CN107644884B - 影像传感器结构 - Google Patents

影像传感器结构 Download PDF

Info

Publication number
CN107644884B
CN107644884B CN201611186882.0A CN201611186882A CN107644884B CN 107644884 B CN107644884 B CN 107644884B CN 201611186882 A CN201611186882 A CN 201611186882A CN 107644884 B CN107644884 B CN 107644884B
Authority
CN
China
Prior art keywords
unit
microlens
filter
green
microlenses
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201611186882.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107644884A (zh
Inventor
谢锦全
王唯科
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
VisEra Technologies Co Ltd
Original Assignee
VisEra Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by VisEra Technologies Co Ltd filed Critical VisEra Technologies Co Ltd
Publication of CN107644884A publication Critical patent/CN107644884A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107644884B publication Critical patent/CN107644884B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers

Landscapes

  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Focusing (AREA)
  • Blocking Light For Cameras (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Automatic Focus Adjustment (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Abstract

本公开提供一种影像传感器结构。该影像传感器结构包括多个彩色滤光图案，分为一第一单元、一第二单元、一第三单元、以及一第四单元，该第一单元包括一绿色滤光片，该第二单元包括一绿色滤光片，该第三单元包括一蓝色滤光片，该第四单元包括一红色滤光片，其中该第一单元邻近该第二单元；以及多个微透镜，形成于多个所述彩色滤光图案上，其中多个所述微透镜分为一第一微透镜单元、一第二微透镜单元、以及一第三微透镜单元，该第一微透镜单元具有一微透镜，于该第一单元的该一绿色滤光片与该第二单元的该一绿色滤光片上，该第二微透镜单元于该第三单元的该一蓝色滤光片上，该第三微透镜单元于该第四单元的该一红色滤光片上。

