CN110323234B - 摄像面板 - Google Patents

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Abstract

不使闪烁光的检测精度下降地抑制制造成本，抑制水分向摄像面板的侵入。摄像面板(1)具备：有源矩阵基板(1a)，其在多个像素的每一个像素中具备光电转换元件；闪烁器(1b)，其设置于有源矩阵基板的表面；防湿材料(212)，其覆盖有源矩阵基板和闪烁器；以及粘接层(211)，其将防湿材料与闪烁器及有源矩阵基板之间粘接。有源矩阵基板具备：第1平坦化膜(108)，其设置于像素区域和像素区域的外侧，包括感光性树脂膜；以及粘接剂填充部(2110)，其俯视时在闪烁器区域的边界与粘接层之间从有源矩阵基板的表面向第1平坦化膜贯通，填充有与粘接层相同的材料。

Description

摄像面板
技术领域
本发明涉及摄像面板。
背景技术
以往以来，在X射线摄像装置中使用按每一像素具备与开关元件连接的光电转换元件的有源矩阵基板。在下述专利文献1中，公开了抑制水分向这种X射线摄像装置侵入的技术。该专利文献1的X射线摄像装置抑制水分经由将防湿保护层和光电转换基板粘接的粘接剂的侵入，上述防湿保护层保护设置于光电转换基板上的荧光体层。具体地，在光电转换基板上设置包括聚酰亚胺等的表面有机膜，沿着荧光体层的外周将埋入了树脂的槽部设置于表面有机膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特许第6074111号公报
发明内容
发明要解决的问题
在上述专利文献1中，将具有防湿效果的表面有机膜设置于光电转换基板上，在表面有机膜中设置埋入了树脂的槽部，因此，不易发生粘接剂的积液，水分不易侵入光电转换基板。因此，能够在某种程度上抑制水分从光电转换基板向荧光体层的侵入。然而，虽然例如数10μm的聚酰亚胺等的表面有机膜有防湿效果，但是由于吸收闪烁光的波段，因此，闪烁光的检测精度下降。另外，除了在光电转换基板上设置的材料以外另外设置表面有机膜，因此制造成本上升。
本发明提供一种能够不使闪烁光的检测精度下降地抑制制造成本并且抑制水分向摄像面板侵入的技术。
用于解决问题的方案
解决上述问题的本发明的摄像面板具备：有源矩阵基板，其具有包含多个像素的像素区域，在上述多个像素的每一个像素中具备光电转换元件；闪烁器，其设置于上述有源矩阵基板的表面，将X射线转换为闪烁光；防湿材料，其覆盖上述有源矩阵基板和上述闪烁器；以及粘接层，其将上述防湿材料与上述闪烁器及上述有源矩阵基板之间粘接，上述有源矩阵基板具备：第1平坦化膜，其设置于上述像素区域和上述像素区域的外侧，包括感光性树脂膜；以及粘接剂填充部，其俯视时在设置有上述闪烁器的闪烁器区域的边界与上述粘接层之间从上述有源矩阵基板的表面向上述第1平坦化膜贯通，填充有与上述粘接层相同的材料。
发明效果
根据本发明，能够不使闪烁光的检测精度下降地抑制水分向摄像面板的侵入。
附图说明
图1是表示第1实施方式的X射线摄像装置的示意图。
图2是表示图1所示的有源矩阵基板的概略构成的示意图。
图3是将图2所示的有源矩阵基板的设置有像素的像素部的一部分放大后的俯视图。
图4A是图3的像素部的A-A线的截面图。
图4B是图1所示的摄像面板的像素部的截面图。
图5A是图1所示的摄像面板的概略俯视图。
图5B是图5A所示的B-B线的截面图。
图6A是第1实施方式的应用例的摄像面板的俯视图。
图6B是图6A所示的摄像面板的端部区域的截面图。
图7是第2实施方式的摄像面板的端部区域的截面图。
图8A是第2实施方式的应用例1的摄像面板的端部区域的截面图。
图8B是第2实施方式的应用例2的摄像面板的端部区域的截面图。
图8C是第2实施方式的应用例3的摄像面板的端部区域的截面图。
图9是第3实施方式的摄像面板的端部区域的截面图。
图10是第3实施方式的应用例1的摄像面板的端部区域的截面图。
图11A是第3实施方式的应用例2的摄像面板的端部区域的截面图。
图11B是第3实施方式的应用例3的摄像面板的端部区域的截面图。
图12是第3实施方式的应用例4的摄像面板的端部区域的截面图。
图13A是表示变形例(1)的摄像面板的端部区域的一例的截面图。
图13B是表示与图13A不同的摄像面板的端部区域的一例的截面图。
图13C是表示与图13B不同的摄像面板的端部区域的一例的截面图。
附图标记说明
1、1-1～1-9…摄像面板；1a、1a_1、1a_2…有源矩阵基板；1b…闪烁器；2…控制部；2A…栅极控制部；2B…信号读出部；3…X射线源；10…源极配线；11…栅极配线；12…光电二极管；13…薄膜晶体管(TFT)；13a…栅极电极；13b…半导体活性层；13c…源极电极；13d…漏极电极；14a…下部电极；14b…上部电极；15…光电转换层；16…偏置配线；100…X射线摄像装置；101…基板；102…栅极绝缘膜；103…第1绝缘膜；105…第2绝缘膜；106…第3绝缘膜；107…第4绝缘膜；108…第5绝缘膜；109…第6绝缘膜；110、111a、111b…有机膜；151…n型非晶质半导体层；152…本征非晶质半导体层；153…p型非晶质半导体层；211…粘接层；212…防湿材料；2110～2116、2110a、2111a、2114a、2115a、2110b、2111b、2114b、2115b、2116～2119…粘接剂填充部。
具体实施方式
本发明的一实施方式的摄像面板具备：有源矩阵基板，其具有包含多个像素的像素区域，在上述多个像素的每一个像素中具备光电转换元件；闪烁器，其设置于上述有源矩阵基板的表面，将X射线转换为闪烁光；防湿材料，其覆盖上述有源矩阵基板和上述闪烁器；以及粘接层，其将上述防湿材料与上述闪烁器及上述有源矩阵基板之间粘接，上述有源矩阵基板具备：第1平坦化膜，其设置于上述像素区域和上述像素区域的外侧，包括感光性树脂膜；以及粘接剂填充部，其俯视时在设置有上述闪烁器的闪烁器区域的边界与上述粘接层之间从上述有源矩阵基板的表面向上述第1平坦化膜贯通，填充有与上述粘接层相同的材料。(第1构成)。
