JP2015201509A - アレイ基板、放射線検出器、および放射線検出器の製造方法 - Google Patents
アレイ基板、放射線検出器、および放射線検出器の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】接着層と、周縁領域に設けられた配線と、に対する信頼性を向上したアレイ基板、放射線検出器及び製造方法を提供する。【解決手段】第１の方向に延びる複数の制御ライン２ｃ１と、基板に設けられ、第１の方向に交差する第２の方向に延びる複数のデータライン２ｃ２と、複数の制御ラインと、複数のデータラインと、により画された複数の領域のそれぞれに設けられた複数の光電変換素子２ｂ１と、第１の方向において、前記基板の周縁領域に設けられた複数の第１の配線パッド２ｄ１と、第２の方向において、前記基板の周縁領域に設けられた複数の第２の配線パッド２ｄ２と、複数の制御ラインと、複数の第１の配線パッドと、のそれぞれの間に設けられた第１の引き出し配線２ｇ１，２０ａと、複数のデータラインと、複数の第２の配線パッドと、のそれぞれの間に設けられた第２の引き出し配線２ｇ２，２０ｂと、を備えている。【選択図】図６
Description
本発明の実施形態は、アレイ基板、放射線検出器、および放射線検出器の製造方法に関する。
放射線検出器の一例にＸ線検出器がある。Ｘ線検出器においては、Ｘ線をシンチレータ層により可視光すなわち蛍光に変換し、この蛍光をアモルファスシリコン(ａ−Ｓｉ)フォトダイオード、あるいはＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの光電変換素子を用いて信号電荷に変換することでＸ線画像を取得している。
また、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために、シンチレータ層の上に反射層をさらに設ける場合もある。
ここで、シンチレータ層と反射層は、水蒸気などに起因する特性の劣化を抑制するために外部雰囲気から隔離する必要がある。特に、シンチレータ層が、ＣｓＩ（ヨウ化セシウム）：Ｔｌ（タリウム）やＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウム）などからなる場合には、湿度などによる特性劣化が大きくなるおそれがある。
そのため、高い防湿性能を得られる構造として、シンチレータ層と反射層をハット形状の防湿体で覆い、防湿体のつば（鍔）部をアレイ基板と接着する構造が提案されている。 シンチレータ層と反射層とをハット形状の防湿体で覆い、防湿体のつば部とアレイ基板の周縁領域とを接着すれば、高い防湿性能を得ることができる。
ここで、防湿体のつば部とアレイ基板の周縁領域とを接着する際には、防湿体のつば部とアレイ基板の周縁領域との間に設けられた紫外線硬化型の接着剤にアレイ基板の裏面側から紫外線を照射して、紫外線硬化型接着剤を硬化させるようにしている。
ところが、アレイ基板の周縁領域には、光電変換素子に接続された複数の引き出し配線が設けられている。光電変換素子に接続された複数の引き出し配線は、金属から形成されているため、アレイ基板の裏面側から照射された紫外線が遮蔽されることになる。
そのため、紫外線硬化型の接着剤の硬化にむらが生じて、接着層に対する信頼性（例えば、接着強度や防湿性など）が低下するおそれがある。
この場合、配線の幅寸法を短くすれば、紫外線の透過量を増やすことができる。
しかしながら、単に、配線の幅寸法を短くすれば、電気抵抗が高くなったり、配線パターンの形成時に断線が発生し易くなったりするおそれがある。
また、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために、シンチレータ層の上に反射層をさらに設ける場合もある。
ここで、シンチレータ層と反射層は、水蒸気などに起因する特性の劣化を抑制するために外部雰囲気から隔離する必要がある。特に、シンチレータ層が、ＣｓＩ（ヨウ化セシウム）：Ｔｌ（タリウム）やＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウム）などからなる場合には、湿度などによる特性劣化が大きくなるおそれがある。
そのため、高い防湿性能を得られる構造として、シンチレータ層と反射層をハット形状の防湿体で覆い、防湿体のつば（鍔）部をアレイ基板と接着する構造が提案されている。 シンチレータ層と反射層とをハット形状の防湿体で覆い、防湿体のつば部とアレイ基板の周縁領域とを接着すれば、高い防湿性能を得ることができる。
ここで、防湿体のつば部とアレイ基板の周縁領域とを接着する際には、防湿体のつば部とアレイ基板の周縁領域との間に設けられた紫外線硬化型の接着剤にアレイ基板の裏面側から紫外線を照射して、紫外線硬化型接着剤を硬化させるようにしている。
ところが、アレイ基板の周縁領域には、光電変換素子に接続された複数の引き出し配線が設けられている。光電変換素子に接続された複数の引き出し配線は、金属から形成されているため、アレイ基板の裏面側から照射された紫外線が遮蔽されることになる。
そのため、紫外線硬化型の接着剤の硬化にむらが生じて、接着層に対する信頼性（例えば、接着強度や防湿性など）が低下するおそれがある。
この場合、配線の幅寸法を短くすれば、紫外線の透過量を増やすことができる。
しかしながら、単に、配線の幅寸法を短くすれば、電気抵抗が高くなったり、配線パターンの形成時に断線が発生し易くなったりするおそれがある。
本発明が解決しようとする課題は、接着層に対する信頼性の向上と、アレイ基板の周縁領域に設けられた配線に対する信頼性の向上とを図ることができるアレイ基板、放射線検出器、および放射線検出器の製造方法を提供することである。
実施形態に係るアレイ基板は、基板と、前記基板に設けられ、第１の方向に延びる複数の制御ラインと、前記基板に設けられ、前記第１の方向に交差する第２の方向に延びる複数のデータラインと、前記複数の制御ラインと、前記複数のデータラインと、により画された複数の領域のそれぞれに設けられた複数の光電変換素子と、前記第１の方向において、前記基板の周縁領域に設けられた複数の第１の配線パッドと、前記第２の方向において、前記基板の周縁領域に設けられた複数の第２の配線パッドと、前記複数の制御ラインと、前記複数の第１の配線パッドと、のそれぞれの間に設けられた第１の引き出し配線と、前記複数のデータラインと、前記複数の第２の配線パッドと、のそれぞれの間に設けられた第２の引き出し配線と、複数の前記第１の引き出し配線のそれぞれと、それぞれが電気的に接続され、透光性と、導電性とを有する複数の第１の配線と、前記複数の第２の引き出し配線のそれぞれと、それぞれが電気的に接続され、透光性と、導電性とを有する複数の第２の配線と、を備えている。
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
また、本発明の実施形態に係る放射線検出器は、Ｘ線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてＸ線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「Ｘ線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。
また、本発明の実施形態に係る放射線検出器は、Ｘ線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてＸ線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「Ｘ線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。
