JP2019020653A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】表示品位の劣化を抑制することを可能とする。【解決手段】第1方向に配列された第1ソース線、第2ソース線、及び第3ソース線と、前記第1方向に延出し、前記第1ソース線と交差する第1ゲート線と、前記第1方向に延出し、前記第1ゲート線から前記第1方向に離間し、前記第3ソース線と交差する第2ゲート線と、前記第1ゲート線と交差し、前記第1ソース線と前記第2ソース線との間で前記第1ソース線側に位置する第1交差部を備えた第1半導体層と、前記第2ゲート線と交差し、前記第2ソース線と前記第3ソース線との間で前記第3ソース線側に位置する第2交差部を備えた第2半導体層とを備える、表示装置。【選択図】 図1
Description
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
近年、VR(Virtual Reality)の普及に伴いより臨場感のある表示を求め超高精細の表示装置が望まれている。従来の構成では、表示装置は、2つの集積回路(IC)を搭載している。これら2つの集積回路は、それぞれ、表示パネルに配線されたゲート線を分断して形成された2つの領域を駆動している。これら2つの領域の境界では、画素の大きさや隣り合う2つの画素の間隔が、この境界以外の領域における画素の大きさや隣り合う2つの画素の間隔に比べて大きく成り得る。
本実施形態の目的は、表示品位の劣化を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。
一実施形態によれば、第1方向に配列された第1ソース線、第2ソース線、及び第3ソース線と、前記第1方向に延出し、前記第1ソース線と交差する第1ゲート線と、前記第1方向に延出し、前記第1ゲート線から前記第1方向に離間し、前記第3ソース線と交差する第2ゲート線と、前記第1ゲート線と交差し、前記第1ソース線と前記第2ソース線との間で前記第1ソース線側に位置する第1交差部を備えた第1半導体層と、前記第2ゲート線と交差し、前記第2ソース線と前記第3ソース線との間で前記第3ソース線側に位置する第2交差部を備えた第2半導体層とを備える、表示装置が提供される。
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
本実施形態においては、電子機器の一例として表示装置を開示する。この表示装置は、例えば、VR(Virtual Reality)ビュアー、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。
図1は、液晶表示装置DSPの外観の一例を示す斜視図である。第1方向X、第2方向Y、及び、第3方向Zは、互いに直交しているが、90度以外の角度で交差していても良い。第1方向X及び第2方向Yは、液晶表示装置(以下、単に、表示装置と称する)DSPを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第3方向Zは、表示装置DSPの厚さ方向に相当する。以下で、第3方向Zを示す矢印の先端の向かう方向を上と定義し、矢印の先端と逆方向を下と定義する。また、第1方向X及び第2方向Yによって規定されるX−Y平面における表示装置DSPの平面図を示している。以下の説明において、第3方向ZからX−Y平面を見ることを平面視という。以下で、第1方向Xを示す矢印の先端の向かう方向を右とし、矢印の先端と逆方向を左と称する場合もある。
図1は、液晶表示装置DSPの外観の一例を示す斜視図である。第1方向X、第2方向Y、及び、第3方向Zは、互いに直交しているが、90度以外の角度で交差していても良い。第1方向X及び第2方向Yは、液晶表示装置(以下、単に、表示装置と称する)DSPを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第3方向Zは、表示装置DSPの厚さ方向に相当する。以下で、第3方向Zを示す矢印の先端の向かう方向を上と定義し、矢印の先端と逆方向を下と定義する。また、第1方向X及び第2方向Yによって規定されるX−Y平面における表示装置DSPの平面図を示している。以下の説明において、第3方向ZからX−Y平面を見ることを平面視という。以下で、第1方向Xを示す矢印の先端の向かう方向を右とし、矢印の先端と逆方向を左と称する場合もある。
表示装置DSPは、表示パネルPNLと、照明装置BLとを備えている。
表示パネルPNLは、第1基板SUB1と、第2基板SUB2と、第1基板SUB1及び第2基板SUB2の間に保持された液晶層(後述する液晶層LC)と、を備えている。また、表示パネルPNLは、表示領域DA及び非表示領域NDAを備えている。表示領域DAは、画像を表示する領域である。表示領域DAは、第1基板SUB1と第2基板SUB2とが対向する領域のほぼ中央に位置している。また、表示領域DAは、第1領域AR1と第2領域AR2と区分されている。例えば、第1領域AR1と第2領域AR2との境界BDは、表示領域DAの第1方向Xの幅の中央に位置している。以下で、境界BDを第1領域AR1と第2領域AR2との境界線という意味で用いる場合もあるし、この境界線の周辺領域を含む意味で用いる場合もある。非表示領域NDAは、画像が表示されない領域であり、表示領域DAの外側に位置している。
表示パネルPNLは、第1基板SUB1と、第2基板SUB2と、第1基板SUB1及び第2基板SUB2の間に保持された液晶層(後述する液晶層LC)と、を備えている。また、表示パネルPNLは、表示領域DA及び非表示領域NDAを備えている。表示領域DAは、画像を表示する領域である。表示領域DAは、第1基板SUB1と第2基板SUB2とが対向する領域のほぼ中央に位置している。また、表示領域DAは、第1領域AR1と第2領域AR2と区分されている。例えば、第1領域AR1と第2領域AR2との境界BDは、表示領域DAの第1方向Xの幅の中央に位置している。以下で、境界BDを第1領域AR1と第2領域AR2との境界線という意味で用いる場合もあるし、この境界線の周辺領域を含む意味で用いる場合もある。非表示領域NDAは、画像が表示されない領域であり、表示領域DAの外側に位置している。
