JP2006294773A - 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 82
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 51
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 42
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical class O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体基板104に形成されたセンサ部100及びセンサ周辺回路部102の上に層間絶縁膜を介して形成される多層配線層において、センサ部100の直上は2層配線とし、センサ周辺回路部102の直上は3層配線とすることにより、センサ部100の直上にある3層目の層間絶縁膜128の上に積層されるパッシベーション膜136の形成の際に平坦化プロセスを使用する必要を省略して、センサ部100の直上領域の層間絶縁膜128の平坦性のバラツキをなくし、これにより、この上に形成されるパッシベーション膜136表面の平坦化程度を極めて良好にし、このパッシベーション膜136の上にオンチップレンズ140を形成する。
【選択図】図1
Description
Claims (11)
- 光電変換動作を行う光センサ部及びこの光センサ部の光電変換信号を処理するセンサ周辺回路部が上部に形成された半導体基板と、
前記光センサ部と前記センサ周辺回路部の上に積層される複数の層間絶縁膜と、
前記複数の層間絶縁膜の各層の上に形成され、前記光センサ部及び前記センサ周辺回路部の信号伝送に使用される複数の配線層と、
前記複数の層間絶縁膜の最上層の層間絶縁膜及び前記複数の配線層の最上層の配線層の上に積層されるパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜の上で前記光センサ部の直上領域に形成される集光用のオンチップレンズとを具備し、
前記最上層の配線層は、前記最上層の層間絶縁膜の上で前記センサ周辺回路部の直上領域のみに形成されることを特徴とする固体撮像素子。 - 光電変換動作を行う光センサ部及びこの光センサ部の光電変換信号を処理するセンサ周辺回路部が上部に形成された半導体基板と、
前記光センサ部と前記センサ周辺回路部の上に積層される第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜の上に形成され、前記光センサ部及び前記センサ周辺回路部の信号伝送に使用される第1の配線層と、
前記第1の層間絶縁膜及び前記第1の配線層の上に積層される第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜の上に形成され、前記光センサ部及び前記センサ周辺回路部の信号伝送に使用される第2の配線層と、
前記第2の層間絶縁膜及び前記第2の配線層の上に積層される前記第3の層間絶縁膜と、
前記第3の層間絶縁膜の上で前記センサ周辺回路部の直上領域のみに形成され、前記センサ周辺回路部の信号伝送に使用される第3の配線層と、
前記第3の層間絶縁膜及び前記第3の配線層の上に積層されるパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜の上で前記光センサ部の直上領域に形成されるカラーフィルターと、
前記カラーフィルターの上に形成され、前記センサ部に光を集光するオンチップレンズと、
を具備することを特徴とする固体撮像素子。 - 前記パッシベーション膜はシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の2層構造を有することを特徴とする請求項1または2記載の固体撮像素子。
- 前記パッシベーション膜と前記オンチップレンズの間に形成されたカラーフィルターを備えることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記複数の層間絶縁膜および前記複数の配線層はそれぞれ3層で構成され、
前記センサ周辺回路部の直上には前記3層の配線層が存在し、前記光センサ部の直上には前記3層のうちの最上層を除く2層の配線層が存在することを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。 - 前記センサ周辺回路部の直上には前記第1、第2および第3の配線層が存在し、光センサ部の直上には前記第1および第2の配線層が存在することを特徴とする請求項2記載の固体撮像素子。
- 半導体基板上に光電変換動作を行う光センサ部及びこの光センサ部の光電変換信号を処理するセンサ周辺回路部が上部に形成された半導体基板と、前記光センサ部と前記センサ周辺回路部の上に積層される複数の層間絶縁膜と、前記複数の層間絶縁膜の各層の上に形成される複数の配線層とを有する固体撮像素子の製造方法であって、
前記複数の層間絶縁膜の最上層の層間絶縁膜の上で前記センサ周辺回路部の直上領域のみに前記センサ周辺回路部の信号伝送に使用される前記複数の配線層の最上層の配線層を形成する工程と、
前記最上層の層間絶縁膜及び前記最上層の配線層の上にパッシベーション膜を積層する工程と、
前記パッシベーション膜の上で前記光センサ部の直上領域に集光用のオンチップレンズを形成する工程と、
を具備することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 前記パッシベーション膜と前記オンチップレンズの間にカラーフィルターを形成する工程を備えることを特徴とする請求項7記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記パッシベーション膜はシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の2層構造を有することを特徴とする請求項7記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記最上層の配線層は前記センサ周辺回路部の信号伝送用の配線層であることを特徴とする請求項7記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記複数の層間絶縁膜および前記複数の配線層はそれぞれ3層で構成されることを特徴とする請求項7記載の固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005111612A JP2006294773A (ja) | 2005-04-08 | 2005-04-08 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005111612A JP2006294773A (ja) | 2005-04-08 | 2005-04-08 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006294773A true JP2006294773A (ja) | 2006-10-26 |
Family
ID=37415038
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005111612A Pending JP2006294773A (ja) | 2005-04-08 | 2005-04-08 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
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JP (1) | JP2006294773A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US10431617B2 (en) | 2017-02-28 | 2019-10-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and apparatus |
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A621 | Written request for application examination |
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