また、以下に例示をするＸ線検出器１は、放射線画像であるＸ線画像を検出するＸ線平面センサである。Ｘ線平面センサには、大きく分けて直接変換方式と間接変換方式がある。
直接変換方式は、入射Ｘ線により光導電膜内部に発生した光導電電荷（信号電荷）を高電界により電荷蓄積用の蓄積キャパシタに直接導く方式である。
間接変換方式は、Ｘ線をシンチレータにより蛍光（可視光）に変換し、蛍光をフォトダイオードなどの光電変換素子により信号電荷に変換し、信号電荷を蓄積キャパシタに導く方式である。
以下においては、一例として、間接変換方式のＸ線検出器１を例示するが、直接変換方式のＸ線検出器にも適用することができる。
また、Ｘ線検出器１は、例えば、一般医療用途などに用いることができるが用途に限定はない。
直接変換方式は、入射Ｘ線により光導電膜内部に発生した光導電電荷（信号電荷）を高電界により電荷蓄積用の蓄積キャパシタに直接導く方式である。
間接変換方式は、Ｘ線をシンチレータにより蛍光（可視光）に変換し、蛍光をフォトダイオードなどの光電変換素子により信号電荷に変換し、信号電荷を蓄積キャパシタに導く方式である。
以下においては、一例として、間接変換方式のＸ線検出器１を例示するが、直接変換方式のＸ線検出器にも適用することができる。
また、Ｘ線検出器１は、例えば、一般医療用途などに用いることができるが用途に限定はない。
[第１の実施形態]
図１は、第１の実施形態に係るアレイ基板２およびＸ線検出器１を例示するための模式斜視図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図１においては、反射層６、防湿体７、および接着層８などを省いて描いている。
図２は、Ｘ線検出器１の周縁近傍の模式断面図である。
図３は、Ｘ線検出器１の模式平面図である。
図４は、Ｘ線検出器１の模式側面図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図２〜図４においては、信号処理部３や画像伝送部４などを省いて描いている。
図５は、アレイ基板２の模式平面図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図５においては、光電変換部２ｂが設けられた領域６０（有効画素領域）の内部の詳細、引き出し配線２ｇ１（第１の引き出し配線の一例に相当する）、引き出し配線２ｇ２（第２の引き出し配線の一例に相当する）、配線２０ａ（第１の配線の一例に相当する）、および配線２０ｂ（第２の配線の一例に相当する）の詳細、保護層２ｆなどを省いて描いている。
図６は、Ｘ線検出器１の回路図である。
図１は、第１の実施形態に係るアレイ基板２およびＸ線検出器１を例示するための模式斜視図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図１においては、反射層６、防湿体７、および接着層８などを省いて描いている。
図２は、Ｘ線検出器１の周縁近傍の模式断面図である。
図３は、Ｘ線検出器１の模式平面図である。
図４は、Ｘ線検出器１の模式側面図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図２〜図４においては、信号処理部３や画像伝送部４などを省いて描いている。
図５は、アレイ基板２の模式平面図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図５においては、光電変換部２ｂが設けられた領域６０（有効画素領域）の内部の詳細、引き出し配線２ｇ１（第１の引き出し配線の一例に相当する）、引き出し配線２ｇ２（第２の引き出し配線の一例に相当する）、配線２０ａ（第１の配線の一例に相当する）、および配線２０ｂ（第２の配線の一例に相当する）の詳細、保護層２ｆなどを省いて描いている。
図６は、Ｘ線検出器１の回路図である。
図１〜図５に示すように、Ｘ線検出器１には、アレイ基板２、信号処理部３、画像伝送部４、シンチレータ層５、反射層６、防湿体７、および接着層８が設けられている。
アレイ基板２は、シンチレータ層５によりＸ線７１から変換された蛍光（可視光）を電気信号に変換する。
アレイ基板２は、基板２ａ、光電変換部２ｂ、制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１、データライン（又はシグナルライン）２ｃ２、配線パッド２ｄ１（第１の配線パッドの一例に相当する）、配線パッド２ｄ２（第２の配線パッドの一例に相当する）、引き出し配線２ｇ１、引き出し配線２ｇ２、配線２０ａおよび配線２０ｂを有する。
基板２ａは、板状を呈し、ガラスなどの透光性材料から形成されている。
光電変換部２ｂは、基板２ａの一方の表面に複数設けられている。
光電変換部２ｂが設けられた領域６０は、いわゆる有効画素領域である（図５を参照）。
光電変換部２ｂは、矩形状を呈し、複数の制御ライン２ｃ１と複数のデータライン２ｃ２とにより画された複数の領域のそれぞれに設けられている。複数の光電変換部２ｂは、マトリクス状に並べられている。
なお、１つの光電変換部２ｂは、１つの画素（pixel）に対応する。
アレイ基板２は、シンチレータ層５によりＸ線７１から変換された蛍光（可視光）を電気信号に変換する。
アレイ基板２は、基板２ａ、光電変換部２ｂ、制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１、データライン（又はシグナルライン）２ｃ２、配線パッド２ｄ１（第１の配線パッドの一例に相当する）、配線パッド２ｄ２（第２の配線パッドの一例に相当する）、引き出し配線２ｇ１、引き出し配線２ｇ２、配線２０ａおよび配線２０ｂを有する。
基板２ａは、板状を呈し、ガラスなどの透光性材料から形成されている。
光電変換部２ｂは、基板２ａの一方の表面に複数設けられている。
光電変換部２ｂが設けられた領域６０は、いわゆる有効画素領域である（図５を参照）。
光電変換部２ｂは、矩形状を呈し、複数の制御ライン２ｃ１と複数のデータライン２ｃ２とにより画された複数の領域のそれぞれに設けられている。複数の光電変換部２ｂは、マトリクス状に並べられている。
なお、１つの光電変換部２ｂは、１つの画素（pixel）に対応する。
複数の光電変換部２ｂのそれぞれには、光電変換素子２ｂ１と、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）２ｂ２が設けられている。
また、光電変換素子２ｂ１において変換した信号電荷を蓄積する蓄積キャパシタ２ｂ３を設けることができる（図６を参照）。蓄積キャパシタ２ｂ３は、例えば、矩形平板状を呈し、各薄膜トランジスタ２ｂ２のそれぞれの下に設けることができる。ただし、光電変換素子２ｂ１の容量によっては、光電変換素子２ｂ１が蓄積キャパシタ２ｂ３を兼ねることができる。
また、光電変換素子２ｂ１において変換した信号電荷を蓄積する蓄積キャパシタ２ｂ３を設けることができる（図６を参照）。蓄積キャパシタ２ｂ３は、例えば、矩形平板状を呈し、各薄膜トランジスタ２ｂ２のそれぞれの下に設けることができる。ただし、光電変換素子２ｂ１の容量によっては、光電変換素子２ｂ１が蓄積キャパシタ２ｂ３を兼ねることができる。
光電変換素子２ｂ１は、例えば、フォトダイオードなどとすることができる。
薄膜トランジスタ２ｂ２は、蛍光が光電変換素子２ｂ１に入射することで生じた電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。薄膜トランジスタ２ｂ２は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（Ｐ−Ｓｉ）などの半導体材料を含むものとすることができる。
図６に示すように、薄膜トランジスタ２ｂ２は、ゲート電極２ｂ２ａ、ソース電極２ｂ２ｂ及びドレイン電極２ｂ２ｃを有している。薄膜トランジスタ２ｂ２のゲート電極２ｂ２ａは、対応する制御ライン２ｃ１と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のソース電極２ｂ２ｂは、対応するデータライン２ｃ２と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のドレイン電極２ｂ２ｃは、対応する光電変換素子２ｂ１と蓄積キャパシタ２ｂ３とに電気的に接続される。
薄膜トランジスタ２ｂ２は、蛍光が光電変換素子２ｂ１に入射することで生じた電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。薄膜トランジスタ２ｂ２は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（Ｐ−Ｓｉ）などの半導体材料を含むものとすることができる。
図６に示すように、薄膜トランジスタ２ｂ２は、ゲート電極２ｂ２ａ、ソース電極２ｂ２ｂ及びドレイン電極２ｂ２ｃを有している。薄膜トランジスタ２ｂ２のゲート電極２ｂ２ａは、対応する制御ライン２ｃ１と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のソース電極２ｂ２ｂは、対応するデータライン２ｃ２と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のドレイン電極２ｂ２ｃは、対応する光電変換素子２ｂ１と蓄積キャパシタ２ｂ３とに電気的に接続される。
制御ライン２ｃ１は、所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられている。制御ライン２ｃ１は、Ｘ方向（例えば、行方向；第１の方向の一例に相当する）に延びている。
複数の制御ライン２ｃ１は、引き出し配線２ｇ１を介して、基板２ａの周縁領域に設けられた複数の配線パッド２ｄ１のそれぞれと電気的に接続されている。複数の配線パッド２ｄ１には、フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線の一端がそれぞれ電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた制御回路３１とそれぞれ電気的に接続されている。
複数の制御ライン２ｃ１は、引き出し配線２ｇ１を介して、基板２ａの周縁領域に設けられた複数の配線パッド２ｄ１のそれぞれと電気的に接続されている。複数の配線パッド２ｄ１には、フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線の一端がそれぞれ電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた制御回路３１とそれぞれ電気的に接続されている。
データライン２ｃ２は、所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられている。データライン２ｃ２は、Ｘ方向に直交するＹ方向（例えば、列方向；第２の方向の一例に相当する）に延びている。
複数のデータライン２ｃ２は、引き出し配線２ｇ２を介して、基板２ａの周縁領域に設けられた複数の配線パッド２ｄ２とそれぞれ電気的に接続されている。複数の配線パッド２ｄ２には、フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線の一端がそれぞれ電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた増幅・変換回路３２とそれぞれ電気的に接続されている。
複数のデータライン２ｃ２は、引き出し配線２ｇ２を介して、基板２ａの周縁領域に設けられた複数の配線パッド２ｄ２とそれぞれ電気的に接続されている。複数の配線パッド２ｄ２には、フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線の一端がそれぞれ電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた増幅・変換回路３２とそれぞれ電気的に接続されている。
複数の引き出し配線２ｇ１は、所定の間隔で設けられた複数の制御ライン２ｃ１をそれぞれ配線パッド２ｄ１に導く。
複数の引き出し配線２ｇ２は、所定の間隔で設けられた複数のデータライン２ｃ２をそれぞれ配線パッド２ｄ２に導く。
複数の配線２０ａのそれぞれは、複数の引き出し配線２ｇ１のそれぞれと電気的に接続されている。
複数の配線２０ａのそれぞれは、複数の引き出し配線２ｇ１のそれぞれに沿って設けられている。
複数の配線２０ｂのそれぞれは、複数の引き出し配線２ｇ２のそれぞれと電気的に接続されている。
複数の配線２０ｂのそれぞれは、複数の引き出し配線２ｇ２のそれぞれに沿って設けられている。
制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、および引き出し配線２ｇ１、２ｇ２は、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成されている。
配線２０ａ、２０ｂは、透光性と、導電性とを有する材料から形成されている。
配線２０ａ、２０ｂは、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ；tin-doped indium oxide）や酸化亜鉛などの透明電極材料から形成することができる。
なお、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２、および配線２０ａ、２０ｂに関する詳細は後述する。
複数の引き出し配線２ｇ２は、所定の間隔で設けられた複数のデータライン２ｃ２をそれぞれ配線パッド２ｄ２に導く。
複数の配線２０ａのそれぞれは、複数の引き出し配線２ｇ１のそれぞれと電気的に接続されている。
複数の配線２０ａのそれぞれは、複数の引き出し配線２ｇ１のそれぞれに沿って設けられている。
複数の配線２０ｂのそれぞれは、複数の引き出し配線２ｇ２のそれぞれと電気的に接続されている。
複数の配線２０ｂのそれぞれは、複数の引き出し配線２ｇ２のそれぞれに沿って設けられている。
制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、および引き出し配線２ｇ１、２ｇ２は、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成されている。
配線２０ａ、２０ｂは、透光性と、導電性とを有する材料から形成されている。
配線２０ａ、２０ｂは、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ；tin-doped indium oxide）や酸化亜鉛などの透明電極材料から形成することができる。
なお、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２、および配線２０ａ、２０ｂに関する詳細は後述する。
保護層２ｆは、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２、および配線２０ａ、２０ｂなどを覆っている（図２を参照）。
保護層２ｆは、例えば、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、酸窒化物絶縁材料、および樹脂材料の少なくとも１種を含む。
