JP5389208B2

JP5389208B2 - 光電変換装置

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Publication number: JP5389208B2
Application number: JP2012053494A
Authority: JP
Inventors: 隆一三島; 裕章成瀬
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Priority date: 2012-03-09
Filing date: 2012-03-09
Publication date: 2014-01-15
Anticipated expiration: 2027-02-23
Also published as: JP2012134545A

Description

本発明は光電変換装置及びその製造方法に関し、特に配線材料の層間絶縁膜への拡散を抑制する拡散抑制膜を有する光電変換装置及びその製造方法に関する。

近年、光電変換装置としてＭＯＳトランジスタを用いたＭＯＳ型光電変換装置が盛んに開発されている。そのような光電変換装置において多画素化にともなう画素寸法の縮小化が進んでいる。これに伴って配線材料をアルミニウムから銅への変更が検討されている。
従来の銅配線を用いた光電変換装置としては、特許文献１に開示されるような構造が提案されている。一般の半導体デバイスにおいて、銅配線を使用する場合には、層間絶縁膜として一般に用いられる酸化膜中での拡散係数が大きいために、銅の拡散を抑制する拡散抑制層を配する必要がある。銅配線の上層の拡散抑制膜としてはＳｉＮ膜を用いる場合が多い。またこれは銅に限らず、配線材料の層間絶縁膜中における拡散係数が大きい場合には必要となる。

しかしながら、拡散抑制膜を光電変換装置で用いる場合は層間絶縁膜と拡散抑制膜との多層構造となり、これによる各層間絶縁膜と拡散抑制膜の界面での反射や多重干渉による影響で光電変換素子への入射光量の低下が発生する。このため、特許文献１においては光電変換素子に対応する領域の拡散抑制膜は除去されている。

特開２００５−３１１０１５号公報

このように拡散抑制膜を除去することによって、層間絶縁膜と拡散抑制膜との界面における反射、多重干渉の影響による入射光量低下は低減される。しかし、受光部上の拡散抑制膜を除去するためのフォトリソグラフィー、エッチングなどの工程が増加する。さらにエッチングをプラズマ雰囲気で行う場合が多く、このような場合には光電変換素子へのエッチングダメージが光電変換装置の特性低下につながる場合がある。

また、特許文献１に記載されているように、拡散抑制膜の光電変換素子に対応する領域を除去した場合には、平坦性を保つことが困難となる。そうすると、光電変換素子に対応した領域にレンズを配する場合やカラーフィルタを配する場合に、形成面を平坦とする必要があり、さらに層間絶縁膜や平坦化膜を形成する必要が生じる。このような膜を積層する場合には、受光部からの合計膜厚が増大し入射光量の低下が懸念される。これは最上配線上の拡散抑制膜に限られたものではなく、それよりも下層配線層の拡散抑制膜に関しても同様であるが、最上配線層の場合に特に影響が大きい。

本発明は上記課題に鑑み、配線材料の拡散を抑制する拡散抑制膜を設けた場合においても、層間絶縁膜の総膜厚を厚膜化することなく、好適な集光構造を提供することを目的とする。

または、拡散抑制膜を設けた場合においても、簡易な工程で、入射光低下を低減することが可能な光電変換装置もしくはその製造方法を提供することを目的とする。

上述の目的を達成するため、本発明の光電変換装置は、半導体基板に配された光電変換素子と、前記半導体基板上に層間絶縁膜を介して複数の配線層が配された多層配線構造を有する光電変換装置であって、前記多層配線構造は、最上配線層と、前記最上配線層よりも下層に配される第１の配線層とを有し、前記第１配線層の上部に、前記第１の配線層に含まれる配線に接して、前記第１の配線層を構成する材料の拡散を抑制する第１の拡散抑制膜が配され、前記最上配線層の上部に、前記最上配線層に含まれる配線に接して、前記最上配線層を構成する材料の拡散を抑制する第２の拡散抑制膜が配され、前記第２の拡散抑制膜は、前記最上配線層及び前記層間絶縁膜の前記光電変換素子に対応する領域を覆って配されており、前記第２の拡散抑制膜の前記光電変換素子に対応する領域にレンズが配されており、前記レンズは、前記第２の拡散抑制膜の一部を用いて形成されているかもしくは、前記第２の拡散抑制膜に直接接して配されており、前記第１の拡散抑制膜の膜厚よりも前記第２の拡散抑制膜の膜厚が厚いことを特徴とする。

