KR20170036415A - 양면 이미지 센서 - Google Patents

양면 이미지 센서 Download PDF

Info

Publication number
KR20170036415A
KR20170036415A KR1020150135546A KR20150135546A KR20170036415A KR 20170036415 A KR20170036415 A KR 20170036415A KR 1020150135546 A KR1020150135546 A KR 1020150135546A KR 20150135546 A KR20150135546 A KR 20150135546A KR 20170036415 A KR20170036415 A KR 20170036415A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
photosensor
color filter
light
sensing cells
Prior art date
Application number
KR1020150135546A
Other languages
English (en)
Inventor
제사다 언그나파타닌
윤석호
김도윤
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020150135546A priority Critical patent/KR20170036415A/ko
Priority to US15/274,741 priority patent/US9847360B2/en
Publication of KR20170036415A publication Critical patent/KR20170036415A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/1461—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements characterised by the photosensitive area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

양면 이미지 센서를 개시한다. 본 개시에 따른 양면 이미지 센서는 다수의 광감지셀을 포함하는 제1광센서층과 제2광센서층을 포함하며, 두 광센서층 사이에 전기적 신호를 판독하는 신호배선층이 위치할 수 있다. 각 광센서층 상에는 광감지셀과 대응하는 다수의 컬러필터를 포함하는 제1컬러필터층과 제2컬러필터층을 포함할 수 있다.

Description

양면 이미지 센서{Two-side illuminated image sensor}
본 개시는 양측에서 촬상가능한 양면 이미지 센서에 관한 것이다.
컬러 디스플레이 장치나 컬러 이미지 센서는 통상적으로 컬러 필터를 이용하여 다양한 색의 영상을 표시하거나 또는 입사광의 색을 감지하고 있다. 예를 들어, 현재 사용되는 컬러 디스플레이 장치나 컬러 이미지 센서는 적색광만 투과시키는 적색 컬러 필터, 녹색광만 투과시키는 녹색 컬러 필터, 및 청색광만 투과시키는 청색 컬러 필터들의 어레이를 포함할 수 있다. 따라서, 적색 컬러 필터가 배치된 적색 화소는 적색광만을 표시하거나 감지할 수 있으며, 녹색 컬러 필터가 배치된 녹색 화소는 녹색광만을 표시하거나 감지할 수 있고, 청색 컬러 필터가 배치된 청색 화소는 청색광만을 표시하거나 감지할 수 있다. 이러한 구조에서, 적색, 녹색, 및 청색 화소에서의 광량을 각각 조절하여 특정한 색을 표현하거나, 적색, 녹색, 및 청색 화소에서의 광량을 감지하여 입사광의 색을 판별할 수 있다. 현재, 이러한 이미지 센서를 양면으로 촬상하기 위한 다양한 기술들이 제안되고 있다.
본 개시는 양측에서 촬상가능한 양면 이미지 센서에 관한 것으로 전면부의 광효율을 높이기 위한 구성을 제공하고자 한다.
양면 이미지 센서를 개시한다. 본 개시에 따른 양면 이미지 센서는 광을 감지하여 전기적 신호를 발생시키는 다수의 광감지셀을 포함하는 제1광센서층, 상기 제1광센서층과 이격되게 배치되며 광을 감지하여 전기적 신호를 발생시키는 다수의 광감지셀을 포함하는 제2광센서층, 상기 제1광센서층과 제2광센서층 사이에 위치하며 상기 제1광센서층의 전기적 신호와 상기 제2광센서층의 전기적 신호를 판독하는 신호배선층, 상기 제1광센서층 상에 위치하며, 상기 제1광센서층의 다수의 광감지셀과 각각 마주하는 다수의 컬러필터를 포함하는 제1컬러필터층 및 상기 제2광센서층 상에 위치하며, 상기 제2광센서층의 다수의 광감지셀과 각각 마주하는 다수의 컬러필터를 포함하는 제2컬러필터층을 포함할 수 있다.
상기 제1컬러필터층 상에 위치하며 다수의 마이크로렌즈를 포함하는 제1마이크로렌즈어레이를 더 포함할 수 있다.
상기 제1광센서층의 광감지셀과 상기 제2광센서층의 광감지셀은 수광면의 크기가 서로 같을 수 있다.
상기 제1 및 제2광센서층의 광감지셀들은 서로 일대일로 마주하게 배치될 수 있다.
상기 제1광센서층의 광감지셀과 제2광센서층의 광감지셀은 수광면의 크기가 서로 다를 수 있다.
상기 제2광센서층의 광감지셀 하나와 상기 제1광센서층의 광감지셀 복수개가 서로 마주하도록 배치될 수 있다.
상기 제1광센서층에서 2X2로 배열된 네 개의 광감지셀이 상기 제2광센서층의 하나의 광감지셀과 마주하도록 배치될 수 있다.
상기 제2컬러필터층 상에 위치하며 다수의 마이크로렌즈를 포함하는 제2마이크로렌즈어레이를 더 포함할 수 있다.
상기 제2마이크로렌즈어레이의 다수의 마이크로렌즈는 상기 제2컬러필터의 다수의 컬러필터와 일대일로 마주하게 배치될 수 있다.
상기 제2마이크로렌즈어레이의 다수의 마이크로렌즈와 상기 제2컬러필터층의 다수의 컬러필터는, 상기 제2광센서층의 다수의 광감지셀과 서로 어긋나게 배치될 수 있다.
상기 제2마이크로렌즈어레이의 다수의 마이크로렌즈 간의 간격이 상기 제2광센서층의 다수의 광감지셀 간의 간격보다 좁을 수 있다.