第1基板SUB1は、第2基板SUB2の基板側縁SUBe21よりも外側に延出した第1実装部MT1と、第2基板SUB2の基板側縁SUBe22よりも外側に延出した第2実装部MT2とを有している。第1実装部MT1は、第1基板SUB1の1つの基板側縁SUBe11に沿って形成されている。第2実装部MT2は、第1基板SUB2の基板側縁SUBe11と第2方向Yで対向する基板側縁SUBe12に沿って形成されている。図示した例では、基板側縁SUBe11、SUBe12、SUBe13、及びSUBe14は、それぞれ、第1方向Xに沿って延出している。基板側縁SUBe11及びSUBe21は、互いに略平行に形成されている。また、基板側縁SUBe12及びSUBe22は、互いに略平行に形成されている。なお、第1基板SUB1は、第1実装部MT1及び第2実装部MT2のいずれか一方を有する構成であってもよい。
ICチップIC1、IC2やフレキシブル・プリンテッド・サーキット(FPC)基板F1、F2などの表示パネルに必要な信号供給源は、非表示領域NDAに位置している。図示した例では、ICチップIC1及びFPC基板F1は、第1基板SUB1の第1実装部MT1に実装されている。ICチップIC2及びFPC基板F2は、第1基板SUB2の第2実装部MT2に実装されている。なお、ICチップIC1、IC2とFPC基板F1、F2とは、第1実装部MT1及び第2実装部MT2のいずれか一方に実装されていてもよい。例えば、ICチップIC1、IC2とFPC基板F1、F2とは、第1実装部MT1に実装されていてもよい。図示していないが、第1実装部MT1及び第2実装部MT2の各々に信号供給源を接続するための接続端子が設けられている。接続端子は、後述するソース線やゲート線などと電気的に接続されていてもよい。
照明装置BLは、第3方向Zにおいて、第1基板SUB1の背面側(第2基板SUB2との対向面の反対側)に配置されている。このような照明装置BLとしては、種々の形態が適用可能である。一例として、照明装置BLは、第1基板SUB1と対向する導光板、この導光板の端部に沿って配置された複数の発光ダイオード(LED)などの光源、導光板の一方の主面側に配置された反射シート、導光板の他方の主面側に積層された各種光学シートなどを備えている。
なお、図示した例の表示パネルPNLは、照明装置BLからの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過型であるが、これに限らない。例えば、表示パネルPNLは、外光あるいは外部光源からの光を選択的に反射させることで画像を表示させる反射型であっても良いし、透過型及び反射型の双方の表示機能を備えた半透過型であっても良い。
また、ここでは表示パネルPNLの詳細な構成については説明を省略するが、表示パネルPNLの法線に沿った縦電界を利用する表示モード、表示パネルPNLの法線に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、表示パネルPNLの主面に沿った横電界を利用する表示モードのいずれも適用可能である。
また、ここでは表示パネルPNLの詳細な構成については説明を省略するが、表示パネルPNLの法線に沿った縦電界を利用する表示モード、表示パネルPNLの法線に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、表示パネルPNLの主面に沿った横電界を利用する表示モードのいずれも適用可能である。
図2は、本実施形態に係る第1基板SUB1を模式的に示す平面図である。図2では、第1基板SUB1の境界BDを示している。ここでは、横電界を利用する表示モードの一つであるFFS(Fringe Field Switching)モードを適用した構成例について説明する。
第1基板SUB1は、複数のソース線S(S1、S2、S3、S4…)、複数のゲート線G(G1、G2、G3…)、複数の遮光層LS(LS1、LS2、LS3…)、第1電極E1、第2電極E2、中継電極RE(RE1、RE2…)、及びスイッチング素子SW(SW1、SW2…)などを備えている。なお、図2では、説明に必要な構成のみを図示している。
第1基板SUB1は、複数のソース線S(S1、S2、S3、S4…)、複数のゲート線G(G1、G2、G3…)、複数の遮光層LS(LS1、LS2、LS3…)、第1電極E1、第2電極E2、中継電極RE(RE1、RE2…)、及びスイッチング素子SW(SW1、SW2…)などを備えている。なお、図2では、説明に必要な構成のみを図示している。
複数のソース線S(S1、S2、S3、S4…)は、所定の間隔で第1方向Xに並んでいる。図示した例では、ソース線S1乃至S4は、等間隔で第1方向Xに並んでいる。複数のソース線S(S1、S2、S3、S4…)は、それぞれ、第2方向Yに延出している。また、ソース線S2は、第1領域AR1と第2領域AR2との境界BDに位置している。なお、複数のソース線S(S1、S2、S3、S4…)は、一部が屈曲していても良い。複数のソース線S(S1、S2、S3、S4…)は、例えば、チタン、アルミニウム、チタンの3層積層膜、又は、アルミニウム、チタン、アルミニウムの順に積層した3層積層膜等である。
複数のゲート線G(G1、G2、G3…)は、所定の間隔をおいて第2方向Yに並んでいる。複数のゲート線G(G1、G2、G3…)は、それぞれ、第1方向Xに延出し、境界BDで分断されている。図示した例では、ゲート線G1は、境界BDでゲート線G11と、ゲート線G12とに分断されている。ゲート線G2は、境界BDでゲート線G21と、ゲート線G22とに分断されている。ゲート線G3は、境界BDでゲート線G31とゲート線G32と分断されている。言い換えると、ゲート線G11とゲート線G12とは、同じ直線上に位置し、第1方向Xに互いに離間している。ゲート線G21とゲート線G22とは、同じ直線上に位置し、第1方向Xに互いに離間している。ゲート線G31とゲート線G32とは、同じ直線上に位置し、第1方向Xに互いに離間している。なお、ゲート線G11とゲート線G12とは、同じ直線上に位置するとしたが、第2方向Yに互いにずれていてもよい。同様に、ゲート線G21とゲート線G22とは、第2方向Yに互いにずれていてもよい。ゲート線G31とゲート線G33とは、第2方向Yに互いにずれていてもよい。
