TWI615637B - 影像感測器結構 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供一種影像感測器結構。該影像感測器結構包括：複數個彩色濾光圖案，分為一第一單元、一第二單元、一第三單元、以及一第四單元，該第一單元包括一綠色濾光片，該第二單元包括一綠色濾光片，該第三單元包括一藍色濾光片，該第四單元包括一紅色濾光片，其中該第一單元鄰近該第二單元；以及複數個微透鏡，形成於該等彩色濾光圖案上，其中該等微透鏡分為一第一微透鏡單元、一第二微透鏡單元、以及一第三微透鏡單元，該第一微透鏡單元具有一微透鏡，於該第一單元之該一綠色濾光片與該第二單元之該一綠色濾光片上，該第二微透鏡單元於該第三單元之該一藍色濾光片上，該第三微透鏡單元於該第四單元之該一紅色濾光片上。

Description

影像感測器結構
本揭露係有關於一種影像感測器結構，特別是有關於一種具有共享式微透鏡的影像感測器結構。
影像感測器(image sensor)為一種將光影像轉換為電訊號的半導體元件。影像感測器一般分為電荷耦合元件(CCD)與互補式金氧半(CMOS)影像感測器。上述影像感測器中，互補式金氧半影像感測器包括用來偵測入射光並將其轉換為電訊號的光二極體，以及用來傳輸與處理電訊號的邏輯電路。
近年來，相位檢測自動對焦(phase detection autofocus，PDAF)技術已導入例如數位單鏡反光相機(DSLR)、數位靜態相機(DSC)及智慧手機相機等電子產品。其原理係提供一對其上安裝有微透鏡的半遮光綠色畫素。此兩綠色畫素的訊號差異即創造出相位檢測自動對焦(PDAF)的功能。然而，該兩半遮光的綠色畫素會損失一半的入射光，低於標準的綠色畫素，導致較差的訊號擷取。
因此，開發一種可實施相位檢測自動對焦(PDAF)功能且具有優質影像擷取效果的新穎式影像感測器結構是眾所期待的。
本揭露之一實施例提供一種影像感測器結構(image-sensor structure)，包括：複數個彩色濾光圖案，分為一第一單元、一第二單元、一第三單元、以及一第四單元，該第一單元包括一綠色濾光片，該第二單元包括一綠色濾光片，該第三單元包括一藍色濾光片，該第四單元包括一紅色濾光片，其中該第一單元鄰近該第二單元；以及複數個微透鏡，形成於該等彩色濾光圖案上，其中該等微透鏡分為一第一微透鏡單元、一第二微透鏡單元、以及一第三微透鏡單元，該第一微透鏡單元具有一微透鏡，於該第一單元之該一綠色濾光片與該第二單元之該一綠色濾光片上，該第二微透鏡單元於該第三單元之該一藍色濾光片上，該第三微透鏡單元於該第四單元之該一紅色濾光片上。
本揭露之一實施例提供一種影像感測器結構(image-sensor structure)，包括：一基板；複數個光電轉換單元，形成於該基板中；複數個彩色濾光圖案，形成於該基板與該等光電轉換單元上，其中該等彩色濾光圖案分為一第一單元、一第二單元、一第三單元、以及一第四單元，該第一單元包括兩綠色濾光片，該第二單元包括兩綠色濾光片，該第三單元包括一藍色濾光片與一紅色濾光片，該第四單元包括一藍色濾光片與一紅色濾光片，其中該第一單元沿一水平方向或沿一對角方向鄰近該第二單元；以及複數個微透鏡，形成於該等彩色濾光圖案上，其中該等微透鏡分為一第一微透鏡單元、一第二微透鏡單元、一第三微透鏡單元、以及一第四微透鏡單元，該第一 微透鏡單元包括一微透鏡，覆蓋該第一單元之該等兩綠色濾光片，該第二微透鏡單元包括一微透鏡，覆蓋該第二單元之該等兩綠色濾光片，該第三微透鏡單元包括兩微透鏡，分別覆蓋該第三單元之該一藍色濾光片與該一紅色濾光片，該第四微透鏡單元包括兩微透鏡，分別覆蓋該第四單元之該一藍色濾光片與該一紅色濾光片。