다른 실시예에 따른 양면 이미지 센서는 광을 감지하여 전기적 신호를 발생시키는 다수의 광감지셀을 포함하는 광센서층, 상기 광센서층의 전기적 신호를 판독하는 신호배선층, 상기 광센서층 상에 위치하며 다수의 광감지셀과 각각 마주하는 다수의 컬러필터를 포함하는 제1컬러필터층, 상기 신호배선층을 사이에 두고, 상기 다수의 광감지셀과 각각 마주하는 다수의 컬러필터를 포함하는 제2컬러필터층 및 상기 제2컬러필터층 상에 위치하며, 상기 다수의 컬러필터와 마주하게 배치된 다수의 마이크로렌즈를 포함하는 제2마이크로렌즈어레이를 포함하고, 상기 제2마이크로렌즈어레이의 다수의 마이크로렌즈와 상기 광센서층의 다수의 광감지셀이 서로 어긋나게 배치될 수 있다.
상기 제2마이크로렌즈어레이의 다수의 마이크로렌즈 간의 간격이 상기 광센서층의 다수의 광감지셀 간의 간격보다 좁을 수 있다.
상기 제2컬러필터층의 컬러필터 하나와 상기 광센서층의 광감지셀 복수개가 서로 마주하도록 배치될 수 있다.
상기 제2컬러필터층의 컬러필터 하나와 상기 광센서층의 2X2로 배열된 네 개의 광감지셀이 서로 마주하도록 배치될 수 있다.
상기 제1컬러필터층 상에 위치하며 다수의 마이크로렌즈를 포함하는 제1마이크로렌즈어레이를 더 포함할 수 있다.
본 개시에 따른 양면 이미지 센서는 신호배선층을 사이에 두고 양면에 제1광센서층과 제2광센서층을 가져 신호배선층으로 인한 빛의 산란, 반사의 손실 없이 양면 촬상이 가능하다. 또한, 마이크로렌즈와 광감지셀을 서로 어긋나게 배치하여 광효율을 증가시킬 수 있다.
도 1a 내지 1c는 일 실시예에 따른 양면 이미지 센서를 나타내는 도면이다.
도 2a 내지 2b는 다른 실시예에 따른 양면 이미지 센서를 나타내는 도면이다.
도 3a 내지 3b 는 다른 실시예에 따른 양면 이미지 센서를 나타내는 도면이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 양면 이미지 센서를 나타내는 도면이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 양면 이미지 센서를 나타내는 도면이다.
도 6은 다른 실시예에 따른 양면 이미지 센서를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다. 한편, 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다. 이하에서, "상부" 나 "상"이라고 기재된 것은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다.
도 1a 내지 1c는 일 실시예에 따른 양면 이미지 센서를 나타내는 도면이다. 도 1a는 일 실시예에 따른 양면 이미지 센서를 나타내는 단면도이다. 도 1a를 참조하면, 본 실시예에 따른 이미지 센서(100)는, 제1광센서층(120), 제1광센서층(120)과 이격되게 배치되는 제2광센서층(130), 제1광센서층(120)과 제2광센서층(130) 사이에 위치하는 신호배선층(110), 제1광센서층(120) 상에 위치하는 제1컬러필터층(140), 제2광센서층(130) 상에 위치하는 제2컬러필터층(150)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 광센서층(120, 130)은 광을 감지하여 전기적 신호를 발생시키는 다수의 광감지셀을 포함할 수 있다. 제1광센서층(120)은 광감지셀 (120R, 120G, 120B)을 포함할 수 있으며, 제2광센서층(130)은 광감지셀(130R, 130G, 130B)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 다수의 광감지셀(120R, 120G, 120B, 130R, 130G, 130B)은 적색 광감지셀(120R, 130R), 녹색 광감지셀(120G,130 G) 및 청색 광감지셀(120B, 130B)을 포함할 수 있다. 도 1a에는 편의상 각 광센서층 마다 4개의 광감지셀이 도시되었으나, 실제로는 매우 많은 수의 광감지셀들이 2차원 어레이의 형태로 배열될 수 있다. 다수의 광감지셀들은 광을 감지하여 전기적 신호를 발생시키는 역할을 독립적으로 수행할 수 있다. 예를들어, 광감지셀(120G)에서 발생하는 전기적인 신호는, 인접한 광감지셀(120R)에 입사하는 빛의 세기와는 관계 없이, 자신에게 입사하는 빛의 세기에만 의존할 수 있다. 제1광센서층(120) 및 제2광센서층(130)은 CCD(charge-coupled device) 센서나 CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 센서를 포함할 수 있다.
제1컬러필터층(140)의 각 컬러필터(140R, 140G, 140B)는 그에 대응하는 제1광센서층(120)의 각 광감지셀(120R, 120G, 120B)상에 각각 배치 될 수 있다. 예를 들어, 제1컬러필터층(140)이 포함하는 다수의 컬러필터(140R, 140G, 140B)는 입사광 중에서 적색 파장 대역의 빛을 투과시키는 적색 컬러필터(140R), 녹색 파장 대역의 빛을 투과시키는 녹색 컬러필터(140G), 청색 파장 대역의 빛을 투과시키는 청색 컬러필터(140B) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 도 1a는 편의상 제1컬러필터층(140)의 각 컬러필터(140R, 140G)가 2개씩만 도시되어 있지만, 실제로는 매우 많은 수의 적색 컬러 필터(140R), 녹색 컬러 필터(140G) 및 청색 컬러 필터(140B)들이 2차원 어레이의 형태로 제1광센서층(120) 위에 배열될 수 있다.
