KR101939413B1 - 광학 센서, 렌즈 모듈, 및 카메라 모듈 - Google Patents

광학 센서, 렌즈 모듈, 및 카메라 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR101939413B1
KR101939413B1 KR1020137002761A KR20137002761A KR101939413B1 KR 101939413 B1 KR101939413 B1 KR 101939413B1 KR 1020137002761 A KR1020137002761 A KR 1020137002761A KR 20137002761 A KR20137002761 A KR 20137002761A KR 101939413 B1 KR101939413 B1 KR 101939413B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical
optical filter
receiving surface
light receiving
image sensor
Prior art date
Application number
KR1020137002761A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130108246A (ko
Inventor
요시히토 히가시츠츠미
사토시 시미즈
이사야 키타무라
마사미 스즈키
Original Assignee
소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 filed Critical 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤
Publication of KR20130108246A publication Critical patent/KR20130108246A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101939413B1 publication Critical patent/KR101939413B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/201—Filters in the form of arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/00127—Connection or combination of a still picture apparatus with another apparatus, e.g. for storage, processing or transmission of still picture signals or of information associated with a still picture
    • H04N1/00281—Connection or combination of a still picture apparatus with another apparatus, e.g. for storage, processing or transmission of still picture signals or of information associated with a still picture with a telecommunication apparatus, e.g. a switched network of teleprinters for the distribution of text-based information, a selective call terminal
    • H04N1/00307—Connection or combination of a still picture apparatus with another apparatus, e.g. for storage, processing or transmission of still picture signals or of information associated with a still picture with a telecommunication apparatus, e.g. a switched network of teleprinters for the distribution of text-based information, a selective call terminal with a mobile telephone apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/10—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/10—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths
    • H04N23/12—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths with one sensor only
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/57—Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

본 발명의 광학 센서는, 이미지 센서의 제1의 수광면상에 있는 제1의 광학 필터와, 상기 이미지 센서의 제2의 수광면상에 있는 제2의 광학 필터를 포함하고, 상기 제2의 수광면은 상기 제1의 수광면으로부터 상기 이미지 센서의 반대측상에 있고, 상기 제1의 광학 필터의 특성은 상기 제2의 광학 필터의 특성과 다른 것을 특징으로 한다.

Description

광학 센서, 렌즈 모듈, 및 카메라 모듈{OPTICAL SENSOR, LENS MODULE, AND CAMERA MODULE}
본 발명은, CMOS 이미지 센서(CIS) 등의 광학 센서, 렌즈 모듈, 및 카메라 모듈에 관한 것이다.
일반적인 CMOS 이미지 센서 등을 포함하는 촬상 장치에서는, 촬상 렌즈를 이용하여, 이 촬상 렌즈의 초점 위치에 고체 촬상 소자를 배치한다.
그리고, 촬상 렌즈로 받아들인 피사체로부터의 광을, 고체 촬상 소자에서 전기 신호로 변환하기 쉽도록 광학계에서 광학적인 처리를 시행한다. 그 후, 고체 촬상 소자의 광전 변환측에 유도하고, 촬상 디바이스에 의해 광전 변환하여 얻어지는 전기 신호에 대해, 후단의 신호 처리 회로에서 소정의 신호 처리를 시행한다(예를 들면, 다께무라야스오 저, 「CCD 카메라 기술 입문」, 초판, 코로나사, 1998년 8월, p. 2-4를 참조).
이런 종류의 촬상 장치는 디지털 카메라 등의 카메라 시스템으로서 단체(single unit)로서 이용되는 외에, 근래, 휴대 전화 등의 소형 휴대 기기에 편입되어 이용되도록 되어 있다.
그 때문에, 휴대 전화 등에 편입하는데 즈음하여, 촬상 장치의 소형화, 경량화, 저비용화가 강하게 요구되어 있는 것이 현재의 상태이다.
즉, 소형, 경량, 저비용의 촬상 장치를 편입함으로써, 휴대 전화 등의 소형 휴대 기기의 소형화, 경량화, 저비용화에 크게 기여할 수 있게 된다.
그런데, 일반적인 이미지 센서는, 하나의 센서로 양쪽 면을 촬영할 수가 없지만, 근래, 소자 등이 형성되지 않은 이면측부터 광을 입사시키는 이면 조사형 이미지 센서의 등장으로 양쪽 면에 감도를 갖는 센서로 되어 있다.
그러나, 이 센서는, 그 얇기 때문에 서포트 실리콘(Si)이라는 불투명한 서포트 기판을 갖을 필요가 있어서, 양쪽 면을 센서로서 사용하는 것이 곤란하였다.
또한, 인 카메라, 아웃 카메라라고 칭하는 이들 개체는, ISP나 어플리케이션 프로세서, 베이스밴드 칩과의 개별의 인터페이스를 필요로 하여, 접속부품, 개개의 조정, 검사 등 2중으로 비용이 필요해지는 요인으로 되어 있다.
또한, 최근 저비용화를 위한 카메라 모듈의 새로운 공법으로서 웨이퍼 레벨 카메라 모듈이 있다. 이것은, 웨이퍼형상의 렌즈 어레이를 센서 웨이퍼에 웨이퍼 마다 팽팽하게 붙이고, 최후에 렌즈도 포함하여 각각의 조각으로 절출함으로써, 극적인 비용 삭감을 실현하고 있다.
그러나, 이 구조에서 양쪽 면 센서로 양쪽 면에 웨이퍼 렌즈를 맞붙인 경우, 취출 전극을 형성할 수가 없다.