根据第1构成，在摄像面板中，设置于有源矩阵基板上的闪烁器隔着粘接层被防湿材料覆盖。有源矩阵基板在像素区域和像素区域的外侧具备包括感光性树脂膜的第1平坦化膜。第1平坦化膜在高温高湿下与粘接层相比吸湿性较高，有时水分经由第1平坦化膜进入有源矩阵基板。但是，在本构成中，俯视时在闪烁器区域的边界与粘接层之间设置有从有源矩阵基板的表面向第1平坦化膜贯通的粘接剂填充部。粘接剂填充部包括与粘接层相同的材料，与第1平坦化膜相比防湿效果较高。因此，即使水分从第1平坦化膜的侧端部侧进入，水分也不易向闪烁器区域侧浸透。因此，水分不易从有源矩阵基板向闪烁器侵入，能够得到希望的检测精度。
在第1构成中可以是，上述有源矩阵基板还具备第1无机膜，上述第1无机膜在上述像素区域和上述像素区域的外侧设置于与上述闪烁器相反的一侧的上述第1平坦化膜的面，上述第1无机膜从上述像素区域连续设置到设置有上述粘接剂填充部的位置为止(第2构成)。
根据第2构成，在第1平坦化膜中在与闪烁器相反的一侧的面上设置有第1无机膜，第1无机膜从像素区域连续到设置有粘接剂填充部的位置为止。即，在第1无机膜中没有形成开口。第1无机膜与第1平坦化膜相比，防湿性较高，因此，水分不易从第1平坦化膜的与闪烁器相反的一侧的面进入第1平坦化膜，能够进一步抑制水分向闪烁器侵入。
在第2构成中可以是，上述有源矩阵基板还具备第2平坦化膜，上述第2平坦化膜设置于上述第1无机膜的与上述第1平坦化膜相反的一侧的面，包括感光性树脂膜，上述第1无机膜具有贯通上述第2平坦化膜的凹部，上述粘接剂填充部贯通上述第1平坦化膜，连续设置到上述凹部为止(第3构成)。
根据第3构成，在第1无机膜的与第1平坦化膜相反的一侧的面上设置有第2平坦化膜。第1无机膜具有贯通第2平坦化膜的凹部，粘接剂填充部贯通第1无机膜，到达第1无机膜的凹部。即，粘接剂填充部从第1平坦化膜连续设置到第2平坦化膜的层为止，在第2平坦化膜的层中被第1无机膜覆盖。因此，即使水分从第2平坦化膜的侧端部进入，水分也不易经过粘接剂填充部向闪烁器区域侧浸透，能够进一步提高抑制水分向闪烁器侵入的效果。
在第2构成中可以是，上述有源矩阵基板还具备第2平坦化膜，上述第2平坦化膜设置于上述第1无机膜的与上述第1平坦化膜相反的一侧的面，包括感光性树脂膜，上述第1无机膜具有贯通上述第2平坦化膜的凹部，上述第1平坦化膜覆盖上述第1无机膜的凹部的内壁中的、至少设置于上述闪烁器区域侧的内壁，上述粘接剂填充部贯通上述第1平坦化膜，连续设置到上述第1无机膜的凹部为止(第4构成)。
根据第4构成，在第1无机膜的与第1平坦化膜相反的一侧的面上设置有第2平坦化膜。第1无机膜具有贯通第2平坦化膜的凹部，第1平坦化膜至少覆盖第1无机膜的凹部的闪烁器区域侧的内壁。粘接剂填充部贯通第1平坦化膜，到达第1无机膜的凹部。即，粘接剂填充部从第1平坦化膜连续设置到设置有第2平坦化膜的层为止，在第2平坦化膜的层中，其闪烁器区域侧的侧面被第1平坦化膜和第1无机膜覆盖。因此，即使水分从第2平坦化膜的侧端部进入，水分也不易经过粘接剂填充部向闪烁器区域浸透，能够进一步提高抑制水分向闪烁器侵入的效果。
在第2构成中可以是，上述有源矩阵基板还具备：第2平坦化膜，其设置于上述第1无机膜的与上述第1平坦化膜相反的一侧的面，包括感光性树脂膜；以及第2无机膜，其设置于上述第1平坦化膜的上述闪烁器侧的面，上述第1无机膜具有贯通上述第2平坦化膜的第1凹部，上述第2无机膜具有贯通上述第1平坦化膜并覆盖上述第1凹部的内壁的第2凹部，上述粘接剂填充部设置于上述第2凹部(第5构成)。
根据第5构成，在第1无机膜的与第1平坦化膜相反的一侧的面上设置有第2平坦化膜，在第1平坦化膜的闪烁器侧的面上设置有第2无机膜。第1无机膜具有贯通第2平坦化膜的第1凹部，第2无机膜具有贯通第1平坦化膜并与第1凹部的内侧重叠的第2凹部，在第2凹部中设置粘接剂填充部。即，在第2平坦化膜的层中，粘接剂填充部的侧面被第2无机膜和第1无机膜覆盖。因而，即使水分从第2平坦化膜的侧端部进入，水分也不易经过粘接剂填充部向闪烁器区域侧浸透，能够进一步提高抑制水分向闪烁器侵入的效果。
在第2构成中可以是，上述有源矩阵基板还具备第2无机膜，上述第2无机膜设置于上述第1平坦化膜的上述闪烁器侧的面，上述第2无机膜具有贯通上述第1平坦化膜的凹部，上述粘接剂填充部设置于上述第2无机膜的凹部(第6构成)。
根据第6构成，在第2无机膜的凹部中粘接剂填充部的表面被第2无机膜覆盖，因此，即使水分从作为感光性树脂膜的第1平坦化膜的侧端部进入，水分也不易经过粘接剂填充部向闪烁器区域侧浸透。
在第6构成中可以是，上述有源矩阵基板还具备：第2平坦化膜，其相对于上述第1无机膜设置于与上述第1平坦化膜相反的一侧，包括感光性树脂膜；以及金属膜，其设置于上述第2平坦化膜与上述第1无机膜之间，上述金属膜与上述像素区域中的元件连接(第7构成)。
根据第7构成，设置于第2平坦化膜上的金属膜被第1无机膜、第2平坦化膜以及第1无机膜覆盖，因此，水分不易经由金属膜侵入像素区域。
在第2构成中可以是，上述有源矩阵基板还具备：第2平坦化膜，其设置于上述第1无机膜的与上述第1平坦化膜相反的一侧的面，包括感光性树脂膜；以及第2无机膜，其设置于上述第1平坦化膜的上述闪烁器侧的面，上述第1无机膜具有贯通上述第2平坦化膜的第1凹部，上述第1平坦化膜具有第2凹部，上述第2凹部覆盖上述第1凹部的内壁中的、至少设置于上述闪烁器区域侧以及与上述闪烁器区域侧相反的一侧的内壁，上述第2无机膜具有覆盖上述第2凹部的内壁的第3凹部，上述粘接剂填充部设置于上述第3凹部。(第8构成)。
根据第8构成，在第1无机膜中在与第1平坦化膜相反的一侧的面上设置有第2平坦化膜，在第1平坦化膜的闪烁器侧的面上设置有第2无机膜。第1无机膜具有到达第2平坦化膜的第1凹部，第1平坦化膜具有与第1凹部的内侧重叠的第2凹部，第2无机膜具有与第2凹部的内侧重叠的第3凹部。即，粘接剂填充部设置到第2无机膜、第1平坦化膜、第1无机膜以及第2平坦化膜的层为止，在第2平坦化膜的层中，粘接剂填充部的侧面被第2无机膜、第1平坦化膜以及第1无机膜覆盖。因此，即使水分从第2平坦化膜的侧端部进入，水分也不易经过粘接剂填充部向闪烁器区域侧浸透，能够进一步提高抑制水分向闪烁器侵入的效果。
在第5至第8构成中的任意一个构成中可以是，上述有源矩阵基板还具备第3平坦化膜，上述第3平坦化膜设置于上述第2无机膜与上述闪烁器之间，包括感光性树脂膜，上述第3平坦化膜至少在上述第2无机膜上设置于俯视时与上述闪烁器重叠的位置(第9构成)。