酸化物絶縁材料は、例えば、酸化シリコン、酸化アルミニウムなどである。
窒化物絶縁材料は、例えば、窒化シリコン、窒化アルミニウムなどである。
酸窒化物絶縁材料は、例えば、酸窒化シリコンなどである。
樹脂材料は、例えば、アクリル系樹脂などである。
保護層２ｆは、例えば、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、酸窒化物絶縁材料、および樹脂材料の少なくとも１種を含む。
酸化物絶縁材料は、例えば、酸化シリコン、酸化アルミニウムなどである。
窒化物絶縁材料は、例えば、窒化シリコン、窒化アルミニウムなどである。
酸窒化物絶縁材料は、例えば、酸窒化シリコンなどである。
樹脂材料は、例えば、アクリル系樹脂などである。
シンチレータ層５は、光電変換素子２ｂ１の上に設けられ、入射するＸ線７１を蛍光すなわち可視光に変換する。シンチレータ層５は、基板２ａ上の複数の光電変換部２ｂが設けられた領域６０を覆うように設けられている。
シンチレータ層５は、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、あるいはヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）：タリウム（Ｔｌ）などを用いて形成することができる。この場合、真空蒸着法などを用いて、柱状結晶の集合体が形成されるようにすることができる。
シンチレータ層５は、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、あるいはヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）：タリウム（Ｔｌ）などを用いて形成することができる。この場合、真空蒸着法などを用いて、柱状結晶の集合体が形成されるようにすることができる。
反射層６は、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために設けられている。すなわち、反射層６は、シンチレータ層５において生じた蛍光のうち、光電変換部２ｂが設けられた側とは反対側に向かう光を反射させて、光電変換部２ｂに向かうようにする。
反射層６は、シンチレータ層５の表面側（Ｘ線７１の入射面側）の面を覆うように設けられている。
反射層６は、例えば、銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる層をシンチレータ層５上に成膜することで形成することができる。また、反射層６は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）などの光散乱性粒子を含む樹脂をシンチレータ層５上に塗布することで形成することもできる。
また、反射層６は、例えば、表面が銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる板を用いて形成することもできる。
反射層６は、シンチレータ層５の表面側（Ｘ線７１の入射面側）の面を覆うように設けられている。
反射層６は、例えば、銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる層をシンチレータ層５上に成膜することで形成することができる。また、反射層６は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）などの光散乱性粒子を含む樹脂をシンチレータ層５上に塗布することで形成することもできる。
また、反射層６は、例えば、表面が銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる板を用いて形成することもできる。
なお、図２に例示をした反射層６は、酸化チタンからなるサブミクロン粉体と、バインダ樹脂と、溶媒を混合して作成した材料をシンチレータ層５上に塗布し、これを乾燥させることで形成されたものである。
防湿体７は、空気中に含まれる水蒸気により、シンチレータ層５および反射層６の特性が劣化するのを抑制するために設けられている。
図４に示すように、防湿体７は、ハット形状を呈し、表面部７ａ、周面部７ｂ、および、つば（鍔）部７ｃを有する。
防湿体７は、表面部７ａ、周面部７ｂ、および、つば部７ｃが一体成形されたものとすることができる。
図４に示すように、防湿体７は、ハット形状を呈し、表面部７ａ、周面部７ｂ、および、つば（鍔）部７ｃを有する。
防湿体７は、表面部７ａ、周面部７ｂ、および、つば部７ｃが一体成形されたものとすることができる。
防湿体７は、透湿係数の小さい材料から形成することができる。
防湿体７は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、樹脂層と無機材料（アルミニウムなどの軽金属、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３などのセラミック系材質）層が積層された低透湿防湿材料などから形成することができる。
また、防湿体７の厚み寸法は、Ｘ線７１の吸収や剛性などを考慮して決定することができる。この場合、防湿体７の厚み寸法を大きくしすぎるとＸ線７１の吸収が多くなりすぎる。防湿体７の厚み寸法を小さくしすぎると剛性が低下して破損しやすくなる。
防湿体７は、例えば、厚み寸法が０．１ｍｍのアルミニウム箔をプレス成形して形成することができる。
防湿体７は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、樹脂層と無機材料（アルミニウムなどの軽金属、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３などのセラミック系材質）層が積層された低透湿防湿材料などから形成することができる。
また、防湿体７の厚み寸法は、Ｘ線７１の吸収や剛性などを考慮して決定することができる。この場合、防湿体７の厚み寸法を大きくしすぎるとＸ線７１の吸収が多くなりすぎる。防湿体７の厚み寸法を小さくしすぎると剛性が低下して破損しやすくなる。
防湿体７は、例えば、厚み寸法が０．１ｍｍのアルミニウム箔をプレス成形して形成することができる。
表面部７ａは、シンチレータ層５の表面側（Ｘ線７１の入射面側）に対峙している。
周面部７ｂは、表面部７ａの周縁を囲むように設けられている。周面部７ｂは、表面部７ａの周縁から基板２ａに向けて延びている。
表面部７ａおよび周面部７ｂにより形成された空間の内部には、シンチレータ層５と反射層６が設けられる。なお、反射層６が設けられない場合には、表面部７ａおよび周面部７ｂにより形成された空間の内部には、シンチレータ層５が設けられる。表面部７ａおよび周面部７ｂと、反射層６またはシンチレータ層５との間には隙間があってもよいし、表面部７ａおよび周面部７ｂと、反射層６またはシンチレータ層５とが接触していてもよい。
周面部７ｂは、表面部７ａの周縁を囲むように設けられている。周面部７ｂは、表面部７ａの周縁から基板２ａに向けて延びている。
表面部７ａおよび周面部７ｂにより形成された空間の内部には、シンチレータ層５と反射層６が設けられる。なお、反射層６が設けられない場合には、表面部７ａおよび周面部７ｂにより形成された空間の内部には、シンチレータ層５が設けられる。表面部７ａおよび周面部７ｂと、反射層６またはシンチレータ層５との間には隙間があってもよいし、表面部７ａおよび周面部７ｂと、反射層６またはシンチレータ層５とが接触していてもよい。
