JP2023112838A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品位を改善可能とする。【解決手段】第１基板と、第２基板と、液晶層とを備え、第１基板は、絶縁基板と、絶縁基板の上に位置する第１遮光層及び第２遮光層と、絶縁基板の上に位置する積層膜と、積層膜の上に位置する第１ソース線及び第２ソース線と、積層膜、第１ソース線、及び第２ソース線の上に位置する第１絶縁層とを有し、第２基板は、第１遮光材及び第２遮光材を有し、第１ソース線及び第２ソース線は、第１方向に間隔を置いて配置され、第１遮光材及び第２遮光材は、第１方向に間隔を置いて配置され、第１遮光層は、第１ソース線及び第１遮光材に重畳し、第２遮光層は、第２ソース線及び第２遮光材に重畳し、第１遮光層の第１方向の第１幅は、第１遮光材の第１方向の第２幅以上であり、第２遮光層の第１方向の第３幅は、第２遮光材の第１方向の第４幅以上である、表示装置。【選択図】 図４

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

表示装置は、第１基板と第１基板と対向する第２基板とを有する表示パネルと、第１基板側から表示パネルに対向する照明装置とを備えている。第１基板は、第１方向に延長するゲート、及び第１方向に交差する第２方向に延長するソース線などを備えている。第２基板は、ソース線に対向する遮光材などを備えている。照明装置から第１基板に出射された光は、ソース線の側面などで反射され得る。第２基板に対して垂直方向から表示装置を見た場合、ソース線の側面などで反射された光は、第２基板の遮光材によって遮光され得る。第２基板に対して斜め方向から表示装置を見た場合、ソース線の側面などで反射された光は、遮光されない可能性がある。これにより、表示装置を斜めに見た場合のコントラストが低下し得る。

特許第３８６６７８３号公報 特開２００５－９１８１９号公報

本実施形態の目的は、示品位を改善可能な表示装置を提供することにある。

一実施形態によれば、第１基板と、前記第１基板に対向している第２基板と、前記第１基板及び第２基板の間に保持されている液晶層とを備え、前記第１基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に位置する第１遮光層及び第２遮光層と、前記絶縁基板の上に位置する積層膜と、前記積層膜の上に位置する第１ソース線及び第２ソース線と、前記積層膜、前記第１ソース線、及び前記第２ソース線の上に位置する第１絶縁層とを有し、前記第２基板は、第１遮光材及び第２遮光材を有し、前記第１ソース線及び前記第２ソース線は、第１方向に間隔を置いて配置され、前記第１遮光材及び前記第２遮光材は、前記第１方向に間隔を置いて配置され、前記第１遮光層は、前記第１ソース線及び前記第１遮光材に重畳し、前記第２遮光層は、前記第２ソース線及び前記第２遮光材に重畳し、前記第１遮光層の前記第１方向の第１幅は、前記第１遮光材の前記第１方向の第２幅以上であり、前記第２遮光層の前記第１方向の第３幅は、前記第２遮光材の前記第１方向の第４幅以上である、表示装置が提供される。

他の実施形態によれば、第１基板と、前記第１基板に対向している第２基板と、前記第１基板及び第２基板の間に保持されている液晶層とを備え、前記第１基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に位置する第１遮光層及び第２遮光層と、前記絶縁基板の上に位置する第１積層膜及び第２積層膜と、前記第１積層膜の上に位置する第１ソース線と、前記第２積層膜の上に位置する第２ソース線と、前記第１積層膜、前記第２積層膜、前記第１ソース線、及び前記第２ソース線の上に位置する第１絶縁層とを有し、前記第２基板は、第１遮光材及び第２遮光材を有し、前記第１積層膜及び前記第２積層膜は、第１方向に間隔を置いて配置され、前記第１遮光材及び前記第２遮光材は、前記第１方向に間隔を置いて配置され、前記第１積層膜は、前記第１ソース線及び前記第１遮光材に重畳し、前記第２積層膜は、前記第２ソース線及び前記第２遮光材に重畳している、表示装置が提供される。

図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置の概略的な構成の一例を示す斜視図である。 図２は、第１実施形態に係る第１基板の一例を示す平面図である。 図３は、第１実施形態に係る第２基板の一例を示す平面図である。 図４は、図２及び図３の表示パネルの一例を示す断面図である。 図５は、変形例１に係る表示パネルの一例を示す断面図である。 図６は、第２実施形態に係る表示パネルの一例を示す断面図である。 図７は、第２実施形態に係る表示パネルの一例を示す断面図である。 図８は、第２実施形態に係る表示装置の第１基板の絶縁層の製造工程の一例を示す断面図である。 図９は、第２実施形態に係る表示装置の第１基板の絶縁層の製造工程の一例を示す断面図である。 図１０は、変形例２に係る表示パネルの一例を示す断面図である。 図１１は、変形例３に係る表示パネルの一例を示す断面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

実施形態においては、電子機器の一例として表示装置を開示する。この表示装置は、例えば、ＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）ビュアー、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器、及びウェアラブル端末等の種々の装置に用いることができる。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰの概略的な構成の一例を示す斜視図である。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、液晶表示装置（以下、単に、表示装置と称する）ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。本明細書において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を「上側」（あるいは、単に上）と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を「下側」（あるいは、単に下）と称する。「第１層の上の第２層」及び「第１層の下の第２層」とした場合、第２層は、第１層に接していてもよいし、第１層から離間していてもよい。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面に向かって観ることを平面視という。また、“所定の物質、物体、空間、又は領域の第１方向Ｘの幅（又は長さ）”を“横幅”と称し、“所定の物質、物体、空間、又は領域の第２方向Ｙの幅（又は長さ）”を“縦幅”と称する場合もある。

表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、表示パネルＰＮＬに対向する照明装置ＢＬとを備えている。図１に示す例では、表示装置ＤＳＰは、平面視で矩形形状に形成されている。なお、表示装置ＤＳＰは、矩形形状以外の形状に形成されていてもよい。例えば、表示装置ＤＳＰは、矩形形状の角部がラウンド状に形成されたるラウンド形状、円状、又は楕円状等に形成されていてもよい。表示装置ＤＳＰの短辺は、第１方向Ｘに沿って延出し、表示装置ＤＳＰの長辺は、第２方向Ｙに沿って延出している。なお、表示装置ＤＳＰの長辺は、第１方向Ｘに沿って延出し、表示装置ＤＳＰの短辺は、第２方向Ｙに沿って延出していてもよい。

表示パネルＰＮＬは、互いに対向する第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に保持された表示機能層（本実施形態では、後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを有している。表示領域ＤＡは、画像を表示する領域である。表示領域ＤＡは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが対向する領域のほぼ中央に位置している。非表示領域ＮＤＡは、画像が表示されない領域であり、表示領域ＤＡの外側に位置している。表示パネルＰＮＬは、例えば、表示領域ＤＡにおいて、Ｘ－Ｙ平面にマトリクス状に並ぶ複数の画素ＰＸを備えている。

第１基板ＳＵＢ１は、第２基板ＳＵＢ２に対向していない非表示領域ＮＤＡに接続部ＣＮを備えている。接続部ＣＮは、フレキシブルプリント配線基板やＩＣチップなどの信号供給源を接続するための端子を備えている。

照明装置ＢＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側（第２基板ＳＵＢ２との対向面の反対側）に配置されている。このような照明装置ＢＬとしては、種々の形態が適用可能である。一例として、照明装置ＢＬは、第１基板ＳＵＢ１と対向する導光板、この導光板の端部に沿って配置された複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）などの光源、導光板の一方の主面側に配置された反射シート、導光板の他方の主面側に積層された各種光学シートなどを備えている。

なお、図示した例の表示パネルＰＮＬは、照明装置ＢＬからの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過型であるが、これに限らない。例えば、表示パネルＰＮＬは、外光あるいは外部光源からの光を選択的に反射させることで画像を表示させる反射型であっても良いし、透過型及び反射型の双方の表示機能を備えた半透過型であっても良い。

また、ここでは表示パネルＰＮＬの詳細な構成については説明を省略するが、表示パネルＰＮＬの法線に沿った縦電界を利用する表示モード、表示パネルＰＮＬの法線に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、表示パネルＰＮＬの主面に沿った横電界を利用する表示モードのいずれも適用可能である。

