JP4341700B2 - 固体撮像装置、カラーフィルタ、カメラ、および、カラーフィルタの製造方法 - Google Patents

固体撮像装置、カラーフィルタ、カメラ、および、カラーフィルタの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、固体撮像装置、カラーフィルタ、カメラ、および、カラーフィルタの製造方法に関する。
ビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのカメラは、たとえば、CMOS(Complementary Metal Oxicide Semiconductor)型イメージセンサ、CCD(Charge Coupled Device)型イメージセンサなどの固体撮像装置を含む。この固体撮像装置においては、複数の画素が形成されている画素領域と、その画素領域の周囲に位置する周辺領域とが、半導体基板の面に設けられている。そして、画素領域においては、被写体像による光を受光し、その受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換素子が、その複数の画素に対応するように複数形成されている。そして、周辺領域においては、その光電変換素子によって生成された信号電荷を処理する周辺回路が形成されている(たとえば、特許文献1参照)。
また、固体撮像装置においては、半導体基板の面に対面するように、カラーフィルタが設けられている。このカラーフィルタは、半導体基板の面に対応する面において、被写体像による光を受け、その光における所定の波長帯域の光を透過する。このようにして、カラーフィルタによって、着色光として光が透過される。そして、その着色光は、カラーフィルタから半導体基板の面の画素領域に出射される(たとえば、特許文献2参照)。
このカラーフィルタにて画素領域に対応する領域においては、被写体像による光を、たとえば、赤、青、緑の3原色の着色光として透過するように、複数色の着色層を含む着色配列が規則的に複数配置されている。たとえば、ベイヤー配列と呼ばれる着色配列によって、複数色の着色層が各画素に対応するように配置されている。ここでは、たとえば、着色剤とフォトレジスト材料とを含む塗布液を、スピンコート法などのコーティング方法によって塗布して塗膜を形成後、リソグラフィ技術によって、その塗膜をパターン加工する。このようにすることによって、各色の着色層を、その着色配列に対応するように形成する(たとえば、特許文献3参照)。
そして、カラーフィルタにて周辺領域に対応する領域においては、撮像画像においてフレアなどが発生し、画像品質が低下することを抑制するために、周辺領域における金属材料からの光の反射を防止する光反射防止層が形成されている。この光反射防止層としては、たとえば、画素領域に対応するように形成した複数の着色層を、周辺領域においてベタ状に積層することによって形成している(たとえば、特許文献4参照)。
特開2007−13089号公報 特開2006−96983号公報 特開2006−317776号公報 特開平01−194464号公報
しかしながら、上記のように光反射防止層を形成した場合であっても、フレアを十分に抑制することが困難な場合がある。たとえば、赤色の着色層と、青色の着色層とを周辺領域においてベタ状に積層した場合には、緑色の光が透過される。このため、緑色のフレアが生ずる場合があり、画像品質の低下が顕在化する場合がある。
また、上記のようにカラーフィルタを形成する際においては、そのカラーフィルタの膜厚を均一に形成することが困難な場合がある。このため、撮像画像においてムラが生ずる場合があり、画像品質が低下する場合がある。
さらに、周辺領域に形成された周辺回路に光が入射する場合があり、この場合には、たとえば、縦筋状のノイズが、撮像画像に生ずる場合があるため、画像品質が低下する場合がある。
特に、スピンコート法によって、画素領域の中心部分から周囲へ延在するように塗布することにより塗布膜を形成する場合には、その中心よりも周囲の膜厚が薄く形成される場合がある。このため、その塗布膜をパターン加工して着色配列を形成した際には、その塗布膜の膜厚のバラツキに起因して、撮像画像に額縁状のムラが生ずる場合がある。また、周辺領域に形成された周辺回路に入射する光を十分に遮光することができなくなる場合がある。このため、上記の不具合が顕在化する場合がある。
また、たとえば、CMOS型イメージセンサにて複数の電子回路を半導体基板に混載させたSOC(System On Chip)方式においては、半導体基板において周辺領域が占める占有面積を大きくする必要が生ずるため、これに起因して、上記の不具合がさらに顕在化する場合がある。
このように、固体撮像装置においては、フレア、額縁状のムラ、縦筋状のノイズなどの不具合が、カラーフィルタに起因して撮像画像に生じ、画像品質が低下する場合がある。
したがって、本発明は、画像品質を向上可能な、固体撮像装置、カラーフィルタ、カメラ、および、カラーフィルタの製造方法を提供する。
本発明は、被写体像による光を受光し、当該受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換素子を含む画素が、複数配置されている画素領域と、前記画素領域の周囲に位置しており、前記光電変換素子によって生成された信号電荷を処理する周辺回路が形成されている周辺領域とが基板の面に設けられている固体撮像装置であって、前記基板の面に対応する面において前記被写体像による光を受け、当該光が前記基板の面に透過されるように、前記基板に対面して配置されているカラーフィルタを有し、前記カラーフィルタは、第1の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第1の着色層と、前記第1の波長帯域と異なる第2の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第2の着色層とを含み、当該第1の着色層と第2の着色層とが前記基板の面に対応する面にて並ぶように配列された着色配列が、前記画素領域において前記複数の画素に対応するように複数配置され、前記周辺領域において前記画素領域と同様に複数配置されており、前記周辺領域においては、さらに、当該周辺領域にて配置された複数の着色配列を、前記第2の着色層が前記基板の面に対応する面にて被覆するように形成されている。
好ましくは、前記第2の着色層は、前記周辺領域において配置された複数の着色配列にて最端部に配置された着色配列の側面を被覆するように形成されている。
好ましくは、前記カラーフィルタは、前記第1の波長帯域および前記第2の波長帯域と異なる第3の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第3の着色層を含み、前記着色配列においては、当該第3の着色層が前記基板の面に対応する面にて前記第1の着色層と前記第2の着色層とに並ぶように配置されている。
好ましくは、前記第1の着色層は、緑色光を透過するように形成されており、前記第2の着色層は、赤色光を透過するように形成されており、前記第3の着色層は、青色光を透過するように形成されている。
好ましくは、前記カラーフィルタは、前記被写体像による光を透過する光透過率が前記第1の着色層と前記第2の着色層と前記第3の着色層とのそれぞれよりも低くなるように形成されている第4の着色層を含み、前記第4の着色層は、前記周辺領域において前記着色配列を被覆するように前記着色配列に積層されている。
本発明は、被写体像による光を受光し、当該受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換素子を含む画素が複数配置されている画素領域と、前記画素領域の周囲に位置しており、前記光電変換素子によって生成された信号電荷を処理する周辺回路が形成されている周辺領域とが基板の面に対面するように配置され、前記基板の面に対応する面において前記被写体像による光を受け、当該光が前記基板の面に着色されて出射されるカラーフィルタであって、第1の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第1の着色層と、前記第1の波長帯域と異なる第2の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第2の着色層とを含み、当該第1の着色層と第2の着色層とが前記基板の面に対応する面にて並ぶように配列された着色配列が、前記画素領域において前記複数の画素に対応するように複数配置され、前記周辺領域において前記画素領域と同様に複数配置されており、前記周辺領域においては、さらに、当該周辺領域にて配置された複数の着色配列を、前記第2の着色層が前記基板の面に対応する面にて被覆するように形成されている。
本発明は、被写体像による光を受光し、当該受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換素子を含む画素が複数配置されている画素領域と、前記画素領域の周囲に位置しており、前記光電変換素子によって生成された信号電荷を処理する周辺回路が形成されている周辺領域とが基板の面に設けられている固体撮像装置を有するカメラであって、前記固体撮像装置は、前記基板の面に対応する面において前記被写体像による光を受け、当該光が前記基板の面に透過されるように前記基板に対面して配置されているカラーフィルタを有し、前記カラーフィルタは、第1の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第1の着色層と、前記第1の波長帯域と異なる第2の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第2の着色層とを含み、当該第1の着色層と第2の着色層とが前記基板の面に対応する面にて並ぶように配列された着色配列が、前記画素領域において前記複数の画素に対応するように複数配置され、前記周辺領域において前記画素領域と同様に複数配置されており、前記周辺領域においては、さらに、当該周辺領域にて配置された複数の着色配列を、前記第2の着色層が前記基板の面に対応する面にて被覆するように形成されている。