ゲート線G11、G12、G21、G22、G31、及びG32は、それぞれ、ソース線S2に重畳していない。図示した例では、ゲート線G11、G21及びG31は、それぞれ、ソース線S2から左側に離間している。ゲート線G12、G22及びG32は、それぞれ、ソース線S2から右側に離間している。一例として、ゲート線G11の先端TP11は、ソース線S1から右側へ距離DT1の位置に配置されている。距離DT1は、ソース線S1とソース線S2との間の第1方向Xの間隔よりも小さい。ゲート線G21の先端TP12及びゲート線G31の先端TP13も、ソース線S1から右側へ先端TP11と同じ距離の位置に配置されている。なお、先端TP11乃至TP12は、それぞれ、ソース線S1から右側へ異なる距離の位置に配置されていてもよい。また、ゲート線G21の先端TP21は、ソース線S3から左側へ距離DT2の位置に配置されている。距離DT2は、ソース線S2とソース線S3との間の第1方向Xの間隔よりも小さい。ゲート線G22の先端TP22及びゲート線G32の先端TP32も、ソース線S3から左側へ先端TP21と同じ距離の位置に配置されている。なお、先端TP21乃至TP23は、それぞれ、ソース線S3から左側へ異なる距離の位置に配置されていてもよい。一例として、距離DT1は、距離DT2と同じであってもよい。なお、複数のゲート線G(G1、G2、G3…)は、一部が屈曲していても良い。複数のゲート線G(G1、G2、G3…)は、例えば、モリブデンタングステン合金膜である。
また、ゲート線Gは、ソース線Sに交差している。図中において、画素PXは、隣接する2本のゲート線、及び、隣接する2本のソース線によって区画される領域に相当する。一例として、画素PXは、ゲート線G1及びゲート線G2と、ソース線S1及びソース線S2とによって区画される領域に相当する。
また、ゲート線Gは、ソース線Sに交差している。図中において、画素PXは、隣接する2本のゲート線、及び、隣接する2本のソース線によって区画される領域に相当する。一例として、画素PXは、ゲート線G1及びゲート線G2と、ソース線S1及びソース線S2とによって区画される領域に相当する。
複数の遮光層LS(LS1、LS2、LS3…)は、所定の間隔をおいて第2方向Yに並んでいる。複数の遮光層LS(LS1、LS2、LS3…)は、それぞれ、複数のゲート線G(G1、G2、G3…)に重畳し、各ゲート線Gに沿って第1方向Xに延出している。図示した例では、遮光層LS1は、境界BDで遮光層LS11と、遮光層LS12とに分断されている。遮光層LS2は、境界BDで遮光層LS21と、遮光層LS22とに分断されている。遮光層LS3は、境界BDで遮光層LS31と、遮光層LS33とに分断されている。言い換えると、遮光層LS11と遮光層LS12とは、同じ直線上に位置し、第1方向Xで離間している。遮光層LS21と遮光層LS22とは、同じ直線上に位置し、第1方向Xで離間している。遮光層LS31と遮光層LS32とは、同じ直線上に位置し、第1方向Xで離間している。なお、遮光層LS11と遮光層LS12とは、同じ直線上に位置するとしたが、第2方向Yに互いにずれていてもよい。同様に、遮光層LS21と遮光層LS22とは、第2方向Yに互いにずれていてもよい。遮光層LS31とLS32とは、第2方向Yに互いにずれていてもよい。
遮光層LS11、LS12、LS21、LS22、LS31、及びLS32は、それぞれ、ソース線S2と重畳していない。図示した例では、遮光層LS11、LS21及びLS31は、それぞれ、ソース線S2から第1方向Xの左側に離間している。遮光層LS12、LS22及びLS32は、それぞれ、ソース線S2から第1方向Xの右側に離間している。なお、複数の遮光層LS(LS1、LS2、LS3…)は、一部が屈曲していても良い。また、遮光層LSは、第1方向Xで島状に分断されていてもよい。例えば、遮光層LSは、交差部CSと重畳する部分に島状に位置していてもよい。また、遮光層LSは、分断されていなくともよい。例えば、遮光層LSは、第1方向Xに延出し、直線状に形成されていてもよい。複数の遮光層LSは、一例では、モリブデンタングステン合金製である。図示した例では、遮光層LSの第2方向Yの幅は、ゲート線Gの第2方向Yの幅より大きい。
第1電極E1は、複数の画素PXに亘って配置されている。図示した例では、第1電極E1は、X−Y平面上で、第1方向X及び第2方向Yに延出している。平面視した場合、第1電極E1は、ソース線S、ゲート線G、遮光層LS、及び第2電極E2などと重なっている。第1電極E1は、各画素PXに位置する複数の開口部HL1を有している。
第2電極E2は、各画素PXに配置された画素電極である。第2電極E2は、画像信号に対応した電位を印加される。図示した例では、第2電極E2は、四角形状の一辺から第3方向Zに延出する凸部を有する平板形状であり、ソース線Sと略平行に延出している。なお、第2電極E2は、一例として、四角形状の一辺から第3方向Zに延出する凸部を有する平板形状としたが、スリット等を有する形状であっても良いし、他の形状であっても良い。
第2電極E2は、各画素PXに配置された画素電極である。第2電極E2は、画像信号に対応した電位を印加される。図示した例では、第2電極E2は、四角形状の一辺から第3方向Zに延出する凸部を有する平板形状であり、ソース線Sと略平行に延出している。なお、第2電極E2は、一例として、四角形状の一辺から第3方向Zに延出する凸部を有する平板形状としたが、スリット等を有する形状であっても良いし、他の形状であっても良い。
中継電極REは、第2電極E2と電気的に接続されている。図示した例では、中継電極REは、コンタクトホールCH1を介して第2電極E2に接続されている。一例として、中継電極RE1は、コンタクトホールCH11を介して第2電極E2に接続されている。中継電極RE2は、コンタクトホールCH12を介して第2電極E2に接続されている。図示した例では、中継電極REは、隣り合う2つのソース線Sの間のほぼ中央に位置している。一例として、中継電極RE1は、ソース線S1から右側に間隔D11で離間し、ソース線S2から左側に間隔D11で離間している。また、中継電極RE2は、ソース線S2から右側に間隔D21で離間し、ソース線S3から左側に間隔D21で離間している。中継電極REは、例えば、チタン、アルミニウム、チタンの順に積層した3層積層膜、又は、アルミニウム、チタン、アルミニウムの順に積層した3層積層膜等である。
コンタクトホールCH1は、開口部HL1の内側で隣り合う2つのソース線の間のほぼ中央に位置している。例えば、コンタクトホールCH1は、隣り合う2つのソース線Sの間のほぼ中央に位置している。図示した例では、コンタクトホールCH11は、ソース線S1から右側に間隔D12で離間し、ソース線S2から左側に間隔D12で離間している。コンタクトホールCH12は、ソース線S2から右側に間隔D22で離間し、ソース線S3から左側に間隔D22で離間している。