図２は、本実施形態に係る第１基板ＳＵＢ１の一例を示す平面図である。図２では、第１基板ＳＵＢ１の主要部を示している。ここでは、横電界を利用する表示モードの一つであるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードを適用した構成例について説明する。

第１基板ＳＵＢ１は、複数の走査線（ゲート線）Ｇ（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３…）、複数の信号線（ソース線）Ｓ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４…）、画素電極ＰＥ（ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、ＰＥ４、ＰＥ５、ＰＥ６…）、中継電極ＲＥ（ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３、ＲＥ４、ＲＥ５、ＲＥ６…）、スイッチング素子ＳＷ（ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４、ＳＷ５、ＳＷ６…）、及び複数の遮光層ＬＳ（ＬＳ１、ＬＳ２、ＬＳ３、ＬＳ４…）などを備えている。なお、一例では、第１基板ＳＵＢ１は、共通電極ＣＥを備えているが、図２では共通電極ＣＥの図示を省略している。

複数のゲート線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３…）は、所定の間隔をおいて第２方向Ｙに並んでいる。複数のゲート線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３…）は、それぞれ、第１方向Ｘに延出している。なお、複数のゲート線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３…）は、第１方向Ｘに直線状に延出していてもよいし、屈曲していてもよい。複数のゲート線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３…）は、アルミニウム（Ａ１）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、及びクロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。例えば、複数のゲート線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３…）は、モリブデンタングステン合金膜である。

複数のソース線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４…）は、所定の間隔をおいて第１方向Ｘに並んでいる。複数のソース線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４…）は、それぞれ、第２方向Ｙに延出している。なお、複数のソース線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４…）は、第２方向Ｙに直線状に延出していてもよいし、屈曲していてもよい。複数のソース線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４…）は、アルミニウム（Ａ１）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、及びクロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。例えば、複数のソース線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４…）は、チタン、アルミニウム、チタンの３層積層膜である。

一例では、画素ＰＸ（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３、ＰＸ４、ＰＸ５、ＰＸ６…）は、ゲート線Ｇとソース線Ｓとで囲われている領域に相当する。図中において、画素ＰＸは、隣接２本のゲート線、及び、隣接する２本のソース線によって区画する領域に相当する。平面視した場合、画素ＰＸの形状は、例えば、第１方向Ｘに沿った長さが第２方向Ｙに沿った長さよりも短い長方形状である。なお、平面視した場合、画素ＰＸの形状は、長方形状に限らず、適宜に変更することができる。図示した例では、画素ＰＸ１は、ゲート線Ｇ１及びＧ２とソース線Ｓ１及びＳ２とが成すマス目の領域に相当している。画素ＰＸ２は、ゲート線Ｇ１及びＧ２とソース線Ｓ２及びＳ３とが成すマス目の領域に相当している。画素ＰＸ３は、ゲート線Ｇ１及びＧ２とソース線Ｓ３及びＳ４とが成すマス目の領域に相当している。画素ＰＸ４は、ゲート線Ｇ２及びＧ３とソース線Ｓ１及びＳ２とが成すマス目の領域に相当している。画素ＰＸ５は、ゲート線Ｇ２及びＧ３とソース線Ｓ２及びＳ３とが成すマス目の領域に相当している。画素ＰＸ６は、ゲート線Ｇ２及びＧ３とソース線Ｓ５及びＳ６とが成すマス目の領域に相当している。

画素電極ＰＥ（ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、ＰＥ４、ＰＥ５、ＰＥ６、…）は、各画素ＰＸ（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３、ＰＸ４、ＰＸ５、ＰＸ６、…）に配置されている。図中において、画素電極ＰＥは、隣接する２本のゲート線Ｇと隣接する２本のソース線Ｓとで囲まれた領域に配置されている。画素電極ＰＥ（ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、ＰＥ４、ＰＥ５、ＰＥ６、…）は、コンタクトホールＣＨ１を介して中継電極ＲＥ（ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３、ＲＥ４、ＲＥ５、ＲＥ６、…）に電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、画像信号に対応した電位を印加される。例えば、画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと異なる電位を有している。図示した例では、画素電極ＰＥは、第１方向Ｘの長さよりも第２方向Ｙの長さが長い矩形形状に形成されている。なお、画素電極ＰＥは、第１方向Ｘの長さよりも第２方向Ｙの長さが長い矩形形状以外の形状に形成されていてもよい。画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと同じ透明導電材料で形成されている。なお、画素電極ＰＥは、表示に寄与する領域と重なる部分が透明であればよく、その他の部分については透明でない材料で形成されていてもよい。

図２に示した例では、画素電極ＰＥは、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、ＰＥ４、ＰＥ５、及びＰＥ６を有している。図中において、画素電極ＰＥ１は、画素ＰＸ１に配置されている。画素電極ＰＥ１は、隣接する２本のゲート線Ｇ１及びＧ２と隣接する２本のソース線Ｓ１及びＳ２とで囲まれた領域に配置されている。画素電極ＰＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を介して中継電極ＲＥ１に電気的に接続されている。中継電極ＲＥ１は、スイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続されている。図中において、画素電極ＰＥ２は、画素ＰＸ２に配置されている。画素電極ＰＥ２は、隣接する２本のゲート線Ｇ１及びＧ２と隣接する２本のソース線Ｓ２及びＳ３とで囲まれた領域に配置されている。画素電極ＰＥ２は、コンタクトホールＣＨ１を介して中継電極ＲＥ２に電気的に接続されている。中継電極ＲＥ２は、スイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続されている。図中において、画素電極ＰＥ３は、画素ＰＸ３に配置されている。画素電極ＰＥ３は、隣接する２本のゲート線Ｇ１及びＧ２と隣接する２本のソース線Ｓ３及びＳ４とで囲まれた領域に配置されている。画素電極ＰＥ３は、コンタクトホールＣＨ１を介して中継電極ＲＥ３に電気的に接続されている。中継電極ＲＥ３は、スイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続されている。図中において、画素電極ＰＥ４は、画素ＰＸ４に配置されている。画素電極ＰＥ４は、隣接する２本のゲート線Ｇ２及びＧ３と隣接する２本のソース線Ｓ１及びＳ２とで囲まれた領域に配置されている。画素電極ＰＥ４は、コンタクトホールＣＨ１を介して中継電極ＲＥ４に電気的に接続されている。中継電極ＲＥ４は、スイッチング素子ＳＷ４と電気的に接続されている。図中において、画素電極ＰＥ５は、画素ＰＸ５に配置されている。画素電極ＰＥ５は、隣接する２本のゲート線Ｇ２及びＧ３と隣接する２本のソース線Ｓ２及びＳ３とで囲まれた領域に配置されている。画素電極ＰＥ５は、コンタクトホールＣＨ１を介して中継電極ＲＥ５に電気的に接続されている。中継電極ＲＥ５は、スイッチング素子ＳＷ５と電気的に接続されている。図中において、画素電極ＰＥ６は、画素ＰＸ６に配置されている。画素電極ＰＥ６は、隣接する２本のゲート線Ｇ２及びＧ３と隣接する２本のソース線Ｓ３及びＳ４とで囲まれた領域に配置されている。画素電極ＰＥ６は、コンタクトホールＣＨ１を介して中継電極ＲＥ６に電気的に接続されている。中継電極ＲＥ６は、スイッチング素子ＳＷ６と電気的に接続されている。

中継電極ＲＥ（ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３、ＲＥ４、ＲＥ５、ＲＥ６、…）は、コンタクトホールＣＨ２を介してスイッチング素子ＳＷ（ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４、ＳＷ５、ＳＷ６、…）と電気的に接続されている。図中のコンタクトホールＣＨ２は、中継電極ＲＥとスイッチング素子ＳＷとを電気的に接続するためのコンタクトホールである。中継電極ＲＥは、例えば、ソース線Ｓと同一材料によって形成されている。例えば、中継電極ＲＥは、ソース線Ｓと異なる材料で形成されていてもよい。