つば部７ｃは、周面部７ｂの表面部７ａ側とは反対側の端部を囲むように設けられている。つば部７ｃは、周面部７ｂの端部から外側に向けて延びている。つば部７ｃは、環状を呈し、基板２ａの光電変換部２ｂが設けられる側の面と平行となるように設けられている。
つば部７ｃは、接着層８を介して、アレイ基板２の周縁領域に接着されている。
ハット形状の防湿体７を用いるものとすれば、高い防湿性能を得ることが可能となる。この場合、防湿体７はアルミニウムなどから形成されるため、水蒸気の透過は極めて少ないものとなる。
つば部７ｃは、接着層８を介して、アレイ基板２の周縁領域に接着されている。
ハット形状の防湿体７を用いるものとすれば、高い防湿性能を得ることが可能となる。この場合、防湿体７はアルミニウムなどから形成されるため、水蒸気の透過は極めて少ないものとなる。
接着層８は、つば部７ｃと、アレイ基板２との間に設けられている。接着層８は、紫外線硬化型の接着剤が硬化することで形成されたものである。
また、接着層８の透湿率（水蒸気の透過率）は、できるだけ小さくなるようにすることが好ましい。この場合、紫外線硬化型の樹脂に無機材質のタルク（滑石：Ｍｇ３Ｓｉ４Ｏ１０（ＯＨ）２）を７０重量％以上添加すれば、接着層８の透湿係数を大幅に低減させることができる。
また、接着層８の透湿率（水蒸気の透過率）は、できるだけ小さくなるようにすることが好ましい。この場合、紫外線硬化型の樹脂に無機材質のタルク（滑石：Ｍｇ３Ｓｉ４Ｏ１０（ＯＨ）２）を７０重量％以上添加すれば、接着層８の透湿係数を大幅に低減させることができる。
図７は、Ｘ線検出器１のブロック図である。
信号処理部３は、基板２ａの光電変換部２ｂが設けられる側とは反対側に設けられている（図１を参照）。
図７に示すように、信号処理部３には、制御回路３１と、増幅・変換回路３２とが設けられている。
制御回路３１は、複数のゲートドライバ３１ａと行選択回路３１ｂとを有する。
ゲートドライバ３１ａは、対応する制御ライン２ｃ１に制御信号Ｓ１を印加する。
行選択回路３１ｂは、Ｘ線画像の走査方向に従って、対応するゲートドライバ３１ａに外部からの制御信号Ｓ１を送る。
例えば、制御回路３１は、フレキシブルプリント基板２ｅ１と制御ライン２ｃ１とを介して、制御信号Ｓ１を各制御ライン２ｃ１毎に順次印加する。制御ライン２ｃ１に印加された制御信号Ｓ１により薄膜トランジスタ２ｂ２がオン状態となり、光電変換素子２ｂ１からの信号電荷（画像データ信号Ｓ２）が受信できるようになる。
信号処理部３は、基板２ａの光電変換部２ｂが設けられる側とは反対側に設けられている（図１を参照）。
図７に示すように、信号処理部３には、制御回路３１と、増幅・変換回路３２とが設けられている。
制御回路３１は、複数のゲートドライバ３１ａと行選択回路３１ｂとを有する。
ゲートドライバ３１ａは、対応する制御ライン２ｃ１に制御信号Ｓ１を印加する。
行選択回路３１ｂは、Ｘ線画像の走査方向に従って、対応するゲートドライバ３１ａに外部からの制御信号Ｓ１を送る。
例えば、制御回路３１は、フレキシブルプリント基板２ｅ１と制御ライン２ｃ１とを介して、制御信号Ｓ１を各制御ライン２ｃ１毎に順次印加する。制御ライン２ｃ１に印加された制御信号Ｓ１により薄膜トランジスタ２ｂ２がオン状態となり、光電変換素子２ｂ１からの信号電荷（画像データ信号Ｓ２）が受信できるようになる。
増幅・変換回路３２は、複数の積分増幅器３２ａと、複数のＡ／Ｄ変換器３２ｂを有する。
積分増幅器３２ａは、データライン２ｃ２と配線パッド２ｄ２とフレキシブルプリント基板２ｅ２とを介して、各光電変換素子２ｂ１からの画像データ信号Ｓ２を増幅し出力する。積分増幅器３２ａから出力された画像データ信号Ｓ２は、並列／直列変換されてＡ／Ｄ変換器３２ｂに入力される。
Ａ／Ｄ変換器３２ｂは、入力された画像データ信号Ｓ２（アナログ信号）をデジタル信号に変換する。
積分増幅器３２ａは、データライン２ｃ２と配線パッド２ｄ２とフレキシブルプリント基板２ｅ２とを介して、各光電変換素子２ｂ１からの画像データ信号Ｓ２を増幅し出力する。積分増幅器３２ａから出力された画像データ信号Ｓ２は、並列／直列変換されてＡ／Ｄ変換器３２ｂに入力される。
Ａ／Ｄ変換器３２ｂは、入力された画像データ信号Ｓ２（アナログ信号）をデジタル信号に変換する。
画像伝送部４は、配線４ａを介して、信号処理部３の増幅・変換回路３２と電気的に接続されている（図１を参照）。なお、画像伝送部４は、信号処理部３と一体化されていてもよい。
画像伝送部４は、複数のＡ／Ｄ変換器３２ｂによりデジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２に基づいて、Ｘ線画像を合成する。合成されたＸ線画像のデータは、画像伝送部４から外部の機器に向けて出力される。
画像伝送部４は、複数のＡ／Ｄ変換器３２ｂによりデジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２に基づいて、Ｘ線画像を合成する。合成されたＸ線画像のデータは、画像伝送部４から外部の機器に向けて出力される。
次に、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２、および配線２０ａ、２０ｂについてさらに説明する。
図８は、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２、および配線２０ａ、２０ｂを例示するための模式断面図である。
なお、図８は、図２におけるＤ−Ｄ線断面図である。
図９は、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２、および配線２０ａ、２０ｂを例示するための模式平面図である。
図２および図３に例示をしたように、アレイ基板２の周縁領域には、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２が設けられている。引き出し配線２ｇ１、２ｇ２は、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属から形成されている。
図８は、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２、および配線２０ａ、２０ｂを例示するための模式断面図である。
なお、図８は、図２におけるＤ−Ｄ線断面図である。
図９は、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２、および配線２０ａ、２０ｂを例示するための模式平面図である。
図２および図３に例示をしたように、アレイ基板２の周縁領域には、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２が設けられている。引き出し配線２ｇ１、２ｇ２は、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属から形成されている。
図８に示すように、紫外線硬化型の接着剤を硬化させるために、アレイ基板２の裏面側（防湿体７が接着される側とは反対側）から紫外線７０を照射すると、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２に入射した紫外線７０ｂは、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２により遮蔽される。一方、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２同士の間に入射した紫外線７０ａは、接着層８に到達できるので、紫外線硬化型の接着剤を硬化させる。