본 발명의 광학 센서가 이하 개시된다. 실시예로서, 광학 센서는 이미지 센서의 제1의 수광면상에 제1의 광학 필터를 포함하고, 이미지 센서의 제2의 수광면상에 제2의 광학 필터를 포함한다. 제2의 수광면은 제1의 수광면으로부터 이미지 센서의 반대측상에 위치한다. 제1의 광학 필터의 특성은 제2의 광학 필터의 특성과 다르다.
본 발명에 의하면, 양쪽 면 센서로서 사용할 수 있고, 비용 증가를 억제하면서, 양쪽 면에 웨이퍼 렌즈를 맞붙인 경우라도 취출 전극을 형성할 수 있는 광학 센서, 렌즈 모듈, 및 카메라 모듈을 제공한다.
도 1은 본 발명의 제1의 실시 형태에 따른 광학 센서(고체 촬상 소자)의 제1의 구성례를 도시하는 도면.
도 2는 본 실시 형태에 따른 제1의 컬러 필터 및 제2의 컬러 필터의 제1의 구성례를 도시하는 도면.
도 3은 본 실시 형태에 따른 제1의 컬러 필터 및 제2의 컬러 필터의 제2의 구성례를 도시하는 도면.
도 4는 본 제1의 실시 형태에 따른 광학 센서의 기본적인 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 5는 본 발명의 제2의 실시 형태에 따른 광학 센서(고체 촬상 소자)의 제2의 구성례를 도시하는 도면.
도 6은 접착제, 투명 지지판(유리 기판), 및 공기층의 입사각 및 굴절률의 관계를 설명하기 위한 도면.
도 7은 본 발명의 제2의 실시 형태에 따른 광학 센서(고체 촬상 소자)의 제1의 구성례를 도시하는 도면.
도 8은 제3의 실시 형태에 따른 광학 센서의 웨이퍼 레벨에서의 절출 구조를 설명하기 위한 도면.
도 9는 본 발명의 제4의 실시 형태에 따른 렌즈 모듈의 제1의 구성례를 도시하는 도면.
도 10은 본 발명의 제5의 실시 형태에 따른 렌즈 모듈의 제2의 구성례를 도시하는 도면.
도 11은 도 10의 렌즈 모듈이 웨이퍼 레벨의 상태를 도시하는 도면.
도 12는 본 발명의 제6의 실시 형태에 따른 렌즈 모듈의 제3의 구성례를 도시하는 도면.
도 13은 도 12의 렌즈 모듈이 웨이퍼 레벨의 상태를 도시하는 도면.
도 14는 본 발명의 제7의 실시 형태에 따른 렌즈 모듈의 제4의 구성례를 도시하는 도면.
도 15는 도 14의 렌즈 모듈이 웨이퍼 레벨의 상태를 도시하는 도면.
도 16은 본 발명의 제8의 실시 형태에 따른 카메라 모듈의 구성례를 도시하는 도면.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은, 본 발명의 제1의 실시 형태에 따른 광학 센서(고체 촬상 소자)의 제1의 구성례를 도시하는 도면이다.
본 실시 형태에서는, 광학 센서로서는 한 예로서 CMOS 이미지 센서(CIS)가 적용된다.
제1의 실시 형태에 따른 광학 센서(10)는, 센서 기판(11), 제1의 컬러 필터(12), 제2의 컬러 필터(13), 및 투명 지지판(14)을 갖는다.
센서 기판(11)은, 표면측에 제1의 수광면(111)이 형성되고, 이면측에 제2의 수광면(112)이 형성되고, 제1의 수광면(111) 및 제2의 수광면(112)에 피사체상을 결상 가능한 양쪽 면 센서 기판으로서 형성되어 있다.
제1의 컬러 필터(12)는, 제1의 수광면(111)측에 배치되어 있다(형성되어 있다).
제2의 컬러 필터(13)는, 제2의 수광면(112)측에 배치되어 있다(형성되어 있다).
그리고, 투명 지지판(14)은, 광학적으로 투명한 유리 기판에 의해 형성되고, 제1의 컬러 필터(12)를 통하여 센서 기판(11)의 제1의 수광면(111) 측을 지지하도록 광학적인 투명한 접착제에 의해 제1의 컬러 필터(12)와 접착되어 있다.
또한, 센서 기판(11)에서, 제2의 수광면(112)측에, 비어를 통하여 배선(113)에 접속된 접속용 패드 전극(15)이 형성되어 있다.
제1의 컬러 필터(12)는, 색의 3원색인 R(적), G(녹), B(청)의 컬러 필터가 예를 들면 베이어(Bayer) 배열로써 온 칩 컬러 필터(OCCF)로서 어레이 형상으로 형성되어 있다.
제2의 컬러 필터(13)도, 색의 3원색인 R(적), G(녹), B(청)의 컬러 필터가 베이어(Bayer) 배열로써 OCCF로서 어레이 형상으로 형성되어 있다.
그러나, 본 제1의 실시 형태에서는, 제1의 컬러 필터(12)와 제2의 컬러 필터(13)의 레이아웃 및 사이즈가 다르다.
구체적으로는, 도 2(A), (B)에 도시하는 바와 같이, 제1의 수광면(111)측의 제1의 컬러 필터(12)는 고감도 센서로서 기능하고, 제2의 수광면(112)측의 제2의 컬러 필터(13)가 고해상도 센서로서 기능하도록, 레이아웃 및 사이즈가 설정되어 있다.
이와 같이, 제1의 수광면(111) 및 제2의 수광면(112)에 탑재하는 OCCF(온 칩 컬러 필터)는 화소 단위가 같으면, 동일한 패턴이 아니라도 좋다.
도 2의 예에서는, 제1의 컬러 필터(12)는, 하나의 컬러 필터(R, G, G, B)가 화소 2×2분에 상당하는 사이즈로 형성되어 있고, 화소 혼합 기능을 구비한 고감도 센서로서 기능하도록 형성되어 있다.