本揭露之一實施例提供一種影像感測器結構(image-sensor structure)，包括：一基板；複數個光電轉換單元，形成於該基板中；複數個彩色濾光圖案，形成於該基板與該等光電轉換單元上，其中該等彩色濾光圖案分為一第一單元、一第二單元、一第三單元、以及一第四單元，該第一單元包括一綠色濾光片與一金屬圖案，該金屬圖案鄰近該一綠色濾光片，該第二單元包括一綠色濾光片與一金屬圖案，該金屬圖案鄰近該一綠色濾光片，該第三單元包括一藍色濾光片或一紅色濾光片，該第四單元包括一藍色濾光片或一紅色濾光片，其中該第一單元沿一水平方向鄰近該第二單元；以及複數個微透鏡，形成於該等彩色濾光圖案上，其中該等微透鏡分為一第一微透鏡單元、一第二微透鏡單元、以及一第三微透鏡單元，該第一微透鏡單元包括一微透鏡，覆蓋該第一單元之該一綠色濾光片與該第二單元之該一綠色濾光片，該第二微透鏡單元包括一微透鏡，覆蓋該第三單元之該一藍色濾光片或該一紅色濾光片，該第三微透鏡單元包括一微透鏡，覆蓋該第四單元之該一藍色濾光片或該一紅色濾光片。
本揭露提供一種非傳統微透鏡，覆蓋兩相鄰綠色 畫素或光二極體。該兩綠色畫素提供兩畫素總和的綠光訊號。該兩綠色畫素亦提供相位差自動對焦訊號。
本揭露所提供特定的非傳統微透鏡形狀創造出位於兩綠色畫素介面的最大強度及兩綠色畫素總和的最大訊號。非傳統微透鏡形狀的曲率半徑亦可選擇性地部分相同於標準型微透鏡。再者，一種覆蓋一對相鄰半遮光綠色畫素的微透鏡亦適用於本揭露。此外，本揭露提供一種非傳統微透鏡，覆蓋兩綠色畫素或光二極體上的兩標準型微透鏡，且該兩標準型微透鏡的折射率大於此非傳統微透鏡的折射率。
為讓本發明之上述目的、特徵及優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附的圖式，作詳細說明如下。
10、100‧‧‧影像感測器結構
12、120‧‧‧基板
14、140‧‧‧光電轉換單元
16、160‧‧‧彩色濾光圖案
18、48、52、56、58、62、64、180、480、560、620‧‧‧微透鏡
19、19’、190‧‧‧畫素單元
20、200‧‧‧第一單元
21、21’、210‧‧‧畫素單元的陣列
22、24、28、30、220、280‧‧‧綠色濾光片
26、260‧‧‧第二單元
32、320‧‧‧第三單元
34、40‧‧‧藍色濾光片
36、42‧‧‧紅色濾光片
38、380‧‧‧第四單元
44、440‧‧‧水平方向
45‧‧‧對角方向
46、460‧‧‧第一微透鏡單元
50、540‧‧‧第二微透鏡單元
54、600‧‧‧第三微透鏡單元
60‧‧‧第四微透鏡單元
66‧‧‧微透鏡的平坦上表面
68、70‧‧‧次微透鏡
240、300‧‧‧金屬圖案
340、400‧‧‧藍色濾光片或紅色濾光片
H、H’‧‧‧微透鏡的高度
x、y‧‧‧畫素單元的延伸方向
第1圖係根據本揭露之一實施例，一種影像感測器結構的剖面示意圖；第2A圖係根據本揭露之一實施例，一種影像感測器結構的畫素單元的彩色濾光圖案排列及微透鏡外觀的上視圖；第2B圖係根據本揭露之一實施例，由第2A圖的畫素單元經重複排列所建構陣列的上視圖；第3A圖係根據本揭露之一實施例，一種影像感測器結構的畫素單元的彩色濾光圖案排列及微透鏡外觀的上視圖；第3B圖係根據本揭露之一實施例，由第3A圖的畫素單元經重複排列所建構陣列的上視圖； 第4圖係根據本揭露之一實施例，一種影像感測器結構的剖面示意圖；第5圖係根據本揭露之一實施例，一種影像感測器結構的剖面示意圖；第6圖係根據本揭露之一實施例，一種影像感測器結構的剖面示意圖；第7圖係根據本揭露之一實施例，一種影像感測器結構的剖面示意圖；第8A圖係根據本揭露之一實施例，一種影像感測器結構的畫素單元的彩色濾光圖案排列及微透鏡外觀的上視圖；以及第8B圖係根據本揭露之一實施例，由第8A圖的畫素單元經重複排列所建構陣列的上視圖。
請參閱第1圖，根據本揭露之一實施例，提供一種影像感測器結構(image-sensor structure)10。第1圖為影像感測器結構10的剖面示意圖。
影像感測器結構10包括一基板12；複數個光電轉換單元14，形成於基板12中；複數個彩色濾光圖案16，形成於基板12與光電轉換單元14上；以及複數個微透鏡18，形成於彩色濾光圖案16上。在部分實施例中，影像感測器結構10的不同畫素單元(19、19’)其不同彩色濾光圖案16的排列及微透鏡18的外觀的上視圖揭示於第2A、3A圖。
