JP5927873B2 - 画像検出器 - Google Patents
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Description
以下に本発明の好ましい実施の形態を説明する。図1に、本特許の実施形態1にかかる画像検出器のアレイ基板の平面図を示す。
図6に本特許の実施形態2にかかる画像検出器のアレイ基板の周辺部の平面図を示す。図7に、図6のC−C部の断面図を示す。実施の形態1と異なる点は、導電性カバー接着領域24よりも画素領域の側の外部配線領域54において外部データ線56及び外部バイアス線57はコンタクトホールCH4を介してデータ線16及びバイアス線17と同層の配線材料から端子引き出し線20に変換されていることである。また、実施の形態1における外部データ線とはデータ線16を画素部50から延在させたものであるのに対し、本実施の形態2においては後述するが主に端子引き出し線20が相当する点も異なる。外部バイアス線も同様である。
図8に、本特許の実施形態3にかかる画像検出器のアレイ基板の周辺部の断面図を示す。実施の形態2と異なる点は、外部配線において端子引き出し線20はゲート線と同層の配線材料で形成されていることである。
本実施の形態4においては、外部データ線56(外部バイアス線57)の間に、フォトセンサーを構成するアモルファスシリコン層のパターンを配置する。図9に、本特許の実施形態4にかかる画像検出器のアレイ基板の周辺部の平面図を示す。図10に、図9のD−D部の断面図を示す。以下、図9と図10を用いて、本特許の実施形態4にかかる画像検出器について説明する。
本実施の形態5においては、外部データ線56または外部バイアス線57の下層にある層間絶縁膜15を除去することを特徴とする。図11に、本特許の実施形態5にかかる画像検出器のアレイ基板の周辺部の平面図を示す。図12に、図11のE−E部の断面図を示す。以下、図11と図12を用いて、本特許の実施形態5にかかる画像検出器について説明する。
4 ゲート絶縁膜、5、6 半導体膜、
7 ソース電極、8 ドレイン電極、
9 層間絶縁膜、
10 下部電極、11、12、13 アモルファスシリコン膜、
14 透明電極 、
15 層間絶縁膜、
16 データ線、17 バイアス線、18 遮光膜、
19 端子パッド 、20 端子引き出し線、
21 層間絶縁膜、22 平坦化膜、
23 導電性カバー、24 接着領域、25 接着剤、
26 Si台座、27 凹部、28 導電体層、
50 画素部、51 画素、52 スイッチング素子、
53 周辺部、
54 外部配線領域、55 端子形成領域、
56 外部データ線、57 外部バイアス線、58 端子、
100 フォトダイオード、101 変換層、
CH1、CH2、CH3、CH4、CH5 コンタクトホール
Claims (2)
- 光電変換素子と薄膜トランジスタとをマトリクス状に配置した画素領域を有するアクティブマトリクス型のTFTアレイ基板と、
前記TFTアレイ基板上に配置した放射線を光に変換する変換層と、
前記変換層を覆う導電性カバーを備えた画像検出器であって、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極を有する複数本のゲート線、前記ゲート電極にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層、前記半導体層に接続するソース電極およびドレイン電極を備えており、
前記光電変換素子は、前記薄膜トランジスタの上部に設けられた第一のパッシベーション膜に開口された第一のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続しており、
前記光電変換素子の上部に設けられた第二のパッシベーション膜上に形成され、前記第一のパッシベーション膜と前記第二のパッシベーション膜とに開口された第二のコンタクトホールを介して前記ソース電極と接続するデータ線と、
前記光電変換素子の上部に設けられた第二のパッシベーション膜上に形成され、前記第二のパッシベーション膜に開口された第三のコンタクトホールを介して前記光変換素子と接続するバイアス線とを備え、
前記TFTアレイ基板は、前記ゲート電極に外部から駆動信号を入力するゲート端子と、
前記光電変換素子にて検出される電荷を前記データ線を介して外部に読み出すデータ端子と、外部より前記バイアス線を介して前記光電変換素子に印加電圧を入力するバイアス端子とを備えており、
前記導電性カバーは、前記データ線あるいは/かつ前記バイアス線が前記画素領域から前記各端子へ延在する領域の上層の接着領域にて接着され、
前記接着領域の下方において、前記データ線あるいは/かつ前記バイアス線の隣接配線間に、光電変換素子を形成する材料からなる台座を設けたことを特徴とする画像検出器。 - 前記導電性カバーの接着領域の下方において、第一のパッシベーション膜あるいは/かつ第二のパッシベーション膜が除去されて凹部を形成し、
前記データ線あるいは/かつ前記バイアス線が前記凹部内に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の画像検出器。
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