JP5523896B2 - 薄膜トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
また、液晶表示装置(LCD)、エレクトロルミネッセンス表示装置(EL)、フィールドエミッションディスプレイ(FED)等の平面薄型画像表示装置(Flat Panel Display:FPD)のスイッチング素子として、電界効果型トランジスタのうち、薄膜トランジスタ(以下、TFTともいう)が用いられている。FPDに用いられるTFTは、ガラス基板上に活性層として非晶質シリコン薄膜または多結晶シリコン薄膜が形成されている。
また、FPDについて、より一層の薄型化、軽量化、耐破損性が要求されており、ガラス基板の替わりに軽量で可撓性のある樹脂製の基板を用いることも検討されている。このため、低温での成膜が可能なアモルファス酸化物、例えば、In−Ga−Zn−O系のアモルファス酸化物を用いたTFTの開発が活発に行われている。
アモルファス酸化物を用いたTFTにおいて、ソース電極およびドレイン電極は、導電膜をエッチングすることにより形成される。このため、活性層上に、これを保護するエッチングストッパ層を形成しない場合、ソース電極およびドレイン電極の形成時に活性層もエッチングされてしまうことがあり、TFTの特性不良および特性ムラが生じることがある。極端な場合、活性層が全てエッチングされてしまい、TFT特性を示さないこともある。このようなことから、活性層を保護するためのエッチングストッパ層等を設けたTFTが提案されている(例えば、特許文献1、2参照)。
活性層108は、In、Sn、Zn、及びCdよりなる群より選ばれる少なくとも1種の金属を有するアモルファス酸化物で構成される。また、抵抗層110は、Ga、Al、Mgよりなる群より選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物または窒化物で構成されるものであり、例えば、InGaZnO4で構成される。
特許文献1の薄膜電界効果型トランジスタ100の抵抗層110は、以下のようにして形成される。まず、抵抗層110となる膜を形成した後、レジスト膜を形成してパターニングする。そして、エッチングした後、レジスト膜を剥離する。このようにして抵抗層110が形成される。
しかしながら、抵抗層110を形成するためにレジスト膜を剥離する際、抵抗層110が剥離する場合があるという問題点がある。
なお、高濃度の酸素雰囲気下で、チャネル保護膜であるSiO2膜をスパッタ法で成膜する場合、成膜条件によっては、上述の活性層の低抵抗化を防ぐことができる。このように、低抵抗化を回避することができても、下地の活性層のバックチャネルが酸素イオンによりダメージを受ける。活性層が酸素イオンによるダメージを受けると、TFTの信頼性を評価すると閾値シフトが大きいものとなる。この場合、TFTは、信頼性が低くなってしまう。
この場合、前記低抵抗化処理工程は、前記酸化物半導体膜において、前記活性層と前記ソース電極および前記ドレイン電極との接触部分に相当する部分になされることが好ましい。
また、前記低抵抗化処理工程は、酸素プラズマを照射する工程またはUV照射する工程を備えることが好ましい。
さらに、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程の後に、前記チャネル保護膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うように前記ゲート絶縁膜上に保護層を形成する工程を有することが好ましい。
また、前記活性層は、少なくともInおよびZnを含有することが好ましい。
さらに、前記活性層は、前記ソース電極および前記ドレイン電極との接触部分が低抵抗化処理されていることが好ましい。また、前記基板は、可撓性を有することが好ましい。
図1(a)は、本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタを示す模式的断面図であり、(b)は、図1(a)に示す薄膜トランジスタのゲート電極、チャネル保護膜、ソース電極およびドレイン電極の配置を示す模式的平面図である。
さらに、ドレイン電極24と活性層18とは、ドレイン電極22がチャネル保護膜20と重なる領域β2を除いてドレイン電極24の周面Bと活性層18の周面Eとが面一に形成されている。すなわち、チャネル保護膜20と重なる領域β2を除いて、ドレイン電極24の周面Bと活性層18の周面Eとが一致している。このため、図1(b)に示すドレイン電極24の下に活性層18が設けられている。
ソース電極22、チャネル保護膜20およびドレイン電極24を覆うようにして保護層26が形成されている。
トランジスタ10において、チャネル保護膜20は、第1の保護層30と第2の保護層32との積層構造のものであり、活性層18の表面18aに第1の保護層30が形成され、この第1の保護層30の表面30aに第2の保護層32が形成されている。
基板12に、ガラスを用いる場合、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。なお、基板12に、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカ等のバリアコートを施したものを使用することが好ましい。
また、基板12に、有機材料を用いた場合、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、および低吸湿性等が優れていることが好ましい。
