JP2006173896A - 撮像装置及び電子機器 - Google Patents
撮像装置及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006173896A JP2006173896A JP2004361563A JP2004361563A JP2006173896A JP 2006173896 A JP2006173896 A JP 2006173896A JP 2004361563 A JP2004361563 A JP 2004361563A JP 2004361563 A JP2004361563 A JP 2004361563A JP 2006173896 A JP2006173896 A JP 2006173896A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- color filter
- light
- photoelectric conversion
- conversion unit
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 93
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 60
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 53
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 89
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 40
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Studio Devices (AREA)
Abstract
【課題】撮像画像の画質低下を好適に防止する。
【解決手段】撮像装置100であって、光学部材1と、光学部材1により集光される光を光電変換して電気信号として蓄積する光電変換部2aと、光電変換部2aに蓄積された信号電荷を出力するためのアナログ回路部2bとが半導体基板2cに設けられた半導体撮像素子202とを備える。光電変換部2aを構成する複数の画素には、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタの何れかが配設され、光電変換部2aの周囲には、当該光電変換部2aに設けられた配線層とアナログ回路部2bに設けられた配線層との隙間を被覆するように赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタが重ねられてなる遮光層2dが配設されている。
【選択図】図2
【解決手段】撮像装置100であって、光学部材1と、光学部材1により集光される光を光電変換して電気信号として蓄積する光電変換部2aと、光電変換部2aに蓄積された信号電荷を出力するためのアナログ回路部2bとが半導体基板2cに設けられた半導体撮像素子202とを備える。光電変換部2aを構成する複数の画素には、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタの何れかが配設され、光電変換部2aの周囲には、当該光電変換部2aに設けられた配線層とアナログ回路部2bに設けられた配線層との隙間を被覆するように赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタが重ねられてなる遮光層2dが配設されている。
【選択図】図2
Description
本発明は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどの電子機器に搭載可能な撮像装置及びこの撮像装置を内蔵した電子機器に関する。
従来、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等の電子機器に搭載可能な小型で高性能の撮像装置が開発されている。かかる撮像装置には、CMOS(Complementary Metal-oxide Semiconductor)型イメージセンサ等の半導体撮像素子を備えたものがある(例えば、特許文献1参照。)。また、半導体撮像素子を基板に配設して、この半導体撮像素子に集光させるためのレンズ等を有する光学部材とが一体化された撮像装置も提案されている。
ところで、CMOS型イメージセンサにあっては、光電変換部の各画素に蓄積された信号電荷を画素毎に個別に設けられたトランジスタ等の増幅部により増幅してから取り出すようになっている。このため、増幅部の性能のバラツキ等により固定パターン・ノイズが発生してしまうことから、発生した固定パターン・ノイズを取り除いてから出力するためのCDS(Correlated Double Sampling)回路等が光電変換部に隣接して配設されている。
特開2003−60187号公報
しかしながら、被写体の撮像の際等に太陽光などの光がCDS回路等のアナログ回路部に入射すると、アナログ回路部のコンデンサに、光電変換部により光電変換されたもの以上の信号電荷が蓄積されてしまい、撮像画像の画質低下を招いてしまうといった問題もある。即ち、アナログ回路部の表面には、アルミニウム層などの配線層が配設されており、この配線層により当該アナログ回路部に入射する光が遮光されるようになっているが、アナログ回路部と光電変換部との間にあっては、製造上の理由等により、アナログ回路部に設けられた配線層と光電変換部に設けられた配線層の隙間が形成されている場合もあることから、その隙間の遮光が十分ではないといった問題がある。
そこで、本発明の課題は、撮像画像の画質低下を好適に防止することができる撮像装置及び撮像装置を内蔵した電子機器を提供することである。
上記課題を解決するため、請求項1に記載の発明の撮像装置は、
光学部材と、
前記光学部材により集光される光を光電変換して電気信号として蓄積する光電変換部と、当該光電変換部に隣接させて配置され、前記光電変換部に蓄積された前記電気信号を出力するためのアナログ回路部とが設けられた半導体撮像素子と、を備え、
前記光電変換部は、複数の画素を有し、前記複数の画素のうちの少なくとも一部の画素には、前記光学部材により集光される光のうち、赤色光を透過させる赤色カラーフィルタ、緑色光を透過させる緑色カラーフィルタ及び青色光を透過させる青色カラーフィルタの何れかが配設され、
前記光電変換部の周囲には、少なくとも当該光電変換部に設けられた配線層と前記アナログ回路部に設けられた配線層との隙間を被覆するように遮光層が設けられていることを特徴としている。
