JP5647860B2 - 薄膜トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
しかしながら、IGZOの酸化物半導体を活性層に用いた場合、この活性層は、水分や酸素等の影響によって変動しやすく、結果としてTFT動作が不安定になる場合がある。このようなことから、IGZOの酸化物半導体を活性層に用いたTFTにおいて、水分や酸素等の影響を抑制したTFTが種々提案されている(例えば、特許文献1〜3参照)。
また、特許文献1には、絶縁膜またはゲート絶縁膜を緻密な膜で形成することにより、基板側から酸化物半導体層に水分や酸素が侵入することを防止できることが記載されている([0043]参照)。
特許文献3においては、活性層に水分を含有することで、ヒステリシスを示さず、しきい値電圧が安定し、かつ、再現性の良好なTFT特性を有する酸化物半導体薄膜を実現することができることが記載されており、成膜後に水分を含有させる方法として、例えば、水蒸気中でのアニールや、H2Oの打ち込み等であることが記載されている。
また、特許文献2においても、保護層のバンドギャップを活性層より大きくすることにより、活性層への水分や酸素の影響が抑制されることが記載されているものの、ゲート絶縁膜から活性層に水分や酸素等が取り込まれることについて何ら考慮されていない。
さらに、特許文献3においても、ヒステリシスを示さず、しきい値電圧が安定し、かつ、再現性の良好なTFT特性を実現するために酸化物半導体薄膜の水分の含有量を1.4個/nm3以下に規定するものの、絶縁層から活性層に水分や酸素等が取り込まれることについて何ら考慮されていない。
このように、特許文献1〜3のいずれにおいても、IGZO膜からなる活性層に接するゲート絶縁膜、絶縁層内からの水分や酸素等の影響を排除することについて何ら考慮されていない。
また、前記ゲート絶縁膜形成する工程の前に、前記基板上に前記活性層を形成し、前記ソース電極および前記ドレイン電極を前記活性層の一部を覆うように前記基板上に形成する工程を有することが好ましい。
また、前記ゲート絶縁膜形成後に熱処理する工程の後、前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極を形成する工程を有することが好ましい。
前記各工程は、例えば、200℃以下の温度でなされる。前記基板は、可撓性基板であることが好ましい。
前記アモルファス酸化物半導体は、例えば、In、GaおよびZnのうち、少なくとも1つを含むものである。
また、前記ゲート絶縁膜は、SiO 2 膜、SiN膜、SiON膜、Al 2 O 3 膜、HfO 2 膜およびGa 2 O 3 膜のうち、いずれかの単層からなるか、またはこれらを積層してなるものであることが好ましい。
さらに、前記基板は、可撓性基板であることが好ましい。
さらにまた、前記ゲート絶縁膜は、温度200℃までに放出される水分量が1.53×10 20 個/cm 3 以下であることが好ましい。
また、前記基板は、樹脂フィルムで構成されるものであり、かつ前記樹脂フィルムに更に平坦化膜、または平坦化膜および無機保護膜が形成されたものであることが好ましい。
図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係る薄膜トランジスタを示す模式的断面図であり、(b)は、本発明の第1の実施形態に係る薄膜トランジスタの他の例を示す模式的断面図である。
図1(a)に示すトランジスタ10は、基板12と、基板12上に設けられた平坦化膜14と、この平坦化膜14上に設けられた無機表面保護膜16と、ゲート電極18と、ゲート絶縁膜20と、チャネル層として機能する活性層22と、チャネル保護層として機能するキャップ層24と、ソース電極26と、ドレイン電極28と、絶縁膜30と、ドレイン電極28に接続される電極32とを有するものである。このトランジスタ10は、ゲート電極18に電圧を印加して、活性層22のチャネル領域(図示せず)に流れる電流を制御し、ソース電極26とドレイン電極28間の電流をスイッチングする機能を有するアクティブ素子である。
この絶縁膜30には、ドレイン電極28に達するコンタクトホール30aが形成されている。このコンタクトホール30aを埋めるようにして電極32が絶縁膜30の表面30bに形成されている。
トランジスタ10の製造方法は、各工程が、好ましくは200℃以下の低温プロセスにより実施されるため、耐熱性が低い樹脂基板も好適に用いることができる。
