CN110098209B - 有源矩阵基板及包括该基板的x射线摄像面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够抑制水分向用于X射线摄像装置的有源矩阵基板侵入的有源矩阵基板及包括该基板的X射线摄像面板。有源矩阵基板(1)在各像素(P1)中包括：光电转换元件(12)，其具有一对电极和设置于该一对电极之间的半导体层；第一平坦化膜(106)，其覆盖光电转换元件(12)，并由有机类树脂膜构成；以及第一无机绝缘膜(107)，其覆盖第一平坦化膜(106)。第一平坦化膜(106)和第一无机绝缘膜(107)设置至像素区域的外侧。在像素区域的外侧，为了不露出第一平坦化膜(106)，第一平坦化膜(106)被第一无机绝缘膜(107)覆盖。

Description

有源矩阵基板及包括该基板的X射线摄像面板
技术领域
本发明涉及一种有源矩阵基板及包括该基板的X射线摄像面板。
背景技术
一直以来，有源矩阵基板用于X射线摄像装置，在该有源矩阵基板中，每个像素均包括与开关元件连接的光电转换元件。在下述专利文献1中，公开了抑制水分向这样的X射线摄像装置侵入的技术。该专利文献1的X射线摄像装置抑制经由粘接剂的水分的侵入，其中粘接剂对保护设置于光电转换基板的荧光体层的保护膜和光电转换基板进行粘接。具体而言，在粘接有覆盖荧光体层的端部的保护膜的光电转换基板上形成槽部。通过在槽部中积存粘接剂，保护膜与光电转换基板的粘接部分中难以形成由粘接剂引起的液体积存，从而抑制经由粘接剂的水分的侵入。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第6074111号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在上述专利文献1的X射线摄像装置中，在某种程度上抑制了来自粘接剂的水分的侵入。然而，由设置于光电转换基板的感光性有机材料构成的平坦化膜的端部露出在外部空气中。平坦化膜的温度越高，吸湿性越好。因此，当外部空气的温度上升而成为高湿状态时，水分有可能从露出于外部空气的平坦化膜的端部侵入。当水分经由平坦化膜侵入到像素中时，设置于像素的光电转换元件、开关元件的漏电流易于流通，从而光的检测精度降低。
本发明提供一种能够抑制水分向用于X射线摄像装置的有源矩阵基板侵入的技术。
解决问题的手段
解决上述问题的本发明的有源矩阵基板具有包含多个像素的像素区域，所述多个像素分别包括：光电转换元件，其具有一对电极和设置于该一对电极之间的半导体层；第一平坦化膜，其覆盖所述光电转换元件，并由有机类树脂膜构成；以及第一无机绝缘膜，其覆盖所述第一平坦化膜，所述第一平坦化膜和所述第一无机绝缘膜设置至所述像素区域的外侧，在所述像素区域的外侧，为了不露出所述第一平坦化膜，所述第一平坦化膜被所述第一无机绝缘膜覆盖。
发明效果
根据本发明，能够抑制水分向用于X射线摄像装置的有源矩阵基板侵入。
附图说明
图1是表示第一实施方式中的X射线摄像装置的示意图。
图2是表示图1所示的有源矩阵基板的概略结构的示意图。
图3是将设置有图2所示的有源矩阵基板的像素的像素部的一部分放大的俯视图。
图4是图3的像素部中的A-A线的剖视图。
图5是将图1所示的有源矩阵基板中的像素和端部区域的一部分区域放大的剖视图。
图6是将第二实施方式中的有源矩阵基板的像素和端部区域的一部分区域放大的剖视图。
图7是将第二实施方式的变形例中的有源矩阵基板的像素和端部区域的一部分区域放大的剖视图。
图8是将第三实施方式中的有源矩阵基板的像素和端部区域的一部分区域放大的剖视图。
图9是在第一实施方式中的有源矩阵基板上粘接有闪烁体的状态下的像素和端部区域的剖视图。
具体实施方式
本发明的一个实施方式的有源矩阵基板具有包含多个像素的像素区域，所述多个像素分别包括：光电转换元件，其具有一对电极和设置于该一对电极之间的半导体层；第一平坦化膜，其覆盖所述光电转换元件，并由有机类树脂膜构成；以及第一无机绝缘膜，其覆盖所述第一平坦化膜，所述第一平坦化膜和所述第一无机绝缘膜设置至所述像素区域的外侧，在所述像素区域的外侧，为了不露出所述第一平坦化膜，所述第一平坦化膜被所述第一无机绝缘膜覆盖(第一结构)。