Description

影像传感器结构
技术领域
本公开有关于一种影像传感器结构，特别是有关于一种具有共享式微透镜的影像传感器结构。
背景技术
影像传感器(image sensor)为一种将光影像转换为电信号的半导体元件。影像传感器一般分为电荷耦合元件(CCD)与互补式金氧半(CMOS)影像传感器。上述影像传感器中，互补式金氧半影像传感器包括用来检测入射光并将其转换为电信号的光二极管，以及用来传输与处理电信号的逻辑电路。
近年来，相位检测自动对焦(phase detection autofocus，PDAF)技术已导入例如数位单镜反光相机(DSLR)、数位静态相机(DSC)及智慧手机相机等电子产品。其原理是提供一对其上安装有微透镜的半遮光绿色像素。此两绿色像素的信号差异即创造出相位检测自动对焦(PDAF)的功能。然而，该两半遮光的绿色像素会损失一半的入射光，低于标准的绿色像素，导致较差的信号撷取。
因此，开发一种可实施相位检测自动对焦(PDAF)功能且具有优质影像获取效果的新颖式影像传感器结构是众所期待的。
发明内容
本公开的一实施例提供一种影像传感器结构(image-sensor structure)，包括：多个彩色滤光图案，分为一第一单元、一第二单元、一第三单元、以及一第四单元，该第一单元包括一绿色滤光片，该第二单元包括一绿色滤光片，该第三单元包括一蓝色滤光片，该第四单元包括一红色滤光片，其中该第一单元邻近该第二单元；以及多个微透镜，形成于多个所述彩色滤光图案上，其中多个所述微透镜分为一第一微透镜单元、一第二微透镜单元、以及一第三微透镜单元，该第一微透镜单元具有一微透镜，于该第一单元的该一绿色滤光片与该第二单元的该一绿色滤光片上，该第二微透镜单元于该第三单元的该一蓝色滤光片上，该第三微透镜单元于该第四单元的该一红色滤光片上。
本公开的一实施例提供一种影像传感器结构(image-sensor structure)，包括：一基板；多个光电转换单元，形成于该基板中；多个彩色滤光图案，形成于该基板与多个所述光电转换单元上，其中多个所述彩色滤光图案分为一第一单元、一第二单元、一第三单元、以及一第四单元，该第一单元包括两绿色滤光片，该第二单元包括两绿色滤光片，该第三单元包括一蓝色滤光片与一红色滤光片，该第四单元包括一蓝色滤光片与一红色滤光片，其中该第一单元沿一水平方向或沿一对角方向邻近该第二单元；以及多个微透镜，形成于多个所述彩色滤光图案上，其中多个所述微透镜分为一第一微透镜单元、一第二微透镜单元、一第三微透镜单元、以及一第四微透镜单元，该第一微透镜单元包括一微透镜，覆盖该第一单元的多个所述两绿色滤光片，该第二微透镜单元包括一微透镜，覆盖该第二单元的多个所述两绿色滤光片，该第三微透镜单元包括两微透镜，分别覆盖该第三单元的该一蓝色滤光片与该一红色滤光片，该第四微透镜单元包括两微透镜，分别覆盖该第四单元的该一蓝色滤光片与该一红色滤光片。
本公开的一实施例提供一种影像传感器结构(image-sensor structure)，包括：一基板；多个光电转换单元，形成于该基板中；多个彩色滤光图案，形成于该基板与多个所述光电转换单元上，其中多个所述彩色滤光图案分为一第一单元、一第二单元、一第三单元、以及一第四单元，该第一单元包括一绿色滤光片与一金属图案，该金属图案邻近该一绿色滤光片，该第二单元包括一绿色滤光片与一金属图案，该金属图案邻近该一绿色滤光片，该第三单元包括一蓝色滤光片或一红色滤光片，该第四单元包括一蓝色滤光片或一红色滤光片，其中该第一单元沿一水平方向邻近该第二单元；以及多个微透镜，形成于多个所述彩色滤光图案上，其中多个所述微透镜分为一第一微透镜单元、一第二微透镜单元、以及一第三微透镜单元，该第一微透镜单元包括一微透镜，覆盖该第一单元的该一绿色滤光片与该第二单元的该一绿色滤光片，该第二微透镜单元包括一微透镜，覆盖该第三单元的该一蓝色滤光片或该一红色滤光片，该第三微透镜单元包括一微透镜，覆盖该第四单元的该一蓝色滤光片或该一红色滤光片。
本公开提供一种非传统微透镜，覆盖两相邻绿色像素或光二极管。该两绿色像素提供两像素总和的绿光信号。该两绿色像素亦提供相位差自动对焦信号。
本公开所提供特定的非传统微透镜形状创造出位于两绿色像素介面的最大强度及两绿色像素总和的最大信号。非传统微透镜形状的曲率半径亦可选择性地部分相同于标准型微透镜。再者，一种覆盖一对相邻半遮光绿色像素的微透镜亦适用于本公开。此外，本公开提供一种非传统微透镜，覆盖两绿色像素或光二极管上的两标准型微透镜，且该两标准型微透镜的折射率大于此非传统微透镜的折射率。
为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下。
附图说明
图1是根据本公开的一实施例，一种影像传感器结构的剖面示意图；
图2A是根据本公开的一实施例，一种影像传感器结构的像素单元的彩色滤光图案排列及微透镜外观的俯视图；
图2B是根据本公开的一实施例，由图2A的像素单元经重复排列所建构阵列的俯视图；