本発明によれば、例えば、拡散抑制膜を用いながら、簡易な工程でかつ入射光量の低下を低減可能な光電変換装置及びその製造方法を提供することが可能となる。

本発明の実施例１による光電変換装置の受光部周辺の断面図である。図１に示す光電変換装置の製造方法を説明するための断面図である。図１に示す光電変換装置の製造方法を説明するための断面図である。図１に示す光電変換装置の製造方法を説明するための断面図である。図１に示す光電変換装置の製造方法を説明するための断面図である。本発明の実施例２による光電変換装置の画素領域の断面図である。図６に示す光電変換装置の製造方法を説明するための断面図である。図６に示す光電変換装置の製造方法を説明するための断面図である。図６に示す光電変換装置の製造方法を説明するための断面図である。本発明の実施例３の光電変換装置の断面図である。本発明の実施例３の光電変換装置の平面配置図である。本発明の実施例４の光電変換装置の断面図である。本発明の実施例４の光電変換装置の変形例の断面図である。

図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。

（実施例１）
図１は本発明の実施例１における光電変換装置の断面構造である。なお、本実施例の説明及び各図において、説明を簡単にするために半導体基板に形成された素子領域、素子分離領域などの詳細な構成の説明は省略する。

半導体基板１１１には、光電変換を行う光電変換素子として機能するフォトダイオード１１２が複数配されている。この光電変換素子が配された領域を画素領域とよぶ。そして半導体基板上１１１に、後述する層間絶縁膜に埋設された配線層１１４、１１７を含む多層配線構造が配されている。

半導体基板の上面には第１の層間絶縁膜１１３が配される。これには、シリコン酸化膜を用いることができる。この第１の層間絶縁膜に第１の配線層１１４が埋設される。第１の配線層１１４は、第１の層間絶縁膜１１３に溝を形成し、この溝に銅などの導電体を埋め込み、ＣＭＰ工程により溝部以外の導電体を除去することにより形成される（ダマシンプロセス）。

そして第１の配線層を覆って第１の配線を構成する材料の拡散を抑制する第１の拡散抑制膜１１５が配される。拡散抑制膜としてはシリコン窒化膜やシリコン炭化膜を用いることができる。この第１の拡散抑制膜１１５は光電変換素子に対応する領域で選択的に除去され、層間絶縁膜と拡散抑制膜との界面における入射光の反射が低減された構成となっている。

そして、さらにその上にシリコン酸化膜からなる第２の層間絶縁膜１１６が配されている。そして、第２の層間絶縁膜１１６に、画素領域に配される配線層としては最上配線層となる第２の配線層１１７が埋設される。この第２の配線層も第１の配線層と同様の形成プロセスにより形成することができる。

その上部に第２の拡散抑制膜としてシリコン窒化膜１１８が配される。さらに第２の拡散抑制膜上の光電変換素子に対応する領域に、各光電変換素子に対応した層内レンズ１１９が配される。また、シリコン窒化膜は第２の拡散抑制膜とともに保護膜としても機能している。

本実施例の光電変換装置は、多層配線構造の最上配線層上に配された拡散抑制膜が、光電変換素子に対応する領域にも配置され、さらに拡散抑制膜を利用したレンズを配している。もしくは拡散抑制膜と別の層で、拡散抑制膜に直接接してレンズを配していてもよい。拡散抑制膜を、層間絶縁膜の光電変換素子に対応する領域を覆って配しているために、拡散抑制膜を除去したことによる段差が生じず、このような構成のレンズを形成することが可能となる。

これにより、拡散抑制膜を光電変換素子領域に対応する領域のみ除去する工程及びそのさらに上層に配置する層間絶縁膜を形成する工程を省略することが可能となる。ここで光電変換素子に対応する領域とは、光が光電変換装置へ入射した際の光路に該当する領域である。したがって、画素領域においては遮光部材などにより遮光されていない部分がこれにあたる。レンズを配することで、受光部（光電変換素子）への入射効率を高めることができる。

次に本実施例での光電変換装置の製造方法を説明する。配線材料として銅を用い、層間絶縁膜に配線が埋設された構造に関して説明する。

まず、半導体基板に光電変換素子１１２やトランジスタ（不図示）の電極領域として機能する複数の半導体領域及び素子間を分離する素子分離領域を形成する。

そして、半導体基板上にトランジスタのゲート電極となるポリシリコンを形成し（不図示）、シリコン酸化膜をＣＶＤ法（化学蒸着堆積法）により堆積する。その後、ＣＭＰ法（化学的機械的研磨法）により平坦化することにより第１の層間絶縁膜１１３を形成する。

次に、第１の層間絶縁膜にダマシン法により第１の銅配線１１４を埋設する（図２）。その後シリコン窒化膜などにより第１の拡散抑制膜１１５を全面に形成した後、リソグラフィ技術及びドライエッチング技術により光電変換素子に対応した領域に配された拡散抑制膜１１５を除去する（図３）。しかし、層間絶縁膜との屈折率差がそれほど大きくない場合には、そのまま残してもよい。

次にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成し、第２の層間絶縁膜１１６を形成する。第２の層間絶縁膜の形成において、第１の拡散抑制膜の段差の影響を低減したい場合には、ＣＭＰ法によって平坦化しても良い。

次に画素領域では最上配線層となる第２の配線層１１７をダマシン法により形成する（図４）。そして第２の拡散抑制膜として機能するシリコン窒化膜１１８をＣＶＤ法により形成する。この第２の拡散抑制膜は保護膜としても機能させるため、第１の拡散抑制膜よりも膜厚を厚くし、保護機能を高める（図５）。また保護特性を高めるために、光電変換素子に対応する領域も含めて全面を覆って配するのがよい。

その後、光電変換素子に対応する領域に層内レンズ１１９をリソグラフィ技術、及びドライエッチング技術などを用いて形成することで、本実施例の光電変換装置を形成する。

なお、本実施例では省略したが、第１の層間絶縁膜１１３と半導体基板１１１との間に、層間絶縁膜と半導体基板との界面における入射光の反射を低減させるために反射防止膜を用いることもできる。これには、例えばシリコン窒化膜を用いることができる。さらに、銅配線の形成においては、シングルダマシン法、デュアルダマシン法いずれの方法を用いて形成してもよく、配線層数も２層に限られたものではない。

また層内レンズ１１９は凸状レンズを形成したが、凹状レンズを形成することも可能である。またレンズの形成方法としては，第２の拡散抑制膜となるシリコン窒化膜を厚めに形成した後、レンズ形状としたレジストパターンをエッチングによりシリコン窒化膜に転写する。これにより、シリコン窒化膜の一部をレンズ形状とすることもできる。これにより、さらに工程を短縮化することが可能となる。また層内レンズ上部には必要に応じてカラーフィルタやマイクロレンズを設ける構造についても同様に適用できるものである。このような構成においても、第２の拡散抑制膜が光電変換素子に対応する領域で除去されていないために、層間絶縁膜や平坦化膜を別途設けることなく、これら部材を配することが可能となり，低背化することが可能となる。更に、第２の拡散抑制膜が光電変換素子に対応する領域も覆って配されているため、保護膜と拡散抑制膜とを兼ねた構造とすることが可能になる。これにより保護膜としての機能を有しつつ、拡散抑制膜をパターニングする工程をなくすことができる。

（実施例２）
図６は本発明の実施例２における光電変換装置の断面構造図である。本実施例は、実施例１を変形したものであり、最上配線層が埋設される層間絶縁膜（シリコン酸化膜）とその上部に配される拡散抑制膜（シリコン窒化膜）との界面に反射防止膜（シリコン酸窒化膜）を配した。シリコン酸窒化膜はシリコン酸化膜２１６とシリコン窒化膜２１９との界面における入射光の反射を抑制する。したがって、シリコン酸窒化膜に限られるものではなく、界面での反射を低減するものであればよい。

本実施例の製造方法について説明する。まず、第１の配線層２１４を形成し、第１の拡散抑制膜２１５を形成するところまでは実施例１と同様である。

その後、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜２１６を形成する。第１の拡散抑制膜２１５の段差の影響を低減したい場合にはＣＭＰ法によって平坦化する。

そして、ＣＶＤ法によりシリコン酸窒化膜２１８をシリコン酸化膜２１６（層間絶縁膜）上に形成する（図７）。これにより、シリコン酸化膜２１６とシリコン酸窒化膜２１８との２層構造（積層構造）が形成される。つまり、層間絶縁膜上に、層間絶縁膜と拡散抑制膜との界面における入射光の反射を低減する反射防止膜を形成し、層間絶縁膜と反射防止膜の積層構造を形成している。その後、この２層構造の配線を配置する領域に対してエッチングを行ない、配線溝を形成する（図８）。この時同時にビアホール部分もエッチングにより形成することもできる（デュアルダマシン）。そしてメッキなどにより銅を配線溝及びビアホールに形成し、溝部分以外の銅をＣＭＰ法により除去することにより第２の配線層２１７を形成する（図９）。そして、保護膜及び第２の配線層の材料の拡散抑制膜として機能するシリコン窒化膜２１９を形成する。そして、さらにシリコン窒化膜２１９上の光電変換素子に対応する領域に層内レンズ２２０を形成して図６の光電変換装置とする。

本実施例では、第２の層間絶縁膜２１６を構成するシリコン酸化膜と第２の配線層２１７上のシリコン窒化膜２１９との層間にシリコン酸窒化膜による反射防止膜２１８を配する。これにより、シリコン酸化膜２１６とシリコン窒化膜２１９界面での反射が抑制され、光の損失をさらに低減することが可能となる。

また本実施例の製造方法によれば、シリコン酸化膜２１６、シリコン酸窒化膜２１８の２層構造を形成した後、配線溝を形成する工程において、反射防止膜もシリコン酸化膜と同時にエッチングしている。これにより工程の短縮が可能となり、光電変換素子の受光部に対応する領域を含んだ配線層が配されない領域全体（配線溝が形成されない領域）に、反射防止膜を形成することが可能となる。

（実施例３）
図１０、１１は本発明の実施例３における光電変換装置の断面構造図及び平面配置図である。まず図１１の平面配置図に関して説明する。

８１１は光電変換領域である。１つの光電変換素子から読み出される信号の単位を画素とし、光電変換素子が配されている領域を画素領域とよぶこともできる。画素は、１つの光電変換素子及びこの光電変換素子から出力線へ信号を読み出すための素子集合の最小単位である。この素子集合に含まれるのは、転送ＭＯＳトランジスタなどの転送部、増幅ＭＯＳトランジスタなどの増幅部、リセットＭＯＳトランジスタなどのリセット部である。隣接する光電変換素子において、上記素子を共有することも可能であるが、この場合にも１つの光電変換素子の信号を読み出すための素子集合の最小単位で定義づけられる。

８１２が光電変換領域から読み出された信号を増幅するための信号処理回路である。ただし、増幅回路に限らず、画素のノイズをＣＤＳ処理により除去する回路であっても良い。また単に複数列から並列に読み出される信号をシリアルに変換するための回路であっても良い。８１３は画素領域に配されたＭＯＳトランジスタを駆動するための垂直シフトレジスタである。８１４は信号処理回路のＭＯＳトランジスタを駆動するための水平シフトレジスタである。８１２〜８１４が周辺回路に含まれうるものであり、これらが配された領域を周辺回路領域とよぶ。これら周辺回路は総じて言うならば、光電変換素子からの信号出力を制御しているということもできる。また、更に光電変換装置内においてＡＤ変換を行なう場合には、ＡＤ変換回路がこれに含まれても良い。画素領域８１１及び周辺回路８１２〜８１４は同一半導体基板に配されている。

次に図１０について説明する。半導体基板３１１には、光電変換素子として機能するフォトダイオード３１４がアレイ状に複数配された画素領域３１２が配されている。これは図１１の８１１に対応する領域である。

また同一の基板上には周辺回路３１３も配されている。これは図１１の８１１２〜８１４の何れかもしくは全てに対応する。画素領域の配線層数より周辺回路領域の配線層数のほうが多くなっている。

本実施例の光電変換装置の製造方法について説明する。画素領域の最上配線層となる第２の配線層３２０の形成までは、実施例１などを用いて形成すればよいため説明は省略する。

第２の配線層３２０を形成した後、第２の配線層３２０を覆って、拡散抑制膜として機能する第１のシリコン窒化膜３２１を形成する。周辺回路領域３１３においては、この第１のシリコン窒化膜３２１を層間絶縁膜として機能させる。この第１のシリコン窒化膜３２１に、第１のビアプラグ３２２を形成し、さらに周辺回路領域３１３に第３の配線層３２３を形成する。第３の配線層の配線材料としてはアルミニウムを用いることが好ましい。これは、第３の配線層で外部と電気的に接続するためのボンディングパッドを構成しており、ボンディングパッドと、外部のデバイスと電気的接続を取るための配線との接続が銅と比べて容易なためである。

そして、第３の配線層３２３上には第２のシリコン窒化膜３２４からなる保護膜を形成する。

したがって画素領域は、第１のシリコン窒化膜３２１、第２のシリコン窒化膜３２４が積層された構造となる。そしてこのシリコン窒化膜の積層構造に対して上述した転写エッチングなどにより、層内レンズ３２５を形成する。

本実施例での光電変換装置では、画素領域の最上配線層上のシリコン窒化膜を拡散抑制膜及び周辺回路領域の層間絶縁膜として兼用する。本実施例においても、拡散抑制膜を光電変換素子に対応する領域のみ除去する工程を省略でき、拡散抑制膜を除去した際に必要となる層間絶縁膜を形成することも必要なくなる。このため、画素領域の光電変換素子上の合計膜厚を低減できる。そして層内レンズを形成することで受光部への入射効率を高めることができる。

さらに、周辺回路領域においては第２の配線層と第３の配線層との間に配された層間絶縁膜がシリコン窒化膜単層となるため、ビアコンタクト形成が容易になる。

次に本実施例での光電変換装置の製造方法を説明する。

半導体基板３１１に光電変換素子をアレイ状に配置した画素領域３１２と周辺回路領域３１３を形成する。光電変換素子の形成や、周辺回路を構成するトランジスタ形成方法は従来と同じ方法で形成すればよい。第１の層間絶縁膜３１６は、シリコン酸化膜を例えばＣＶＤ法により堆積し、その後ＣＭＰ法により平坦化することで形成する。

次に、第１の層間絶縁膜３１６にダマシン法によって第１の配線層３１７を埋設する。そして、第１の拡散抑制膜３１８を全面に形成し、その後リソグラフィ技術及びドライエッチング技術により受光部上が除去する。

周辺回路領域の第１の拡散抑制膜３１８は周辺回路領域全面にわたって形成されていてもよい。そして、例えばＣＶＤ法によりシリコン酸化膜からなる第２の層間絶縁膜３１９を形成する。第２の層間絶縁膜３１９の形成にあたっては、第１の拡散抑制膜３１８の段差の影響を抑制したい場合には、ＣＭＰ法によって平坦化しても良い。

次に画素領域での最上配線層となる第２の配線層３２０をダマシン法により形成する。次に拡散抑制膜及び周辺回路領域の第３の層間絶縁膜として機能する第１のシリコン窒化膜３２１をＣＶＤ法により形成する。その後、周辺回路領域において、シリコン窒化膜３２１に第１のビアプラグを形成する。その後、第３の配線層３２３を形成した後、画素領域、周辺回路領域全体に第２のシリコン窒化膜３２４を形成する。

その後、画素領域に積層された第１のシリコン窒化膜３２１、第２のシリコン窒化膜３２４を用いて、光電変換素子に対応した領域に層内レンズ３２５を形成することで、本実施例における光電変換装置を形成する。

本実施例では、画素領域は２層の配線層、周辺回路領域は３層の配線層からなり、周辺回路領域の方が配線層の数が多い。そして周辺回路領域は、２層の銅配線層と１層のアルミニウム配線層で構成される。また、画素領域の配線層数は２層に限られるものではなく、また周辺回路部において、画素領域に配置されている配線層より上層の配線材料もアルミニウムに限定されるものではない。周辺回路領域においては、画素領域の最上配線層よりも上層に、シリコン窒化膜で形成された層間絶縁膜を介して銅配線を複数形成することも可能である。

（実施例４）
実施例１〜３においては、画素領域の最上配線層上に配された拡散抑制膜に関して述べてきた。実施例４においては、多層配線構造のうちの最上配線層以外の配線層及びその拡散抑制膜に関して述べる。

図１２は本発明の実施例４の光電変換装置の断面図を示す。本実施例においては実施例２の構成に対して、更に画素領域の最上配線層以外の配線層（たとえば第１の配線層）の拡散抑制膜とその拡散抑制膜が接する層間絶縁膜の間に反射防止膜を設けた構造となっている。そしてこの拡散抑制膜は光電変換素子に対応する領域においてもパターニングされずに残されている構成となっている。このような構成によれば、第１の拡散抑制膜をパターニングする工程をなくすことができ、工程の簡易化をはかることが可能となる。あわせて、第１の拡散抑制膜をエッチングする際のエッチングダメージを光電変換素子に与えることが無くなる。図１２を用いて本実施例の光電変換素子を説明する。図６と同様の構成に関しては同様の符号を付し詳細な説明は省略する。

図１２において、第１の配線層２１４上に配された第１の拡散抑制膜２２１がその下地膜全体を覆って配されている。つまり、光電変換素子に対応する領域にも第１の拡散抑制膜２２１が配された構成となっている。そして第１の拡散抑制膜２２１の下部の光電変換素子２１２に対応する領域には反射防止膜２２２が配されている。これは、実施例２と同様のプロセスで形成することができる。

本実施例によれば、第１の拡散抑制膜もパターニングする必要がなくなるため、工程の簡易化をはかることが可能となる。また同時に第１の拡散抑制膜のパターニングのためのエッチング工程がなくなるため、光電変換素子に対するエッチングダメージもなくすことができる。

また本実施例の変形例を、図１３に示す。変形例において実施例４と異なるのは、画素領域の最上配線層上の拡散抑制膜２１８と保護膜２１９を別の構成部材で形成している。

なお本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、複数の実施例を適宜組み合わせることが可能である。また配線形成プロセスは層間絶縁膜に配線を埋設するダマシンプロセスに関して説明したがこれに限られるものではない。配線材料が銅などの層間絶縁膜内を拡散する拡散係数が大きいものを用いた場合に、拡散抑制膜を用いる光電変換装置であれば適用可能である。また配線材料に関しても銅に限られるものではなく、層間絶縁膜内の拡散が問題になる配線材料を用いる構成に適用可能である。

１１２光電変換素子
１１４、１１７、２１４、２１７、３１７，３２０配線層
１１８、２１９拡散抑制膜
２１８反射防止膜
１１９、２２０レンズ

Claims

半導体基板に配された光電変換素子と、
前記半導体基板上に層間絶縁膜を介して複数の配線層が配された多層配線構造を有する光電変換装置であって、
前記多層配線構造は、最上配線層と、前記最上配線層よりも下層に配される第１の配線層とを有し、
前記第１配線層の上部に、前記第１の配線層に含まれる配線に接して、前記第１の配線層を構成する材料の拡散を抑制する第１の拡散抑制膜が配され、
前記最上配線層の上部に、前記最上配線層に含まれる配線に接して、前記最上配線層を構成する材料の拡散を抑制する第２の拡散抑制膜が配され、前記第２の拡散抑制膜は、前記最上配線層及び前記層間絶縁膜の前記光電変換素子に対応する領域を覆って配されており、
前記第２の拡散抑制膜の前記光電変換素子に対応する領域にレンズが配されており、前記レンズは、前記第２の拡散抑制膜の一部を用いて形成されているかもしくは、前記第２の拡散抑制膜に直接接して配されており、
前記第１の拡散抑制膜の膜厚よりも前記第２の拡散抑制膜の膜厚が厚いことを特徴とする光電変換装置。
前記複数の配線層を構成する材料は銅であることを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
前記複数の配線層の少なくとも１つはダマシン構造であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の光電変換装置。
前記第１及び第２の拡散抑制膜はシリコン窒化膜を含んでいることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
前記層間絶縁膜と、前記第１及び第２の拡散抑制膜の界面には反射防止膜が配されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
前記反射防止膜は、シリコン酸窒化膜を含むことを特徴とする請求項５記載の光電変換装置。
更に、前記半導体基板に、前記光電変換素子からの信号出力を制御する周辺回路が配され、前記第２の拡散抑制膜が、前記周辺回路における異なる配線層の間に配される層間絶縁膜であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
前記第２の拡散抑制膜が、保護膜を兼ねていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の光電変換装置。