根据第一结构，在各像素上设置有覆盖光电转换元件的第一平坦化膜和覆盖第一平坦化膜的第一无机绝缘膜，第一平坦化膜和第一无机绝缘膜设置至像素区域的外侧。在像素区域的外侧，为了不露出第一平坦化膜而被第一无机绝缘膜覆盖，因此，第一平坦化膜不会露出在外部空气中。由有机类树脂膜构成的第一平坦化膜不会露出在外部空气中，因此，即使因外部空气的温度的上升而成为高湿状态，水分也难以从第一平坦化膜侵入，能够抑制水分向像素的侵入。其结果是，在像素中，光电转换元件的漏电流不易流通，能够抑制由漏电流引起的光的检测精度的降低。
在第一结构中，也可以是，还包括第二平坦化膜，该第二平坦化膜与所述第一无机绝缘膜的至少一部分重叠，并由有机类树脂膜构成，在俯视时，所述第二平坦化膜在所述像素区域的外侧，隔着所述第一无机绝缘膜与所述第一平坦化膜的端部重叠(第二结构)。
根据第二结构，在像素区域的外侧，第一平坦化膜的端部被第一无机绝缘膜和第二平坦化膜覆盖。因此，与第一平坦化膜的端部仅被第一无机绝缘膜覆盖的情况相比，能够进一步抑制水分向第一平坦化膜的侵入。
在第二结构中，也可以是，还包括第二无机绝缘膜，该第二无机绝缘膜至少在所述像素区域的外侧覆盖所述第二平坦化膜，在俯视时，所述第二无机绝缘膜在所述像素区域的外侧，隔着所述第一无机绝缘膜、所述第二平坦化膜以及所述第二无机绝缘膜与所述第一平坦化膜的端部重叠(第三结构)。
根据第三结构，第一平坦化膜的端部被第一无机绝缘膜、第二平坦化膜以及第二无机绝缘膜这三个绝缘膜覆盖。因此，与由有机类树脂膜构成的第二平坦化膜未被第二无机绝缘膜覆盖的情况相比，水分难以侵入第二平坦化膜，能够进一步抑制水分向第一平坦化膜的侵入。
在第一结构中，也可以是，还包括：第二平坦化膜，其与所述第一无机绝缘膜的至少一部分重叠，并由有机类树脂膜构成；以及第二无机绝缘膜，其至少在所述像素区域的外侧覆盖所述第二平坦化膜，在所述像素区域的外侧，所述第二平坦化膜的端部设置于比所述第一平坦化膜的端部更靠所述像素区域侧的位置，在俯视时，所述第二无机绝缘膜在所述像素区域的外侧，隔着所述第一无机绝缘膜与所述第一平坦化膜的端部重叠(第四结构)。
根据第四结构，包括：第二平坦化膜，其由与第一无机绝缘膜的至少一部分重叠的有机类树脂膜构成；以及第二无机绝缘膜，其在像素区域的外侧覆盖第二平坦化膜。在像素区域的外侧，第二平坦化膜被第二无机绝缘膜覆盖，第一平坦化膜的端部被第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜覆盖。因此，由有机类树脂膜构成的第一平坦化膜和第二平坦化膜不会露出在外部空气中，即使因外部空气的温度的上升而成为高湿状态，水分也难以侵入第一平坦化膜和第二平坦化膜。
第一至第四结构中的任意结构也可以是，还包括金属膜，该金属膜在所述像素区域的外侧，设置于所述第一平坦化膜的端部与覆盖该第一平坦化膜的端部的所述第一无机绝缘膜之间(第五结构)。
根据第五结构，在像素区域的外侧，第一平坦化膜的端部被金属膜和第一无机绝缘膜覆盖。因此，即使水分从第一无机绝缘膜侵入，也难以通过金属膜渗透到第一平坦化膜中，难以经由第一平坦化膜侵入到像素中。
第五结构也可以是，在所述多个像素中的每一个像素中，还包括偏压布线，该偏压布线与所述一对电极中的一个电极连接，并对该一个电极施加规定电压，所述偏压布线和所述金属膜包含相同的金属材料(第六结构)。
根据第六结构，能够在与偏压布线相同的工序中制备金属膜，其中，该偏压布线对设置于像素的光电转换元件施加规定电压。
本发明的一个实施方式的X射线摄像面板包括：权利要求1至6中任一项所述的有源矩阵基板；闪烁体，其将所照射的X射线转换为闪烁光；以及防潮材料，其覆盖所述闪烁体，所述防潮材料和所述有源矩阵基板的表面粘接于所述有源矩阵基板的像素区域的外侧(第七结构)。
根据第七结构，在各像素上设置有覆盖光电转换元件的第一平坦化膜和覆盖第一平坦化膜的第一无机绝缘膜，第一平坦化膜和第一无机绝缘膜设置于像素区域的外侧。在像素区域的外侧，为了不露出第一平坦化膜而被第一无机绝缘膜覆盖，因此，第一平坦化膜不会露出在外部空气中。由有机类树脂膜构成的第一平坦化膜不会露出在外部空气中，因此，即使因外部空气的温度的上升而成为高湿状态，水分也难以从第一平坦化膜侵入，能够抑制水分向像素的侵入。其结果是，在像素中，光电转换元件的漏电流不易流通，能够抑制由漏电流引起的X射线的检测精度的降低。
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。对图中相同或相当的部分标注相同的附图标记，不重复其说明。
[第一实施方式]
(结构)
图1是表示应用了本实施方式的有源矩阵基板的X射线摄像装置的示意图。X射线摄像装置100包括有源矩阵基板1和控制部2。控制部2包括栅极控制部2A和信号读取部2B。从X射线源3对被摄体S照射X射线。透过了被摄体S的X射线在配置于有源矩阵基板1的上部的闪烁体4中转换为荧光(以下称为闪烁光)。X射线摄像装置100通过在有源矩阵基板1和控制部2中对闪烁光进行摄像，取得X射线图像。
图2是表示有源矩阵基板1的概略结构的示意图。如图2所示，在有源矩阵基板1上形成有多个源极布线10和与多个源极布线10交叉的多个栅极布线11。栅极布线11与栅极控制部2A连接，源极布线10与信号读取部2B连接。
有源矩阵基板1在源极布线10与栅极布线11交叉的位置上，具有与源极布线10和栅极布线11连接的TFT13。此外，在由源极布线10和栅极布线11包围的区域(以下称为像素)中设置有光电二极管12。在像素中，通过光电二极管12，对透过了被摄体S的X射线进行转换的闪烁光被转换为与该光量对应的电荷。
有源矩阵基板1中的各栅极布线11在栅极控制部2A中依次切换为选择状态，与选择状态的栅极布线11连接的TFT13成为导通状态。当TFT13成为导通状态时，与在光电二极管12中转换的电荷对应的信号经由源极布线10输出到信号读取部2B。
图3是将图2所示的有源矩阵基板1中的一部分像素放大的俯视图。
如图3所示，在被栅极布线11和源极布线10包围的像素P1中具有光电二极管12和TFT13。
光电二极管12具有一对电极和设置于该一对电极之间的光电转换层。TFT13具有与栅极布线11一体化的栅极电极13a、半导体活性层13b、与源极布线10一体化的源极电极13c、以及漏极电极13d。漏极电极13d和光电二极管12的一个电极经由接触孔CH1连接。
此外，偏压布线16配置为与光电二极管12在像素内重叠，光电二极管12和偏压布线16经由接触孔CH2连接。偏压布线16向光电二极管12提供偏压。
在此，对像素P1的A-A线的截面结构进行说明。图4是图3的像素P1的A-A线的剖视图。如图4所示，在基板101上形成有与栅极布线11(参照图3)一体化的栅极电极13a和栅极绝缘膜102。基板101是具有绝缘性的基板，例如由玻璃基板等构成。
栅极电极13a和栅极布线11在该例中具有层叠了双层金属膜的层叠结构。双层金属膜也可以由从下层起按照顺序由钨(W)、钽(Ta)构成的金属膜构成。在该情况下，下层和上层的各金属膜的膜厚度分别优选为例如大于等于300nm小于等于500nm左右、大于等于30nm小于等于100nm左右。另外，栅极电极13a和栅极布线11不限于双层结构，也可以由单层或双层以上的多层构成。此外，栅极电极13a和栅极布线11的材料和膜厚度是一个示例，并不限于上述内容。
栅极绝缘膜102覆盖栅极电极13a。栅极绝缘膜102在该例中具有层叠了双层无机绝缘膜的层叠结构。双层无机绝缘膜也可以由从下层起按照顺序由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)构成的无机绝缘膜构成。在该情况下，下层和上层的无机绝缘膜的膜厚度分别优选为例如300nm左右、50nm左右。氧化硅(SiOx)薄膜越薄越难以劣化，因此，膜厚度更优选为大于等于10nm小于等于15nm左右。另外，栅极绝缘膜102不限于双层结构，也可以由单层或双层以上的多层构成。此外，栅极绝缘膜102的材料和膜厚度并不限于上述内容。
在栅极电极13a上经由栅极绝缘膜102设置有半导体活性层13b、与半导体活性层13b连接的源极电极13c、以及漏极电极13d。
半导体活性层13b形成为与栅极绝缘膜102接触。半导体活性层13b由氧化物半导体构成。氧化物半导体也可以使用例如以规定的比例含有铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的非晶氧化物半导体等。在该情况下，半导体活性层13b的膜厚度例如优选为100nm左右。但是，半导体活性层13b的材料和膜厚度并不限于上述内容。
源极电极13c和漏极电极13d配置为在栅极绝缘膜102上与半导体活性层13b的一部分接触。在该例中，源极电极13c与源极布线10(参照图3)一体地形成。源极电极13c和漏极电极13d具有层叠了三层金属膜的层叠结构。三层金属膜也可以由从下层起按照顺序由钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)构成的金属膜构成。在该情况下，这三层膜的厚度从下层起按照顺序优选为50nm左右、300nm左右、50nm左右。另外，源极电极13c和漏极电极13d不限于三层结构，也可由单层或双层以上的多层构成。此外，源极电极13c和漏极电极13d的材料和膜厚度并不限于上述内容。
在栅极绝缘膜102上，第一绝缘膜103设置为与源极电极13c和漏极电极13d重叠。第一绝缘膜103在漏极电极13d上具有接触孔CH1。在该例中，第一绝缘膜103具有层叠了两个无机绝缘膜的层叠结构。双层无机绝缘膜也可以由从下层起按照顺序由氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)构成的无机绝缘膜构成。在该情况下，下层和上层的无机绝缘膜的膜厚度分别优选为300nm左右、200nm左右。另外，第一绝缘膜103不限于双层结构，也可以由单层或双层以上的多层构成。另外，在第一绝缘膜103由单层构成的情况下，仅由氧化硅(SiO2)构成。此外，第一绝缘膜103的材料和膜厚度并不限于上述内容。
在第一绝缘膜103上设置有光电二极管12的一个电极(以下称为下部电极)14a和第二绝缘膜104。下部电极14a经由接触孔CH1与漏极电极13d连接。
下部电极14a在该例中具有层叠了三层金属膜的层叠结构。三层金属膜也可以例如由从下层起按照顺序由钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)构成的金属膜构成。在该情况下，这三层膜的厚度从下层起按照顺序优选为例如50nm左右、300nm左右、50nm左右。另外，下部电极14a不限于三层结构，也可以由单层或双层以上的多层构成。此外，下部电极14a的材料和膜厚度并不限于上述内容。
第二绝缘膜104与下部电极14a的一部分重叠，在下部电极14a上具有开口。在该例中，第二绝缘膜104由氧化硅(SiO2)构成的无机绝缘膜构成。在该情况下，第二绝缘膜104的膜厚度例如优选为大于等于300nm小于等于500nm左右。但是，第二绝缘膜104的材料和膜厚度并不限于上述内容。
在下部电极14a的上部设置有光电转换层15，下部电极14a与光电转换层15经由第二绝缘膜104的开口连接。
光电转换层15构成为按照顺序层叠有n型非晶质半导体层151、本征非晶质半导体层152、和p型非晶质半导体层153。
n型非晶质半导体层151由掺杂有n型杂质(例如磷)的非晶硅构成。
本征非晶质半导体层152由本征非晶硅构成。本征非晶质半导体层152形成为与n型非晶质半导体层151接触。
p型非晶质半导体层153由掺杂有p型杂质(例如硼)的非晶硅构成。p型非晶质半导体层153形成为与本征非晶质半导体层152接触。
在该例中，n型非晶质半导体层151、本征非晶质半导体层152以及p型非晶质半导体层153的膜厚度分别优选为例如大于等于10nm小于等于100nm左右、大于等于200nm小于等于2000nm左右、大于等于10nm小于等于50nm左右。另外，n型非晶质半导体层151、本征非晶质半导体层152以及p型非晶质半导体层153的掺杂剂和膜厚度并不限于上述内容。