ここで、図８および図９に示すように、配線２０ａ、２０ｂの幅寸法をＡ、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の幅寸法をＢ、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２同士の間の寸法（隙間寸法）をＣとする。
本発明者の得た知見によれば、Ｃ≧Ｂとなるようにすれば、紫外線硬化型の接着剤の硬化にむらが生じるのを抑制することができる。
そのため、接着層８に対する信頼性（例えば、接着強度や防湿性など）を向上させることができる。
本発明者の得た知見によれば、Ｃ≧Ｂとなるようにすれば、紫外線硬化型の接着剤の硬化にむらが生じるのを抑制することができる。
そのため、接着層８に対する信頼性（例えば、接着強度や防湿性など）を向上させることができる。
この場合、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の幅寸法Ｂを短くすれば、紫外線７０ａの透過量を増やすことができる。
しかしながら、単に、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の幅寸法Ｂを短くすれば、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の電気抵抗が高くなったり、配線パターンの形成時に断線が発生し易くなったりするおそれがある。
またさらに、引き出し配線２ｇ１の一端は配線パッド２ｄ１に接続され、引き出し配線２ｇ１の他端は制御ライン２ｃ１に接続されている（例えば、図５を参照）。
そして、配線パッド２ｄ１のピッチ寸法は、制御ライン２ｃ１のピッチ寸法よりも短い。
そのため、配線パッド２ｄ１の近傍においては、引き出し配線２ｇ１が配線パッド２ｄ１のピッチ寸法に合わせて集まっていくため、引き出し配線２ｇ１同士の間の寸法Ｃが小さくなる。
また、引き出し配線２ｇ２の一端は配線パッド２ｄ２に接続され、引き出し配線２ｇ２の他端はデータライン２ｃ２に接続されている。
そして、配線パッド２ｄ２のピッチ寸法は、データライン２ｃ２のピッチ寸法よりも短い。
そのため、配線パッド２ｄ２の近傍においては、引き出し配線２ｇ２が配線パッド２ｄ２のピッチ寸法に合わせて集まっていくため、引き出し配線２ｇ２同士の間の寸法Ｃが小さくなる。
この場合、Ｃ≧Ｂとなるようにすれば、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の幅寸法Ｂも短くなることになる。
その結果、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の電気抵抗が高くなったり、配線パターンの形成時に断線が発生し易くなったりするおそれがある。
しかしながら、単に、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の幅寸法Ｂを短くすれば、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の電気抵抗が高くなったり、配線パターンの形成時に断線が発生し易くなったりするおそれがある。
またさらに、引き出し配線２ｇ１の一端は配線パッド２ｄ１に接続され、引き出し配線２ｇ１の他端は制御ライン２ｃ１に接続されている（例えば、図５を参照）。
そして、配線パッド２ｄ１のピッチ寸法は、制御ライン２ｃ１のピッチ寸法よりも短い。
そのため、配線パッド２ｄ１の近傍においては、引き出し配線２ｇ１が配線パッド２ｄ１のピッチ寸法に合わせて集まっていくため、引き出し配線２ｇ１同士の間の寸法Ｃが小さくなる。
また、引き出し配線２ｇ２の一端は配線パッド２ｄ２に接続され、引き出し配線２ｇ２の他端はデータライン２ｃ２に接続されている。
そして、配線パッド２ｄ２のピッチ寸法は、データライン２ｃ２のピッチ寸法よりも短い。
そのため、配線パッド２ｄ２の近傍においては、引き出し配線２ｇ２が配線パッド２ｄ２のピッチ寸法に合わせて集まっていくため、引き出し配線２ｇ２同士の間の寸法Ｃが小さくなる。
この場合、Ｃ≧Ｂとなるようにすれば、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の幅寸法Ｂも短くなることになる。
その結果、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の電気抵抗が高くなったり、配線パターンの形成時に断線が発生し易くなったりするおそれがある。
そこで、本実施の形態に係るアレイ基板２には、透光性と導電性とを有し、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２と電気的に接続された配線２０ａ、２０ｂを設けるようにしている。
配線２０ａ、２０ｂは透光性を有しているので、紫外線７０ａを透過させることができる。
そのため、配線２０ａ、２０ｂが引き出し配線２ｇ１、２ｇ２同士の間に設けられていても紫外線硬化型の接着剤の硬化にむらが生じるのを抑制することができる。
配線２０ａ、２０ｂは透光性を有しているので、紫外線７０ａを透過させることができる。
そのため、配線２０ａ、２０ｂが引き出し配線２ｇ１、２ｇ２同士の間に設けられていても紫外線硬化型の接着剤の硬化にむらが生じるのを抑制することができる。
また、配線２０ａ、２０ｂは、導電性を有し、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２と電気的に接続されている。
そのため、紫外線７０ａの透過量を考慮して引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の幅寸法Ｂを短くしても、電気抵抗が高くなったり、配線パターンの形成時に断線が発生し易くなったりするのを抑制することができる。
そのため、紫外線７０ａの透過量を考慮して引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の幅寸法Ｂを短くしても、電気抵抗が高くなったり、配線パターンの形成時に断線が発生し易くなったりするのを抑制することができる。
また、配線２０ａ、２０ｂは透光性を有しているので、配線２０ａ、２０ｂの幅寸法Ａは、配線２０ａ、２０ｂ同士が電気的に接触（短絡）しない範囲とすることができる。
この場合、配線２０ａ、２０ｂの幅寸法Ａを長くすれば、電気抵抗の低減や、断線の抑制を図ることができる。
ただし、配線２０ａ、２０ｂの幅寸法Ａを長くすると、配線２０ａ、２０ｂ同士の間の隙間寸法が短くなるので、配線２０ａ、２０ｂの形成が難しくなる。
そのため、配線２０ａ、２０ｂの幅寸法Ａは、電気抵抗の低減や、断線の抑制などとともに、配線２０ａ、２０ｂに対する生産性をも考慮して決定することが好ましい。
この場合、配線２０ａ、２０ｂの幅寸法Ａを長くすれば、電気抵抗の低減や、断線の抑制を図ることができる。
ただし、配線２０ａ、２０ｂの幅寸法Ａを長くすると、配線２０ａ、２０ｂ同士の間の隙間寸法が短くなるので、配線２０ａ、２０ｂの形成が難しくなる。
そのため、配線２０ａ、２０ｂの幅寸法Ａは、電気抵抗の低減や、断線の抑制などとともに、配線２０ａ、２０ｂに対する生産性をも考慮して決定することが好ましい。
なお、図８および図９においては、配線２０ａ、２０ｂの上に積層された引き出し配線２ｇ１、２ｇ２を例示したが、配線２０ａ、２０ｂと引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の配設形態はこれに限定されるわけではない。
図１０（ａ）〜（ｄ）は、配線２０ａ、２０ｂと引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の他の配設形態を例示するための模式断面図である。