基板12に、ガラスを用いる場合、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。なお、基板12に、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカ等のバリアコートを施したものを使用することが好ましい。
また、基板12に、有機材料を用いた場合、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、および低吸湿性等が優れていることが好ましい。
可撓性基板としては、例えば、ポリビニルアルコール系樹脂,ポリカーボネート誘導体(帝人(株):WRF),セルロース誘導体(セルローストリアセテート,セルロースジアセテート),ポリオレフィン系樹脂(日本ゼオン(株):ゼオノア、ゼオネックス),ポリサルホン系樹脂(ポリエーテルサルホン,ポリサルホン),ノルボルネン系樹脂(JSR(株):アートン),ポリエステル系樹脂(PET,PEN,架橋フマル酸ジエステル)ポリイミド系樹脂,ポリアミド系樹脂,ポリアミドイミド系樹脂,ポリアリレート系樹脂,アクリル系樹脂,エポキシ系樹脂,エピスルフィド系樹脂,フッ素系樹脂,シリコーン系樹脂フィルム,ポリベンズアゾ−ル系樹脂,シアネート系樹脂,芳香族エーテル系樹脂(ポリエーテルケトン),マレイミド−オレフィン系樹脂等の樹脂基板、液晶ポリマー基板、また、これら樹脂基板中に酸化ケイ素粒子,金属ナノ粒子,無機酸化物ナノ粒子,無機窒化物ナノ粒子,金属系・無機系のナノファイバー又はマイクロファイバー,カーボン繊維,カーボンナノチューブ,ガラスフェレーク,ガラスファイバー,ガラスビーズ,粘土鉱物、雲母派生結晶構造を含んだ複合樹脂基板、薄いガラスと上記単独有機材料との間に少なくとも1回の接合界面を有する積層プラスチック材料、SiO2、Al2O3、SiOxNy等の無機層と有機層(上記)を交互に積層することで少なくとも1回以上の接合界面を有するバリア性能を有する複合材料、ステンレス基板、またはステンレスと異種金属を積層した金属多層基板、アルミニウム基板、更には表面に酸化処理として、例えば、陽極酸化処理を施すことで、表面の絶縁性を向上してある酸化被膜付きのアルミニウム基板等を挙げることができる。
基板12にプラスチックフィルム等を用いた場合、電気絶縁性が不十分であれば、絶縁層を形成して用いられる。
無機表面保護膜16は、基板12から水蒸気および酸素の透過を防止するために設けられるものであり、透湿防止層(ガスバリア層)として機能するものである。
無機表面保護膜16の透湿防止層(ガスバリア層)の材料としては、SiNx、SiO2、SiON、Al2O3等の無機物が好適に用いられる。さらには、透湿防止層(ガスバリア層)としては、上記無機物の膜とアクリル樹脂やエポキシ樹脂等の有機膜との交互積層の構造としてもよい。透湿防止層(ガスバリア層)は、例えば、RFスパッタ法等により形成することができる。
ゲート絶縁膜20の厚さは、10nm〜10μmが好ましい。ゲート絶縁膜20は、リーク電流を減らすため、電圧耐性を上げるために、ある程度膜厚を厚くする必要がある。しかしながら、ゲート絶縁膜20の膜厚を厚くすると、トランジスタ10の駆動電圧の上昇を招く。このため、ゲート絶縁膜20の厚さは、無機絶縁体の場合、50nm〜1000nmであることがより好ましい。
なお、HfO2のような高誘電率絶縁体をゲート絶縁膜20に用いた場合、膜厚を厚くしても、低電圧でのトランジスタの駆動が可能であるため、ゲート絶縁膜20には、高誘電率絶縁体を用いることが特に好ましい。
ソース電極26およびドレイン電極28としては、TFT特性の信頼性という観点から、MoまたはMo合金を用いることが好ましい。なお、ソース電極26およびドレイン電極28の厚さは、例えば、10nm〜1000nmである。
なお、ソース電極26およびドレイン電極28の形成方法は特に限定されるものではない。例えば、印刷方式、コ−ティング方式等の湿式方式、フォトリソグラフィー法、真空蒸着法、イオンプレ−ティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式等を用いて形成される。
このアモルファス酸化物半導体としては、例えば、In2O3、ZnO、SnO2、CdO,Indium−Zinc−Oxide(IZO)、Indium−Tin−Oxide(ITO)、Gallium−Zinc−Oxide(GZO)、Indium−Gallium−Oxide(IGO)、Indium−Gallium−Zinc−Oxide(IGZO)が用いられる。
なお、活性層22は、その厚さが、1nm〜100nmであることが好ましく、より好ましくは2.5nm〜50nmである。