제2컬러필터층(150)의 각 컬러필터(150R, 150G, 150B)는 그에 대응하는 제2광센서층(130)의 각 광감지셀(130R, 130G, 130B)상에 각각 배치 될 수 있다. 예를 들어, 제2컬러필터층(150)이 포함하는 다수의 컬러필터(150R, 150G, 150B)는 입사광 중에서 적색 파장 대역의 빛을 투과시키는 적색 컬러필터(150R), 녹색 파장 대역의 빛을 투과시키는 녹색 컬러필터(150G), 청색 파장 대역의 빛을 투과시키는 청색 컬러필터(150B) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 도 1a는 편의상 제2컬러필터층(150)의 각 컬러필터(150R, 150G)가 2개씩만 도시되어 있지만, 실제로는 매우 많은 수의 적색 컬러 필터(150R), 녹색 컬러 필터(150G) 및 청색 컬러 필터(150B)들이 2차원 어레이의 형태로 제2광센서층(130) 위에 배열될 수 있다.
비록, 도 1a에는 적색 컬러 필터(140R, 150R), 녹색 컬러 필터(140G, 150G) 순서로 반복 배열된 것으로 도시되어 있으나, 이는 단순히 하나의 예일 뿐이며 반드시 이러한 순서로 한정되는 것은 아니다. 더욱이, 본 실시예에 따른 제1컬러필터층(140) 및 제2컬러필터층(150)의 적색 컬러 필터(140R, 150R), 녹색 컬러 필터(140G, 150R) 및 청색 컬러 필터(140B, 150B)는 단순히 하나의 예일 뿐이며, 제1컬러필터층(140) 및 제2컬러필터층(150)이 다른 색의 컬러 필터들을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제1컬러필터층(140) 및 제2컬러필터층(150)이 사이안, 옐로우, 그린, 마젠타의 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 또는, 필요에 따라 적외선 대역이나 자외선 대역을 포함하는 다른 파장 대역에 대해 차단 특성을 갖는 필터들을 추가로 사용할 수도 있다. 이하의 설명에서, 제1컬러필터층(140) 및 제2컬러필터층(150)의 각각의 컬러 필터들의 색과 배치 순서는 설명의 편의를 위한 단순한 예일 뿐이라는 점을 유의한다.
격리층(190)은 제1컬러필터층(140)의 다수의 컬러필터(140R, 140G, 140B 사이에 각각 배치되어, 각각의 컬러 필터(140R, 140G, 140B)를 그에 인접한 다른 컬러 필터(140R, 140G, 140B)들과 광학적으로 격리하는 역할을 할 수 있다. 또한, 제2컬러필터층(150)의 다수의 컬러필터(150R, 150G, 150B 사이에 각각 배치되어, 각각의 컬러 필터(150R, 150G, 150B)를 그에 인접한 다른 컬러 필터(150R, 150G, 150B)들과 광학적으로 격리하는 역할을 할 수 있다. 이를 위해, 상기 격리층(190)은 다수의 컬러 필터들의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 격리층(190)은 PMMA(polymethylmetacrylate), 실리콘 아크릴레이트(Silicon acrylate), CAB(cellulose acetate butyrate), 실리콘 산화물(SiO2), FSA(fluoro-silicon acrylate) 등과 같은 재료로 이루어질 수 있다. 격리층(190)은 굴절률 조건만 만족한다면 어떠한 재료도 사용할 수 있으며, 특히 일반적인 반도체 공정에서 이용하는 물리적 기상 증착법(PVD)이나 화학적 기상 증착법(CVD)으로 형성될 수 있는 재료를 사용하는 것이 유리할 수 있다.
신호배선층(110)은 제1광센서층(120) 및 제2광센서층(130) 사이에 배치되어, 제1광센서층(120) 및 제2광센서층(130)에 도달한 빛의 양에 따라 발생한 전기적 신호를 프로세서(미도시)로 전달할 수 있다. 신호배선층(110)은 다수의 금속 배선들을 포함할 수 있다. 이러한 배치로 인해, 후면광은 제1컬러필터층(140)을 지난 후 바로 제1광센서층(120)에 입사하며, 전면광은 제2컬러필터층(150)을 지난 후 바로 제2광센서층(130)에 입사할 수 있다. 따라서, 입사광이 전면 또는 후면의 어느 한면으로 입사하더라도 바로 광센서층에 도달하며 금속 재질의 신호배선층을 통과하지 않을 수 있다. 그에따라, 금속 재질의 신호배선에 의한 산란, 반사를 차단할 수 있다.
제1광센서층(120)의 다수의 광감지셀과 제2광센서층(130)의 다수의 광감지셀은 서로 일대일로 마주하게 배치될 수 있다. 또한 본 실시예에 따른 양면 이미지 센서는 하나의 신호배선층(110)만을 포함하고, 신호배선층(110)이 제1광센서층(120)의 전기적 신호와 제2광센서층(130)의 전기적 신호를 모두 판독해야 하는 바, 서로 일대일로 마주하게 배치했을 때 이러한 판독을 위한 회로구성이 용이할 수 있다.
제1광센서층(120)의 다수의 광감지셀과 제2광센서층(130)의 다수의 광감지셀은 수광면의 크기가 서로 같을 수 있다. 수광면의 크기가 동일하면 이미지 센서의 전면부와 후면부의 화소수가 동일해 질 수 있다.