在p型非晶质半导体层153上设置有光电二极管12的另一个电极(以下称为上部电极)14b。上部电极14b例如由ITO(Indium Tin Oxide)构成的透明导电膜构成。在该情况下，上部电极14b的膜厚度例如优选为100nm左右。但是，上部电极14b的材料和膜厚度不限于此。
在光电二极管12上第三绝缘膜105以分离的方式设置于第二绝缘膜104。在该例中，第三绝缘膜105也可以由氮化硅(SiN)构成的无机绝缘膜构成。在该情况下，第三绝缘膜105的膜厚度例如优选为大于等于300nm小于等于500nm左右。另外，第三绝缘膜105的材料和膜厚度是一个示例，并不限于上述内容。
此外，在第三绝缘膜105上设置有作为第一平坦化膜的第四绝缘膜106。在光电二极管12上形成有贯穿第三绝缘膜105和第四绝缘膜106的接触孔CH2。在该例中，第四绝缘膜106也可以由丙烯酸类树脂或硅氧烷类树脂等有机类透明树脂构成。在该情况下，第四绝缘膜106的膜厚度例如优选为3.0μm左右。另外，第四绝缘膜106的材料和膜厚度并不限于上述内容。
在第四绝缘膜106上设置有偏压布线16。偏压布线16在接触孔CH2中与光电二极管12的上部电极14b连接。偏压布线16与控制部2(参照图1)连接。偏压布线16对上部电极14b施加由控制部2输入的偏压。
在该例中，偏压布线16具有层叠了金属层161和透明导电层162的层叠结构。在该例中，金属层161具有由三层金属膜构成的层叠结构。三层金属膜也可以由从下层起按照顺序由钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)构成的金属膜构成。在该情况下，三层金属膜的膜厚度从下层起按照顺序优选为50nm左右、大于等于300nm小于等于600nm左右、50nm左右。此外，透明导电层162例如由ITO构成，其膜厚度优选为100nm左右。另外，偏压布线16也可以由单层或双层以上的多层构成。此外，偏压布线16的材料和膜厚度并不限于上述内容。
在第四绝缘膜106上设置有覆盖偏压布线16的第五绝缘膜107。在该例中，第五绝缘膜107也可以例如由氮化硅(SiNx)构成的无机绝缘膜构成。在该情况下，第五绝缘膜107的膜厚度例如优选为大于等于200nm小于等于500nm左右。另外，第五绝缘膜107的材料和膜厚度是一个示例，并不限于上述内容。
作为第二平坦化膜的第六绝缘膜108设置为覆盖第五绝缘膜107。第六绝缘膜108也可以例如由丙烯酸类树脂或硅氧烷类树脂构成的有机类透明树脂构成。在该情况下，第六绝缘膜108的膜厚度例如优选为3.0μm左右。另外，第六绝缘膜108的材料和膜厚度是一个示例，并不限于上述内容。
一个像素P1中的截面结构如上所述。接着，对有源矩阵基板1中的全部像素区域的外侧、即有源矩阵基板1中的端部区域的结构进行说明。
图5是将有源矩阵基板1的像素P1和有源矩阵基板1的一边的端部区域P2的一部分放大的剖视图。在图5中，对与图4相同的结构标注与图4相同的附图标记。以下，对端部区域P2的结构进行具体说明。另外，在图5中，为了便于说明，示出了有源矩阵基板1的一边的端部区域的截面，但其他边的端部区域也能够构成为与图5相同。
如图5所示，在端部区域P2中，在基板101上设置有栅极绝缘膜102，在栅极绝缘膜102上设置有第一绝缘膜103。在第一绝缘膜103上设置有第二绝缘膜104，在第二绝缘膜104上设置有第三绝缘膜105。在第三绝缘膜105上设置有第四绝缘膜106，第五绝缘膜107设置为覆盖第四绝缘膜106。第四绝缘膜106的端部位置x1配置于比第五绝缘膜107的端部位置x2靠内侧(像素P1侧)的位置。即，第四绝缘膜106的端部被第五绝缘膜107完全覆盖。
此外，在第五绝缘膜107上设置有第六绝缘膜108。第六绝缘膜108的端部位置x3配置于第四绝缘膜106的端部位置x1与第五绝缘膜107的端部位置x2之间。即，第四绝缘膜106的端部被第五绝缘膜107和第六绝缘膜108覆盖。
