TWI761898B - 光學指紋辨識系統及光學指紋辨識裝置 - Google Patents

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Abstract

一種光學指紋辨識系統，包含一底座、一感光元件、一發光層以及一保護層。感光元件設置於底座的上方。發光層設置於感光元件的上方，且發光層包含一發光元件。保護層設置於發光層的上方。光學指紋辨識系統於感光元件與保護層之間更包含一光路轉向元件。發光元件設置於光路轉向元件與感光元件的一側邊方向，且側邊方向不同於光學指紋辨識系統的疊層方向。

Description

光學指紋辨識系統及光學指紋辨識裝置
本發明係關於一種光學指紋辨識系統及光學指紋辨識裝置，特別是一種適用於光學指紋辨識裝置的光學指紋辨識系統。
近年來，由於智慧行動裝置的普及，大量的個人資訊儲存於智慧行動裝置，使得智慧行動裝置的資訊安全需求已明顯地提高。目前市面上提供眾多種類的安全系統，諸如有圖形密碼認證系統、指紋辨識系統以及人臉辨識系統，其中又以指紋辨識系統的普及率最高。在指紋辨識系統中，過去以採用電容式裝置為大宗，但現今因應智慧行動裝置朝向高螢幕佔比的需求，而使得螢幕下指紋辨識系統快速發展。螢幕下指紋辨識系統大多分為光學式與超音波兩種，其中光學式因具備高辨識準確率以及易整合於智慧型裝置等優點，進而快速普及。
以往光學式螢幕下指紋辨識系統大多配置於螢幕下方，並利用螢幕為光源，而將光線投射至使用者的指紋後再反射於螢幕下方的感光元件，藉以記錄使用者的指紋，並進行指紋辨識的程序。然而，這樣的配置在擷取指紋影像時，會一併擷取到許多螢幕模組中的元件殘像，因而容易產生莫列波紋（Moire Effect），使得指紋的影像品質較差，且指紋辨識的難度亦較高。
鑒於以上提到的問題，本發明提供一種光學指紋辨識系統以及光學指紋辨識裝置，有助於改善在擷取指紋影像時會一併擷取到螢幕模組中之元件殘像的問題，以得到高辨識準確率及高指紋影像品質的光學指紋辨識系統與光學指紋辨識裝置。
本發明提供一種光學指紋辨識系統，包含一底座、一感光元件、一發光層以及一保護層。感光元件設置於底座的上方。發光層設置於感光元件的上方，且發光層包含一發光元件。保護層設置於發光層的上方。光學指紋辨識系統於感光元件與保護層之間更包含一光路轉向元件。發光元件設置於光路轉向元件與感光元件的一側邊方向，且所述側邊方向不同於光學指紋辨識系統的一疊層方向。
本發明提供一種光學指紋辨識裝置，包含多個發光元件、多個光路轉向元件以及多個感光元件。發光元件分別在一第一方向與一第二方向上等間隔地設置，其中第一方向實質上垂直於第二方向。光路轉向元件在光學指紋辨識裝置的一疊層方向上位於發光元件的上方，光路轉向元件在第一方向上等間隔地設置，且光路轉向元件各自在第一方向上位於各二相鄰的發光元件之間，其中疊層方向實質上垂直於第一方向與第二方向。感光元件在疊層方向上位於發光元件的下方，感光元件在第一方向上等間隔地設置，且感光元件各自在第一方向上位於各二相鄰的發光元件之間。
根據本發明所揭露的光學指紋辨識系統以及光學指紋辨識裝置，有利於在擷取指紋影像時避開螢幕模組中的發光元件殘像，並搭配光路轉向元件以轉正光路，可有效提高指紋影像品質，進而降低指紋辨識的難度與時間，並提高辨識的準確率。
以上之關於本揭露內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理，並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。
以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者瞭解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例進一步詳細說明本發明之觀點，但非以任何觀點限制本發明之範疇。
本發明提供一種光學指紋辨識系統，包含一底座、一感光元件、一發光層以及一保護層。感光元件設置於底座的上方。發光層設置於感光元件的上方，且發光層包含一發光元件。保護層設置於發光層的上方。光學指紋辨識系統於感光元件與保護層之間更包含一光路轉向元件。發光元件設置於光路轉向元件與感光元件的一側邊方向，且所述側邊方向不同於光學指紋辨識系統的一疊層方向。藉由以上的配置，有利於在擷取指紋影像時避開螢幕模組中的發光元件殘像，並搭配光路轉向元件以轉正光路，可有效提高指紋影像品質，進而降低指紋辨識的難度與時間，並提高辨識的準確率。其中，光路轉向元件係指能夠將光路轉向而使得光路與感光元件法線方向之間的夾角變小的元件。
光路轉向元件可包含一楔形稜鏡（Wedge Prism）。藉此，可提供光路轉向的功能。
根據本發明所揭露的光學指紋辨識系統，更可包含一聚光透鏡，且聚光透鏡設置於感光元件的上方以及光路轉向元件的下方。藉此，可配合利用適當的光傳導介質而進一步縮短光程，以降低裝置的厚度，並有利於配置於薄型電子裝置上。
本發明所揭露的光學指紋辨識系統中，更可進一步包含一聚光介質層，其中聚光介質層設置於聚光透鏡的下方以及感光元件的上方。藉此，可免去配置一般聚光元件的同軸需求，進一步降低整體製程的難度。
聚光介質層的折射率為nA，其可滿足下列條件：1.60 ＜ nA ＜ 5.0。藉此，有利於提供足夠的屈折力，以縮短光路總長。其中，可依照聚光強度及製造難易度的需求，選擇適當聚光介質層材質，而亦可滿足下列條件：nA = 1.62。其中，亦可滿足下列條件：nA = 1.77。其中，亦可滿足下列條件：nA = 2.01。
根據本發明所揭露的光學指紋辨識系統，更可包含一準直單元（Collimator Unit），其中準直單元設置於感光元件的上方以及光路轉向元件的下方，並且準直單元具有多個管狀孔洞。藉此，可接收非正向光線，以有效導正及調整光路走向，並提高進入感光元件的總光量，以進一步提高指紋的影像品質。
準直單元可包含多個光反射層，並且每一個光反射層分別環繞於每一個管狀孔洞的內壁。藉此，可利用管狀孔洞內壁處的光反射層來反射非正向光線，強化接收非正向光線進而提高進入感光元件總光量的效果。
根據本發明所揭露的光學指紋辨識系統，更可包含一光干涉過濾層以及一光吸收過濾層。光干涉過濾層與光吸收過濾層設置於感光元件的上方以及光路轉向元件的下方。光干涉過濾層與光吸收過濾層可由二個邊通（Edgepass）過濾層搭配形成，亦可採用一般光通（Bandpass）過濾層。光干涉過濾層與光吸收過濾層可採用濾光介質層或鍍膜於其他透光元件上的方式配置而成。光干涉過濾層可根據入射光角度變化而產生過濾波段平移（Bandwidth Shift），且光吸收過濾層可為一光通過過濾層。藉由光干涉過濾層搭配光吸收過濾層，可過濾掉入射角過大的光線，以利排除影像雜訊。其中，光吸收過濾層的光通過波段可為可見光至近紅外光（Near-infrared，NIR）。請參照圖14與圖15，圖14係繪示有依照本發明之一實施例之光干涉過濾層於垂直入射角（0度入射角）的光線照射時，通過光干涉過濾層與光吸收過濾層之光線波段與通過率（Transmission）的折線圖，圖15係繪示依照本發明之一實施例之光干涉過濾層於45度入射角的光線照射時，通過光干涉過濾層與光吸收過濾層之光線波段與通過率的折線圖，其中圖表的橫軸為光線的波段（單位為奈米），縱軸為光線的通過率（單位為百分比）。在圖14與圖15的實施例中，光干涉過濾層與光吸收過濾層係為彼此相互搭配的邊通過濾層，其中光干涉過濾層為短通（Short Pass）過濾層，而光吸收過濾層為長通（Long Pass）過濾層。由圖14與圖15可得知，在光線的入射角度不同的情況下，可通過光干涉過濾層與光吸收過濾層的波段會有所不同。詳細來說，請參照圖14，在光線垂直入射時，大約850奈米（短通的上限）以下波長的光線皆能通過光干涉過濾層，而在光線垂直入射時，大約800奈米（長通的下限）以上波長的光線皆能通過光吸收過濾層。也就是說，在光線垂直入射時，波長在大約800奈米至大約850奈米之間的光線（近紅外光）能通過光干涉過濾層與光吸收過濾層。接著，請參照圖15，在光線改為45度角入射時，因入射角過大，僅剩大約760奈米以下波長的光線能通過光干涉過濾層，相較圖14中光線垂直入射的狀態，能通過光干涉過濾層之光線的波段向左方平移，即為上述之過濾波段平移的現象，而在光線改為45度角入射時，能通過光吸收過濾層之光線波段相較於圖14中的狀態下仍維持不變。由於圖15中的狀態下，能通過光干涉過濾層之光線的波段與能通過光吸收過濾層之光線的波段已無重疊的區域，因此45度角之入射光無法通過光干涉過濾層與光吸收過濾層。藉此，可達到上述過濾掉入射角過大之光線的效果。