한편, 제2의 컬러 필터는, 하나의 컬러 필터(R, G, G, B)가 화소마다 1대1로 대응하는 사이즈로 형성되어 있고, 고해상도 센서로서 기능하도록 형성되어 있다.
또한, 도 2의 예에서는, 제1의 컬러 필터(12) 및 제2의 컬러 필터(13)에 겹쳐지도록, 적외 컷트 필터(IRCF)(16)가 각각 형성되어 있다.
또한, 컬러 필터를 베이어(Bayer) 패턴으로 한정할 필요도 없고, 제1의 수광면(111) 및 제2의 수광면(112)은 완전히 독립한 IR 컷트 필터, 컬러 필터를 구성한 것도 가능하다.
예를 들면, 도 3(A), (B)에 도시하는 바와 같이, 암시(night vision) 카메라와의 조합에 사용된 필터 구성을 채용하는 경우, 제2의 수광면(112)의 제2의 컬러 필터(13)는 도 2와 마찬가지로, 고해상도 베이어(Bayer) 타입으로 통상의 IRCF와의 조합으로 형성된다.
제1의 수광면(111)측의 제1의 컬러 필터(12)는, IR 필터(17)를 포함하는 화소가 있고, IRCF를 장착하지 않은 타입의 OCCF로서 형성된다. 이 경우도 화소 혼합 고감도 타입의 센서가 실현된다.
도 2 및 도 3은, 예를 들면, 센서의 화소수가 800만 화소로 이면측에 RGB베이어 패턴의 OCCF를 형성, 표면측에는, 각 색 4화소 공유를 행한 베이어 패턴의 OCCF를 형성한 케이스를 나타내고 있다.
이러한 구성에 의해, 표면은 해상도는 떨어지지만, 화소 공유에 의해 감도가 향상되고, 소형의 마이크로 렌즈 어레이를 채용함에 의해, 보다 저배(lower height)의 카메라를 실현하고, 다른 용도의 카메라를 제공할 수 있다. 또한, 양쪽 면이 같은 OCCF인 경우는, 후단(latter stage)의 신호 처리를 변경하지 않아도 좋다는 이점이 있다.
도 4(A) 내지 (F)는, 본 제1의 실시 형태에 따른 광학 센서의 기본적인 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
센서 기판(11A)에서, 통상의 표면형 센서 형성 공정 처리 후, 도 4(A)에 도시하는 바와 같이, 표면측 센서가 형성된 제1의 수광면(111)에 OCCF인 제1의 컬러 필터(12)를 형성한다.
그 후, 도 4(B)에 도시하는 바와 같이, 투명 지지판(14)이 되는 투명 재료, 예를 들면 유리 웨이퍼(141)를 공극(void) 없이 충전된 접착제로 맞붙인다.
이 유리 웨이퍼(141)는 일반적인 이면 센서의 서포트 실리콘과 마찬가지로 센서 웨이퍼의 강도적 보호의 역할을 다한다.
다음에, 도 4(C)에 도시하는 바와 같이, 센서 기판(11A)의 제2의 수광면측을 박막화한다.
그리고, 도 4(D)에 도시하는 바와 같이, 제2의 수광면(112)측(이면측)의 OCCF인 제2의 컬러 필터(13)를 형성한다.
그 후, 도 4(E) 및 (F)에 도시하는 바와 같이, 이면측 패드로부터로부터 와이어 본드(WB)를 시행하는 경우는, 이면용 관통 비어(114)를 형성하고 패드 전극을 이면에 형성한다.
본 제1의 실시 형태에 의하면, 휴대 전화 등에서 사용되고 있는 카메라의 쌍방향 촬영 기능이 있는 것은 하나의 센서 디바이스로 공급할 수 있고, 카메라 모듈의 극적인 비용 저감을 실현할 수 있다.
또한, 전방, 후방을 거의 동시에 촬영할 수 있기 때문에 염가의 감시 카메라나 세카이 카메라(Sekai camera)에 적용할 수 있다.
도 5는, 본 발명의 제2의 실시 형태에 따른 광학 센서(고체 촬상 소자)의 제2의 구성례를 도시하는 도면이다.
본 제2의 실시 형태에 따른 광학 센서(10A)가 제1의 실시 형태에 따른 광학 센서(10)와 다른 점은, 제1의 컬러 필터(12)의 투명 지지판(14)과의 접합면측에 마이크로 렌즈(어레이)(18)가 형성되어 있는 것에 있다.
그리고, 본 실시 형태에서는, 마이크로 렌즈(18)가 고굴절률의 고굴절 재료에 의해 형성되고, 투명 지지판(14)과 센서 기판(11)측의 상기 마이크로 렌즈(18)를 접착하는 접착제(19)가, 마이크로 렌즈(18)보다 저굴절률의 저굴절 재질에 의해 형성되어 있다.
이처럼, 마이크로 렌즈(18)와 접착제(19)의 굴절률에 차를 갖게 하고 있는 이유는 다음과 같다.
종래 타입의 캐비티레스 구조는, 마이크로 렌즈, 유리, 접착제 모두 굴절률 1.5 부근으로 마이크로 렌즈의 효과를 얻을 수가 없고, 감도를 떨어뜨리고 있다.
이에 대해, 본 제2의 실시 형태와 같이, 마이크로 렌즈(18)의 재료를 고굴절률, 접착제(19)를 저굴절률의 부재로 함으로써 마이크로 렌즈(18)의 집광 효과를 얻을 수 있다.
또한, 공기층보다도 높은 굴절률을 갖는 저굴절재의 접착제(19)는, 마이크로 렌즈에의 입사각이 내려가, 마이크로 렌즈의 동공(pupil) 보정량이 내려간다. 이에 의해, 센서 전체의 감도가 오르는 효과도 나온다.