また、活性層22は、後述するように内部に含まれる水分の量により、その電気特性が変わってしまう。このため、トランジスタ10においては、ゲート絶縁膜20内に存在する第1の水分の量が活性層22に存在する第2の水分の量よりも少ない。
本実施形態の絶縁膜30は、例えば、感光性アクリル樹脂が窒素雰囲気で加熱硬化処理されて形成されたものである。この感光性アクリル樹脂は、例えば、JSR社製 PC405Gが用いられる。
まず、図2(a)に示すように、基板12として、例えば、PENフィルムを用意する。次に、基板12に対して、基板用洗浄剤、例えば、BEX社製GC6800F(登録商標)を用いて超音波洗浄を行なう。その後、例えば、150℃、30分、リンス乾燥する。
次に、ゲート電極18のパターン状に開口部が形成されたメタルマスク(図示せず)を無機保護膜16の表面16a上に配置する。その後、DCスパッタ法を用いて、メタルマスクの上方から、ゲート電極18となるモリブデン膜を、無機保護膜16の表面16aに、例えば、50nmの厚さに形成する。これにより、図2(d)に示すように、ゲート電極18が形成される。
なお、DCスパッタは、例えば、ターゲットにInGaZnO4の組成を有する多結晶焼結体を用い、スパッタガスにArガスとO2ガスを用いて行う。
なお、RFスパッタは、ターゲットに酸化ガリウム(Ga2O3)を用い、スパッタガスにArガスとO2ガスを用いて行う。
そして、フォトリソグラフィー法を用いて、アクリル樹脂膜をパターン形成する。次に、例えば、温度180℃で、ポストベークを1時間行う。これにより、絶縁膜30が形成される。
なお、アクリル樹脂膜をパターン形成する際に、ドレイン電極28に達するコンタクトホール30aを形成することが好ましい。これにより、製造工程を簡素化することができる。
図3は、本発明の第2の実施形態に係る薄膜トランジスタを示す模式的断面図である。
なお、本実施形態においては、図1(a)および(b)に示す第1の実施形態のトランジスタ10と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図4(a)〜(f)は、図3に示すトランジスタ10bの製造方法を工程順に示す模式的断面図である。
なお、本実施形態においては、図4(a)〜(c)の工程は、上述の第1の実施形態の図2(a)〜(c)と同一の工程であるため、その詳細な説明は省略する。このため、図4(d)の工程から説明する。
そして、フォトリソグラフィー法を用いて、アクリル樹脂膜をパターン形成する。次に、例えば、温度180℃で、ポストベークを1時間行う。これにより、絶縁膜30が形成される。
なお、アクリル樹脂膜をパターン形成する際に、ゲート絶縁膜20を経てドレイン電極28に達するコンタクトホール30aを形成することが好ましい。これにより、製造工程を簡素化することができる。
最初に、酸化物半導体層IGZOの単膜の電気特性の把握と昇温脱離分析によるH2Oデガス量を算出した。
上記電気特性の把握とH2Oデガス量を算出には、図5に示すように、合成石英基板からなる成膜基板40上に、厚さが約50nmのIGZO膜42が形成された試験基板50を用いた。
なお、ターゲットには、IGZO(組成In:Ga:Zn=1:1:1、豊島製作所製)を用いた。成膜したIGZO膜42の組成比はIn:Ga:Zn=1:0.9:0.7であった。
アニール処理は、ホットプレートで10分温度を保持した後、室温まで降温させた。
なお、IGZO膜42については、図5に示すIGZO膜42と同じ成膜条件で、厚さ50nm形成した。
ゲート絶縁膜44としては、RFスパッタ法を用いて、SiO2膜を厚さ100nm成膜した。
成膜条件は、到達真空度を約5×10−6Paとし、RFパワーを200Wとし、Arガスの流量を30SCCMとし、O2ガスの流量を0.3SCCM/1SCCMとし、成膜圧力を0.4Paとし、成膜時間を60minとした。また、成膜基板は加熱することなく室温(RT)とした。
ターゲットには、SiO2(純度5N)を用いた。また、SiO2膜とIGZO膜とは、真空搬送し、連続成膜した。
図10に示す曲線β2はアニール温度とシート抵抗との関係を示しており、IGZO特性のアニールによるシート抵抗の変化を示している。なお、図10には、図6の曲線β1を合わせて示している。
図11は、SiO2膜からのH2Oデガス成分のデータであるが、温度を上げるにつれて、H2Oが放出されており、SiO2膜からのH2Oの放出がIGZO膜の電気特性に影響している様子が良くわかる。
また、図13からOH伸縮振動(3300±300cm−1)は、O2ガス流量が1SCCMの方が小さいのがわかる。図12に示すTDSの結果からO2ガス流量が1SCCM条件で成膜したSiO2膜の600℃までのH2O量は約1.4×1021個/cm3であり、200℃までは、約1.99×1020個/cm3であり、約1/2に減少している。
