JP5584679B2 - 固体撮像素子および撮像装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 107
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/45—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from two or more image sensors being of different type or operating in different modes, e.g. with a CMOS sensor for moving images in combination with a charge-coupled device [CCD] for still images
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
まず、図3、図4、図5Aおよび図5Bを参照しながら、本発明の固体撮像素子の第1の実施形態を説明する。図3は、本実施形態における固体撮像素子の表面側における平面レイアウト図であり、図4は、その裏面側における平面レイアウト図である。図5Aは、図3におけるA-A線断面図であり、図5Bは、図3におけるB-B線断面図である。
次に、図8を参照しながら、本発明による撮像素子の第2の実施形態を説明する。
次に図9、図10Aおよび図10Bを参照しながら、本発明による固体撮像素子の第3の実施形態を説明する。
次に、図11を参照しながら、本発明による撮像装置の他の実施形態を説明する。本実施形態の撮像装置は、実実施形態1の撮像素子と同一の撮像素子を備える。
2 マイクロ集光レンズ
2a,2b,2c,2d 半導体層の表側に配設されたマイクロ集光レンズ
3 マイクロ集光レンズ
3a,3b,3c,3d,3e,3f,3aa 半導体層の裏側に配設されたマイクロ集光レンズ
4 画素領域
5 配線
6 透明材料層
7 低屈折率透明層
8 透明基板
9 レンズ
10 反射ミラー
11 両面照射型の撮像素子
12 信号発生及び画素信号受信部
13 素子駆動部
14 ビデオ信号生成部
15 ビデオインターフェース部
16 光分岐撮像部
17 ハーフミラー
100 半導体層
100a 半導体層の第1の面(表面)
100b 半導体層の第2の面(裏面)
200 マイクロ集光レンズの第1アレイ(表側マイクロレンズアレイ)
300 マイクロ集光レンズの第2アレイ(裏側マイクロレンズアレイ)
Claims (16)
- 第1の面と前記第1の面の反対側に位置する第2の面とを有する半導体層と、
前記半導体層中において前記第1の面と前記第2の面との間に2次元状に配列された複数の光感知セルと、
前記第1の面側に配置され、各々が前記複数の光感知セルのうちの第1の光感知セル群に含まれる各光感知セルに集光する複数のマイクロ集光レンズの第1アレイと、
前記第2の面側に配置され、各々が前記複数の光感知セルのうちの前記第1の光感知セル群とは異なる第2の光感知セル群に含まれる各光感知セルに集光する複数のマイクロ集光レンズの第2アレイと、
を備え、
前記複数の光感知セルは、それぞれ、複数の画素領域内に位置しており、
前記複数のマイクロ集光レンズの第1アレイに含まれるマイクロ集光レンズの配列ピッチは、前記複数の画素領域の配列ピッチの2倍であり、
前記複数のマイクロ集光レンズの第1アレイに含まれる各マイクロ集光レンズは、前記複数の画素領域の各々のサイズよりも大きなサイズを有している、固体撮像素子。 - 前記複数の光感知セルは、行および列状に配列されており、
前記第1の光感知セル群に含まれる光感知セルと、前記第2の光感知セル群に含まれる光感知セルとは、行および列の方向に交互に配列されている請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記複数の画素領域は、それぞれ、長方形の形状を有する請求項2に記載の固体撮像素子。
- 前記複数のマイクロ集光レンズの第1アレイに含まれる各マイクロ集光レンズは、ひし形の形状を有している請求項2または3に記載の固体撮像素子。
- 前記複数のマイクロ集光レンズの第2アレイに含まれる各マイクロ集光レンズは、ひし形の形状を有している請求項2から4のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記複数のマイクロ集光レンズの第2アレイに含まれる各マイクロ集光レンズは、長方形の形状を有している請求項3に記載の固体撮像素子。
- 前記複数のマイクロ集光レンズの第1アレイに含まれる各マイクロ集光レンズは、前記複数の画素領域の各々の面積の2倍の面積を有している、請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記複数のマイクロ集光レンズの第2アレイに含まれるマイクロ集光レンズの配列ピッチは、前記複数の画素領域の配列ピッチの2倍である、請求項1から7のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記複数のマイクロ集光レンズの第2アレイに含まれる各マイクロ集光レンズは、前記複数の画素領域の各々の面積の2倍の面積を有している請求項8に記載の固体撮像素子。
- 前記複数のマイクロ集光レンズの第1アレイに含まれるマイクロ集光レンズの配列は、平行移動により、前記複数のマイクロ集光レンズの第2アレイに含まれるマイクロ集光レンズの配列と重なりあう、請求項1から9のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記複数のマイクロ集光レンズの第1アレイに含まれるマイクロ集光レンズの配列は、平行移動により、前記複数のマイクロ集光レンズの第2アレイに含まれるマイクロ集光レンズの配列とは重なりあわない、請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記複数のマイクロ集光レンズの第1アレイに含まれるマイクロ集光レンズの面積と、前記複数のマイクロ集光レンズの第2アレイに含まれるマイクロ集光レンズの面積とは、異なっている請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記複数の光感知セルは、隣接する行が行方向にハーフピッチだけシフトするように配列されており、