本発明は、被写体像による光を受光し、当該受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換素子を含む画素が複数配置されている画素領域と、前記画素領域の周囲に位置しており、前記光電変換素子によって生成された信号電荷を処理する周辺回路が形成されている周辺領域とが基板の面に対面するように配置され、前記基板の面に対応する面において前記被写体像による光を受け、当該光が前記基板の面に透過されるカラーフィルタの製造方法であって、第1の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第1の着色層と、前記第1の波長帯域と異なる第2の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第2の着色層とを含み、当該第1の着色層と第2の着色層とが前記基板の面に対応する面にて並ぶように配列された着色配列が、前記画素領域において前記複数の画素に対応するように複数配置され、前記周辺領域において前記画素領域と同様に複数配置されるように、前記カラーフィルタを製造するカラーフィルタ製造工程を含み、前記カラーフィルタ製造工程においては、前記周辺領域において、さらに、当該周辺領域にて配置された複数の着色配列を、前記第2の着色層が前記基板の面に対応する面にて被覆するように、当該カラーフィルタを製造する。
好ましくは、前記カラーフィルタ製造工程は、前記基板の面に対応する面において前記第1の着色層を前記着色配列に対応するように間隔を隔てて複数形成する第1着色層形成工程と、前記基板の面に対応する面において前記第2の着色層を前記着色配列に対応するように間隔を隔てて複数形成する第2着色層形成工程とを有し、前記第1着色層形成工程においては、前記画素領域と前記周辺領域とのそれぞれに、前記第1の着色層を形成し、前記第2着色層形成工程においては、前記画素領域と前記周辺領域とのそれぞれにおいて前記第1の着色層が形成された面を被覆し、当該第1の着色層に積層するように、前記第2の着色層に対応する色彩の着色剤を含む塗布膜を塗布した後に、当該周辺領域にて塗布された塗布膜において前記第1の着色層に積層された塗布膜を除去せずに残し、当該画素領域において塗布された塗布膜において前記第1の着色層に積層された塗布膜を除去するように、パターン加工を実施することによって、前記第2の着色層を形成する。
好ましくは、前記第2着色層形成工程においては、前記周辺領域において配置する複数の着色配列にて最端部に配置する着色配列の側面を被覆するように、前記第2の着色層に対応する色彩の着色剤を含む塗布膜を塗布した後に、当該周辺領域において配置する複数の着色配列にて最端部に配置する着色配列の側面を被覆するように形成された塗布膜を残すように前記パターン加工を実施することによって、前記第2の着色層を形成する。
好ましくは、前記カラーフィルタ製造工程は、前記第1の波長帯域および前記第2の波長帯域と異なる第3の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第3の着色層が前記基板の面に対応する面にて前記第1の着色層と前記第2の着色層とに並ぶ着色配列を、前記画素領域と前記周辺領域とに対応するように複数配置することによって、前記カラーフィルタを製造する。
好ましくは、前記カラーフィルタ製造工程は、前記基板の面に対応する面において前記第3の着色層を前記着色配列に対応するように複数間隔を隔てて形成する第3着色層形成工程を有し、前記第3着色層形成工程においては、前記画素領域と前記周辺領域とにおいて前記第1の着色層が形成された面を被覆し、前記第1の着色層に積層するように、前記第3の着色層に対応する色彩の着色剤を含む塗布膜を塗布した後に、当該画素領域および周辺領域において塗布された塗布膜において、前記第1の着色層に積層された塗布膜を除去することによって、前記第3の着色層を形成し、前記第2着色層形成工程においては、前記画素領域と前記周辺領域とにおいて前記第1の着色層と前記第3の着色層とのそれぞれが形成された面を被覆し、前記第1の着色層と前記第3の着色層とのそれぞれに積層するように、前記第2の着色層に対応する色彩の着色剤を含む塗布膜を塗布した後に、当該周辺領域において塗布された塗布膜において前記第1の着色層と前記第3の着色層とのそれぞれに積層された塗布膜を除去せずに残し、当該画素領域において塗布された塗布膜において前記第1の着色層と前記第3の着色層とのそれぞれに積層された塗布膜を除去することによって、前記第2の着色層を形成する。
好ましくは、前記第1着色層形成工程においては、緑色光を透過するように前記第1の着色層を形成し、前記第2着色層形成工程においては、赤色光を透過するように前記第2の着色層を形成し、前記第3着色層形成工程においては、青色光を透過するように前記第3の着色層を形成する。
好ましくは、前記カラーフィルタ製造工程は、前記被写体像による光を透過する光透過率が、前記第1の着色層と前記第2の着色層と前記第3の着色層とのそれぞれよりも低い第4の着色層を形成する第4着色層形成工程を含み、前記第4着色層形成工程においては、前記周辺領域において前記着色配列を被覆し、前記着色配列に積層するように、前記第4の着色層を形成する。
上記の本発明においては、複数の着色層を含む着色配列を、画素領域において複数の画素に対応するように複数配置すると共に、周辺領域において画素領域と同様に複数配置する。そして、この周辺領域においては、さらに、その周辺領域にて配置された複数の着色配列を、複数の着色層における一の着色層が基板の面に対応する面にて被覆するように形成する。このように、周辺領域において複数の着色層が積層されているため、周辺領域における光反射率が低減される。
本発明によれば、画像品質を向上可能な、固体撮像装置、カラーフィルタ、カメラ、および、カラーフィルタの製造方法を提供することができる。
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
<実施形態1>
(装置構成)
図1は、本発明にかかる実施形態1において、カメラ40の構成を示す構成図である。
図1に示すように、カメラ40は、固体撮像装置1と、光学系42と、駆動回路43と、信号処理回路44とを有する。各部について順次説明する。
固体撮像装置1は、光学系42を介して、被写体像による光を受光面で受け、その被写体像による光を光電変換し、信号電荷を生成する。ここでは、固体撮像装置1は、駆動回路43から出力される駆動信号に基づいて駆動する。具体的には、信号電荷を読み出し、ローデータとして出力する。この固体撮像装置1の詳細内容については、後述する。
光学系42は、たとえば、光学レンズを含み、被写体像を固体撮像装置1の受光面上に結像させる。
駆動回路43は、各種の駆動信号を固体撮像装置1に出力し、固体撮像装置1を駆動させる。
信号処理回路44は、固体撮像装置1から出力されたローデータについて、信号処理を実施し、被検体についての画像をデジタル信号として生成する。
固体撮像装置1の全体構成について説明する。
図2は、本発明にかかる実施形態1において、固体撮像装置1の全体構成の概略を示す平面図である。
本実施形態の固体撮像装置1は、CMOS型イメージセンサであり、図2に示すように、基板101を含む。この基板101は、たとえば、シリコンからなる半導体基板であり、図2に示すように、基板101の面においては、画素領域PAと、周辺領域SAとが設けられている。
この基板101において画素領域PAは、図2に示すように、矩形形状であり、複数の画素Pがマトリクス状に並ぶように垂直方向Vと水平方向Hとに複数配置されている。
また、基板101において周辺領域SAは、図2に示すように、画素領域PAの周囲に位置しており、パッド電極EPが端部に設けられている。また、この他に、周辺領域SAにおいては、画素Pにおいて生成された信号電荷を処理する周辺回路(図示なし)が設けられている。具体的には、この周辺回路としては、たとえば、垂直選択回路と、S/H(サンプル/ホールド)・CDS(Correlated Double Sampling:相関二重サンプリング)回路と、水平選択回路と、タイミングジェネレータ(TG)と、AGC(Automatic Gain Control)回路と、A/D変換回路と、デジタルアンプとが形成されており、パッド電極EPに接続されている。
図3は、本発明にかかる実施形態1において、画素領域PAにおいて設けられた画素Pを示す回路図である。
画素領域PAにおいて設けられた画素Pは、図3に示すように、フォトダイオード21と、転送トランジスタ22と、増幅トランジスタ23と、アドレストランジスタ24と、リセットトランジスタ25とを含む。
フォトダイオード21は、被写体像による光を受光面で受光し、その受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成し蓄積する。フォトダイオード21は、図3に示すように、転送トランジスタ22を介して、増幅トランジスタ23のゲートに接続されている。そして、フォトダイオード21においては、増幅トランジスタ23のゲートに接続されているフローティングディフュージョンFDへ、その蓄積した信号電荷が、転送トランジスタ22によって出力信号として転送される。