图3A是根据本公开的一实施例，一种影像传感器结构的像素单元的彩色滤光图案排列及微透镜外观的俯视图；
图3B是根据本公开的一实施例，由图3A的像素单元经重复排列所建构阵列的俯视图；
图4是根据本公开的一实施例，一种影像传感器结构的剖面示意图；
图5是根据本公开的一实施例，一种影像传感器结构的剖面示意图；
图6是根据本公开的一实施例，一种影像传感器结构的剖面示意图；
图7是根据本公开的一实施例，一种影像传感器结构的剖面示意图；
图8A是根据本公开的一实施例，一种影像传感器结构的像素单元的彩色滤光图案排列及微透镜外观的俯视图；以及
图8B是根据本公开的一实施例，由图8A的像素单元经重复排列所建构阵列的俯视图。
【符号说明】
10、100～影像传感器结构；
12、120～基板；
14、140～光电转换单元；
16、160～彩色滤光图案；
18、48、52、56、58、62、64、180、480、560、620～微透镜；
19、19’、190～像素单元；
20、200～第一单元；
21、21’、210～像素单元的阵列；
22、24、28、30、220、280～绿色滤光片；
26、260～第二单元；
32、320～第三单元；
34、40～蓝色滤光片；
36、42～红色滤光片；
38、380～第四单元；
44、440～水平方向；
45～对角方向；
46、460～第一微透镜单元；
50、540～第二微透镜单元；
54、600～第三微透镜单元；
60～第四微透镜单元；
66～微透镜的平坦上表面；
68、70～次微透镜；
240、300～金属图案；
340、400～蓝色滤光片或红色滤光片；
H、H’～微透镜的高度；
x、y～像素单元的延伸方向。
具体实施方式
请参阅图1，根据本公开的一实施例，提供一种影像传感器结构(image-sensorstructure)10。图1为影像传感器结构10的剖面示意图。
影像传感器结构10包括一基板12；多个光电转换单元14，形成于基板12中；多个彩色滤光图案16，形成于基板12与光电转换单元14上；以及多个微透镜18，形成于彩色滤光图案16上。在部分实施例中，影像传感器结构10的不同像素单元(19、19’)其不同彩色滤光图案16的排列及微透镜18的外观的俯视图揭示于第2A、3A图。
在一实施例中，请参阅图2A，在像素单元19中，彩色滤光图案16分为一第一单元20、一第二单元26、一第三单元32、以及一第四单元38。第一单元20包括两绿色滤光片(22、24)，第二单元26包括两绿色滤光片(28、30)，第三单元32包括一蓝色滤光片34与一红色滤光片36，第四单元38包括一蓝色滤光片40与一红色滤光片42。在图2A中，第一单元20沿一水平方向44邻近第二单元26。
此外，多个微透镜18分为一第一微透镜单元46、一第二微透镜单元50、一第三微透镜单元54、以及一第四微透镜单元60。第一微透镜单元46包括一微透镜48，覆盖第一单元20的两绿色滤光片(22、24)，第二微透镜单元50包括一微透镜52，覆盖第二单元26的两绿色滤光片(28、30)，第三微透镜单元54包括两微透镜(56、58)，分别覆盖第三单元32的蓝色滤光片34与红色滤光片36，第四微透镜单元60包括两微透镜(62、64)，分别覆盖第四单元38的蓝色滤光片40与红色滤光片42。
请参阅图2B，图2B是由图2A的像素单元19经重复排列所建构的阵列21的俯视图。像素单元19重复排列并沿x方向及y方向延伸形成阵列21。
在一实施例中，请参阅图3A，在像素单元19’中，彩色滤光图案16分为一第一单元20、一第二单元26、一第三单元32、以及一第四单元38。第一单元20包括两绿色滤光片(22、24)，第二单元26包括两绿色滤光片(28、30)，第三单元32包括一蓝色滤光片34与一红色滤光片36，第四单元38包括一蓝色滤光片40与一红色滤光片42。在图3A中，第一单元20沿一对角方向45邻近第二单元26。
此外，多个微透镜18分为一第一微透镜单元46、一第二微透镜单元50、一第三微透镜单元54、以及一第四微透镜单元60。第一微透镜单元46包括一微透镜48，覆盖第一单元20的两绿色滤光片(22、24)，第二微透镜单元50包括一微透镜52，覆盖第二单元26的两绿色滤光片(28、30)，第三微透镜单元54包括两微透镜(56、58)，分别覆盖第三单元32的蓝色滤光片34与红色滤光片36，第四微透镜单元60包括两微透镜(62、64)，分别覆盖第四单元38的蓝色滤光片40与红色滤光片42。
请参阅图3B，图3B是由图3A的像素单元19’经重复排列所建构的阵列21’的俯视图。像素单元19’重复排列并沿x方向及y方向延伸形成阵列21’。
在部分实施例中，光电转换单元14包括一光二极管。
在部分实施例中，第一单元20中两绿色滤光片(22、24)沿水平方向44彼此相邻。
在部分实施例中，第二单元26中两绿色滤光片(28、30)沿水平方向44彼此相邻。
在部分实施例中，第三单元32中蓝色滤光片34与红色滤光片36沿水平方向44彼此相邻。