제1컬러필터층(140) 상에 제1마이크로렌즈어레이(160)가 배치될 수 있다. 제1마이크로렌즈어레이(160)는 다수의 마이크로렌즈(161, 162, 163, 164)를 포함하며, 제1컬러필터층(140)의 각 컬러필터(140R, 140G, 140B)와 각각 마주보게 배치될 수 있다. 제1마이크로렌즈어레이(160)는 후면부로부터 들어오는 빛을 제1광센서층(120)의 각 광감지셀(120R, 120G, 120B)에 집광하여 광효율을 높이는 역할을 수행할 수 있다.
제2컬러필터층(150) 상에 제2마이크로렌즈어레이(170)가 배치될 수 있다. 제2마이크로렌즈어레이(170)는 다수의 마이크로렌즈(171, 172, 173, 174)를 포함하며, 제2컬러필터층(150)의 각 컬러필터(150R, 150G, 150B)와 각각 마주보게 배치될 수 있다. 제2마이크로렌즈어레이(170)는 전면부로부터 들어오는 빛을 제2광센서층(130)의 각 광감지셀(130R, 130G, 130B)에 집광하여 광효율을 높이는 역할을 수행할 수 있다.
도 1b는 일 실시예에 따른 양면 이미지 센서의 후면부에서 내려다본 평면도이다. 도면을 참조하면, 제1컬러필터층(140)이 RGGB 형태의 2x2 Bayer Filter를 가지나 이에 한정되는 것은 아니며, GRGB, RGGB나 사이안, 옐로우, 그린, 마젠타로 구성된 픽셀 구조도 가질 수 있다. AA'를 따라 내려다본 단면도가 도 1a에 해당한다.
도 1c는 일 실시예에 따른 양면 이미지 센서의 전면부에서 올려다본 평면도이다. 도면을 참조하면, 제2컬러필터층(150)이 RGGB 형태의 2x2 Bayer Filter를 가지나 이에 한정되는 것은 아니며, GRGB, RGGB나 사이안, 옐로우, 그린, 마젠타로 구성된 픽셀 구조도 가질 수 있다. BB'를 따라 올려다본 단면도가 도 1a에 해당한다.
도 2a 내지 2b는 다른 실시예에 따른 양면 이미지 센서를 나타내는 도면이다. 도 2a는 다른 실시예에 따른 양면 이미지 센서를 나타내는 단면도이다. 이 실시예에 따르면, 제1광센서층(220)의 다수의 광감지셀과 제2광센서층(230)의 다수의 광감지셀의 수광면은 서로 면적이 상이할 수 있다. 수광면의 면적이 클수록 한 화소당 넓이가 커지므로, 총 화소수는 감소하게 된다. 따라서, 본 실시예에 따른 양면 이미지 센서에서는 필요에 따라 전면부와 후면부의 화소수를 다르게 할 수 있다.
제2광센서층(230)의 광감지셀 하나와 제1광센서층의 광감지셀 복수개가 서로 마주하도록 배치될 수 있다. 이러한 배치는 전기적 판독을 용이하게 할 수 있다. 예를들어, 제2광센서층(230)의 광감지셀 하나와 제1광센서층에서 2X2로 배열된 네 개의 광감지셀이 서로 마주하도록 배치될 수 있다. 이러한 배치를 통해, 후면부의 화소수(제2광센서층의 광감지셀의 총 개수에 해당)는 전면부 화소수(제1광센서층의 광감지셀의 총 개수의 해당)에 비해 4배가 된다. 전면부 촬상에 있어서 화소수를 1/4로 줄이는 대신, 한 화소당 들어오는 빛의 양은 4배가 되기 때문에, 어두운 곳에서의 촬상에서 더 선명한 이미지를 얻을 수 있다. 양면 이미지 센서는 예를들어 스마트폰에서 사용될 수 있는데, 전면부 촬상은 셀프촬상으로 주로 인물촬상 등 높은 화소수를 요구하지 않고, 후면부 촬상은 풍경촬상으로 높은 화소수를 필요로 할 때 활용할 수 있다. 특히, 전면부 촬상에 있어서는 어두운 실내 내부에서도 인물 촬상이 원활히 될 수 있도록 높은 빛 민감성을 요구할 수 있다. 이는 제2광센서층(230)의 광감지셀의 수광면의 면적을 높임으로써, 화소당 들어오는 빛의 양을 충분하게 만듬으로써 어두운 환경에서의 촬상을 용이하게 할 수 있는 장점이 있다.
도 2b는 일 실시예에 따른 양면 이미지 센서의 전면부에서 올려다본 평면도이다. 도면을 참조하면, 제2컬러필터층(250)이 RGGB Bayer Filter 패턴을 가지나 이에 한정되는 것은 아니며, GRGB, RGGB나 사이안, 옐로우, 그린, 마젠타로 구성된 픽셀 구조도 가질 수 있다. CC'을 따라 올려다본 단면도가 도 2a에 해당한다. 제2광센서층(230)의 한 광감지셀은 제1광센서층(220) 2X2로 배열된 네 개의 광감지셀과 서로 대응할 수 있다. 따라서, 제2광센서층(230)의 한 광감지셀의 면적은 제1광센서층(220)의 한 광감지셀의 면적보다 4배 크며, 이로 인해 후면부 촬상에 있어서 광 민감성이 증가되어 더 어두운 곳에서 효과적으로 촬상 할 수 있다.