図２に示した例では、中継電極ＲＥは、中継電極ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３、ＲＥ４、ＲＥ５、及びＲＥ６を有している。中継電極ＲＥ１は、コンタクトホールＣＨ２を介してスイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続されている。中継電極ＲＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を介してスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続されている。中継電極ＲＥ３は、コンタクトホールＣＨ２を介してスイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続されている。中継電極ＲＥ４は、コンタクトホールＣＨ２を介してスイッチング素子ＳＷ４と電気的に接続されている。中継電極ＲＥ５は、コンタクトホールＣＨ２を介してスイッチング素子ＳＷ５と電気的に接続されている。中継電極ＲＥ６は、コンタクトホールＣＨ２を介してスイッチング素子ＳＷ６と電気的に接続されている。

スイッチング素子ＳＷは、中継電極ＲＥとソース線Ｓとに電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷは、コンタクトホールＣＨ３を介してソース線Ｓと電気的に接続されている。図中のコンタクトホールＣＨ３は、スイッチング素子ＳＷとソース線Ｓとを電気的に接続するためのコンタクトホールである。なお、スイッチング素子ＳＷは、中継電極ＲＥを含んでいてもよい。

図２に示した例では、スイッチング素子ＳＷは、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４、ＳＷ５、及びＳＷ６を有している。スイッチング素子ＳＷ１は、中継電極ＲＥ１とソース線Ｓ２とに電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷ１は、コンタクトホールＣＨ３を介してソース線Ｓ２と電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷ２は、中継電極ＲＥ２とソース線Ｓ３とに電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷ２は、コンタクトホールＣＨ３を介してソース線Ｓ３と電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷ３は、中継電極ＲＥ３とソース線Ｓ４とに電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷ３は、コンタクトホールＣＨ３を介してソース線Ｓ４と電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷ４は、中継電極ＲＥ４とソース線Ｓ２とに電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷ４は、コンタクトホールＣＨ３を介してソース線Ｓ２と電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷ５は、中継電極ＲＥ５とソース線Ｓ３とに電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷ５は、コンタクトホールＣＨ３を介してソース線Ｓ３と電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷ６は、中継電極ＲＥ６とソース線Ｓ４とに電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷ６は、コンタクトホールＣＨ３を介してソース線Ｓ４と電気的に接続されている。

複数の遮光層ＬＳ（ＬＳ１、ＬＳ２、ＬＳ３、ＬＳ４…）は、所定の間隔をおいて第１方向Ｘに並んでいる。複数の遮光層ＬＳ（ＬＳ１、ＬＳ２、ＬＳ３…）は、それぞれ、複数のソース線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４…）に沿って第２方向Ｙに延出している。なお、複数の遮光層ＬＳは、それぞれ、複数のゲート線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３…）に沿って第１方向Ｘに延出していてもよい。複数の遮光層ＬＳは、直線状に延出していてもよいし、屈曲していてもよい。複数の遮光層ＬＳは、複数のソース線Ｓに重畳している。なお、複数の遮光層ＬＳは、複数のゲート線Ｇに重畳していてもよい。複数の遮光層ＬＳは、遮光性を有する材料で形成されている。一例では、複数の遮光層ＬＳは、モリブデンタングステン合金で形成されている。

図２に示した例では、遮光層ＬＳは、遮光層ＬＳ１、ＬＳ２、ＬＳ３、及びＬＳ４を有している。遮光層ＬＳ１は、ソース線Ｓ１に沿って第２方向Ｙに延出している。遮光層ＬＳ１は、ソース線Ｓ１に重畳している。遮光層ＬＳ２は、ソース線Ｓ２に沿って第２方向Ｙに延出している。遮光層ＬＳ２は、ソース線Ｓ２に重畳している。遮光層ＬＳ３は、ソース線Ｓ３に沿って第２方向Ｙに延出している。遮光層ＬＳ３は、ソース線Ｓ３に重畳している。遮光層ＬＳ４は、ソース線Ｓ４に沿って第２方向Ｙに延出している。遮光層ＬＳ４は、ソース線Ｓ４に重畳している。

図３は、本実施形態に係る第２基板ＳＵＢ２の一例を示す平面図である。ここでは、図２に示した第１基板ＳＵＢ１の主要部を点線で示している。
第２基板ＳＵＢ２は、遮光層（遮光材又はブラックマトリクス）ＢＭ、及びカラーフィルタＣＦなどを備えている。
遮光層ＢＭは、格子状に形成されている。なお、遮光層ＢＭは、はしご状やストライプ状などの格子状以外の構成であってもよい。図３に示した例では、遮光層ＢＭは、複数の縦部分ＢＭＹと、複数の横部分ＢＭＸとを有している。複数の縦部分ＢＭＹは、間隔を置いて第１方向Ｘに並んでいる。複数の縦部分ＢＭＹは、第２方向Ｙに延出している。複数の縦部分ＢＭＹは、第１方向Ｘにほぼ一定の幅を有する帯状に形成されている。なお、複数の縦部分ＢＭＹは、第１方向Ｘにほぼ一定の幅を有する帯状に形成されていなくてもよい。縦部分ＢＭＹは、ソース線Ｓ及び遮光層ＬＳと重畳している。図３に示した例では、縦部分ＢＭＹは、縦部分ＢＭＹ１、ＢＭＹ２、ＢＭＹ３、及びＢＭＹ４を有している。縦部分ＢＭＹ１は、ソース線Ｓ１及び遮光層ＬＳ１と重畳している。縦部分ＢＭＹ２は、ソース線Ｓ２及び遮光層ＬＳ２と重畳している。縦部分ＢＭＹ３は、ソース線Ｓ３及び遮光層ＬＳ３と重畳している。縦部分ＢＭＹ４は、ソース線Ｓ４及び遮光層ＬＳ４と重畳している。複数の横部分ＢＭＸは、間隔を置いて第２方向Ｙに並んでいる。複数の横部分ＢＭＸは、第１方向Ｘに延出している。複数の横部分ＢＭＸは、第２方向Ｙにほぼ一定の幅を有する帯状に形成されている。なお、複数の横部分ＢＭＸは、第２方向Ｙにほぼ一定の幅を有する帯状に形成されていなくてもよい。横部分ＢＭＸは、ゲート線Ｇと重畳している。図３に示した例では、横部分ＢＭＸは、横部分ＢＭＸ１、ＢＭＸ２、及びＢＭＸ３を有している。横部分ＢＭＸ１は、ゲート線Ｇ１と重畳している。横部分ＢＭＸ２は、ゲート線Ｇ２と重畳している。横部分ＢＭＸ３は、ゲート線Ｇ３と重畳している。横部分ＢＭＸの第２方向Ｙの縦幅は、ゲート線Ｇの第２方向Ｙの縦幅以上である。また、横部分ＢＭＸの第２方向Ｙの縦幅は、例えば、ゲート線Ｇ、中継電極ＲＥ、及びスイッチング素子ＳＷを覆う幅を有している。なお、横部分ＢＭＸの縦幅は、ゲート線Ｇ、中継電極ＲＥ、及びスイッチング素子ＳＷを覆う幅を有していなくともよい。縦部分ＢＭＹ及び横部分ＢＭＸは、平面視した場合、交差している。図３に示した例では、縦部分ＢＭＹと横部分ＢＭＸとは、平面視した場合、十字状に交差している。なお、縦部分ＢＭＹと横部分ＢＭＸとは、平面視した場合、十字状以外の状態で交差していてもよい。

開口部ＯＰは、遮光層ＢＭによって区画され、表示に寄与する領域である。開口部ＯＰは、Ｘ―Ｙ平面上にマトリクス状に並んでいる。一例では、開口部ＯＰは、開口部ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３，ＯＰ４、ＯＰ５、及びＯＰ６を有している。図３に示した例では、開口部ＯＰ１は、縦部分ＢＭＹ１及びＢＭＹ２と横部分ＢＭＸ１及びＢＭＸ２とで囲まれた領域に相当する。開口部ＯＰ１は、画素ＰＸ１に対向している。開口部ＯＰ２は、縦部分ＢＭＹ２及びＢＭＹ３と横部分ＢＭＸ１及びＢＭＸ２とで囲まれた領域に相当する。開口部ＯＰ２は、画素ＰＸ２に対向している。開口部ＯＰ３は、縦部分ＢＭＹ３及びＢＭＹ４と横部分ＢＭＸ１及びＢＭＸ２とで囲まれた領域に相当する。開口部ＯＰ３は、画素ＰＸ３に対向している。開口部ＯＰ４は、縦部分ＢＭＹ１及びＢＭＹ２と横部分ＢＭＸ２及びＢＭＸ３とで囲まれた領域に相当する。開口部ＯＰ４は、画素ＰＸ４に対向している。開口部ＯＰ５は、縦部分ＢＭＹ２及びＢＭＹ３と横部分ＢＭＸ２及びＢＭＸ３とで囲まれた領域に相当する。開口部ＯＰ５は、画素ＰＸ５に対向している。開口部ＯＰ６は、縦部分ＢＭＹ３及びＢＭＹ４と横部分ＢＭＸ２及びＢＭＸ３とで囲まれた領域に相当する。開口部ＯＰ６は、画素ＰＸ６に対向している。

カラーフィルタＣＦは、開口部ＯＰと重畳するように設けられている。カラーフィルタＣＦは、第１色のカラーフィルタと、第２色のカラーフィルタと、第３色のカラーフィルタとを含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、カラーフィルタＣＦは、第１色、第２色、及び第３色と異なる第４色のカラーフィルタを有していてもよい。第１色のカラーフィルタは、例えば、赤色カラーフィルタであり、第２色のカラーフィルタは、例えば、緑色カラーフィルタであり、第２色のカラーフィルタは、例えば、青色カラーフィルタである。なお、第４色のカラーフィルタは、例えば、白色カラーフィルタである。

図３に示した例では、カラーフィルタＣＦは、カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３、ＣＦ４、ＣＦ５、及びＣＦ６を有している。カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ６は、それぞれ、第１色のカラーフィルタ、第２色のカラーフィルタ、又は第３色のカラーフィルタである。なお、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ６は、それぞれ、第１色のカラーフィルタ、第２色のカラーフィルタ、第３色のカラーフィルタ、又は第４色のカラーフィルタであってもよい。カラーフィルタＣＦ１は、開口部ＯＰ１に設けられている。カラーフィルタＣＦ２は、開口部ＯＰ２に設けられている。カラーフィルタＣＦ３は、開口部ＯＰ３に設けられている。カラーフィルタＣＦ４は、開口部ＯＰ４に設けられている。カラーフィルタＣＦ５は、開口部ＯＰ５に設けられている。カラーフィルタＣＦ６は、開口部ＯＰ６に設けられている。

図４は、図２及び図３の表示パネルＰＮＬの一例を示す断面図である。
第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、アンダーコート層ＵＣ、絶縁層１１、１２、１３、１４、ソース線Ｓ（Ｓ２及びＳ３）、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ（ＰＥ１、ＰＥ２、及びＰＥ３）、遮光層ＬＳ（ＬＳ２及びＬＳ３）、及び配向膜ＡＬ１などを備えている。なお、絶縁層１１乃至１４は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、アンダーコート層ＵＣ、絶縁層１１、１２、１３、１４、ソース線Ｓ（Ｓ２及びＳ３）、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ（ＰＥ１、ＰＥ２、及びＰＥ３）、遮光層ＬＳ（ＬＳ２及びＬＳ３）、及び配向膜ＡＬ１以外の層を含んでいてもよい。第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、アンダーコート層ＵＣ、絶縁層１１、１２、１３、１４、ソース線Ｓ（Ｓ２及びＳ３）、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ（ＰＥ１、ＰＥ２、及びＰＥ３）、遮光層ＬＳ（ＬＳ２及びＬＳ３）、及び配向膜ＡＬ１の内の少なくとも１つの層を含んでいなくてもよい。偏光板ＰＬ１は、絶縁基板１０の下に設けられている。アンダーコート層ＵＣ、絶縁層１１、及び絶縁層１２を積層膜ＬＦと表現する場合もある。

絶縁基板１０は、透明であり、一例ではホウケイ酸ガラス等のガラスで形成されているが、プラスチック等の樹脂で形成されていてもよい。
アンダーコート層ＵＣは、絶縁基板１０の上に位置している。アンダーコート層ＵＣは、絶縁性の材料で形成されている。アンダーコート層ＵＣは、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。例えば、アンダーコート層ＵＣは、シリコン窒化物膜とシリコン酸化物膜とを含んでいる。

絶縁層１１乃至１４は、いずれも透明である。絶縁層１１、１２、及び１４は、無機絶縁膜である。一例では、絶縁層１１、１２、及び１４は、窒化ケイ素あるいは酸化ケイ素で形成されている。また、絶縁層１１は、ＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）であってもよい。絶縁層１３は、有機絶縁膜である。一例では、絶縁層１３は、アクリル樹脂などの樹脂で形成されている。絶縁層１１は、アンダーコート層ＵＣの上に位置している。絶縁層１２は、絶縁層１１の上に位置している。絶縁層１３は、絶縁層１２の上に位置している。絶縁層１４は、絶縁層１２の上に位置し、且つ共通電極ＣＥの上に位置している。

ソース線Ｓ（Ｓ２及びＳ３）は、絶縁層１２の上に位置している。言い換えると、ソース線Ｓは、絶縁層１２及び１３の間に位置している。ソース線Ｓ２及びＳ３は、第１方向Ｘに間隔を置いて、絶縁層１２の上に位置している。ソース線Ｓ（Ｓ２及びＳ３）の第１方向Ｘの横幅ＳＷｄ１は、遮光層ＢＭの第１方向Ｘの横幅ＢＷｄ以下である。例えば、ソース線Ｓの横幅ＳＷｄ１は、２．５μｍである。なお、ソース線Ｓ２及びＳ３の横幅は、２．５μｍ以下の幅であってもよいし、２．５μｍ以上の幅であってもよい。また、ソース線Ｓ２及びＳ３の横幅は、異なっていてもよい。

共通電極ＣＥは、絶縁層１３の上に位置している。言い換えると、共通電極ＣＥは、絶縁層１３及び１４の間に位置している。共通電極ＣＥは、複数の画素電極ＰＥに亘って延在している。一例では、共通電極ＣＥは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＧＯ（indium gallium oxide）等の透明な導電材料で形成されている。なお、共通電極ＣＥは、表示に寄与する領域と重なる部分が透明であればよく。その他の部分については透明でない材料で形成されていてもよい。

画素電極ＰＥ（ＰＥ１、ＰＥ２、及びＰＥ３）は、絶縁層１４の上に位置している。画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、及びＰＥ３は、第１方向Ｘに間隔を置いて、絶縁層１４の上に位置している。

遮光層ＬＳ（ＬＳ２及びＬＳ３）は、絶縁基板１０の上に位置している。言い換えると、遮光層ＬＳは、絶縁基板１０及びアンダーコート層ＵＣの間に位置している。遮光層ＬＳ２及びＬＳ３は、第１方向Ｘに間隔を置いて、絶縁基板１０の上に位置している。遮光層ＬＳは、ソース線Ｓの直下に位置している。言い換えると、遮光層ＬＳは、ソース線Ｓに重畳している。図４に示した例では、遮光層ＬＳ２は、ソース線Ｓ２の直下に位置し、遮光層ＬＳ３は、ソース線Ｓ３の直下に位置している。言い換えると、遮光層ＬＳ２は、ソース線Ｓ２に重畳し、遮光層ＬＳ３は、ソース線Ｓ３に重畳している。遮光層ＬＳ（ＬＳ２及びＬＳ３）の第１方向Ｘの横幅ＬＷｄ１は、遮光層ＢＭの横幅ＢＷｄ以上である。言い換えると、遮光層ＬＳ（ＬＳ２及びＬＳ３）の横幅ＬＷｄ１は、ソース線Ｓの横幅ＳＷｄ１以上である。例えば、遮光層ＬＳの横幅ＬＷｄ１は、ソース線Ｓの横幅ＳＷｄ１の２倍以上である。例えば、遮光層ＬＳの横幅ＬＷｄ１は、５．０μｍ乃至９．０μｍである。例えば、遮光層ＬＳの横幅ＬＷｄ１は、５．０μｍである。言い換えると、例えば、遮光層ＬＳの横幅ＬＷｄ１は、遮光層ＢＭの横幅ＢＷｄと同じである。
配向膜ＡＬ１は、絶縁層１４及び画素電極ＰＥを覆っている。配向膜ＡＬ１は、配向処理されたポリイミド膜である。

液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１の上、且つ第２基板ＳＵＢ２の下に位置している。言い換えると、液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に位置している。液晶層ＬＣは、正の誘電率異方性を有するポジ型であってもよいし、負の誘電率異方性を有するネガ型であってもよい。

第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１及び液晶層ＬＣの上に位置している。第２基板ＳＵＢ２は、絶縁基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、及び配向膜ＡＬ２などを備えている。なお、第２基板ＳＵＢ２は、絶縁基板２０、オーバーコート層ＯＣ、カラーフィルタＣＦ、遮光層ＢＭ、及び配向膜ＡＬ２以外の層を含んでいてもよい。第２基板ＳＵＢ２は、絶縁基板２０、オーバーコート層ＯＣ、カラーフィルタＣＦ、遮光層ＢＭ、及び配向膜ＡＬ２の内の少なくとも１つの層を含んでいなくてもよい。偏光板ＰＬ２は、絶縁基板２０の上に設けられている。偏光板ＰＬ１と偏光板ＰＬ２との吸収軸は、平面視した場合に直交するように設定されている。

絶縁基板２０は、透明であり、一例ではホウケイ酸ガラス等のガラスで形成されているが、プラスチック等の樹脂で形成されていてもよい。
遮光層ＢＭは、絶縁基板２０の下に位置している。遮光層ＢＭＹ２及びＢＭＹ３は、第１方向Ｘに間隔を置いて、絶縁基板２０の下に位置している。遮光層ＢＭ（ＢＭＹ２及びＢＭＹ３）は、ソース線Ｓ（Ｓ２及びＳ３）及び遮光層ＬＳ（ＬＳ２及びＬＳ３）の直上に位置している。言い換えると、遮光層ＢＭは、ソース線Ｓ及び遮光層ＬＳに重畳している。図４に示した例では、遮光層ＢＭＹ２は、ソース線Ｓ２及び遮光層ＬＳ２の直上に位置し、遮光層ＢＭＹ３は、ソース線Ｓ３及び遮光層ＬＳ３の直上に位置している。言い換えると、遮光層ＢＭＹ２は、ソース線Ｓ２及び遮光層ＬＳ２に重畳し、遮光層ＢＭＹ３は、ソース線Ｓ３及び遮光層ＬＳ３に重畳している。遮光層ＢＭＹ（ＢＭＹ２及びＢＭＹ３）の横幅ＢＷｄは、ソース線Ｓの横幅ＳＷｄ１以上である。例えば、遮光層ＢＭＹ（ＢＭＹ２及びＢＭＹ３）の横幅ＢＷｄは、５．０μｍである。

カラーフィルタＣＦは、絶縁基板２０及び遮光層ＢＭの下に位置している。図４に示した例では、カラーフィルタＣＦ１は、遮光層ＢＭＹ２の一部を覆っている。カラーフィルタＣＦ１は、画素電極ＰＥ１に対向している。カラーフィルタＣＦ２は、遮光層ＢＭＹ２の一部と遮光層ＢＭＹ３の一部とを覆っている。カラーフィルタＣＦ２は、画素電極ＰＥ２に対向している。カラーフィルタＣＦ３は、遮光層ＢＭＹ３の一部を覆っている。カラーフィルタＣＦ３は、画素電極ＰＥ３に対向している。なお、カラーフィルタＣＦは、第１基板ＳＵＢ１に配置されていてもよい。カラーフィルタＣＦは、配置されていなくてもよい。

オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦの下に位置している。オーバーコート層ＯＣは、透明な絶縁層である。オーバーコート層ＯＣは、遮光層ＢＭに対応する部分が下に突出していてもよい。例えば、オーバーコート層ＯＣは、遮光層ＢＭＹ２に対応する部分が下に突出し、遮光層ＢＭＹ３に対応する部分が下に突出していてもよい。なお、オーバーコート層ＯＣは、遮光層ＢＭＹ２に対応する部分が下に突出していなくてもよいし、遮光層ＢＭＹ３に対応する部分が下に突出していなくてもよい。
配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。配向膜ＡＬ２は、配向処理されたポリイミド膜である。
配向膜ＡＬ１及びＡＬ２は、例えば、Ｘ－Ｙ平面にほぼ平行な配向規制力を有する水平配向膜である。配向規制力は、ラビング処理により付与されてもよいし、光配向処理により付与されてもよい。

本実施形態によれば、表示装置ＤＳＰは、互いに対向する第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に保持された液晶層ＬＣとを備えている。第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、アンダーコート層ＵＣ、絶縁層１１乃至１４、ソース線Ｓ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、遮光層ＬＳ、及び配向膜ＡＬ１などを備えている。遮光層ＬＳは、絶縁基板１０の上に位置している。アンダーコート層ＵＣは、遮光層ＬＳ及び絶縁基板１０の上に位置している。言い換えると、アンダーコート層ＵＣは、遮光層ＬＳ及び絶縁基板１０を覆っている。絶縁層１１は、アンダーコート層ＵＣの上に位置している。絶縁層１２は、絶縁層１１の上に位置している。ソース線Ｓは、絶縁層１２の上に位置している。絶縁層１３は、ソース線Ｓ及び絶縁層１２の上に位置している。言い換えると、絶縁層１３は、ソース線Ｓ及び絶縁層１２を覆っている。第２基板ＳＵＢ２は、絶縁基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、及び配向膜ＡＬ２などを備えている。遮光層ＢＭは、絶縁基板２０の下に位置している。カラーフィルタＣＦは、遮光層ＢＭ及び絶縁基板２０の下に位置している。言い換えると、カラーフィルタＣＦは、遮光層ＢＭ及び絶縁基板２０を覆っている。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦの下に位置している。遮光層ＬＳは、ソース線Ｓ及び遮光層ＢＭに重畳している。言い換えると、遮光層ＬＳは、ソース線Ｓ及び遮光層ＢＭに対向している。遮光層ＢＭＹの横幅ＢＷｄは、ソース線Ｓの横幅ＳＷｄ１以上である。例えば、遮光層ＢＭＹの横幅ＢＷｄは、５．０μｍである。例えば、ソース線Ｓの横幅ＳＷｄ１は、２．５μｍである。遮光層ＬＳの横幅ＬＷｄ１は、ソース線Ｓの横幅ＳＷｄ１以上である。例えば、遮光層ＬＳの横幅ＬＷｄ１は、５．０μｍである。言い換えると、例えば、遮光層ＬＳの横幅ＬＷｄ１は、遮光層ＢＭの横幅ＢＷｄと同じである。遮光層ＬＳは、ソース線Ｓの側面における光の反射を防止する。つまり、遮光層ＬＳは、ソース線Ｓの側面で迷光線が発生することを防止する。そのため、本実施形態の表示装置ＤＳＰは、斜め視した場合の黒色の利用率（黒透過率）を低減することができる。つまり、本実施形態の表示装置ＤＳＰは、斜め視した場合のコントラストを改善できる。したがって、表示品位を改善可能な表示装置を提供することができる。

次に、本実施形態の他の実施形態及び変形例に係る表示装置について説明する。以下に説明する本実施形態の他の実施形態及び変形例において、前述した第１実施形態と同一の部分には、同一の参照符号を付しその詳細な説明を省略し、前述した実施形態と異なる部分を中心に詳細に説明する。なお、他の実施形態及び変形例においても、前述の第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（変形例１）
変形例１の表示装置ＤＳＰは、遮光層ＬＳの構成が前述した第１実施形態の表示装置ＤＳＰと相違する。
図５は、変形例１に係る表示パネルＰＮＬの一例を示す断面図である。
遮光層ＬＳ（ＬＳ２及びＬＳ３）の横幅ＬＷｄ２は、遮光層ＢＭの横幅ＢＷｄよりも大きい。例えば、遮光層ＬＳ（ＬＳ２及びＬＳ３）の横幅ＬＷｄ２は、遮光層ＢＭの横幅ＢＷｄの２倍よりも大きい。例えば、遮光層ＬＳの横幅ＬＷｄ２は、９．０μｍである。遮光層ＬＳは、第１方向Ｘにおいて、ソース線Ｓ及び遮光層ＢＭよりも開口部ＯＰ側に延出している。例えば、遮光層ＬＳ２は、第1方向Ｘにおいて、ソース線Ｓ２及び遮光層（縦部分）ＢＭＹ２よりも開口部ＯＰ１側に延出し、且つソース線Ｓ３及び遮光層（縦部分）ＢＭＹ３よりも開口部ＯＰ２側に延出している。遮光層ＬＳ３は、第１方向Ｘにおいて、ソース線Ｓ２及び遮光層（縦部分）ＢＭＹ２よりも開口部ＯＰ２側に延出し、且つソース線Ｓ３及び遮光層（縦部分）ＢＭＹ３よりも開口部ＯＰ３側に延出している。