根据第9构成，在第2无机膜上，在俯视时与闪烁器重叠的位置设置第3平坦化膜，因此，相比于在与闪烁器重叠的位置设置无机膜的情况，能够促进闪烁器的晶体生长。
在第1至第9构成中的任意一个构成中可以是，上述粘接剂填充部沿着上述闪烁器区域的外周连续形成(第10构成)。
根据第10构成，以包围闪烁器区域的方式形成粘接剂填充部，因此即使水分从有源矩阵基板的端部进入，也能够抑制水分向闪烁器侵入。
在第1至第10构成中的任意一个构成中可以是，上述粘接剂填充部设置有多个，各粘接剂填充部在与上述闪烁器区域的外周的边正交的方向上分开设置(第11构成)。
根据第11构成，与沿着闪烁器区域的外周仅设置1个粘接剂填充部的情况相比，能够提高抑制水分向闪烁器侵入的效果。
以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。针对图中相同或者相当的部分附上同一附图标记，不重复其说明。
[第1实施方式]
(构成)
图1是表示应用了本实施方式的摄像面板的X射线摄像装置的示意图。X射线摄像装置100具备摄像面板1和控制部2，摄像面板1具备有源矩阵基板1a和闪烁器1b。
控制部2包括栅极控制部2A和信号读出部2B。从X射线源3对被摄体S照射X射线。透射过被摄体S的X射线在配置于有源矩阵基板1a的上部的闪烁器1b中被转换为荧光(以下称为闪烁光)。X射线摄像装置100通过摄像面板1和控制部2拍摄闪烁光，从而取得X射线图像。
图2是表示有源矩阵基板1a的概略构成的示意图。如图2所示，在有源矩阵基板1a中形成有多个源极配线10、以及与多个源极配线10交叉的多个栅极配线11。栅极配线11与栅极控制部2A连接，源极配线10与信号读出部2B连接。
有源矩阵基板1a在源极配线10与栅极配线11交叉的位置具有与源极配线10和栅极配线11连接的TFT13。另外，在被源极配线10和栅极配线11包围的区域(以下称为像素)中设置有光电二极管12。在像素中，将透射过被摄体S的X射线转换而成的闪烁光由光电二极管12转换为与其光量相应的电荷。
有源矩阵基板1a的各栅极配线11通过栅极控制部2A依次切换为选择状态，与选择状态的栅极配线11连接的TFT13成为导通状态。当TFT13成为导通状态时，与通过光电二极管12转换后的电荷相应的信号经由源极配线10输出到信号读出部2B。
图3是将图2所示的有源矩阵基板1a的一部分像素放大后的俯视图。
如图3所示，在被栅极配线11和源极配线10包围的像素P1中具有光电二极管12和TFT13。
光电二极管12具有一对电极和设置在一对电极之间的光电转换层。TFT13具有：栅极电极13a，其与栅极配线11一体化；半导体活性层13b；源极电极13c，其与源极配线10一体化；以及漏极电极13d。光电二极管12中的一个电极经由接触孔CH1与漏极电极13d连接。
此外，栅极电极13a和源极电极13c也可以不是与栅极配线11或源极配线10分别一体化的。也可以将栅极电极13a和栅极配线11设置于相互不同的层，栅极配线11与栅极电极13a经由接触孔连接。另外，也可以将源极电极13c和源极配线10设置于相互不同的层，源极配线10与源极电极13c经由接触孔连接。通过这样构成，能够将栅极配线11和源极配线10低电阻化。
另外，以与光电二极管12在像素内重叠的方式配置偏置配线16，偏置配线16经由接触孔CH2与光电二极管12连接。偏置配线16对光电二极管12供应偏置电压。
在此，说明像素P1的A-A线的截面结构。图4A是图3的像素P1的A-A线的截面图。如图4A所示，在基板101上形成有栅极电极13a和栅极绝缘膜102，栅极电极13a与栅极配线11(参照图3)一体化。基板101是具有绝缘性的基板，例如包括玻璃基板等。
栅极电极13a和栅极配线11在该例中可以是从下层开始按顺序层叠有钨(W)、钽(Ta)的金属膜，并且膜厚构成为100nm以上、1000nm以下的程度。此外，栅极电极13a和栅极配线11不限于两层结构，也可以由单层或两层以上的多层构成，材料和膜厚不限于此。
栅极绝缘膜102覆盖栅极电极13a。栅极绝缘膜102在该例中具有层叠了两层无机绝缘膜的层叠结构。两层无机绝缘膜可以是从下层开始按顺序由包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)的无机绝缘膜构成。优选栅极绝缘膜102的膜厚是100nm以上、1000nm以下的程度。此外，栅极绝缘膜102不限于两层结构，也可以由单层或两层以上的多层构成。另外，栅极绝缘膜102的材料和膜厚不限于上述内容。
半导体活性层13b以及与半导体活性层13b连接的源极电极13c及漏极电极13d隔着栅极绝缘膜102设置于栅极电极13a上。
半导体活性层13b形成为与栅极绝缘膜102接触。半导体活性层13b包括氧化物半导体。氧化物半导体可以使用例如按规定的比率含有铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的非晶氧化物半导体等。在该情况下，优选半导体活性层13b的膜厚例如是100nm程度。不过，半导体活性层13b的材料和膜厚不限于上述内容。
源极电极13c和漏极电极13d配置成在栅极绝缘膜102之上与半导体活性层13b的一部分接触。在该例中，源极电极13c与源极配线10(参照图3)一体地形成。源极电极13c和漏极电极13d具有层叠有3个金属膜的层叠结构。三层金属膜可以是从下层开始按顺序由包括钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)的金属膜构成。在该情况下，优选源极电极13c和漏极电极13d的膜厚例如是100nm以上、1000nm以下的程度。此外，源极电极13c和漏极电极13d不限于三层结构，也可以由单层或两层以上的多层构成。另外，源极电极13c和漏极电极13d的材料和膜厚不限于上述内容。
在栅极绝缘膜102之上，以与源极电极13c和漏极电极13d重叠的方式设置有第1绝缘膜103。第1绝缘膜103在漏极电极13d之上具有接触孔CH1。在该例中，第1绝缘膜103具有层叠有两个无机绝缘膜的层叠结构。两层无机绝缘膜可以是从下层开始按顺序由包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)的无机绝缘膜构成。在该情况下，优选第1绝缘膜103的膜厚是100nm以上、1000nm以下的程度。此外，第1绝缘膜103不限于两层结构，也可以由单层或两层以上的多层构成。此外，在用单层构成第1绝缘膜103的情况下，仅包括氧化硅(SiO2)。另外，第1绝缘膜103的材料和膜厚不限于上述内容。