이에 의해, 보다 큰 CRA를 갖는 렌즈의 채용이 가능하여 카메라의 저배화에 유효하다. 또한, 고굴절제의 마이크로 렌즈(18)에 의해 혼색의 방지도 된다.
도 6은, 접착제, 투명 지지판(유리 기판), 및 공기층의 입사각 및 굴절률의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 6에서, 소재(a)가 공기층을 나타내고, 소재(b)가 유리 기판을 나타내고, 소재(c)가 접착제를 나타낸다.
공기층(a)으로부터 유리 기판 사이의 입사각을 θA, 공기층의 굴절률을 nA로 나타내고 있다.
유리 기판(b)으로부터 접착제(c) 사이의 입사각을 θb, 유리 기판(b)의 굴절률을 nB로 나타내고 있다.
접착제(c)와 마이크로 렌즈(18) 사이의 입사각을 θc, 접착제(19)의 굴절률을 nC로 나타내고 있다.
여기서, 다음 관계를 만족한다.
[수식 1]
nAsinθA=nBsinθB=nCsinθC=… = 일정
여기서, nA<nC<nB의 관계를 유지하면
θA>θC>θB가 성립된다.
즉, 투명 지지판(14)(b)의 굴절률(nB), 접착제(19)(c)의 굴절률 nC, 및 투명 지지판(14)에의 광 입사측(공기층(a))의 굴절률(nA)이, 표기한 순서로 높은 경우에는,
θA>θC>θB가 성립된다.
상술한 바와 같이
θX(x=A, B, C)는 입사각이고,
이 각도가 작을 때, 마이크로 렌즈의 동(瞳) 보정이 작아지고 주변 광량 감광의 저감, 화소 사이의 혼색의 저감이 가능해진다.
또한, 보다 큰 CRA를 갖는 렌즈를 이용 가능하여, 저배 렌즈를 사용할 수 있다.
도 7은, 본 발명의 제3의 실시 형태에 따른 광학 센서(고체 촬상 소자)의 제2의 구성례를 도시하는 도면이다.
본 제3의 실시 형태에 따른 광학 센서(10B)가 제1의 실시 형태에 따른 광학 센서(10)와 다른 점은 다음과 같다.
광학 센서(10B)에서는, 전극이 제2의 수광면(112)측에 형성하는 것이 아니라, 제1의 수광면(111)측부터 투명 지지판(14)의 측부(14a, 14b)에 이르는 관통 전극(20)이 형성되어 있다.
본 제3의 실시 형태에서는, 이른바 사이드 웰형의 유리 비어(Via) 패드로 관통 전극(20)이 형성되어 있다.
도 7에서는, 측부(14a)에는 투명 지지판(14)의 광입사면까지 관통하는 타입의 것을 나타내고, 측부(14b)에는 투명 지지판(14)의 도중까지 관통하는 반관통 타입의 것을 나타내고 있다.
또한, 광학 센서(10B)에서는, 제1의 컬러 필터(12A)와 제2의 컬러 필터(13)가 양자 함께 고해상도 센서가 되도록 형성되어 있다.
이와 같이, 양쪽 면 같은 OCCF인 경우는, 후단의 신호 처리를 변경하지 않아도 좋다는 이점이 있다.
또한, 도 7에서는, 마이크로 렌즈는 없지만 접착제(19)가 나타나 있다.
도 8은, 제3의 실시 형태에 따른 광학 센서의 웨이퍼 레벨에서의 절출(cutout) 구조를 설명하기 위한 도면이다.
이 예에서는, 관통 전극(20)이 개변화될 때에 절단되는 스크라이브 라인(SL)상에 있으며, 스크라이브함으로써 관통 전극(20)이 투명 지지판(14)의 측벽에 노출한다.
또한, 도 8에서는, 관통 전극(20)의 제작 공정에서 관통구멍을 만들기 쉽게 하는 노치(21)가 들어간 구조가 나타나 있다.
이 관통 전극(20)을 채용하는 경우에는, 신호 취출 기판의 전극과, 예를 들면 솔더 리플로에 의해 접속된다.
도 9는, 본 발명의 제4의 실시 형태에 따른 렌즈 모듈의 제1의 구성례를 도시하는 도면이다.
본 제4의 실시 형태에 따른 렌즈 모듈(30)은, 광학 센서(31), 신호 취출 기판으로서의 프린트 회로 기판(PCB)(32), 제1의 렌즈(33), 제2의 렌즈(34), 및 렌즈 경통(35)을 갖는다.
광학 센서(31)는, 기본적으로 제1의 실시 형태에 따른 광학 센서(10)가 적용되어 있다. 따라서 그 자세한 내용한 설명은 생략한다. 또한, 이해를 용이하게 하기 위해 도 1과 동일 구성 부분은 동일 부호로써 나타낸다.
단, 투명 지지판으로서 실 글라스 캐비티레스(36)가 적용되어 있다.
PCB(32)는, 광학 센서(31)를, 광학 센서(31)의 양쪽 면(111, 112)에 광 입사하도록 수용 가능한 수용용 개구부(321)가 형성되어 있다.
광학 센서(31)는, 제2의 수광면(112)과 제1면(322)이 개략 평탄하게 되도록 배치되고, 패드 전극(15)이 PCB(32)의 전극과 와이어 본딩(WB)에 의해 접속되어 있다.
그리고, 광학 센서(31)의 제1의 수광면(111)부터 PCB(32)의 제2면(323)에 이르는 개구부(321)의 공간을 메우도록, 투명 지지판으로서의 실 글라스 캐비티레스(36)가 매입되어 있다.
실 글라스 캐비티레스(36)의 광입사면(361)과 PCB(32)의 제2면(323)이 개략 평탄하게 되어 있다.
