CN110783353B - 摄像面板 - Google Patents

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Abstract

摄像面板中，在多个像素的每一个上具备光电转换元件的有源矩阵基板中，在各像素包括：设置在光电转换元件的一侧的表面的第一电极；设置在光电转换元件和所述第一电极的上层的第一平坦化膜；以及设置在所述第一平坦化膜的下层的偏压导电部。偏压导电部与第一电极连接，并向第一电极施加偏压电压。第一平坦化膜在与所述像素区域重叠的区域中未形成开口。

Description

摄像面板
技术领域
以下公开的发明涉及一种摄像面板。
背景技术
以往，提出了用于在每个像素上具备设置有开关元件和光电转换元件的有源矩阵基板中，抑制光电转换元件的漏电流的技术。特开2011-114310号公报公开了一种光电转换装置，其设置有化合物层，所述化合物层保护光电转换层的上表面中从上部电极突出的部分的。光电转换层是在形成覆盖非晶硅层上的上部电极的外侧部分的化合物层之后，通过蚀刻非晶硅层并进行图案化来形成。通过设置化合物层，可以降低蚀刻后的灰化处理导致的光电转换层的损害，可以抑制光电二极管的漏电流。
然而，在X射线摄像装置中，存在如下情况：在光电二极管的上层所设置的平坦化膜上配置提供偏压电压的偏压配线，且用于连接偏压配线和光电二极管的上部电极的接触孔被形成在平坦化膜上。在这种情况下，当水分渗透到平坦化膜时，水分容易经由设置在平坦化膜上的接触孔而进入光电二极管。结果，光电二极管的漏电流变得容易流动，且漏电流增大。
发明内容
为了解决上述问题，以下公开的摄像面板，包括有源矩阵基板，所述有源矩阵基板具有包括多个像素的像素区域，所述多个像素的每一个包括光电转换元件，所述有源矩阵基板在所述多个像素的每一个中包括：第一电极，设置在所述光电转换元件的一侧的表面；第一平坦化膜，设置在所述光电转换元件和所述第一电极的上层；偏压导电部，与所述第一电极连接，且向所述第一电极施加偏压电压，所述偏压导电部与所述第一平坦化膜相比靠下层设置，所述第一平坦化膜在俯视时与所述像素区域重叠的区域中未形成开口。
根据上述构成，可以抑制水分侵入摄像面板。
附图说明
图1是表示第一实施方式中的X射线摄像装置的示意图。
图2是表示图1所示的有源矩阵基板的概略构成的示意图。
图3是将设置有图2所示的有源矩阵基板的像素的像素部的一部分放大的俯视图。
图4A是图3的像素部中的A-A线的剖视图。
图4B是图3的像素部中的B-B线的剖视图。
图5是第二实施方式中的像素部的剖视图。
图6是第三实施方式中的像素部的剖视图。
图7是第四实施方式中的像素部的剖视图。
图8A是表示形成图7所示的有机绝缘膜107a的工序的剖视图。
图8B是表示形成图7所示的有机绝缘膜107a的工序的剖视图。
图8C是表示形成图7所示的有机绝缘膜107a的工序的剖视图。
图9是第五实施方式中的像素部的剖视图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本发明的具体的实施方式。对图中相同或相当的部分标注相同的附图标记，不重复其说明。
〔第一实施方式〕
(构成)
图1是表示本实施方式中应用于摄像面板的X射线摄像装置的示意图。X射线摄像装置100包括具备有源矩阵基板1a和闪烁体1b的摄像面板1、和控制部2。
控制部2包括栅极控制部2A和信号读出部2B。从X射线源3对被摄体S照射X射线。照射被摄体S的X射线在配置于有源矩阵基板1a的上部的闪烁体1b中转换为荧光(以下称为闪烁光)。X射线摄像装置100通过在摄像面板1和控制部2中对闪烁光进行摄像，取得X射线图像。
图2是表示有源矩阵基板1a的概略构成的示意图。如图2所示，有源矩阵基板1a具有多个源极配线10和与多个源极配线10交叉的多个栅极配线11。栅极配线11与栅极控制部2A连接，源极配线10与信号读出部2B连接。
有源矩阵基板1a在源极配线10与栅极配线11交叉的位置上，具有与源极配线10和栅极配线11连接的TFT13。此外，在由源极配线10和栅极配线11包围的区域(以下称为像素)中设置有光电二极管12。在像素中，通过光电二极管12对透射被摄体S的X射线进行转换而得到的闪烁光转换为与其光量对应的电荷。