在第1绝缘膜103之上设置有光电二极管12的一个电极(以下称为下部电极)14a和第2绝缘膜105。下部电极14a经由接触孔CH1与漏极电极13d连接。
下部电极14a在该例中具有层叠了3个金属膜的层叠结构。三层金属膜例如可以是从下层开始按顺序由包括钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)的金属膜构成。在该情况下，优选下部电极14a的膜厚是100nm以上、1000nm以下的程度。此外，下部电极14a不限于三层结构，也可以由单层或两层以上的多层构成。另外，下部电极14a的材料和膜厚不限于上述内容。
在下部电极14a的上部设置有光电转换层15，下部电极14a与光电转换层15连接。
光电转换层15是按顺序层叠n型非晶质半导体层151、本征非晶质半导体层152以及p型非晶质半导体层153而构成的。
n型非晶质半导体层151包括掺杂了n型杂质(例如磷)的非晶硅。
本征非晶质半导体层152包括本征的非晶硅。本征非晶质半导体层152以与n型非晶质半导体层151接触的方式形成。
p型非晶质半导体层153包括掺杂了p型杂质(例如硼)的非晶硅。p型非晶质半导体层153以与本征非晶质半导体层152接触的方式形成。
在该例中，优选n型非晶质半导体层151、本征非晶质半导体层152以及p型非晶质半导体层153的膜厚分别例如是1nm以上、100nm以下的程度；500nm以上、2000nm以下的程度；1nm以上、100nm以下的程度。此外，n型非晶质半导体层151、本征非晶质半导体层152以及p型非晶质半导体层153的掺杂剂和膜厚不限于上述内容。
在p型非晶质半导体层153之上设置有光电二极管12的另一个电极(以下称为上部电极)14b。上部电极14b例如由包括ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)的透明导电膜构成。在该情况下，优选上部电极14b的膜厚例如是10nm以上、100nm以下的程度。不过，上部电极14b的材料和膜厚不限于此。
在第1绝缘膜103、下部电极14a以及上部电极14b上设置有第2绝缘膜105，在第2绝缘膜105上设置有第3绝缘膜106。在上部电极14b上形成有将第2绝缘膜105和第3绝缘膜106贯通的接触孔CH2。
在该例中，第2绝缘膜105由包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)的无机绝缘膜构成。在该情况下，优选第2绝缘膜105的膜厚例如是100nm以上、1000nm以下的程度。不过，第2绝缘膜105的材料和膜厚不限于上述内容。另外，第3绝缘膜106是包括感光性丙烯酸树脂的平坦化膜，优选膜厚例如是1.0μm以上、3.0μm以下的程度。不过，第3绝缘膜106的材料和膜厚不限于上述内容。
在第3绝缘膜106之上设置有偏置配线16，在接触孔CH2中，偏置配线16与上部电极14b连接。偏置配线16连接到控制部2(参照图1)。偏置配线16将从控制部2输入的偏置电压施加到上部电极14b。
在该例中，偏置配线16具有在下层层叠了金属层并在上层层叠了透明导电层的层叠结构。可以是，金属层例如由层叠了钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)的层叠膜构成，透明导电层例如由ITO构成。优选偏置配线16的膜厚是100nm以上、1000nm以下的程度。此外，偏置配线16也可以由单层或两层以上的多层构成。另外，偏置配线16的材料和膜厚不限于上述内容。
在第3绝缘膜106上设置有覆盖偏置配线16的第4绝缘膜107。在该例中，第4绝缘膜107例如可以由包括氮化硅(SiNx)的无机绝缘膜构成，优选膜厚例如是100nm以上、1000nm以下的程度。此外，第4绝缘膜107既可以是包括1个无机绝缘膜的单层结构，也可以是层叠了多个无机绝缘膜的层叠结构。另外，第4绝缘膜107的材料和膜厚不限于上述内容。
以覆盖第4绝缘膜107的方式设置有第5绝缘膜108。第5绝缘膜108是包括感光性树脂膜的平坦化膜，优选膜厚例如是1.0μm以上、10.0μm的程度。不过，第5绝缘膜108的材料和膜厚不限于上述内容。
一个像素P1在有源矩阵基板1a中的截面结构是如上所示的结构。此外，在摄像面板1中，在有源矩阵基板1a之上设置有闪烁器1b。图4B是表示摄像面板1的像素区域的截面结构的截面图。如图4B所示，在有源矩阵基板1a的上部，以覆盖第5绝缘膜108的方式设置有闪烁器1b，以覆盖闪烁器1b的方式设置有隔着粘接层211与闪烁器1b粘接的防湿材料212。粘接层211例如包括光固化树脂、热固化树脂、或热熔树脂等，具有防湿效果。防湿材料212包括例如具有防湿性的有机膜。
下面，针对摄像面板1的比整个像素区域靠外侧、即摄像面板1的端部区域的结构进行说明。图5A是摄像面板1的概略俯视图，图5B是图5A所示的B-B线的截面图，是将有源矩阵基板1a的一边的端部区域P2的一部分放大后的截面图。
在图5A、图5B中，对与图4B相同的构成附上与图4B相同的附图标记。以下，具体地说明端部区域P2的结构。此外，在图5B中，为了方便，示出了有源矩阵基板1a的一边的端部区域的截面，但其它边的端部区域也与图5B同样地构成。
如图5B所示，在端部区域P2中，在基板101上设置有栅极层130，栅极层130设置于与栅极电极13a相同的层，并包括与栅极电极13a相同的材料，在栅极层130上设置有栅极绝缘膜102。另外，在栅极绝缘膜102上设置有源极层131，上述源极层131设置于与源极电极13c和漏极电极13d相同的层，并包括与源极电极13c和漏极电极13d相同的材料。此外，栅极层130经由接触孔(省略图示)与设置于有源矩阵基板1a的像素区域的外侧的栅极端子(省略图示)连接，源极层131经由接触孔(省略图示)与设置于有源矩阵基板1a的像素区域的外侧的源极端子(省略图示)连接。