在部分实施例中，第四单元38中蓝色滤光片40与红色滤光片42沿水平方向44彼此相邻。
微透镜18的不同外观与组合揭示于图4～图6。图4～图6为一部分的影像传感器结构10的剖面示意图。
在图4中，第一单元20包括两绿色滤光片(22、24)，第三单元32包括一蓝色滤光片34与一红色滤光片36，第一微透镜单元46包括一微透镜48，覆盖第一单元20的两绿色滤光片(22、24)，第三微透镜单元54包括两微透镜(56、58)，分别覆盖第三单元32的蓝色滤光片34与红色滤光片36。值得注意的是，第一微透镜单元46的微透镜48具有一高度H，其与第三微透镜单元54的微透镜(56、58)的高度H’相同。
在图5中，第一单元20包括两绿色滤光片(22、24)，第三单元32包括一蓝色滤光片34与一红色滤光片36，第一微透镜单元46包括一微透镜48，覆盖第一单元20的两绿色滤光片(22、24)，第三微透镜单元54包括两微透镜(56、58)，分别覆盖第三单元32的蓝色滤光片34与红色滤光片36。值得注意的是，第一微透镜单元46的微透镜48包括一平坦上表面(flatupper surface)66。
在图6中，第一单元20包括两绿色滤光片(22、24)，第三单元32包括一蓝色滤光片34与一红色滤光片36，第一微透镜单元46包括一微透镜48，覆盖第一单元20的两绿色滤光片(22、24)，第三微透镜单元54包括两微透镜(56、58)，分别覆盖第三单元32的蓝色滤光片34与红色滤光片36。值得注意的是，第一微透镜单元46还包括两次微透镜(sub-microlenses)(68、70)，形成于微透镜48内，并分别覆盖第一单元20的两绿色滤光片(22、24)。
在部分实施例中，第二微透镜单元50还包括两次微透镜(sub-microlenses)(未图示)，形成于微透镜52内，并分别覆盖第二单元26的两绿色滤光片(28、30)。
在部分实施例中，两次微透镜(68、70)具有一折射率，其大于第一微透镜单元46的微透镜48的折射率。
在部分实施例中，两次微透镜(68、70)具有一折射率，其大于第二微透镜单元50的微透镜52的折射率。
请参阅图7，根据本公开的一实施例，提供一种影像传感器结构100。图7为影像传感器结构100的剖面示意图。
影像传感器结构100包括一基板120；多个光电转换单元140，形成于基板120中；多个彩色滤光图案160，形成于基板120与光电转换单元140上；以及多个微透镜180，形成于彩色滤光图案160上。在部分实施例中，影像传感器结构100的像素单元190其彩色滤光图案160的排列及微透镜180的外观的俯视图揭示于图8A。
请参阅图8A，在像素单元190中，彩色滤光图案160分为一第一单元200、一第二单元260、一第三单元320、以及一第四单元380。第一单元200包括一绿色滤光片220与一金属图案(metal pattern)240，金属图案240邻近绿色滤光片220，第二单元260包括一绿色滤光片280与一金属图案300，金属图案300邻近绿色滤光片280，第三单元320包括一蓝色滤光片340或一红色滤光片340，第四单元380包括一蓝色滤光片400或一红色滤光片400。第一单元200沿一水平方向440邻近该第二单元260。
此外，多个微透镜180分为一第一微透镜单元460、一第二微透镜单元540、以及一第三微透镜单元。第一微透镜单元460包括一微透镜480，覆盖第一单元200的绿色滤光片220与第二单元260的绿色滤光片280，第二微透镜单元540包括一微透镜560，覆盖第三单元320的蓝色滤光片340或红色滤光片340，第三微透镜单元600包括一微透镜620，覆盖第四单元380的蓝色滤光片400或红色滤光片400。
在部分实施例中，第一单元200中绿色滤光片220与金属图案240沿水平方向440彼此相邻。
在部分实施例中，第二单元260中绿色滤光片280与金属图案300沿水平方向440彼此相邻。
请参阅图8B，图8B是由图8A的像素单元190经重复排列所建构的阵列210的俯视图。像素单元190重复排列并沿x方向及y方向延伸形成阵列210。
本公开提供一种非传统微透镜，覆盖两相邻绿色像素或光二极管。该两绿色像素提供两像素总和的绿光信号。该两绿色像素亦提供相位差自动对焦信号。
本公开所提供特定的非传统微透镜形状创造出位于两绿色像素介面的最大强度及两绿色像素总和的最大信号。非传统微透镜形状的曲率半径亦可选择性地部分相同于标准型微透镜。再者，一种覆盖一对相邻半遮光绿色像素的微透镜亦适用于本公开。此外，本公开提供一种非传统微透镜，覆盖两绿色像素或光二极管上的两标准型微透镜，且该两标准型微透镜的折射率大于此非传统微透镜的折射率。
虽然本发明已以数个较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作任意的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定的为准。

Claims (4)

1.一种影像传感器结构，其特征在于，包括：
多个彩色滤光图案，分为一第一单元、一第二单元、一第三单元、以及一第四单元，该第一单元包括一绿色滤光片，该第二单元包括一绿色滤光片，该第三单元包括一蓝色滤光片，该第四单元包括一红色滤光片，其中该第一单元邻近该第二单元；以及
多个微透镜，形成于多个所述彩色滤光图案上，其中多个所述微透镜分为一第一微透镜单元、一第二微透镜单元、以及一第三微透镜单元，该第一微透镜单元具有一微透镜，于该第一单元的该一绿色滤光片与该第二单元的该一绿色滤光片上，该第二微透镜单元于该第三单元的该一蓝色滤光片上，该第三微透镜单元于该第四单元的该一红色滤光片上，其中该第一微透镜单元还包括两次微透镜，为该第一微透镜单元的该一微透镜所覆盖，所述两次微透镜分别于该第一单元的该一绿色滤光片与该第二单元的该一绿色滤光片上，所述两次微透镜具有一折射率，其大于该第一微透镜单元的该一微透镜的折射率。
2.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中该第一单元还包括一金属图案，沿一水平方向邻近该第一单元的该一绿色滤光片，以及该第二单元还包括一金属图案，沿一水平方向邻近该第二单元的该一绿色滤光片。
3.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中该第一微透镜单元的该一微透镜包括一平坦上表面。
4.一种影像传感器结构，包括：
一基板；
多个光电转换单元，形成于该基板中；
多个彩色滤光图案，形成于该基板与多个所述光电转换单元上，其中多个所述彩色滤光图案分为一第一单元、一第二单元、一第三单元、以及一第四单元，该第一单元包括两绿色滤光片，该第二单元包括两绿色滤光片，该第三单元包括一蓝色滤光片与一红色滤光片，该第四单元包括一蓝色滤光片与一红色滤光片，其中该第一单元沿一水平方向或沿一对角方向邻近该第二单元；以及
多个微透镜，形成于多个所述彩色滤光图案上，其中多个所述微透镜分为一第一微透镜单元、一第二微透镜单元、一第三微透镜单元、以及一第四微透镜单元，该第一微透镜单元包括一微透镜，覆盖该第一单元的所述两绿色滤光片，该第二微透镜单元包括一微透镜，覆盖该第二单元的所述两绿色滤光片，该第三微透镜单元包括两微透镜，分别覆盖该第三单元的该一蓝色滤光片与该一红色滤光片，该第四微透镜单元包括两微透镜，分别覆盖该第四单元的该一蓝色滤光片与该一红色滤光片，其中该第一微透镜单元还包括两次微透镜，为第一微透镜单元的该一微透镜所覆盖，所述两次微透镜具有一折射率，其大于该第一微透镜单元的该一微透镜的折射率。
CN201611186882.0A 2016-07-21 2016-12-20 影像传感器结构 Active CN107644884B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/215,995 US20180026065A1 (en) 2016-07-21 2016-07-21 Image-sensor structures
US15/215,995 2016-07-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107644884A CN107644884A (zh) 2018-01-30
CN107644884B true CN107644884B (zh) 2020-11-17