可撓性基板を構成する有機系基板としては、例えば、飽和ポリエステル(PET)系樹脂基板、ポリエチレンナフタレート(PEN)樹脂基板、架橋フマル酸ジエステル系樹脂基板、ポリカーボネート(PC)系樹脂基板、ポリエーテルスルフォン(PES)樹脂基板、ポリスルフォン(PSF,PSU)樹脂基板、ポリアリレート(PAR)樹脂基板、環状ポリオレフィン(COP,COC)樹脂基板、セルロース系樹脂基板、ポリイミド(PI)樹脂基板、ポリアミドイミド(PAI)樹脂基板、マレイミド−オレフィン樹脂基板、ポリアミド(PA)樹脂基板、アクリル系樹脂基板、フッ素系樹脂基板、エポキシ系樹脂基板、シリコーン系樹脂フィルム基板、ポリベンズアゾール系樹脂基板、エピスルフィド化合物による基板、液晶ポリマー(LCP)基板、シアネート系樹脂基板、芳香族エーテル系樹脂基板が用いられる。
基板12にプラスチックフィルム等を用いた場合、電気絶縁性が不十分であれば、絶縁層を形成して用いられる。
透湿防止層(ガスバリア層)の材料としては、窒化珪素、酸化珪素、酸化アルミニウム等の無機物が好適に用いられる。さらには、アクリル樹脂やエポキシ樹脂等の有機膜との交互積層の構造としてもよい。透湿防止層(ガスバリア層)は、例えば、高周波スパッタ法等により形成することができる。
ゲート絶縁膜16の厚さは、10nm〜10μmが好ましい。ゲート絶縁膜16は、リーク電流を減らすため、電圧耐性を上げるために、ある程度膜厚を厚くする必要がある。しかしながら、ゲート絶縁膜16の膜厚を厚くすると、トランジスタ10の駆動電圧の上昇を招く。このため、ゲート絶縁膜16の厚さは、無機絶縁体の場合、50nm〜1000nmであることがより好ましく、高分子絶縁体の場合、0.5μm〜5μmであることがより好ましい。
なお、HfO2のような高誘電率絶縁体をゲート絶縁膜16に用いた場合、膜厚を厚くしても、低電圧でのトランジスタの駆動が可能であるため、ゲート絶縁膜16には、高誘電率絶縁体を用いることが特に好ましい。
ソース電極22およびドレイン電極24としては、TFT特性の信頼性という観点から、MoまたはMo合金を用いることが好ましい。なお、ソース電極22およびドレイン電極24の厚さは、例えば、10nm〜1000nmである。
なお、ソース電極22およびドレイン電極24の構成する上述の組成の膜の形成方法は特に限定されるものではない。上述の組成の膜は、例えば、印刷方式、コ−ティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレ−ティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式等を用いて形成される。
そして、フォトリソグラフィー法を用いてMo膜もしくはMo合金膜またはアモルファスITO膜にレジストパターンを形成し、エッチング液により、Mo膜もしくはMo合金膜またはアモルファスITO膜をエッチングしてソース電極22およびドレイン電極24を形成する。
また、ソース電極22およびドレイン電極24にアモルファスITO膜を用いる場合、エッチング液として、シュウ酸が用いられる。このシュウ酸としては、例えば、関東化学社製のITO−06が用いられる。
なお、活性層18は、その厚さが、1nm〜100nmであることが好ましく、より好ましくは2.5nm〜50nmである。
また、活性層18を構成するIn−Ga−Zn−O系のアモルファス酸化物膜を、単にIGZO膜ともいう。
この酸化物半導体材料による調整手段においては、例えば、一般的にSnO2系酸化物半導体は、In2O3系酸化物半導体に比べてキャリア濃度が小さいことが知られている。このように酸化物半導体材料を変えることにより、キャリア濃度の調整が可能である。
チャネル保護膜20において、第2の保護層32を、例えば、台形状とし、第1の保護層30のチャネル長方向における長さL1は、第2の保護層32の第1の保護層31と反対側の端部の長さよりも長い。すなわち、第1の保護層30のチャネル長方向の長さL1は、第2の保護層32の表面32aのチャネル長方向における長さL2よりも長く、L2<L1である。しかしながら、第2の保護層32の形状は、これに限定されるものではない。例えば、第2の保護層33のように長方形状としてもよい。すなわち、第1の保護層30のチャネル長方向の長さL1と第2の保護層32のチャネル長方向の長さL2とを等しくしてもよい。
なお、チャネル保護膜20において、第1の保護層30は、厚さが1nm〜100nmであることが好ましく、より好ましくは5nm〜10nmである。
また、第2の保護層32は、感光性有機系絶縁材により構成されている。第2の保護層32としては、例えば、感光性アクリル樹脂、ポリイミド、ポジ型フォトレジスト等を用いることができる。この感光性アクリル樹脂としては、例えば、JSR社製 PC405Gが用いられる。
また、チャネル保護膜20において、第2の保護層32は、厚さが1.0〜2.5μmであることが好ましい。
本実施形態の保護層26は、例えば、感光性アクリル樹脂が窒素雰囲気で加熱硬化処理されて形成されたものである。この感光性アクリル樹脂は、例えば、JSR社製 PC405Gが用いられる。
なお、この活性層18の酸素プラズマ処理により、第2の保護層32がシュリンクし、第2の保護層32の第1の保護層30側の端部が縮み、第1の保護層30の表面30aが露出することがある。
なお、低抵抗化処理としては、酸素プラズマ処理よりもUV照射の方が、設備などの点から容易に行うことができる。