도 3a 내지 3b 는 다른 실시예에 따른 양면 이미지 센서를 나타내는 도면이다. 도 3a를 참조할때, 본 실시예에 따른 이미지 센서(300)는, 다수의 광감지셀을 포함하는 제1광센서층(320), 제1광센서층(320)과 이격되게 배치되며 다수의 광감지셀을 포함하는 제2광센서층(330), 제1광센서층(320)과 제2광센서층(330) 사이에 위치하는 신호배선층(310), 제1광센서층(320) 상에 위치하는 제1컬러필터층(340), 제2광센서층(330) 상에 위치하는 제2컬러필터층(350), 제2컬러필터층(350) 상에 배치되며 다수의 마이크로렌즈를 포함하는 제2마이크로렌즈어레이(370)를 포함하고, 제2마이크로렌즈어레이(370)의 다수의 마이크로렌즈와 제2광센서층(330)의 다수의 광감지셀이 서로 어긋나게 배치되어 있을 수 있다.
제2광센서층(330)의 광감지셀 간의 간격(Δd1)이 제2마이크로렌즈어레이(370)의 마이크로렌즈 간의 간격(Δd2)보다 작고, 이미지 센서의 중앙부(CS)에 위치한 마이크로렌즈와 광감지셀이 얼라인(align) 되는 배치를 가질 수 있다. 이러한 배치를 가지면 이미지 센서의 중앙에서 점점 멀어질수록 대응되는 광감지셀과 마이크로렌즈가 더 크게 이격(shifting)될 수 있다. 도면을 참조하면, 한 제2광센서층(330)의 광감지셀(330R)과 인접한 광감지셀(330G) 간의 간격(Δd1)은 일정할 수 있다. 또한, 제2마이크로렌즈어레이(370)의 다수의 마이크로렌즈간의 간격(Δd2)은 일정할 수 있다. 제2마이크로렌즈어레이(370)의 마이크로렌즈간의 간격(Δd2)은 광감지셀간의 간격(Δd1)보다 작을 수 있다. 이미지 센서의 중앙부(CS)에 위치한 광감지셀(330G)과 마이크로렌즈(371)는 서로 동일한 위치에 배치될 수 있다. 나머지 다수의 마이크로렌즈와 그에 대응하는 광감지셀은 서로 어긋나는 배치를 가지며, 이미지센서의 중앙부에서 멀어질수록 더 크게 어긋나는 배치를 가진다. 도면을 참조하면 이미지 센서의 중앙부(CS)에 가깝게 위치한 마이크로렌즈(372)와 그에 대응하는 광감지셀(320R)의 어긋남보다 이미지 센서의 중앙부(CS)에서 상대적으로 멀게 위치한 마이크로렌즈(375)와 그에 대응하는 광감지셀(320G)의 어긋남이 더 클 수 있다. 또한 이러한 어긋남은 점진적으로 커질 수 있다. 이러한 배치는 빛의 입사각을 보다 수직에 가깝게 할 수 있어 광효율을 높일 수 있다. 이미지 센서로 입사하는 빛은 이미지 센서의 외각부로 갈수록 더 큰 입사각을 가질 수 있다. 이때, 센서의 중심부(CS)에서 멀어질수록 더 크게 어긋나는 마이크로렌즈의 배치는 제2마이크로렌즈어레이(370)를 통과한 빛의 제2광센서층(330)으로의 입사각을 보다 수직에 가깝게 만들어, 광효율을 증가시킬 수 있다.
도 3b는 광센서층의 다수의 광감지셀과 마이크로렌즈어레이의 다수의 마이크로렌즈가 서로 어긋나게 배치된 양면 이미지 센서의 개념도이다. 도 3b를 참조할때, 광감지셀 간의 간격(Δd1)이 마이크로렌즈 간의 간격(Δd2)보다 작고, 이미지 센서의 중앙부에 위치한 마이크로렌즈와 광감지셀이 얼라인(align) 되는 배치를 가질 수 있다. 이러한 배치를 가지면 이미지 센서의 중앙에서 점점 멀어질수록 대응되는 광감지셀과 마이크로렌즈가 더 크게 이격(shifting)될 수 있다. 이러한 마이크로렌즈의 이격 배치는 마이크로렌즈를 통해 입사되는 빛의 입사각을 조절할 수 있게 해준다.
이미지 센서에서 마이크로렌즈어레이의 역할은 집광력을 높이기 위한 것이다. 마이크로렌즈어레이가 없을 때 이미지 센서는 센서에 수직하게 입사되는 빛만을 전달받을 수 있지만, 마이크로렌즈어레이가 있을 때 렌즈의 굴절률에 의한 집광 효과로 인해 센서의 수직선 상에서 일정 각도 이내의 입사각의 빛도 집광할 수 있다. 따라서, 보다 넓은 각도의 입사각의 빛을 수광할 수 있으면 광 효율을 높일 수 있는데, 이를 위해서는 대구경의 렌즈를 필요로 하기에 이미지 센서의 집적화와는 상반될 수 있다. 이에, 마이크로렌즈렌즈의 크기를 키우는 대신 각 마이크로렌즈 간의 간격을 광감지셀 간의 간격에 비해 작게 하면, 광감지셀과 마이크로로렌즈가 서로 이격되게 배치될 수 있다. 이때 이미지 센서의 중심(CS)에 위치한 광감지셀과 마이크로렌즈를 서로 일치되도록 배열하면(align) 이미지 센서의 중심에서 멀어질수록 서로 대응되는 광감지셀과 마이크로렌즈가 더 크기 이격되도록 배치될 수 있다. 이미지 센서에 빛이 입사될 때 이미지 센서의 중심(CS)에 근접하게 배치된 광감지셀은 빛이 수직에 가깝게 입사되어 광효율이 높으나, 이미지 센서의 외각으로 갈수록, 이미지 센서의 중심에서 멀어질수록, 빛의 입사각이 커져서 센서의 광효율이 떨어질 수 있다. 따라서, 이미지 센서의 중심으로부터의 거리에 따른 입사각의 증가율을 미리 고려하여, 마이크로렌즈 간의 간격을 광감지셀의 간격에 비해 좁게 함으로써, 외각부의 마이크로 렌즈와 컬러필터를 일정 길이만큼 해당 광감지셀로부터 이격하는 것으로 센서 외각부의 광감지셀의 광효율을 향상시킬 수 있다. 도면을 참고하면, 실선으로 도시된 원은 각 마이크로렌즈를 나타내며, 실선으로 도시된 정사각형은 각 광감지셀을 나타낸다. 이미지 센서의 중심(CS)에서 마이크로렌즈는 광감지셀과 동일한 위치에 배치되나, 이미지 센서의 중심(CS)에서 멀어질수록 마이크로렌즈와 대응되는 광감지셀이 더 크게 이격되는 것을 확인할 수 있다. 마이크로렌즈 간의 간격(Δd2)은 광감지셀 간의 간격(Δd1)보다 좁을 수 있다.
