CN104167425A - 有机发光显示设备及其制造方法 - Google Patents

有机发光显示设备及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104167425A
CN104167425A CN201410157543.4A CN201410157543A CN104167425A CN 104167425 A CN104167425 A CN 104167425A CN 201410157543 A CN201410157543 A CN 201410157543A CN 104167425 A CN104167425 A CN 104167425A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
lower electrode
layer
insulating barrier
emitting display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410157543.4A
Other languages
English (en)
Inventor
牟然坤
金民圭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN104167425A publication Critical patent/CN104167425A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

有机发光显示设备包括衬底。电容器形成在衬底上。电容器包括第一下部电极、第二下部电极、上部电极、设置在第一下部电极与第二下部电极之间的第一绝缘层、以及设置在第二下部电极与上部电极之间的第二绝缘层。薄膜晶体管（TFT）包括栅电极、有源层、源电极和漏电极。栅电极设置在与第一下部电极相同的层上，源电极和漏电极设置在与上部电极相同的层上。接线使用与第二下部电极相同的材料形成在与第二下部电极相同的层上。

Description

有机发光显示设备及其制造方法
相关专利申请的交叉引用
本申请要求于2013年5月15日提交至韩国知识产权局的第10-2013-0055279号韩国专利申请的优先权，该专利申请的全部公开通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及显示设备，尤其涉及有机发光显示设备及其制造方法。背景技术
诸如有机发光显示装置、液晶显示（LCD）装置等平板显示装置通常在形成有包括薄膜晶体管（TFT）、电容器和用于连接TFT和电容器的接线的图案的衬底上进行制造。TFT包括栅电极和有源层。有源层包括沟道区、源极区以及漏极区。栅极区形成在沟道区之上。栅电极通过设置在栅电极与有源层之间的栅极绝缘层与有源层绝缘。
TFT的有源层由包括非晶硅或多晶硅的半导体材料形成。当有源层由非晶硅形成时，迁移率减小，使得难以生产高速运行的驱动电路。当有源层由多晶硅形成时，迁移率增加，但是阈值电压不均匀，从而需要设置单独的补偿电路。使用低温多晶硅（LTPS）制造TFT的传统方法通常包括十分昂贵的处理，诸如激光热处理等。使用LTPS制造TFT的传统方法因此需要高投资成本和管理成本并且不易被应用至大型衬底。
氧化物半导体可用于形成有源层。当使用氧化物半导体的有机发光显示设备具有底部栅极结构时，需要至少七次掩模处理来实现顶部发光。由于在创造大型面板时需要低阻抗接线和无机平坦化层，故可能需要七次或更多次掩模处理。
发明内容
本发明提供具有低阻抗接线的有机发光显示设备，以及利用减少数量的掩模制造有机发光显示设备的方法。
根据本发明的一个方面，提供了一种有机发光显示设备，该设备包括衬底。电容器形成设置在衬底上。电容器包括第一下部电极、第二下部电极、上部电极、设置在第一下部电极与第二下部电极之间的第一绝缘层、以及设置在第二下部电极与上部电极之间的第二绝缘层。薄膜晶体管（TFT）包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，栅电极形成在与第一下部电极相同的层上，源电极和漏电极形成在与上部电极相同的层上。接线使用与第二下部电极相同的材料形成在与第二下部电极相同的层上。
第二下部电极的厚度可等于或大于栅电极或第一下部电极的厚度。
第一绝缘层可包括包含金属氧化物的金属氧化物层以及包括绝缘材料的保护层。
位于栅电极与有源层之间的绝缘层可被形成为第二绝缘层的一部分。
有源层可包括氧化物半导体。
有机发光显示设备还可包括与薄膜晶体管连接的像素电极，形成在像素电极上的中间层、以及形成在中间层上的相对电极。
第二下部电极可包括Mo-Al-Mo、Ti-Cu、Ti-Cu-Ti或IZO-C-GZO。
第二绝缘层与上部电极之间还可形成有半导体层。
根据本发明的另一个方面，电容器包括第一下部电极。第二下部电极的厚度可等于或大于第一下部电极的厚度。第一绝缘层使第一下部电极与第二下部电极绝缘。第一绝缘层包括金属氧化物层。电容器还包括上部电极。第二绝缘层使第二下部电极与第一绝缘层绝缘。
根据本发明的另一个方面，提供了制造有机发光显示设备的方法。该方法包括：第一掩模处理，包括在衬底上形成第一下部电极、第一绝缘层以及第二下部电极，第二下部电极的厚度大于第一下部电极的厚度。第二掩模处理包括在第二下部电极上形成栅极绝缘层和半导体层。通过图案化半导体层来形成有源层。第三掩模处理包括形成暴露有源层的边缘的孔、以及形成覆盖第二下部电极的蚀刻停止层。第四掩模处理包括在蚀刻停止层上形成上部电极。
当在第一掩模处理中形成第二下部电极时，有机发光显示设备的接线也可被形成。
第一绝缘层可包括金属氧化物层和包括SiO2或SiNx的辅助层。