コンタクトホールCH1は、開口部HL1の内側で隣り合う2つのソース線の間のほぼ中央に位置している。例えば、コンタクトホールCH1は、隣り合う2つのソース線Sの間のほぼ中央に位置している。図示した例では、コンタクトホールCH11は、ソース線S1から右側に間隔D12で離間し、ソース線S2から左側に間隔D12で離間している。コンタクトホールCH12は、ソース線S2から右側に間隔D22で離間し、ソース線S3から左側に間隔D22で離間している。
スイッチング素子SWは、ソース線S及びゲート線Gに電気的に接続されている。つまり、スイッチング素子SWは、中継電極REを介して第2電極E2に電気的に接続されている。図示した例では、スイッチング素子SWの一端部がコンタクトホールCH2を介して中継電極REに接続され、他端部がコンタクトホールCH3を介してソース線Sに接続されている。一例として、スイッチング素子SW1の一端部がコンタクトホールCH21を介して中継電極RE1に接続され、他端部がコンタクトホールCH31を介してソース線S2に接続されている。スイッチング素子SW2の一端部がコンタクトホールCH22を介して中継電極RE2に接続され、他端部がコンタクトホールCH32を介してソース線S3に接続されている。
スイッチング素子SWは、中継電極REに接続された一端部とソース線Sに接続された他端部との間で、ゲート線Gに交差している。以下で、スイッチング素子SWにおいて、ゲート線Gに交差している部分を交差部CSと称する。
図示した例では、各画素PXにおいて、スイッチング素子SWは、1つの交差部CSを有している。交差部CSは、境界BDに位置する画素PXでは、隣り合う2つのソース線Sの間でこれら2つのソース線Sのいずれか一方の方向にずれている。一例として、境界BDの画素PX1において、スイッチング素子SW1は、交差部CS1を有している。交差部CS1は、ゲート線G21に交差し、ソース線S1とソース線S2との間でソース線S1側に位置している。例えば、交差部CS1は、ソース線S1から右側に間隔D13で離間し、ソース線S2から左側に間隔D14で離間している。間隔D14は、間隔D13よりも大きい。なお、交差部CS1は、ソース線S1及びソース線S2の間でコンタクトホールCH11に対してソース線S1側に位置する構成でもよい。境界BDの画素PX2において、スイッチング素子SW2は、交差部CS2を有している。交差部CS2は、ゲート線G22に交差し、ソース線S2とソース線S3との間でソース線S3側に位置している。例えば、交差部CS2は、ソース線S2から右側に間隔D23で離間し、ソース線S3から左側に間隔D24で離間している。間隔D23は、間隔D24よりも大きい。なお、交差部CS2は、ソース線S2及びソース線S3の間でコンタクトホールCH12に対してソース線S3側に位置する構成でもよい。また、交差部CSは、境界以外の領域では隣り合う2つのソース線Sの間でほぼ中央に位置している。一例として、画素PX3において、スイッチング素子SW3は、交差部CS3を有している。交差部CS3は、ゲート線G22に交差し、ソース線S3及びソース線S4の間でほぼ中央に位置している。なお、各画素PXにおいて、スイッチング素子SWは、1つの交差部CSを有しているとしたが、2つ以上の交差部CSを有していてもよい。
交差部CSは、遮光層LSに交差している。一例として、画素PX1において、交差部CS1は、遮光層LS21に交差している。画素PX2において、交差部CS2は、遮光層LS22に交差している。画素PX3において、交差部CS3は、遮光層LS22に交差している。
図示した例では、各画素PXにおいて、スイッチング素子SWは、1つの交差部CSを有している。交差部CSは、境界BDに位置する画素PXでは、隣り合う2つのソース線Sの間でこれら2つのソース線Sのいずれか一方の方向にずれている。一例として、境界BDの画素PX1において、スイッチング素子SW1は、交差部CS1を有している。交差部CS1は、ゲート線G21に交差し、ソース線S1とソース線S2との間でソース線S1側に位置している。例えば、交差部CS1は、ソース線S1から右側に間隔D13で離間し、ソース線S2から左側に間隔D14で離間している。間隔D14は、間隔D13よりも大きい。なお、交差部CS1は、ソース線S1及びソース線S2の間でコンタクトホールCH11に対してソース線S1側に位置する構成でもよい。境界BDの画素PX2において、スイッチング素子SW2は、交差部CS2を有している。交差部CS2は、ゲート線G22に交差し、ソース線S2とソース線S3との間でソース線S3側に位置している。例えば、交差部CS2は、ソース線S2から右側に間隔D23で離間し、ソース線S3から左側に間隔D24で離間している。間隔D23は、間隔D24よりも大きい。なお、交差部CS2は、ソース線S2及びソース線S3の間でコンタクトホールCH12に対してソース線S3側に位置する構成でもよい。また、交差部CSは、境界以外の領域では隣り合う2つのソース線Sの間でほぼ中央に位置している。一例として、画素PX3において、スイッチング素子SW3は、交差部CS3を有している。交差部CS3は、ゲート線G22に交差し、ソース線S3及びソース線S4の間でほぼ中央に位置している。なお、各画素PXにおいて、スイッチング素子SWは、1つの交差部CSを有しているとしたが、2つ以上の交差部CSを有していてもよい。
交差部CSは、遮光層LSに交差している。一例として、画素PX1において、交差部CS1は、遮光層LS21に交差している。画素PX2において、交差部CS2は、遮光層LS22に交差している。画素PX3において、交差部CS3は、遮光層LS22に交差している。
図3は、本実施形態に係る第2基板SUB2を模式的に示す平面図である。なお、図3では、説明に必要な構成のみを図示している。また、図3には、図2に示した第1基板SUB1の主要部を点線で示している。
第2基板SUB2は、遮光層BM及びカラーフィルタCFを備えている。
遮光層BMは、遮光性を有している。図示した例では、遮光層BMは、格子状に形成されている。なお、遮光層BMは、はしご状やストライプ状などの格子状以外の構成であってもよい。例えば、遮光層BMは、縦部分BMYと、横部分BMXとを備えている。縦部分BMYは、間隔をおいて第1方向Xに並び、第2方向Yに延出している。平面視した場合、縦部分BMYは、ソース線Sに重畳している。縦部分BMYは、第1方向Xにほぼ一定の幅を有する帯状に形成されている。図示した例では、縦部分BMY1、BMY2、BMY3、及びBMY4は、第1方向Xにほぼ同じ幅を有し、第1方向Xに等間隔で並んでいる。縦部分BMY1乃至BMY4は、それぞれ、ソース線S1乃至ソース線S4に沿って第2方向Yに延出し、ソース線S1乃至S4に重畳している。横部分BMXは、間隔をおいて第2方向Yに並び、第1方向Xに延出している。平面視した場合、横部分BMXは、ゲート線G、遮光層LS、及びスイッチング素子SWなどの配線部に重畳している。横部分BMXは、第2方向Yにほぼ一定の幅を有する帯状に形成されている。図示した例では、横部分BMX1、BMX2、及びBMX3は、第2方向Yにほぼ同じ幅を有し、第2方向Yに等間隔で並んでいる。横部分BMX1乃至BMX3は、それぞれ、ゲート線G1乃至G3に沿って延出し、ゲート線G1乃至G3に重畳している。平面視した場合、縦部分BMYと横部分BMXとは、交差している。図示した例では、縦部分BMYと横部分BMXとは、十字状に交差している。なお、縦部分BMYと横部分BMXとは、T字状、又はY字状に交差していてもよい。