这样，由覆盖光电二极管12的有机类树脂膜构成的第四绝缘膜106的端部被由无机绝缘膜构成的第五绝缘膜107和由有机类树脂膜构成的第六绝缘膜108完全覆盖，从而不会露出在外部空气中。因此，随着外部空气的温度上升，即使水分从第六绝缘膜108侵入，也难以渗透到第五绝缘膜107中，从而抑制了水分向第四绝缘膜106的侵入。其结果是，像素P1中的光电二极管12、TFT13(参照图4)的漏电流不易流通，能够提高X射线的检测精度。
另外，能够在形成设置于像素P1的各绝缘膜的同时，制备设置于端部区域P2的上述各绝缘膜。
(X射线摄像装置100的动作)
在此，对图1所示的X射线摄像装置100的动作进行说明。首先，从X射线源3照射X射线。此时，控制部2对偏压布线16(参照图3等)施加规定的电压(偏压)。从X射线源3照射的X射线透过被摄体S，入射到闪烁体4。入射到闪烁体4的X射线转换为荧光(闪烁光)，闪烁光入射到有源矩阵基板1。当闪烁光入射到设置于有源矩阵基板1中的各像素的光电二极管12时，通过光电二极管12变为与闪烁光的光量对应的电荷。与由光电二极管12转换的电荷对应的信号在TFT13(参照图3等)根据从栅极控制部2A经由栅极布线11输出的栅极电压(正电压)而成为导通状态时，通过源极布线10被信号读取部2B(参照图2等)读取。然后，在控制部2中生成与所读取的信号对应的X射线图像。
[第二实施方式]
在本实施方式中，对与第一实施方式不同的端部区域P2的结构进行说明。图6是将本实施方式中的有源矩阵基板1A的像素P1和端部区域P2的一部分放大的剖视图。在图6中，对与第一实施方式相同的结构标注与第一实施方式相同的附图标记。以下，主要对与第一实施方式不同的结构进行说明。
如图6所示，在有源矩阵基板1A的端部区域P2中，第六绝缘膜108的端部位置x31配置于比第四绝缘膜106的端部位置x1靠内侧(像素P1侧)的位置。此外，在像素P1和端部区域P2中，第七绝缘膜109设置为覆盖第六绝缘膜108。
第七绝缘膜109在该例中由氮化硅(SiNx)构成的无机绝缘膜构成，膜厚度例如为大于等于150nm小于等于300nm，但第七绝缘膜109的材料和膜厚度并不限于此。
第七绝缘膜109的端部配置于与第五绝缘膜107的端部大致相同的位置x2，第六绝缘膜108的端部被第七绝缘膜109完全覆盖。此外，第四绝缘膜106的端部被作为无机绝缘膜的第五绝缘膜107和第七绝缘膜109覆盖。因此，由有机类树脂膜构成的第六绝缘膜108被第七绝缘膜109覆盖，从而水分难以渗透到第六绝缘膜108中。此外，由有机类树脂膜构成的第四绝缘膜106的端部被第五绝缘膜107和第七绝缘膜109这两层无机绝缘膜覆盖，因此，与第一实施方式相比，水分难以渗透到第四绝缘膜106中。
(变形例)
在上述第二实施方式中，第六绝缘膜108的端部位置也可以设置于第四绝缘膜106的端部位置x1与第五绝缘膜107的端部位置x2之间。图7是本变形例的有源矩阵基板1B中的像素P1和端部区域P2的一部分区域的剖视图。在图7中，对与第二实施方式相同的结构标注与第二实施方式相同的附图标记。
如图7所示，第六绝缘膜108的端部位置x3配置于第四绝缘膜106的端部位置x1与第五绝缘膜107的端部位置x2之间。因此，第四绝缘膜106的端部被作为无机绝缘膜的第五绝缘膜107、由有机类树脂膜构成的第六绝缘膜108、以及作为无机绝缘膜的第七绝缘膜109覆盖。即，在该情况下，覆盖光电二极管12的第四绝缘膜106的端部被三层绝缘膜覆盖。因此，与第二实施方式相比，能够进一步抑制水分向第四绝缘膜106的渗透，能够进一步提高X射线的检测精度。
[第三实施方式]
在上述第二实施方式中，对第四绝缘膜106的端部被作为无机绝缘膜的两层第五绝缘膜107和第七绝缘膜109覆盖的结构进行了说明。在本实施方式中，对第四绝缘膜106的端部被一个无机绝缘膜和金属膜覆盖的结构进行说明。
图8是将本实施方式中的有源矩阵基板1C的像素P1和端部区域P2的一部分放大的剖视图。在图8中，对与第二实施方式相同的结构标注与第二实施方式相同的附图标记。以下，主要对与第二实施方式不同的结构进行说明。