SiO2膜のH2Oは成膜時のO2ガス流量で制御可能であるが、O2ガス流量を増大させるとそれにつれて、成膜レートは減少してしまうため、SiO2膜成膜時または成膜後(IGZO成膜前)に事前に熱を加えて、予め、水分を放出させてしまう方が好ましい。
その後、電気特性として、シート抵抗を上述のようにして測定した。その結果を図14に示す。図14に示す曲線β3はアニール温度とシート抵抗との関係を示しており、IGZO特性のアニールによるシート抵抗の変化を示している。なお、図14には、図5に示す試験基板50のシート抵抗(曲線β1)を合わせて示す。
図16には、昇温度脱離ガス分析(TDS)により算出した、SiN膜、Ga2O3膜から放出されたH2O量を示す。なお、図16には、活性層(IGZO膜)、O2ガス流量が1SCCMであり、かつアニール処理していないSiO2膜、SiON膜についても示している。
図16に示すように、SiN膜、Ga2O3膜は、アニール処理していないSiO2膜よりもH2O量の放出量が少なく、H2O量を少なくすれば活性層(IGZO膜)へ影響を低減すること、ひいては影響を排除することが可能である。
ゲート絶縁膜として、Al2O3膜およびHfO2膜についても同様に言える。また、ゲート絶縁膜の成膜直後にH2Oが混在していた場合でもアニール処理にて、水分の放出処理(デガス処理)を予め行えば良い。
TFT特性の測定には、半導体パラメータ・アナライザー4156C(アジレントテクノロジー社製)を用いた。TFT特性の測定項目は、トランジスタ特性を表すVg−Ig特性を測定した。
トランジスタ特性の測定条件は、ドレイン電圧(Vd)を5Vに固定し、ゲート電圧(Vg)を−15V〜+15Vの範囲内で変化させ、各ゲート電圧(Vg)におけるドレイン電流(Id)を測定した。なお、作製したサンプルは、図1(a)に示すボトムゲート型TFT(チャネル長は180μm、チャネル幅は1mm)とした。
まず、図17(a)に示すように、基板60として、合成石英基板(商品名T−4040)を用意し、アルカリ超音波洗浄した後に、純水リンスを行い、その後、温度100℃で10分間乾燥させる。
次に、基板60の表面60aの上方にゲート電極18のパターン状に開口部が形成されたメタルマスク(図示せず)を配置する。その後、DCスパッタ法を用いて、メタルマスクの上方から、ゲート電極18となるモリブデン膜を、基板60の表面60aに、50nmの厚さに形成する。これにより、図17(b)に示すように、ゲート電極18が形成される。
なお、ゲート絶縁膜20については、膜種に応じて、下記2に示す反応性ガスを適宜供給する。
なお、DCスパッタは、例えば、ターゲットにInGaZnO4の組成を有する多結晶焼結体を用い、スパッタガスにArガスとO2ガスを用いて行う。
実験例3は、ゲート絶縁膜形成後に、ホットプレートを用いて、大気中で温度200℃で10分のアニール処理を行った。
このゲート絶縁膜64の表面64aの上方に、活性層22のパターン状に開口部が形成されたメタルマスク(図示せず)を配置する。その後、上述のように、DCスパッタ法を用いて、メタルマスクの上方から、活性層22となるIGZO膜を、50nmの厚さに形成する。これにより、図18(a)に示すように活性層22が形成される。
実験例1も、素子動作環境をドライエアー状態とするため、活性層22、ソース電極26およびドレイン電極28を保護する絶縁膜は形成しない。このように、図18(b)に示す構成のものについて素子動作確認を行った。なお、実施例1では、図18(b)に示すP型のシリコン基板(基板62)がゲート電極となる。
図19(b)に示す実験例2は、キャリア減少により、実験例1(リファレンス)に比して+(プラス)側にシフトした。これは、実験例2では、ゲート絶縁膜内の水分が、アニールによりIGZO膜側(活性層側)にシフト(影響)したためと考えられる。
図19(c)に示す実験例3は、キャリア減少により、実験例1(リファレンス)に比して若干+(プラス)側にシフトしたが許容範囲である。実験例3は、ゲート絶縁膜形成後、活性層形成前にアニール処理をしたために、ゲート絶縁膜の第1の水分量が活性層の第2の水分量よりも少ないためと考えられる。
図19(f)に示す実験例6は、実験例1(リファレンス)に比して若干−(マイナス)側にシフトしたが許容範囲である。
実験例4〜6は、ゲート絶縁膜がSiN膜またはGa2O3膜である。SiN膜およびGa2O3膜は、図16に示すように、水分量が、活性層の第2の水分量よりも少ないため、許容範囲のものになったと考えられる。