なお、活性層18のコンタクト抵抗を低減することにより、トランジスタ10の性能を向上させることができる。
まず、基板12として、例えば、無アルカリガラス板(コーニング社、品番NO.1737)を用意する。
次に、基板12に対して、例えば、純水で15分、アセトンで15分、純水で15分の順で超音波洗浄を行なう。
次に、モリブデン膜上にレジスト膜(図示せず)を形成し、フォトリソグラフィー法を用い、所定のパターンに露光し、現像することによりレジストパターンを形成する。
次に、例えば、燐硝酢酸水を用いて、モリブデン膜をエッチングする。その後、レジスト膜を剥離する。これにより、図4(a)に示すように、モリブデンからなるゲート電極14が基板12の表面12aに形成される。
次に、例えば、バッファードフッ酸を用いて、SiO2膜をエッチングする。その後、レジスト膜を剥離する。これにより、図4(b)に示すように、SiO2膜からなるゲート絶縁膜16が、ゲート電極14を覆うようにして基板12の表面12aに形成される。
なお、上記SiO2膜のパターニングは、以下に示す保護膜形成時に行ってもよい。
なお、RFスパッタは、ターゲットにInGaZnO4の組成を有する多結晶焼結体を用い、スパッタガスにArガスとO2ガスを用い、Arガスの流量を97sccmとし、O2ガスの流量を0.8sccmとし、成膜圧力を0.6Paとし、RFパワーを200Wとして行う。
なお、RFスパッタは、ターゲットに酸化ガリウム(Ga2O3)を用い、スパッタガスにArガスとO2ガスを用い、Arガスの流量を12sccmとし、O2ガスの流量を5.0sccmとし、成膜圧力を0.4Paとし、RFパワーを400Wとして行う。
このようにIGZO膜17およびGa酸化物膜19を、その順で基板12上に形成する。
そして、フォトリソグラフィー法を用いて、IGZO膜17において活性層18のチャネル領域C(図1参照)に相当する部分αを覆う第1の保護層30が形成されるように、レジスト膜40においてIGZO膜17のチャネル領域C(図1参照)に整合する部分がパターン部42となり、それ以外の部分が非パターン部44となるようにレジスト膜40を露光して、パターン部42、非パターン部44を形成する。
なお、パターン部42が第2の保護層32になるため、このパターン部42の形状は、第2の保護層32の形状に合わせて適宜決定されるものである。パターン部42の形状としては、例えば、台形、長方形が挙げられる。
なお、第2の保護層32を構成するものは、レジスト膜40に限定されるものではなく、感光性有機系絶縁材料であれば、特に限定されるものではない。
なお、DCマグネトロンスパッタは、例えば、スパッタガスにArガスを用い、このArの流量を58sccmとし、成膜圧力を0.25Paとし、DCパワーを300Wで行う。
次に、モリブデン膜21の表面21aに、レジスト膜(図示せず)を形成し、フォトリソグラフィー法により、例えば、図1(b)に示すソース電極22およびドレイン電極24が得られるパターンに露光し、現像することにより、図6(a)に示すパターン部46を形成する。
なお、保護層26形成時にアクリル樹脂膜をパターン形成する場合、ソース電極22に達する端子開口部を設けることもできる。
また、シュウ酸を用いた場合、活性層18にIGZOを用い、ソース電極22およびドレイン電極24にアモルファスITOを用いることにより、活性層18ならびにソース電極22およびドレイン電極24を一括に形成することがきる。
さらに、本実施形態のトランジスタ10の基板を、プラスチックフィルム等の可撓性基板とし、ICカードまたはIDタグなどに応用することもできる。
12 基板
14 ゲート電極
16 ゲート絶縁膜
18 活性層
20 チャネル保護膜
22 ソース電極
24 ドレイン電極
26 保護層
30 第1の保護層
32 第2の保護層
40 レジスト膜
42、46 パターン部
44 非パターン部
Claims (12)
- 基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル層として機能する活性層、前記活性層のチャネル領域を覆う積層構造のチャネル保護膜、ソース電極、およびドレイン電極が形成された薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記基板上に前記ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うようにして前記基板上に前記ゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に前記活性層を形成する工程と、
前記活性層上に第1の保護層となる、Ga酸化物膜を形成する工程と、
前記Ga酸化物膜上に第2の保護層となる、感光性有機系絶縁膜を形成する工程と、
前記感光性有機系絶縁膜において前記チャネル領域に整合する部分をパターン部とし、それ以外の部分を非パターン部とする工程と、
前記感光性有機系絶縁膜の非パターン部を除去し、前記非パターン部の除去とともに前記パターン部をマスクとして前記非パターン部の下の前記Ga酸化物膜を除去して、前記パターン部および前記パターン部の下の前記Ga酸化物膜を残し、前記Ga酸化物膜からなる第1の保護層および前記パターン部からなる第2の保護層を形成し、前記チャネル保護膜を得る工程と、