転送トランジスタ22は、図3に示すように、フォトダイオード21とフローティングディフュージョンFDとの間において介在するように設けられている。そして、転送トランジスタ22は、転送線26からゲートに転送パルスが与えられることによって、フォトダイオード21において蓄積された信号電荷を、フローティングディフュージョンFDに出力信号として転送する。
増幅トランジスタ23は、図3に示すように、ゲートがフローティングディフュージョンFDに接続されており、フローティングディフュージョンFDを介して出力される出力信号を増幅する。ここでは、増幅トランジスタ23は、アドレストランジスタ24を介して垂直信号線27に接続され、画素領域PA以外に設けられている定電流源Iとソースフォロアを構成しており、アドレストランジスタ24にアドレス信号が供給されることによって、フローティングディフュージョンFDから出力された出力信号が増幅される。
アドレストランジスタ24は、図3に示すように、アドレス信号が供給されるアドレス線28にゲートが接続されている。アドレストランジスタ24は、アドレス信号が供給された際にはオン状態になり、上記のように増幅トランジスタ23によって増幅された出力信号を、垂直信号線27に出力する。そして、その出力信号は、垂直信号線27を介して、S/H・CDS回路に出力される。
リセットトランジスタ25は、図3に示すように、リセット信号が供給されるリセット線29にゲートが接続され、また、電源VddとフローティングディフュージョンFDとの間において介在するように接続されている。そして、リセットトランジスタ25は、リセット線29からリセット信号がゲートに供給された際に、フローティングディフュージョンFDの電位を、電源Vddの電位にリセットする。
上記のように画素を駆動する動作は、転送トランジスタ22と、アドレストランジスタ24と、リセットトランジスタ25との各ゲートが、水平方向Hに並ぶ複数の画素からなる行単位で接続されていることから、その行単位にて並ぶ複数の画素について同時に行われる。具体的には、垂直選択回路によって供給されるアドレス信号によって、水平ライン(画素行)単位で垂直方向Vに順次選択される。そして、タイミングジェネレータからの各種パルス信号によって各画素のトランジスタが制御される。これにより、各画素における出力信号が垂直信号線27を通して画素列毎にS/H・CDS回路に読み出される。
本実施形態にかかる固体撮像装置1の詳細内容について説明する。
図4は、本発明にかかる実施形態1において、固体撮像装置1を示す断面図である。図4は、図2におけるA−B部分の断面の要部であり、画素領域PAの端部から、周辺領域SAに渡る部分を示している。なお、画素領域PAにおいては、上記したように、基板101上に、画素Pが配置されているが、フォトダイオード21を除き、その画素Pを構成する各部材については、図示を省略している。また、周辺領域SAにおいては、上述したように、周辺回路が配置されているが、図示を省略している。
図4に示すように、本実施形態の固体撮像装置1は、カラーフィルタ301を含む。
カラーフィルタ301は、図4に示すように、基板101に対面して配置されており、基板101の面に対応する面において、被写体像による光を受けた後、この光が着色され、基板101の面に出射される。本実施形態においては、カラーフィルタ301は、図4に示すように、基板101の面に対応するように平坦化された面に設けられている。
ここでは、図4に示すように、画素領域PAにおいては、カラーフィルタ301は、たとえば、金属材料によって形成され、画素Pに接続される複数の配線層HFと、絶縁材料によって形成され、配線層HFの層間に設けられた層間絶縁膜SFとのそれぞれを介して、基板101の面に対面するように形成されている。
そして、図4に示すように、周辺領域SAにおいては、カラーフィルタ301は、金属材料によって形成され、周辺回路に接続される複数の配線層HFと、その周辺回路へ入射する光を遮光する遮光層LSと、その配線層HFまたは遮光層LSの層間に設けられた層間絶縁膜SFとを介して、基板101の面に対面するように形成されている。
ここでは、図2に示したように、カラーフィルタ301は、端部に設けられているパッド電極EPを被覆しないように形成されており、たとえば、パッド電極EPが形成された部分から、1mm程度の間隔を隔てるように、周辺領域SAにおいて延在している。このように形成することによって、基板101に画素領域PAを形成した後に、基板101をこの端部に対応する部分にてダイシングする場合に、そのダイシングする部分から、カラーフィルタ301が離れて形成されているため、カラーフィルタ301が基板101から剥離することが防止される。
また、このカラーフィルタ301の表面においては、図4に示すように、その表面を被覆するように、レンズ層LLが形成されている。
図5は、本発明にかかる実施形態1において、カラーフィルタ301を拡大して示す平面図である。図5においてA−B部分は、図2のA−B部分に対応しており、図5は、そのA−B部分の周囲の平面を示している。また、この図5において、(a)は、カラーフィルタ301を上面から拡大して示しているのに対し、(b)は、(a)において、上層の下に位置する下層部分を点線にて示している。
また、図6は、本発明にかかる実施形態1において、カラーフィルタ301の分光特性を示す図である。図6において、横軸は、光の波長(λ[nm])であり、縦軸は、光透過率(T[%])である。
カラーフィルタ301は、図5に示すように、レッドフィルタ層301Rと、グリーンフィルタ層301Gと、ブルーフィルタ層301Bとを含む。
カラーフィルタ301においてレッドフィルタ層301Rは、図6に示すように、赤色に対応する波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、被写体像による光が赤色光として透過される。つまり、レッドフィルタ層301Rは、被写体像による光を赤色に着色し、赤色光が透過されるように、被写体像による光を分光する。このレッドフィルタ層301Rは、たとえば、赤色の着色顔料と、バインダー樹脂としてのフォトレジスト材料(感光性樹脂)とを含む塗布液を、スピンコート法などのコーティング方法によって塗布して塗膜を形成後、リソグラフィ技術によって、その塗膜をパターン加工することによって形成される。たとえば、レッドフィルタ層301Rは、500nmから1000nmの層厚になるように形成される。
また、カラーフィルタ301においてグリーンフィルタ層301Gは、図6に示すように、緑色に対応する波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、被写体像による光が緑色光として透過される。ここでは、グリーンフィルタ層301Gは、図6に示すように、レッドフィルタ層301Rが透過する波長帯域と異なる波長帯域であって、緑色に対応する波長帯域において高い光透過率になるように形成されている。具体的には、グリーンフィルタ層301Gは、光が透過する波長帯域において、光透過率が最も高い波長が、レッドフィルタ層301Rと異なっており、緑色光が透過されるように、被写体像による光を分光することによって、緑色に光を着色する。このグリーンフィルタ層301Gは、たとえば、緑色の着色顔料とフォトレジスト材料とを含む塗布液を、スピンコート法などのコーティング方法によって塗布して塗膜を形成後、リソグラフィ技術によって、その塗膜をパターン加工することによって形成される。たとえば、グリーンフィルタ層301Gは、600nmから900nmの層厚になるように形成される。
また、カラーフィルタ301においてブルーフィルタ層301Bは、図6に示すように、青色に対応する波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、被写体像による光が青色光として透過される。ここでは、ブルーフィルタ層301Bは、図6に示すように、レッドフィルタ層301Rおよびグリーンフィルタ層301Gが透過する波長帯域と異なる波長帯域であって、青色に対応する波長帯域において高い光透過率になるように形成されている。具体的には、ブルーフィルタ層301Bは、光が透過する波長帯域において、光透過率が最も高い波長が、レッドフィルタ層301Rおよびグリーンフィルタ層301Gと異なっており、青色光が透過されるように、被写体像による光を分光することによって、青色に光を着色する。このブルーフィルタ層301Bは、たとえば、青色の着色顔料とフォトレジスト材料とを含む塗布液を、スピンコート法などのコーティング方法によって塗布して塗膜を形成後、リソグラフィ技術によって、その塗膜をパターン加工することによって形成される。たとえば、ブルーフィルタ層301Bは、300nmから1000nmの層厚になるように形成される。
上記のレッドフィルタ層301Rとグリーンフィルタ層301Gとブルーフィルタ層301Bとのそれぞれは、図5(a)および(b)に示すように、基板101の面に対応する面にてベイヤー配列BHとして並ぶように配置されている。すなわち、ベイヤー配列BHにおいては、1つの矩形状のレッドフィルタ層301Rと、1つの矩形状のブルーフィルタ層301Bと、2つの矩形状のグリーンフィルタ層301Gとを1組とし、その2つのグリーンフィルタ層301Gが市松状になるように間隔を隔てて並び、そのグリーンフィルタ層301Gが市松状になるように並んだ間の間隔に、1つのレッドフィルタ層301Rと1つのブルーフィルタ層301Bとのそれぞれが配置されており、そして、このようにレッドフィルタ層301Rとグリーンフィルタ層301Gとブルーフィルタ層301Bとのそれぞれが配置されたベイヤー配列BHが、水平方向Hと垂直方向Vとにおいて繰り返されるように複数設けられている。