Family

ID=60988834

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611186882.0A Active CN107644884B (zh) 2016-07-21 2016-12-20 影像传感器结构

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20180026065A1 (zh)
JP (1) JP6341969B2 (zh)
CN (1) CN107644884B (zh)
TW (1) TWI615637B (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10297629B2 (en) * 2017-09-11 2019-05-21 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with in-pixel lens arrays
US10312280B2 (en) 2017-09-28 2019-06-04 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with diffractive lenses for stray light control
US10283543B2 (en) 2017-09-28 2019-05-07 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with diffractive lenses
US20190339422A1 (en) * 2018-05-03 2019-11-07 Visera Technologies Company Limited Method for forming micro-lens array and photomask therefor
US10483309B1 (en) 2018-09-07 2019-11-19 Semiductor Components Industries, Llc Image sensors with multipart diffractive lenses
US10957727B2 (en) 2018-09-26 2021-03-23 Semiconductor Components Industries, Llc Phase detection pixels with diffractive lenses
US10686000B1 (en) * 2019-04-12 2020-06-16 Visera Technologies Company Limited Solid-state imaging device
WO2020230675A1 (ja) 2019-05-10 2020-11-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および電子機器
KR20210047687A (ko) * 2019-10-22 2021-04-30 삼성전자주식회사 위상 검출 픽셀을 포함하는 이미지 센서
JP7290742B2 (ja) * 2019-10-30 2023-06-13 富士フイルム株式会社 光学素子、光学装置、及び撮像装置
CN111175982B (zh) * 2020-02-24 2023-01-17 京东方科技集团股份有限公司 近眼显示装置和可穿戴设备
KR20220045665A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 삼성전자주식회사 이미지 센서
KR20220061302A (ko) * 2020-11-05 2022-05-13 삼성전자주식회사 이미지 센서
KR20220068034A (ko) 2020-11-18 2022-05-25 삼성전자주식회사 카메라 모듈 및 카메라 모듈을 포함하는 전자 장치
KR20220098500A (ko) * 2021-01-04 2022-07-12 삼성전자주식회사 이미지 센서