前記チャネル保護膜を覆うように前記ソース電極および前記ドレイン電極となる膜を形成し、前記膜上にレジストパターンを形成し、前記チャネル保護膜をエッチングストッパとして、前記膜をエッチングし、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル層として機能する活性層、前記活性層のチャネル領域を覆う積層構造のチャネル保護膜、ソース電極、およびドレイン電極が形成された薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記基板上に前記ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うようにして前記基板上に前記ゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に前記活性層となる酸化物半導体膜を形成する工程と、
前記酸化物半導体膜上に第1の保護層となる、Ga酸化物膜を形成する工程と、
前記Ga酸化物膜上に第2の保護層となる、感光性有機系絶縁膜を形成する工程と、
前記感光性有機系絶縁膜において前記チャネル領域に整合する部分をパターン部とし、それ以外の部分を非パターン部とする工程と、
前記感光性有機系絶縁膜の非パターン部を除去し、前記非パターン部の除去とともに前記パターン部をマスクとして前記非パターン部の下の前記Ga酸化物膜を除去して、前記パターン部および前記パターン部の下の前記Ga酸化物膜を残し、前記Ga酸化物膜からなる第1の保護層および前記パターン部からなる第2の保護層を形成し、前記チャネル保護膜を得る工程と、
前記チャネル保護膜を覆うようにして前記酸化物半導体膜上に前記ソース電極および前記ドレイン電極となる膜を形成し、前記膜上にレジストパターンを形成し、前記チャネル保護膜をエッチングストッパとして、前記酸化物半導体膜および前記膜をエッチングし、前記活性層ならびに前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記チャネル保護膜を得る工程は、アルカリ溶液を用いて、前記感光性有機系絶縁膜の非パターン部をエッチングし、前記非パターン部の下の前記Ga酸化物膜をエッチングし、前記パターン部および前記パターン部の下の前記Ga酸化物膜を残し、前記第1の保護層および前記第2の保護層を形成する請求項1または2に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記チャネル保護膜を形成する工程と、前記ソース電極および前記ドレイン電極なる前記膜を形成する工程との間に、前記チャネル保護膜をマスクとして、前記活性層となる前記酸化物半導体膜に低抵抗化処理を施す工程を有する請求項1〜3のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記低抵抗化処理工程は、前記酸化物半導体膜において、前記活性層と前記ソース電極および前記ドレイン電極との接触部分に相当する部分になされる請求項4に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記低抵抗化処理工程は、酸素プラズマを照射する工程を備える請求項4または5に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記低抵抗化処理工程は、UV照射する工程を備える請求項4または5に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程の後に、前記チャネル保護膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うように前記ゲート絶縁膜上に保護層を形成する工程を有する請求項1〜7のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル層として機能する活性層、前記活性層のチャネル領域を覆う積層構造のチャネル保護膜、ソース電極、およびドレイン電極が形成された薄膜トランジスタであって、
前記活性層上に前記チャネル保護膜が形成され、
前記活性層上に前記チャネル保護膜を介在させて前記ソース電極および前記ドレイン電極が形成されており、
前記ソース電極と前記活性層とは、前記ソース電極が前記チャネル保護膜と重なる領域を除いて前記ソース電極の周面と前記活性層の周面とが一致し、かつ前記ドレイン電極と前記活性層とは、前記ドレイン電極が前記チャネル保護膜と重なる領域を除いて前記ドレイン電極の周面と前記活性層の周面とが一致しており、
前記チャネル保護膜は、Gaの酸化物からなる第1の保護層と、前記第1の保護層上に形成された感光性有機系絶縁材料からなる第2の保護層とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記活性層は、少なくともInおよびZnを含有するものである請求項9に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記活性層は、前記ソース電極および前記ドレイン電極との接触部分が低抵抗化処理されている請求項9または10に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記基板は、可撓性を有する請求項9〜11のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
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