3，绿光磷光材料掺杂比例为6wt％；该发光层的厚度为12nm。白光电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(NaF)的厚度为40nm；阴极层采用Au层，其厚度为180nm。
实施例9
一种白光电致发光器件，其结构依次为：
玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/Bepp2:Ir(piq)2(acac)/FCNIr:Ir(ppy)3/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
关于该实施例中的白光电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层中：掺杂主体为Bepp2，红光磷光材料为Ir(piq)2(acac)，红光磷光材料掺杂比例为3wt％；蓝光磷光材料为FCNIr，蓝光磷光材料掺杂比例为8wt％；绿光磷光材料为Ir(ppy)2(acac)，绿光磷光材料掺杂比例为8wt％；该发光层的厚度为8nm。白光电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(Bphen:CsN3)的厚度为40nm；阴极层采用Al层，其厚度为90nm。
实施例10
一种白光电致发光器件，其结构依次为：
玻璃/ITO/MoO3/NPB/NPB/Bepp2:Ir(MDQ)2(acac):FCNIr:Ir(ppy)2(acac)/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
关于该实施例中的白光电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层中；掺杂主体为Bepp2，红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光磷光材料掺杂比例为1wt％；蓝光磷光材料为FCNIr，蓝光磷光材料掺杂比例为15wt％；绿光磷光材料为Ir(ppy)2(acac)，绿光磷光材料掺杂比例为7wt％；该发光层的厚度为15nm。白光电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(Bphen:CsN3)的厚度为40nm；阴极层采用Al层，其厚度为130nm。
实施例11
一种白光电致发光器件，其结构依次为：
玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/Bepp2:Ir(MDQ)2(acac):FCNIr:Ir(ppy)3/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
关于该实施例中的白光电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层中：掺杂主体为Bepp2，红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光磷光材料掺杂比例为3wt％；蓝光磷光材料为FCNIr，蓝光磷光材料掺杂比例为12wt％；绿光磷光材料为Ir(ppy)3，绿光磷光材料掺杂比例为6wt％；该发光层的厚度为11nm。白光电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(Bphen:CsN3)的厚度为40nm；阴极层采用Al层，其厚度为70nm。
实施例12
一种白光电致发光器件，其结构依次为：
玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/Bepp2:Ir(MDQ)2(acac):FIrpic:Ir(ppy)3/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
关于该实施例中的白光电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层中：掺杂主体为Bepp2，红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光磷光材料掺杂比例为2wt％；蓝光磷光材料为FIrpic，蓝光磷光材料掺杂比例为13wt％，绿光磷光材料为Ir(ppy)3，绿光磷光材料掺杂比例为9wt％；该发光层的厚度为13nm。白光电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(Bphen:CsN3)的厚度为40nm；阴极层采用Al层，其厚度为40nm。
实施例13
一种白光电致发光器件，其结构依次为：
玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/Bepp2:Ir(MDQ)2(acac):FCNIrpic:Ir(ppy)3/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
关于该实施例中的白光电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层中：掺杂主体为Bepp2，红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光磷光材料掺杂比例为1.5wt％；蓝光磷光材料为FCNIrpic，蓝光磷光材料掺杂比例为5wt％；绿光磷光材料为Ir(ppy)3，绿光磷光材料掺杂比例为8wt％；该发光层的厚度为16nm。白光电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(Bphen:CsN3)的厚度为40nm；阴极层采用Al层，其厚度为150nm。
实施例14
一种白光电致发光器件，其结构依次为：
玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/BePrQ2:Ir(MDQ)2(acac)/:FCNIrpic:Ir(ppy)3/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
关于该实施例中的白光电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层中：掺杂主体为BePrQ2，红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光磷光材料掺杂比例为3.5wt％；蓝光磷光材料为FCNIrpic，蓝光磷光材料掺杂比例为12wt％；绿光磷光材料为Ir(ppy)3，绿光磷光材料掺杂比例为7wt％；该发光层的厚度为15nm。白光电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(Bphen:CsN3)的厚度为40nm；阴极层采用Al层，其厚度为150nm。
实施例15