光学部材と、
前記光学部材により集光される光を光電変換して電気信号として蓄積する光電変換部と、当該光電変換部に隣接させて配置され、前記光電変換部に蓄積された前記電気信号を出力するためのアナログ回路部とが設けられた半導体撮像素子と、を備え、
前記光電変換部は、複数の画素を有し、前記複数の画素のうちの少なくとも一部の画素には、前記光学部材により集光される光のうち、赤色光を透過させる赤色カラーフィルタ、緑色光を透過させる緑色カラーフィルタ及び青色光を透過させる青色カラーフィルタの何れかが配設され、
前記光電変換部の周囲には、少なくとも当該光電変換部に設けられた配線層と前記アナログ回路部に設けられた配線層との隙間を被覆するように遮光層が設けられていることを特徴としている。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の撮像装置において、
前記遮光層は、前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ及び前記青色カラーフィルタのうちの少なくとも2つのフィルタが重ねられてなることを特徴としている。
前記遮光層は、前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ及び前記青色カラーフィルタのうちの少なくとも2つのフィルタが重ねられてなることを特徴としている。
請求項3に記載の発明の撮像装置は、
光学部材と、
前記光学部材により集光される光を光電変換して電気信号として蓄積する光電変換部と、当該光電変換部に隣接させて配置され、前記光電変換部に蓄積された前記電気信号を出力するためのアナログ回路部とが設けられた半導体撮像素子と、を備え、
前記光電変換部は、複数の画素を有し、前記複数の画素のうちの少なくとも一部の画素には、前記光学部材により集光される光のうち、イエロー色光を透過させるイエロー色カラーフィルタ、マゼンタ色光を透過させるマゼンタ色カラーフィルタ及びシアン色光を透過させるシアン色カラーフィルタの何れかが配設され、
前記光電変換部の周囲には、少なくとも当該光電変換部に設けられた配線層と前記アナログ回路部に設けられた配線層との隙間を被覆するように遮光層が設けられていることを特徴としている。
光学部材と、
前記光学部材により集光される光を光電変換して電気信号として蓄積する光電変換部と、当該光電変換部に隣接させて配置され、前記光電変換部に蓄積された前記電気信号を出力するためのアナログ回路部とが設けられた半導体撮像素子と、を備え、
前記光電変換部は、複数の画素を有し、前記複数の画素のうちの少なくとも一部の画素には、前記光学部材により集光される光のうち、イエロー色光を透過させるイエロー色カラーフィルタ、マゼンタ色光を透過させるマゼンタ色カラーフィルタ及びシアン色光を透過させるシアン色カラーフィルタの何れかが配設され、
前記光電変換部の周囲には、少なくとも当該光電変換部に設けられた配線層と前記アナログ回路部に設けられた配線層との隙間を被覆するように遮光層が設けられていることを特徴としている。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の撮像装置において、
前記遮光層は、前記イエロー色カラーフィルタ、前記マゼンタ色カラーフィルタ及び前記シアン色カラーフィルタが重ねられてなることを特徴としている。
前記遮光層は、前記イエロー色カラーフィルタ、前記マゼンタ色カラーフィルタ及び前記シアン色カラーフィルタが重ねられてなることを特徴としている。
請求項5に記載の発明は、請求項1又は3に記載の撮像装置において、
前記遮光層は、黒色の樹脂から成形されてなることを特徴としている。
前記遮光層は、黒色の樹脂から成形されてなることを特徴としている。
請求項6に記載の発明の電子機器は、請求項1〜5の何れか一項に記載の撮像装置を、機器本体内に備えることを特徴としている。
請求項1に記載の発明によれば、光電変換部を構成する複数の画素のうちの少なくとも一部の画素には、光学部材により集光される光のうち、赤色光を透過させる赤色カラーフィルタ、緑色光を透過させる緑色カラーフィルタ及び青色光を透過させる青色カラーフィルタの何れかが配設され、光電変換部の周囲には、少なくとも当該光電変換部に設けられた配線層とアナログ回路部に設けられた配線層との隙間を被覆するように遮光層が設けられているので、光学部材を介して半導体撮像素子側に入射される光をアナログ回路部の配線層と光電変換部の配線層の隙間からアナログ回路部に対して入射させ難くすることができる。これにより、隙間からのアナログ回路部側に対する光の入射に基づいて、当該アナログ回路部にて電荷が発生することを抑制することができる。即ち、光電変換部により光電変換されたもの以上の電気信号がアナログ回路部に蓄積されてしまうことを防止することができる。さらに、遮光層により、光電変換部の周囲にて反射する光量を減少させることができることとなって、光電変換部に対して反射光の光電変換に基づく不要な電気信号の蓄積を防止することができる。従って、撮像画像の画質低下を防止することができる。
請求項2に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明と同様の効果が得られるのは無論のこと、特に、遮光層は、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタのうちの少なくとも2つのフィルタが重ねられることで形成されているので、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタのうちの少なくとも2つのフィルタを用いて遮光層を簡便に形成することができる。
請求項3に記載の発明によれば、光電変換部を構成する複数の画素のうちの少なくとも一部の画素には、光学部材により集光される光のうち、イエロー色光を透過させるイエロー色カラーフィルタ、マゼンタ色光を透過させるマゼンタ色カラーフィルタ及びシアン色光を透過させるシアン色カラーフィルタの何れかが配設され、光電変換部の周囲には、少なくとも当該光電変換部に設けられた配線層とアナログ回路部に設けられた配線層との隙間を被覆するように遮光層が設けられているので、光学部材を介して半導体撮像素子側に入射される光をアナログ回路部の配線層と光電変換部の配線層の隙間からアナログ回路部に対して入射させ難くすることができる。これにより、隙間からのアナログ回路部側に対する光の入射に基づいて、当該アナログ回路部にて電荷が発生することを抑制することができる。即ち、光電変換部により光電変換されたもの以上の電気信号がアナログ回路部に蓄積されてしまうことを防止することができる。さらに、遮光層により、光電変換部の周囲にて反射する光量を減少させることができることとなって、光電変換部に対して反射光の光電変換に基づく不要な電気信号の蓄積を防止することができる。従って、撮像画像の画質低下を防止することができる。