有源矩阵基板1a中的各栅极配线11在栅极控制部2A中依次切换为选择状态，与选择状态的栅极配线11连接的TFT13变为导通状态。当TFT13变为导通状态时，与在光电二极管12中转换的电荷对应的信号经由源极配线10输出到信号读出部2B。
图3是将图2所示的有源矩阵基板1a中的一部分像素放大的俯视图。此外，图4A表示图3所示的A－A线的剖视。
有源矩阵基板1a包括设置有多个图3所示的像素P1的像素区域。在各像素P1中设置有光电二极管12和TFT13。此外，像素P1上设置有与光电二极管12电连接的偏压导电部16。偏压导电部16包括：偏压配线16a，与源极配线10大致平行配置；偏压电极16b，经由接触孔CH3而与光电二极管12连接。偏压配线16a与设置在像素区域外侧的偏压端子(未图示)连接，并且经由偏压电极16b将从与偏压端子连接的控制部2提供的偏压电压施加到光电二极管12。
光电二极管12包括一对电极14a、14b(参照图4A)和设置在一对电极14a、14b之间的光电转换层15(参照图4A)。TFT13具有与栅极配线11一体化的栅极电极13a、半导体活性层13b、与源极配线10一体化的源极电极13c、以及漏极电极13d。光电二极管12的一个电极(以下称为下部电极)14a经由接触孔CH1与漏极电极13d连接，另一个电极(以下称为上部电极)14b经由接触孔CH3与偏压电极16b连接。
另外，栅极电极13a和源极电极13c也可以分别与栅极配线11或源极配线10一体化。栅极电极13a和栅极配线11可以设置在彼此不同的层中，栅极配线11和栅极电极13a也可以经由接触孔连接。此外，源极电极13c和栅极配线10可以设置在彼此不同的层中，栅极配线10和源极电极13c也可以经由接触孔连接。
在图3中，源极配线10经由接触孔CH4与设置在像素区域外侧的源极端子(省略图示)连接，且栅极配线11经由接触孔CH5与设置在像素区域外侧的栅极端子(省略图示)连接。源极端子和栅极端子分别与控制部2(参照图1)连接。
此处，参照图4A来具体说明像素P1的剖视结构。如图4A所示，在基板101上形成栅极电极13a和栅极绝缘膜102。基板101是具有绝缘性的基板，例如由玻璃基板等构成。
栅极电极13a和栅极配线11在该示例中具有从下层依次层叠氮化钽(TaN)、钨(W)的金属膜的层叠结构。氮化钽(TaN)、钨(W)的膜厚度分别优选为30nm左右、300nm左右。栅极电极13a和栅极配线11不限于上述构成，也可以具有单层或两层以上的多个层。此外，栅极电极13a和栅极配线11的材料和膜厚度不限于上述。
栅极绝缘膜102覆盖栅极电极13a。在该示例中，栅极绝缘膜102具有从下层依次层叠氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)构成的无机绝缘膜的层叠结构。这些氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)的膜厚度分别优选为325nm左右、10nm左右。另外，栅极绝缘膜102不限于上述构成，也可以由单层或两层以上的多个层构成。此外，栅极绝缘膜102的材料和膜厚度不限于上述。
在栅极电极13a上经由栅极绝缘膜102设置有半导体活性层13b、与半导体活性层13b连接的源极电极13c和漏极电极13d、以及偏压配线16a。
半导体活性层13b形成为与栅极绝缘膜102接触。半导体活性层13b由氧化物半导体构成。在该示例中，半导体活性层13b由以规定的比例含有铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)以及氧(O)的氧化物半导体构成。
另外，作为半导体活性层13b使用的氧化物半导体，除了上述之外，例如，也可以使用InGaO3(ZnO)5、氧化镁锌(MgxZn1-xO)、氧化镉锌(CdxZn1-xO)、氧化镉(CdO)、InSnZnO(包括In(铟)、Sn(锡)、Zn(锌))、In(铟)-Al(铝)-Zn(锌)-O(氧)类、或以规定的比例含有铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的非晶氧化物半导体等。此外，作为氧化物半导体，也可以应用“非晶”或“结晶(包括多晶、微晶、c轴取向)”的材料。半导体活性层13b为层叠结构的情况下，也可以应用上述的任何组合。
通过使用上述的氧化物半导体，与非晶硅(a-Si)相比，TFT13的截止漏电流减小。