一种白光电致发光器件，其结构依次为：
玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/BeMQ2:Ir(MDQ)2(acac):FIrpic:(Oppy)2Ir(acac)/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
关于该实施例中的白光电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层中：掺杂主体为BeMQ2，红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光磷光材料掺杂比例为3wt％；蓝光磷光材料为FIrpic，蓝光磷光材料掺杂比例为5wt％；绿光磷光材料为(Oppy)2Ir(acac)，绿光磷光材料掺杂比例为8wt％；该发光层的厚度为10nm。白光电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(Bphen:CsN3)的厚度为40nm；阴极层采用Al层，其厚度为150nm。
实施例16
一种白光电致发光器件，其结构依次为：
玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/Bepp2:Ir(MDQ)2(acac):FIr6:Ir(ppy)3/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
关于该实施例中的白光电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层中：掺杂主体为Bepp2，红光磷光材料为Ir(MDQ)2(acac)，红光磷光材料掺杂比例为2.5wt％；蓝光磷光材料为FIr6，蓝光磷光材料掺杂比例为6wt％，绿光磷光材料为Ir(ppy)3，绿光磷光材料掺杂比例为7wt％；该发光层的厚度为10nm。白光电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(Bphen:CsN3)的厚度为40nm；阴极层采用Al层，其厚度为150nm。
实施例17
一种白光电致发光器件，其结构依次为：
玻璃/ITO/MoO3/NPB/TCTA/BePrQ2:Ir(piq)2(acac):FIrN4:Ir(ppy)2(acac)/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3/Al。
关于该实施例中的白光电致发光器件，按其结构，并采用蒸镀技术，依次对各有机功能层进行蒸镀制备；其中，发光层中：掺杂主体为BePrQ2，红光磷光材料为Ir(piq)2(acac)，红光磷光材料掺杂比例为2wt％；蓝光磷光材料为FIrN4，蓝光磷光材料掺杂比例为9wt％；绿光磷光材料为Ir(ppy)2(acac)，绿光磷光材料掺杂比例为7wt％；该发光层的厚度为10nm。白光电致发光器件的其他有机功能层结构，如，空穴注入层(MoO3)的厚度为5nm，空穴传输层(NPB)的厚度为5nm；电子阻挡层(TCTA)的厚度为5nm；空穴阻挡层(TPBi)的厚度为5nm；电子传输层(Bphen)的厚度为60nm；电子注入层(Bphen:CsN3)的厚度为40nm；阴极层采用Al层，其厚度为150nm。
应当理解的是，上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细，并不能因此而认为是对本发明专利保护范围的限制，本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种白光电致发光器件，该器件为层状结构，该层状结构依次为：基底/导电层/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极层；其特征在于，所述发光层的材质为铍配合物材料中掺杂蓝光磷光材料、红光磷光材料和绿光磷光材料；
所述铍配合物材料为吩基吡啶铍、10-羟基苯并喹啉铍、8-羟基喹啉铍、2-甲基-8-羟基喹啉铍、8-羟基喹啉铍、或者7-丙基-8羟基喹啉铍中的任一种；
所述发光层中，红光磷光材料、蓝光磷光材料、绿光磷光材料各自的掺杂质量百分比分别为0.5-5wt％、5-20wt％和5-10wt％。
2.根据权利要求1所述的白光电致发光器件，其特征在于，所述蓝光磷光材料为双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、双(5-氰基-4-氟苯基吡啶--N,C2)吡啶甲酸合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)-[5-(2-吡啶)四氮]合铱或者三(3,5-二氟-4-苯腈)吡啶合铱中的任一种。
3.根据权利要求1所述的白光电致发光器件，其特征在于，所述红光磷光发光材料为二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱、或者三(1-苯基-异喹啉)合铱中的任一种。
4.根据权利要求1所述的白光电致发光器件，其特征在于，所述绿光磷光发光材料为三(2-苯基吡啶)合铱、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱、或者乙酰丙酮酸二(2-对苯氧基苯基吡啶)铱中的任一种。
5.根据权利要求1至4任一所述的白光电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为三氧化钼、三氧化钨、VOx或五氧化二钒中的任一种。
6.根据权利要求1至4任一所述的白光电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层和电子阻挡层的材料分别为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、1,3,5-三苯基苯或酞菁铜中的任一种。
7.根据权利要求1至4任一所述的白光电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层和空穴阻挡层的材料分别为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-二唑、8-羟基喹啉铝、2,5-二(1-萘基)-1,3,4-二唑、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或喹喔啉衍生物中的任一种。
8.根据权利要求1至4任一所述的白光电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材料为Cs2CO3、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF中的任一种；所述阴极层的材质为银、铝、银镁合金或金。
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