辅助层可使用等离子增强化学气相沉积（PECVD）方法、常压化学气相沉积（APCVD）方法、或低压化学气相沉积（LPCVD）方法进行沉积。
第二下部电极可包括Mo-Al-Mo、Ti-Cu、Ti-Cu-Ti、或IZO-C-GZO。
半导体层可包括氧化物半导体。
第一掩模处理可包括在与第一下部电极相同的层上形成栅电极。
第四掩模处理可包括在与上部电极相同的层上形成源电极和漏电极。源电极和漏电极与有源层接触。
在第四掩模处理之后，该方法还可包括：第五掩模处理，包括形成绝缘层，绝缘层覆盖源电极、漏电极和上部电极并包括用于暴露源电极和漏电极之一的通孔。第六掩模处理包括在绝缘层上形成像素电极。像素电极通过通孔连接至源电极和漏电极。
有机发光显示设备包括电容器，电容器包括第一下部电极、第二下部电极、上部电极、设置在第一下部电极与第二下部电极之间的第一绝缘层、设置在第二下部电极与上部电极之间的第二绝缘层。薄膜晶体管（TFT）包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，栅电极设置在与第一下部电极相同的层上，源电极和漏电极设置在与上部电极相同的层上。
第二下部电极的厚度可等于或大于栅电极或第一下部电极的厚度。
第二下部电极可包括Mo-Al-Mo、Ti-Cu、Ti-Cu-Ti或IZO-C-GZO。附图说明
通过参照附图详细描述的本发明的示例性实施方式，本发明的上述和其它特征和方面将变得显而易见，在附图中：
图1是示出根据本发明的实施方式的是有机发光显示设备的结构的平面图；
图2是底部栅极型有机发光显示器；
图3是沿图1的线I-I’截取的有机发光显示设备的截面图；
图4A至4B是示出根据本发明的实施方式的制造图3所示的有机发光显示设备的处理的截面图；
图5A至5B是示出根据本发明的实施方式的制造图3所示的有机发光显示设备的处理的截面图；以及
图6至9是示出根据本发明的实施方式的制造图3所示的有机发光显示设备的处理的截面图。
具体实施方式
在下文中，将通过参照附图说明本发明的示例性来详细描述本发明。然而，本发明将体现为不同形式并且不应被解释为受限于文中陈述的实施方式。相反，这些实施方式被提供，以使得本公开彻底和完整，并且将向本领域技术人员完全传达本发明的思想。在说明书中，附图中相同的参考标号将指代相同或相似的元件。
图1是示出根据本发明的实施方式的是有机发光显示设备1的结构的平面图。
参照图1，有机发光显示设备1包括第一衬底10和第二衬底70，其中第一衬底包括多个发光像素，第二衬底70经由密封操作结合至第一衬底10。
薄膜晶体管（TFT）、有机发光装置、电容器等可形成在第一衬底10上。第一衬底10可由低温多晶硅（LTPS）晶体硅衬底、玻璃衬底、或塑料衬底形成。
第二衬底70可以是设置在第一衬底10上以避免形成在第一衬底10上的TFT和发光像素接触外部水分和空气的封装衬底。在第二衬底70被对准以面对第一衬底10时，第二衬底70通过沿着第一衬底10和第二衬底70的边缘设置的密封构件90与第一衬底10结合。第二衬底70可由玻璃衬底、塑料衬底或不锈钢（SUS）衬底形成。
虽未示出，但发光区可例如通过第二衬底70的形成在第一衬底10上以封装发光区的封装膜（未示出）来避免与外部空气接触。在该实施方式中，封装膜可具有如下结构：由硅氧化物或硅氮化物形成的无机层和由环氧树脂或聚酰亚胺形成的有机层彼此交替。在一个实施方式中，封装膜可具有包括由低熔点玻璃诸如SnO形成的层的结构。然而，封装膜的结构不限于前述结构，因此可以是各种薄膜封装结构之一。
第一衬底10包括用于发光的发光区DA、以及位于发光区DA的外部区域处的非发光区NDA。根据本发明的实施方式，密封构件90设置在位于发光区DA的外部区域处的非发光区NDA处，并将第一衬底10结合至第二衬底70。
如上所述，有机发光装置、驱动有机发光装置的TFT以及将有机发光装置与TFT电连接的接线形成在发光区DA中。非发光区NDA可包括焊盘区5，焊盘区5具有从发光区DA的接线延伸的焊盘电极。
图2示出底部栅极型有机发光显示设备。
参照图2，使用氧化物半导体的底部栅极型有机发光显示设备采用八次掩模处理。在第一掩模处理中，对电容器的栅电极211和下部电极221进行图案化。在第二掩模处理中，对有源层217进行图案化。在第三掩模处理中，对边缘阻挡层207进行图案化。随后，在第四掩模处理中，形成源/漏电极218s/218d。在第五掩模处理中，形成钝化层208。在第六掩模处理中，在平坦化层209中形成通孔。在第七掩模处理中，形成像素电极231。在第八掩模处理中，形成像素限定层（PDL）232。如上所述，使用氧化物半导体的底部栅极型有机发光显示设备采用了八道掩模处理。
由于形成大型面板，故在栅极和源极/漏极接线中采用低阻抗设计。然而，由于接线的厚度因低阻抗设计而增加，故可能出现问题，使得绝缘层（栅极绝缘层和钝化层）的厚度必须增加，掩模的总数必须增加（当在单独的层形成栅电极和低阻抗接线时），或者电容器的电容劣化。
虽未示出，但在图2的底部栅极型有机发光显示设备中，使用与栅电极211相同的材料形成在与栅电极211相同的层上的导体可用作接线。因此，当栅电极211被大量沉积以减小大面积有机发光显示设备的接线阻抗时，栅极绝缘层205的厚度同样被增加，使得使用栅极绝缘层205作为介电层的电容器221和228的电容减小。
此外，在图2的底部栅极型有机发光显示设备中，当使用与源/漏电极218s/218d相同的材料形成在与源/漏电极218s/218d相同的层上的导体被用作接线时，接线的厚度增加以实现低阻抗接线，使得钝化层208的厚度同样增加。
此外，当接线由单独的导体层形成以防止栅电极211和源/漏电极218s/218d的厚度增加时，单独的掩模处理被采用，使得制造成本和制造时间被增加。
在下文中，将描述本发明的实施方式。大面积底部栅极型有机发光显示设备包括由氧化物半导体形成并能够形成低阻抗接线的TFT。还提供了制造大面积底部栅极型有机发光显示设备的方法。该方法使所使用掩模的数量最小化，并且电容器的电容被维持。
图3是沿图1的线I-I’截取的有机发光显示设备1的截面图。
参照图3，有机发光显示设备1包括至少一个TFT、电容器以及与TFT电连接的有机发光装置。TFT、电容器以及有机发光装置分别形成在TFT区TFT、电容器区CAP以及像素区PXL处。
TFT可以是顶部栅极型TFT，被可依次包括栅电极111、与由氧化物半导体图案形成的栅电极111绝缘的有源层116、以及与栅电极111绝缘并且与有源层116接触的源/漏电极118s/118d。
第一下部电极121、金属氧化物层122、辅助层123、第二下部电极124、以及上部电极128被包含在电容器区CAP中。金属氧化物层122和辅助层123形成在第一下部电极121和第二下部电极124之间。
第一下部电极121使用与栅电极111相同的材料形成在与栅电极111相同的层上。形成金属氧化物层122、辅助层123和第二下部电极123的材料依次堆叠在第一下部电极121上，并且使用半色调掩膜移除第一下部电极121上的除金属氧化物层122、辅助层123和第二下部电极124之外的剩余区域。
通过这样做，双电容器可形成在电容器区CAP中，接线的厚度可以增加。由于第二下部电极124用作接线电极，故栅电极111的厚度不增加，使得栅极绝缘层105的厚度不增加，因此，电容器的电容不减小。此外，不需要额外包括掩模处理以单独布置除栅电极111之外的低阻抗接线电极。
参照图3，进一步形成第二下部电极124。与栅电极111和第一下部电极121相比，第二下部电极124很厚。因此，可通过使用与第二下部电极124相同的材料在与第二下部电极124相同的层上形成接线来获得低阻抗接线。这里，第二下部电极124可具有双重接线结构或三重接线结构。
有机发光显示设备1可具有包含在电容器区中的双电极，并且金属氧化物层122和辅助层123包含在第一下部电极121和第二下部电极124之间。就此而言，与参照图2所述的示例不同，第一下部电极121和第二下部电极124中的每一个均具有双重结构，从而可形成双电容器。金属氧化物层122由具有低导电率的金属氧化物形成，辅助层123由低导电性金属形成，从而它们构成绝缘体。
图4至9是示出制造图3的有机发光显示设备1的程序的截面图。在下文中，将描述制造图3的有机发光显示设备1的程序。
首先，准备用于制造有机发光显示设备1的衬底100。
衬底100可由包含SiO2作为主要成分的透明玻璃材料形成。然而，衬底100的材料不限于此。因此，衬底100可由各种材料形成，这些材料包括透明塑料材料、金属材料等。
为了阻挡杂质离子扩散至衬底100的上表面，为了阻挡水分或外部空气渗入该上表面，以及为了平坦化该上表面，阻隔层（未示出）、阻挡层（未示出）、和/或缓冲层（未示出）可形成在该上表面上。缓冲层可采用多种沉积方法之一由SiO2和/或SiNx形成，这些沉积方法包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法、常压CVD（APCVD）方法、低压CVD（LPCVD）方法等。
接下来，如图4A所示，在衬底100上依次堆叠第一导电层101、第一绝缘层102、第二绝缘层103、以及第二导电层104。
第一导电层101可包括钼（Mo）、铝（Al）、铂（Pt）、铅（Pb）、金（Au）、钛（Ti）、和/或铜（Cu）。第一导电层101可以不需要具有低阻抗。因此，第一导电层101可以由具有小厚度的单一金属形成。稍后，可将第一导电层101图案化为栅电极111和第一下部电极121。
此外，第一绝缘层102可由金属氧化物（包括GaInZnO（GIZO）、HfInZnO（HIZO）、SnInZnO（TIZO）、GaZnO（GZO）、和/或ZnO）形成，并且可以用作具有低导电率的绝缘体。随后可将第一绝缘层102图案化为金属氧化物层122。
第二绝缘层103可由SiO2和/或SiNx形成，并且因为具有低导电率的第一绝缘层102形成在第二绝缘层103下方，故第二绝缘层103可采用PECVD方法、APCVD方法或LPCVD方法沉积。随后可将第二绝缘层103图案化为辅助层123。
第二导电层104可包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW、Al和/或Cu。第二导电层104可具有双层结构或三层结构，例如，Mo-Al-Mo、Ti-Cu、Ti-Cu-Ti、或IZO-C-GZO。第二导电层104的厚度可以大于第一导电层101的厚度，从而具有低阻抗特性。随后，可将第二导电层104图案化为第二下部电极124和接线电极（未示出）。
接下来，如图4B所示，经由第一掩模处理将第一导电层101、第一绝缘层102、第二绝缘层103以及第二导电层104图案化在一起。
将第一导电层101图案化为栅电极111和第一下部电极121，将第一绝缘层102图案化为金属氧化物层122，将第二绝缘层103图案化为辅助层123，将第二导电层104图案化为第二下部电极124。这里，第一掩模处理对应于半色调掩模处理，其中除了第一导电层101之外的所有层都可被图案化并随后从晶体管区TFT中移除，而第一绝缘层102的部分、第二绝缘层103、以及第二导电层104可被允许保留在电容器区CAP中。
作为第一掩模处理的结果，包括第一下部电极121和第二下部电极124的电容器可形成在电容器区CAP中，并且可通过对形成栅电极111的第一导电层101和形成低阻抗接线的第二导电层104进行图案化而经由一个掩膜处理形成低阻抗接线，而不需要执行单独的掩模处理。