在源极层131上设置有第1绝缘膜103，在第1绝缘膜103上设置有第2绝缘膜105，在第2绝缘膜105上设置有第3绝缘膜106。在第3绝缘膜106上设置有偏置配线层160，偏置配线层160设置于与偏置配线16相同的层，并包括与偏置配线16相同的材料。
此外，栅极层130、源极层131、偏置配线层160各自也可以从像素区域延伸设置到端部区域为止。另外，也可以在像素区域的外侧，将设置于与栅极配线11、源极配线10、偏置配线16各自不同的层的金属膜和这些配线经由接触孔连接。
在偏置配线层160上设置有第4绝缘膜107，在第4绝缘膜107上设置有在第4绝缘膜107上分开形成的第5绝缘膜108。
在第5绝缘膜108上设置有闪烁器1b，在闪烁器1b之上设置有经由粘接层211与闪烁器1b粘接的防湿材料212。
在通过第5绝缘膜108的分开而形成的开口108a中填充有粘接层211的材料，形成有粘接剂填充部2110。
如图5A所示，粘接剂填充部2110沿着设置有闪烁器1b的闪烁器区域的边界与粘接层211之间的、闪烁器区域的外周形成。第5绝缘膜108包括感光性树脂膜，因此，在高温高湿下易于吸收水分，但通过防湿效果高的粘接剂填充部2110，能够阻挡水分从第5绝缘膜108的端部侵入，能够使水分不易进入闪烁器区域。
优选粘接剂填充部2110的底部的X轴方向的长度具有相对于第5绝缘膜108的高度(Z轴方向)为3～10倍的大小。另外，优选第5绝缘膜108的开口108a的宽度(X轴方向的长度)是，第4绝缘膜107侧的宽度比闪烁器1b侧的宽度大。通过这样构成，粘接剂填充部2110与第4绝缘膜107之间的接触面积变大，能够提高粘接性。
此外，本实施方式的端部区域P2的各层所使用的材料与设置于像素P1的各层的材料相同，能够与像素P1同时制作。因而，能够不增加工时地形成粘接剂填充部2110。
(X射线摄像装置100的动作)
在此，预先说明图1所示的X射线摄像装置100的动作。首先，从X射线源3照射X射线。此时，控制部2对偏置配线16(参照图3等)施加规定的电压(偏置电压)。从X射线源3照射的X射线透射过被摄体S并向闪烁器1b入射。入射到闪烁器1b的X射线被转换为荧光(闪烁光)，闪烁光向有源矩阵基板1a入射。当闪烁光入射到在有源矩阵基板1a的各像素中设置的光电二极管12时，通过光电二极管12变化为与闪烁光的光量相应的电荷。与由光电二极管12转换后的电荷相应的信号在TFT13(参照图3等)根据从栅极控制部2A经由栅极配线11输出的栅极电压(正的电压)而成为了导通(ON)状态时，通过源极配线10被信号读出部2B(参照图2等)读出。然后，在控制部2中生成与所读出的信号相应的X射线图像。
(应用例)
在第1实施方式中说明了在摄像面板1上形成有1个粘接剂填充部的例子，但也可以形成有多个粘接剂填充部。
图6A是本应用例的摄像面板的俯视图，图6B是图6A的B-B线的截面图、即摄像面板的端部区域P2的截面图。如图6A、图6B所示，在本应用例中，在摄像面板1中，在闪烁器区域的边界与粘接层211之间具有粘接剂填充部2110a、2110b，粘接剂填充部2110a、2110b具有与第1实施方式的粘接剂填充部2110相同的结构。如图6A所示，粘接剂填充部2110a、2110b沿着闪烁器区域的外周设置。
这样，在闪烁器区域的边界与粘接层211之间，在第5绝缘膜108上设置两个粘接剂填充部，由此与设置1个粘接剂填充部的情况相比，能够进一步抑制水分从第5绝缘膜108的端部向闪烁器1b侵入。
[第2实施方式]
在本实施方式中，说明与第1实施方式不同的粘接剂填充部的结构。图7是本实施方式的摄像面板的端部区域P2的截面图。在图7中，针对与第1实施方式相同的构成附上与第1实施方式相同的附图标记。以下，主要说明与第1实施方式不同的构成。
如图7所示，与第1实施方式的不同之处在于，摄像面板1-1在有源矩阵基板1a中不具备偏置配线层160。
而且，在本实施方式的第3绝缘膜106中，在俯视时与第5绝缘膜108的开口108a重叠的位置形成有与第5绝缘膜108的开口108a相比开口宽度较小的开口106a，沿着第3绝缘膜106的开口106a的内壁形成有第4绝缘膜107。即，第4绝缘膜107具有贯通第3绝缘膜106的第4绝缘膜107的凹陷(凹部)，第4绝缘膜107的凹陷与第5绝缘膜108的开口108a相连。在第5绝缘膜108的开口108a和第4绝缘膜107的凹陷中填充有粘接层211的材料，形成有粘接剂填充部2111。
与第5绝缘膜108同样，包括感光性树脂膜的第3绝缘膜106易于吸收水分。在本实施方式中，在闪烁器区域的边界与粘接层211之间，在第5绝缘膜108、第4绝缘膜107以及第3绝缘膜106中设置粘接剂填充部2111，在第3绝缘膜106的层中，粘接剂填充部2111的表面被作为无机绝缘膜的第4绝缘膜107覆盖。因此，即使水分从第3绝缘膜106的端部进入，水分也不易向闪烁器1b侧浸透，能够进一步提高抑制水分向闪烁器1b侵入的效果。
(应用例1)
在上述的第2实施方式中，在摄像面板1-1上形成有1个粘接剂填充部2111，但也可以与上述的图6A同样，在闪烁器区域的边界与粘接层211之间形成有多个粘接剂填充部2111。图8A是本应用例的摄像面板的端部区域P2的截面图。
如图8A所示，在本应用例1的摄像面板1-2的有源矩阵基板1a上，分开形成有与第2实施方式的粘接剂填充部2111相同的粘接剂填充部2111a、2111b。
通过这样具有多个粘接剂填充部2111a、2111b，与第2实施方式的构成相比，能够进一步提高抑制水分从第5绝缘膜108和第3绝缘膜106的端部向闪烁器1b侵入的效果。
(应用例2)
图8B是本应用例的摄像面板1-3的端部区域P2的截面图。在图8B中，针对与第2实施方式相同的构成附上与第2实施方式相同的附图标记。以下，说明与第2实施方式不同的构成。
如图8B所示，在本应用例中，沿着第3绝缘膜106的开口106a的内壁形成有第4绝缘膜107，形成有第4绝缘膜107的凹陷。第5绝缘膜108以覆盖第4绝缘膜107的凹陷的除了底部以外的内壁的方式设置于第4绝缘膜107上，在第4绝缘膜107的凹陷的内侧具有开口108a。在第5绝缘膜108的开口108a中填充有粘接层211的粘接剂，形成有粘接剂填充部2112。即，粘接剂填充部2112贯通第5绝缘膜108，到达第4绝缘膜107的凹陷的底部为止。