光通過光干涉過濾層與光吸收過濾層之波段的半峰全寬（Full Width at Half Maximum）為FWHM，其可滿足下列條件：FWHM ＜ 100 [奈米]。藉此，可限制光通波段的帶寬（Bandwidth），以便控制入射角的角度。其中，亦可滿足下列條件：FWHM ＜ 50 [奈米]。在本發明中，能通過光干涉過濾層的光波長區間以及能通過光吸收過濾層的光波長區間，在此二光波長區間相互重疊區域內的波段，即為上述的「光通過光干涉過濾層與光吸收過濾層之波段」。若以上述圖14之實施例來舉例，「光通過光干涉過濾層與光吸收過濾層之波段」即為圖14中波長在大約800奈米至大約850奈米之間的光線，但本發明不以此為限。
光路轉向元件可包含一梯度折射率元件（Gradient Refractive Index，GRIN）。藉此，可提供光路轉向的功能。其中，所述梯度折射率元件可為一徑向梯度折射率透鏡（Radial Gradient Index Lens）。
梯度折射率元件的折射率可沿著遠離發光元件的方向遞減。藉此，可有效控制光路的走向。
梯度折射率元件的最大折射率為Nmax，梯度折射率元件的最小折射率為Nmin，其可滿足下列條件：1.2 ＜ Nmax/Nmin ＜ 4.5。藉此，有利於平衡梯度折射率元件的轉向能力以及製造難易度。
光路轉向元件可包含至少二介質層，所述至少二介質層中的二相鄰介質層之間形成一轉向傾斜面，且所述至少二介質層中的二相鄰介質層透過轉向傾斜面相互連接。藉此，可利用介質差異以及傾斜角度大小，提供光路轉向的功能。
所述至少二介質層的折射率可沿著遠離發光元件的方向遞減，也就是說，最靠近發光元件的介質層其折射率最大，而最遠離發光元件的介質層其折射率最小。藉此，可有效控制光路的走向，以有效提高經轉向之光線的能量。
轉向傾斜面可為全反射面，可透過介質配置差異或直接配置一反射介質塗層於傾斜面，來達成全反射效果。藉此，可有效控制光路的走向，並配合傾斜角度產生全反射面，降低光穿透或折射所產生的光能量流失，進一步地提高經轉向之光線的能量。
發光元件可設置於光路轉向元件與感光元件的同一側邊方向。藉此，可將光路轉向元件與感光元件組成一影像辨識單元，進而有利於模組化。其中，發光元件亦可設置於光路轉向元件、聚光透鏡與感光元件的同一側邊方向。藉此，可將聚光透鏡納入影像辨識單元內，而提升模組的完成度。
根據本發明所揭露的光學指紋辨識系統，更可包含一晶圓級透鏡組（Wafer Level Lens Assembly），且晶圓級透鏡組設置於感光元件的上方以及光路轉向元件的下方。藉此，可有效提供聚光效果，進一步降低光學指紋辨識系統的厚度。
根據本發明所揭露的光學指紋辨識系統，更可包含一超穎透鏡（Meta Lens），且超穎透鏡設置於感光元件的上方以及光路轉向元件的下方。藉此，可有效提供聚光效果，進一步降低光學指紋辨識系統的厚度。
根據本發明所揭露的光學指紋辨識系統，更可包含一光吸收層，且光吸收層環繞於光路轉向元件的外周面。藉此，可避免發光元件直接投射於光路轉向元件過多的雜散光。
光路轉向元件與感光元件在光學指紋辨識系統的疊層方向上可相互對位；也就是說，光路轉向元件於底座的正投影重疊於感光元件於底座的正投影。藉此，可向感光元件充分地提供正向光線，有利於感光元件的響應。
發光層更可包含一螢幕單元，其中螢幕單元包含所述發光元件，且發光元件為一有機發光二極體（Organic Light-Emitting Diode，OLED）。藉此，有利於降低裝置整體厚度，以達成螢幕下指紋辨識系統的配置。
發光元件與感光元件可透過薄膜電晶體（Thin-Film-Transistor，TFT）結構相互連接；藉此，可透過發光元件與感光元件之間的連結，同步發光元件與感光元件的開啟與關閉，以便控制光線的發出與擷取，可排除不必要的雜散光訊號與串擾（Crosstalk），可提高辨識的準確率。其中，可有多個感光元件形成例如為互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS）的成像元件；藉此，可使得穿過光學元件的光線在多個感光元件上成像。
發光元件可用以發出紅光或綠光。藉此，可提供光體積變化描記圖法（Photoplethysmogram）的資訊，以便確認辨識物為活體。
本發明所揭露的光學指紋辨識系統，更可包含一觸控層，其中觸控層位於光路轉向元件與感光元件之間，並且可設置於發光層上方、發光層下方或是可整合至發光層的結構中。藉此，可提供觸控功能，亦可確認辨識物是否為活體的指紋。
光路轉向元件可包含一菲涅爾透鏡（Fresnel Lens），所述菲涅爾透鏡具有多個微型轉向斜面，其中各個微型轉向斜面可對應不同的視場，且微型轉向斜面的傾斜方向與前述光路轉向元件所包含之楔形稜鏡之斜面的傾斜方向實質上相同。
本發明提供一種光學指紋辨識裝置，包含多個發光元件、多個光路轉向元件以及多個感光元件。發光元件分別在一第一方向與一第二方向上等間隔地設置，其中第一方向實質上垂直於第二方向。光路轉向元件在光學指紋辨識裝置的一疊層方向上位於發光元件的上方，光路轉向元件在第一方向上等間隔地設置，且光路轉向元件各自在第一方向上位於各二相鄰的發光元件之間，其中疊層方向實質上垂直於第一方向與第二方向。感光元件在疊層方向上位於發光元件的下方，感光元件在第一方向上等間隔地設置，且感光元件各自在第一方向上位於各二相鄰的發光元件之間。藉由以上陣列式的光學配置，可縮小整體光學指紋辨識裝置的體積，且便於整合於現今的螢幕製程。
光路轉向元件與感光元件分別在光學指紋辨識裝置的疊層方向上可相互對位；也就是說，光路轉向元件在疊層方向上分別重疊於感光元件。藉此，可向感光元件充分地提供正向光線，有利於感光元件的響應。
本發明所揭露的光學指紋辨識裝置，更可包含一準直層，其中準直層設置於所述多個感光元件的上方以及所述多個光路轉向元件的下方，並且準直層具有多個管狀孔洞。藉此，可接收非正向光線，以有效導正及調整光路走向，並提高進入感光元件的總光量，以進一步提高指紋的影像品質。
上述本發明光學指紋辨識系統與光學指紋辨識裝置中的各技術特徵皆可組合配置，而達到對應之功效。
根據上述實施方式，以下提出具體實施例並配合圖式予以詳細說明。
＜第一實施例＞
請參照圖1，係繪示依照本發明第一實施例之光學指紋辨識系統的示意圖。在本實施例中，光學指紋辨識系統10包含底座11、感光元件12、聚光透鏡13、發光層15、觸控層16、光路轉向元件17以及保護層18。感光元件12在疊層方向Z設置於底座11的上方。聚光透鏡13在疊層方向Z設置於感光元件12的上方。發光層15在疊層方向Z設置於感光元件12與聚光透鏡13的上方。觸控層16在疊層方向Z設置於發光層15的上方。光路轉向元件17在疊層方向Z設置於感光元件12、聚光透鏡13、發光層15與觸控層16的上方，使得觸控層16位於感光元件12與光路轉向元件17之間。保護層18在疊層方向Z設置於發光層15與光路轉向元件17的上方。
具體來說，聚光透鏡13位於感光元件12的上方以及光路轉向元件17的下方。聚光透鏡13在疊層方向Z上具有面向光路轉向元件17的凸面13a。