제1의 렌즈(33)는, 실 글라스 캐비티레스(36)의 광입사면(361)측에 배치되어 있다.
제1의 렌즈(33)는, 멀티 렌즈 어레이(MLA)(331)에 의해 형성되어 있다.
전술한 바와 같이, 광학 센서(31)는, 센서의 화소수가 800만 화소로 이면측에 RGB베이어 패턴의 OCCF를 형성, 표면측에는, 각 색 4화소 공유를 행한 베이어 패턴의 OCCF를 형성한 케이스를 나타내고 있다.
이에 의해, 표면은 해상도는 떨어지지만, 화소 공유에 의한 감도가 업하고, 소형의 멀티 렌즈 어레이(331)를 채용함에 의해, 보다 저배의 카메라를 실현하고, 다른 용도의 카메라를 제공할 수 있다.
제2의 렌즈(34)는, 렌즈 경통(35)의 개구(351)를 통하여 입사하는 피사체의 광학상을 광학 센서(31)의 제2의 수광면(112)에 집광하고 결상시키는 집광 렌즈(341) 등에 의해 형성되어 있다.
본 제4의 실시 형태의 렌즈 모듈에 의하면, 휴대 전화 등에서 사용되고 있는 카메라의 쌍방향 촬영 기능이 있는 것은 하나의 센서 디바이스로 공급할 수 있고, 카메라 모듈의 극적인 비용 저감을 실현할 수 있다.
또한, 전방, 후방을 거의 동시에 촬영할 수 있기 때문에 염가의 감시 카메라나 세카이 카메라에의 전용도 가능하다.
도 10은, 본 발명의 제5의 실시 형태에 따른 렌즈 모듈의 제2의 구성례를 도시하는 도면이다.
본 제5의 실시 형태에 따른 렌즈 모듈(30A)이 제4의 실시 형태에 따른 렌즈 모듈(30)과 다른 점은, 제2의 렌즈(34)가 웨이퍼 상태에서 가공 가능한 웨이퍼 레벨 렌즈(342)에 의해 형성되어 있는 것에 있다.
제2의 렌즈(34A)를 형성하는 웨이퍼 레벨 렌즈(342)는, 광학 센서(31)의 센서 기판(11)의 제2의 수광면(112)측에 지지되는 지지다리(3421)가 형성되어 있다. 지지다리(3421)는, 패드 전극(15)을 피하도록 노치부(3421A)가 형성되어 있다.
그리고, 접속용 패드 전극(15)과 신호 취출 기판인 PCB(32)의 전극이 와이어 본드(WB)에 의해 접속되어 있다.
도 11은, 도 10의 렌즈 모듈이 웨이퍼 레벨인 상태를 도시하는 도면이다.
웨이퍼 레벨 렌즈(342)는, 웨이퍼 레벨로 복수의 렌즈가 일체적으로 형성되어 있는 상태에서 인접하는 렌즈 모듈(30A)의 광학 센서(31)와의 경계부에서 슬릿(3422)이 형성되어 있다.
그리고, 다이싱하여 절출한 때에 슬릿(3422)이 노치부(3421)가 된다.
본 제5의 실시 형태의 렌즈 모듈에 의하면, 상술한 제4의 실시 형태와 같은 효과를 얻을 수 있다.
즉, 제5의 실시 형태에 의하면, 휴대 전화 등에서 사용되고 있는 카메라의 쌍방향 촬영 기능이 있는 것은 하나의 센서 디바이스로 공급할 수 있고, 카메라 모듈의 극적인 비용 저감을 실현할 수 있다.
또한, 전방, 후방을 거의 동시에 촬영할 수 있기 때문에 염가의 감시 카메라나 세카이 카메라에의 전용도 가능하다.
도 12는, 본 발명의 제6의 실시 형태에 따른 렌즈 모듈의 제3의 구성례를 도시하는 도면이다.
본 제6의 실시 형태에 따른 렌즈 모듈(30B)이 제1의 및 제2의 실시 형태에 따른 렌즈 모듈(10, 10A)과 다른 점은, 제2의 렌즈에 대신하여 배선이 형성된 배선 부착 투명 기판(37)을 적용한 것에 있다.
배선이 형성된 배선 부착 투명 기판(37)이, 배선이 형성된 면(371)이 광학 센서(31)의 제2의 수광면(112)에 대향하도록 배치되어 있다.
그리고, 광학 센서(31)의 제2의 수광면(112)이 PCB(32)의 제1면(322)보다 투명 기판(37)의 배치 위치측이 되도록 형성되어 있다.
이에 수반하여, 멀티 렌즈 어레이(331)의 지지부의 일부가 PCB(32)의 개구부(321) 내에 배치되어 있다.
그리고, 광학 센서(31)의 패드 전극(15)과 투명 기판(37)이 대응하는 배선하는 볼 전극(범프)(38)으로 접속되어 있다.
또한, PCB(32)의 전극과 투명 기판이 대응하는 배선하는 볼 전극(39)으로 접속되어 있다.
도 13은, 도 12의 렌즈 모듈이 웨이퍼 레벨의 상태를 도시하는 도면이다.
도 13에 도시하는 바와 같이, 제6의 실시 형태에서는, 이면측에 투명 기판(37)을 배치하고, 투명 기판(37)에 배선 패턴을 형성한다.
그리고, 센서 웨이퍼에 범프 전극(38)을 형성하여 개편의 센서를 팽팽히 붙이고, 취출 배선에 솔더 볼(39)을 접속하고 최후에 커버 유리를 스크라이브 라인(SL)으로 다이싱하여 개편으로 절출한다.
도 14는, 본 발명의 제7의 실시 형태에 따른 렌즈 모듈의 제4의 구성례를 도시하는 도면이다.
본 제7의 실시 형태에 따른 렌즈 모듈(30C)이 제1의 및 제2의 실시 형태에 따른 렌즈 모듈(10, 10A)과 다른 점은, 다음과 같다.
렌즈 모듈(30)은, 광학 센서(31C)로서 제3의 실시 형태에 따른 광학 센서(10B)를 그대로 사용하고 있다.
또한, 제1의 렌즈(33C) 및 제2의 렌즈(34C)로서 웨이퍼 레벨 렌즈(332C, 342C)에 의해 형성되어 있다.
그리고, 광학 센서(31C)는, PCB(32)의 제2면(323)측에 위치하도록 개구부(321)에 수용되어 있다.
기본적으로, 광학 센서(31C)는, 관통 전극(20)이 PCB(32)의 제2면(323)보다 제1의 렌즈(33C)측에 노출하도록 개구부(321)에 수용되어 있다.
이 상태에서, 관통 전극(20)과 PCB(32)의 전극이 리플로우 솔더에 의해 접속되어 있다.
도 15는, 도 14의 렌즈 모듈이 웨이퍼 레벨의 상태를 도시하는 도면이다.
이 예에서는, 도 8과 마찬가지로, 관통 전극(20)이 개변화한 때에 절단되는 스크라이브 라인(SL)상에 있고, 스크라이브함으로써 관통 전극(20)이 투명 지지판(14)의 측벽에 노출한다.
또한, 도 15에서는, 관통 전극(20)의 제작 공정에서 관통구멍을 만들기 쉽게 하는 노치(21)가 들어간 구조가 나타나 있다.
본 제7의 실시 형태의 렌즈 모듈에 의하면, 상술한 제4의 실시 형태와 같은 효과를 얻을 수 있다.
즉, 제7의 실시 형태에 의하면, 휴대 전화 등에서 사용되고 있는 카메라의 쌍방향 촬영 기능이 있는 것은 하나의 센서 디바이스로 공급할 수 있고, 카메라 모듈의 극적인 비용 저감을 실현할 수 있다.
또한, 전방, 후방을 거의 동시에 촬영할 수 있기 때문에 염가의 감시 카메라나 세카이 카메라에의 전용도 가능하다.
이상 설명한 렌즈 모듈(30 내지 30C)은, 양쪽 면 촬상의 카메라 모듈에 적용하는 것이 가능하다.
도 16은, 본 발명의 제8의 실시 형태에 따른 카메라 모듈의 구성례를 도시하는 도면이다.
이 카메라 모듈(50)은, 한 예로서 도 9의 렌즈 모듈(30)을 적용하고 있다.
카메라 모듈(50)은, 렌즈 모듈(40)에 더하여, 또한 슬라이드 스위치(51), 신호 취출 전극(52), 및 신호 처리부(53)를 갖는다.
카메라 모듈(50)은, 양쪽 면 센서를 탑재한 때에 필요하게 되는 센서 전환 스위치로서 슬라이드 스위치(51)를 채용하고 있다.
슬라이드 스위치(51)는, 제2의 수광면(112)측에 광을 조사하기 위한 개구부(511) 및, 제1의 수광면(111)측에 광을 조사하기 위한 개구부(512)가 형성되어 있다.
개구부(511)와 개구부(512)는, 겹쳐지지 않도록 형성되어 있고, 한쪽(片方)의 센서를 이용하고 있을 때는, 또 한쪽의 센서에는 광신호가 입력되지 않는 구조로 되어 있고, 스위치의 상태가 신호 처리부(53)에 입력되어, 소망하는 신호 처리를 행한다.
신호 처리부(53)는, 스위치(51)에 연동하여 표리 어느쪽의 센서를 사용하고 있는지를 식별하여, 처리를 바꿀 수 있다.
또한, 이 슬라이드 스위치(51)가 액추에이터 등으로 전기적으로 제어됨으로써, 전방, 후방을 거의 동시에 감시하는 감시 카메라에 이용하거나, 어안(魚眼) 렌즈를 채용함에 의하여 360도 감시도 1개의 디바이스로 가능해진다.
제8의 실시 형태에 의하면, 휴대 전화 등에서 사용되고 있는 카메라의 쌍방향 촬영 기능이 있는 것은 하나의 센서 디바이스로 공급할 수 있고, 카메라 모듈의 극적인 비용 저감을 실현할 수 있다.
또한, 전방, 후방을 거의 동시에 촬영할 수 있기 때문에 염가의 감시 카메라나 세카이 카메라를 실현하는 것도 가능하다.
상술한 설명에 의하여, 양쪽 면 센서로서 사용할 수 있고, 비용 증가를 억제하면서, 양쪽 면에 웨이퍼 렌즈를 맞붙인 경우라도 취출 전극을 형성할 수 있는 광학 센서, 렌즈 모듈 및 카메라 모듈이 제공된다.
본 발명에 의하면, 양쪽 면 센서로서 사용할 수 있고, 비용 증가를 억제하면서, 양쪽 면에 웨이퍼 렌즈를 맞붙인 경우라도 취출 전극을 형성할 수 있다.