由此，第4绝缘膜107中的粘接剂填充部2112的表面被第5绝缘膜108和第4绝缘膜107覆盖，第3绝缘膜106中的粘接剂填充部2112的侧面被第5绝缘膜108和第4绝缘膜107覆盖，粘接剂填充部2112的底部被第4绝缘膜107覆盖。
在该例中，第5绝缘膜108的开口108a贯通到第4绝缘膜107的凹陷的底部为止，但也可以是以第5绝缘膜108残留于第4绝缘膜107的凹陷的方式形成第5绝缘膜108的开口。在该情况下，粘接剂填充部2112的底部被第5绝缘膜108和第4绝缘膜107覆盖。
在本应用例中，在第3绝缘膜106的层中，粘接剂填充部2112的侧面被第5绝缘膜108和第4绝缘膜107这两层覆盖。因此，与第2实施方式相比，即使水分从第3绝缘膜106的端部进入，水分也不易渗透到第3绝缘膜106，能够抑制水分向闪烁器1b侵入。
此外，虽然在此省略图示，但是也可以与图6A同样，在闪烁器区域的边界与粘接层211之间，分开配置有多个粘接剂填充部2112。通过这样构成，能够进一步抑制水分向闪烁器1b侵入。
(应用例2-1)
在上述应用例2中，说明了在第4绝缘膜107和第3绝缘膜106的粘接剂填充部2112中，闪烁器1b侧的侧面、以及与其相对的侧面即有源矩阵基板1a的端部侧的侧面被第5绝缘膜108覆盖的例子，但是也可以是仅单侧的侧面被第5绝缘膜108覆盖。
图8C是表示本应用例的粘接剂填充部的结构的摄像面板的截面图。在8C中，与上述第2实施方式的应用例2相同的构成附有与上述第2实施方式的应用例2相同的附图标记。
如图8C所示，在摄像面板1-3中，第4绝缘膜107和第3绝缘膜106中的粘接剂填充部2113的闪烁器1b侧的侧面被第5绝缘膜108覆盖。另一方面，第4绝缘膜107和第3绝缘膜106中的粘接剂填充部2113的有源矩阵基板1a的端部侧的侧面未被第5绝缘膜108覆盖。
这样，至少第3绝缘膜106中的粘接剂填充部2113的闪烁器1b侧的侧面被第5绝缘膜108和第4绝缘膜107这两层覆盖。因此，即使水分从第3绝缘膜106的端部进入，水分也不易浸透到第3绝缘膜106的闪烁器1b侧，能够抑制水分向闪烁器1b侵入。
此外，虽然在此省略图示，但是也可以与图6A同样，在闪烁器区域的边界与粘接层211之间分开配置有多个粘接剂填充部2113。通过这样构成，能够进一步抑制水分向闪烁器1b侵入。
[第3实施方式]
图9是表示本实施方式的摄像面板的构成的截面图。在图9中，针对与第1实施方式相同的构成附上与第1实施方式相同的附图标记。以下，主要说明与第1实施方式不同的构成。
如图9所示，本实施方式的摄像面板1-4具备有源矩阵基板1a_1来代替有源矩阵基板1a。
有源矩阵基板1a_1在端部区域P2内并在第4绝缘膜107与第3绝缘膜106之间具备与偏置配线16电连接的偏置配线层160作为金属膜。在该图中虽然省略图示，但是在有源矩阵基板1a_1的端部区域P2中设置有对偏置配线16供应偏置电压的端子，该端子与偏置配线层160连接。偏置配线层160既可以是偏置配线16从像素区域P1延长到端部区域P2而形成的，也可以是设置于与像素区域P1的偏置配线16不同的层，经由接触孔(省略图示)与偏置配线16连接。
另外，有源矩阵基板1a_1在端部区域P2中在第5绝缘膜108上具备第6绝缘膜109。第6绝缘膜109可以使用包括氮化硅(SiN)或氧化硅(SiO2)的无机绝缘膜，优选其膜厚是50nm以上、1000nm以下的程度。此外，第6绝缘膜109既可以是包括1个无机绝缘膜的单层结构，也可以是层叠了多个无机绝缘膜的层叠结构。
第6绝缘膜109沿着第5绝缘膜108的开口108a的内壁形成，并形成有第5绝缘膜108的凹陷。在第6绝缘膜109的凹陷中填充有粘接层211的粘接剂，形成有粘接剂填充部2114。
即，粘接剂填充部2114形成于贯通第5绝缘膜108的第6绝缘膜109的凹陷，在第5绝缘膜108的层中，粘接剂填充部2114的表面被第6绝缘膜109覆盖。因此，即使水分从作为感光性树脂膜的第5绝缘膜108的端部进入，在第5绝缘膜108中，水分也不易渗透到闪烁器1b侧。另外，作为无机绝缘膜的第6绝缘膜109与作为感光性树脂膜的第5绝缘膜108相比，防湿性较高，因此，通过在第5绝缘膜108与闪烁器1b之间设置第6绝缘膜109，能够进一步提高抑制水分从第5绝缘膜108向闪烁器1b侵入的效果。
另外，在形成偏置配线层160时，有时会在偏置配线层160的表面产生凹凸，有时无法将偏置配线层160完全用作为无机绝缘膜的第4绝缘膜107覆盖。当水分进入了偏置配线层160与第4绝缘膜107之间时，若偏置配线层160中存在损伤，则水分易于从偏置配线层160向光电二极管12侵入而流过漏电电流。在上述实施方式中，在第5绝缘膜108上设置有作为无机绝缘膜的第6绝缘膜109。因此，与没有设置第6绝缘膜109的情况相比，偏置配线层160的被覆性提高，水分不易经由偏置配线层160向光电二极管12侵入，能够抑制漏电电流。
此外，优选粘接剂填充部2114的底部的X轴方向的长度具有相对于第5绝缘膜108的高度(Z轴方向)为3～10倍的大小。另外，优选第5绝缘膜108的开口108a的宽度(X轴方向的长度)是，第4绝缘膜107侧的宽度比闪烁器1b侧的宽度大。通过这样构成，粘接剂填充部2114与第6绝缘膜109之间的接触面积变大，能够提高粘接性。
(应用例1)
在上述的第3实施方式中，在摄像面板1-4上形成有1个粘接剂填充部2114，但也可以与上述的图6A同样，在闪烁器区域的边界与粘接层211之间形成有多个粘接剂填充部2114。
图10是本应用例的摄像面板的端部区域P2的截面图。如图10所示，在本应用例1的摄像面板1-4的有源矩阵基板1a_1上，分开形成有与第3实施方式的粘接剂填充部2114相同的结构的粘接剂填充部2114a、2114b。
通过这样在摄像面板1-4上具有多个粘接剂填充部2114a、2114b，与第3实施方式的构成相比，能够进一步提高抑制水分从第5绝缘膜108的端部向闪烁器1b侵入的效果。
(应用例2)
图11A是表示本应用例的粘接剂填充部的结构的摄像面板的截面图。此外，在图11A中针对与第3实施方式相同的构成附上相同的附图标记。以下，主要说明与第3实施方式不同的构成。
如图11A所示，在本应用例的摄像面板1-5中，粘接剂填充部2115连续设置于第6绝缘膜109、第5绝缘膜108、第4绝缘膜107以及第3绝缘膜106的各层。