接下来，如图5A所示，在衬底100的整个表面上沉积栅极绝缘层105。栅极绝缘层105可由绝缘无机材料诸如SiNx或SiOx形成，或可由绝缘有机材料形成。接下来，如图5B所示，在衬底100上沉积半导体层（未示出），随后以经由第二掩模处理图案化半导体层的方式将有源层116图案化。
参照图3和5B中所示的实施方式，从电容器区CAP完全移除半导体层（未示出），但是可选地，可在电容器区CAP中保留半导体层（未示出）的一部分。在这种情况下，形成在电容器区CAP的半导体层（未示出）上的蚀刻停止层107也可在参照图6描述的处理中被移除，使得半导体层（未示出）和上部电极128可彼此接触。
这里，有源层116可包括氧化物半导体。氧化物半导体可包括铟（In）、镓（Ga）、锡（Sn）、锆（Zr）、钒（V）、铪（Hf）、镉（Cd）、锗（Ge）、铬（Cr）、钛（Ti）和/或锌（Zn）。例如，氧化物半导体可包括构成比（原子百分比）为2:2:2的镓（Ga）、铟（In）和锌（Zn）。然而，氧化物半导体的材料不限于此，因此氧化物半导体可由四成分金属氧化物诸如基于In-Sn-Ga-Zn-O的氧化物、三成分金属氧化物诸如基于In-Ga-Zn-O的氧化物、基于In-Sn-Zn-O的氧化物、基于In-Al-Zn-O的氧化物、基于Sn-Ga-Zn-O的氧化物、基于Al-Ga-Zn-O的氧化物、基于Sn-Al-Zn-O的氧化物或基于Cd-Sn-O的氧化物、两成分金属氧化物诸如基于In-Zn-O的氧化物、基于Sn-Zn-O的氧化物、基于Al-Zn-O的氧化物、基于Zn-Mg-O的氧化物、基于Sn-Mg-O的氧化物或基于In-Mg-O的氧化物、或者一成分金属氧化物诸如基于In-O的氧化物、基于Sn-O的氧化物、基于Zn-O的氧化物、基于Ti-O的氧化物或基于Cd-O的氧化物构成。这里，基于In-Sn-Ga-Zn-O的氧化物半导体对应于包括至少In、Ga和Zn的氧化物，并且不具体限制其构成比。此外，基于In-Sn-Ga-Zn-O的氧化物半导体可包括除了In、Ga和Zn之外的其它元素。
接下来，参照图6，形成蚀刻停止层107。
蚀刻停止层107可以如下方式形成：在栅极绝缘层105上形成包括包含SiNx和SiOx中的至少一种的无机材料的绝缘层（未示出）以覆盖有源层116，随后经由第三掩模处理将绝缘层图案化以具有对应于有源层116的边缘的孔H1和H2。蚀刻停止层107当随后图案化源电极118s和漏电极118d时防止有源层116被破坏。
接下来，参照图7，形成源电极118s和漏电极118d，以及上部电极128。
首先，在蚀刻停止层107上形成导电层（未示出）以填充蚀刻停止层107中的孔，随后经由采用第四掩模（未示出）的处理将导电层图案化，从而在电容器区CAP中形成对应于有源层116的源电极118s和漏电极118d、以及使用与源电极118s和漏电极118d相同的材料形成在与源电极118s和漏电极118d相同的层上的上部电极128。
形成源电极118s和漏电极118d以及上部电极128的金属可具有包括铝（Al）、铂（Pt）、银（Ag）、镁（Mg）、金（Au）、镍（Ni）、钕（Nd）、铱（Ir）、铬（Cr）、钙（Ca）、钼（Mo）、钛（Ti）、钨（W）和/或铜（Cu）的单层结构或多层结构。
参照图8，形成平坦化层109。
参照图8，首先，在蚀刻停止层107上形成绝缘层（未示出）。第一绝缘层覆盖源电极118s和漏电极118d以及上部电极128，并随后经由采用第五掩模（未示出）的处理图案化，从而形成具有用于暴露源电极118s和漏电极118d之一的通孔V的平坦化层109。
平坦化层109通过旋转涂布方法由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和/或酚树脂形成，并用于保持上表面的平坦化，使得平坦化层109防止有机发光装置出现缺陷。
接下来，在像素区PXL中的平坦化层109上形成有机发光装置。有机发光装置由像素电极131和相对电极134以及包括有机发光材料且设置在像素电极131和相对电极134之间的发光层（EML）133。这里，像素电极131可用作阳极，相对电极134可用作阴极。然而，电极的极性可以切换。
参照图9，导电层（未示出）沉积在平坦化层109的整个表面上，并随后经由第六掩模处理图案化，从而像素电极131被形成。
像素电极131形成在平坦化层109的上表面上，并且经由形成于平坦化层109中的通孔V与TFT电连接。像素电极131可根据有机发光显示设备1的发光类型由各种材料形成。例如，当有机发光显示设备1是朝着衬底100实现图像的底部发光型有机发光显示设备1或朝着衬底100实现图像并且远离衬底100实现图像的双侧发光型有机发光显示设备1时，像素电极131可由透明金属氧化物形成。像素电极131可包括作为透明导电材料的ITO、IZO、ZnO和/或In2O3。当有机发光显示设备1是远离衬底100实现图像的底部发光型有机发光显示设备1时，像素电极131还可包括由反光材料形成的反射电极。
接下来，将参照图3描述在像素电极131上形成像素限定层（PDL）132、EML133以及相对电极134的程序。
绝缘层（未示出）形成在像素电极131的整个表面上，并且，为了限定发光部分，用于暴露像素电极131的开口经由第七掩模处理形成在绝缘层中，并随后形成在PDL132中。
接下来，在经由开口暴露的像素电极131上形成EML133。EML133可具有堆叠有发光层、空穴传输层（HTL）、空穴注入层（HIL）、电子传输层（ETL）、以及电子注入层（EIL）中的一个或多个层的单层或多层结构。
相对电极134可作为公共电极沉积在衬底100的整个表面上。相对电极134可通过薄薄地沉积Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、氟化锂（LiF）或它们中的任何一种的化合物来形成。根据发光方向，相对电极134可被形成为反射电极或半透明电极。