このような変形例１においても、第１実施形態と同様の効果がある。加えて、第１実施形態の表示装置ＤＳＰの横幅ＬＷｄ１の遮光層ＬＳよりも変形例１の表示装置ＤＳＰの横幅ＬＷｄ２の遮光層ＬＳの方が、例えば、照明装置ＢＬから出射される光の遮光性を向上できる。

（第２実施形態）
第２実施形態の表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１の構成が前述した第１実施形態及び変形例１の表示装置ＤＳＰと相違する。

図６は、第２実施形態に係る表示パネルＰＮＬの一例を示す断面図である。
第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、積層膜ＬＦ、絶縁層１３、１４、ソース線Ｓ（Ｓ２及びＳ３）、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ（ＰＥ１、ＰＥ２、及びＰＥ３）、遮光層ＬＳ（ＬＳ２及びＬＳ３）、及び配向膜ＡＬ１などを備えている。

積層膜ＬＦは、絶縁基板１０の上に位置している。積層膜ＬＦは、開口部ＯＰに対向する部分の少なくとも一部において除去されている。積層膜ＬＦは、積層膜ＬＦを介さずに開口部ＯＰが絶縁基板１０と重畳するように間隔を置いて配置している。言い換えると、積層膜ＬＦは、積層膜ＬＦを介さず開口部ＯＰが絶縁基板１０と重畳するように島状に配置している。図６に示した例では、積層膜ＬＦは、積層膜ＬＦ２及びＬＦ３を有している。積層膜ＬＦ２及びＬＦ３は、第１方向Ｘに間隔を置いて、絶縁基板１０の上に位置している。積層膜ＬＦ２及びＬＦ３の間の部分において、開口部ＯＰ２は、積層膜ＬＦ２及びＬＦ３を介さずに絶縁基板１０に重畳している。積層膜ＬＦは、ソース線Ｓ及び遮光層ＢＭの直下に位置している。図６に示した例では、積層膜ＬＦ２は、ソース線Ｓ２及び遮光層ＢＭＹ２の直下に位置している。積層膜ＬＦ３は、ソース線Ｓ３及び遮光層ＢＭＹ３の直下に位置している。積層膜ＬＦは、ソース線Ｓ及び遮光層ＢＭに重畳している。言い換えると、積層膜ＬＦは、ソース線Ｓ及び遮光層ＢＭに対向している。図６に示している例では、積層膜ＬＦ２は、ソース線Ｓ２及び遮光層ＢＭＹ２に重畳し、積層膜ＬＦ３は、ソース線Ｓ３及び遮光層ＢＭＹ３に重畳している。言い換えると、積層膜ＬＦ２は、ソース線Ｓ２及び遮光層ＢＭＹ２に対向し、積層膜ＬＦ３は、ソース線Ｓ３及び遮光層ＢＭＹ３に対向している。積層膜ＬＦの横幅ＦＷｄ１は、ソース線Ｓの横幅ＳＷｄ１以上である。積層膜ＬＦの横幅ＦＷｄ１は、遮光層ＢＭの横幅ＢＷｄ以上である。なお、積層膜ＬＦの横幅ＦＷｄ１は、遮光層ＢＭの横幅ＢＷｄ以下であってもよい。例えば、積層膜ＬＦの第１方向Ｘの横幅ＦＷｄ１は、５．０μｍである。つまり、例えば、積層膜ＬＦの第１方向Ｘの横幅ＦＷｄ１は、遮光層ＢＭＹの第１方向Ｘの横幅ＢＷｄと同じである。なお、積層膜ＬＦ２の横幅と、積層膜ＬＦ３の横幅とは、異なっていてもよい。積層膜ＬＦは、画素電極ＰＥに重畳していない。図６に示した例では、積層膜ＬＦ２は、画素電極ＰＥ１及びＰＥ２に重畳していない。積層膜ＬＦ３は、画素電極ＰＥ２及びＰＥ３に重畳していない。なお、積層膜ＬＦは、画素電極ＰＥに重畳していてもよい。図６に示した例では、積層膜ＬＦ２は、画素電極ＰＥ１及びＰＥ２に重畳していてもよい。積層膜ＬＦ３は、画素電極ＰＥ２及びＰＥ３に重畳していてもよい。また、積層膜ＬＦは、開口部ＯＰに重畳していない。図６に示した例では、積層膜ＬＦ２は、開口部ＯＰ１及びＯＰ２に重畳していない。積層膜ＬＦ３は、開口部ＯＰ２及びＯＰ３に重畳していない。なお、積層膜ＬＦは、開口部ＯＰに重畳していてもよい。図６に示した例では、積層膜ＬＦ２は、開口部ＯＰ１及びＯＰ２に重畳していてもよい。積層膜ＬＦ３は、開口部ＯＰ２及びＯＰ３に重畳していてもよい。例えば、積層膜ＬＦは、屈折率の異なる複数の層が積層されて構成され得る。図６に示した例では、積層膜ＬＦは、アンダーコート層ＵＣ、絶縁層１１、及び絶縁層１２の３つの層が記載の順番で上側に積層されて構成されている。なお、積層膜ＬＦは、４つ以上の層が積層されて構成されていてもよい。

絶縁層１３は、絶縁基板１０、積層膜ＬＦ、及びソース線Ｓの上に位置している。言い換えると、絶縁層１３は、絶縁基板１０の上に位置し、積層膜ＬＦ及びソース線Ｓを覆っている。絶縁層１３は、積層膜ＬＦの側面に接触している。図６に示した例では、絶縁層１３は、積層膜ＬＦ２及びＬＦ３の側面にそれぞれ接触している。また、絶縁層１３は、積層膜ＬＦ２及びＬＦ３の間において、絶縁基板１０に接触している。絶縁層１３は、第１方向Ｘにおいて、積層膜ＬＦ２及びＬＦ３の間に位置している。積層膜ＬＦ（ＬＦ２及びＬＦ３）又はソース線Ｓ（Ｓ２及びＳ３）に対応する絶縁層１３の厚さＴＨ１は、積層膜ＬＦが除去された部分、例えば、積層膜ＬＦ２及びＬＦ３の第１方向Ｘの間の部分に対応する絶縁層１３の厚さＴＨ２よりも小さい。言い換えると、絶縁層１３の厚さＴＨ２は、絶縁層１３の厚さＴＨ１よりも大きい。

ソース線Ｓ（Ｓ２及びＳ３）は、積層膜ＬＦの上に位置している。言い換えると、ソース線Ｓは、積層膜ＬＦ及び絶縁層１３の間に位置している。図６に示した例では、ソース線Ｓ２は、積層膜ＬＦ２の上に位置し、ソース線Ｓ３は、積層膜ＬＦ３の上に位置している。ソース線Ｓ２は、積層膜ＬＦ２に重畳し、ソース線Ｓ３は、積層膜ＬＦ３に重畳している。言い換えると、ソース線Ｓ２は、積層膜ＬＦ２及び絶縁層１３の間に位置し、ソース線Ｓ３は、積層膜ＬＦ３及び絶縁層１３の間に位置している。