源极电极13c和漏极电极13d以在栅极绝缘膜102上与半导体活性层13b的一部分接触的方式配置。此外，偏压配线16a设置为在栅极绝缘膜102上的与源极电极13c的相反侧处并远离漏极电极13d，其中漏极电极13d夹在偏压配线16a和源极电极13c之间。
源极电极13c、漏极电极13d和偏压配线16a具有以钛(Ti)、铝(Al)和钛(Ti)的顺序层叠这些金属膜的层叠结构。这些金属膜的厚度从下层依次优选为30nm、400nm、50nm左右。另外，源极电极13c、漏极电极13d和偏压配线16a不限于上述结构，也可以具有单层或两层以上的层叠结构。此外，源极电极13c、漏极电极13d和偏压配线16a的材料和膜厚度不限于上述。
在栅极绝缘膜102上，以覆盖源极电极13c、漏极电极13d以及偏压配线16a的方式设置有绝缘膜103，并且以覆盖绝缘膜103的方式设置有平坦化膜104。
在该示例中，绝缘膜103具有从下层依次层叠由氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)构成的无机绝缘膜的层叠结构。氧化硅(SiO2)的无机绝缘膜的膜厚度优选为500nm左右，氮化硅(SiNx)的无机绝缘膜的膜厚度优选为150nm左右。另外，绝缘膜103不限于上述结构，也可以由单层或两层以上的多个层构成，绝缘膜103由单层构成时，优选使用氧化硅(SiO2)。此外，绝缘膜103的材料和膜厚度不限于上述。
在该示例中，平坦化膜104由感光性树脂构成的有机绝缘膜构成。平坦化膜104的膜厚度优选为2500nm左右。另外，平坦化膜104不限定于上述的构成。
在源极电极13c、漏极电极13d和偏压配线16a上，分别形成有贯通绝缘膜103和平坦化膜104的接触孔CH4、接触孔CH1和接触孔CH2。
在平坦化膜104上设置有与漏极电极13d连接的下部电极用连接部141、与偏压配线16a连接的偏压配线用连接部161、以及与TFT13的源极电极13c连接的源极连接部120。
下部电极用连接部141设置在接触孔CH1上，并且经由接触孔CH1与漏极电极13d连接。偏压配线用连接部161设置在接触孔CH2上，并且经由接触孔CH2与偏压配线16a连接。源极连接部120设置在接触孔CH4上，并且经由接触孔CH4与漏极电极13c连接。源极连接部120与未图示的源极端子连接。
在该示例中，下部电极用连接部141、偏压配线用连接部161以及源极连接部120分别具有以钛(Ti)、铝(Al)和钛(Ti)的顺序层叠这些金属膜的层叠结构。这些金属膜的厚度从下层依次优选为30nm、300nm、100nm左右。另外，下部电极用连接部141、偏压配线用连接部161以及源极连接部120不限于上述结构，也可以具有多个金属膜层叠的层叠结构。此外，下部电极用连接部141、偏压配线用连接部161以及源极连接部120的膜厚度也不限于上述。
此外，平坦化膜104上设置有覆盖源极连接部120的表面，并在下部电极用连接部141和偏压配线用连接部161上分离的绝缘膜105。绝缘膜105没有设置在俯视时与接触孔CH1和接触孔CH2重叠的位置，而是在下部电极用连接部141和偏压配线用连接部161上，分别与接触孔CH1和接触孔CH2相比，靠外侧处设置。
在该示例中，绝缘膜105使用由氮化硅(SiN)制成的无机绝缘膜。绝缘膜105的膜厚度优选为300nm左右。另外，绝缘膜105不限于上述结构，也可以是多个无机绝缘膜层叠的层叠结构。此外，绝缘膜105的材料和膜厚度不限于上述。
下部电极用连接部141上设置有下部电极14a，以覆盖绝缘膜105分离的部分。在该示例中，下部电极14a使用由钛(Ti)制成的金属膜。下部电极14a的膜厚度优选为50nm左右。另外，下部电极14a不限于上述结构，也可以具有多个金属膜层叠的层叠结构。此外，下部电极14a的膜厚度不限于上述。
下部电极14a上依次层叠有作为光电转换层15的n型非晶态半导体层151、本征非晶态半导体层152和p型非晶态半导体层153。
n型非晶态半导体层151由掺杂有n型杂质(例如磷)的非晶硅构成。
本征非晶态半导体层152由本征非晶硅构成。本征非晶态半导体层152形成为与n型非晶态半导体层151接触。
p型非晶态半导体层153由掺杂有p型杂质(例如硼)的非晶硅构成。p型非晶态半导体层153形成为与本征非晶态半导体层152接触。