还可以在相对电极134上形成包括有机材料以保护相对电极134的封盖层（未示出）。
EML133形成在孔中，使得不同的发光材料分别形成像素，但本发明的一个或多个实施方式不限于此。EML133可共同形成在平坦化层109的整个表面上，而不考虑像素的位置。这里，EML133可按照包括用于发射红色、绿色和蓝色的发光材料的层可竖直地堆叠方式形成，或可在发光材料被混合的同时形成。如果EML133能够发出白色，则EML133可具有不同颜色的组合。此外，EML133还可具有颜色转换层或滤色器以将所发出的白色转换为预定颜色。
为了防止形成在衬底100上的有机发光设备接触外部空气，在衬底100的整个表面上形成封装层（未示出）以覆盖有机发光装置。封装层可具有有机材料和无机材料彼此交替的结构，或可具有单独形成有低熔点无机材料的结构。
虽然图中示出了一个TFT和一个电容器，但这种结构仅为了便于描述。因此，本发明的一个或多个实施方式不限于此，就此而言，假设TFT和电容器不增加掩模处理的总数，可被包含多个TFT和多个电容器。
根据本发明的一个或多个实施方式，有机发光设备被布置在像素区PXL中，因此，图3所示的结构可用作有机发光显示设备。然而，本发明的一个或多个实施方式不限于此。例如，如果液晶被布置在像素电极与相对电极之间，则图3所示的结构可用作液晶显示（LCD）装置。
在根据本发明的一个或多个实施方式的有机发光显示设备中，可以实施低阻抗接线并且可以增加电容器的电容，并且不需要额外的掩模处理。
文中所示和所述的具体实施是本发明的示意性实施例并且不打算以任何方式限制本发明的范围。应注意，多种可选或附加功能关联、物理连接或逻辑连接可存在于实际装置中。
虽然已经参照本发明的示例性实施方式具体示出和描述了本发明，但本领域技术人员应理解，在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (20)

1.有机发光显示设备，包括：
衬底；
电容器，设置在所述衬底上，所述电容器包括第一下部电极、第二下部电极、上部电极、设置在所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的第一绝缘层、以及设置在所述第二下部电极与所述上部电极之间的第二绝缘层；
薄膜晶体管，包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，所述栅电极设置在与所述第一下部电极相同的层上，所述源电极和所述漏电极设置在与所述上部电极相同的层上；以及
接线，使用与所述第二下部电极相同的材料形成在与所述第二下部电极相同的层上。
2.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第二下部电极的厚度等于或大于所述栅电极或所述第一下部电极的厚度。
3.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一绝缘层包括：
金属氧化物层，包括金属氧化物；以及
保护层，包括绝缘材料。
4.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中设置在所述栅电极与所述有源层之间的绝缘层被形成为所述第二绝缘层的一部分。
5.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述有源层包括氧化物半导体。
6.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第二下部电极包括包含Mo-Al-Mo、Ti-Cu、Ti-Cu-Ti、或IZO-C-GZO的结构。
7.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第二绝缘层与所述上部电极之间还设置有半导体层。
8.电容器，包括：
第一下部电极；
第二下部电极，所述第二下部电极的厚度等于或大于所述第一下部电极的厚度；
第一绝缘层，使所述第一下部电极与所述第二下部电极绝缘，所述第一绝缘层包括金属氧化物层；
上部电极；以及
第二绝缘层，使所述第二下部电极与所述第一绝缘层绝缘。
9.制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括：
第一掩模处理，包括在衬底上形成第一下部电极、第一绝缘层、以及第二下部电极，所述第二下部电极的厚度大于所述第一下部电极的厚度；
第二掩模处理，包括在所述第二下部电极上形成栅极绝缘层和半导体层、以及通过图案化所述半导体层来形成有源层；
第三掩模处理，包括形成暴露所述有源层的边缘的孔、以及形成覆盖所述第二下部电极的蚀刻停止层；以及
第四掩模处理，包括在所述蚀刻停止层上形成上部电极。
10.如权利要求9所述的方法，其中，当在所述第一掩模处理中形成所述第二下部电极时，所述有机发光显示设备的接线也被形成。
11.如权利要求9所述的方法，其中所述第一绝缘层包括金属氧化物层和包括SiO2或SiNx的辅助层。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述辅助层使用等离子增强化学气相沉积方法、常压化学气相沉积方法、或低压化学气相沉积方法进行沉积。
13.如权利要求9所述的方法，其中所述第二下部电极包括具有Mo-Al-Mo、Ti-Cu、Ti-Cu-Ti、或IZO-C-GZO形式的结构。
14.如权利要求9所述的方法，其中所述半导体层包括氧化物半导体。
15.如权利要求9所述的方法，其中所述第一掩模处理包括在与所述第一下部电极相同的层上形成栅电极。