도 4는 다른 실시예에 따른 양면 이미지 센서의 단면도이다. 도 4에 도시된 양면 이미지 센서는 도 3a에 도시된 양면 이미지 센서와 공통점이 많으므로 이하에서는 차이점 위주로 설명한다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 양면 이미지 센서는 다수의 마이크로렌즈를 포함하는 제2마이크로렌즈어레이(470)를 포함하고, 제2마이크로렌즈어레이(470)의 다수의 마이크로렌즈와 제2광센서층(430)의 다수의 광감지셀이 서로 어긋나게 배치되고, 제2광센서층(430)의 한 광감지셀과 제1광센서층(420)의 다수의 광감지셀의 수광면이 서로 면적이 상이할 수 있다. 예를 들어, 제2광센서층(430)의 광감지셀 하나와 제1광센서층(420)의 광감지셀 복수개가 서로 마주하도록 배치될 수 있다. 예를들어, 제2광센서층(430)의 광감지셀 하나와 제1광센서층(420)에서 2X2로 배열된 네 개의 광감지셀이 서로 마주하도록 배치될 수 있다. 이러한 배치는 하나의 신호배선층(410)이 양 광센서층의 전기적 신호를 모두 판독해야 하는 바, 광감지셀이 서로 마주하게 배치했을 때 이러한 판독을 위한 회로구성이 용이할 수 있다. 수광면의 면적이 커짐에 따라, 총 화소수는 감소하는 대신 어두운 실내에서의 촬상에서 빛 민감성을 높일 수 있다. 따라서 전면부와 후면부의 화소수를 필요에 따라 다르게 하여 다양한 촬상 상황에 적합한 양면 이미지 센서의 설계가 가능할 수 있다. 또한, 광감지셀 간의 간격(Δd1)이 마이크로렌즈 간의 간격(Δd2)보다 작고, 이미지 센서의 중심부(CS)에 위치한 마이크로렌즈와 광감지셀이 얼라인(align) 되는 배치를 가짐으로서, 이미지 센서의 중심으로부터의 거리에 따른 입사각의 증가율을 미리 고려하여 이미지 센서의 외각부의 광감지셀의 광효율을 향상시킬 수 있다.
도 5는 다른 실시예에 따른 양면 이미지 센서의 단면도이다. 도1 내지 4와는 다르게 광센서층이 하나인 구조를 가질 수 있다. 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 이미지 센서(500)는, 다수의 광감지셀을 포함하는 광센서층(520), 광센서층(520)의 전기적 신호를 판독하는 신호배선층(510), 광센서층(520) 상에 배치되는 제1컬러필터층(540), 제1컬러필터층(540) 상에 배치되는 제1마이크로렌즈어레이(560), 신호배선층(510)을 사이에 두고 상기 광감지셀과 마주하는 다수의 컬러필터를 포함하는 제2컬러필터층(550), 제2컬러필터층(550) 상에 배치되는 제2마이크로렌즈어레이(570)를 포함하고, 제2마이크로렌즈어레이(570)의 다수의 마이크로렌즈와 광센서층(520)의 다수의 광감지셀이 서로 어긋나게 배치되어 있을 수 있다. 이러한 배치는 상술한 바와 같이 이미지 센서의 외각부의 집광력을 높이는 효과를 가질 수 있다.
본 실시예는 광센서층(520)이 한 개만 있는 배치를 가지므로, 제2마이크로렌즈어레이(570)를 통해 입사하는 빛은 광센서층(520)에 바로 도달하지 못하고, 먼저 신호배선층(510)을 통과 할 수 있다. 신호배선층(510)은 금속재질을 가질 수 있다. 이러한 신호배선층(510)을 통과하는 빛은 산란, 반사로 인해 일부가 광센서층(520)에 도달하지 못하여 광효율이 감소할 수 있다. 신호배선층(510)에 빛의 부딪혀 산란, 반사 되지 않기 위해서는 입사각이 신호배선층(510)에 대하여 수직에 가까울수록 유리할 수 있다. 이미지 센서로 입사하는 빛이 이미지 센서의 외각부로 갈수록 더 큰 입사각을 가지는 바, 센서의 중심부(CS)에서 멀어질수록 더 크게 어긋나는 마이크로렌즈의 배치는 제2마이크로렌즈어레이(570)를 통과한 빛의 광센서층(520)으로의 입사각을 보다 수직에 가깝게 만들어 신호배선층(510)에 의한 산란, 반사를 최소화 하는 효과를 가질 수 있다.