開口部OPは、遮光層BMによって区画され表示に寄与する領域である。開口部OPは、X−Y平面上にマトリクス状に並んでいる。図示した例では、開口部OP1、OP2、OP3、OP4、OP5、及びOP6が、マトリクス状に並んでいる。開口部OP1乃至OP6は、ほぼ同じ大きさである。
第2基板SUB2は、遮光層BM及びカラーフィルタCFを備えている。
遮光層BMは、遮光性を有している。図示した例では、遮光層BMは、格子状に形成されている。なお、遮光層BMは、はしご状やストライプ状などの格子状以外の構成であってもよい。例えば、遮光層BMは、縦部分BMYと、横部分BMXとを備えている。縦部分BMYは、間隔をおいて第1方向Xに並び、第2方向Yに延出している。平面視した場合、縦部分BMYは、ソース線Sに重畳している。縦部分BMYは、第1方向Xにほぼ一定の幅を有する帯状に形成されている。図示した例では、縦部分BMY1、BMY2、BMY3、及びBMY4は、第1方向Xにほぼ同じ幅を有し、第1方向Xに等間隔で並んでいる。縦部分BMY1乃至BMY4は、それぞれ、ソース線S1乃至ソース線S4に沿って第2方向Yに延出し、ソース線S1乃至S4に重畳している。横部分BMXは、間隔をおいて第2方向Yに並び、第1方向Xに延出している。平面視した場合、横部分BMXは、ゲート線G、遮光層LS、及びスイッチング素子SWなどの配線部に重畳している。横部分BMXは、第2方向Yにほぼ一定の幅を有する帯状に形成されている。図示した例では、横部分BMX1、BMX2、及びBMX3は、第2方向Yにほぼ同じ幅を有し、第2方向Yに等間隔で並んでいる。横部分BMX1乃至BMX3は、それぞれ、ゲート線G1乃至G3に沿って延出し、ゲート線G1乃至G3に重畳している。平面視した場合、縦部分BMYと横部分BMXとは、交差している。図示した例では、縦部分BMYと横部分BMXとは、十字状に交差している。なお、縦部分BMYと横部分BMXとは、T字状、又はY字状に交差していてもよい。
開口部OPは、遮光層BMによって区画され表示に寄与する領域である。開口部OPは、X−Y平面上にマトリクス状に並んでいる。図示した例では、開口部OP1、OP2、OP3、OP4、OP5、及びOP6が、マトリクス状に並んでいる。開口部OP1乃至OP6は、ほぼ同じ大きさである。
カラーフィルタCFは、開口部OPと重畳している。カラーフィルタCFは、第1色のカラーフィルタCF1と、第2色のカラーフィルタCF2と、第3色のカラーフィルタCF3とを備えている。第1色、第2色、及び第3色は、互いに異なる色である。一例では、カラーフィルタCF1は、赤色カラーフィルタであり、カラーフィルタCF2は、緑色カラーフィルタであり、カラーフィルタCF3は、青色カラーフィルタである。なお、カラーフィルタCF1乃至CF3の色の組み合せは、前述した例に限定されるものではない。カラーフィルタCFは、白色カラーフィルタをさらに有していてもよい。
カラーフィルタCF1乃至CF3は、第1方向Xに沿って順番に配置されている。また、カラーフィルタCF1乃至CF3は、それぞれ、第2方向Yに沿って配置されている。図示した例では、カラーフィルタCF3は、開口部OP1及びOP4に重畳している。カラーフィルタCF1は、開口部OP2及びOP5に重畳している。カラーフィルタCF2は、開口部OP3及びOP6に重畳している。
カラーフィルタCF1乃至CF3は、第1方向Xに沿って順番に配置されている。また、カラーフィルタCF1乃至CF3は、それぞれ、第2方向Yに沿って配置されている。図示した例では、カラーフィルタCF3は、開口部OP1及びOP4に重畳している。カラーフィルタCF1は、開口部OP2及びOP5に重畳している。カラーフィルタCF2は、開口部OP3及びOP6に重畳している。
図4は、図3のA−Aにおける表示パネルPNLの断面図である。
第1基板SUB1は、支持基板10、絶縁膜11、12、13、14、15、16、遮光層LS、スイッチング素子SW、中継電極RE、第1電極E1、第2電極E2、及び配向膜AL1などを備えている。偏光板PL1は、支持基板10の下方に設けられている。なお、絶縁膜11乃至16をそれぞれ層間絶縁膜と表現する場合もある。
第1基板SUB1は、支持基板10、絶縁膜11、12、13、14、15、16、遮光層LS、スイッチング素子SW、中継電極RE、第1電極E1、第2電極E2、及び配向膜AL1などを備えている。偏光板PL1は、支持基板10の下方に設けられている。なお、絶縁膜11乃至16をそれぞれ層間絶縁膜と表現する場合もある。
支持基板10は、透明であり、一例ではホウケイ酸ガラス等のガラス製であるが、プラスチック等の樹脂製であっても良い。
絶縁膜11乃至16は、いずれも透明である。絶縁膜11乃至14、16は、無機絶縁膜であり、一例では、窒化ケイ素製あるいは酸化ケイ素製である。絶縁膜15は、有機絶縁膜であり、一例では、アクリル樹脂などの樹脂製である。遮光層LS(LS21)は、支持基板10の上に位置し、支持基板10に接触している。遮光層LS(LS21)は、一例では、モリブデンタングステン合金製である。絶縁膜11は、遮光層LS(LS21)及び支持基板10の上に位置し、支持基板10及び遮光層LS(LS21)に接触している。スイッチング素子SW(SW1)は、半導体層PSを備えている。半導体層PSは、絶縁膜11の上に位置し、絶縁膜11に接触している。半導体層PSは、一例では、多結晶シリコン製、又酸化物半導体層である。絶縁膜12は、絶縁膜11及び半導体層PSの上に位置し、絶縁膜11及び半導体層PSに接触している。ゲート線G(G21)の一部であるゲート電極WGは、絶縁膜12の上に位置し、絶縁膜12に接触している。絶縁膜13は、絶縁膜12及びゲート電極WGの上に位置し、絶縁膜12及びゲート電極WGに接触している。絶縁膜14は、絶縁膜13の上に位置し、絶縁膜13に接触している。なお、絶縁膜11乃至絶縁膜14をまとめて絶縁膜(第1絶縁膜)IL1と称する場合もある。
