JP6116878B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
一実施の形態によれば、半導体装置は、半導体基板と、受光素子領域と、周辺領域と、境界領域と、複数の信号線と、導電層とを備える。受光素子領域は、光電変換を行なうための受光素子が形成されている。周辺領域は、受光素子領域の外部に形成され、半導体基板の外部との電気信号の入出力を行なう。境界領域は、平面視において受光素子領域と周辺領域との間に形成される。複数の信号線は、境界領域に配置され、受光素子領域と周辺領域との間で電気信号の入出力を行なう。導電層は、複数の信号線のそれぞれと異なる層に配置される。複数の信号線のそれぞれから見た導電層の相対的な位置がすべて同じであり、かつ導電層はすべて同一の層に配置される。
(実施の形態1)
まず一実施の形態の半導体装置の全体構成について図1を用いて説明する。
図6(A)〜(D)を参照して、比較例においても一実施の形態と同様に垂直信号線SGLが金属層M1として配置され、金属層M1の上側の層として金属層M2が、金属層M1の下側の層としてゲート電極層GEおよびトランジスタ形成領域TRRが、それぞれ配置されている。また分離領域SPTも形成されている。ただし境界領域BDRにおいて、これらの各層M2,TRR,GE,SPTはCMPダミーとして用いられるものである。つまりこれらの各層M2,TRR,GE,SPTは、CMPダミーとしての機能を要する所望の領域を自動制御により検出したうえで、当該所望の領域に配置させたものである。
図10(A)、(B)を参照して、これらは基本的に実施の形態1の図5(A)、(C)と同様の構成を有している。境界領域BDRにおいて、垂直信号線SGL(金属層M1)と同一の層として(たとえば銅やアルミニウムなどの一般公知の金属材料からなる)金属層SGL2(M1)が配置されている。
図11(A)、(B)を参照して、これらは基本的に実施の形態2の図10(A)、(B)と同様の構成を有している。すなわち電源配線POW(導電層)とゲート電極層GE(他の導電層)とが、これらの間を貫通するコンタクトCNTにより互いに導通されている。しかし金属層SGL2が各垂直信号線SGLと隣り合うように複数並ぶように配置されている点において、実施の形態2と異なっている。
上記の各実施の形態においては主に境界領域BDRについて説明しているが、本実施の形態においては受光素子領域PDRおよびカラム領域CMNを含めた半導体チップ全体の構成について、以下に図12〜図14を用いて説明する。
Claims (4)
- 主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記主表面に形成された、光電変換を行なうための受光素子が形成される受光素子領域と、
前記半導体基板の前記主表面における前記受光素子領域の外部に形成された、前記半導体基板の外部との電気信号の入出力を行なう周辺領域と、
平面視における前記受光素子領域と前記周辺領域との間に形成された境界領域と、
前記境界領域に配置され、前記受光素子領域と前記周辺領域との間で電気信号の入出力を行なう複数の信号線と、
複数の前記信号線のそれぞれと異なる層に配置される導電層とを備え、
複数の前記信号線のそれぞれから見た前記導電層の相対的な位置がすべて同じであり、かつ前記導電層はすべて同一の層に配置され、
前記導電層には固定電位が印加され、
前記信号線の、前記導電層に対向する側と反対側に他の導電層をさらに備え、
前記他の導電層は複数の前記信号線のそれぞれおよび前記導電層と異なる層に配置され、
複数の前記信号線のそれぞれから見た前記他の導電層の相対的な位置がすべて同じであり、かつ前記他の導電層はすべて同一の層に配置され、
前記導電層および前記他の導電層の双方に固定電位が印加される、半導体装置。 - 前記導電層は前記信号線のそれぞれと平面視において重なる位置に配置される、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記導電層は、複数の前記信号線のすべてと重なる一体の層からなる、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記導電層と前記他の導電層との間を貫通する複数の貫通導電領域により前記導電層と前記他の導電層とが互いに導通され、
前記信号線は、前記導電層と前記他の導電層と、複数の前記貫通導電領域のうち前記信号線の延在する方向に交差する方向に関して前記信号線の両側に位置する1対の前記貫通導電領域とに囲まれている、請求項1に記載の半導体装置。
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