請求項4に記載の発明によれば、請求項3に記載の発明と同様の効果が得られるのは無論のこと、特に、遮光層は、イエロー色カラーフィルタ、マゼンタ色カラーフィルタ及びシアン色カラーフィルタが重ねられることで形成されているので、イエロー色カラーフィルタ、マゼンタ色カラーフィルタ及びシアン色カラーフィルタにより遮光層を簡便に形成することができる。
請求項5に記載の発明によれば、遮光層は、黒色の樹脂から成形されているので、当該遮光層によって、入射される光をアナログ回路部の配線層と光電変換部の配線層の隙間からアナログ回路部に対して入射させ難くすることができ、請求項1又は3に記載の発明と同様の効果を得ることができる。
請求項6に記載の発明によれば、請求項1〜5に記載の撮像装置を、機器本体内に備えた電子機器であっても、請求項1〜5に記載の発明と同様に、光電変換部により光電変換されたもの以上の電気信号がアナログ回路部に蓄積されてしまうことを防止することができ、且つ、光電変換部に対して反射光の光電変換に基づく不要な電気信号の蓄積を防止することができることとなって、撮像画像の画質低下を防止することができる。
以下に、本発明について、図面を用いて具体的な態様を説明する。ただし、発明の範囲は、図示例に限定されない。
図1は、本発明を適用した一実施形態の撮像装置を示す斜視図であり、図2は、図1のII−II線における撮像装置の一部省略断面図である。
図1は、本発明を適用した一実施形態の撮像装置を示す斜視図であり、図2は、図1のII−II線における撮像装置の一部省略断面図である。
図1及び図2に示すように、実施形態1の撮像装置100は、基板PCと、基板PCの光源側に備えられた半導体撮像素子202と、半導体撮像素子202に集光させるための光学部材1と、光学部材1に入射する光量を調節する絞り板3と、半導体撮像素子202を覆い隠す外枠部材としての鏡枠4と、鏡枠4に備えられた遮光性を有する遮光板5と、遮光板5に支持されるフィルタ6と、遮光板5と光学部材1の間に備えられ、光学部材1を基板PC側へ押圧する押圧部材7と、光学部材1の位置決めを行うために基板PC上の所定位置に配置された位置決め電気部品8a、…等により構成されている。
基板PCは、例えば、セラミック基板等からなり、外形が平面視において略矩形状に形成されている。
さらに、基板PCの表面側には、フレキシブル基板Fが設けられており、当該フレキシブル基板Fは所定の配線(図示略)を介して半導体撮像素子202と電気的に接続されている。
さらに、基板PCの表面側には、フレキシブル基板Fが設けられており、当該フレキシブル基板Fは所定の配線(図示略)を介して半導体撮像素子202と電気的に接続されている。
半導体撮像素子202は、光源側に光電変換部2a(後述)が配置されるように、基板PCの表面側の所定位置に所定の接着剤B1を介して取り付けられている。そして、半導体撮像素子202の所定位置に設けられた外部接続用端子(図示略)と基板PC上の所定の回路とがワイヤWを介して電気的に接続されている。
また、半導体撮像素子202は、例えば、CMOS(Complementary Metal-oxide Semiconductor)型イメージセンサ、CCD(Charge Coupled Device)型イメージセンサ等からなり、外形が略矩形薄板状に形成された部材である。具体的には、半導体撮像素子202は、例えば、P型Si基板等の半導体基板2cの上面略中央に、画素が2次元的に配列され、撮像領域としての矩形状の光電変換部2aが配設され、この光電変換部2aに隣接させて当該光電変換部2aに蓄積された信号電荷を出力するためのアナログ回路部2bが配設されている。
接着剤B1としては、例えば、所定のエポキシ樹脂に銀粉末が混合された銀ペーストや、遮光性を有する所定の染料や顔料を含有する所定の樹脂の混合物等が挙げられる。また、接着剤B1は、接着部位に充填後、接着部位の加熱や、接着部位への紫外線照射、その他の手段、又はこれらを複合的に行うことにより硬化させることが可能な樹脂等であって、一般的な熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤、熱・紫外線併用硬化型接着剤、複合硬化型接着剤等が好適に用いられる。
以下に、図3を参照して、半導体撮像素子202の光電変換部2aとアナログ回路部2bの回路構成を説明する。
なお、図3にあっては、例えば、半導体撮像素子202としてCMOS型イメージセンサを例示している。CMOS型イメージセンサの光電変換部2aの各画素に蓄積された信号電荷の出力の際には、MOS(Metal Oxided Semiconductor)トランジスタ等の増幅部の性能のバラツキ等により固定パターン・ノイズが発生してしまう。そこで、アナログ回路部2bとして、発生した固定パターン・ノイズを取り除いてから出力するためのCDS(Correlated Double Sampling)回路等が設けられているものとする。
なお、図3にあっては、例えば、半導体撮像素子202としてCMOS型イメージセンサを例示している。CMOS型イメージセンサの光電変換部2aの各画素に蓄積された信号電荷の出力の際には、MOS(Metal Oxided Semiconductor)トランジスタ等の増幅部の性能のバラツキ等により固定パターン・ノイズが発生してしまう。そこで、アナログ回路部2bとして、発生した固定パターン・ノイズを取り除いてから出力するためのCDS(Correlated Double Sampling)回路等が設けられているものとする。
図3に示すように、半導体撮像素子202の光電変換部2aに光が入射すると、フォトダイオードにより光電変換されることで生成された信号電荷は、等価的にキャパシタとして動作しているフォトダイオードの電圧変化に置き換えられ、さらに、当該フォトダイオードにゲートが接続されたMOSトランジスタにより増幅された後、行選択線nに接続された行選択トランジスタ(スイッチング素子)からの入力パルスに基づいて、列信号線を介して画素信号としてCDS回路に出力されるようになっている。