前記第1の光感知セル群に含まれる光感知セルと、前記第2の光感知セル群に含まれる光感知セルとは、異なる行に属している、請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記複数の光感知セルは、それぞれ、ひし形の形状を有する複数の画素領域内に位置している請求項13に記載の固体撮像素子。
- 前記複数のマイクロ集光レンズの第1および第2アレイに含まれる各マイクロ集光レンズは、長方形の形状を有している請求項14に記載の固体撮像素子。
- 固体撮像素子と、前記固体撮像素子に光を入射させる光学系とを備える撮像装置であって、
前記固体撮像素子は、
第1の面と前記第1の面の反対側に位置する第2の面とを有する半導体層と、
前記半導体層中において前記第1の面と前記第2の面との間に2次元状に配列された複数の光感知セルと、
前記第1の面側に配置され、各々が前記複数の光感知セルのうちの第1の光感知セル群に含まれる各光感知セルに集光する複数のマイクロ集光レンズの第1アレイと、
前記第2の面側に配置され、各々が前記複数の光感知セルのうちの前記第1の光感知セル群とは異なる第2の光感知セル群に含まれる各光感知セルに集光する複数のマイクロ集光レンズの第2アレイと、
を備え、
前記複数の光感知セルは、それぞれ、複数の画素領域内に位置しており、
前記複数のマイクロ集光レンズの第1アレイに含まれるマイクロ集光レンズの配列ピッチは、前記複数の画素領域の配列ピッチの2倍であり、
前記複数のマイクロ集光レンズの第1アレイに含まれる各マイクロ集光レンズは、前記複数の画素領域の各々のサイズよりも大きなサイズを有しており、
前記光学系は、被写体からの光を前記第1アレイおよび前記第2アレイに照射する、撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011503289A JP5584679B2 (ja) | 2009-10-07 | 2010-09-24 | 固体撮像素子および撮像装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009233288 | 2009-10-07 | ||
JP2009233288 | 2009-10-07 | ||
JP2011503289A JP5584679B2 (ja) | 2009-10-07 | 2010-09-24 | 固体撮像素子および撮像装置 |
PCT/JP2010/005774 WO2011043025A1 (ja) | 2009-10-07 | 2010-09-24 | 固体撮像素子および撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011043025A1 JPWO2011043025A1 (ja) | 2013-02-28 |
JP5584679B2 true JP5584679B2 (ja) | 2014-09-03 |
Family
ID=43856510
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011503289A Expired - Fee Related JP5584679B2 (ja) | 2009-10-07 | 2010-09-24 | 固体撮像素子および撮像装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8810698B2 (ja) |
JP (1) | JP5584679B2 (ja) |
CN (1) | CN102227811B (ja) |
WO (1) | WO2011043025A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9847360B2 (en) | 2015-09-24 | 2017-12-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Two-side illuminated image sensor |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101517798B1 (ko) | 2010-06-01 | 2015-05-06 | 볼리 미디어 커뮤니케이션스 (센젠) 캄파니 리미티드 | 다중 스펙트럼 감광소자 및 그 제작 방법 |
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-
2010
- 2010-09-24 WO PCT/JP2010/005774 patent/WO2011043025A1/ja active Application Filing
- 2010-09-24 US US13/132,690 patent/US8810698B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-24 JP JP2011503289A patent/JP5584679B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-24 CN CN201080003383.8A patent/CN102227811B/zh not_active Expired - Fee Related
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---|---|
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CN102227811B (zh) | 2014-09-24 |
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WO2011043025A1 (ja) | 2011-04-14 |
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JPWO2011043025A1 (ja) | 2013-02-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140507 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20140603 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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