在该示例中，n型非晶态半导体层151的膜厚度优选为10nm左右，本征非晶态半导体层152的膜厚度优选为1200nm左右，p型非晶态半导体层153的膜厚度优选为10nm左右。另外，n型非晶态半导体层151、本征非晶态半导体层152以及p型非晶态半导体层153的掺杂以及厚度不限于上述。
p型非晶态半导体层153上设置有上部电极14b。上部电极14b在与光电转换层15的端部相比靠内侧设置。即，上部电极14b在X轴方向上的长度与光电转换层15相比短。例如，上部电极14b例如使用由ITO(Indium Tin Oxide)制成透明导电膜。上部电极14b的膜厚度优选为60nm左右。另外，上部电极14b的材料和膜厚度不限于上述。
p型非晶态半导体层153上设置有绝缘膜106a以覆盖上部电极14b。此外，绝缘膜105上设置有绝缘膜106b以覆盖绝缘膜106a。在上部电极14b上形成有贯通绝缘膜106a和绝缘膜106b的接触孔CH3。即，绝缘膜106b覆盖在绝缘膜105上的同时，覆盖光电转换层15以及下部电极14a的侧面。
绝缘膜106b和绝缘膜105在接触孔CH2上分离。在上部电极14b上形成有贯通绝缘膜106a和绝缘膜106b的接触孔CH3。
在该示例中，绝缘膜106a和绝缘膜106b分别使用由氮化硅(SiN)制成的无机绝缘膜。绝缘膜106a的膜厚度优选为50nm左右，绝缘膜106b的膜厚度优选为250nm左右。另外，绝缘膜106a和绝缘膜106b的材料和膜厚度不限于上述。
绝缘膜106b上设置有偏压电极16b，以在俯视时跨接接触孔CH3和接触孔CH2。偏压电极16b在接触孔CH1中与下部电极14b连接。此外，偏压电极16b与设置在接触孔CH2上的偏压配线用连接部161连接。
在该示例中，偏压电极16b使用由ITO制成的透明导电膜。偏压电极16b的膜厚度优选为100nm左右。另外，偏压电极16b的材料以及膜厚度不限于上述。
设置有平坦化膜107以覆盖绝缘膜106b以及偏压电极16b。在该示例中，平坦化膜107使用由感光性树脂制成的有机绝缘膜。平坦化膜107的膜厚度优选为2500nm左右。另外，平坦化膜107的结构不限于上述结构。平坦化膜107至少在整个像素区域中连续地设置，并且在像素区域中不形成接触孔等开口。
设置有绝缘膜108以覆盖平坦化膜107。在该示例中，绝缘膜108使用由氮化硅(SiN)制成的无机绝缘膜。绝缘膜108的膜厚度优选为300nm左右。另外，绝缘膜108的结构不限于上述结构。
进一步地，设置有平坦化膜109以覆盖绝缘膜108。在该示例中，平坦化膜109使用由感光性树脂制成的有机绝缘膜。平坦化膜109的膜厚度优选为3000nm左右。另外，平坦化膜109的结构不限于上述结构。
设置有绝缘膜110以覆盖平坦化膜109。在该示例中，绝缘膜110使用由氮化硅(SiN)制成的无机绝缘膜。绝缘膜110的膜厚度优选为150nm左右。另外，绝缘膜110的结构不限于上述结构。
一个像素P1中的有源矩阵基板1a的剖视结构如上所述。另外，此处省略了图示，但是在摄像面板1中，绝缘膜110上设置有闪烁体1b(参照图1)。
(X射线摄像装置100的动作)
在此，对图1所示的X射线摄像装置100的动作进行说明。首先，从X射线源3照射X射线。此时，控制部2对偏压配线16a(参照图3等)施加规定的电压(偏压)。从X射线源3照射的X射线透射被摄体S，入射到闪烁体1b。入射到闪烁体1b的X射线转换为荧光(闪烁光)，闪烁光入射到有源矩阵基板1a。当闪烁光入射到设置于有源矩阵基板1a中的各像素的光电二极管12时，通过光电二极管12，变为与闪烁光的光量对应的电荷。与由光电二极管12转换的电荷对应的信号在TFT13(参照图2、图3等)根据从栅极控制部2A经由栅极配线11输出的栅极电压(正电压)而成为导通状态时，通过源极配线10被读出到信号读出部2B(参照图2等)。然后，在控制部2中生成与所读出的信号对应的X射线图像。
在上述第一实施方式中，偏压配线16a与光电二极管12相比靠下层设置。光电二极管12的上部电极14b和偏压配线16a之间经由与光电二极管12的上层所设置的平坦化膜107相比靠下层设置的偏压电极16b和偏压配线用连接部161连接。即，不使光电二极管12的上层的平坦化膜107贯通，也可以使上部电极14b和偏压配线16a连接。
假设，当偏压配线16a设置在平坦化膜107的上层，且偏压配线16a和上部电极14b从光电二极管12的上层连接时，在平坦化膜107上有必要形成用于连接偏压配线16a和上部电极14b连接的接触孔。在这种情况下，当水分渗透到平坦化膜107时，水分容易经由接触孔而进入光电二极管12。