具体地，在有源矩阵基板1a_1中，沿着第3绝缘膜106的开口106a的内壁形成有第4绝缘膜107的凹陷。第5绝缘膜108的开口108a的开口宽度大于第4绝缘膜107的凹陷的宽度。沿着第4绝缘膜107的凹陷和第5绝缘膜108的开口108a的内壁形成有第6绝缘膜109的凹陷。即，第6绝缘膜109的凹陷与第4绝缘膜107的凹陷重叠，在第6绝缘膜109的凹陷处形成有粘接剂填充部2115。
这样，本应用例的粘接剂填充部2115连续设置于从第6绝缘膜109到第3绝缘膜106的各层，在第3绝缘膜106的层中，粘接剂填充部2115的表面被第6绝缘膜109和第4绝缘膜107这两层无机绝缘膜覆盖。因此，即使水分从第3绝缘膜106的端部进入，水分也不易向闪烁器1b侧浸透，抑制水分向闪烁器1b侵入的效果提高。
(应用例3)
在上述的第3实施方式的应用例2中，在摄像面板上形成有1个粘接剂填充部2115，但也可以与上述的图6A同样，在闪烁器区域的边界与粘接层211之间形成有多个粘接剂填充部2115。
图11B是本应用例的摄像面板的端部区域P2的截面图。在图11B中，针对与第3实施方式的应用例2相同的构成附上相同的附图标记。
如图11B所示，本应用例的摄像面板1-5是，在有源矩阵基板1a_1中分开设置有具有与上述应用例2的粘接剂填充部2115相同的结构的粘接剂填充部2115a、2115b。通过这样设置多个粘接剂填充部2115a、2115b，与上述应用例2的构成相比，能够进一步提高抑制水分从第5绝缘膜108和第3绝缘膜106的端部向闪烁器1b侵入的效果。
(应用例4)
图12是表示本应用例的粘接剂填充部的结构的摄像面板的截面图。如图12所示，在本应用例的摄像面板1-6的有源矩阵基板1a_1中，第5绝缘膜108将贯通第3绝缘膜106的第4绝缘膜107的凹陷的除了底部以外的内壁覆盖，在第4绝缘膜107的凹陷的内侧形成有第5绝缘膜108的开口108a。沿着第5绝缘膜108的开口108a的内壁形成有第6绝缘膜109的凹陷，在第6绝缘膜109的凹陷处形成有粘接剂填充部2116。
即，在第3绝缘膜106的层中，粘接剂填充部2116的侧面被第6绝缘膜109和第4绝缘膜107这两层无机绝缘膜和第5绝缘膜108覆盖。因此，与上述应用例2相比，即使水分从第3绝缘膜106的端部进入，水分也不易向闪烁器1b侧浸透，抑制水分向闪烁器1b侵入的效果进一步提高。
此外，虽然在此省略图示，但是也可以与图6A同样，在闪烁器区域的边界与粘接层211之间分开配置有多个粘接剂填充部2116。通过这样构成，能够进一步抑制水分向闪烁器1b侵入。
以上，说明了本发明的实施方式，但是上述的实施方式不过是用于实施本发明的例示。因而，本发明不限于上述的实施方式，能够在不脱离其宗旨的范围内将上述的实施方式适当地变形后实施。
(1)在上述的第3实施方式(图9～图12)中也可以是，在第6绝缘膜109上还设置以与第5绝缘膜108相同的感光性树脂为材料的有机膜(第3平坦化膜)，形成小于或者大于第6绝缘膜109的凹陷的有机膜的开口，在有机膜的开口填充粘接层211的粘接剂，从而形成粘接剂填充部。
在此，在图13A～13B中示出在图11A的摄像面板的结构中设有有机膜时的截面图。
图13A所示的摄像面板1-7的有源矩阵基板1a_2在第6绝缘膜109上具有有机膜110。有机膜110沿着第6绝缘膜109的凹陷的除了底部以外的侧面设置，在第6绝缘膜109的凹陷的内部分开。即，在第6绝缘膜109的凹陷中形成有有机膜110的开口。并且，在有机膜110的开口中填充有粘接层211的粘接剂，形成有粘接剂填充部2117。
另外，在图13B所示的摄像面板1-8的有源矩阵基板1a_2中，有机膜111a、111b设置于第6绝缘膜109的除了凹陷以外的第6绝缘膜109上。有机膜111a设置于第6绝缘膜109上的与闪烁器1b重叠的区域，有机膜111b设置于第6绝缘膜109上的与闪烁器1b不重叠的区域。即，有机膜111a、111b不设置于第6绝缘膜109的凹陷处，在第6绝缘膜109上，在有机膜111a与有机膜111b之间形成有开口。并且，在有机膜111a与有机膜111b之间的开口和第6绝缘膜109的凹陷处填充粘接层211的粘接剂，形成有粘接剂填充部2118。
此外，也可以在图13B的摄像面板1-8中不配置有机膜111b。即，如图13C所示，也可以仅在第6绝缘膜109上的与闪烁器1b重叠的区域中配置有机膜111a。在该情况下，在第6绝缘膜109的凹陷处形成填充有粘接层211的粘接剂的粘接剂填充部2119。
本变形例的粘接剂填充部2117～2119连续设置于有机膜、第6绝缘膜109、第5绝缘膜108、第4绝缘膜107以及第3绝缘膜106的各层。通过这样在第6绝缘膜109上的与闪烁器1b重叠的区域、即在闪烁器1b的底面上设置有机膜，能够促进闪烁器1b的晶体生长。
此外，虽然在此省略图示，但是也可以在图9、图10、图11B、图12的各摄像面板的结构中，在第6绝缘膜109上的与闪烁器1b重叠的区域、即在闪烁器1b的底面上设置上述的有机膜。
(2)上述的第1实施方式至第3实施方式的第5绝缘膜108和第3绝缘膜106也可以包括正型或负型的感光性树脂材料。

Claims (9)

1.一种摄像面板，其特征在于，具备：
有源矩阵基板，其具有包含多个像素的像素区域，在上述多个像素的每一个像素中具备光电转换元件；
闪烁器，其设置于上述有源矩阵基板的表面，将X射线转换为闪烁光；
防湿材料，其覆盖上述有源矩阵基板和上述闪烁器；以及
粘接层，其将上述防湿材料与上述闪烁器及上述有源矩阵基板之间粘接，
上述有源矩阵基板具备：
第1平坦化膜，其设置于上述像素区域和上述像素区域的外侧，包括感光性树脂膜；以及
粘接剂填充部，其俯视时在设置有上述闪烁器的闪烁器区域的边界与上述粘接层之间从上述有源矩阵基板的表面向上述第1平坦化膜贯通，填充有与上述粘接层相同的材料，
上述有源矩阵基板
还具备第1无机膜，上述第1无机膜在上述像素区域和上述像素区域的外侧设置于与上述闪烁器相反的一侧的上述第1平坦化膜的面，
上述第1无机膜从上述像素区域连续设置到设置有上述粘接剂填充部的位置为止，
上述有源矩阵基板
还具备第2平坦化膜，上述第2平坦化膜设置于上述第1无机膜的与上述第1平坦化膜相反的一侧的面，包括感光性树脂膜，