例えば、配線２０ａ、２０ｂは、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の上に積層されているようにすることもできる。
この場合、図１０（ａ）に示すように、配線２０ａ、２０ｂは、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２を覆うように設けることができる。
また、配線２０ａ、２０ｂの側面と、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の側面とが接触するように、配線２０ａ、２０ｂと引き出し配線２ｇ１、２ｇ２を設けることができる。
この場合、図１０（ｂ）に示すように、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の両側に配線２０ａ、２０ｂを設けることができる。
また、図１０（ｃ）、（ｄ）に示すように、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の片側に配線２０ａ、２０ｂを設けることもできる。
図１０（ａ）〜（ｄ）は、配線２０ａ、２０ｂと引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の他の配設形態を例示するための模式断面図である。
例えば、配線２０ａ、２０ｂは、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の上に積層されているようにすることもできる。
この場合、図１０（ａ）に示すように、配線２０ａ、２０ｂは、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２を覆うように設けることができる。
また、配線２０ａ、２０ｂの側面と、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の側面とが接触するように、配線２０ａ、２０ｂと引き出し配線２ｇ１、２ｇ２を設けることができる。
この場合、図１０（ｂ）に示すように、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の両側に配線２０ａ、２０ｂを設けることができる。
また、図１０（ｃ）、（ｄ）に示すように、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の片側に配線２０ａ、２０ｂを設けることもできる。
また、以上においては、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属から形成された引き出し配線２ｇ１、２ｇ２と、透光性と導電性とを有する材料（例えば、酸化インジウムスズ）から形成された配線２０ａ、２０ｂとが、電気的に直接接続される場合を例示したがこれに限定されるわけではない。
導電部材を介して、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２と、配線２０ａ、２０ｂとが、電気的に接続されていてもよい。
例えば、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２と、窒化シリコンなどからなる絶縁膜と、配線２０ａ、２０ｂとが積層され、コンタクトホールおよびパッド部分の導電部材を介して、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２と、配線２０ａ、２０ｂとが、電気的に接続されていてもよい。
すなわち、配線２０ａ、２０ｂは、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２と電気的に接続されるように設けられていればよい。
導電部材を介して、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２と、配線２０ａ、２０ｂとが、電気的に接続されていてもよい。
例えば、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２と、窒化シリコンなどからなる絶縁膜と、配線２０ａ、２０ｂとが積層され、コンタクトホールおよびパッド部分の導電部材を介して、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２と、配線２０ａ、２０ｂとが、電気的に接続されていてもよい。
すなわち、配線２０ａ、２０ｂは、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２と電気的に接続されるように設けられていればよい。
[第２の実施形態]
次に、第２の実施形態に係る放射線検出器の製造方法について例示する。
Ｘ線検出器１は、例えば、以下のようにして製造することができる。
まず、基板２ａ上に光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、引き出し配線２ｇ１、引き出し配線２ｇ２、配線２０ａ、配線２０ｂ、配線パッド２ｄ１、配線パッド２ｄ２、および保護層２ｆなどを順次形成してアレイ基板２を作成する。
アレイ基板２は、例えば、半導体製造プロセスを用いて作成することができる。
次に、第２の実施形態に係る放射線検出器の製造方法について例示する。
Ｘ線検出器１は、例えば、以下のようにして製造することができる。
まず、基板２ａ上に光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、引き出し配線２ｇ１、引き出し配線２ｇ２、配線２０ａ、配線２０ｂ、配線パッド２ｄ１、配線パッド２ｄ２、および保護層２ｆなどを順次形成してアレイ基板２を作成する。
アレイ基板２は、例えば、半導体製造プロセスを用いて作成することができる。
この場合、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、および引き出し配線２ｇ１、２ｇ２は、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成する。
配線２０ａ、２０ｂは、透光性と、導電性とを有する材料から形成する。
配線２０ａ、２０ｂは、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ；tin-doped indium oxide）や酸化亜鉛などの透明電極材料から形成することができる。
また、配線２０ａ、２０ｂの幅寸法をＡ、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の幅寸法をＢ、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２同士の間の寸法（隙間寸法）をＣとした場合、Ｃ≧Ｂとなるようにする。
この場合、配線２０ａ、２０ｂの幅寸法Ａは、配線２０ａ、２０ｂ同士が電気的に接触（短絡）しない範囲とすることができる。
配線２０ａ、２０ｂは、透光性と、導電性とを有する材料から形成する。
配線２０ａ、２０ｂは、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ；tin-doped indium oxide）や酸化亜鉛などの透明電極材料から形成することができる。
また、配線２０ａ、２０ｂの幅寸法をＡ、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の幅寸法をＢ、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２同士の間の寸法（隙間寸法）をＣとした場合、Ｃ≧Ｂとなるようにする。