具体的には、画素領域PAにおいては、図5(a)に示すように、ベイヤー配列BHが複数の画素Pに対応するように配置されている。つまり、図4に示すように、ベイヤー配列BHを構成するレッドフィルタ層301Rとグリーンフィルタ層301Gとブルーフィルタ層301Bとのそれぞれが、画素Pを構成するフォトダイオード21の受光面のそれぞれに対面するように、配置されている。また、画素領域PAにおいては、レッドフィルタ層301Rとグリーンフィルタ層301Gとブルーフィルタ層301Bとのそれぞれが、互いに同じ層厚になるように形成されている。
そして、周辺領域SAにおいても、図5(b)に示すように、画素領域PAと同様に、レッドフィルタ層301Rとグリーンフィルタ層301Gとブルーフィルタ層301Bとのそれぞれがベイヤー配列BHにて配置されている。つまり、画素領域PAにおいて配置されたベイヤー配列BHが、周辺領域SAにおいても繰り返されるように、複数配置されている。本実施形態においては、基板101の端部において、パッド電極EPが形成されている部分の手前まで繰り返されるように、ベイヤー配列BHが設けられている。
さらに、この周辺領域SAにおいては、図5(a)に示すように、周辺領域SAにて配置された複数のベイヤー配列BHを、ブルーフィルタ層301Bが基板101の面に対応する面にて被覆するように形成されている。
つまり、図4に示すように、周辺領域SAにおいては、ブルーフィルタ層301Bが、グリーンフィルタ層301Gおよびレッドフィルタ層301Rの層厚よりも厚くなるように形成されており、図5(a)と図5(b)とに示すように、下層においては、ベイヤー配列BHになるように、レッドフィルタ層301R、グリーンフィルタ層301G、ブルーフィルタ層301Bが配置され、その上層として、ブルーフィルタ層301Bが積層されている。
そして、さらに、この周辺領域SAにおいては、図4に示すように、周辺領域SAにおいて配置する複数のベイヤー配列BHにて最端部に配置するベイヤー配列BHの側面を被覆するように、ブルーフィルタ層301Bが形成されている。
(製造方法)
以下より、上記のカラーフィルタ301を基板101に形成する製造方法について説明する。
図7は、本発明にかかる実施形態1において、カラーフィルタ301を形成する方法の各工程にて製造された要部を示す断面図である。なお、図7においてC−D部分は、図5(b)のC−D部分のように階段状に切断した断面を一の平面として示している。
まず、図7(a)に示すように、グリーンレジスト膜RGを形成する。
ここでは、上述したように画素Pと周辺回路とを構成する半導体素子のそれぞれを基板101に形成後、配線層HF、遮光層LS、層間絶縁膜SFを形成し、その表面を平坦化する。その後、その平坦化された面に、たとえば、緑色の着色剤とフォトレジスト材料とを含む塗布液を、スピンコート法によって塗布することによって、グリーンレジスト膜RGを形成する。たとえば、着色剤として、緑色の顔料色素を含み、フォトレジスト材料として、アクリル系樹脂を含む塗布液を用いて、グリーンレジスト膜RGを形成する。また、重合開始剤や硬化剤を含ませてもよい。
本実施形態においては、画素領域PAと周辺領域SAとのそれぞれを被覆するように、グリーンレジスト膜RGを形成する。
つぎに、図7(b)に示すように、グリーンレジスト膜RGをパターン加工することによって、グリーンフィルタ層301Gを形成する。
ここでは、ベイヤー配列BHに対応するようにグリーンレジスト膜RGをパターン加工する。すなわち、基板101にて画素Pと周辺回路とが形成された面に対応する面において、複数のグリーンフィルタ層301Gが市松状に互いに間隔が隔てて配列されるようにグリーンレジスト膜RGをパターン加工する。具体的には、リソグラフィ技術によってグリーンレジスト膜RGについて露光処理と現像処理とを順次実施することにより、矩形状のグリーンフィルタ層301Gの辺と、そのグリーンフィルタ層301Gに隣接する他の矩形状のグリーンフィルタ層301Gの辺との間のピッチが、等しい距離になるように、このグリーンフィルタ層301Gを形成する。
本実施形態においては、画素領域PAと周辺領域SAとのそれぞれにおいて、グリーンフィルタ層301Gを市松状に配置させる。つまり、画素領域PAと周辺領域SAとのそれぞれにおいて同じベイヤー配列BHにて配置されるように、グリーンレジスト膜RGをに上記のようにパターン加工する。
つぎに、図7(c)に示すように、レッドレジスト膜RRを形成する。
ここでは、上記のようにグリーンフィルタ層301Gが形成された面に、たとえば、赤色の着色剤とフォトレジスト材料とを含む塗布液を、スピンコート法によって塗布することによって、レッドレジスト膜RRを形成する。たとえば、着色剤として、赤色の顔料色素を含み、フォトレジスト材料として、アクリル系樹脂を含む塗布液を用いて、レッドレジスト膜RRを形成する。
本実施形態においては、グリーンレジスト膜RGと同様に、画素領域PAと周辺領域SAとのそれぞれを被覆するように、レッドレジスト膜RRを形成する。
具体的には、画素領域PAと周辺領域SAとのそれぞれにおいてグリーンフィルタ層301Gが形成された面を被覆すると共に、そのグリーンフィルタ層301Gに積層するように、レッドレジスト膜RRを形成する。つまり、グリーンフィルタ層301Gの層厚よりも厚くなるように、レッドレジスト膜RRを形成する。これによって、複数のグリーンフィルタ層301Gの間におけるピッチをレッドレジスト膜RRによって埋めると共に、その複数のグリーンフィルタ層301Gの上においてレッドレジスト膜RRが積層させる。
つぎに、図7(d)に示すように、レッドレジスト膜RRをパターン加工することによって、レッドフィルタ層301Rを形成する。
ここでは、ベイヤー配列BHに対応するようにレッドレジスト膜RRをパターン加工する。すなわち、基板101にて画素Pと周辺回路とが形成された面に対応する面において、複数のレッドフィルタ層301Rが、互いに等しい間隔を隔てて配列されるようにレッドレジスト膜RRをパターン加工する。具体的には、リソグラフィ技術によってレッドレジスト膜RRについて露光処理と現像処理とを順次実施することにより、レッドフィルタ層301Rを配置させる。
本実施形態においては、画素領域PAと周辺領域SAとのそれぞれにおいて、レッドフィルタ層301Rを配置させる。つまり、画素領域PAと周辺領域SAとのそれぞれにおいて同じベイヤー配列BHが配置されるように、レッドレジスト膜RRをレッドフィルタ層301Rにパターン加工する。また、ここでは、グリーンフィルタ層301Gとレッドフィルタ層301Rとの層厚が同じになるように、レッドレジスト膜RRを加工する。
つぎに、図7(e)に示すように、ブルーレジスト膜RBを形成する。
ここでは、上記のようにグリーンフィルタ層301Gおよびレッドフィルタ層301Rが形成された面に、たとえば、青色の着色剤とフォトレジスト材料とを含む塗布液を、スピンコート法によって塗布することによって、ブルーレジスト膜RBを形成する。たとえば、着色剤として、青色の顔料色素を含み、フォトレジスト材料として、アクリル系樹脂を含む塗布液を用いて、ブルーレジスト膜RBを形成する。
本実施形態においては、グリーンレジスト膜RGおよびレッドレジスト膜RRと同様に、図7(e)に示すように、画素領域PAと周辺領域SAとのそれぞれを被覆するように、ブルーレジスト膜RBを形成する。
具体的には、画素領域PAと周辺領域SAとのそれぞれにおいてグリーンフィルタ層301Gおよびレッドフィルタ層301Rが形成された面を被覆し、そのグリーンフィルタ層301Gおよびレッドフィルタ層301Rに積層するように、ブルーレジスト膜RBを形成する。つまり、グリーンフィルタ層301Gおよびレッドフィルタ層301Rの層厚よりも厚くなるように、ブルーレジスト膜RBを形成する。これによって、複数のグリーンフィルタ層301Gの間のピッチにおいてレッドフィルタ層301Rが形成されていないピッチをブルーレジスト膜RBによって埋めると共に、そのグリーンフィルタ層301Gおよびレッドフィルタ層301Rの上においてブルーレジスト膜RBを積層させる。
また、さらに、周辺領域SAについては、この周辺領域SAにおいて配置する複数のベイヤー配列BHにて最端部に配置するベイヤー配列BHの側面を被覆するように、ブルーレジスト膜RBを形成する。すなわち、本実施形態においては、周辺領域SAにおいて終端部に形成されたグリーンフィルタ層301Gまたはレッドフィルタ層301Rの終端部側の側面を被覆するように、ブルーレジスト膜RBを延在させる。
つぎに、図7(f)に示すように、ブルーレジスト膜RBをパターン加工することによって、ブルーフィルタ層301Bを形成する。
ここでは、ベイヤー配列BHに対応するようにブルーレジスト膜RBをパターン加工する。
本実施形態においては、図7(f)に示すように、画素領域PAについては、その画素領域PAにて形成されたブルーレジスト膜RBにおいて、グリーンフィルタ層301Gおよびレッドフィルタ層301Rに積層されたブルーレジスト膜RBを除去するように、パターン加工を実施することによって、ブルーフィルタ層301Bを形成する。具体的には、画素領域PAについては、グリーンフィルタ層301Gおよびレッドフィルタ層301Rを形成した場合と同様に、リソグラフィ技術によってブルーレジスト膜RBについて露光処理と現像処理とを順次実施することによって、ベイヤー配列BHに対応するようにブルーフィルタ層301Bを配置させる。すなわち、基板101にて画素Pと周辺回路とが形成された面に対応する面において、複数のブルーフィルタ層301Bが、互いに間隔が隔てて配列され、グリーンフィルタ層301Gおよびレッドフィルタ層301Rとの層厚と、ブルーフィルタ層301Bの層厚とが互いに同じになるように、ブルーレジスト膜RBをパターン加工する。
一方で、周辺領域SAについては、その周辺領域SAにて形成されたブルーレジスト膜RBにおいて、グリーンフィルタ層301Gおよびレッドフィルタ層301Rに積層されたブルーレジスト膜RBを除去せずに積層状態が維持されているように、ブルーレジスト膜RBを残すことによって、このブルーフィルタ層301Bを形成する。つまり、グリーンフィルタ層301Gおよびレッドフィルタ層301Rの層厚よりも厚くなるように、ブルーフィルタ層301Bを形成する。