16.如权利要求9所述的方法，其中所述第四掩模处理包括在与所述上部电极相同的层上形成源电极和漏电极，其中所述源电极和所述漏电极与所述有源层接触。
17.如权利要求16所述的方法，还包括：
第五掩模处理，包括形成覆盖所述源电极、所述漏电极和所述上部电极的绝缘层，所述绝缘层包括用于暴露所述源电极和所述漏电极之一的通孔；以及
第六掩模处理，包括在所述绝缘层上形成像素电极，其中所述像素电极通过所述通孔连接至所述源电极和所述漏电极。
18.有机发光显示设备，包括：
电容器，包括第一下部电极、第二下部电极、上部电极、设置在所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的第一绝缘层、设置在所述第二下部电极与所述上部电极之间的第二绝缘层；以及
薄膜晶体管，包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，所述栅电极设置在与所述第一下部电极相同的层上，所述源电极和所述漏电极设置在与所述上部电极相同的层上。
19.如权利要求18所述的有机发光显示设备，其中所述第二下部电极的厚度等于或大于所述栅电极或所述第一下部电极的厚度。
20.如权利要求18所述的有机发光显示设备，其中所述第二下部电极包括包含Mo-Al-Mo、Ti-Cu、Ti-Cu-Ti或IZO-C-GZO的结构。
CN201410157543.4A 2013-05-15 2014-04-16 有机发光显示设备及其制造方法 Pending CN104167425A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0055279 2013-05-15
KR1020130055279A KR102049443B1 (ko) 2013-05-15 2013-05-15 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104167425A true CN104167425A (zh) 2014-11-26

Family

ID=51895076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410157543.4A Pending CN104167425A (zh) 2013-05-15 2014-04-16 有机发光显示设备及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9093405B2 (zh)
KR (1) KR102049443B1 (zh)
CN (1) CN104167425A (zh)
TW (1) TW201444079A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104538394A (zh) * 2014-12-31 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102263522B1 (ko) * 2015-01-30 2021-06-10 엘지디스플레이 주식회사 전면 발광형 유기발광소자, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 표시장치
KR102283812B1 (ko) * 2015-02-04 2021-08-02 삼성디스플레이 주식회사 반도체 소자 및 반도체 소자를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102430575B1 (ko) * 2015-08-26 2022-08-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102456061B1 (ko) * 2015-10-08 2022-10-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN110651358A (zh) 2017-05-19 2020-01-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、显示装置以及半导体装置的制造方法
TWI717820B (zh) * 2019-09-03 2021-02-01 友達光電股份有限公司 元件基板及其製造方法
KR20210052696A (ko) 2019-10-30 2021-05-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 패턴 형성 방법 및 표시 장치의 제조 방법
KR20210055131A (ko) * 2019-11-06 2021-05-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080293319A1 (en) * 2004-12-13 2008-11-27 Tae-Wook Kang Method of fabricating an organic light emitting display device
KR20090105560A (ko) * 2008-04-03 2009-10-07 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US20110220888A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Choi Chaun-Gi Capacitor and organic light emitting display device