發光層15包含螢幕單元151，並且螢幕單元151包含發光元件152。發光元件152設置於感光元件12、聚光透鏡13與光路轉向元件17的一側邊方向上，且所述側邊方向不同於疊層方向Z。具體來說，發光元件152在第一方向X上設置於感光元件12、聚光透鏡13與光路轉向元件17的同一側，其中第一方向X與側邊方向相同。
發光元件152例如為有機發光二極體，而可作為光源以發出紅光或綠光。發光元件152與底座11透過薄膜電晶體結構TFT1相互連接，並且發光元件152透過薄膜電晶體結構TFT1和底座11間接地與感光元件12相互連接。
光路轉向元件17位於感光元件12與保護層18之間。光路轉向元件17與感光元件12在疊層方向Z上相互對位；也就是說，光路轉向元件17於底座11的正投影重疊於感光元件12於底座11的正投影。光路轉向元件17包含楔形稜鏡171。楔形稜鏡171在疊層方向Z上具有面向保護層18的斜面171a。
當使用者的手指FG放置於保護層18上時，發光元件152可向手指FG發出感測光線SL。手指FG上具有指紋紋路，且手指FG的表面具有谷部VL以及脊部RG。感測光線SL可在谷部VL與脊部RG被反射（為方便示意，在本實施例以及下述全部的實施例中圖式僅有繪示在脊部RG被反射的感測光線SL），通過楔形稜鏡171的斜面171a後成為轉向光線RL，其中轉向光線RL與感光元件12法線方向（未繪示，即疊層方向Z）之間的夾角小於感測光線SL與感光元件12法線方向之間的夾角。接著，轉向光線RL被傳導至聚光透鏡13的凸面13a並成為射向感光元件12的收斂光線CL。收斂光線CL成像於感光元件12上，以傳輸資訊於一處理器（未另繪示），並在彙整數個單位的光學指紋辨識系統所產生的影像後進行判讀。
＜第二實施例＞
請參照圖2，係繪示依照本發明第二實施例之光學指紋辨識系統的示意圖。在本實施例中，光學指紋辨識系統20包含底座21、感光元件22、超穎透鏡23、發光層25、觸控層26、光路轉向元件27以及保護層28。感光元件22在疊層方向Z設置於底座21的上方。超穎透鏡23在疊層方向Z設置於感光元件22的上方。發光層25在疊層方向Z設置於感光元件22與超穎透鏡23的上方。觸控層26整合至發光層25的結構中而與發光層25位於同一層。光路轉向元件27在疊層方向Z設置於感光元件22、超穎透鏡23、發光層25與觸控層26的上方，使得觸控層26位於感光元件22與光路轉向元件27之間。保護層28在疊層方向Z設置於發光層25與光路轉向元件27的上方。
具體來說，超穎透鏡23位於感光元件22的上方以及光路轉向元件27的下方。
發光層25包含螢幕單元251，並且螢幕單元251包含發光元件252。發光元件252設置於感光元件22、超穎透鏡23與光路轉向元件27的一側邊方向上，且所述側邊方向不同於疊層方向Z。具體來說，發光元件252在第一方向X上設置於感光元件22、超穎透鏡23與光路轉向元件27的同一側，其中第一方向X與側邊方向相同。
發光元件252例如為有機發光二極體，而可作為光源以發出紅光或綠光。發光元件252與底座21透過薄膜電晶體結構TFT2相互連接，並且發光元件252透過薄膜電晶體結構TFT2和底座21間接地與感光元件22相互連接。
光路轉向元件27位於感光元件22與保護層28之間。光路轉向元件27與感光元件22在疊層方向Z上相互對位；也就是說，光路轉向元件27於底座21的正投影重疊於感光元件22於底座21的正投影。光路轉向元件27包含楔形稜鏡271。楔形稜鏡271在疊層方向Z上具有面向保護層28的斜面271a。
當使用者的手指FG放置於保護層28上時，發光元件252可向手指FG發出感測光線SL。手指FG上具有指紋紋路，且手指FG的表面具有谷部VL以及脊部RG。感測光線SL可在谷部VL與脊部RG被反射，通過楔形稜鏡271的斜面271a後成為轉向光線RL，其中轉向光線RL與感光元件22法線方向（未繪示，即疊層方向Z）之間的夾角小於感測光線SL與感光元件22法線方向之間的夾角。接著，轉向光線RL被傳導至超穎透鏡23並成為射向感光元件22的收斂光線CL。收斂光線CL成像於感光元件22上，以傳輸資訊於一處理器（未另繪示），並在彙整數個單位的光學指紋辨識系統所產生的影像後進行判讀。
＜第三實施例＞
請參照圖3，係繪示依照本發明第三實施例之光學指紋辨識系統的示意圖。在本實施例中，光學指紋辨識系統30包含底座31、感光元件32、聚光介質層34、聚光透鏡33、觸控層36、發光層35、光路轉向元件37以及保護層38。感光元件32在疊層方向Z設置於底座31的上方。聚光透鏡33在疊層方向Z設置於感光元件32的上方。聚光介質層34在疊層方向Z設置於感光元件32的上方以及聚光透鏡33的下方。發光層35在疊層方向Z設置於感光元件32與聚光透鏡33的上方。觸控層36在疊層方向Z設置於聚光透鏡33的上方以及發光層35的下方。光路轉向元件37在疊層方向Z設置於感光元件32、聚光透鏡33、觸控層36與發光層35的上方，使得觸控層36位於感光元件32與光路轉向元件37之間。保護層38在疊層方向Z設置於發光層35與光路轉向元件37的上方。
具體來說，聚光透鏡33位於感光元件32的上方以及光路轉向元件37的下方。聚光透鏡33在疊層方向Z上具有面向光路轉向元件37的凸面33a。
聚光介質層34的外周面處有一固定結構（未另標號），可固定聚光介質層34。聚光介質層34的折射率為nA，其滿足下列條件：nA = 1.62；nA = 1.77；或nA = 2.01。
發光層35包含螢幕單元351，並且螢幕單元351包含發光元件352。發光元件352設置於感光元件32、聚光透鏡33與光路轉向元件37的一側邊方向上，且所述側邊方向不同於疊層方向Z。具體來說，發光元件352在第一方向X上設置於感光元件32、聚光透鏡33與光路轉向元件37的同一側，其中第一方向X與側邊方向相同。
發光元件352例如為有機發光二極體，而可作為光源以發出紅光或綠光。發光元件352與底座31透過薄膜電晶體結構TFT3相互連接，並且發光元件352透過薄膜電晶體結構TFT3和底座31間接地與感光元件32相互連接。
光路轉向元件37位於感光元件32與保護層38之間。光路轉向元件37與感光元件32在疊層方向Z上相互對位；也就是說，光路轉向元件37於底座31的正投影重疊於感光元件32於底座31的正投影。光路轉向元件37包含楔形稜鏡371。楔形稜鏡371在疊層方向Z上具有面向保護層38的斜面371a。
當使用者的手指FG放置於保護層38上時，發光元件352可向手指FG發出感測光線SL。手指FG上具有指紋紋路，且手指FG的表面具有谷部VL以及脊部RG。感測光線SL可在谷部VL與脊部RG被反射，通過楔形稜鏡371的斜面371a後成為轉向光線RL，其中轉向光線RL與感光元件32法線方向（未繪示，即疊層方向Z）之間的夾角小於感測光線SL與感光元件32法線方向之間的夾角。接著，轉向光線RL被傳導至聚光透鏡33的凸面33a後通過聚光介質層34並成為射向感光元件32的收斂光線CL。收斂光線CL成像於感光元件32上，以傳輸資訊於一處理器（未另繪示），並在彙整數個單位的光學指紋辨識系統所產生的影像後進行判讀。
＜第四實施例＞
請參照圖4a至圖4b，圖4a係繪示依照本發明第四實施例之光學指紋辨識系統的示意圖，而圖4b係繪示圖4a之光學指紋辨識系統之準直單元的上視示意圖。在本實施例中，光學指紋辨識系統40包含底座41、感光元件42、準直單元43、發光層45、觸控層46、光路轉向元件47以及保護層48。感光元件42在疊層方向Z設置於底座41的上方。準直單元43在疊層方向Z設置於感光元件42的上方。發光層45在疊層方向Z設置於感光元件42與準直單元43的上方。觸控層46在疊層方向Z設置於發光層45的上方。光路轉向元件47在疊層方向Z設置於感光元件42、準直單元43、發光層45與觸控層46的上方，使得觸控層46位於感光元件42與光路轉向元件47之間。保護層48在疊層方向Z設置於發光層45與光路轉向元件47的上方。