また、さらに、周辺領域SAについては、この周辺領域SAにおいて配置する複数のベイヤー配列BHにて最端部に配置するベイヤー配列BHの側面を被覆するように形成されたブルーレジスト膜RBを残すように、パターン加工を実施することによって、ブルーフィルタ層301Bを形成する。
以上のように、本実施形態の固体撮像装置1において、カラーフィルタ301は、レッドフィルタ層301Rとグリーンフィルタ層301Gとブルーフィルタ層301Bとを含むベイヤー配列BHが、画素領域PAにおいて複数の画素Pに対応するように複数配置されると共に、周辺領域SAにおいて画素領域PAと同様に複数配置されている。そして、この周辺領域SAにおいては、さらに、その周辺領域SAにて配置された複数のベイヤー配列BHを、ブルーフィルタ層301Bが基板101の面に対応する面にて被覆するように形成されている。このように、本実施形態は、レッドフィルタ層301Rまたはグリーンフィルタ層301Gと、ブルーフィルタ層301Bとが積層され、光反射率を低減可能であるために、フレアの発生を抑制することができる。また、レッドフィルタ層301Rとブルーフィルタ層301Bとの積層のみを周辺領域SAにおいて形成した際には、前述したように、緑色のフレアが撮像画像に生じ、画像品質を低下させる場合があったが、本実施形態においては、このレッドフィルタ層301Rとブルーフィルタ層301Bとの積層以外に、グリーンフィルタ層301Gとブルーフィルタ層301Bとの積層と、ブルーフィルタ層301Bのみの部分が周辺領域SAに形成されているため、フレアが生じたとしても、ほぼ白色であるため、画像品質を向上することができる。
つまり、周辺領域SAにおいては、レッドフィルタ層301Rにブルーフィルタ層301Bが積層され、さらに、グリーンフィルタ層301Gにブルーフィルタ層301Bが積層されており、また、積層されていない部分のブルーフィルタ層301Bが厚い膜厚になるように形成されているため、光の透過率が低減され、その下層にある金属材料などからなる配線層からの光の反射を防止することができる。
また、本実施形態においては、周辺領域SAにおいて配置する複数のベイヤー配列BHにて最端部に配置するベイヤー配列BHの側面を被覆するように、ブルーフィルタ層301Bが形成されている。このため、本実施形態は、カラーフィルタ301が面から剥離することを抑制することができる。
さらに、本実施形態においては、画素領域PAと周辺領域SAとのそれぞれに、複数のグリーンフィルタ層301Gを形成した後に、画素領域PAと周辺領域SAとのそれぞれにおいてグリーンフィルタ層301Gが形成された面を被覆し、そのグリーンフィルタ層301Gに積層するように、レッドレジスト膜RRを塗布する。このように間隔が隔てられるように画素領域PAおよび周辺領域SAに形成された複数のグリーンフィルタ層301Gを被覆するように、レッドレジスト膜RRを塗布して形成しているため、レッドレジスト膜RRの膜厚は、画素領域PAと周辺領域SAとのそれぞれにおいて均一になるように形成される。つまり、グリーンフィルタ層301Gが全面に渡るように形成されているため、膜厚差が生ずる原因となる非周期的な段差の影響が小さくなるため、レッドレジスト膜RRを均一な膜厚で形成できる。そして、均一な膜厚で形成されたレッドレジスト膜RRについてパターン加工を実施することによって、レッドフィルタ層301Rを形成後に、画素領域PAと周辺領域SAとのそれぞれにおいてグリーンフィルタ層301Gとレッドフィルタ層301Rとが形成された面を被覆し、そのグリーンフィルタ層301Gとレッドフィルタ層301Rとのそれぞれに積層するように、ブルーレジスト膜RBを塗布する。ここでも、レッドレジスト膜RRの場合と同様に、間隔が隔てられるように画素領域PAおよび周辺領域SAに形成された複数のグリーンフィルタ層301Gを被覆するように、ブルーレジスト膜RBを塗布して形成しているため、ブルーレジスト膜RBの膜厚は、画素領域PAと周辺領域SAとのそれぞれにおいて均一に形成される。そして、均一な膜厚で形成されたブルーレジスト膜RBについてパターン加工を実施することによって、ブルーフィルタ層301Bを形成する。このため、本実施形態は、カラーフィルタ301を構成するカラーフィルタ301は、レッドフィルタ層301Rとグリーンフィルタ層301Gとブルーフィルタ層301Bとのそれぞれを所望な厚さになるように形成することが容易にできる。したがって、本実施形態においては、画素領域PAにてレッドフィルタ層301Rとグリーンフィルタ層301Gとブルーフィルタ層301Bとの各層厚のバラツキが発生することを防止可能であるため、撮像画像において額縁状のムラが生ずることを防止できる。
<実施形態2>
(装置構成)
図8は、本発明にかかる実施形態2において、固体撮像装置1を示す断面図である。図8は、図2におけるA−B部分の断面の要部であり、画素領域PAの端部から、周辺領域SAに渡る部分を示している。なお、図4と同様に、画素領域PAにおいては、上記したように、基板101上に、画素Pが配置されているが、フォトダイオード21を除き、その画素Pを構成する各部材については、図示を省略している。また、周辺領域SAにおいては、上述したように、周辺回路が配置されているが、図示を省略している。
また、図9は、本発明にかかる実施形態2において、カラーフィルタ301を拡大して示す平面図である。図9においてA−B部分は、図2のA−B部分に対応しており、そのA−B部分の周囲の平面を拡大して示している。また、この図9において、(a)は、カラーフィルタ301を上面から拡大して示しているのに対し、(b)は、(a)において、上層の下に位置する下層部分を点線にて示している。
図8および図9に示すように、本実施形態の固体撮像装置1は、ベイヤー配列BHにてレッドフィルタ層301Rとグリーンフィルタ層301Gとブルーフィルタ層301Bが配置されたカラーフィルタ301を含む。しかしながら、本実施形態は、図8および図9に示すように、周辺領域SAにおいては、ブルーフィルタ層301Bではなく、レッドフィルタ層301Rが、そのベイヤー配列BHを下層にするように積層されている。この点を除き、本実施形態は、実施形態1と同様である。このため、実施形態1と重複する箇所については、その記載を省略する。
本実施形態のカラーフィルタ301の詳細内容について説明する。
本実施形態のカラーフィルタ301は、画素領域PAにおいては、図8および図9に示すように、実施形態1と同様に、ベイヤー配列BHが複数の画素Pに対応するように配置されている。
そして、周辺領域SAにおいても、図8および図9に示すように、画素領域PAと同様に、レッドフィルタ層301Rとグリーンフィルタ層301Gとブルーフィルタ層301Bとのそれぞれがベイヤー配列BHにて配置されている。
さらに、この周辺領域SAにおいては、図9(a)に示すように、周辺領域SAにて配置された複数のベイヤー配列BHを、レッドフィルタ層301Rが基板101の面に対応する面にて被覆するように形成されている。
つまり、図8に示すように、周辺領域SAにおいては、レッドフィルタ層301Rが、グリーンフィルタ層301Gおよびブルーフィルタ層301Bの層厚よりも厚くなるように形成されており、図9(a)と図9(b)とに示すように、下層においては、ベイヤー配列BHになるように、レッドフィルタ層301R、グリーンフィルタ層301G、ブルーフィルタ層301Bが配置され、その上層として、レッドフィルタ層301Rが積層されている。
(製造方法)
以下より、上記のカラーフィルタ301を基板101に形成する製造方法について説明する。
図10は、本発明にかかる実施形態2において、カラーフィルタ301を形成する方法における各工程にて製造された要部を示す断面図である。なお、図10においてC−D部分は、図9(b)のC−D部分に対応しており、この階段状のC−D部分の面を一の平面として示している。
まず、図10(a)に示すように、グリーンレジスト膜RGを形成した後に、図10(b)に示すように、グリーンレジスト膜RGをパターン加工することによって、グリーンフィルタ層301Gを形成する。
ここでは、実施形態1と同様にして、グリーンレジスト膜RGを形成後、グリーンフィルタ層301Gを形成する。
つぎに、図10(c)に示すように、ブルーレジスト膜RBを形成する。
ここでは、実施形態1と同様に、グリーンフィルタ層301Gが形成された面に、たとえば、青色の着色剤とフォトレジスト材料とを含む塗布液を、スピンコート法によって塗布することによって、ブルーレジスト膜RBを形成する。つまり、グリーンレジスト膜RGと同様に、画素領域PAと周辺領域SAとのそれぞれを被覆するように、ブルーレジスト膜RBを形成する。
つぎに、図10(d)に示すように、ブルーレジスト膜RBをパターン加工することによって、ブルーフィルタ層301Bを形成する。
ここでは、実施形態1と同様に、ベイヤー配列BHに対応するようにブルーレジスト膜RBをパターン加工し、ブルーフィルタ層301Bを形成する。つまり、画素領域PAと周辺領域SAとのそれぞれにおいて同じベイヤー配列BHが配置されるように、ブルーレジスト膜RBをブルーフィルタ層301Bにパターン加工する。
つぎに、図10(e)に示すように、レッドレジスト膜RRを形成する。
ここでは、実施形態1と同様に、グリーンフィルタ層301Gおよびブルーフィルタ層301Bが形成された面に、たとえば、赤色の着色剤とフォトレジスト材料とを含む塗布液を、スピンコート法によって塗布することによって、レッドレジスト膜RRを形成する。
つまり、グリーンレジスト膜RGおよびブルーレジスト膜RBと同様に、図10(e)に示すように、画素領域PAと周辺領域SAとのそれぞれを被覆するように、レッドレジスト膜RRを形成する。
つぎに、図10(f)に示すように、レッドレジスト膜RRをパターン加工することによって、レッドフィルタ層301Rを形成する。
ここでは、ベイヤー配列BHに対応するようにブルーレジスト膜RBをパターン加工する。
本実施形態においては、実施形態1と同様に、図10(f)に示すように、画素領域PAについては、その画素領域PAにて形成されたレッドレジスト膜RRにおいて、グリーンフィルタ層301Gおよびブルーフィルタ層301Bに積層されたレッドレジスト膜RRを除去するように、パターン加工を実施することによって、レッドフィルタ層301Rを形成する。
一方で、周辺領域SAについては、その周辺領域SAにて形成されたレッドレジスト膜RRにおいて、グリーンフィルタ層301Gおよびブルーフィルタ層301Bに積層されたレッドレジスト膜RRを除去せずに積層状態が維持されているように、レッドレジスト膜RRを残すことによって、このレッドフィルタ層301Rを形成する。つまり、グリーンフィルタ層301Gおよびブルーフィルタ層301Bの層厚よりも厚くなるように、レッドフィルタ層301Rを形成する。
以上のように、本実施形態において、カラーフィルタ301は、周辺領域SAにおいては、ブルーフィルタ層301Bではなく、レッドフィルタ層301Rが、ベイヤー配列BHを下層にするように積層されている。このため、実施形態1においては、周辺領域SAにてブルーフィルタ層301Bの部分が他の原色のフィルタ層と積層されていないため、その部分から入射された光が青色の光に着色されて周辺回路に出射される場合があったのに対し、本実施形態においては、レッドフィルタ層301Rの部分が他の原色のフィルタ層と積層されていないため、その部分から入射された光が赤色の光に着色されて周辺回路に出射される。青色の光と赤色の光とにおいては、赤色の光の方が青色の光と比較して波長が長く、低いエネルギーである。このため、上記のように、周辺回路に入射する光を遮光できずに光が周辺回路へ出射された場合であっても、低いエネルギーであるため、縦筋状のノイズなどの不具合が、撮像画像に生ずることを、抑制することができる。
<実施形態3>
(装置構成)
図11は、本発明にかかる実施形態3において、固体撮像装置1を示す断面図である。図11は、図2におけるA−B部分の断面の要部であり、画素領域PAの端部から、周辺領域SAに渡る部分を示している。なお、図4と同様に、画素領域PAにおいては、上記したように、基板101上に、画素Pが配置されているが、フォトダイオード21を除き、その画素Pを構成する各部材については、図示を省略している。また、周辺領域SAにおいては、上述したように、周辺回路が配置されているが、図示を省略している。
また、図12は、本発明にかかる実施形態3において、カラーフィルタ301を拡大して示す平面図である。図12においてA−B部分は、図2のA−B部分に対応しており、そのA−B部分の周囲の平面を拡大して示している。また、この図12において、(a)は、カラーフィルタ301を上面から拡大して示しているのに対し、(b)は、(a)において、上層の下に位置する下層部分を点線にて示している。
図11および図12に示すように、本実施形態の固体撮像装置1においては、ベイヤー配列BHにてレッドフィルタ層301Rとグリーンフィルタ層301Gとブルーフィルタ層301Bが配置されたカラーフィルタ301を含む。しかしながら、本実施形態は、図11および図12に示すように、周辺領域SAにおいては、ブラック層301Kが、ベイヤー配列BHとブルーフィルタ層301Bとを下層にするように積層されている。この点を除き、本実施形態は、実施形態1と同様である。このため、実施形態1と重複する箇所については、その記載を省略する。
ブラック層301Kは、図11および図12に示すように、周辺領域SAにおいてベイヤー配列BHおよびブルーフィルタ層301Bを被覆するように積層されている。ここでは、ブラック層301Kは、被写体像による光を透過する光透過率が、レッドフィルタ層301Rとグリーンフィルタ層301Gとブルーフィルタ層301Bとのそれぞれよりも低くなるように形成されている。ここではブラック層301Kは、光を遮光する。
このブラック層301Kは、たとえば、黒色の着色顔料とフォトレジスト材料とを含む塗布液を、スピンコート法などのコーティング方法によって塗布してブラックレジスト膜を全面に形成後、リソグラフィ技術によって、そのブラックレジスト膜をパターン加工することによって形成される。具体的には、100nmから800nmの層厚になるように形成される。
以上のように、本実施形態においては、周辺領域SAにて、ブラック層301Kが、ベイヤー配列BHとブルーフィルタ層301Bとを下層にするように積層されている。このため、周辺回路に入射する光を、より効果的に遮光することができるため、縦筋状のノイズなどの不具合が、撮像画像に生ずることを抑制することができる。
なお、上記の実施形態において、固体撮像装置1は、本発明における固体撮像装置の一例である。また、上記の実施形態において、カメラ40は、本発明におけるカメラの一例である。また、上記の実施形態において、基板101は、本発明における基板の一例である。また、上記の実施形態において、画素領域PAは、本発明における画素領域の一例である。また、上記の実施形態において、周辺領域SAは、本発明における周辺領域の一例である。また、上記の実施形態において、フォトダイオード21は、本発明における光電変換素子の一例である。また、上記の実施形態において、カラーフィルタ301は、本発明におけるカラーフィルタの一例である。また、上記の実施形態において、レッドフィルタ層301Rは、本発明における第1の着色層,第2の着色層、第3の着色層の一例である。具体的には、実施形態1または3においては、本発明における第1の着色層または第3の着色層に相当する。これに対し、実施形態2においては、本発明における第2の着色層に相当する。また、上記の実施形態において、グリーンフィルタ層301Gは、本発明における第1の着色層または第3の着色層の一例である。また、上記の実施形態において、ブルーフィルタ層301Bは、本発明における第1の着色層,第2の着色層、第3の着色層の一例である。具体的には、実施形態1または3においては、本発明における第2の着色層に相当する。これに対し、実施形態2においては、本発明における第1の着色層または第3の着色層に相当する。また、上記の実施形態において、ブラック層301Kは、本発明における第4の着色層の一例である。また、上記の実施形態において、ベイヤー配列BHは、本発明における着色配列の一例である。
また、本発明の実施に際しては、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形例を採用することができる。
たとえば、上記の実施形態において、レッドフィルタ層301Rとグリーンフィルタ層301Gとブルーフィルタ層301Bを、ベイヤー配列BHにて配置した場合について説明したが、これに限定されない。
図13は、本発明にかかる実施形態において、カラーフィルタ301の着色配列についての変形形態を示す図である。
図13(a)に示すように、ベイヤー配列BHにて2つ配置したグリーンフィルタ層301Gの一方を、入射光を着色せずに透過させる透過窓301Tとした場合についても適用可能である。
また、図13(b)に示すように、ベイヤー配列BHにおいて、矩形形状のレッドフィルタ層301Rとグリーンフィルタ層301Gとブルーフィルタ層301Bとのそれぞれを、垂直方向Vと水平方向Hとのそれぞれに配置せずに、垂直方向Vと水平方向Hとに対して45°傾けるように、配置した場合についても適用可能である。すなわち、矩形形状のグリーンフィルタ層301Gの対角線が、垂直方向Vに沿うように2つ配置され、矩形形状のレッドフィルタ層301Rとブルーフィルタ層301Bとの対角線が、水平方向Hに沿うように、矩形形状内において配置された着色配列にて、カラーフィルタ301を形成した場合においても適用可能である。
さらに、図13(c)に示すように、シアンフィルタ層301Cとマゼンダフィルタ層301Mとイエローフィルタ層301Yと、グリーンフィルタ層301Gを1組とした着色配列にて、カラーフィルタ301を形成した場合においても適用可能である。
また、本実施形態においては、CMOSイメージセンサにおいて適用する場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、CCDイメージセンサにおいても、適用可能である。
また、本実施形態においては、着色剤として顔料を用いる場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、染料を着色剤として用いる場合においても、適用可能である。
図1は、本発明にかかる実施形態1において、カメラ40の構成を示す構成図である。 図2は、本発明にかかる実施形態1において、固体撮像装置1の全体構成の概略を示す平面図である。 図3は、本発明にかかる実施形態1において、画素領域PAにおいて設けられた画素Pを示す回路図である。 図4は、本発明にかかる実施形態1において、固体撮像装置1を示す断面図である。 図5は、本発明にかかる実施形態1において、カラーフィルタ301を拡大して示す平面図である。 図6は、本発明にかかる実施形態1において、カラーフィルタ301の分光特性を示す図である。 図7は、本発明にかかる実施形態1において、カラーフィルタ301を形成する方法における各工程にて製造された要部を示す断面図である。 図8は、本発明にかかる実施形態2において、固体撮像装置1を示す断面図である。 図9は、本発明にかかる実施形態2において、カラーフィルタ301を拡大して示す平面図である。 図10は、本発明にかかる実施形態2において、カラーフィルタ301を形成する方法における各工程にて製造された要部を示す断面図である。 図11は、本発明にかかる実施形態3において、固体撮像装置1を示す断面図である。 図12は、本発明にかかる実施形態3において、カラーフィルタ301を拡大して示す平面図である。 図13は、本発明にかかる実施形態において、カラーフィルタ301の着色配列についての変形形態を示す図である。