도 6은 다른 실시예에 따른 양면 이미지 센서의 단면도이다. 도 6에 도시된 양면 이미지 센서는 도 5에 도시된 양면 이미지 센서와 공통점이 많으므로 이하에서는 차이점 위주로 설명한다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 양면 이미지 센서는 다수의 마이크로렌즈를 포함하는 제2마이크로렌즈어레이(670)를 포함하고, 제2마이크로렌즈어레이(670)의 다수의 마이크로렌즈와 광센서층(620)의 다수의 광감지셀이 서로 어긋나게 배치되고, 광센서층(620)의 한 광감지셀과 제2컬러필터층 (650)의 다수의 컬러필터의 면적이 서로 상이할 수 있다. 예를들어, 광센서층(620)의 광감지셀 하나와 제2컬러필터층(650)의 컬러필터 복수개가 서로 마주하도록 배치될 수 있다. 예를들어, 제2컬러필터층(650)의 컬러필터 하나와 광센서층(620)의 2X2로 배열된 네 개의 광감지셀이 서로 마주하도록 배치될 수 있다. 이러한 배치는 전기적 판독을 위한 신호배선층(610)의 회로구성이 용이할 수 있다. 또한 컬러필터 한 개의 면적이 커짐에 따라, 그에 대응하는 복수개의 광감지셀이 하나의 색상을 판독하는 점에서 총 화소수는 감소하는 대신 빛 민감성을 높일 수 있다. 따라서 전면부와 후면부의 화소수를 필요에 따라 다르게 하여 다양한 촬상 상황에 적합한 양면 이미지 센서의 설계가 가능할 수 있다. 또한, 광감지셀 간의 간격(Δd1)이 마이크로렌즈 간의 간격(Δd2)보다 작고, 이미지 센서의 중앙부(CS)에 위치한 마이크로렌즈와 광감지셀이 얼라인(align) 되는 배치를 가짐으로서, 이미지 센서의 중심으로부터의 거리에 따른 입사각의 증가율을 미리 고려하여 이미지 센서의 외각부의 광감지셀의 광효율을 향상시킬 수 있다.
지금까지, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 예시적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었다. 그러나, 이러한 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 그리고 본 발명은 도시되고 설명된 설명에 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 이는 다양한 다른 변형이 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.
100 : 양면 이미지 센서 110 : 신호배선층
120 : 제1광센서층 130 : 제2광센서층
140 : 제1컬러필터층 150 : 제2컬러필터층
160 : 제1마이크로렌즈어레이 170 : 제2마이크로렌즈어레이
190 : 격벽 CS : 이미지 센서의 중심부

Claims (16)

  1. 광을 감지하여 전기적 신호를 발생시키는 다수의 광감지셀을 포함하는 제1광센서층;
    상기 제1광센서층과 이격되게 배치되며 광을 감지하여 전기적 신호를 발생시키는 다수의 광감지셀을 포함하는 제2광센서층;
    상기 제1광센서층과 제2광센서층 사이에 위치하며 상기 제1광센서층의 전기적 신호와 상기 제2광센서층의 전기적 신호를 판독하는 신호배선층;
    상기 제1광센서층 상에 위치하며, 상기 제1광센서층의 다수의 광감지셀과 각각 마주하는 다수의 컬러필터를 포함하는 제1컬러필터층; 및
    상기 제2광센서층 상에 위치하며, 상기 제2광센서층의 다수의 광감지셀과 각각 마주하는 다수의 컬러필터를 포함하는 제2컬러필터층;을 포함하는 양면 이미지 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1컬러필터층 상에 위치하며 다수의 마이크로렌즈를 포함하는 제1마이크로렌즈어레이를 더 포함하는 양면 이미지 센서.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제1광센서층의 광감지셀과 상기 제2광센서층의 광감지셀은 수광면의 크기가 서로 같은, 양면 이미지 센서.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제1 및 제2광센서층의 광감지셀들은 서로 일대일로 마주하게 배치된, 양면 이미지 센서.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제1광센서층의 광감지셀과 제2광센서층의 광감지셀은 수광면의 크기가 서로 다른, 양면 이미지 센서.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제2광센서층의 광감지셀 하나와 상기 제1광센서층의 광감지셀 복수개가 서로 마주하도록 배치된, 양면 이미지 센서.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제1광센서층에서 2X2로 배열된 네 개의 광감지셀이 상기 제2광센서층의 하나의 광감지셀과 마주하도록 배치된, 양면 이미지 센서.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제2컬러필터층 상에 위치하며 다수의 마이크로렌즈를 포함하는 제2마이크로렌즈어레이를 더 포함하는 양면 이미지 센서.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제2마이크로렌즈어레이의 다수의 마이크로렌즈는 상기 제2컬러필터의 다수의 컬러필터와 일대일로 마주하게 배치된 양면 이미지 센서.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제2마이크로렌즈어레이의 다수의 마이크로렌즈와 상기 제2컬러필터층의 다수의 컬러필터는, 상기 제2광센서층의 다수의 광감지셀과 서로 어긋나게 배치되는 양면 이미지 센서.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 제2마이크로렌즈어레이의 다수의 마이크로렌즈 간의 간격이 상기 제2광센서층의 다수의 광감지셀 간의 간격보다 좁은 양면 이미지 센서.