また、行リセット線nには、フォトダイオードに蓄積された信号電荷をリセットするための所定のパルスを出力するリセット用トランジスタ(スイッチング素子)が接続されており、画素信号の出力後に、リセット用トランジスタからの入力パルスに基づいて、フォトダイオードがリセットされて当該フォトダイオードからリセット信号が列信号線を介してCDS回路に出力されるようになっている。
なお、列信号線には、負荷トランジスタMLが接続されている。
また、行リセット線nには、フォトダイオードに蓄積された信号電荷をリセットするための所定のパルスを出力するリセット用トランジスタ(スイッチング素子)が接続されており、画素信号の出力後に、リセット用トランジスタからの入力パルスに基づいて、フォトダイオードがリセットされて当該フォトダイオードからリセット信号が列信号線を介してCDS回路に出力されるようになっている。
なお、列信号線には、負荷トランジスタMLが接続されている。
また、CDS回路に入力された画素信号及びリセット信号の各々は、コンデンサCCに接続されたスイッチング素子としての所定のトランジスタMCからの入力パルスφC及びコンデンサCS2に接続されたトランジスタMS2からの入力パルスφS2に基づいて、コンデンサCCに対するクランプ及びコンデンサCS2に対するサンプリングが行われるようになっている。これにより、コンデンサCS2には、固定パターン・ノイズが抑圧された信号が蓄積される。蓄積された信号は、列選択用トランジスタからの入力パルスiに基づいて出力される。
次に、半導体撮像素子202の構成について、図4〜図6を参照してさらに詳細に説明する。
ここで、図4は、半導体撮像素子202の断面構造を説明するための図である。なお、図4にあっては、半導体撮像素子202の断面構造を模式的に示しており、配線層20a、20bのみにハッチングを入れた図を示している。また、図5は、半導体撮像素子202の平面構造を説明するための模式図であり、図6は、半導体撮像素子202の断面構造を模式的に示した図である。
ここで、図4は、半導体撮像素子202の断面構造を説明するための図である。なお、図4にあっては、半導体撮像素子202の断面構造を模式的に示しており、配線層20a、20bのみにハッチングを入れた図を示している。また、図5は、半導体撮像素子202の平面構造を説明するための模式図であり、図6は、半導体撮像素子202の断面構造を模式的に示した図である。
先ず、図4に示すように、半導体撮像素子202の光電変換部2a及びアナログ回路部2bのMOSトランジスタを構成する領域にはアルミニウム層などからなる配線層20a、20bが配設されている。この配線層20a、20bは、当該MOSトランジスタに光が直接入射することを防止する遮光手段としても機能しているが、製造上の理由等により、光電変換部2a及びアナログ回路部2bの間には配設することができず、アナログ回路部2bに設けられた配線層20bと光電変換部2aに設けられた配線層20aとにより隙間20cが形成されている。このため、隙間20cに対して所定の角度で入射した光により、アナログ回路部2bのMOSトランジスタCS2にて電荷が発生してしまうといった問題がある。
そこで、本実施形態の半導体撮像素子202にあっては、図5に示すように、光電変換部2aを取り囲むように遮光層2dが配設されている。即ち、この遮光層2dにより、少なくとも光電変換部2aに設けられた配線層20aとアナログ回路部2bに設けられた配線層20bとの隙間が被覆されている。また、遮光層2dは、複数の画素21a、…の光源側に配設され、光学部材1により集光される光のうち、赤色光を透過させる赤色カラーフィルタ21r、緑色光を透過させる緑色カラーフィルタ21g及び青色光を透過させる青色カラーフィルタ21bのうちの少なくとも2つのフィルタが重ねられることにより構成されている。より具体的には、遮光層2dは、図6に示すように、赤色カラーフィルタ21r、緑色カラーフィルタ21g及び青色カラーフィルタ21bが積層されることにより形成されている。
これにより、遮光層2dに光が入射されることで、所定の色成分の光が赤色カラーフィルタ21r、緑色カラーフィルタ21g及び青色カラーフィルタ21bのそれぞれに透過されることとなって、外部に反射される光線の量を減少することができる。
そこで、本実施形態の半導体撮像素子202にあっては、図5に示すように、光電変換部2aを取り囲むように遮光層2dが配設されている。即ち、この遮光層2dにより、少なくとも光電変換部2aに設けられた配線層20aとアナログ回路部2bに設けられた配線層20bとの隙間が被覆されている。また、遮光層2dは、複数の画素21a、…の光源側に配設され、光学部材1により集光される光のうち、赤色光を透過させる赤色カラーフィルタ21r、緑色光を透過させる緑色カラーフィルタ21g及び青色光を透過させる青色カラーフィルタ21bのうちの少なくとも2つのフィルタが重ねられることにより構成されている。より具体的には、遮光層2dは、図6に示すように、赤色カラーフィルタ21r、緑色カラーフィルタ21g及び青色カラーフィルタ21bが積層されることにより形成されている。
これにより、遮光層2dに光が入射されることで、所定の色成分の光が赤色カラーフィルタ21r、緑色カラーフィルタ21g及び青色カラーフィルタ21bのそれぞれに透過されることとなって、外部に反射される光線の量を減少することができる。
ここで、遮光層2dの形成方法について説明する。
先ず、カラー画像を撮像する半導体撮像素子202を構成する光電変換部2aにあっては、複数の画素21a、…の所定の画素21aの光源側には、赤色カラーフィルタ21r、緑色カラーフィルタ21g及び青色カラーフィルタ21bの何れかが所定の配置で設けられるようになっている(図5参照)。そこで、当該半導体撮像素子202の作製に際して、それぞれ対応する画素の光源側に配設される赤色カラーフィルタ21r、緑色カラーフィルタ21g及び青色カラーフィルタ21bを、所定の画素21aの光源側だけでなく光電変換部2aの周囲の光源側にも配設するようになっている。これにより、所定の色を透過する画素21aの形成とともに、遮光層2dの形成を簡便に行うことができる。
先ず、カラー画像を撮像する半導体撮像素子202を構成する光電変換部2aにあっては、複数の画素21a、…の所定の画素21aの光源側には、赤色カラーフィルタ21r、緑色カラーフィルタ21g及び青色カラーフィルタ21bの何れかが所定の配置で設けられるようになっている(図5参照)。そこで、当該半導体撮像素子202の作製に際して、それぞれ対応する画素の光源側に配設される赤色カラーフィルタ21r、緑色カラーフィルタ21g及び青色カラーフィルタ21bを、所定の画素21aの光源側だけでなく光電変換部2aの周囲の光源側にも配設するようになっている。これにより、所定の色を透過する画素21aの形成とともに、遮光層2dの形成を簡便に行うことができる。
光学部材1は、透明なプラスチック材料を素材とし、図2に示すように、管状の脚部1cと、この脚部1cに支持される凸レンズ形状のレンズ部1aとが一体的に形成されている。脚部1cは、下端に形成された4つの当接部(なお、図2にあっては、2つのみを図示している)1dと、上端周囲に形成された上脚部1eと、当接部1dと上脚部1eとの間に形成された下脚部1fとを備えている。また、脚部1cの上端を塞ぐ板状の上面部1bの中央にレンズ部1aが形成されている。そして、当接部1dは、半導体撮像素子202の上面の所定位置に当接する。
下脚部1fは、例えば図示は省略するが、水平断面視において円の外周の2点を結ぶ線(弦)によって切り欠かれた略D字形状となっており、被嵌合部を形成している。
下脚部1fは、例えば図示は省略するが、水平断面視において円の外周の2点を結ぶ線(弦)によって切り欠かれた略D字形状となっており、被嵌合部を形成している。
また、上面部1bの上面であって、レンズ部1aの周囲には、遮光性のある素材からなり、凸レンズ部1aのFナンバーを規定する第1の絞りとしての開口3aを有する絞り板3が接着剤により固定されている。
光学部材1の外側には、遮光性のある素材からなり外枠部材を構成する鏡枠4が配置されている。鏡枠4には、図1に示すように、角柱状の下部4aと、円筒状の上部4bとが設けられている。鏡枠4の上部4bの上端には、遮光板5が接着剤B2により取り付けられている。遮光板5は、その中央に第2の絞りとしての開口5aを有している。遮光板5の中央の開口5aの下方に、赤外線吸収特性を有する素材からなるフィルタ6が接着剤により接合されている。そして、この遮光板5とフィルタ6とでカバー部材11が構成されている。
また、下部4aの下端部4aaは、基板PC上に鏡枠4が取り付けられる際の接着部位となる箇所であって、鏡枠4の下部4aが基板PC上に当接され取り付けられる際には、下部4aの下端部4aaと、基板PCとの間に接着剤B3が充填されて固着される。
このように、基板PCと鏡枠4とカバー部材11とが密着して接合されているので、基板PCと鏡枠4とカバー部材11等に覆われる光学部材1や半導体撮像素子202の表面は、環境外乱である埃などのゴミや湿気等の付着や傷等の損傷から防がれて保護される。
つまり、鏡枠4とカバー部材11とで構成される外枠部材が、光学部材1や半導体撮像素子202の表面を覆うことにより、撮像装置100は、防塵、防湿の構造、光学部材1等の保護構造を有する。
このように、基板PCと鏡枠4とカバー部材11とが密着して接合されているので、基板PCと鏡枠4とカバー部材11等に覆われる光学部材1や半導体撮像素子202の表面は、環境外乱である埃などのゴミや湿気等の付着や傷等の損傷から防がれて保護される。
つまり、鏡枠4とカバー部材11とで構成される外枠部材が、光学部材1や半導体撮像素子202の表面を覆うことにより、撮像装置100は、防塵、防湿の構造、光学部材1等の保護構造を有する。
また、図示は省略するが、鏡枠4の下部4aと上部4bとの間の隔壁4cの内周面には、光学部材1の被嵌合部である下脚部1fに対応した嵌合部としてのD溝が形成されており、D溝に下脚部1fが密着的に嵌合している。このような下脚部1fとD溝との嵌合により、光学部材1は、例えば当該光学部材1のレンズ部1aの光軸を中心とした回転が防止されるように、鏡枠4に位置規制されている。
また、光学部材1は鏡枠4に位置規制されているので、基板PCの所定位置に、例えば、後述する位置決め電気部品8aに基づき、鏡枠4を位置決めして配置することにより、基板PCの所定位置に光学部材1を配置することができ、例えば、基板PCに備えられた半導体撮像素子202の光電変換部2aの中心と、鏡枠4に嵌合された光学部材1のレンズ部1aの光軸の中心を一致させるように備えることができる。
また、光学部材1は鏡枠4に位置規制されているため、基板PCの所定位置に鏡枠4が配置され、固定された状態においては、光学部材1は所定の位置からずれにくく、例えば、光学部材1のレンズ部1aの光軸の中心と、半導体撮像素子202の光電変換部2aの中心とが一致した状態を維持しやすい。
また、光学部材1は鏡枠4に位置規制されているため、基板PCの所定位置に鏡枠4が配置され、固定された状態においては、光学部材1は所定の位置からずれにくく、例えば、光学部材1のレンズ部1aの光軸の中心と、半導体撮像素子202の光電変換部2aの中心とが一致した状態を維持しやすい。
図2において、光学部材1と遮光板5との間には、例えば、コイルばねなどの弾性部材により構成された押圧部材7が配置されている。遮光板5が鏡枠4に取り付けられることで、遮光板5により押圧部材7が押圧されて、この押圧部材7が弾性変形する。この押圧部材7は、光学部材1を図2中において、下方に向かって所定の押圧力により押圧して、光学部材1を半導体撮像素子202に付勢する。ここで、遮光板5から下方に向かう力が加わった際に、押圧部材7が弾性変形することにより、その力を吸収する緩衝作用が働くので、その力は直接撮像素子2には伝達されず、撮像素子2が破損することを防ぐ効果がある。
位置決め電気部品8a、…は、例えば、コンデンサ、抵抗、ダイオード等であり、図2に示すように、基板PC上にて鏡枠4に近接してこの鏡枠4の4隅に対応して配置されている。この位置決め電気部品8a、…は、鏡枠4を基板PC上に固着する際の固定位置の近傍にあり、鏡枠4の位置決め指標となる。
なお、位置決め電気部品8aは、例えば、コンデンサ、抵抗、ダイオード等に限らず、撮像装置100に必要な電気部品であればよい。
また、基板PC上には、撮像装置100を動作させ、画像処理を行うために必要な電気部品(図示略)を設けても良く、これにより、撮像装置100を一つのユニットとして様々な電子機器に搭載しやすくなる。
なお、位置決め電気部品8aは、例えば、コンデンサ、抵抗、ダイオード等に限らず、撮像装置100に必要な電気部品であればよい。
また、基板PC上には、撮像装置100を動作させ、画像処理を行うために必要な電気部品(図示略)を設けても良く、これにより、撮像装置100を一つのユニットとして様々な電子機器に搭載しやすくなる。
次に、上記撮像装置100を一例として本発明の撮像装置を搭載した電子機器について説明する。
図7に示すように、電子機器は、例えば、折り畳み式携帯電話機T(以下、携帯電話機Tという)であり、表示画面Dを備えたケースとしての上筐体71と、操作ボタンPを備えた下筐体72とがヒンジ73を介して連結されている。撮像装置100は、上筐体71の内表面側(表示画面Dを有する側)の表示画面Dの下方に内蔵されており、撮像装置100が上筐体71の外表面から光を取り込めるものとされている。
このように、携帯電話機Tに薄型化された撮像装置100を内蔵することにより、携帯電話機Tをより薄型化することができ、撮像対象との距離や撮像環境に対応させて撮像装置100の機能を使い分けることにより、付加価値の高い携帯電話機Tとすることができる。
なお、携帯電話機Tのその他の構成要素は、公知であるため、説明を省略する。
図7に示すように、電子機器は、例えば、折り畳み式携帯電話機T(以下、携帯電話機Tという)であり、表示画面Dを備えたケースとしての上筐体71と、操作ボタンPを備えた下筐体72とがヒンジ73を介して連結されている。撮像装置100は、上筐体71の内表面側(表示画面Dを有する側)の表示画面Dの下方に内蔵されており、撮像装置100が上筐体71の外表面から光を取り込めるものとされている。
このように、携帯電話機Tに薄型化された撮像装置100を内蔵することにより、携帯電話機Tをより薄型化することができ、撮像対象との距離や撮像環境に対応させて撮像装置100の機能を使い分けることにより、付加価値の高い携帯電話機Tとすることができる。
なお、携帯電話機Tのその他の構成要素は、公知であるため、説明を省略する。
以上のように、本実施形態の撮像装置100によれば、半導体撮像素子202の光電変換部2aの画素21a、…に配設される赤色カラーフィルタ21r、緑色カラーフィルタ21g及び青色カラーフィルタ21bを重ねることにより遮光層2dを簡便に形成することができる。
また、遮光層2dは、光電変換部2aの周囲の少なくとも当該光電変換部2aに設けられた配線層20aとアナログ回路部2bに設けられた配線層20bとの隙間20cを被覆するように設けられているので、光学部材1を介して半導体撮像素子202側に入射される光をアナログ回路部2bの配線層20bと光電変換部2aの配線層20aの隙間20cからアナログ回路部2bに対して入射させ難くすることができる。これにより、隙間20cからの半導体基板2cのアナログ回路部2b側に対する光の入射に基づいて、当該アナログ回路部2bにて電荷が発生することを抑制することができる。即ち、光電変換部2aにより光電変換されたもの以上の信号電荷がアナログ回路部2bに蓄積されてしまうことを防止することができる。さらに、遮光層2dにより、光電変換部2aの周囲にて反射する光量を減少させることができることとなって、光電変換部2aに対して反射光の光電変換に基づく不要な信号電荷の蓄積を防止することができる。従って、撮像画像の画質低下を好適に防止することができる。
また、遮光層2dは、光電変換部2aの周囲の少なくとも当該光電変換部2aに設けられた配線層20aとアナログ回路部2bに設けられた配線層20bとの隙間20cを被覆するように設けられているので、光学部材1を介して半導体撮像素子202側に入射される光をアナログ回路部2bの配線層20bと光電変換部2aの配線層20aの隙間20cからアナログ回路部2bに対して入射させ難くすることができる。これにより、隙間20cからの半導体基板2cのアナログ回路部2b側に対する光の入射に基づいて、当該アナログ回路部2bにて電荷が発生することを抑制することができる。即ち、光電変換部2aにより光電変換されたもの以上の信号電荷がアナログ回路部2bに蓄積されてしまうことを防止することができる。さらに、遮光層2dにより、光電変換部2aの周囲にて反射する光量を減少させることができることとなって、光電変換部2aに対して反射光の光電変換に基づく不要な信号電荷の蓄積を防止することができる。従って、撮像画像の画質低下を好適に防止することができる。
なお、上記実施形態では、光電変換部2aの周囲の略全域に遮光層2dを配設するような構成としたが、これに限られるものではなく、少なくとも光電変換部2aに設けられた配線層20aとアナログ回路部2bに設けられた配線層20bとの隙間20cに遮光層2dが配設されていれば良い。
また、上記実施形態では、基板PCの光源側の面に当接された半導体撮像素子202を備える構成の撮像装置100を例示したが、これに限られるものではない。
即ち、図8に示すように、略矩形状の開口部10が形成された基板PCの裏面側から開口部10を塞ぐように半導体撮像素子2が備えられた撮像装置200であっても良い。
半導体撮像素子2は、基板PCの裏面側に、開口部10を介して基板PCの表面側から光電変換部2aが露出されるように取り付けられている。具体的には、基板PCの裏面側に、所定間隔を空けて複数設けられたバンプ20を介して半導体撮像素子2が取り付けられている。そして、バンプ20により、半導体撮像素子2と基板PCの裏面側の所定位置に形成された配線(図示略)とが電気的に接続されている。
なお、バンプ20は、例えば、銅、ニッケル、金、パラジウムやこれらの合金、或いはこれらの金属から構成されている。また、バンプ20としては、例えば、スタッドバンプ、メッキバンプ、蒸着バンプ等が挙げられる。
即ち、図8に示すように、略矩形状の開口部10が形成された基板PCの裏面側から開口部10を塞ぐように半導体撮像素子2が備えられた撮像装置200であっても良い。
半導体撮像素子2は、基板PCの裏面側に、開口部10を介して基板PCの表面側から光電変換部2aが露出されるように取り付けられている。具体的には、基板PCの裏面側に、所定間隔を空けて複数設けられたバンプ20を介して半導体撮像素子2が取り付けられている。そして、バンプ20により、半導体撮像素子2と基板PCの裏面側の所定位置に形成された配線(図示略)とが電気的に接続されている。
なお、バンプ20は、例えば、銅、ニッケル、金、パラジウムやこれらの合金、或いはこれらの金属から構成されている。また、バンプ20としては、例えば、スタッドバンプ、メッキバンプ、蒸着バンプ等が挙げられる。
また、半導体撮像素子2は、光電変換部2aのアナログ回路部2b側の端部と基板PCの開口部10の端部とが光学部材1に入射する光の光軸方向にほぼ重なるようにして基板PCの裏面側に取り付けられ、例えば遮光性を有する樹脂からなる接着剤B1を介して基板PCに接着されている。
なお、接着剤B1は、電極どうしの短絡を防止する上で非導電性を有するものを適用することができる。
なお、接着剤B1は、電極どうしの短絡を防止する上で非導電性を有するものを適用することができる。
以上のように、半導体撮像素子2は、光電変換部2aのアナログ回路部2b側の端部と基板PCの開口部10の端部とが光学部材1に入射する光の光軸方向にほぼ重なるように配置されているので、基板PCの開口部10を介して半導体撮像素子2側に入射される光をアナログ回路部2bの配線層20bと光電変換部2aの配線層20aの隙間20cからアナログ回路部20bに対してより入射させ難くすることができる。