符号の説明
1…固体撮像装置、40…カメラ、42…光学系、43…駆動回路、44…信号処理回路、101…基板、PA…画素領域、SA…周辺領域、21…フォトダイオード(光電変換素子)、301…カラーフィルタ、301R…レッドフィルタ層(第1の着色層,第2の着色層、第3の着色層)、301G…グリーンフィルタ層(第1の着色層,第3の着色層)、301B…ブルーフィルタ層(第1の着色層,第2の着色層、第3の着色層)、301K…ブラック層(第4の着色層)、BH…ベイヤー配列

Claims (13)

  1. 被写体像による光を受光し、当該受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換素子を含む画素が、複数配置されている画素領域と、前記画素領域の周囲に位置しており、前記光電変換素子によって生成された信号電荷を処理する周辺回路が形成されている周辺領域とが基板の面に設けられている固体撮像装置であって、
    前記基板の面に対応する面において前記被写体像による光を受け、当該光が前記基板の面に透過されるように、前記基板に対面して配置されているカラーフィルタ
    を有し、
    前記カラーフィルタは、
    第1の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第1の着色層と、前記第1の波長帯域と異なる第2の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第2の着色層とを含み、当該第1の着色層と第2の着色層とが前記基板の面に対応する面にて並ぶように配列された着色配列が、前記画素領域において前記複数の画素に対応するように複数配置され、前記周辺領域において前記画素領域と同様に複数配置されており、
    前記周辺領域においては、さらに、当該周辺領域にて配置された複数の着色配列を、前記第2の着色層が前記基板の面に対応する面にて被覆するように形成されている
    固体撮像装置。
  2. 前記第2の着色層は、前記周辺領域において配置された複数の着色配列にて最端部に配置された着色配列の側面を被覆するように形成されている、
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 前記カラーフィルタは、
    前記第1の波長帯域および前記第2の波長帯域と異なる第3の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第3の着色層
    を含み、
    前記着色配列においては、当該第3の着色層が前記基板の面に対応する面にて前記第1の着色層と前記第2の着色層とに並ぶように配置されている、
    請求項2に記載の固体撮像装置。
  4. 前記第1の着色層は、緑色光を透過するように形成されており、
    前記第2の着色層は、赤色光を透過するように形成されており、
    前記第3の着色層は、青色光を透過するように形成されている、
    請求項3に記載の固体撮像装置。
  5. 前記カラーフィルタは、
    前記被写体像による光を透過する光透過率が前記第1の着色層と前記第2の着色層と前記第3の着色層とのそれぞれよりも低くなるように形成されている第4の着色層
    を含み、
    前記第4の着色層は、前記周辺領域において前記着色配列を被覆するように前記着色配列に積層されている、
    請求項4に記載の固体撮像装置。
  6. 被写体像による光を受光し、当該受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換素子を含む画素が複数配置されている画素領域と、前記画素領域の周囲に位置しており、前記光電変換素子によって生成された信号電荷を処理する周辺回路が形成されている周辺領域とが基板の面に対面するように配置され、前記基板の面に対応する面において前記被写体像による光を受け、当該光が前記基板の面に着色されて出射されるカラーフィルタであって、
    第1の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第1の着色層と、前記第1の波長帯域と異なる第2の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第2の着色層とを含み、当該第1の着色層と第2の着色層とが前記基板の面に対応する面にて並ぶように配列された着色配列が、前記画素領域において前記複数の画素に対応するように複数配置され、前記周辺領域において前記画素領域と同様に複数配置されており、
    前記周辺領域においては、さらに、当該周辺領域にて配置された複数の着色配列を、前記第2の着色層が前記基板の面に対応する面にて被覆するように形成されている
    カラーフィルタ。
  7. 被写体像による光を受光し、当該受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換素子を含む画素が複数配置されている画素領域と、前記画素領域の周囲に位置しており、前記光電変換素子によって生成された信号電荷を処理する周辺回路が形成されている周辺領域とが基板の面に設けられている固体撮像装置を有するカメラであって、
    前記固体撮像装置は、
    前記基板の面に対応する面において前記被写体像による光を受け、当該光が前記基板の面に透過されるように前記基板に対面して配置されているカラーフィルタ
    を有し、
    前記カラーフィルタは、
    第1の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第1の着色層と、前記第1の波長帯域と異なる第2の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第2の着色層とを含み、当該第1の着色層と第2の着色層とが前記基板の面に対応する面にて並ぶように配列された着色配列が、前記画素領域において前記複数の画素に対応するように複数配置され、前記周辺領域において前記画素領域と同様に複数配置されており、
    前記周辺領域においては、さらに、当該周辺領域にて配置された複数の着色配列を、前記第2の着色層が前記基板の面に対応する面にて被覆するように形成されている
    カメラ。
  8. 被写体像による光を受光し、当該受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換素子を含む画素が複数配置されている画素領域と、前記画素領域の周囲に位置しており、前記光電変換素子によって生成された信号電荷を処理する周辺回路が形成されている周辺領域とが基板の面に対面するように配置され、前記基板の面に対応する面において前記被写体像による光を受け、当該光が前記基板の面に透過されるカラーフィルタの製造方法であって、
    第1の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第1の着色層と、前記第1の波長帯域と異なる第2の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第2の着色層とを含み、当該第1の着色層と第2の着色層とが前記基板の面に対応する面にて並ぶように配列された着色配列が、前記画素領域において前記複数の画素に対応するように複数配置され、前記周辺領域において前記画素領域と同様に複数配置されるように、前記カラーフィルタを製造するカラーフィルタ製造工程
    を含み、
    前記カラーフィルタ製造工程は、
    前記基板の面に対応する面において前記第1の着色層を前記着色配列に対応するように間隔を隔てて複数形成する第1着色層形成工程と、
    前記基板の面に対応する面において前記第2の着色層を前記着色配列に対応するように間隔を隔てて複数形成する第2着色層形成工程と
    を有し、
    前記第1着色層形成工程においては、前記画素領域と前記周辺領域とのそれぞれに、前記第1の着色層を形成し、
    前記第2着色層形成工程においては、前記画素領域と前記周辺領域とのそれぞれにおいて前記第1の着色層が形成された面を被覆し、当該第1の着色層に積層するように、前記第2の着色層に対応する色彩の着色剤を含む塗布膜を塗布した後に、当該周辺領域にて塗布された塗布膜において前記第1の着色層に積層された塗布膜を除去せずに残し、当該画素領域において塗布された塗布膜において前記第1の着色層に積層された塗布膜を除去するように、パターン加工を実施することによって、前記第2の着色層を形成する、
    カラーフィルタの製造方法。
  9. 前記第2着色層形成工程においては、前記周辺領域において配置する複数の着色配列にて最端部に配置する着色配列の側面を被覆するように、前記第2の着色層に対応する色彩の着色剤を含む塗布膜を塗布した後に、当該周辺領域において配置する複数の着色配列にて最端部に配置する着色配列の側面を被覆するように形成された塗布膜を残すように前記パターン加工を実施することによって、前記第2の着色層を形成する、
    請求項に記載のカラーフィルタの製造方法。
  10. 前記カラーフィルタ製造工程は、
    前記第1の波長帯域および前記第2の波長帯域と異なる第3の波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、前記被写体像による光が透過される第3の着色層が前記基板の面に対応する面にて前記第1の着色層と前記第2の着色層とに並ぶ着色配列を、前記画素領域と前記周辺領域とに対応するように複数配置することによって、前記カラーフィルタを製造する、