如图8所示，在有源矩阵基板1C的像素P1和端部区域P2中，在第六绝缘膜108上未设置有第七绝缘膜109(参照图6)。此外，在端部区域P2中，在第四绝缘膜106与第五绝缘膜107之间设置有覆盖第四绝缘膜106的端部的金属膜110。
金属膜110的端部位置x4配置于比第五绝缘膜107的端部位置x2靠内侧(像素P1侧)的位置。金属膜110设置为覆盖第四绝缘膜106的端部，并与露出于外部空气的第五绝缘膜107的一部分重叠。
在该例中，金属膜110具有由与设置于像素P1的偏压布线16相同的材料构成的双层结构。因此，金属膜110能够在制作像素P1的偏压布线16的工序中同时制备。
另外，在此，金属膜110由与偏压布线16相同的材料构成，但也可以由与偏压布线16不同的金属材料构成。此外，金属膜110也可以由单层或双层以上的多层构成。
这样，在本实施方式中，由有机类树脂膜构成的第四绝缘膜106的端部被金属膜110覆盖，作为无机绝缘膜的第五绝缘膜107覆盖金属膜110。金属膜110与露出于外部空气的作为无机绝缘膜的第五绝缘膜107的一部分重叠，因此，即使水分从露出于外部空气的第五绝缘膜107的一部分侵入，也难以通过金属膜110渗透到覆盖光电二极管12的第四绝缘膜106中。因此，与第二实施方式相比，抑制了水分向像素P1的侵入，能够提高X射线的检测精度。
[第四实施方式]
在本实施方式中，对上述第一实施方式中的有源矩阵基板1和闪烁体4粘接而成的模块结构(X射线摄像面板)进行说明。
图9是在有源矩阵基板1上粘接有闪烁体4的状态下的像素P1和端部区域P2的剖视图。另外，在图9中，对与第一实施方式相同的结构标注与第一实施方式相同的附图标记。以下，对与第一实施方式不同的结构进行说明。
如图9所示，在有源矩阵基板1的表面、即第六绝缘膜108上设置有闪烁体4。
片状的光反射材料211设置为覆盖闪烁体4。光反射材料211将由闪烁体4发出的光中的朝向X射线的入射侧的光向有源矩阵基板1侧反射。
此外，片状的防潮材料212设置为覆盖光反射材料211，防潮材料212通过密封材料213与有源矩阵基板1的表面粘接。具体而言，防潮材料212为了覆盖端部区域P2中的第六绝缘膜108的端部而与有源矩阵基板1粘接。防潮材料212也可以包含例如铝(Al)作为材料。
如上所述，对设置于有源矩阵基板1的像素P1的光电二极管12进行覆盖的第四绝缘膜106的端部被第五绝缘膜107和第六绝缘膜108覆盖。此外，在闪烁体4上设置有防潮材料212，第六绝缘膜108的端部被防潮材料212覆盖。即，第六绝缘膜108不会露出在外部空气中。因此，即使因外部空气的温度的上升而成为高湿状态，水分也难以从第六绝缘膜108侵入，能够抑制水分向像素P1的侵入，能够提高X射线的检测精度。
另外，在此，以第一实施方式中的有源矩阵基板1和闪烁体4粘接而成的模块结构为例进行了说明，但在上述第二实施方式及其变形例中、以及在将第三实施方式中的各个有源矩阵基板1A至1C粘接于闪烁体4的情况下，也能够与上述同样地构成。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但上述实施方式只不过是用于实施本发明的示例。因此，本发明并不限于上述实施方式，能够在不脱离其主旨的范围内对上述实施方式进行适当地变形来实施。
(1)在上述第一实施方式和第二实施方式中，也可以在有源矩阵基板的端部区域P2进一步设置第三实施方式中的金属膜110。在该情况下，与第三实施方式相同，金属膜110配置为覆盖由有机类树脂膜构成的第四绝缘膜106的端部。通过这样构成，与第一和第二实施方式相比，能够进一步抑制水分从第四绝缘膜106的端部侵入。
(2)在上述第二实施方式及其变形例中，以在像素P1的第六绝缘膜108上设置有作为无机绝缘膜的第七绝缘膜109为例进行了说明，但至少在端部区域P2中，第七绝缘膜109设置为在俯视时与第四绝缘膜106的端部重叠即可。