  12. 광을 감지하여 전기적 신호를 발생시키는 다수의 광감지셀을 포함하는 광센서층;
    상기 광센서층의 전기적 신호를 판독하는 신호배선층;
    상기 광센서층 상에 위치하며 다수의 광감지셀과 각각 마주하는 다수의 컬러필터를 포함하는 제1컬러필터층;
    상기 신호배선층을 사이에 두고, 상기 다수의 광감지셀과 각각 마주하는 다수의 컬러필터를 포함하는 제2컬러필터층;및
    상기 제2컬러필터층 상에 위치하며, 상기 다수의 컬러필터와 마주하게 배치된 다수의 마이크로렌즈를 포함하는 제2마이크로렌즈어레이;를 포함하고,
    상기 제2마이크로렌즈어레이의 다수의 마이크로렌즈와 상기 광센서층의 다수의 광감지셀이 서로 어긋나게 배치되는 양면 이미지 센서.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 제2마이크로렌즈어레이의 다수의 마이크로렌즈 간의 간격이 상기 광센서층의 다수의 광감지셀 간의 간격보다 좁은 양면 이미지 센서.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 제2컬러필터층의 컬러필터 하나와 상기 광센서층의 광감지셀 복수개가 서로 마주하도록 배치된, 양면 이미지 센서.
  15. 제 12항에 있어서,
    상기 제2컬러필터층의 컬러필터 하나와 상기 광센서층의 2X2로 배열된 네 개의 광감지셀이 서로 마주하도록 배치된, 양면 이미지 센서.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 제1컬러필터층 상에 위치하며 다수의 마이크로렌즈를 포함하는 제1마이크로렌즈어레이를 더 포함하는 양면 이미지 센서.
KR1020150135546A 2015-09-24 2015-09-24 양면 이미지 센서 KR20170036415A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150135546A KR20170036415A (ko) 2015-09-24 2015-09-24 양면 이미지 센서
US15/274,741 US9847360B2 (en) 2015-09-24 2016-09-23 Two-side illuminated image sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150135546A KR20170036415A (ko) 2015-09-24 2015-09-24 양면 이미지 센서

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170036415A true KR20170036415A (ko) 2017-04-03

Family

ID=58406763

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150135546A KR20170036415A (ko) 2015-09-24 2015-09-24 양면 이미지 센서

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9847360B2 (ko)
KR (1) KR20170036415A (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9923011B2 (en) * 2016-01-12 2018-03-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device structure with stacked semiconductor dies
KR102357513B1 (ko) * 2017-03-21 2022-02-04 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4000449B2 (ja) 2002-02-26 2007-10-31 ソニー株式会社 イメージセンサ、撮像装置および携帯電話機
US20110181763A1 (en) 2009-03-05 2011-07-28 Panasonic Corporation Image pickup device and solid-state image pickup element of the type illuminated from both faces
CN102227811B (zh) 2009-10-07 2014-09-24 松下电器（美国）知识产权公司 固体图像拍摄元件以及图像拍摄装置
WO2011149451A1 (en) 2010-05-24 2011-12-01 Omnivision Technologies, Inc. Dual-sided image sensor
JP5834386B2 (ja) 2010-08-20 2015-12-24 ソニー株式会社 光学センサ、レンズモジュール、およびカメラモジュール
KR101334099B1 (ko) * 2011-11-17 2013-11-29 (주)실리콘화일 이중 감지 기능을 가지는 기판 적층형 이미지 센서
US9202963B2 (en) * 2012-11-21 2015-12-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dual-side illumination image sensor chips and methods for forming the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20170092672A1 (en) 2017-03-30
US9847360B2 (en) 2017-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10498990B2 (en) Imaging systems with high dynamic range and phase detection pixels
US10658411B2 (en) Image sensors including shifted isolation structures
KR102271135B1 (ko) 이미지 센서의 픽셀 비닝
US10015416B2 (en) Imaging systems with high dynamic range and phase detection pixels
KR102437162B1 (ko) 이미지 센서
US9888194B2 (en) Array camera architecture implementing quantum film image sensors
JP6139610B2 (ja) 緑色減算用の赤外線透過フィルターを用いた撮像センサ
KR101373132B1 (ko) 마이크로 렌즈를 이용한 위상차 검출 픽셀
TWI615637B (zh) 影像感測器結構
US20170374306A1 (en) Image sensor system with an automatic focus function
KR20160062725A (ko) 컬러 에일리어싱을 최소화하기 위한 rgbc 컬러 필터 어레이 패턴
US20180301484A1 (en) Image sensors with high dynamic range and autofocusing hexagonal pixels
KR20070120360A (ko) 카메라 모듈
KR20200095340A (ko) 이미지 센서
KR102507474B1 (ko) 이미지 센서
US10573678B2 (en) Microlenses for high dynamic range imaging pixels
JP2017076769A (ja) 黄色フィルタユニットを有するイメージセンサ
US20220336508A1 (en) Image sensor, camera assembly and mobile terminal
TW200525773A (en) Image sensor with improved uniformity of effective incident light
CN104079903B (zh) 高动态范围的彩色及灰度图像传感器
JPWO2010100897A1 (ja) 固体撮像素子および撮像装置
KR20170036415A (ko) 양면 이미지 센서
KR20100018851A (ko) 적외선 차단 필터를 구비하는 시모스 이미지 센서 및 그제조방법
US20100165156A1 (en) Image capture device comprising focusing adjustment means
KR102372736B1 (ko) 위상차 검출 픽셀을 구비하는 이미지 센서

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
WITB Written withdrawal of application