第一实施方式中，设置在光电二极管12上层的平坦化膜107上未形成接触孔，在整个像素区域中连续地设置。因此，即使水分从平坦化膜109浸透，水分也难以经由平坦化膜107进入光电二极管12。
此外，在第一实施方式中，平坦化膜107上设置有作为无机绝缘膜的绝缘膜108。因此，假设，即使水分浸透到平坦化膜109上，水分也难以经由绝缘膜108进入平坦化膜107。
此外，通过将偏压配线16a与光电二极管12的下部电极14a相比靠下层设置，与将偏压配线16a设置在与光电二极管12的下部电极14a的同层或上层的情况相比，可以增大光电二极管12的面积。图4B是图3所示的像素P1的沿B-B线的剖视图。如图4B所示，光电二极管12的X轴方向的端部的位置X1配置在与偏压配线16a的X轴方向的端部的位置X2相比靠近X轴正方向侧。
偏压配线16a设置在与下部电极14a同层或上层的情况，光电二极管12以在俯视时不与偏压配线16a重叠的方式配置在与偏压配线16a相比靠近像素P1的内侧。因此，偏压配线16a与光电二极管12的下部电极14a相比靠下层设置，可以进一步增加光电二极管12的面积，且可以提高光电二极管12的量子效率(QE)。
〔第二实施方式〕
图5是本实施方式中的像素P1的A-A线(参照图3)的剖视图。在图5中，对与第一实施方式相同的构成标注与第一实施方式相同的附图标记。以下，说明与第一实施方式不同的构成。
如图5所示，本实施方式的有源矩阵基板1a与第一实施方式的不同之处在于，在像素P1中，设置有绝缘膜111以覆盖偏压电极16b和绝缘膜106b。绝缘膜111设置在整个像素区域。平坦化膜107设置在绝缘膜111上，覆盖整个绝缘膜111。
在该示例中，绝缘膜111使用由氮化硅(SiN)构成的无机绝缘膜。绝缘膜111的膜厚度优选为150nm以上，400nm以下。另外，绝缘膜111的结构不限于上述结构。
如上所述，通过在整个像素区域中的平坦化膜107下方设置绝缘膜111，与未设置绝缘膜111的情况相比，可以进一步抑制经由接触孔CH2、接触孔CH3水分浸入到光电二极管12、TFT13。
〔第三实施方式〕
图6是本实施方式中的像素P1的A-A线(参照图3)的剖视图。在图6中，对与第一实施方式相同的构成标注与第一实施方式相同的附图标记。以下，说明与第一实施方式不同的构成。
如图6所示，本实施方式的有源矩阵基板1a与第一实施方式的不同之处在于，在像素P1中，偏压电极26b不仅以在绝缘膜106a上在俯视时以跨接接触孔CH2和接触孔CH3之间的方式配置，而且覆盖在覆盖光电二极管12的整个绝缘膜106a上。
由于偏压电极26b由ITO等透明导电膜构成，因此，防湿性高于氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO2)等无机绝缘膜。因此，通过用偏压电极26b覆盖在光电二极管12上，与第一实施方式相比，可以进一步抑制水分侵入光电二极管12。
〔第四实施方式〕
图7是本实施方式中的像素P1的A-A线(参照图3)的剖视图。在图7中，对与第一实施方式相同的构成标注与第一实施方式相同的附图标记。以下，说明与第一实施方式不同的构成。
如图7所示，本实施方式的有源矩阵基板1a与第一实施方式的不同之处在于，在与光电二极管12的端部相比外侧的绝缘膜106b上设置有有机绝缘膜107a，在偏压电极16b和绝缘膜106b之间设置有有机绝缘膜107a。此外，本实施方式的有源矩阵基板1a在偏压电极16b的上层设置有平坦化膜109和绝缘膜110。即，本实施方式与第一实施例的不同之处在于，设置在偏压电极16b上的平坦化膜和无机绝缘膜分别为一个。
有机绝缘膜107a使用与上述第一实施方式的平坦化膜107相同的感光性树脂制成的有机绝缘膜。
设置有机绝缘膜107a以与覆盖光电二极管12的侧表面的绝缘膜106a重叠，并且在俯视时与接触孔CH2重叠的位置未设置有机绝缘膜107a。偏压电极16b以在俯视时接触孔CH3和接触孔CH3跨接的方式配置在有机绝缘膜107a上。
这样，通过在光电二极管12的侧面和偏压电极16b之间设置绝缘膜106a和有机绝缘膜107a，可以防止偏压电极16b和光电二极管12之间的短路。即，在本实施方式中，通过设置有机绝缘膜107a，可以使光电二极管12和偏压电极16b之间的距离被分开，并防止光电转换层15以及下部电极14a和偏压电极16b之间的短路。
本实施方式的有机绝缘膜107a可以如下那样制作。图8A～8C是说明形成有机绝缘膜107a的工序的剖视图。
在图8A中，为了覆盖绝缘膜106b，使用例如狭缝涂布法涂布由感光性树脂构成的有机绝缘膜117。此时，成膜的有机绝缘膜117的量与第一实施方式的平坦化膜107相比少。之后，通过高速旋转基板101，有机绝缘膜117移动到基板101的侧端，并且有机绝缘膜117积存在光电二极管12的底侧。
接着，在有机绝缘膜117中，进行光刻以及蚀刻，在俯视时与接触孔CH2和接触孔CH3重叠的位置处形成开口(参照图8B)。
之后，进行灰化处理，去除光电二极管12上的有机绝缘膜117，通过使有机绝缘膜117的膜厚度减小，从而形成有机绝缘膜107a(参照图8C)。
〔第五实施方式〕
图9是本实施方式中的像素P1的A-A线(参照图3)的剖视图。在图9中，对与第一实施方式相同的构成标注与第一实施方式相同的附图标记。以下，说明与第一实施方式不同的构成。
如图9所示，本实施方式的有源矩阵基板1a与第一实施方式的不同之处在于，下部电极用连接部141、偏压配线用连接部161以及源极连接部120设置在绝缘膜103上而不是平坦化膜104上。即，在本实施方式中，未设置平坦化膜104。
在绝缘膜103上设置有接触孔CH11、接触孔CH21和接触孔CH41，接触孔CH11用于连接下部电极用连接部141和漏极电极13d、接触孔CH21用于接触偏压配线用连接部161和偏压配线，接触孔CH41用于连接源极连接部120和源极电极13c。
如上所述，即使在光电二极管12的下层未设置平坦化膜，在光电二极管12的上层仅设置两层平坦化膜107、109的情况下，与第一实施方式同样地，平坦化膜107、109也没有形成用于连接偏压电极16b和光电二极管12的接触孔。因此，即使水分侵入到平坦化膜107，水分也难以进入光电二极管12、TFT13。
以上，说明了X射线摄像装置的实施方式，但上述实施方式只不过是用于例示。因此，X射线摄像装置并不限于上述实施方式，能够在不脱离其主旨的范围内对上述实施方式进行适当地变形来实施。
(1)在上述第三实施方式中的有源矩阵基板1a(参照图6)中，例如，也可以设置第二实施方式的绝缘膜111(参照图5)。通过这种构成，与第三实施例相比，可以进一步抑制水分侵入光电二极管12。
(2)在上述第五实施例的有源矩阵基板1a(参照图9)中，例如，为了覆盖绝缘膜106a和偏压电极16b，也可以设置第二实施例的绝缘膜111(参照图5)。此外，在第五实施例的有源矩阵基板1a中，与第三实施例(参照图6)同样地，也可以以整个绝缘膜106a被偏压电极16b覆盖的方式构成。此外，在第五实施例的有源矩阵基板1a中未设置平坦化膜107，与第四实施例同样地，在偏压电极16b和覆盖光电二极管12的侧表面的绝缘膜106a之间设置有有机绝缘膜107a(参照图7)。如上所述，第二实施方式至第四实施方式中的任何一个的构成可以与第五实施例的有源矩阵基板1a组合，也可以组合任意多个构成。
(3)在上述第一实施方式至第五实施例中，说明了偏压配线16a设置在与TFT13的源极电极13c和漏极电极13d相同的层的示例，但是，例如，偏压配线16a也可以设置在与TFT13的栅极电极13a相同的层。此外，偏压配线16a也可以设置在平坦化膜104上。偏压配线16a设置在平坦化膜104上时，可以直接连接偏压配线16a和偏压电极16b而不需要设置偏压配线用连接部161。
(4)在上述第一实施方式至第五实施例中，说明了用绝缘膜106a覆盖光电二极管12的上表面，用绝缘膜106b覆盖绝缘膜106a和光电二极管12的表面的示例。即，在上述实施方式中，说明了用两个无机绝缘膜覆盖光电二极管12的示例，但也可以用一个无机绝缘膜覆盖光电二极管12的表面。
(5)在上述第一实施方式至第五实施例中，说明了绝缘膜108上设置有平坦化膜109和绝缘膜110的示例，但也可以是不设置平坦化膜109和绝缘膜110的构成。即使是这种构成的情况，通过设置在平坦化膜107上的绝缘膜108，水分难以进入平坦化膜107，可以抑制水分经由平坦化膜107侵入光电二极管12中。另外，在有源矩阵基板1a中，在平坦化膜107上设置绝缘膜108的方式水分侵入的抑制效果高，但是平坦化膜107至少设置在光电二极管12的上层。
(6)上述第一实施方式至第五实施方式的平坦化膜104、107、109所使用的有机绝缘膜，也可以使用正性和负性任意一种的感光性树脂材料。