絶縁膜11乃至16は、いずれも透明である。絶縁膜11乃至14、16は、無機絶縁膜であり、一例では、窒化ケイ素製あるいは酸化ケイ素製である。絶縁膜15は、有機絶縁膜であり、一例では、アクリル樹脂などの樹脂製である。遮光層LS(LS21)は、支持基板10の上に位置し、支持基板10に接触している。遮光層LS(LS21)は、一例では、モリブデンタングステン合金製である。絶縁膜11は、遮光層LS(LS21)及び支持基板10の上に位置し、支持基板10及び遮光層LS(LS21)に接触している。スイッチング素子SW(SW1)は、半導体層PSを備えている。半導体層PSは、絶縁膜11の上に位置し、絶縁膜11に接触している。半導体層PSは、一例では、多結晶シリコン製、又酸化物半導体層である。絶縁膜12は、絶縁膜11及び半導体層PSの上に位置し、絶縁膜11及び半導体層PSに接触している。ゲート線G(G21)の一部であるゲート電極WGは、絶縁膜12の上に位置し、絶縁膜12に接触している。絶縁膜13は、絶縁膜12及びゲート電極WGの上に位置し、絶縁膜12及びゲート電極WGに接触している。絶縁膜14は、絶縁膜13の上に位置し、絶縁膜13に接触している。なお、絶縁膜11乃至絶縁膜14をまとめて絶縁膜(第1絶縁膜)IL1と称する場合もある。
中継電極REは、絶縁膜14の上に位置し、絶縁膜14に接触している。また、中継電極REは、絶縁膜12乃至14を貫通するコンタクトホールCH2(CH21)を介して半導体層PSに接触している。絶縁膜15は、絶縁膜14及び中継電極RE(RE1)の上に位置し、絶縁膜14及び中継電極RE(RE1)に接触している。第1電極E1は、絶縁膜15の上に位置し、絶縁膜15に接触している。第1電極E1は、複数の画素PX、言い換えると、複数の第2電極E2に亘って延在している。第1電極E1は、中継電極REを介して第2電極E2とスイッチング素子SWとを電気的に接続するための開口部を有している。例えば、第1電極E1は、共通電位を印加されている共通電極である。なお、第1電極E1は、一例では、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IGO(indium gallium oxide)等の透明な導電材料製である。なお、第1電極E1は、表示に寄与する領域と重なる部分が透明であれば良く、その他の部分については透明でない材料製であっても良い。絶縁膜16は、第1電極E1の上に位置し、第1電極E1に接触している。第2電極E2は、絶縁膜15及び絶縁膜16を貫通するコンタクトホールCH1(CH11)を介して中継電極RE(RE1)に接触している。なお、また、ゲート電極WGと遮光層SL2とは、例えば互いに電気的に接続され、同電位であることが望ましい。配向膜AL1は、絶縁膜16及び第2電極E2を覆っている。配向膜AL1は、例えば、ポリイミド膜である。
液晶層LCは、第1基板SUB1の上に位置している。液晶層LCは、正の誘電率異方性を有するポジ型であっても良いし、負の誘電率異方性を有するネガ型であっても良い。
第2基板SUB2は、液晶層LCの上に位置している。第2基板SUB2は、支持基板20、遮光層BM、カラーフィルタCF、絶縁膜21、配向膜AL2などを備えている。
偏光板PL2は、支持基板20の上方に設けられている。偏光板PL1の吸収軸と偏光板PL2の吸収軸とは、平面視した場合に互いに直交するように設定されている。
第2基板SUB2は、液晶層LCの上に位置している。第2基板SUB2は、支持基板20、遮光層BM、カラーフィルタCF、絶縁膜21、配向膜AL2などを備えている。
偏光板PL2は、支持基板20の上方に設けられている。偏光板PL1の吸収軸と偏光板PL2の吸収軸とは、平面視した場合に互いに直交するように設定されている。
支持基板20は、透明であり、一例ではホウケイ酸ガラス等のガラス製であるが、プラスチック等の樹脂製であっても良い。遮光層BMは、支持基板20の下に位置し、支持基板20に接触している。遮光層BMは、コンタクトホールCH1からスイッチング素子SW(SW1)に亘って重畳している。カラーフィルタCFは、支持基板20の下に位置し、支持基板20に接触している。図示した例では、カラーフィルタCFは、第2方向Yにおいて、遮光層BMに隣接している。絶縁膜21は、遮光層BM及びカラーフィルタCFの下に位置し、遮光層BM及びカラーフィルタCFに接触している。なお、カラーフィルタCFは、第1基板SUB1に配置されても良い。カラーフィルタCFは、4色以上のカラーフィルタを含んでいても良い。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されても良いし、無着色の樹脂材料が配置されても良いし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層OCを配置しても良い。絶縁膜21は、透明な有機絶縁膜であり、一例ではアクリル樹脂などの樹脂製である。配向膜AL2は、絶縁膜21の下に位置し、絶縁膜21に接触し、絶縁膜21を覆っている。配向膜AL2は、光配向性のポリイミド膜である。
本実施形態によれば、表示装置DSPは、複数のソース線Sと、複数のゲート線Gとを備えている。複数のソース線Sは、例えば、第1方向Xに等間隔で並べられている。複数のゲート線Gは、例えば、第2方向Yに等間隔で並べられている。複数のソース線Sと、複数のゲート線Gとは、それぞれ、交差している。ゲート線Gは、境界BDで分断されている。各画素PXにおいて、スイッチング素子SWは、ゲート線Gと交差する交差部CSを有している。交差部CSは、境界BDの画素PXでは、隣り合う2つのソース線Sの間でこれら2つのソース線Sのいずれか一方の方向にずれている。そのため、表示装置DSPは、ゲート線Gを分断した場合でも、境界BDに位置する画素PXの大きさと境界BD以外の領域に位置する画素PXの大きさとほぼ同じにすることができる。また、表示装置DSPは、境界BDで隣り合う2つの画素PXの間隔と境界BD以外の領域で隣り合う2つの画素PXの間隔とをほぼ同じにすることができる。したがって、本表示品位の劣化を抑制することができる表示装置DSPを提供できる。
次に、本実施形態の他の構成例について図5、図6及び図7を参照しながらそれぞれ説明する。以下に説明する本実施形態の他の構成例において、前述した実施形態と同一の部分には、同一の参照符号を付しその詳細な説明を省略し、前述した実施形態と異なる部分を中心に詳細に説明する。なお、他の実施形態においても、前述の実施形態と同様の効果を得ることができる。
図5に示した構成例は、図2に示した構成例と比較して、境界BDの画素PXおいて、中継電極REが、隣り合う2つのソース線Sの間の中央からずれている点が相違している。
図示した例では、中継電極RE1は、ソース線S1及びソース線S2の間でソース線S1側に位置している。例えば、中継電極RE1は、ソース線S1から右側に間隔D15で離間し、ソース線S2から左側に間隔D16で離間している。間隔D16は、間隔D15よりも大きい。なお、間隔D16は、間隔D15よりも小さくてもよい。また、中継電極RE1は、ソース線S1及びソース線S2の間でコンタクトホールCH11に対してソース線S1側に位置する構成でもよい。中継電極RE2は、ソース線S2及びソース線S3の間でソース線S3側に位置している。例えば、中継電極RE2は、ソース線S2から右側に間隔D25で離間し、ソース線S3から右側に間隔D26で離間している。間隔D25は、間隔D26よりも大きい。なお、間隔D25は、間隔D26よりも小さくてもよい。また、中継電極RE2は、ソース線S2及びソース線S3の間でコンタクトホールCH12に対してソース線S3側に位置する構成でもよい。このような構成例においても、上記同様の効果が得られる。
図示した例では、中継電極RE1は、ソース線S1及びソース線S2の間でソース線S1側に位置している。例えば、中継電極RE1は、ソース線S1から右側に間隔D15で離間し、ソース線S2から左側に間隔D16で離間している。間隔D16は、間隔D15よりも大きい。なお、間隔D16は、間隔D15よりも小さくてもよい。また、中継電極RE1は、ソース線S1及びソース線S2の間でコンタクトホールCH11に対してソース線S1側に位置する構成でもよい。中継電極RE2は、ソース線S2及びソース線S3の間でソース線S3側に位置している。例えば、中継電極RE2は、ソース線S2から右側に間隔D25で離間し、ソース線S3から右側に間隔D26で離間している。間隔D25は、間隔D26よりも大きい。なお、間隔D25は、間隔D26よりも小さくてもよい。また、中継電極RE2は、ソース線S2及びソース線S3の間でコンタクトホールCH12に対してソース線S3側に位置する構成でもよい。このような構成例においても、上記同様の効果が得られる。
図6に示した構成例は、図2に示した構成例と比較して、ゲート線Gが、境界BDに位置するソース線Sに重畳している点が相違する。
図示した例では、ゲート線G11、G21、及びG31は、ソース線S2に重畳している。ゲート線G12、G22、及びG32は、ソース線S2に重畳していない。ゲート線G12、G22、及びG32は、ソース線S2から右側に離間している。一例として、ゲート線G11の先端TP11は、ソース線S1から右側へ距離DT3の位置に配置され、ソース線S2に重畳している。ゲート線G21の先端TP12及びゲート線G31の先端TP13も、ソース線S1から右側へ先端TP11と同じ距離の位置に配置され、ソース線S2に重畳している。距離DT3は、ソース線S1とソース線S2との間の第1方向Xの間隔よりも大きい。また、ゲート線G12の先端TP21は、ソース線S3から左側へ距離DT4の位置に配置されている。ゲート線G22の先端TP22及びゲート線G32の先端TP32も、ソース線S3から左側へ先端TP21と同じ距離の位置に配置されている。距離DT3は、距離DT4よりも大きい。距離DT4は、ソース線S2とソース線S3との間の第1方向Xの間隔よりも大きい。一例として、距離DT3は、距離DT1や距離DT2よりも大きく、距離DT4は、距離DT1や距離DT2よりも小さくてもよい。なお、ゲート線G11、G21、及びG31が、ソース線S2に重畳せず、ゲート線G12、G22、及びG32が、ソース線S2に重畳していてもよい。また、ゲート線G11、G12、G21、G22、G31、及びG32が、ソース線S2に交互に重畳する構成であってもよい。例えば、ゲート線G11、G22、及びG31が、ソース線S2に重畳せず、ゲート線G12、G21、及びG32が、ソース線S2に重畳していてもよい。
図示した例では、遮光層LS11、LS21、及びLS31は、ソース線S2に重畳している。遮光層LS12、LS22、及びLS32は、ソース線S2に重畳していない。図示した例では、遮光層LS12、LS22、及びLS32は、ソース線S2から右側に離間している。
図示した例では、ゲート線G11、G21、及びG31は、ソース線S2に重畳している。ゲート線G12、G22、及びG32は、ソース線S2に重畳していない。ゲート線G12、G22、及びG32は、ソース線S2から右側に離間している。一例として、ゲート線G11の先端TP11は、ソース線S1から右側へ距離DT3の位置に配置され、ソース線S2に重畳している。ゲート線G21の先端TP12及びゲート線G31の先端TP13も、ソース線S1から右側へ先端TP11と同じ距離の位置に配置され、ソース線S2に重畳している。距離DT3は、ソース線S1とソース線S2との間の第1方向Xの間隔よりも大きい。また、ゲート線G12の先端TP21は、ソース線S3から左側へ距離DT4の位置に配置されている。ゲート線G22の先端TP22及びゲート線G32の先端TP32も、ソース線S3から左側へ先端TP21と同じ距離の位置に配置されている。距離DT3は、距離DT4よりも大きい。距離DT4は、ソース線S2とソース線S3との間の第1方向Xの間隔よりも大きい。一例として、距離DT3は、距離DT1や距離DT2よりも大きく、距離DT4は、距離DT1や距離DT2よりも小さくてもよい。なお、ゲート線G11、G21、及びG31が、ソース線S2に重畳せず、ゲート線G12、G22、及びG32が、ソース線S2に重畳していてもよい。また、ゲート線G11、G12、G21、G22、G31、及びG32が、ソース線S2に交互に重畳する構成であってもよい。例えば、ゲート線G11、G22、及びG31が、ソース線S2に重畳せず、ゲート線G12、G21、及びG32が、ソース線S2に重畳していてもよい。
図示した例では、遮光層LS11、LS21、及びLS31は、ソース線S2に重畳している。遮光層LS12、LS22、及びLS32は、ソース線S2に重畳していない。図示した例では、遮光層LS12、LS22、及びLS32は、ソース線S2から右側に離間している。