CN102520556A (zh) * 2011-11-17 2012-06-27 友达光电股份有限公司 像素结构及其制造方法
CN103779355A (zh) * 2012-10-17 2014-05-07 三星显示有限公司 薄膜晶体管基板及包含此的有机发光显示装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100486197B1 (ko) 1997-06-30 2006-04-21 삼성전자주식회사 하프톤 마스크를 사용한 커패시터 하부전극 형성방법
KR100835974B1 (ko) * 2001-12-24 2008-06-09 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100892945B1 (ko) * 2002-02-22 2009-04-09 삼성전자주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100989253B1 (ko) * 2003-06-25 2010-10-20 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그 제조 방법
KR100623716B1 (ko) 2004-11-11 2006-09-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101108369B1 (ko) 2004-12-31 2012-01-30 엘지디스플레이 주식회사 폴리 실리콘형 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
US7507998B2 (en) * 2006-09-29 2009-03-24 Tpo Displays Corp. System for displaying images and method for fabricating the same
KR100964227B1 (ko) * 2008-05-06 2010-06-17 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를포함하는 유기 발광 표시 장치, 및 이들의 제조 방법
JP5396335B2 (ja) * 2009-05-28 2014-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 タッチパネル
KR101117725B1 (ko) * 2009-11-11 2012-03-07 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101113394B1 (ko) * 2009-12-17 2012-02-29 삼성모바일디스플레이주식회사 액정표시장치의 어레이 기판
KR101747341B1 (ko) * 2010-11-02 2017-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자용 기판 및 그 제조 방법
KR101799034B1 (ko) * 2010-12-20 2017-11-20 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자용 기판 및 그 제조 방법
KR20120129592A (ko) * 2011-05-20 2012-11-28 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치용 백플레인, 이를 포함하는 평판 표시 장치, 및 그 제조 방법
KR101842538B1 (ko) * 2011-05-26 2018-03-28 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치용 백플레인, 이를 포함하는 평판 표시 장치, 및 그 제조 방법
KR20130007310A (ko) * 2011-06-30 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101837625B1 (ko) * 2011-11-10 2018-03-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080293319A1 (en) * 2004-12-13 2008-11-27 Tae-Wook Kang Method of fabricating an organic light emitting display device
KR20090105560A (ko) * 2008-04-03 2009-10-07 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US20110220888A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Choi Chaun-Gi Capacitor and organic light emitting display device
CN102520556A (zh) * 2011-11-17 2012-06-27 友达光电股份有限公司 像素结构及其制造方法
CN103779355A (zh) * 2012-10-17 2014-05-07 三星显示有限公司 薄膜晶体管基板及包含此的有机发光显示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104538394A (zh) * 2014-12-31 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法