上述摄像面板也可以如下说明。
第一构成的摄像面板，包括有源矩阵基板，所述有源矩阵基板具有包括多个像素的像素区域，所述多个像素的每一个包括光电转换元件，所述有源矩阵基板在所述多个像素的每一个中具有：第一电极，设置在所述光电转换元件的一侧的表面；第一平坦化膜，设置在所述光电转换元件和所述第一电极的上层；以及偏压导电部，与所述第一电极连接，且向所述第一电极施加偏压电压，所述偏压导电部与所述第一平坦化膜相比靠下层设置，所述第一平坦化膜在俯视时与所述像素区域重叠的区域形成开口。
根据第一构成，在像素区域的各像素上具备光电转换元件的有源矩阵基板中，设置在光电转换元件的一侧的表面的第一电极与偏压导电部连接，并经由偏压导电部施加偏压电压。偏压导电部与光电转换元件和第一电极上层所设置的第一平坦化膜相比靠下层设置，第一平坦化膜在与像素区域重叠的区域中未形成开口。即，偏压导电部和第一电极连接而不在像素区域内设置的第一平坦化膜上形成接触孔等开口。另一方面，例如，偏压导电部设置在第一平坦化膜的上层的情况下，第一平坦化膜中必须形成用于连接偏压导电部和第一电极的接触孔。在这种情况下，水分可以经由设置在第一平坦化膜的接触孔容易地进入光电转换元件。在第一构成中，由于在第一平坦化膜上没有设置接触孔等开口，因此，水分难以侵入到光电转换元件。
在上述第一构成中，也可以构成为，所述有源矩阵基板进一步包括：第一绝缘膜，覆盖所述第一电极和所述光电转换元件的表面；以及第二平坦化膜，与所述光电转换元件相比靠下层设置，所述偏压导电部包括设置在所述第二平坦化膜的下层的偏压配线；连接所述偏压配线和所述第一电极之间的偏压电极，在所述第一绝缘膜的一部分的上中，所述偏压电极设置在所述第一绝缘膜和所述第一平坦化膜之间，所述第一绝缘膜处具有用于连接所述偏压电极和所述第一电极的第一接触孔，所述第二平坦化膜在俯视时与所述光电转换元件未重叠的位置，具有用于连接所述偏压电极和所述偏压配线的第二接触孔(第二构成)。
根据第二构成，第一电极和光电转换元件的表面被第一绝缘膜覆盖，第二平坦化膜与光电转换元件相比靠下层设置。偏压导电部包括设置在第一绝缘膜和第一平坦化膜之间的偏压电极和与第二平坦化膜相比靠下层设置的偏压配线。偏压电极和第一电极经由设置在第一绝缘膜的第一接触孔连接，偏压电极和偏压配线经由设置在第二平坦化膜的第二接触孔连接。即，连接偏压电极和第一电极之间以及偏压电极和偏压配线之间的接触孔与第一平坦化膜相比靠下层设置。因此，即使水分浸透到在第一平坦化膜，水分也难以进入光电转换元件。
在上述第一构成中也可以是，所述有源矩阵基板进一步包括：第二电极，设置在与所述光电转换元件的所述一侧的表面相反侧的表面；第一绝缘膜，覆盖所述第一电极和所述光电转换元件的表面；以及第二绝缘膜，与所述第二电极相比靠下层设置，所述偏压导电部包括设置在所述第二绝缘膜的下层；偏压电极的偏压配线，以及连接所述偏压配线和所述第一电极之间的偏压电极，在所述第一绝缘膜的一部分的上方中，所述偏压电极设置在所述第一绝缘膜和所述第一平坦化膜之间，所述第一绝缘膜具有用于连接所述偏压电极和所述第一电极的第一接触孔，所述第二绝缘膜具有用于连接所述偏压配线和所述偏压电极的第二接触孔(第三构成)。
根据第三构成，在与光电转换元件的第一电极相反侧的表面上设置第二电极，在与第二电极相比靠下层设置有第二绝缘膜。此外，第一电极和光电转换元件的表面被第一绝缘膜覆盖。偏压导电部包括在第一绝缘膜的一部分的上方中设置在第一绝缘膜和第一平坦化膜之间的偏压电极和与第二绝缘膜相比靠下层设置的偏压配线。偏压电极和第一电极经由设置在第一绝缘膜的第一接触孔连接，偏压电极和偏压配线经由设置在第二绝缘膜的第二接触孔连接。即，偏压电极和第一电极之间、偏压电极和偏压配线之间连接的接触孔设置在与第一平坦化膜相比靠下层。因此，即使水分浸透到在第一平坦化膜，水分也难以进入光电转换元件。
在上述第二构成或第三构成中也可以是，所述有源矩阵基板进一步包括：第三绝缘膜，覆盖所述第一绝缘膜和所述偏压电极，所述第三绝缘膜被所述第一平坦化膜覆盖(第四构成)。
根据第四构成，通过第三绝缘膜覆盖第一绝缘膜和偏压电极，进一步地，第三绝缘膜被第一平坦化膜覆盖。即，光电转换元件被第一绝缘膜和第三绝缘膜覆盖。因此，与未设置第三绝缘膜的情况相比，即使水分浸透到第一平坦化膜，可以抑制水分侵入到光电转换元件。