図示した例では、交差部CS2は、ソース線S2から右側に間隔D27で離間し、ソース線S3から左側に間隔D28で離間している。間隔D27は、間隔D28よりも大きい。間隔D27は、例えば、間隔D23よりも大きい。一例として、間隔D27は、ソース線S2及びソース線S3の間の間隔の半分よりも大きい。なお、この場合、交差部CS1は、ソース線S1及びソース線S2の間の中央に位置していてもよいし、ソース線S1及びソース線S2の間でソース線S2側に位置していてもよい。このような構成例においても、上記同様の効果が得られる。
図7に示した構成例は、図2に示した構成例と比較して、分断されたゲート線Gが第2方向Yにずれている点が相違している。
ゲート線Gは、スイッチング素子SWと重畳する面積が変わらない範囲で第2方向Yにずれていてもよい。図示した例では、ゲート線G11及びG12は、第2方向Yに延出する範囲でスイッチング素子SWに重畳している。ゲート線G11は、ゲート線G12と第1方向Xで離間し、ゲート線G12に対して第2方向Yにずれている。ゲート線G21及びG22は、第2方向Yに延出する範囲でスイッチング素子SWに重畳している。ゲート線G21は、ゲート線G22と第1方向Xで離間し、ゲート線G22に対して第2方向Yにずれている。ゲート線G31及びG32は、第2方向Yに延出する範囲でスイッチング素子SWに重畳している。ゲート線G31は、ゲート線G32と第1方向Xで離間し、ゲート線G31に対して第2方向Yにずれている。このように、分断された2つのゲート線Gがスイッチング素子SWの第2方向Yに延出する範囲で互いにずれている場合でも、これら2つのゲート線Gは、同じ直線上にあるものする。このような構成例においても、上記同様の効果が得られる。
ゲート線Gは、スイッチング素子SWと重畳する面積が変わらない範囲で第2方向Yにずれていてもよい。図示した例では、ゲート線G11及びG12は、第2方向Yに延出する範囲でスイッチング素子SWに重畳している。ゲート線G11は、ゲート線G12と第1方向Xで離間し、ゲート線G12に対して第2方向Yにずれている。ゲート線G21及びG22は、第2方向Yに延出する範囲でスイッチング素子SWに重畳している。ゲート線G21は、ゲート線G22と第1方向Xで離間し、ゲート線G22に対して第2方向Yにずれている。ゲート線G31及びG32は、第2方向Yに延出する範囲でスイッチング素子SWに重畳している。ゲート線G31は、ゲート線G32と第1方向Xで離間し、ゲート線G31に対して第2方向Yにずれている。このように、分断された2つのゲート線Gがスイッチング素子SWの第2方向Yに延出する範囲で互いにずれている場合でも、これら2つのゲート線Gは、同じ直線上にあるものする。このような構成例においても、上記同様の効果が得られる。
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
DSP…表示装置 PNL…表示パネル
SUB1…第1基板 SUB2…第2基板 10…第1支持基板
20…第2支持基板 DA…表示領域 NDA…非表示領域
G…ゲート線 S…ソース線 LS、BM…遮光層
E1…第1電極 E2…第2電極
SUB1…第1基板 SUB2…第2基板 10…第1支持基板
20…第2支持基板 DA…表示領域 NDA…非表示領域
G…ゲート線 S…ソース線 LS、BM…遮光層
E1…第1電極 E2…第2電極
Claims (9)
- 第1方向に配列された第1ソース線、第2ソース線、及び第3ソース線と、
前記第1方向に延出し、前記第1ソース線と交差する第1ゲート線と、
前記第1方向に延出し、前記第1ゲート線から前記第1方向に離間し、前記第3ソース線と交差する第2ゲート線と、
前記第1ゲート線と交差し、前記第1ソース線と前記第2ソース線との間で前記第1ソース線側に位置する第1交差部を備えた第1半導体層と、
前記第2ゲート線と交差し、前記第2ソース線と前記第3ソース線との間で前記第3ソース線側に位置する第2交差部を備えた第2半導体層とを備える表示装置。 - 前記第1ソース線、前記第2ソース線、及び前記第3ソース線は、等間隔で配置されている、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1ゲート線と前記第2ゲート線とは、同じ直線上に位置している、請求項1又は2に記載の表示装置。
- 前記第1ソース線と前記第2ソース線とから等間隔の位置に配置され、前記第1半導体層に接続されている第1中継電極と、
前記第2ソース線と前記第3ソース線とから等間隔の位置に配置され、前記第2半導体層に接続されている第2中継電極と、を備える請求項1乃至3のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記第1ソース線と前記第2ソース線との間に位置し、第1コンタクトホールを介して前記第1中継電極と接続されている第1画素電極と、
前記第2ソース線と前記第3ソース線との間に位置し、第2コンタクトホールを介して前記第2中継電極と接続されている第2画素電極と、
前記第1コンタクトホールは、前記第1ソース線と前記第2ソース線とから等間隔の位置に形成され、
前記第2コンタクトホールは、前記第2ソース線と前記第3ソース線とから等間隔の位置に形成されている、請求項4に記載の表示装置。 - 前記第1ゲート線に沿って延出し、前記第1ゲート線と重畳する第1遮光層と、
前記第2ゲート線に沿って延出し、前記第1遮光層から前記第1方向に離間し、前記第2ゲート線と重畳する第2遮光層と、を備える請求項1乃至5のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記第1ゲート線及び前記第2ゲート線は、前記第2ソース線に交差していない、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記第1ゲート線又は前記第2ゲート線は、前記第2ソース線に交差している、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記第1ソース線に沿って延出し、前記第1ソース線に重畳する第3遮光層と、
前記第2ソース線に沿って延出し、前記第2ソース線に重畳する第4遮光層と、
前記第3ソース線に沿って延出し、前記第3ソース線に重畳する第5遮光層と、
前記第3遮光層、前記第4遮光層、及び前記第5遮光層は、等間隔で前記第1方向に配列され、前記第1方向に同じ幅を有している、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の表示装置。
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