上述第1无机膜具有贯通上述第2平坦化膜的凹部，
上述粘接剂填充部贯通上述第1平坦化膜，连续设置到上述凹部为止。
2.根据权利要求1所述的摄像面板，
上述粘接剂填充部沿着上述闪烁器区域的外周连续形成。
3.根据权利要求1所述的摄像面板，
上述粘接剂填充部设置有多个，各粘接剂填充部在与上述闪烁器区域的外周的边正交的方向上分开设置。
4.一种摄像面板，其特征在于，具备：
有源矩阵基板，其具有包含多个像素的像素区域，在上述多个像素的每一个像素中具备光电转换元件；
闪烁器，其设置于上述有源矩阵基板的表面，将X射线转换为闪烁光；
防湿材料，其覆盖上述有源矩阵基板和上述闪烁器；以及
粘接层，其将上述防湿材料与上述闪烁器及上述有源矩阵基板之间粘接，
上述有源矩阵基板具备：
第1平坦化膜，其设置于上述像素区域和上述像素区域的外侧，包括感光性树脂膜；以及
粘接剂填充部，其俯视时在设置有上述闪烁器的闪烁器区域的边界与上述粘接层之间从上述有源矩阵基板的表面向上述第1平坦化膜贯通，填充有与上述粘接层相同的材料，
上述有源矩阵基板
还具备第1无机膜，上述第1无机膜在上述像素区域和上述像素区域的外侧设置于与上述闪烁器相反的一侧的上述第1平坦化膜的面，
上述第1无机膜从上述像素区域连续设置到设置有上述粘接剂填充部的位置为止，
上述有源矩阵基板还具备第2平坦化膜，上述第2平坦化膜设置于上述第1无机膜的与上述第1平坦化膜相反的一侧的面，包括感光性树脂膜，
上述第1无机膜具有贯通上述第2平坦化膜的凹部，
上述第1平坦化膜覆盖上述第1无机膜的凹部的内壁中的、至少设置于上述闪烁器区域侧的内壁，
上述粘接剂填充部贯通上述第1平坦化膜，连续设置到上述第1无机膜的凹部为止。
5.一种摄像面板，其特征在于，具备：
有源矩阵基板，其具有包含多个像素的像素区域，在上述多个像素的每一个像素中具备光电转换元件；
闪烁器，其设置于上述有源矩阵基板的表面，将X射线转换为闪烁光；
防湿材料，其覆盖上述有源矩阵基板和上述闪烁器；以及
粘接层，其将上述防湿材料与上述闪烁器及上述有源矩阵基板之间粘接，
上述有源矩阵基板具备：
第1平坦化膜，其设置于上述像素区域和上述像素区域的外侧，包括感光性树脂膜；以及
粘接剂填充部，其俯视时在设置有上述闪烁器的闪烁器区域的边界与上述粘接层之间从上述有源矩阵基板的表面向上述第1平坦化膜贯通，填充有与上述粘接层相同的材料，
上述有源矩阵基板
还具备第1无机膜，上述第1无机膜在上述像素区域和上述像素区域的外侧设置于与上述闪烁器相反的一侧的上述第1平坦化膜的面，
上述第1无机膜从上述像素区域连续设置到设置有上述粘接剂填充部的位置为止，
上述有源矩阵基板还具备：
第2平坦化膜，其设置于上述第1无机膜的与上述第1平坦化膜相反的一侧的面，包括感光性树脂膜；以及
第2无机膜，其设置于上述第1平坦化膜的上述闪烁器侧的面，
上述第1无机膜具有贯通上述第2平坦化膜的第1凹部，
上述第2无机膜具有贯通上述第1平坦化膜并覆盖上述第1凹部的内壁的第2凹部，
上述粘接剂填充部设置于上述第2凹部。
6.根据权利要求5所述的摄像面板，
上述有源矩阵基板还具备
第3平坦化膜，上述第3平坦化膜设置于上述第2无机膜与上述闪烁器之间，包括感光性树脂膜，
上述第3平坦化膜至少在上述第2无机膜上设置于俯视时与上述闪烁器重叠的位置。
7.一种摄像面板，其特征在于，具备：
有源矩阵基板，其具有包含多个像素的像素区域，在上述多个像素的每一个像素中具备光电转换元件；
闪烁器，其设置于上述有源矩阵基板的表面，将X射线转换为闪烁光；
防湿材料，其覆盖上述有源矩阵基板和上述闪烁器；以及
粘接层，其将上述防湿材料与上述闪烁器及上述有源矩阵基板之间粘接，
上述有源矩阵基板具备：
第1平坦化膜，其设置于上述像素区域和上述像素区域的外侧，包括感光性树脂膜；以及
粘接剂填充部，其俯视时在设置有上述闪烁器的闪烁器区域的边界与上述粘接层之间从上述有源矩阵基板的表面向上述第1平坦化膜贯通，填充有与上述粘接层相同的材料，
上述有源矩阵基板
还具备第1无机膜，上述第1无机膜在上述像素区域和上述像素区域的外侧设置于与上述闪烁器相反的一侧的上述第1平坦化膜的面，
上述第1无机膜从上述像素区域连续设置到设置有上述粘接剂填充部的位置为止，
上述有源矩阵基板
还具备第2无机膜，上述第2无机膜设置于上述第1平坦化膜的上述闪烁器侧的面，
上述第2无机膜具有贯通上述第1平坦化膜的凹部，
上述粘接剂填充部设置于上述第2无机膜的凹部。
8.根据权利要求7所述的摄像面板，
上述有源矩阵基板还具备：
第2平坦化膜，其相对于上述第1无机膜设置于与上述第1平坦化膜相反的一侧，包括感光性树脂膜；以及
金属膜，其设置于上述第2平坦化膜与上述第1无机膜之间，
上述金属膜与上述像素区域中的元件连接。
9.一种摄像面板，其特征在于，具备：
有源矩阵基板，其具有包含多个像素的像素区域，在上述多个像素的每一个像素中具备光电转换元件；
闪烁器，其设置于上述有源矩阵基板的表面，将X射线转换为闪烁光；
防湿材料，其覆盖上述有源矩阵基板和上述闪烁器；以及
粘接层，其将上述防湿材料与上述闪烁器及上述有源矩阵基板之间粘接，
上述有源矩阵基板具备：
第1平坦化膜，其设置于上述像素区域和上述像素区域的外侧，包括感光性树脂膜；以及
粘接剂填充部，其俯视时在设置有上述闪烁器的闪烁器区域的边界与上述粘接层之间从上述有源矩阵基板的表面向上述第1平坦化膜贯通，填充有与上述粘接层相同的材料，
上述有源矩阵基板
还具备第1无机膜，上述第1无机膜在上述像素区域和上述像素区域的外侧设置于与上述闪烁器相反的一侧的上述第1平坦化膜的面，
上述第1无机膜从上述像素区域连续设置到设置有上述粘接剂填充部的位置为止，
上述有源矩阵基板还具备：
第2平坦化膜，其设置于上述第1无机膜的与上述第1平坦化膜相反的一侧的面，包括感光性树脂膜；以及
第2无机膜，其设置于上述第1平坦化膜的上述闪烁器侧的面，
上述第1无机膜具有贯通上述第2平坦化膜的第1凹部，
上述第1平坦化膜具有第2凹部，上述第2凹部覆盖上述第1凹部的内壁中的、至少设置于上述闪烁器区域侧以及与上述闪烁器区域侧相反的一侧的内壁，
上述第2无机膜具有覆盖上述第2凹部的内壁的第3凹部，
上述粘接剂填充部设置于上述第3凹部。
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