12、60、62 基板
14 平坦化膜
16 無機表面保護膜
18 ゲート電極
20、44、64 ゲート絶縁膜
22 活性層
24 キャップ層
26 ソース電極
28 ドレイン電極
30 絶縁膜
32 電極
40 成膜基板
42 IGZO膜
50、52 試験基板
Claims (11)
- 樹脂基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極、およびドレイン電極が設けられ、前記活性層上に前記ソース電極および前記ドレイン電極が形成された薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記活性層は、アモルファス酸化物半導体により構成されるものであり、
前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜を熱処理する工程とを有し、
前記各工程は、200℃以下の温度でなされ、
前記ゲート絶縁膜内に存在する第1の水分量を前記活性層に存在する第2の水分量よりも少なくし、前記ゲート絶縁膜は、温度200℃までに放出される水分量が1.53×10 20 個/cm 3 以下であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記ゲート絶縁膜形成後に熱処理する工程の後、前記ゲート絶縁膜上に、前記活性層を形成する工程を有する請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜形成する工程の前に、前記基板上に前記活性層を形成し、前記ソース電極および前記ドレイン電極を前記活性層の一部を覆うように前記基板上に形成する工程を有する請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜形成後に熱処理する工程の後、前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極を形成する工程を有する請求項3に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記樹脂基板は、可撓性基板である請求項1〜4のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記アモルファス酸化物半導体は、In、GaおよびZnのうち、少なくとも1つを含むものである請求項1〜5のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 樹脂基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極、およびドレイン電極が設けられ、前記活性層上に前記ソース電極および前記ドレイン電極が形成された薄膜トランジスタであって、
前記活性層は、アモルファス酸化物半導体により構成されており、
前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜を熱処理する工程は、200℃以下の温度でなされ、
前記ゲート絶縁膜内に存在する第1の水分量が、前記活性層に存在する第2の水分量よりも少なく、前記ゲート絶縁膜は、温度200℃までに放出される水分量が1.53×10 20 個/cm 3 以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記アモルファス酸化物半導体は、In、GaおよびZnのうち、少なくとも1つを含むものである請求項7に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ゲート絶縁膜は、SiO2膜、SiN膜、SiON膜、Al2O3膜、HfO2膜およびGa2O3膜のうち、いずれかの単層からなるか、またはこれらを積層してなるものである請求項7または8に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記樹脂基板は、可撓性基板である請求項7〜9のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記樹脂基板は、樹脂フィルムで構成されるものであり、かつ前記樹脂フィルムに更に平坦化膜、または平坦化膜および無機保護膜が形成されたものである請求項7〜10のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
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