在上述第二构成或第三构成中也可以是，所述偏压电极至少设置在覆盖所述光电转换元件的表面的所述第一绝缘膜上(第五构成)。
根据第五构成，光电转换元件上的第一绝缘膜被偏压电极覆盖。因此，与在光电转换元件上的第一绝缘膜中未被偏压电极覆盖的部分的情况相比，可以进一步抑制水分侵入光电转换元件。
在上述第二构成到第五构成中的任意一个构成中也可以是，所述有源矩阵基板进一步包括：在俯视时，设置在所述光电转换元件的至少一侧的侧面的第一绝缘膜和所述偏压电极之间的有机绝缘膜(第六构成)。
根据第六构成，光电转换元件的至少一侧的侧表面被第一绝缘膜和有机绝缘膜覆盖，偏压电极与有机绝缘膜重叠。通过设置有机绝缘膜，可以使光电转换元件和偏压电极之间分离，且可以防止光电转换元件和偏压电极的短路。
在上述第一构成到第五构成中的任意一个构成中也可以是，进一步包括闪烁体，设置在所述有源矩阵基板的表面，并将X射线转换为闪烁光。
根据第七构成，由于可以抑制水分侵入有源矩阵基板中的光电转换元件，可以降低光电转换元件的漏电流，并提高X射线的检测精度。
附图标记说明
1…摄像面板、1a…有源矩阵基板、1b…闪烁体、2…控制部、2A…栅极控制部、2B…信号读出部、3…X射线源；10…源极配线；11…栅极配线；12…光电二极管；13…薄膜晶体管(TFT)；13a…栅极电极；13b…半导体活性层；13c…源极电极；13d…漏极电极；14a…下部电极；14b…上部电极；15…光电转换层；16a…偏压配线；16b，26b…偏压电极；100…X射线摄像装置；101…基板；102…栅极绝缘膜；103，105，106a，106b，108，110，111…绝缘膜；120…源极连接部；141…下部电极用连接部；151…n型非晶态半导体层；152…本征非晶态半导体层；153…p型非晶态半导体层；161…偏压配线用连接部。

Claims (5)

1.一种摄像面板，其特征在于，包括有源矩阵基板，所述有源矩阵基板具有包括多个像素的像素区域，所述多个像素的每一个包括光电转换元件，
所述有源矩阵基板在所述多个像素的每一个中具有：
第一电极，设置在所述光电转换元件的一侧的表面；
第一平坦化膜，设置在所述光电转换元件和所述第一电极的上层；以及
偏压导电部，与所述第一电极连接，且向所述第一电极施加偏压电压，
所述偏压导电部与所述第一平坦化膜相比靠下层设置，
所述第一平坦化膜在俯视时与所述像素区域重叠的区域中未形成开口，
所述有源矩阵基板进一步包括：
第一绝缘膜，覆盖所述第一电极和所述光电转换元件的表面；以及
第二平坦化膜，与所述光电转换元件相比靠下层设置，
所述偏压导电部包括设置在所述第二平坦化膜的下层的偏压配线，以及连接所述偏压配线和所述第一电极之间的偏压电极，
在所述第一绝缘膜的一部分的上方中，所述偏压电极设置在所述第一绝缘膜和所述第一平坦化膜之间，
所述第一绝缘膜具有用于连接所述偏压电极和所述第一电极的第一接触孔，
所述第二平坦化膜在俯视时与所述光电转换元件未重叠的位置处具有用于连接所述偏压电极和所述偏压配线的第二接触孔，
所述有源矩阵基板进一步包括：
在俯视时，设置在所述光电转换元件的至少一侧的侧面的第一绝缘膜和所述偏压电极之间的有机绝缘膜。
2.根据权利要求1所述的摄像面板，其特征在于，所述有源矩阵基板进一步包括：
第二电极，设置在与所述光电转换元件的所述一侧的表面相反侧的表面；
第一绝缘膜，覆盖所述第一电极和所述光电转换元件的表面；以及
第二绝缘膜，与所述第二电极相比靠下层设置，
所述偏压导电部包括设置在所述第二绝缘膜的下层的偏压配线，以及连接所述偏压配线和所述第一电极之间的偏压电极，
在所述第一绝缘膜的一部分的上方中，所述偏压电极设置在所述第一绝缘膜和所述第一平坦化膜之间，
所述第一绝缘膜具有用于连接所述偏压电极和所述第一电极的第一接触孔，
所述第二绝缘膜具有用于连接所述偏压配线和所述偏压电极的第二接触孔。
3.根据权利要求1或2所述的摄像面板，其特征在于，所述有源矩阵基板进一步包括：
第三绝缘膜，覆盖所述第一绝缘膜和所述偏压电极，
所述第三绝缘膜被所述第一平坦化膜覆盖。
4.根据权利要求1或2所述的摄像面板，其特征在于，所述偏压电极至少设置在覆盖所述光电转换元件的表面的所述第一绝缘膜上。
5.根据权利要求1所述的摄像面板，其特征在于，包括：
闪烁体，设置在所述有源矩阵基板的表面，并将X射线转换为闪烁光。
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