また、上記実施形態では、遮光層2dとして、赤色カラーフィルタ21r、緑色カラーフィルタ21g及び青色カラーフィルタ21bの3つのフィルタが重ねられたものを例示したが、これに限られるものではなく、これらのフィルタのうち、少なくとも任意に選択される2つのフィルタが重ねられたものであれば良い。
さらに、上記実施形態では、遮光層2dを形成する上で、赤色カラーフィルタ21r、緑色カラーフィルタ21g及び青色カラーフィルタ21bを重ねるようにしたが、これに限られるものではない。例えば、半導体撮像素子202の光電変換部2aの画素21a、…に、光学部材1により集光される光のうち、イエロー色光、具体的には、赤色光及び緑色光を透過させるイエロー色カラーフィルタ、マゼンタ色光、具体的には、赤色光及び青色光を透過させるマゼンタ色カラーフィルタ及びシアン色光、具体的には、緑色光及び青色光を透過させるシアン色カラーフィルタの何れかを配設し(何れも図示省略)、これらイエロー色カラーフィルタ、マゼンタ色カラーフィルタ及びシアン色カラーフィルタを重ねることにより遮光層を形成するようにしてもよい。
このような構成としても、遮光層を簡便に形成することができるとともに、当該遮光層により光学部材1を介して半導体撮像素子202側に入射される光をアナログ回路部2bの配線層20bと光電変換部2aの配線層20aの隙間20cからアナログ回路部2bに対して入射させ難くすることができる。これにより、隙間20cからの半導体基板2cのアナログ回路部2b側に対する光の入射に基づいて、当該アナログ回路部2bにて電荷が発生することを抑制することができる。即ち、光電変換部2aにより光電変換されたもの以上の信号電荷がアナログ回路部2bに蓄積されてしまうことを防止することができる。さらに、遮光層により、光電変換部2aの周囲にて反射する光量を減少させることができることとなって、光電変換部2aに対して反射光の光電変換に基づく不要な信号電荷の蓄積を防止することができる。従って、撮像画像の画質低下を好適に防止することができる。
このような構成としても、遮光層を簡便に形成することができるとともに、当該遮光層により光学部材1を介して半導体撮像素子202側に入射される光をアナログ回路部2bの配線層20bと光電変換部2aの配線層20aの隙間20cからアナログ回路部2bに対して入射させ難くすることができる。これにより、隙間20cからの半導体基板2cのアナログ回路部2b側に対する光の入射に基づいて、当該アナログ回路部2bにて電荷が発生することを抑制することができる。即ち、光電変換部2aにより光電変換されたもの以上の信号電荷がアナログ回路部2bに蓄積されてしまうことを防止することができる。さらに、遮光層により、光電変換部2aの周囲にて反射する光量を減少させることができることとなって、光電変換部2aに対して反射光の光電変換に基づく不要な信号電荷の蓄積を防止することができる。従って、撮像画像の画質低下を好適に防止することができる。
なお、上記のイエロー色カラーフィルタ、マゼンタ色カラーフィルタ及びシアン色カラーフィルタに加えて、緑色光を透過させる緑色カラーフィルタを用いても良い。これにより、撮像画像の画質低下の防止をより適正に図ることができる。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。
例えば、遮光層2dとしては、上記実施形態で例示したようなフィルタを積層して構成されるものの代わりに、例えば、黒色の樹脂から成形されたものを適用しても良い。
ここで、黒色の樹脂は、具体的には、例えば、フィルタ形成材料であるゼラチン等を黒色に染色することにより形成することができる。
例えば、遮光層2dとしては、上記実施形態で例示したようなフィルタを積層して構成されるものの代わりに、例えば、黒色の樹脂から成形されたものを適用しても良い。
ここで、黒色の樹脂は、具体的には、例えば、フィルタ形成材料であるゼラチン等を黒色に染色することにより形成することができる。
また、上記実施形態では、アナログ回路部2bとしてCDS回路を例示したが、これに限られるものではなく、光電変換部2aに蓄積された電気信号を出力するためのアナログ回路であれば如何なるものであっても良い。また、アナログ回路部2bや光電変換部2aの回路構成も上述したものに限られるものではない。
さらに、上記実施の形態では、電子機器として携帯電話機Tを例示したが、これに限られるものではなく、撮像装置100、200を内蔵可能な電子機器であれば如何なるものであっても良いのは、勿論である。
100、200 撮像装置
2、202 半導体撮像素子
2a 光電変換部
21a 画素
2b アナログ回路部
20c 隙間
2d 遮光層
21r 赤色カラーフィルタ
21g 緑色カラーフィルタ
21b 青色カラーフィルタ
PC 基板
T 携帯電話機(電子機器)
2、202 半導体撮像素子
2a 光電変換部
21a 画素
2b アナログ回路部
20c 隙間
2d 遮光層
21r 赤色カラーフィルタ
21g 緑色カラーフィルタ
21b 青色カラーフィルタ
PC 基板
T 携帯電話機(電子機器)
Claims (6)
- 光学部材と、
前記光学部材により集光される光を光電変換して電気信号として蓄積する光電変換部と、当該光電変換部に隣接させて配置され、前記光電変換部に蓄積された前記電気信号を出力するためのアナログ回路部とが設けられた半導体撮像素子と、を備え、
前記光電変換部は、複数の画素を有し、前記複数の画素のうちの少なくとも一部の画素には、前記光学部材により集光される光のうち、赤色光を透過させる赤色カラーフィルタ、緑色光を透過させる緑色カラーフィルタ及び青色光を透過させる青色カラーフィルタの何れかが配設され、
前記光電変換部の周囲には、少なくとも当該光電変換部に設けられた配線層と前記アナログ回路部に設けられた配線層との隙間を被覆するように遮光層が設けられていることを特徴とする撮像装置。 - 前記遮光層は、前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ及び前記青色カラーフィルタのうちの少なくとも2つのフィルタが重ねられてなることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 光学部材と、
前記光学部材により集光される光を光電変換して電気信号として蓄積する光電変換部と、当該光電変換部に隣接させて配置され、前記光電変換部に蓄積された前記電気信号を出力するためのアナログ回路部とが設けられた半導体撮像素子と、を備え、
前記光電変換部は、複数の画素を有し、前記複数の画素のうちの少なくとも一部の画素には、前記光学部材により集光される光のうち、イエロー色光を透過させるイエロー色カラーフィルタ、マゼンタ色光を透過させるマゼンタ色カラーフィルタ及びシアン色光を透過させるシアン色カラーフィルタの何れかが配設され、
前記光電変換部の周囲には、少なくとも当該光電変換部に設けられた配線層と前記アナログ回路部に設けられた配線層との隙間を被覆するように遮光層が設けられていることを特徴とする撮像装置。 - 前記遮光層は、前記イエロー色カラーフィルタ、前記マゼンタ色カラーフィルタ及び前記シアン色カラーフィルタが重ねられてなることを特徴とする請求項3に記載の撮像装置。
- 前記遮光層は、黒色の樹脂から成形されてなることを特徴とする請求項1又は3に記載の撮像装置。
- 請求項1〜5の何れか一項に記載の撮像装置を、機器本体内に備えることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004361563A JP2006173896A (ja) | 2004-12-14 | 2004-12-14 | 撮像装置及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004361563A JP2006173896A (ja) | 2004-12-14 | 2004-12-14 | 撮像装置及び電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006173896A true JP2006173896A (ja) | 2006-06-29 |
Family
ID=36674190
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004361563A Pending JP2006173896A (ja) | 2004-12-14 | 2004-12-14 | 撮像装置及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006173896A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7786426B2 (en) | 2007-06-06 | 2010-08-31 | Sony Corporation | Imaging device with a color filter that contains a layer only covering the surrounding areas |
US9634046B2 (en) | 2014-05-12 | 2017-04-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor packages including electrical insulation features |
-
2004
- 2004-12-14 JP JP2004361563A patent/JP2006173896A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7786426B2 (en) | 2007-06-06 | 2010-08-31 | Sony Corporation | Imaging device with a color filter that contains a layer only covering the surrounding areas |
US9634046B2 (en) | 2014-05-12 | 2017-04-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor packages including electrical insulation features |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPWO2006098164A1 (ja) | 撮像装置及び電子機器 | |
JP6198366B2 (ja) | 積層型イメージセンサー | |
KR101939413B1 (ko) | 광학 센서, 렌즈 모듈, 및 카메라 모듈 | |
KR100712449B1 (ko) | 촬상 소자 및 카메라 모듈 | |
CN107086225B (zh) | 固态图像传感装置和电子设备 | |
US7397023B2 (en) | Image sensor module with optical path delimiter and accurate alignment | |
JP4673721B2 (ja) | 撮像装置及びその製造方法 | |
JP4324623B2 (ja) | 固体撮像装置およびそれを備えた電子機器 | |
JP5464596B2 (ja) | カメラモジュール | |
KR100596104B1 (ko) | Cmos형 이미지 센서 | |
JP2004254259A (ja) | 撮像装置及び小型電子機器 | |
US9111826B2 (en) | Image pickup device, image pickup module, and camera | |
KR101050851B1 (ko) | 이미지 센서 모듈 및 이를 구비한 카메라 모듈 | |
JP2008277512A (ja) | 撮像素子及び光電変換素子アレイ | |
JP2006173896A (ja) | 撮像装置及び電子機器 | |
KR20080081726A (ko) | 이미지 센서 모듈 및 이를 구비한 카메라 모듈 | |
CN101536489B (zh) | 固体摄像装置及电子设备 | |
CN110166593B (zh) | 摄像头模组及电子设备 | |
KR101038492B1 (ko) | 카메라 모듈 및 그 제조 방법 | |
JPWO2011058737A1 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP5152695B2 (ja) | 撮像装置の製造方法 | |
JP4344759B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、固体撮像装置、電子情報機器 | |
JP2014120610A (ja) | 固体撮像素子 | |
KR100791461B1 (ko) | 디지털 카메라 모듈 | |
KR20130038630A (ko) | 카메라모듈 |