この場合、配線２０ａ、２０ｂの幅寸法Ａは、配線２０ａ、２０ｂ同士が電気的に接触（短絡）しない範囲とすることができる。
次に、アレイ基板２上の複数の光電変換部２ｂが形成された領域６０を覆うようにシンチレータ層５を形成する。シンチレータ層５は、例えば、真空蒸着法などを用いて、ヨウ化セシウム：タリウムからなる膜を成膜することで形成することができる。この場合、シンチレータ層５の厚み寸法は、６００μｍ程度とすることができる。柱状結晶の柱の太さ寸法は、最表面で８〜１２μｍ程度とすることができる。
次に、シンチレータ層５を覆うようにして反射層６を形成する。反射層６は、例えば、酸化チタンからなるサブミクロン粉体と、バインダ樹脂と、溶媒を混合して作成した材料をシンチレータ層５上に塗布し、これを乾燥させることで形成することができる。
次に、アレイ基板２上にハット形状の防湿体７を紫外線硬化型の接着剤を用いて接着し、防湿体７と接着層８によりシンチレータ層５と反射層６を封止する。
防湿体７は、例えば、厚み寸法が０．１ｍｍのアルミニウム箔をプレス成形して形成したものとすることができる。また、つば部７ｃの幅寸法Ｗ１は、例えば、２ｍｍとすることができる。
紫外線硬化型の接着剤の硬化は、アレイ基板２の裏面側から紫外線７０を照射することで行う。
紫外線硬化型の接着剤が硬化することで、接着層８が形成される。
ここで、配線２０ａ、２０ｂは透光性を有しているので、紫外線７０ａを透過させることができる。
そのため、配線２０ａ、２０ｂが引き出し配線２ｇ１、２ｇ２同士の間に設けられていても紫外線硬化型の接着剤の硬化にむらが生じるのを抑制することができる。
防湿体７は、例えば、厚み寸法が０．１ｍｍのアルミニウム箔をプレス成形して形成したものとすることができる。また、つば部７ｃの幅寸法Ｗ１は、例えば、２ｍｍとすることができる。
紫外線硬化型の接着剤の硬化は、アレイ基板２の裏面側から紫外線７０を照射することで行う。
紫外線硬化型の接着剤が硬化することで、接着層８が形成される。
ここで、配線２０ａ、２０ｂは透光性を有しているので、紫外線７０ａを透過させることができる。
そのため、配線２０ａ、２０ｂが引き出し配線２ｇ１、２ｇ２同士の間に設けられていても紫外線硬化型の接着剤の硬化にむらが生じるのを抑制することができる。
また、配線２０ａ、２０ｂは、導電性を有し、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２と電気的に接続されている。
そのため、紫外線７０ａの透過量を考慮して引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の幅寸法Ｂを短くしても、電気抵抗が高くなったり、配線パターンの形成時に断線が発生し易くなったりするのを抑制することができる。
そのため、紫外線７０ａの透過量を考慮して引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の幅寸法Ｂを短くしても、電気抵抗が高くなったり、配線パターンの形成時に断線が発生し易くなったりするのを抑制することができる。
次に、フレキシブルプリント基板２ｅ１、２ｅ２を介して、アレイ基板２と信号処理部３を電気的に接続する。
また、配線４ａを介して、信号処理部３と画像伝送部４を電気的に接続する。
その他、回路部品などを適宜実装する。
また、配線４ａを介して、信号処理部３と画像伝送部４を電気的に接続する。
その他、回路部品などを適宜実装する。
次に、図示しない筐体の内部にアレイ基板２、信号処理部３、画像伝送部４などを格納する。
そして、必要に応じて、光電変換素子２ｂ１の異常や電気的な接続の異常の有無を確認する電気試験、Ｘ線画像試験、高温高湿試験、冷熱サイクル試験などを行う。
以上のようにして、Ｘ線検出器１を製造することができる。
そして、必要に応じて、光電変換素子２ｂ１の異常や電気的な接続の異常の有無を確認する電気試験、Ｘ線画像試験、高温高湿試験、冷熱サイクル試験などを行う。
以上のようにして、Ｘ線検出器１を製造することができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
１ Ｘ線検出器、２ アレイ基板、２ａ 基板、２ｂ 光電変換部、２ｃ１ 制御ライン、２ｃ２ データライン、２ｄ１ 配線パッド、２ｄ２ 配線パッド、２ｇ１ 引き出し配線、２ｇ２ 引き出し配線、３ 信号処理部、４ 画像伝送部、５ シンチレータ層、６ 反射層、７ 防湿体、８ 接着層、２０ａ 配線、２０ｂ 配線
Claims (5)
- 基板と、
前記基板に設けられ、第１の方向に延びる複数の制御ラインと、
前記基板に設けられ、前記第１の方向に交差する第２の方向に延びる複数のデータラインと、
前記複数の制御ラインと、前記複数のデータラインと、により画された複数の領域のそれぞれに設けられた複数の光電変換素子と、
前記第１の方向において、前記基板の周縁領域に設けられた複数の第１の配線パッドと、
前記第２の方向において、前記基板の周縁領域に設けられた複数の第２の配線パッドと、
前記複数の制御ラインと、前記複数の第１の配線パッドと、のそれぞれの間に設けられた第１の引き出し配線と、
前記複数のデータラインと、前記複数の第２の配線パッドと、のそれぞれの間に設けられた第２の引き出し配線と、
複数の前記第１の引き出し配線のそれぞれと、それぞれが電気的に接続され、透光性と、導電性とを有する複数の第１の配線と、
前記複数の第２の引き出し配線のそれぞれと、それぞれが電気的に接続され、透光性と、導電性とを有する複数の第２の配線と、
を備えたアレイ基板。 - 前記第１の引き出し配線同士の間の寸法は、前記第１の引き出し配線の幅寸法以上であり、
前記第２の引き出し配線同士の間の寸法は、前記第２の引き出し配線の幅寸法以上である請求項１記載のアレイ基板。 - 前記複数の第１の配線のそれぞれは、前記複数の第１の引き出し配線のそれぞれに沿って設けられ、
前記複数の第２の配線のそれぞれは、前記複数の第２の引き出し配線のそれぞれに沿って設けられている請求項１または２に記載のアレイ基板。 - 請求項１〜３のいずれか１つに記載のアレイ基板と、
前記アレイ基板の複数の光電変換素子が設けられた領域の上に設けられ、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、
前記シンチレータ層の外側に向けて突出する環状のつば部を有し、前記シンチレータ層を覆う防湿体と、
前記つば部と、前記アレイ基板と、の間に設けられた接着層と、
を備え、
前記接着層は、前記アレイ基板に設けられた複数の第１の引き出し配線、および複数の第２の引き出し配線の少なくとも一部を覆っている放射線検出器。 - 請求項１〜３のいずれか１つに記載のアレイ基板を形成する工程と、
前記アレイ基板上に、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層を形成する工程と、
前記シンチレータ層の外側に向けて突出する環状のつば部を有し、前記シンチレータ層を覆う防湿体を、紫外線硬化型の接着剤を用いて前記アレイ基板に接着する工程と、
を備え、
前記防湿体を前記アレイ基板に接着する工程において、
前記アレイ基板の周縁領域に前記紫外線硬化型の接着剤を塗布し、
前記アレイ基板の前記防湿体が接着される側とは反対側から前記紫外線硬化型の接着剤に紫外線を照射する放射線検出器の製造方法。
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