WO2016106891A1 (zh) * 2014-12-31 2016-07-07 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法
CN104538394B (zh) * 2014-12-31 2019-02-12 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9093405B2 (en) 2015-07-28
TW201444079A (zh) 2014-11-16
KR102049443B1 (ko) 2019-11-28
US20140339515A1 (en) 2014-11-20
KR20140135037A (ko) 2014-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11024804B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
CN104167425A (zh) 有机发光显示设备及其制造方法
US9570527B2 (en) Organic light emitting diode display
US9196667B2 (en) Organic light-emitting display with vertically stacked capacitor and capacitive feedback
US9893312B2 (en) Display device and organic luminescent display device
KR101962852B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9153700B2 (en) Method of manufacturing thin-film transistor, method of manufacturing organic light-emitting display device including the same, and thin-film transistor and organic light-emitting display device manufactured using the methods
US9349996B2 (en) Method of manufacturing capacitor, method of manufacturing organic light emitting display device including the capacitor, and organic light emitting display device manufactured by using the method
CN104637438A (zh) 柔性显示器及其制造方法
CN104716143A (zh) 薄膜晶体管阵列基底及其制造方法、有机发光显示设备
US10347705B2 (en) Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
US8633479B2 (en) Display device with metal oxidel layer and method for manufacturing the same
US20110253709A1 (en) Flat Panel Display Device
KR20140104263A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20190252478A1 (en) Organic light emitting display device
US10068989B2 (en) Substrate for display device, display device including the substrate, and method of manufacturing the display device
US9368559B2 (en) Organic light emitting display device having signal lines and electrode on the same layer and method of manufacturing the same
US11257885B2 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing organic light emitting display device
KR102324764B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105552100B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
KR102065587B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20170115639A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150088102A (ko) 평판표시장치용 백플레인 및 그의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20141126