Claims (21)

  1. 광학 센서에 있어서,
    이미지 센서의 제1의 수광면상에 있는 제1의 광학 필터와,
    상기 이미지 센서의 제2의 수광면상에 있는 제2의 광학 필터와,
    상기 제1의 광학 필터에 접착된 투명 지지판을 포함하고,
    상기 제2의 수광면은 상기 제1의 수광면으로부터 상기 이미지 센서의 반대측상에 있고,
    상기 제1의 광학 필터의 화소 단위는 상기 제2의 광학 필터의 화소 단위와는 사이즈가 상이하고,
    상기 제1의 광학 필터는 상기 투명 지지판과 상기 이미지 센서 사이에 위치하고,
    상기 제1의 수광면측부터 상기 투명 지지판의 측부에 이르는 관통 전극이 형성되고, 상기 관통 전극은 투명 지지판의 측벽에 노출되어 있고,
    상기 제1의 광학 필터와 상기 투명 지지판 사이에 위치하는 마이크로 렌즈를 더 포함하고,
    상기 마이크로 렌즈는 접착제에 의해 상기 투명 지지판에 접착되고,
    상기 접착제는 굴절률이 상기 마이크로 렌즈보다 낮고 공기층보다도 높은 부재로 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 센서.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1의 광학 필터는 상기 제2의 광학 필터와는 레이아웃이 상이한 것을 특징으로 하는 광학 센서.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1의 광학 필터의 화소 단위는 상기 제2의 광학 필터의 화소 단위와는 필터링 파장이 상이한 것을 특징으로 하는 광학 센서.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1의 광학 필터는 상기 제2의 광학 필터와는 패턴이 상이한 것을 특징으로 하는 광학 센서.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 이미지 센서는 CMOS 이미지 센서인 것을 특징으로 하는 광학 센서.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1의 광학 필터 및 상기 제2의 광학 필터는 온 칩 컬러 필터인 것을 특징으로 하는 광학 센서.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1의 광학 필터를 겹치는 적외 컷트 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 센서.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 제1항에 있어서,
    상기 이미지 센서는 양쪽 면 이미지 센서인 것을 특징으로 하는 광학 센서.
  20. 제1항에 기재된 광학 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 장치.
  21. 광학 센서에 있어서,
    이미지 센서의 제1의 수광면상에 입사하는 광을 필터링하기 위한 제1의 광 필터링 수단과,
    상기 이미지 센서의 제2의 수광면상에 입사하는 광을 필터링하기 위한 제2의 광 필터링 수단과,
    상기 제1의 광 필터링 수단에 접착된 투명 지지판을 포함하고,
    상기 제2의 광 필터링 수단은 상기 제1의 광 필터링 수단으로부터 상기 이미지 센서의 반대측상에 위치하고,
    상기 제1의 광 필터링 수단의 화소 단위는 상기 제2의 광 필터링 수단의 화소 단위와는 사이즈가 상이하고,
    상기 제1의 광 필터링 수단은 상기 투명 지지판과 상기 이미지 센서 사이에 위치하고,
    상기 제1의 수광면측부터 상기 투명 지지판의 측부에 이르는 관통 전극이 형성되고, 상기 관통 전극은 투명 지지판의 측벽에 노출되어 있고,
    상기 제1의 광 필터링 수단과 상기 투명 지지판 사이에 위치하는 마이크로 렌즈를 더 포함하고,
    상기 마이크로 렌즈는 접착제에 의해 상기 투명 지지판에 접착되고,
    상기 접착제는 굴절률이 상기 마이크로 렌즈보다 낮고 공기층보다도 높은 부재로 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 센서.
KR1020137002761A 2010-08-20 2011-08-11 광학 센서, 렌즈 모듈, 및 카메라 모듈 KR101939413B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010185476A JP5834386B2 (ja) 2010-08-20 2010-08-20 光学センサ、レンズモジュール、およびカメラモジュール
JPJP-P-2010-185476 2010-08-20
PCT/JP2011/004561 WO2012023272A1 (en) 2010-08-20 2011-08-11 Optical sensor, lens module, and camera module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130108246A KR20130108246A (ko) 2013-10-02
KR101939413B1 true KR101939413B1 (ko) 2019-01-16

Family

ID=45604942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137002761A KR101939413B1 (ko) 2010-08-20 2011-08-11 광학 센서, 렌즈 모듈, 및 카메라 모듈

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9153611B2 (ko)
EP (1) EP2606639A4 (ko)
JP (1) JP5834386B2 (ko)
KR (1) KR101939413B1 (ko)
CN (2) CN202736921U (ko)
TW (1) TWI466280B (ko)
WO (1) WO2012023272A1 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5834386B2 (ja) * 2010-08-20 2015-12-24 ソニー株式会社 光学センサ、レンズモジュール、およびカメラモジュール
CN103108140B (zh) * 2012-12-18 2018-06-05 上海集成电路研发中心有限公司 水平排布的像素阵列
US20150146054A1 (en) * 2013-11-27 2015-05-28 Aptina Imaging Corporation Image sensors with color filter elements of different sizes
CN104980667B (zh) * 2014-04-13 2018-11-09 比亚迪股份有限公司 图像传感器和监控系统
CN104980628B (zh) * 2014-04-13 2018-09-11 比亚迪股份有限公司 图像传感器和监控系统
WO2015171823A1 (en) * 2014-05-07 2015-11-12 Gopro, Inc. Integrated image sensor and lens assembly
KR102261857B1 (ko) 2014-11-27 2021-06-07 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 적용한 이미지 획득 장치 및 방법
DE102015007830B4 (de) * 2015-06-18 2017-12-28 e.solutions GmbH Optische Baugruppe, elektronisches Gerät und Kraftfahrzeug mit einer optischen Baugruppe sowie Verfahren zum Herstellen einer optischen Baugruppe
KR20170036415A (ko) 2015-09-24 2017-04-03 삼성전자주식회사 양면 이미지 센서
US9923011B2 (en) * 2016-01-12 2018-03-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device structure with stacked semiconductor dies
CN205883388U (zh) * 2016-07-20 2017-01-11 新科实业有限公司 透镜组件及相机模组
KR102354606B1 (ko) * 2017-03-16 2022-01-25 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈 및 광학 기기
TWI637502B (zh) * 2017-12-05 2018-10-01 義明科技股份有限公司 光學感測裝置以及光學感測模組
CN108495010A (zh) * 2018-05-28 2018-09-04 维沃移动通信有限公司 一种摄像头模组及移动终端