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105378926A (zh) * 2014-06-12 2016-03-02 索尼公司 固态成像器件、固态成像器件的制造方法及电子装置
WO2016098640A1 (ja) * 2014-12-18 2016-06-23 ソニー株式会社 固体撮像素子、および電子装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4835136B2 (ja) * 2005-12-06 2011-12-14 株式会社ニコン 焦点検出用信号の生成機能を有する固体撮像装置、および電子カメラ
JP5076416B2 (ja) * 2006-09-14 2012-11-21 株式会社ニコン 撮像素子および撮像装置
JP4946294B2 (ja) * 2006-09-14 2012-06-06 ソニー株式会社 撮像素子および撮像装置
JP2010169709A (ja) * 2009-01-20 2010-08-05 Sony Corp 撮像素子および撮像装置
JP5375359B2 (ja) * 2009-06-22 2013-12-25 ソニー株式会社 撮像素子、電荷読み出し方法、撮像装置
JP5471117B2 (ja) * 2009-07-24 2014-04-16 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法並びにカメラ
US8742309B2 (en) * 2011-01-28 2014-06-03 Aptina Imaging Corporation Imagers with depth sensing capabilities
US20140183334A1 (en) * 2013-01-03 2014-07-03 Visera Technologies Company Limited Image sensor for light field device and manufacturing method thereof
TWI620445B (zh) * 2013-03-25 2018-04-01 Sony Corp 攝像元件及電子機器
JP2015014709A (ja) * 2013-07-05 2015-01-22 能美防災株式会社 遮光剤、目標物表面の遮光装置、および目標物表面の遮光方法
WO2015016877A1 (en) * 2013-07-31 2015-02-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory unit
JP6233188B2 (ja) * 2013-12-12 2017-11-22 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
KR102189675B1 (ko) * 2014-04-30 2020-12-11 삼성전자주식회사 광 이용 효율이 향상된 이미지 센서
JP2015230355A (ja) * 2014-06-04 2015-12-21 リコーイメージング株式会社 撮像装置および撮像素子
JP2016015430A (ja) * 2014-07-03 2016-01-28 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子機器
KR20160010986A (ko) * 2014-07-21 2016-01-29 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
US20160181309A1 (en) * 2014-12-22 2016-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Microlens and method of manufacturing microlens
US9973678B2 (en) * 2015-01-14 2018-05-15 Invisage Technologies, Inc. Phase-detect autofocus
JP2016139988A (ja) * 2015-01-28 2016-08-04 株式会社東芝 固体撮像装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105378926A (zh) * 2014-06-12 2016-03-02 索尼公司 固态成像器件、固态成像器件的制造方法及电子装置
WO2016098640A1 (ja) * 2014-12-18 2016-06-23 ソニー株式会社 固体撮像素子、および電子装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20180026065A1 (en) 2018-01-25
JP2018014476A (ja) 2018-01-25
TWI615637B (zh) 2018-02-21
TW201804175A (zh) 2018-02-01
JP6341969B2 (ja) 2018-06-13
CN107644884A (zh) 2018-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107644884B (zh) 影像传感器结构
CN106057833B (zh) 影像感测器
KR102437162B1 (ko) 이미지 센서
JP4418443B2 (ja) 半導体感光デバイス用イメージセンサー及びこれを用いたイメージセンサー処理装置。
CN101778221B (zh) 固态成像装置
KR101373132B1 (ko) 마이크로 렌즈를 이용한 위상차 검출 픽셀
US10506187B2 (en) Image sensor having dual microlenses for each auto-focus (AF) pixel
CN108807432B (zh) 影像感测器结构
RU2554292C2 (ru) Датчик изображения и устройство формирования изображения
CN107425022A (zh) 固态成像装置和电子设备
US9525005B2 (en) Image sensor device, CIS structure, and method for forming the same
US9374538B2 (en) Image sensor with embedded infrared filter layer
TW201608712A (zh) 影像感測裝置及其製造方法
JP5965448B2 (ja) 撮像装置
CN103364926A (zh) 阵列式镜头模组
TWM249381U (en) Image sensor
CN203350517U (zh) 阵列式镜头模组
CN215008240U (zh) 一种图像传感器及电子设备
CN102569327A (zh) 内置菲涅耳透镜的图像传感器及其制造方法
JP2018110147A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
CN110418088B (zh) 一种像素结构、图像传感器及终端
TWI804785B (zh) 具有偏光器之光感測系統及光感測器
JP2012094601A (ja) 固体撮像装置及び撮像装置
JP2010258466A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
KR100872710B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant