JP6440384B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本実施例の製造方法について、図1〜図4を用いて説明する。まず、図3(a)を用いてウエハ300について説明する。図3(a)はウエハ300と固体撮像装置となる部分304を説明するための平面模式図である。ここで、平面模式図は、各構成を平面視した時の図面であり、各構成の正射影図である。ウエハ300は、中心305を有する円形状であり、一部外縁が中心305側に窪んだノッチ303を有する。ウエハ300は、半導体ウエハ、例えばシリコンウエハであり、また、半導体基板やシリコン基板とも称される。ウエハ300は、固体撮像装置となる有効領域301と、固体撮像装置にならない無効領域302とを有する。有効領域301には、1つの固体撮像装置、すなわち1つのチップとなる部分304が複数設けられている。この1つのチップとは、ウエハ300をダイシングして個片化したものである。
本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第2実施例を説明する。本実施例の製造方法は、第1実施例とは、絶縁体の上に形成された埋め込み部材の少なくとも一部を除去する工程が2つの除去する工程を有する点で異なる。本実施例を、図5を用いて説明する。図5は、部分311と部分312を示す断面模式図である。本実施例において第1実施例と同一の構成については同一の符号を付し詳細な説明を省略する。
本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第3の実施例を説明する。本実施例の製造方法は、第1実施例とは、埋め込み部材を形成する工程と少なくとも一部を除去する工程が複数回行われる点が異なる。本実施例を、図6及び図7を用いて説明する。図6及び図7は、部分311を示す断面模式図である。本実施例において第1実施例と同一の構成については同一の符号を付し詳細な説明を省略する。また、本実施例においては、他の実施例と同一の工程については、説明を省略する。
103 撮像領域
104 周辺領域
105 光電変換素子
113a〜113e 第1〜第5層間絶縁膜
116 開口
118 第1導波路部材
401〜403 第1〜第3レジストパターン
Claims (15)
- 半導体装置の製造方法であって、
第1部分および第2部分を有し、前記第1部分および前記第2部分のそれぞれの上に複数の開口を有する第1部材が設けられたウエハを準備する工程と、
前記第1部材の上に、前記複数の開口のそれぞれの中を埋め込む第2部材を形成する工程と、
前記第2部材を部分的に除去する工程と、
前記部分的に除去する工程の後に前記第2部材を平坦化する工程と、を有し、
前記第1部分は第1領域および第2領域を有し、前記複数の開口は前記第1領域に前記第2領域よりも高い密度で配置されており、前記第2部分は第3領域および第4領域を有し、前記複数の開口は前記第3領域に前記第4領域よりも高い密度で配置されており、
前記部分的に除去する工程は、
前記第1領域において前記第2部材を覆う第1のレジストパターンおよび前記第3領域において前記第2部材を覆うレジストパターンをマスクとして用いて、前記第2領域および前記第4領域において前記第2部材の一部を除去する第1の除去工程と、
前記第1領域において前記第2部材を覆う、前記第1のレジストパターンとは別の第2のレジストパターンをマスクとして用いて、前記第2領域において前記第2部材の一部を除去する第2の除去工程と有し、
前記第2領域において、前記第1の除去工程および前記第2の除去工程の一方で除去される前記第2部材の前記一部は、前記第1の除去工程および前記第2の除去工程の他方で除去される前記第2部材の前記一部と前記第1部材との間に位置し、
前記部分的に除去する工程では、前記第2領域における前記第2部材の第1除去量と、前記第4領域における前記第2部材の第2除去量と、が異なることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1のレジストパターンおよび前記第2のレジストパターンの一方を剥離した後に、前記第1のレジストパターンおよび前記第2のレジストパターンの他方を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の除去工程では、レジストパターンが前記第3領域および前記第4領域において前記第2部材を覆うことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体装置の製造方法であって、
第1部分および第2部分を有し、前記第1部分および前記第2部分のそれぞれの上に複数の開口を有する第1部材が設けられたウエハを準備する工程と、
前記第1部材の上に、前記複数の開口のそれぞれの中を埋め込む第2部材を形成する工程と、
前記第2部材を部分的に除去する工程と、
前記部分的に除去する工程の後に前記第2部材を平坦化する工程と、を有し、
前記第1部分は第1領域および第2領域を有し、前記複数の開口は前記第1領域に前記第2領域よりも高い密度で配置されており、前記第2部分は第3領域および第4領域を有し、前記複数の開口は前記第3領域に前記第4領域よりも高い密度で配置されており、
前記部分的に除去する工程は、
前記第3領域において前記第2部材を覆うレジストパターンをマスクとして用いて、前記第4領域において前記第2部材の一部を除去する第1の除去工程と、
前記第1領域において前記第2部材を覆うレジストパターンをマスクとして用いて、前記第2領域において前記第2部材の一部を除去する第2の除去工程と有し、
前記部分的に除去する工程では、前記第2領域における前記第2部材の第1除去量と、前記第4領域における前記第2部材の第2除去量と、が異なり、
前記第1の除去工程および前記第2の除去工程の一方での、前記第2領域における前記第2部材の除去量は、前記第2除去量に相当し、
前記第1の除去工程および前記第2の除去工程の他方での、前記第2領域における前記第2部材の除去量は、前記第1除去量と前記第2除去量の差に相当することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の除去工程および前記第2の除去工程の一方での、前記第2領域における前記第2部材の除去量は、前記第2除去量に相当することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の除去工程および前記第2の除去工程の他方での、前記第2領域における前記第2部材の除去量は、前記第1除去量と前記第2除去量の差に相当することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の除去工程は前記第1の除去工程の後に行われる、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記部分的に除去する工程は、前記第1部材が露出しないように行われることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2領域および前記第4領域には、前記複数の開口は設けられていないことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1部材は、複数の配線層を互いに絶縁するための複数の層間絶縁膜を含んで構成され、前記複数の開口の各々は、前記複数の層間絶縁膜の少なくとも1つの層間絶縁膜を貫通することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1領域および前記第3領域には複数の光電変換素子が設けられており、前記第2領域および前記第4領域には前記光電変換素子からの信号を処理するための回路が設けられており、前記複数の開口は前記複数の光電変換素子に対応して設けられており、
前記第2部材が前記少なくとも1つの層間絶縁膜と共に光導波路を構成することを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2部分は前記第1部分よりも前記ウエハの外側に位置することを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1除去量は、前記第2除去量よりも多いことを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ウエハをダイシングして複数のチップに分割する工程を有し、
前記複数のチップの或る1つが前記第1領域および前記第2領域を有し、前記複数のチップの別の1つが前記第3領域および前記第4領域を有することを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2部材は、前記部分的に除去する工程の前に形成される第1埋め込み部材と、前記部分的に除去する工程と前記第2部材を平坦化する工程との間に前記第1埋め込み部材の上に形成される第2埋め込み部材と、を含むことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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