在一實施例中，請參閱第2A圖，在畫素單元19中，彩色濾光圖案16分為一第一單元20、一第二單元26、一第三單 元32、以及一第四單元38。第一單元20包括兩綠色濾光片(22、24)，第二單元26包括兩綠色濾光片(28、30)，第三單元32包括一藍色濾光片34與一紅色濾光片36，第四單元38包括一藍色濾光片40與一紅色濾光片42。在第2A圖中，第一單元20沿一水平方向44鄰近第二單元26。
此外，複數個微透鏡18分為一第一微透鏡單元46、一第二微透鏡單元50、一第三微透鏡單元54、以及一第四微透鏡單元60。第一微透鏡單元46包括一微透鏡48，覆蓋第一單元20的兩綠色濾光片(22、24)，第二微透鏡單元50包括一微透鏡52，覆蓋第二單元26的兩綠色濾光片(28、30)，第三微透鏡單元54包括兩微透鏡(56、58)，分別覆蓋第三單元32的藍色濾光片34與紅色濾光片36，第四微透鏡單元60包括兩微透鏡(62、64)，分別覆蓋第四單元38的藍色濾光片40與紅色濾光片42。
請參閱第2B圖，第2B圖是由第2A圖的畫素單元19經重複排列所建構的陣列21的上視圖。畫素單元19重複排列並沿x方向及y方向延伸形成陣列21。
在一實施例中，請參閱第3A圖，在畫素單元19’中，彩色濾光圖案16分為一第一單元20、一第二單元26、一第三單元32、以及一第四單元38。第一單元20包括兩綠色濾光片(22、24)，第二單元26包括兩綠色濾光片(28、30)，第三單元32包括一藍色濾光片34與一紅色濾光片36，第四單元38包括一藍色濾光片40與一紅色濾光片42。在第3A圖中，第一單元20沿一對角方向45鄰近第二單元26。
此外，複數個微透鏡18分為一第一微透鏡單元46、一第二微透鏡單元50、一第三微透鏡單元54、以及一第四微透鏡單元60。第一微透鏡單元46包括一微透鏡48，覆蓋第一單元20的兩綠色濾光片(22、24)，第二微透鏡單元50包括一微透鏡52，覆蓋第二單元26的兩綠色濾光片(28、30)，第三微透鏡單元54包括兩微透鏡(56、58)，分別覆蓋第三單元32的藍色濾光片34與紅色濾光片36，第四微透鏡單元60包括兩微透鏡(62、64)，分別覆蓋第四單元38的藍色濾光片40與紅色濾光片42。
請參閱第3B圖，第3B圖是由第3A圖的畫素單元19’經重複排列所建構的陣列21’的上視圖。畫素單元19’重複排列並沿x方向及y方向延伸形成陣列21’。
在部分實施例中，光電轉換單元14包括一光二極體。
在部分實施例中，第一單元20中兩綠色濾光片(22、24)沿水平方向44彼此相鄰。
在部分實施例中，第二單元26中兩綠色濾光片(28、30)沿水平方向44彼此相鄰。
在部分實施例中，第三單元32中藍色濾光片34與紅色濾光片36沿水平方向44彼此相鄰。
在部分實施例中，第四單元38中藍色濾光片40與紅色濾光片42沿水平方向44彼此相鄰。
微透鏡18的不同外觀與組合揭示於第4~6圖。第4~6圖為一部分的影像感測器結構10的剖面示意圖。
在第4圖中，第一單元20包括兩綠色濾光片(22、24)，第三單元32包括一藍色濾光片34與一紅色濾光片36，第一微透鏡單元46包括一微透鏡48，覆蓋第一單元20的兩綠色濾光片(22、24)，第三微透鏡單元54包括兩微透鏡(56、58)，分別覆蓋第三單元32的藍色濾光片34與紅色濾光片36。值得注意的是，第一微透鏡單元46的微透鏡48具有一高度H，其與第三微透鏡單元54的微透鏡(56、58)的高度H’相同。
在第5圖中，第一單元20包括兩綠色濾光片(22、24)，第三單元32包括一藍色濾光片34與一紅色濾光片36，第一微透鏡單元46包括一微透鏡48，覆蓋第一單元20的兩綠色濾光片(22、24)，第三微透鏡單元54包括兩微透鏡(56、58)，分別覆蓋第三單元32的藍色濾光片34與紅色濾光片36。值得注意的是，第一微透鏡單元46的微透鏡48包括一平坦上表面(flat upper surface)66。
在第6圖中，第一單元20包括兩綠色濾光片(22、24)，第三單元32包括一藍色濾光片34與一紅色濾光片36，第一微透鏡單元46包括一微透鏡48，覆蓋第一單元20的兩綠色濾光片(22、24)，第三微透鏡單元54包括兩微透鏡(56、58)，分別覆蓋第三單元32的藍色濾光片34與紅色濾光片36。值得注意的是，第一微透鏡單元46更包括兩次微透鏡(sub-microlenses)(68、70)，形成於微透鏡48內，並分別覆蓋第一單元20的兩綠色濾光片(22、24)。
在部分實施例中，第二微透鏡單元50更包括兩次微透鏡(sub-microlenses)(未圖示)，形成於微透鏡52內，並分別 覆蓋第二單元26的兩綠色濾光片(28、30)。
在部分實施例中，兩次微透鏡(68、70)具有一折射率，其大於第一微透鏡單元46的微透鏡48的折射率。
在部分實施例中，兩次微透鏡(68、70)具有一折射率，其大於第二微透鏡單元50的微透鏡52的折射率。
請參閱第7圖，根據本揭露之一實施例，提供一種影像感測器結構100。第7圖為影像感測器結構100的剖面示意圖。
影像感測器結構100包括一基板120；複數個光電轉換單元140，形成於基板120中；複數個彩色濾光圖案160，形成於基板120與光電轉換單元140上；以及複數個微透鏡180，形成於彩色濾光圖案160上。在部分實施例中，影像感測器結構100的畫素單元190其彩色濾光圖案160的排列及微透鏡180的外觀的上視圖揭示於第8A圖。
請參閱第8A圖，在畫素單元190中，彩色濾光圖案160分為一第一單元200、一第二單元260、一第三單元320、以及一第四單元380。第一單元200包括一綠色濾光片220與一金屬圖案(metal pattern)240，金屬圖案240鄰近綠色濾光片220，第二單元260包括一綠色濾光片280與一金屬圖案300，金屬圖案300鄰近綠色濾光片280，第三單元320包括一藍色濾光片340或一紅色濾光片340，第四單元380包括一藍色濾光片400或一紅色濾光片400。第一單元200沿一水平方向440鄰近該第二單元260。
此外，複數個微透鏡180分為一第一微透鏡單元 460、一第二微透鏡單元540、以及一第三微透鏡單元。第一微透鏡單元460包括一微透鏡480，覆蓋第一單元200的綠色濾光片220與第二單元260的綠色濾光片280，第二微透鏡單元540包括一微透鏡560，覆蓋第三單元320的藍色濾光片340或紅色濾光片340，第三微透鏡單元600包括一微透鏡620，覆蓋第四單元380的藍色濾光片400或紅色濾光片400。
在部分實施例中，第一單元200中綠色濾光片220與金屬圖案240沿水平方向440彼此相鄰。
在部分實施例中，第二單元260中綠色濾光片280與金屬圖案300沿水平方向440彼此相鄰。
請參閱第8B圖，第8B圖是由第8A圖的畫素單元190經重複排列所建構的陣列210的上視圖。畫素單元190重複排列並沿x方向及y方向延伸形成陣列210。
本揭露提供一種非傳統微透鏡，覆蓋兩相鄰綠色畫素或光二極體。該兩綠色畫素提供兩畫素總和的綠光訊號。該兩綠色畫素亦提供相位差自動對焦訊號。
本揭露所提供特定的非傳統微透鏡形狀創造出位於兩綠色畫素介面的最大強度及兩綠色畫素總和的最大訊號。非傳統微透鏡形狀的曲率半徑亦可選擇性地部分相同於標準型微透鏡。再者，一種覆蓋一對相鄰半遮光綠色畫素的微透鏡亦適用於本揭露。此外，本揭露提供一種非傳統微透鏡，覆蓋兩綠色畫素或光二極體上的兩標準型微透鏡，且該兩標準型微透鏡的折射率大於此非傳統微透鏡的折射率。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其 並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
16‧‧‧彩色濾光圖案
18‧‧‧微透鏡
19‧‧‧畫素單元
20‧‧‧第一單元
22、24、28、30‧‧‧綠色濾光片
26‧‧‧第二單元
32‧‧‧第三單元
34、40‧‧‧藍色濾光片
36、42‧‧‧紅色濾光片
38‧‧‧第四單元
44‧‧‧水平方向
46‧‧‧第一微透鏡單元
48、52、56、58、62、64‧‧‧微透鏡
50‧‧‧第二微透鏡單元
54‧‧‧第三微透鏡單元
60‧‧‧第四微透鏡單元

Claims (10)

  1. 一種影像感測器結構，包括：複數個彩色濾光圖案，分為一第一單元、一第二單元、一第三單元、以及一第四單元，該第一單元包括一綠色濾光片，該第二單元包括一綠色濾光片，該第三單元包括一藍色濾光片，該第四單元包括一紅色濾光片，其中該第一單元鄰近該第二單元；以及複數個微透鏡，形成於該等彩色濾光圖案上，其中該等微透鏡分為一第一微透鏡單元、一第二微透鏡單元、以及一第三微透鏡單元，該第一微透鏡單元具有至少一微透鏡，於該第一單元之該一綠色濾光片與該第二單元之該一綠色濾光片上，該第二微透鏡單元於該第三單元之該一藍色濾光片上，該第三微透鏡單元於該第四單元之該一紅色濾光片上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器結構，其中該第一單元沿一水平方向鄰近該第二單元，該第一單元更包括另一綠色濾光片，沿一水平方向鄰近該一綠色濾光片，以及該第二單元更包括另一綠色濾光片，沿一水平方向鄰近該一綠色濾光片。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器結構，其中該第三單元更包括另一紅色濾光片，沿一水平方向鄰近該一藍色濾光片，以及該第四單元更包括另一藍色濾光片，沿一水平方向鄰近該一紅色濾光片。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器結構，其中該第一 單元更包括一金屬圖案，沿一水平方向鄰近該一綠色濾光片，以及該第二單元更包括一金屬圖案，沿一水平方向鄰近該一綠色濾光片。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器結構，其中該第一微透鏡單元之該一微透鏡具有一高度，其與該第二微透鏡單元及該第三微透鏡單元之該等微透鏡之高度相同。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器結構，其中該第一微透鏡單元之該一微透鏡包括一平坦上表面。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器結構，其中該第一微透鏡單元更包括兩次微透鏡(sub-microlenses)，為該一微透鏡所覆蓋，該等兩次微透鏡分別於該第一單元之該一綠色濾光片與該第二單元之該一綠色濾光片上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之影像感測器結構，其中該等兩次微透鏡具有一折射率，其大於該第一微透鏡單元之該一微透鏡之折射率。
  9. 一種影像感測器結構，包括：一基板；複數個光電轉換單元，形成於該基板中；複數個彩色濾光圖案，形成於該基板與該等光電轉換單元上，其中該等彩色濾光圖案分為一第一單元、一第二單元、一第三單元、以及一第四單元，該第一單元包括兩綠色濾光片，該第二單元包括兩綠色濾光片，該第三單元包括一藍色濾光片與一紅色濾光片，該第四單元包括一藍色濾光片與一紅色濾光片，其中該第一單元沿一水平方向或沿一 對角方向鄰近該第二單元；以及複數個微透鏡，形成於該等彩色濾光圖案上，其中該等微透鏡分為一第一微透鏡單元、一第二微透鏡單元、一第三微透鏡單元、以及一第四微透鏡單元，該第一微透鏡單元包括一微透鏡，覆蓋該第一單元之該等兩綠色濾光片，該第二微透鏡單元包括一微透鏡，覆蓋該第二單元之該等兩綠色濾光片，該第三微透鏡單元包括兩微透鏡，分別覆蓋該第三單元之該一藍色濾光片與該一紅色濾光片，該第四微透鏡單元包括兩微透鏡，分別覆蓋該第四單元之該一藍色濾光片與該一紅色濾光片。
  10. 一種影像感測器結構，包括：一基板；複數個光電轉換單元，形成於該基板中；複數個彩色濾光圖案，形成於該基板與該等光電轉換單元上，其中該等彩色濾光圖案分為一第一單元、一第二單元、一第三單元、以及一第四單元，該第一單元包括一綠色濾光片與一金屬圖案，該金屬圖案鄰近該一綠色濾光片，該第二單元包括一綠色濾光片與一金屬圖案，該金屬圖案鄰近該一綠色濾光片，該第三單元包括一藍色濾光片或一紅色濾光片，該第四單元包括一藍色濾光片或一紅色濾光片，其中該第一單元沿一水平方向鄰近該第二單元；以及複數個微透鏡，形成於該等彩色濾光圖案上，其中該等微透鏡分為一第一微透鏡單元、一第二微透鏡單元、以及一第三微透鏡單元，該第一微透鏡單元包括一微透鏡，覆蓋 該第一單元之該一綠色濾光片與該第二單元之該一綠色濾光片，該第二微透鏡單元包括一微透鏡，覆蓋該第三單元之該一藍色濾光片或該一紅色濾光片，該第三微透鏡單元包括一微透鏡，覆蓋該第四單元之該一藍色濾光片或該一紅色濾光片。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10297629B2 (en) * 2017-09-11 2019-05-21 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with in-pixel lens arrays
US10312280B2 (en) 2017-09-28 2019-06-04 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with diffractive lenses for stray light control
US10283543B2 (en) 2017-09-28 2019-05-07 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with diffractive lenses
US20190339422A1 (en) * 2018-05-03 2019-11-07 Visera Technologies Company Limited Method for forming micro-lens array and photomask therefor
US10483309B1 (en) 2018-09-07 2019-11-19 Semiductor Components Industries, Llc Image sensors with multipart diffractive lenses
US10957727B2 (en) 2018-09-26 2021-03-23 Semiconductor Components Industries, Llc Phase detection pixels with diffractive lenses
US10686000B1 (en) * 2019-04-12 2020-06-16 Visera Technologies Company Limited Solid-state imaging device
TW202044566A (zh) 2019-05-10 2020-12-01 日商索尼半導體解決方案公司 攝像元件及電子機器
KR20210047687A (ko) * 2019-10-22 2021-04-30 삼성전자주식회사 위상 검출 픽셀을 포함하는 이미지 센서
WO2021085367A1 (ja) * 2019-10-30 2021-05-06 富士フイルム株式会社 光学素子、光学装置、及び撮像装置
CN111175982B (zh) * 2020-02-24 2023-01-17 京东方科技集团股份有限公司 近眼显示装置和可穿戴设备
KR20220068034A (ko) * 2020-11-18 2022-05-25 삼성전자주식회사 카메라 모듈 및 카메라 모듈을 포함하는 전자 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201440522A (zh) * 2013-03-25 2014-10-16 Sony Corp 攝像元件及電子機器
CN105493285A (zh) * 2014-07-03 2016-04-13 索尼公司 固态成像器件及电子设备
WO2016115338A1 (en) * 2015-01-14 2016-07-21 Emanuele Mandelli Phase-detect autofocus

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4835136B2 (ja) * 2005-12-06 2011-12-14 株式会社ニコン 焦点検出用信号の生成機能を有する固体撮像装置、および電子カメラ
JP4946294B2 (ja) * 2006-09-14 2012-06-06 ソニー株式会社 撮像素子および撮像装置
JP5076416B2 (ja) * 2006-09-14 2012-11-21 株式会社ニコン 撮像素子および撮像装置
JP2010169709A (ja) * 2009-01-20 2010-08-05 Sony Corp 撮像素子および撮像装置
JP5375359B2 (ja) * 2009-06-22 2013-12-25 ソニー株式会社 撮像素子、電荷読み出し方法、撮像装置
JP5471117B2 (ja) * 2009-07-24 2014-04-16 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法並びにカメラ
US8742309B2 (en) * 2011-01-28 2014-06-03 Aptina Imaging Corporation Imagers with depth sensing capabilities
US20140183334A1 (en) * 2013-01-03 2014-07-03 Visera Technologies Company Limited Image sensor for light field device and manufacturing method thereof
JP2015014709A (ja) * 2013-07-05 2015-01-22 能美防災株式会社 遮光剤、目標物表面の遮光装置、および目標物表面の遮光方法
US20160139988A1 (en) * 2013-07-31 2016-05-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory unit
JP6233188B2 (ja) * 2013-12-12 2017-11-22 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
KR102189675B1 (ko) * 2014-04-30 2020-12-11 삼성전자주식회사 광 이용 효율이 향상된 이미지 센서
JP2015230355A (ja) * 2014-06-04 2015-12-21 リコーイメージング株式会社 撮像装置および撮像素子
JP2016001682A (ja) * 2014-06-12 2016-01-07 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
KR20160010986A (ko) * 2014-07-21 2016-01-29 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
KR102593800B1 (ko) * 2014-12-18 2023-10-25 소니그룹주식회사 고체 촬상 소자, 및 전자 장치
US20160181309A1 (en) * 2014-12-22 2016-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Microlens and method of manufacturing microlens
JP2016139988A (ja) * 2015-01-28 2016-08-04 株式会社東芝 固体撮像装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201440522A (zh) * 2013-03-25 2014-10-16 Sony Corp 攝像元件及電子機器
CN105493285A (zh) * 2014-07-03 2016-04-13 索尼公司 固态成像器件及电子设备
WO2016115338A1 (en) * 2015-01-14 2016-07-21 Emanuele Mandelli Phase-detect autofocus

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