    請求項に記載のカラーフィルタの製造方法。
  11. 前記カラーフィルタ製造工程は、
    前記基板の面に対応する面において前記第3の着色層を前記着色配列に対応するように複数間隔を隔てて形成する第3着色層形成工程
    を有し、
    前記第3着色層形成工程においては、前記画素領域と前記周辺領域とにおいて前記第1の着色層が形成された面を被覆し、前記第1の着色層に積層するように、前記第3の着色層に対応する色彩の着色剤を含む塗布膜を塗布した後に、当該画素領域および周辺領域において塗布された塗布膜において、前記第1の着色層に積層された塗布膜を除去することによって、前記第3の着色層を形成し、
    前記第2着色層形成工程においては、前記画素領域と前記周辺領域とにおいて前記第1の着色層と前記第3の着色層とのそれぞれが形成された面を被覆し、前記第1の着色層と前記第3の着色層とのそれぞれに積層するように、前記第2の着色層に対応する色彩の着色剤を含む塗布膜を塗布した後に、当該周辺領域において塗布された塗布膜において前記第1の着色層と前記第3の着色層とのそれぞれに積層された塗布膜を除去せずに残し、当該画素領域において塗布された塗布膜において前記第1の着色層と前記第3の着色層とのそれぞれに積層された塗布膜を除去することによって、前記第2の着色層を形成する、
    請求項10に記載のカラーフィルタの製造方法。
  12. 前記第1着色層形成工程においては、緑色光を透過するように前記第1の着色層を形成し、
    前記第2着色層形成工程においては、赤色光を透過するように前記第2の着色層を形成し、
    前記第3着色層形成工程においては、青色光を透過するように前記第3の着色層を形成する、
    請求項11に記載のカラーフィルタの製造方法。
  13. 前記カラーフィルタ製造工程は、
    前記被写体像による光を透過する光透過率が、前記第1の着色層と前記第2の着色層と前記第3の着色層とのそれぞれよりも低い第4の着色層を形成する第4着色層形成工程
    を含み、
    前記第4着色層形成工程においては、前記周辺領域において前記着色配列を被覆し、前記着色配列に積層するように、前記第4の着色層を形成する、
    請求項12に記載のカラーフィルタの製造方法。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009021379A (ja) * 2007-07-11 2009-01-29 Panasonic Corp 固体撮像装置およびそれを備えたカメラ、固体撮像装置の製造方法
US8531565B2 (en) * 2009-02-24 2013-09-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Front side implanted guard ring structure for backside illuminated image sensor
US9142586B2 (en) 2009-02-24 2015-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pad design for backside illuminated image sensor
JP5493461B2 (ja) * 2009-05-12 2014-05-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、電子機器及び固体撮像装置の製造方法
DE102009033762A1 (de) * 2009-07-17 2011-01-27 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtkörpers sowie Mehrschichtkörper
US20110317048A1 (en) 2010-06-29 2011-12-29 Aptina Imaging Corporation Image sensor with dual layer photodiode structure
JP2012074521A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Sony Corp 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置、および電子機器
JP6116878B2 (ja) * 2012-12-03 2017-04-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN103926735A (zh) * 2013-06-28 2014-07-16 上海天马微电子有限公司 一种彩膜基板及其制作方法、显示面板及装置
JP2016029704A (ja) * 2014-07-16 2016-03-03 キヤノン株式会社 光電変換装置、およびそれを用いた撮像システム
JP7035333B2 (ja) * 2017-04-13 2022-03-15 凸版印刷株式会社 固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子
KR102492102B1 (ko) 2018-07-23 2023-01-30 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
KR20210056754A (ko) * 2019-11-11 2021-05-20 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2663475B2 (ja) 1988-01-29 1997-10-15 ソニー株式会社 固体撮像素子
US6111247A (en) * 1997-12-08 2000-08-29 Intel Corporation Passivation protection of sensor devices having a color filter on non-sensor portion
KR19990054304A (ko) * 1997-12-26 1999-07-15 구본준 고체촬상소자 및 그 제조방법
US7084472B2 (en) * 2002-07-09 2006-08-01 Toppan Printing Co., Ltd. Solid-state imaging device and manufacturing method therefor
JP2005347708A (ja) 2004-06-07 2005-12-15 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
US7795577B2 (en) * 2004-08-25 2010-09-14 Richard Ian Olsen Lens frame and optical focus assembly for imager module
JP2006096983A (ja) 2004-08-30 2006-04-13 Jsr Corp 平坦化層用硬化性樹脂組成物、平坦化層、平坦化層の製造方法及び固体撮像素子
JP2006156801A (ja) 2004-11-30 2006-06-15 Fujifilm Electronic Materials Co Ltd 遮光膜形成用組成物、それを用いた固体撮像素子用遮光膜及び固体撮像素子
US7456384B2 (en) * 2004-12-10 2008-11-25 Sony Corporation Method and apparatus for acquiring physical information, method for manufacturing semiconductor device including array of plurality of unit components for detecting physical quantity distribution, light-receiving device and manufacturing method therefor, and solid-state imaging device and manufacturing method therefor
JP2006173896A (ja) 2004-12-14 2006-06-29 Konica Minolta Opto Inc 撮像装置及び電子機器
JP4806197B2 (ja) * 2005-01-17 2011-11-02 パナソニック株式会社 固体撮像装置
JP4940667B2 (ja) 2005-06-02 2012-05-30 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
JP2006317776A (ja) 2005-05-13 2006-11-24 Sony Corp カラーフィルタの製造方法、および固体撮像装置の製造方法
JP2007115921A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Fujifilm Electronic Materials Co Ltd 遮光膜形成用組成物、それを用いた固体撮像素子用遮光膜及び固体撮像素子
KR100809323B1 (ko) * 2006-01-31 2008-03-05 삼성전자주식회사 크로스토크가 감소하고 감도가 증가한 이미지 센서

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