図７は、第２実施形態に係る表示パネルＰＮＬの一例を示す断面図である。
図７に示した例では、積層膜ＬＦは、積層膜ＬＦ４及びＬＦ５を有している。積層膜ＬＦ４及びＬＦ５は、第２方向Ｙに間隔を置いて、絶縁基板１０の上に位置している。積層膜ＬＦ４及びＬＦ５の間の部分において、開口部ＯＰ２は、積層膜ＬＦ４及びＬＦ５を介さずに絶縁基板１０に重畳している。積層膜ＬＦは、ゲート線Ｇ及び遮光層ＢＭの直下に位置している。図７に示した例では、積層膜ＬＦ４は、ゲート線Ｇ１及び遮光層（横部分）ＢＭＸ１の直下に位置している。積層膜ＬＦ５は、ゲート線Ｇ２及び遮光層（横部分）ＢＭＸ２の直下に位置している。積層膜ＬＦは、ゲート線Ｇ及び遮光層ＢＭに重畳している。言い換えると、積層膜ＬＦは、ゲート線Ｇ及び遮光層ＢＭに対向している。図７に示した例では、積層膜ＬＦ４は、ゲート線Ｇ１及び遮光層（横部分）ＢＭＸ１に重畳し、積層膜ＬＦ５は、ゲート線Ｇ２及び遮光層（横部分）ＢＭＸ２に重畳している。言い換えると、積層膜ＬＦ４は、ゲート線Ｇ１及び遮光層（横部分）ＢＭＸ１に対向し、積層膜ＬＦ５は、ゲート線Ｇ２及び遮光層（横部分）ＢＭＸ２に対向している。積層膜ＬＦの縦幅ＦＷｄ２は、ゲート線Ｇの縦幅ＧＷｄ１以上、且つ遮光層（横部分）ＢＭ（ＢＭＸ）の縦幅以下である。なお、積層膜ＬＦの縦幅ＦＷｄ２は、遮光層（横部分）ＢＭ（ＢＭＸ）の縦幅以上であってもよい。なお、積層膜ＬＦ４の縦幅と、積層膜ＬＦ５の縦幅とは、異なっていてもよい。図７に示した例では、積層膜ＬＦ４及びＬＦ５は、それぞれ、画素電極ＰＥに重畳していない。なお、積層膜ＬＦ４及びＬＦ５は、それぞれ、画素電極ＰＥに重畳していてもよい。図７に示した例では、積層膜ＬＦ４及びＬＦ５は、それぞれ、開口部ＯＰに重畳していない。なお、積層膜ＬＦ４及びＬＦ５は、それぞれ、開口部ＯＰ２に重畳していてもよい。

絶縁層１３は、絶縁基板１０、及び積層膜ＬＦの上に位置している。言い換えると、絶縁層１３は、絶縁基板１０の上に位置し、積層膜ＬＦ及びゲート線Ｇを覆っている。図７に示した例では、絶縁層１３は、積層膜ＬＦ４及びＬＦ５の側面にそれぞれ接触している。また、絶縁層１３は、積層膜ＬＦ４及びＬＦ５の間において、絶縁基板１０に接触している。絶縁層１３は、第２方向Ｙにおいて、積層膜ＬＦ４及びＬＦ５の間に位置している。積層膜ＬＦ（ＬＦ４及びＬＦ５）又はゲート線Ｇ（Ｇ１及びＧ２）に対応する絶縁層１３の厚さＴＨ３は、積層膜ＬＦが除去された部分、例えば、積層膜ＬＦ４及びＬＦ５の第２方向Ｙの間の部分に対応する絶縁層１３の厚さＴＨ４よりも小さい。言い換えると、絶縁層１３の厚さＴＨ４は、絶縁層１３の厚さＴＨ３よりも大きい。

ゲート線Ｇ（Ｇ１及びＧ２）は、積層膜ＬＦの間に位置している。ゲート線Ｇ（Ｇ１及びＧ２）は、アンダーコート層ＵＣの上に位置している。言い換えると、ゲート線Ｇ（Ｇ１及びＧ２）は、アンダーコート層ＵＣ及び絶縁層１１の間に位置している。ゲート線Ｇ１及びＧ２は、第２方向Ｙに間隔を置いて、絶縁層１１の上に位置している。図７に示した例では、ゲート線Ｇ１は、積層膜ＬＦ４の間に位置し、ゲート線Ｇ２は、積層膜ＬＦ５の間に位置している。言い換えると、ゲート線Ｇ１は、積層膜ＬＦ４の絶縁層１１及び１２の間に位置し、積層膜ＬＦ５の絶縁層１１及び１２の間に位置している。ゲート線Ｇ（Ｇ１及びＧ２）の第２方向Ｙの縦幅ＧＷｄ１は、積層膜ＬＦ（ＬＦ４及びＬＦ５）の第２方向Ｙの縦幅ＦＷｄ２以下である。なお、ゲート線Ｇ２及びＧ３の第２方向Ｙの縦幅は、異なっていてもよい。

以下で、図８及び図９を参照して、第２実施形態の表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。
図８及び図９は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰの第１基板ＳＵＢ１の絶縁層１３の製造工程の一例を示す断面図である。

図８に示すように、積層膜ＬＦ２及びＬＦ３は、絶縁基板１０の上に形成する。絶縁基板１０の上に積層膜ＬＦ２及びＬＦ３を形成した後に、ソース線Ｓ２及びＳ３は、それぞれ、積層膜ＬＦ２及びＬＦ３の上に配置する。ソース線Ｓ２及びＳ３をそれぞれ積層膜ＬＦ２及びＬＦ３の上に配置した後に、絶縁層１３は、絶縁基板１０、ソース線Ｓ２及びＳ３、積層膜ＬＦ２及びＬＦ３の上に形成する。このとき、絶縁層１３には、ソース線Ｓ２及び積層膜ＬＦ２が形成された部分の上に突出する凸部ＣＰ（ＣＰ１）と、ソース線Ｓ３及び積層膜ＬＦ３が形成された部分の上に突出する凸部ＣＰ（ＣＰ２）とが形成される。

図９に示すように、絶縁層１３を絶縁基板１０、ソース線Ｓ２及びＳ３、積層膜ＬＦ２及びＬＦ３の上に形成した後に、凸部ＣＰ（ＣＰ１及びＣＰ２）が削られて、絶縁層１３の上側の表面が平坦に加工される。例えば、凸部ＣＰ１及びＣＰ２がハーフ露光で削られて、絶縁層１３の上側の表面が平坦に加工される。例えば、凸部ＣＰ１及びＣＰ２が残っていると、凸部ＣＰ１及びＣＰ２の部分で液晶が斜めに配向され得るが、本実施形態のように凸部ＣＰ１及びＣＰ２を削ることで液晶が斜めに配向されることを防止できる。

第２実施形態によれば、表示装置ＤＳＰは、互いに対向する第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に保持された液晶層ＬＣとを備えている。第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、積層膜ＬＦ、絶縁層１３、１４、ソース線Ｓ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、遮光層ＬＳ（ＬＳ２及びＬＳ３）、及び配向膜ＡＬ１などを備えている。積層膜ＬＦは、絶縁基板１０の上に位置している。ソース線Ｓは、積層膜ＬＦの上に位置している。絶縁層１３は、絶縁基板１０、積層膜ＬＦ、及びソース線Ｓの上に位置している。言い換えると、絶縁層１３は、絶縁基板１０、積層膜ＬＦ、及びソース線Ｓを覆っている。積層膜ＬＦの横幅ＦＷｄ１は、遮光層ＢＭの横幅ＢＷｄ以上である。例えば、積層膜ＬＦの横幅ＦＷｄ１は、５．０μｍである。つまり、例えば、積層膜ＬＦの横幅ＦＷｄ１は、遮光層ＢＭＹの横幅ＢＷｄと同じである。積層膜ＬＦは、画素電極ＰＥに重畳していない。また、積層膜ＬＦは、開口部ＯＰに重畳していない。屈折率の差が生じている積層膜ＬＦ内において、表示装置ＤＳＰ内を斜めに進む光が各層の界面で反射し、迷光線が生じ得る。そのため、ソース線Ｓ及び遮光層ＢＭに対向する部分以外に積層膜ＬＦを設けていない第２実施形態の表示装置ＤＳＰは、迷光線の量を減少させ、黒輝度を下げ、コントラストを改善することができる。したがって、表示品位を改善可能な表示装置を提供することができる。

（変形例２）
第２実施形態に係る変形例２の表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１の構成が前述した第１実施形態、第２実施形態、及び変形例１の表示装置ＤＳＰと相違する。
図１０は、変形例２に係る表示パネルＰＮＬの一例を示す断面図である。
第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、積層膜ＬＦ、絶縁層１３、１４、ソース線Ｓ（Ｓ２及びＳ３）、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ（ＰＥ１、ＰＥ２、及びＰＥ３）、遮光層ＬＳ（ＬＳ２及びＬＳ３）、及び配向膜ＡＬ１などを備えている。

遮光層ＬＳは、絶縁基板１０の上に位置している。言い換えると、遮光層ＬＳは、絶縁基板１０及び積層膜ＬＦの間に位置している。遮光層ＬＳ２は、遮光層（縦部分）ＢＭＹ２、ソース線Ｓ２、及び積層膜ＬＦ２の直下に位置し、遮光層ＬＳ３は、遮光層（縦部分）ＢＭＹ３、ソース線Ｓ３、及び積層膜ＬＦ３の直下に位置している。言い換えると、遮光層ＬＳ２は、遮光層（縦部分）ＢＭＹ２、ソース線Ｓ２、及び積層膜ＬＦ３に重畳し、遮光層ＬＳ３は、遮光層（縦部分）ＢＭＹ３、ソース線Ｓ３、及び積層膜ＬＦ３に重畳している。遮光層ＬＳ（ＬＳ２及びＬＳ３）の横幅ＬＷｄ１は、積層膜ＬＦの横幅ＦＷｄ１以下であってもよいし、積層膜ＬＦの横幅ＦＷｄ１以上であってもよい。図１０に示した例では、遮光層ＬＳの横幅ＬＷｄ１は、積層膜ＬＦの横幅ＦＷｄ１と同じである。なお、遮光層ＬＳの横幅ＬＷｄ１は、積層膜ＬＦの横幅ＦＷｄ１と異なっていてもよい。
このような変形例２において、第１実施形態及び第２実施形態と同様の効果がある。

（変形例３）
第２実施形態に係る変形例３の表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１の構成が前述した第１実施形態、第２実施形態、変形例１、及び変形例２の表示装置ＤＳＰと相違する。
図１１は、変形例３に係る表示パネルＰＮＬの一例を示す断面図である。
遮光層ＬＳ（ＬＳ２及びＬＳ３）の第1方向Ｘの横幅ＬＷｄ２は、積層膜ＬＦ（ＬＦ２及びＬＦ３）の横幅ＦＷｄ１よりも大きい。遮光層ＬＳは、第１方向Ｘにおいて、積層膜ＬＦよりも開口部ＯＰ側に延出している。図１１に示した例では、遮光層ＬＳ２は、第１方向Ｘにおいて、積層膜ＬＦ２よりも開口部ＯＰ１側に延出し、且つ積層膜ＬＦ２よりも開口部ＯＰ２側に延出している。遮光層ＬＳ３は、第１方向Ｘにおいて、積層膜ＬＦ３よりも開口部ＯＰ２側に延出し、且つ積層膜ＬＦ３よりも開口部ＯＰ３側に延出している。

絶縁層１３は、絶縁基板１０、積層膜ＬＦ、ソース線Ｓ、及び遮光層ＬＳの上に位置している。言い換えると、絶縁層１３は、絶縁基板１０、積層膜ＬＦ、ソース線Ｓ、及び遮光層ＬＳを覆っている。絶縁層１３は、遮光層ＬＳの両端部の上に位置している。図１１に示した例では、絶縁層１３は、遮光層ＬＳ２の両端部の上に位置している。例えば、絶縁層１３は、遮光層ＬＳ２の両端部に接触している。絶縁層１３は、遮光層ＬＳ３の両端部の上に位置している。例えば、絶縁層１３は、遮光層ＬＳ３の両端部に接触している。
このような変形例３において、第１実施形態及び第２実施形態と同様の効果がある。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＤＳＰ…表示装置 ＰＮＬ…表示パネル
ＳＵＢ１…第１基板 ＳＵＢ２…第２基板 １０…絶縁基板
２０…絶縁基板 ＤＡ…表示領域 ＮＤＡ…非表示領域
Ｇ…ゲート線 Ｓ…ソース線 ＬＳ…遮光層
ＣＥ…共通電極 ＰＥ…画素電極 ＢＭ…遮光層（遮光材）。

Claims (12)

1. 第１基板と、前記第１基板に対向している第２基板と、前記第１基板及び第２基板の間に保持されている液晶層とを備え、
   前記第１基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に位置する第１遮光層及び第２遮光層と、前記絶縁基板の上に位置する積層膜と、前記積層膜の上に位置する第１ソース線及び第２ソース線と、前記積層膜、前記第１ソース線、及び前記第２ソース線の上に位置する第１絶縁層とを有し、
   前記第２基板は、第１遮光材及び第２遮光材を有し、
   前記第１ソース線及び前記第２ソース線は、第１方向に間隔を置いて配置され、
   前記第１遮光材及び前記第２遮光材は、前記第１方向に間隔を置いて配置され、
   前記第１遮光層は、前記第１ソース線及び前記第１遮光材に重畳し、
   前記第２遮光層は、前記第２ソース線及び前記第２遮光材に重畳し、
   前記第１遮光層の前記第１方向の第１幅は、前記第１遮光材の前記第１方向の第２幅以上であり、
   前記第２遮光層の前記第１方向の第３幅は、前記第２遮光材の前記第１方向の第４幅以上である、表示装置。
2. 前記第１幅は、前記第２幅と同じであり、
   前記第３幅は、前記第４幅と同じである、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１幅は、前記第１ソース線の幅の２倍以上であり、
   前記第３幅は、前記第２ソース線の幅の２倍以上である、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１幅乃至前記第４幅は、５．０μｍ乃至９．０μｍである、請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第１幅は、前記第２幅よりも大きく、
   前記第３幅は、前記第４幅よりも大きい、請求項１に記載の表示装置。
6. 前記積層膜は、前記第１方向に間隔を置いて配置された第１積層膜及び第２積層膜を有し、
   前記第１遮光層は、前記絶縁基板及び前記第１積層膜の間に位置し、
   前記第２遮光層は、前記絶縁基板及び前記第２積層膜の間に位置している、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記第１積層膜及び前記第２積層膜の上に位置する前記第１絶縁層の第１厚さは、前記第１積層膜及び前記第２積層膜の間の前記第１絶縁層の第２厚さよりも小さい、請求項６に記載の表示装置。
8. 前記第１絶縁層は、前記第１積層膜及び前記第２積層膜の間で、前記絶縁基板に接触している、請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第１基板は、前記積層膜の間に位置する第１ゲート線及び第２ゲート線を有し、
   前記積層膜は、前記第１方向に交差する第２方向に間隔を置いて配置された第３積層膜及び第４積層膜を有し、
   前記第１ゲート線は、前記第３積層膜の間に位置し、
   前記第２ゲート線は、前記第４積層膜の間に位置している、請求項６乃至８のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記第３積層膜及び前記第４積層膜の上に位置する前記第１絶縁層の第３厚さは、前記第３積層膜及び前記第４積層膜の間の前記第１絶縁層の第４厚さよりも小さい、請求項９に記載の表示装置。
11. 前記第１絶縁層は、前記第３積層膜及び前記第４積層膜の間で、前記絶縁基板に接触している、請求項９に記載の表示装置。
12. 第１基板と、前記第１基板に対向している第２基板と、前記第１基板及び第２基板の間に保持されている液晶層とを備え、
    前記第１基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に位置する第１遮光層及び第２遮光層と、前記絶縁基板の上に位置する第１積層膜及び第２積層膜と、前記第１積層膜の上に位置する第１ソース線と、前記第２積層膜の上に位置する第２ソース線と、前記第１積層膜、前記第２積層膜、前記第１ソース線、及び前記第２ソース線の上に位置する第１絶縁層とを有し、
    前記第２基板は、第１遮光材及び第２遮光材を有し、
    前記第１積層膜及び前記第２積層膜は、第１方向に間隔を置いて配置され、
    前記第１遮光材及び前記第２遮光材は、前記第１方向に間隔を置いて配置され、
    前記第１積層膜は、前記第１ソース線及び前記第１遮光材に重畳し、
    前記第２積層膜は、前記第２ソース線及び前記第２遮光材に重畳している、表示装置。

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