(3)在上述第一实施方式至第四实施方式中，有源矩阵基板的端部区域P2中的作为第一平坦化膜的第四绝缘膜106的端部只要至少被由无机绝缘膜构成的第五绝缘膜107覆盖即可。即使这样构成，第四绝缘膜106的端部也不会露出在外部空气中，因此，即使因外部空气的温度的上升而成为高湿状态，水分也难以从第四绝缘膜106的端部侵入。
附图标记说明
1、1A至1C…有源矩阵基板、2…控制部、2A…栅极控制部、2B…信号读取部、3…X射线源、4…闪烁体、10…源极布线、11…栅极布线、12…光电二极管、13…薄膜晶体管(TFT)、13a…栅极电极、13b…半导体活性层、13c…源极电极、13d…漏极电极、14a…下部电极、14b…上部电极、15…光电转换层、16…偏压布线、100…X射线摄像装置、101…基板、102…栅极绝缘膜、103…第一绝缘膜、104…第二绝缘膜、105…第三绝缘膜、106…第四绝缘膜(第一平坦化膜)、107…第五绝缘膜、108…第六绝缘膜(第二平坦化膜)、109…第七绝缘膜、110…金属膜、151…n型非晶质半导体层、152…本征非晶质半导体层、153…p型非晶质半导体层、211…光反射材料、212…防潮材料、213…密封材料。

Claims (6)

1.一种有源矩阵基板，具有包含多个像素的像素区域，其特征在于，
所述多个像素分别包括：
光电转换元件，其具有一对电极和设置于该一对电极之间的半导体层；
第一平坦化膜，其覆盖所述光电转换元件，并由有机类树脂膜构成；以及
第一无机绝缘膜，其覆盖所述第一平坦化膜，
所述第一平坦化膜和所述第一无机绝缘膜设置至所述像素区域的外侧，
在所述像素区域的外侧，为了不露出所述第一平坦化膜，所述第一平坦化膜被所述第一无机绝缘膜覆盖，
第二平坦化膜，所述第二平坦化膜与所述第一无机绝缘膜的至少一部分重叠，并由有机类树脂膜构成，
在俯视时，所述第二平坦化膜在所述像素区域的外侧，隔着所述第一无机绝缘膜与所述第一平坦化膜的端部重叠。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，还包括：
第二无机绝缘膜，所述第二无机绝缘膜至少在所述像素区域的外侧覆盖所述第二平坦化膜，
在俯视时，所述第二无机绝缘膜在所述像素区域的外侧，隔着所述第一无机绝缘膜、所述第二平坦化膜以及所述第二无机绝缘膜与所述第一平坦化膜的端部重叠。
3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，还包括：
金属膜，所述金属膜在所述像素区域的外侧，设置于所述第一平坦化膜的端部与覆盖该第一平坦化膜的端部的所述第一无机绝缘膜之间。
4.根据权利要求3所述的有源矩阵基板，其特征在于，在所述多个像素中的每一个像素中，还包括：
偏压布线，其与所述一对电极中的一个电极连接，并对该一个电极施加规定电压，
所述偏压布线和所述金属膜包含相同的金属材料。
5.一种有源矩阵基板，具有包含多个像素的像素区域，其特征在于，
所述多个像素分别包括：
光电转换元件，其具有一对电极和设置于该一对电极之间的半导体层；
第一平坦化膜，其覆盖所述光电转换元件，并由有机类树脂膜构成；以及
第一无机绝缘膜，其覆盖所述第一平坦化膜，
所述第一平坦化膜和所述第一无机绝缘膜设置至所述像素区域的外侧，
在所述像素区域的外侧，为了不露出所述第一平坦化膜，所述第一平坦化膜被所述第一无机绝缘膜覆盖，
第二平坦化膜，其与所述第一无机绝缘膜的至少一部分重叠，并由有机类树脂膜构成；以及
第二无机绝缘膜，其至少在所述像素区域的外侧覆盖所述第二平坦化膜，
在所述像素区域的外侧，所述第二平坦化膜的端部设置于比所述第一平坦化膜的端部更靠所述像素区域侧的位置，
在俯视时，所述第二无机绝缘膜在所述像素区域的外侧，隔着所述第一无机绝缘膜与所述第一平坦化膜的端部重叠。
6.一种X射线摄像面板，其特征在于，包括：
权利要求1至5中任一项所述的有源矩阵基板；
闪烁体，其将所照射的X射线转换为闪烁光；以及
防潮材料，其覆盖所述闪烁体，
所述防潮材料与所述有源矩阵基板的表面粘接于所述有源矩阵基板的像素区域的外侧。
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