具體來說，準直單元43位於感光元件42的上方以及光路轉向元件47的下方。請參照圖4b，係從疊層方向Z來觀察準直單元43。由圖4b可看出，準直單元43具有多個管狀孔洞431以及多個光反射層432。每一個光反射層432分別以平行疊層方向Z且通過每一個管狀孔洞431之幾何中心的線段作為軸線環繞於每一個管狀孔洞431的內壁。
發光層45包含螢幕單元451，並且螢幕單元451包含發光元件452。發光元件452設置於感光元件42、準直單元43與光路轉向元件47的一側邊方向上，且所述側邊方向不同於疊層方向Z。具體來說，發光元件452在第一方向X上設置於感光元件42、準直單元43與光路轉向元件47的同一側，其中第一方向X與側邊方向相同。
發光元件452例如為有機發光二極體，而可作為光源以發出紅光或綠光。發光元件452與底座41透過薄膜電晶體結構TFT4相互連接，並且發光元件452透過薄膜電晶體結構TFT4和底座41間接地與感光元件42相互連接。
光路轉向元件47位於感光元件42與保護層48之間。光路轉向元件47與感光元件42在疊層方向Z上相互對位；也就是說，光路轉向元件47於底座41的正投影重疊於感光元件42於底座41的正投影。光路轉向元件47包含楔形稜鏡471。楔形稜鏡471在疊層方向Z上具有面向保護層48的斜面471a。
當使用者的手指FG放置於保護層48上時，發光元件452可向手指FG發出感測光線SL。手指FG上具有指紋紋路，且手指FG的表面具有谷部VL以及脊部RG。感測光線SL可在谷部VL與脊部RG被反射，通過楔形稜鏡471的斜面471a後成為轉向光線RL，其中轉向光線RL與感光元件42法線方向（未繪示，即疊層方向Z）之間的夾角小於感測光線SL與感光元件42法線方向之間的夾角。接著，轉向光線RL被傳導至準直單元43，由管狀孔洞431內壁的光反射層432反射並導正後成像於感光元件42上，以傳輸資訊於一處理器（未另繪示），並在彙整數個單位的光學指紋辨識系統所產生的影像後進行判讀。
＜第五實施例＞
請參照圖5，係繪示依照本發明第五實施例之光學指紋辨識系統的示意圖。在本實施例中，光學指紋辨識系統50包含底座51、感光元件52、聚光透鏡53、光干涉過濾層541、光吸收過濾層542、發光層55、光路轉向元件57以及保護層58。感光元件52在疊層方向Z設置於底座51的上方。聚光透鏡53在疊層方向Z設置於感光元件52的上方。光干涉過濾層541與光吸收過濾層542設置於感光元件52與聚光透鏡53的上方。發光層55在疊層方向Z設置於感光元件52、聚光透鏡53、光干涉過濾層541與光吸收過濾層542的上方。光路轉向元件57在疊層方向Z設置於感光元件52、聚光透鏡53與發光層55的上方。保護層58在疊層方向Z設置於發光層55與光路轉向元件57的上方。
具體來說，聚光透鏡53位於感光元件52的上方以及光路轉向元件57的下方。聚光透鏡53在疊層方向Z上具有面向感光元件52的凸面53a。
光干涉過濾層541與光吸收過濾層542位於感光元件52的上方以及光路轉向元件57的下方，並且光吸收過濾層542設置於光干涉過濾層541與聚光透鏡53之間。光干涉過濾層541與光吸收過濾層542的外周面處有一固定結構（未另標號），可固定光干涉過濾層541與光吸收過濾層542。光吸收過濾層542為光通過過濾層，且光吸收過濾層542的光通過波段為可見光至近紅外光。
光通過光干涉過濾層541與光吸收過濾層542之波段的半峰全寬為FWHM，其滿足下列條件：FWHM = 10 [奈米]；或FWHM = 40 [奈米]。
發光層55包含螢幕單元551，並且螢幕單元551包含發光元件552。發光元件552設置於感光元件52、聚光透鏡53與光路轉向元件57的一側邊方向上，且所述側邊方向不同於疊層方向Z。具體來說，發光元件552在第一方向X上設置於感光元件52、聚光透鏡53與光路轉向元件57的同一側，其中第一方向X與側邊方向相同。
發光元件552例如為有機發光二極體，而可作為光源以發出紅光或綠光。發光元件552與底座51透過薄膜電晶體結構TFT5相互連接，並且發光元件552透過薄膜電晶體結構TFT5和底座51間接地與感光元件52相互連接。
光路轉向元件57位於感光元件52與保護層58之間。光路轉向元件57與感光元件52在疊層方向Z上相互對位；也就是說，光路轉向元件57於底座51的正投影重疊於感光元件52於底座51的正投影。光路轉向元件57包含楔形稜鏡571。楔形稜鏡571在疊層方向Z上具有面向保護層58的斜面571a。
當使用者的手指FG放置於保護層58上時，發光元件552可向手指FG發出感測光線SL。手指FG上具有指紋紋路，且手指FG的表面具有谷部VL以及脊部RG。感測光線SL可在谷部VL與脊部RG被反射，通過楔形稜鏡571的斜面571a後成為轉向光線RL，其中轉向光線RL與感光元件52法線方向（未繪示，即疊層方向Z）之間的夾角小於感測光線SL與感光元件52法線方向之間的夾角。接著，轉向光線RL被傳導且依序通過光干涉過濾層541、光吸收過濾層542與聚光透鏡53的凸面53a並成為射向感光元件52的收斂光線CL。收斂光線CL成像於感光元件52上，以傳輸資訊於一處理器（未另繪示），並在彙整數個單位的光學指紋辨識系統所產生的影像後進行判讀。
＜第六實施例＞
請參照圖6，係繪示依照本發明第六實施例之光學指紋辨識系統的示意圖。在本實施例中，光學指紋辨識系統60包含底座61、感光元件62、晶圓級透鏡組63、發光層65、光路轉向元件67以及保護層68。感光元件62在疊層方向Z設置於底座61的上方。晶圓級透鏡組63在疊層方向Z設置於感光元件62的上方。發光層65在疊層方向Z設置於感光元件62與晶圓級透鏡組63的上方。光路轉向元件67在疊層方向Z設置於感光元件62、晶圓級透鏡組63與發光層65的上方。保護層68在疊層方向Z設置於發光層65與光路轉向元件67的上方。
具體來說，晶圓級透鏡組63位於感光元件62的上方以及光路轉向元件67的下方。晶圓級透鏡組63包含多個晶圓級透鏡（未另標號）。這些晶圓級透鏡在疊層方向Z上具有面向光路轉向元件67的物側面63a以及面向感光元件62的像側面63b。
發光層65包含螢幕單元651，並且螢幕單元651包含發光元件652。發光元件652設置於感光元件62、晶圓級透鏡組63與光路轉向元件67的一側邊方向上，且所述側邊方向不同於疊層方向Z。具體來說，發光元件652在第一方向X上設置於感光元件62、晶圓級透鏡組63與光路轉向元件67的同一側，其中第一方向X與側邊方向相同。
發光元件652例如為有機發光二極體，而可作為光源以發出紅光或綠光。發光元件652與底座61透過薄膜電晶體結構TFT6相互連接，並且發光元件652透過薄膜電晶體結構TFT6和底座61間接地與感光元件62相互連接。
光路轉向元件67位於感光元件62與保護層68之間。光路轉向元件67與感光元件62在疊層方向Z上相互對位；也就是說，光路轉向元件67於底座61的正投影重疊於感光元件62於底座61的正投影。光路轉向元件67包含楔形稜鏡671。楔形稜鏡671在疊層方向Z上具有面向保護層68的斜面671a。
光學指紋辨識系統60更包含光吸收層69。光吸收層69以平行疊層方向Z且通過楔形稜鏡671的線段作為軸線環繞於光路轉向元件67的外周面。
當使用者的手指FG放置於保護層68上時，發光元件652可向手指FG發出感測光線SL。手指FG上具有指紋紋路，且手指FG的表面具有谷部VL以及脊部RG。感測光線SL可在谷部VL與脊部RG被反射，通過楔形稜鏡671的斜面671a後成為轉向光線RL，其中轉向光線RL與感光元件62法線方向（未繪示，即疊層方向Z）之間的夾角小於感測光線SL與感光元件62法線方向之間的夾角。接著，轉向光線RL被傳導至晶圓級透鏡組63的物側面63a與像側面63b並成為射向感光元件62的收斂光線CL。收斂光線CL成像於感光元件62上，以傳輸資訊於一處理器（未另繪示），並在彙整數個單位的光學指紋辨識系統所產生的影像後進行判讀。
＜第七實施例＞
請參照圖7，係繪示依照本發明第七實施例之光學指紋辨識系統的示意圖。在本實施例中，光學指紋辨識系統70包含底座71、感光元件72、聚光透鏡73、發光層75、光路轉向元件77以及保護層78。感光元件72在疊層方向Z設置於底座71的上方。聚光透鏡73在疊層方向Z設置於感光元件72的上方。發光層75在疊層方向Z設置於感光元件72與聚光透鏡73的上方。光路轉向元件77在疊層方向Z設置於感光元件72、聚光透鏡73與發光層75的上方。保護層78在疊層方向Z設置於發光層75與光路轉向元件77的上方。
具體來說，聚光透鏡73位於感光元件72的上方以及光路轉向元件77的下方。聚光透鏡73在疊層方向Z上具有面向光路轉向元件77的凸面73a。
發光層75包含螢幕單元751，並且螢幕單元751包含發光元件752。發光元件752設置於感光元件72、聚光透鏡73與光路轉向元件77的一側邊方向上，且所述側邊方向不同於疊層方向Z。具體來說，發光元件752在第一方向X上設置於感光元件72、聚光透鏡73與光路轉向元件77的同一側，其中第一方向X與側邊方向相同。
發光元件752例如為有機發光二極體，而可作為光源以發出紅光或綠光。發光元件752與底座71透過薄膜電晶體結構TFT7相互連接，並且發光元件752透過薄膜電晶體結構TFT7和底座71間接地與感光元件72相互連接。
光路轉向元件77位於感光元件72與保護層78之間。光路轉向元件77與感光元件72在疊層方向Z上相互對位；也就是說，光路轉向元件77於底座71的正投影重疊於感光元件72於底座71的正投影。光路轉向元件77包含梯度折射率元件771，並且在梯度折射率元件771的外周面處更包含一固定結構（未另標號）以固定梯度折射率元件771。梯度折射率元件771的折射率沿著遠離發光元件752的方向（即負X方向）遞減。請參照圖7中的梯度折射率元件771，係以網點的密度來表示梯度折射率元件771的折射率大小，網點越密集則代表梯度折射率元件771的折射率越大，而網點越稀疏則代表梯度折射率元件771的折射率越小。
梯度折射率元件771的最大折射率為Nmax，梯度折射率元件771的最小折射率為Nmin，其滿足下列條件：Nmax/Nmin = 1.5；Nmax/Nmin = 2；或Nmax/Nmin = 4。
當使用者的手指FG放置於保護層78上時，發光元件752可向手指FG發出感測光線SL。手指FG上具有指紋紋路，且手指FG的表面具有谷部VL以及脊部RG。感測光線SL可在谷部VL與脊部RG被反射，在通過梯度折射率元件771的過程中逐步轉向後成為轉向光線RL，其中轉向光線RL與感光元件72法線方向（未繪示，即疊層方向Z）之間的夾角小於感測光線SL與感光元件72法線方向之間的夾角。接著，轉向光線RL被傳導至聚光透鏡73的凸面73a並成為射向感光元件72的收斂光線CL。收斂光線CL成像於感光元件72上，以傳輸資訊於一處理器（未另繪示），並在彙整數個單位的光學指紋辨識系統所產生的影像後進行判讀。
＜第八實施例＞
請參照圖8，係繪示依照本發明第八實施例之光學指紋辨識系統的示意圖。在本實施例中，光學指紋辨識系統80包含底座81、感光元件82、聚光透鏡83、發光層85、光路轉向元件87以及保護層88。感光元件82在疊層方向Z設置於底座81的上方。聚光透鏡83在疊層方向Z設置於感光元件82的上方。發光層85在疊層方向Z設置於感光元件82與聚光透鏡83的上方。光路轉向元件87在疊層方向Z設置於感光元件82、聚光透鏡83與發光層85的上方。保護層88在疊層方向Z設置於發光層85與光路轉向元件87的上方。
具體來說，聚光透鏡83位於感光元件82的上方以及光路轉向元件87的下方。聚光透鏡83在疊層方向Z上具有面向光路轉向元件87的凸面83a。
發光層85包含螢幕單元851，並且螢幕單元851包含發光元件852。發光元件852設置於感光元件82、聚光透鏡83與光路轉向元件87的一側邊方向上，且所述側邊方向不同於疊層方向Z。具體來說，發光元件852在第一方向X上設置於感光元件82、聚光透鏡83與光路轉向元件87的同一側，其中第一方向X與側邊方向相同。
發光元件852例如為有機發光二極體，而可作為光源以發出紅光或綠光。發光元件852與底座81透過薄膜電晶體結構TFT8相互連接，並且發光元件852透過薄膜電晶體結構TFT8和底座81間接地與感光元件82相互連接。
光路轉向元件87位於感光元件82與保護層88之間。光路轉向元件87與感光元件82在疊層方向Z上相互對位；也就是說，光路轉向元件87於底座81的正投影重疊於感光元件82於底座81的正投影。光路轉向元件87包含至少二介質層。具體來說，光路轉向元件87包含相鄰的第一介質層871、第二介質層872，並且在第一介質層871與第二介質層872的外周面處更包含一固定結構（未另標號），可固定第一介質層871與第二介質層872。第一介質層871與第二介質層872之間形成轉向傾斜面873。第一介質層871與第二介質層872透過轉向傾斜面873相互連接，其中所述轉向傾斜面873與疊層方向Z呈一夾角。第一介質層871與第二介質層872的折射率沿著遠離發光元件852的方向（即負X方向）遞減。具體來說，第一介質層871的折射率大於第二介質層872的折射率，而在相互連接的轉向傾斜面873上形成全反射面。
當使用者的手指FG放置於保護層88上時，發光元件852可向手指FG發出感測光線SL。手指FG上具有指紋紋路，且手指FG的表面具有谷部VL以及脊部RG。感測光線SL可在谷部VL與脊部RG被反射，在通過第一介質層871後被轉向傾斜面873全反射而成為轉向光線RL，其中轉向光線RL與感光元件82法線方向（未繪示，即疊層方向Z）之間的夾角小於感測光線SL與感光元件82法線方向之間的夾角。接著，轉向光線RL被傳導至聚光透鏡83的凸面83a並成為射向感光元件82的收斂光線CL。收斂光線CL成像於感光元件82上，以傳輸資訊於一處理器（未另繪示），並在彙整數個單位的光學指紋辨識系統所產生的影像後進行判讀。
＜第九實施例＞
請參照圖9，係繪示依照本發明第九實施例之光學指紋辨識系統的示意圖。在本實施例中，光學指紋辨識系統90包含底座91、感光元件92、聚光透鏡93、發光層95、光路轉向元件97以及保護層98。感光元件92在疊層方向Z設置於底座91的上方。聚光透鏡93在疊層方向Z設置於感光元件92的上方。發光層95在疊層方向Z設置於感光元件92與聚光透鏡93的上方。光路轉向元件97在疊層方向Z設置於感光元件92、聚光透鏡93與發光層95的上方。保護層98在疊層方向Z設置於發光層95與光路轉向元件97的上方。
具體來說，聚光透鏡93位於感光元件92的上方以及光路轉向元件97的下方。聚光透鏡93在疊層方向Z上具有面向感光元件92的凸面93a。
發光層95包含螢幕單元951，並且螢幕單元951包含發光元件952。發光元件952設置於感光元件92、聚光透鏡93與光路轉向元件97的一側邊方向上，且所述側邊方向不同於疊層方向Z。具體來說，發光元件952在第一方向X上設置於感光元件92、聚光透鏡93與光路轉向元件97的同一側，其中第一方向X與側邊方向相同。
發光元件952例如為有機發光二極體，而可作為光源以發出紅光或綠光。發光元件952與底座91透過薄膜電晶體結構TFT9相互連接，並且發光元件952透過薄膜電晶體結構TFT9和底座91間接地與感光元件92相互連接。
光路轉向元件97位於感光元件92與保護層98之間。光路轉向元件97與感光元件92在疊層方向Z上相互對位；也就是說，光路轉向元件97於底座91的正投影重疊於感光元件92於底座91的正投影。光路轉向元件97包含菲涅爾透鏡971。菲涅爾透鏡971在疊層方向Z上具有多個微型轉向斜面971a，其中每一個微型轉向斜面971a皆面向保護層98，並且每一個微型轉向斜面971a的傾斜方向與第一至第六實施例中楔形稜鏡171~671之斜面171a~671a的傾斜方向實質上相同。
當使用者的手指FG放置於保護層98上時，發光元件952可向手指FG發出感測光線SL。手指FG上具有指紋紋路，且手指FG的表面具有谷部VL以及脊部RG。感測光線SL可在谷部VL與脊部RG被反射，通過菲涅爾透鏡971的微型轉向斜面971a後成為轉向光線RL，其中轉向光線RL與感光元件92法線方向（未繪示，即疊層方向Z）之間的夾角小於感測光線SL與感光元件92法線方向之間的夾角。接著，轉向光線RL被傳導至聚光透鏡93的凸面93a並成為射向感光元件92的收斂光線CL。收斂光線CL成像於感光元件92上，以傳輸資訊於一處理器（未另繪示），並在彙整數個單位的光學指紋辨識系統所產生的影像後進行判讀。
＜第十實施例＞
請參照圖10與圖11，其中圖10繪示依照本發明第十實施例之光學指紋辨識裝置的應用示意圖，且圖11繪示圖10之光學指紋辨識裝置辨識指紋的示意圖。
在本實施例中，電子裝置1為具有生物特徵辨識功能的智慧型手機。電子裝置1包含取像裝置101以及顯示裝置102。取像裝置101作為電子裝置1的前置鏡頭使用以提供自拍功能。顯示裝置102包含螢幕顯示層1021、螢幕觸控層1022以及透明平板1023。螢幕顯示層1021可顯示影像。其中，螢幕顯示層1021可採用OLED或主動矩陣有機發光二極體（Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED）。螢幕觸控層1022設置於螢幕顯示層1021的上方。其中，螢幕觸控層1022可具有觸控螢幕的功能，藉以可省去額外的輸入裝置，並能使操作更加直觀。透明平板1023設置於螢幕觸控層1022的上方。其中，透明平板1023可提供保護的功能，藉以減少額外元件的使用。此外，顯示裝置102更包含光學指紋辨識裝置1026。光學指紋辨識裝置1026包含多個上述第四實施例之光學指紋辨識系統40，其中圖11僅繪示二個光學指紋辨識系統40作為示意用途，並且圖11中的光學指紋辨識系統40與手指FG非依實際比例繪示。如第四實施例中所述，光學指紋辨識系統40除了具有指紋辨識的功能，其所包含的螢幕單元451亦可顯示影像，觸控層46亦可提供觸控螢幕的功能，並且保護層48亦可提供保護的功能。光學指紋辨識裝置1026亦可改為配置其他實施例的光學指紋辨識系統，本發明並不以此為限。
請參照圖12與圖13，其中圖12繪示圖10之光學指紋辨識裝置的配置關係上視示意圖，且圖13繪示圖10之光學指紋辨識裝置的分解示意圖。
光學指紋辨識裝置1026包含多個光路轉向元件47、多個發光元件452、多個準直單元43以及多個感光元件42。由圖13可看出，光路轉向元件47在疊層方向Z上位於發光元件452的上方。由圖12與圖13可看出，光路轉向元件47在第一方向X與第二方向Y上等間隔地設置，光路轉向元件47各自在第一方向X與第二方向Y上位於各二相鄰的發光元件452之間，並且光路轉向元件47與發光元件452在第一方向X與第二方向Y上相互錯位，其中第二方向Y實質上垂直於第一方向X與疊層方向Z。發光元件452分別在第一方向X與第二方向Y上等間隔地設置。多個準直單元43布滿整個層狀結構，因此形成準直層（未另標號）。感光元件42在疊層方向Z上位於發光元件452的下方，並且感光元件42在第一方向X上等間隔地設置。具體來說，感光元件42各自在第一方向X上位於各二相鄰的發光元件452之間，並且感光元件42在疊層方向Z上與光路轉向元件47和準直單元43相互對位而可接收來自光路轉向元件47和準直單元43的成像光以成像在感光元件42上。
在本實施例中，光路轉向元件47與發光元件452如圖12中的配置方式並非用來限定本發明。
本發明的光學指紋辨識系統10~90與光學指紋辨識裝置1026可適用於螢幕下指紋辨識，並兼具優良像差修正與良好成像品質的特色，但不以應用於智慧型手機為限。舉例來說，光學指紋辨識系統10~90與光學指紋辨識裝置1026還可多方面應用於數位平板、隨身影像紀錄器與多鏡頭裝置等電子裝置中。
雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。
1:電子裝置 101:取像裝置 102:顯示裝置 1021:螢幕顯示層 1022:螢幕觸控層 1023:透明平板 1026:光學指紋辨識裝置 10、20、30、40、50、60、70、80、90:光學指紋辨識系統 11、21、31、41、51、61、71、81、91:底座 12、22、32、42、52、62、72、82、92:感光元件 13、33、53、73、83、93:聚光透鏡 13a、33a、53a、73a、83a、93a:凸面 23:超穎透鏡 43:準直單元 431:管狀孔洞 432:光反射層 63:晶圓級透鏡組 63a:物側面 63b:像側面 34:聚光介質層 541:光干涉過濾層 542:光吸收過濾層 15、25、35、45、55、65、75、85、95:發光層 151、251、351、451、551、651、751、851、951:螢幕單元 152、252、352、452、552、652、752、852、952:發光元件 16、26、36、46:觸控層 17、27、37、47、57、67、77、87、97:光路轉向元件 171、271、371、471、571、671:楔形稜鏡 171a、271a、371a、471a、571a、671a:斜面 771:梯度折射率元件 871:第一介質層 872:第二介質層 873:轉向傾斜面 971:菲涅爾透鏡 971a:微型轉向斜面 18、28、38、48、58、68、78、88、98:保護層 69:光吸收層 FG:手指 RG:脊部 VL:谷部 CL:收斂光線 RL:轉向光線 SL:感測光線 FWHM:光通過光干涉過濾層與光吸收過濾層之波段的半峰全寬 nA:聚光介質層的折射率 Nmax:梯度折射率元件的最大折射率 Nmin:梯度折射率元件的最小折射率 TFT1、TFT2、TFT3、TFT4、TFT5、TFT6、TFT7、TFT8、TFT9:薄膜電晶體結構 X:第一方向 Y:第二方向 Z:疊層方向
圖1繪示依照本發明第一實施例之光學指紋辨識系統的示意圖。 圖2繪示依照本發明第二實施例之光學指紋辨識系統的示意圖。 圖3繪示依照本發明第三實施例之光學指紋辨識系統的示意圖。 圖4a繪示依照本發明第四實施例之光學指紋辨識系統的示意圖。 圖4b繪示圖4a之光學指紋辨識系統之準直單元的上視示意圖。 圖5繪示依照本發明第五實施例之光學指紋辨識系統的示意圖。 圖6繪示依照本發明第六實施例之光學指紋辨識系統的示意圖。 圖7繪示依照本發明第七實施例之光學指紋辨識系統的示意圖。 圖8繪示依照本發明第八實施例之光學指紋辨識系統的示意圖。 圖9繪示依照本發明第九實施例之光學指紋辨識系統的示意圖。 圖10繪示依照本發明第十實施例之光學指紋辨識裝置的應用示意圖。 圖11繪示圖10之光學指紋辨識裝置辨識指紋的示意圖。 圖12繪示圖10之光學指紋辨識裝置的配置關係上視示意圖。 圖13繪示圖10之光學指紋辨識裝置的分解示意圖。 圖14繪示依照本發明之一實施例之光干涉過濾層於0度入射角光線照射時通過光干涉過濾層與光吸收過濾層之光線波段與通過率的圖表。 圖15繪示依照本發明之一實施例之光干涉過濾層於45度入射角光線照射時通過光干涉過濾層與光吸收過濾層之光線波段與通過率的圖表。
10:光學指紋辨識系統
11:底座
12:感光元件
13:聚光透鏡
13a:凸面
15:發光層
151:螢幕單元
152:發光元件
16:觸控層
17:光路轉向元件
171:楔形稜鏡
171a:斜面
18:保護層
FG:手指
RG:脊部
VL:谷部
CL:收斂光線
RL:轉向光線
SL:感測光線
TFT1:薄膜電晶體結構
X:第一方向
Z:疊層方向

Claims (24)

  1. 一種光學指紋辨識系統，包含：一底座；一感光元件，設置於該底座的上方；一發光層，設置於該感光元件的上方，其中該發光層包含一發光元件；以及一保護層，設置於該發光層的上方；其中，該光學指紋辨識系統於該感光元件與該保護層之間更包含一光路轉向元件；其中，該光路轉向元件與該感光元件在該光學指紋辨識系統的一疊層方向上相互對位，該發光元件設置於該光路轉向元件與該感光元件的一側邊方向，且該側邊方向不同於該光學指紋辨識系統的該疊層方向。
  2. 如請求項1所述之光學指紋辨識系統，其中該光路轉向元件包含一楔形稜鏡。
  3. 如請求項2所述之光學指紋辨識系統，更包含一聚光透鏡，其中該聚光透鏡設置於該感光元件的上方以及該光路轉向元件的下方。
  4. 如請求項3所述之光學指紋辨識系統，更包含一聚光介質層，其中該聚光介質層設置於該聚光透鏡的下方，該聚光介質層的折射率為nA，其滿足下列條件：1.60<nA<5.0。
  5. 如請求項2所述之光學指紋辨識系統，更包含一準直單元，其中該準直單元設置於該感光元件的上方以及該光路轉向元件的下方，並且該準直單元具有多個管狀孔洞。
  6. 如請求項5所述之光學指紋辨識系統，其中該準直單元包含多個光反射層，並且該些光反射層分別環繞於該些管狀孔洞的內壁。
  7. 如請求項1所述之光學指紋辨識系統，更包含一光干涉過濾層以及一光吸收過濾層，其中該光干涉過濾層與該光吸收過濾層設置於該感光元件的上方以及該光路轉向元件的下方，該光干涉過濾層用以根據入射光角度的變化而產生過濾波段平移，且該光吸收過濾層為一光通過過濾層。
  8. 如請求項7所述之光學指紋辨識系統，其中該光吸收過濾層的光通過波段為可見光至近紅外光，光通過該光干涉過濾層與該光吸收過濾層之波段的半峰全寬為FWHM，其滿足下列條件：FWHM<100[奈米]。
  9. 如請求項1所述之光學指紋辨識系統，其中該光路轉向元件包含一梯度折射率元件。
  10. 如請求項9所述之光學指紋辨識系統，其中該梯度折射率元件的最大折射率為Nmax，該梯度折射率元件的最小折射率為Nmin，其滿足下列條件：1.2<Nmax/Nmin<4.5。
  11. 如請求項9所述之光學指紋辨識系統，其中該梯度折射率元件的折射率沿著遠離該發光元件的方向遞減。
  12. 如請求項1所述之光學指紋辨識系統，其中該光路轉向元件包含至少二介質層，該至少二介質層中的二相鄰介質層之間形成一轉向傾斜面，且該至少二介質層中的二相鄰介質層透過該轉向傾斜面相互連接。
  13. 如請求項12所述之光學指紋辨識系統，其中該至少二介質層的折射率沿著遠離該發光元件的方向遞減。
  14. 如請求項12所述之光學指紋辨識系統，其中該轉向傾斜面為全反射面。
  15. 如請求項1所述之光學指紋辨識系統，其中該發光元件設置於該光路轉向元件與該感光元件的同一側。
  16. 如請求項1所述之光學指紋辨識系統，更包含一晶圓級透鏡組，其中該晶圓級透鏡組設置於該感光元件的上方以及該光路轉向元件的下方。
  17. 如請求項1所述之光學指紋辨識系統，更包含一超穎透鏡，其中該超穎透鏡設置於該感光元件的上方以及該光路轉向元件的下方。
  18. 如請求項1所述之光學指紋辨識系統，更包含一光吸收層，其中該光吸收層環繞於該光路轉向元件的外周面。
  19. 如請求項1所述之光學指紋辨識系統，其中該發光層更包含一螢幕單元，該螢幕單元包含該發光元件，且該發光元件為一有機發光二極體。
  20. 如請求項1所述之光學指紋辨識系統，其中該發光元件與該感光元件透過一薄膜電晶體結構相互連接。
  21. 如請求項1所述之光學指紋辨識系統，其中該光路轉向元件包含一菲涅爾透鏡。
  22. 一種光學指紋辨識裝置，包含：多個發光元件，其中該些發光元件分別在一第一方向與一第二方向上等間隔地設置，且該第一方向實質上垂直於該第二方向；多個光路轉向元件，其中該些光路轉向元件在該光學指紋辨識裝置的一疊層方向上位於該些發光元件的上方，該疊層方向實質上垂直於該第一方向與該第二方向，該些光路轉向元件在該第一方向上等間隔地設置，且該些光路轉向元件各自在該第一方向上位於各二相鄰的該些發光元件之間；以及多個感光元件，其中該些感光元件在該疊層方向上位於該些發光元件的下方，該些感光元件在該第一方向上等間隔地設置，且該些感光元件各自在該第一方向上位於各二相鄰的該些發光元件之間。
  23. 如請求項22所述之光學指紋辨識裝置，其中該些光路轉向元件與該些感光元件在該疊層方向上相互對位。
  24. 如請求項22所述之光學指紋辨識裝置，更包含一準直層，其中該準直層設置於該些感光元件的上方，並且該準直層具有多個管狀孔洞。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN205845065U (zh) * 2016-05-31 2016-12-28 宸鸿科技(厦门)有限公司 指纹辨识装置
JP6062858B2 (ja) * 2010-10-15 2017-01-18 バイオアキシアル エスエーエス 光学測定方法および光学測定装置
CN107341472A (zh) * 2017-07-04 2017-11-10 京东方科技集团股份有限公司 一种光学指纹识别装置及其指纹识别方法、显示装置
TWM561810U (zh) * 2018-01-04 2018-06-11 敦捷光電股份有限公司 屏內光學指紋辨識的薄膜電晶體面板
TWI627590B (zh) * 2017-05-19 2018-06-21 致伸科技股份有限公司 光學式指紋辨識模組
CN108491761A (zh) * 2018-02-26 2018-09-04 维沃移动通信有限公司 指纹感光识别装配结构及电子设备
US10235555B2 (en) * 2016-11-23 2019-03-19 Tron Intelligence Inc. Optical fingerprint recognition sensor package
CN209072544U (zh) * 2018-10-15 2019-07-05 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹识别装置及具有指纹识别功能的终端设备
US10366272B2 (en) * 2016-04-19 2019-07-30 Samsung Electronics Co. Ltd Electronic device supporting fingerprint verification and method for operating the same

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI261140B (en) * 2005-05-31 2006-09-01 Au Optronics Corp Display panels
US7924272B2 (en) * 2006-11-27 2011-04-12 Microsoft Corporation Infrared sensor integrated in a touch panel
JP5834386B2 (ja) * 2010-08-20 2015-12-24 ソニー株式会社 光学センサ、レンズモジュール、およびカメラモジュール
TWI461742B (zh) 2012-01-09 2014-11-21 Largan Precision Co Ltd 複層陣列鏡片組
US9279964B2 (en) 2013-01-22 2016-03-08 Himax Technologies Limited Wafer level optical lens structure
US9225888B2 (en) 2013-11-19 2015-12-29 Largan Precision Co., Ltd. Image capturing array system and fingerprint identification device
JP2016115862A (ja) * 2014-12-17 2016-06-23 セイコーエプソン株式会社 画像取得装置、生体情報取得装置、電子機器
US9829614B2 (en) 2015-02-02 2017-11-28 Synaptics Incorporated Optical sensor using collimator
US10181070B2 (en) 2015-02-02 2019-01-15 Synaptics Incorporated Low profile illumination in an optical fingerprint sensor
US10410037B2 (en) 2015-06-18 2019-09-10 Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. Under-screen optical sensor module for on-screen fingerprint sensing implementing imaging lens, extra illumination or optical collimator array
US10268884B2 (en) 2016-01-29 2019-04-23 Synaptics Incorporated Optical fingerprint sensor under a display
US20180012069A1 (en) 2016-07-06 2018-01-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Fingerprint sensor, fingerprint sensor package, and fingerprint sensing system using light sources of display panel
CN106022324B (zh) * 2016-08-04 2019-04-30 京东方科技集团股份有限公司 一种纹路识别显示装置
CN206470775U (zh) * 2016-12-23 2017-09-05 敦捷光电股份有限公司 生物特征辨识装置
US10311276B2 (en) 2017-02-22 2019-06-04 Synaptics Incorporated Under display optical fingerprint sensor arrangement for mitigating moiré effects
CN109145702A (zh) 2017-06-15 2019-01-04 神盾股份有限公司 光学指纹感测器
US10579846B2 (en) * 2017-08-15 2020-03-03 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. AMOLED driving device
US10796128B2 (en) * 2017-12-12 2020-10-06 Fingerprint Cards Ab Optical sensor with ambient light filter
US10515253B2 (en) 2017-12-27 2019-12-24 Visera Technologies Company Limited Optical fingerprint sensor
KR20190088822A (ko) * 2018-01-19 2019-07-29 삼성전자주식회사 지문 인식을 위한 센서 및 전자 장치
KR102509439B1 (ko) 2018-03-06 2023-03-13 삼성디스플레이 주식회사 지문 센서 패키지 및 이를 포함하는 표시 장치
WO2020021399A1 (ja) * 2018-07-27 2020-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
WO2020029021A1 (zh) 2018-08-06 2020-02-13 深圳市汇顶科技股份有限公司 屏下光学指纹识别装置及电子设备
KR20210042929A (ko) * 2018-08-15 2021-04-20 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 마이크로렌즈 어레이를 포함하는 광학 요소
KR102386104B1 (ko) * 2018-12-21 2022-04-13 삼성전자주식회사 후면조사형 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 기기
US20210089741A1 (en) * 2019-09-23 2021-03-25 Apple Inc. Thin-Film Transistor Optical Imaging System with Integrated Optics for Through-Display Biometric Imaging
CN111007680A (zh) * 2019-11-25 2020-04-14 华为技术有限公司 液晶显示装置
CN113161432A (zh) * 2020-01-23 2021-07-23 群创光电股份有限公司 电子装置
CN111507280B (zh) * 2020-04-21 2024-04-16 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6062858B2 (ja) * 2010-10-15 2017-01-18 バイオアキシアル エスエーエス 光学測定方法および光学測定装置
US10366272B2 (en) * 2016-04-19 2019-07-30 Samsung Electronics Co. Ltd Electronic device supporting fingerprint verification and method for operating the same
CN205845065U (zh) * 2016-05-31 2016-12-28 宸鸿科技(厦门)有限公司 指纹辨识装置
US10235555B2 (en) * 2016-11-23 2019-03-19 Tron Intelligence Inc. Optical fingerprint recognition sensor package
TWI627590B (zh) * 2017-05-19 2018-06-21 致伸科技股份有限公司 光學式指紋辨識模組
CN107341472A (zh) * 2017-07-04 2017-11-10 京东方科技集团股份有限公司 一种光学指纹识别装置及其指纹识别方法、显示装置
TWM561810U (zh) * 2018-01-04 2018-06-11 敦捷光電股份有限公司 屏內光學指紋辨識的薄膜電晶體面板
CN108491761A (zh) * 2018-02-26 2018-09-04 维沃移动通信有限公司 指纹感光识别装配结构及电子设备
CN209072544U (zh) * 2018-10-15 2019-07-05 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹识别装置及具有指纹识别功能的终端设备

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