TWI761898B (zh) * 2020-07-30 2022-04-21 大立光電股份有限公司 光學指紋辨識系統及光學指紋辨識裝置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010153492A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ及びその製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL135571A0 (en) * 2000-04-10 2001-05-20 Doron Adler Minimal invasive surgery imaging system
JP2002198463A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Canon Inc チップサイズパッケージおよびその製造方法
JP4000449B2 (ja) * 2002-02-26 2007-10-31 ソニー株式会社 イメージセンサ、撮像装置および携帯電話機
AU2003219437A1 (en) * 2002-05-16 2003-12-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Image sensor device
US7619683B2 (en) * 2003-08-29 2009-11-17 Aptina Imaging Corporation Apparatus including a dual camera module and method of using the same
KR100640972B1 (ko) * 2004-07-15 2006-11-02 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법
US20060016973A1 (en) * 2004-07-21 2006-01-26 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Multi-chip image sensor package module
US20070272827A1 (en) * 2005-04-27 2007-11-29 Amkor Technology, Inc. Image sensor package having mount holder attached to image sensor die
JP5426812B2 (ja) * 2005-11-25 2014-02-26 パナソニック株式会社 半導体レンズの製造方法
JP2007188909A (ja) * 2005-12-14 2007-07-26 Fujifilm Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JP2007306387A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Terrasem Co Ltd カメラモジュール及びその製造方法
KR100801447B1 (ko) * 2006-06-19 2008-02-11 (주)실리콘화일 배면 광 포토다이오드를 이용한 이미지센서 및 그 제조방법
JP4855192B2 (ja) * 2006-09-14 2012-01-18 富士フイルム株式会社 イメージセンサ及びデジタルカメラ
JP4667408B2 (ja) * 2007-02-23 2011-04-13 富士フイルム株式会社 裏面照射型固体撮像素子の製造方法
JP2008311280A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Iwate Toshiba Electronics Co Ltd カメラモジュールおよびその製造方法
JP2009064839A (ja) * 2007-09-04 2009-03-26 Panasonic Corp 光学デバイス及びその製造方法
JPWO2010100896A1 (ja) * 2009-03-05 2012-09-06 パナソニック株式会社 撮像装置および両面照射型固体撮像素子
JP2010230879A (ja) 2009-03-26 2010-10-14 Fujifilm Corp 複眼カメラ装置
JP5584679B2 (ja) * 2009-10-07 2014-09-03 パナソニック インテレクチュアル プロパティ コーポレーション オブ アメリカ 固体撮像素子および撮像装置
US8619143B2 (en) * 2010-03-19 2013-12-31 Pixim, Inc. Image sensor including color and infrared pixels
CN102804379B (zh) * 2010-05-24 2015-12-09 全视科技有限公司 双面图像传感器
JP5834386B2 (ja) * 2010-08-20 2015-12-24 ソニー株式会社 光学センサ、レンズモジュール、およびカメラモジュール
JP5195864B2 (ja) * 2010-10-13 2013-05-15 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び撮像装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010153492A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN202736921U (zh) 2013-02-13
TWI466280B (zh) 2014-12-21
JP5834386B2 (ja) 2015-12-24
KR20130108246A (ko) 2013-10-02
WO2012023272A1 (en) 2012-02-23
TW201220486A (en) 2012-05-16
JP2012044555A (ja) 2012-03-01
US20130240714A1 (en) 2013-09-19
EP2606639A4 (en) 2014-04-30
US9153611B2 (en) 2015-10-06
CN102376729A (zh) 2012-03-14
EP2606639A1 (en) 2013-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101939413B1 (ko) 광학 센서, 렌즈 모듈, 및 카메라 모듈
US7948555B2 (en) Camera module and electronic apparatus having the same
US7956392B2 (en) Imaging element and imaging device
TWI496462B (zh) 用於相機模組之電磁干擾屏蔽
US20100157117A1 (en) Vertical stack of image sensors with cutoff color filters
US8902347B2 (en) Solid-state image sensing device and electronic apparatus
TW201027728A (en) Solid-state image capture device and image capture apparatus
KR100596104B1 (ko) Ｃｍｏｓ형 이미지 센서
CN111787246B (zh) 摄像元件及摄像装置
JP4720120B2 (ja) 半導体イメージセンサ・モジュール
US8970749B2 (en) Photoelectric conversion film-stacked solid-state imaging device without microlenses, its manufacturing method, and imaging apparatus
JP2014017716A (ja) 半導体装置およびその製造方法、並びに電子情報機器
JP5520646B2 (ja) マイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子及び撮像装置
JP2014229674A (ja) 固体撮像装置及び電子カメラ
JP4907034B2 (ja) Ｃｍｏｓ型イメージセンサ
TWI808688B (zh) 影像感測器配置、影像感測器裝置及用於操作影像感測器配置的方法
JP2011077555A (ja) 半導体イメージセンサ・モジュールおよび半導体イメージセンサ・モジュールの製造方法
JP2011077554A (ja) 半導体イメージセンサ・モジュールおよび半導体イメージセンサ・モジュールの製造方法
JP2011077553A (ja) 半導体イメージセンサ・モジュールおよび半導体イメージセンサ・モジュールの製造方法
TWI255494B (en) Image sensor chipset
KR20060077109A (ko) 적외선 필터가 탑재된 이미지센서
TW201012199A (en) Multi-lens image sensor module
CN114827451A (zh) 具有电子快门的成像系统
JP2006173896A (ja) 撮像装置及び電子機器
KR20090132208A (ko) 카메라 모듈 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant