JP2012134545A - 光電変換装置およびその製造方法 - Google Patents
光電変換装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012134545A JP2012134545A JP2012053494A JP2012053494A JP2012134545A JP 2012134545 A JP2012134545 A JP 2012134545A JP 2012053494 A JP2012053494 A JP 2012053494A JP 2012053494 A JP2012053494 A JP 2012053494A JP 2012134545 A JP2012134545 A JP 2012134545A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- film
- disposed
- wiring
- wiring layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明は、半導体基板に配された光電変換素子と、前記半導体基板上に層間絶縁膜を介して複数の配線層が配された多層配線構造を有する光電変換装置であって、最上配線層の上部に、前記最上配線層を構成する材料の拡散を抑制する拡散抑制膜が配され、前記拡散抑制膜は、前記最上配線層及び前記層間絶縁膜の前記光電変換素子に対応する領域を覆って配されており、前記拡散抑制膜の前記光電変換素子に対応する領域にレンズが配されていることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
従来の銅配線を用いた光電変換装置としては、特許文献1に開示されるような構造が提案されている。一般の半導体デバイスにおいて、銅配線を使用する場合には、層間絶縁膜として一般に用いられる酸化膜中での拡散係数が大きいために、銅の拡散を抑制する拡散抑制層を配する必要がある。銅配線の上層の拡散抑制膜としてはSiN膜を用いる場合が多い。またこれは銅に限らず、配線材料の層間絶縁膜中における拡散係数が大きい場合には必要となる。
図1は本発明の実施例1における光電変換装置の断面構造である。なお、本実施例の説明及び各図において、説明を簡単にするために半導体基板に形成された素子領域、素子分離領域などの詳細な構成の説明は省略する。
図6は本発明の実施例2における光電変換装置の断面構造図である。本実施例は、実施例1を変形したものであり、最上配線層が埋設される層間絶縁膜(シリコン酸化膜)とその上部に配される拡散抑制膜(シリコン窒化膜)との界面に反射防止膜(シリコン酸窒化膜)を配した。シリコン酸窒化膜はシリコン酸化膜216とシリコン窒化膜219との界面における入射光の反射を抑制する。したがって、シリコン酸窒化膜に限られるものではなく、界面での反射を低減するものであればよい。
図10、11は本発明の実施例3における光電変換装置の断面構造図及び平面配置図である。まず図11の平面配置図に関して説明する。
実施例1〜3においては、画素領域の最上配線層上に配された拡散抑制膜に関して述べてきた。実施例4においては、多層配線構造のうちの最上配線層以外の配線層及びその拡散抑制膜に関して述べる。
114、117、214、217、317,320 配線層
118、219 拡散抑制膜
218 反射防止膜
119、220 レンズ
Claims (13)
- 半導体基板に配された光電変換素子と、
前記半導体基板上に層間絶縁膜を介して複数の配線層が配された多層配線構造を有する光電変換装置であって、
前記多層配線構造は、最上配線層と、前記最上配線層よりも下層に配される第1の配線層とを有し、
前記第1配線層の上部に、前記第1の配線層に含まれる配線に接して、前記第1の配線層を構成する材料の拡散を抑制する第1の拡散抑制膜が配され、
前記最上配線層の上部に、前記最上配線層に含まれる配線に接して、前記最上配線層を構成する材料の拡散を抑制する第2の拡散抑制膜が配され、前記拡散抑制膜は、前記最上配線層及び前記層間絶縁膜の前記光電変換素子に対応する領域を覆って配されており、
前記第2の拡散抑制膜の前記光電変換素子に対応する領域にレンズが配されており、該レンズは、前記第1の拡散抑制膜の一部を用いて形成されているかもしくは、前記第2の拡散抑制膜に直接接して配されており、
前記第1の拡散抑制膜の膜厚よりも前記第2の拡散抑制膜の膜厚が厚いことを特徴とする光電変換装置。 - 前記複数の配線層を構成する材料は銅であることを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。
- 前記複数の配線層の少なくとも1つはダマシン構造であることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の光電変換装置。
- 前記第1及び第2の拡散抑制膜はシリコン窒化膜を含んでいることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記層間絶縁膜と、前記第1及び第2の拡散抑制膜の界面には反射防止膜が配されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記反射防止膜は、シリコン酸窒化膜を含むことを特徴とする請求項5記載の光電変換装置。
- 更に、前記半導体基板に、前記光電変換素子からの信号出力を制御する周辺回路が配され、前記第2の拡散抑制膜が、前記周辺回路における異なる配線層の間に配される層間絶縁膜であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第2の拡散抑制膜が、保護膜を兼ねていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 光電変換素子が配された画素領域と、前記光電変換素子からの信号出力を制御する回路が配された周辺回路領域と、が同一半導体基板に配されており、
前記半導体基板上に層間絶縁膜を介して複数の配線層が配された多層配線構造を有し、前記画素領域に比べて前記周辺回路領域の配線層の数が多い光電変換装置において、
前記画素領域に配された配線層のうち最上配線層の上部に拡散抑制膜が配置され、
前記拡散抑制膜は前記周辺回路領域における層間絶縁膜であることを特徴とする光電変換装置。 - 前記拡散抑制膜の前記光電変換素子に対応する領域にレンズが配されていることを特徴とする請求項9に記載の光電変換装置。
- 前記レンズは、前記最上配線層の上部に配された拡散抑制膜の一部を用いて形成されている、もしくは、前記最上配線層の上部に配された拡散抑制膜に直接接して配されることを特徴とする請求項10に記載の光電変換装置。
- 前記配線層を構成する材料は銅であることを特徴とする請求項9〜11のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 半導体基板に配された光電変換素子と、
前記半導体基板上に配された層間絶縁膜に埋設された配線を含む多層配線構造と、
前記配線層上に配された前記配線層を構成する材料の拡散を抑制する拡散抑制膜とを有する光電変換装置の製造方法であって、
前記層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に、該層間絶縁膜と前記拡散抑制膜との界面における入射光の反射を低減する反射防止膜を形成することにより、前記層間絶縁膜と反射防止膜の積層構造を形成する工程と、
前記積層構造の、前記配線を形成するべき領域を除去して配線溝を形成する工程と、
前記配線溝に配線材料を形成して配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012053494A JP5389208B2 (ja) | 2012-03-09 | 2012-03-09 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012053494A JP5389208B2 (ja) | 2012-03-09 | 2012-03-09 | 光電変換装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007044009A Division JP5159120B2 (ja) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | 光電変換装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012134545A true JP2012134545A (ja) | 2012-07-12 |
JP5389208B2 JP5389208B2 (ja) | 2014-01-15 |
Family
ID=46649682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012053494A Expired - Fee Related JP5389208B2 (ja) | 2012-03-09 | 2012-03-09 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5389208B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016051714A (ja) * | 2014-08-28 | 2016-04-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006165413A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2006210582A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2008053628A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2008091643A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
-
2012
- 2012-03-09 JP JP2012053494A patent/JP5389208B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006165413A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2006210582A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2008053628A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2008091643A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016051714A (ja) * | 2014-08-28 | 2016-04-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5389208B2 (ja) | 2014-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9666628B2 (en) | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same | |
US9287423B2 (en) | Solid-state imaging device and method of manufacturing the solid-state imaging device | |
JP5783741B2 (ja) | 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法 | |
KR101559907B1 (ko) | 전기 회로 배선을 라인 앤 스페이스 타입의 반사막 패턴으로 변경함으로써, 메탈 라인의 최소 간격에 따라 광 감도가 개선되는 이미지 센서 및 그 제조방법. | |
JP5241902B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20100203665A1 (en) | Methods of manufacturing an image sensor having an air gap | |
JP5159120B2 (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
JP2011216865A (ja) | 固体撮像装置 | |
KR20130088705A (ko) | 개선된 반사성의 이미지 센서용 광학 그리드를 위한 방법 및 장치 | |
US20120199928A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP6083572B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
US9391227B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP5563257B2 (ja) | 光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の製造方法 | |
JP2013026565A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 | |
US20130105926A1 (en) | Back side illumination image sensor and manufacturing method thereof | |
JP2014003333A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置を用いた撮像システム及び固体撮像装置の製造方法 | |
JP5389208B2 (ja) | 光電変換装置 | |
JP2013016702A (ja) | 固体撮像装置及びカメラモジュール | |
JP2014086515A (ja) | 撮像装置、その製造方法及びカメラ | |
JP2006294773A (ja) | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 | |
JP2024035163A (ja) | イメージセンサ | |
JP5329001B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2012028585A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
KR20110079335A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120409 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120409 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130604 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130805 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131008 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5389208 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |